TWI709665B - 去除設置在外殼中表面上之金屬沉積物之方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於一種去除設置在外殼(1)中之表面(5)上之金屬沉積物(2)之方法，該方法包含重複實施包含以下者之工序：a)注入適合用於氧化該金屬沉積物(2)之化學物種之第一階段；b)注入適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之第二階段，該第二階段b)係於該第一階段a)之後實施。
Description
本發明係關於用於去除設置在外殼中表面上之金屬沉積物之方法。
目前技術水平已知之用於去除在外殼之表面上之金屬沉積物之方法包含以下步驟：a)氧化該金屬沉積物之步驟；b)注入能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之步驟，該步驟b)係在步驟a)之至少一部份期間實施。
然而，如此去除方法之有效性仍須改善。
因此，該能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種亦可於該金屬沉積物之氧化之前與後者反應。步驟a)從而受阻。
因此，該化學物種與該金屬沉積物之反應會干擾該去除方法，且以上所有者皆不利地影響其有效性。
尤其，當實現該去除方法以去除在一腔室中之表面上之銅(Cu)之沉積物時情況正是如此。步驟a)一般包含導入氣態氧或氣態臭氧。該能夠使氧化銅揮發之化學物種包含六氟乙醯丙酮(hfacH)。當其被注入至該外殼中時，化學物種hfacH亦在該銅被氧化前與後者反應。該氧化反應接
著受阻。
因此，本發明之主題係提出一用於去除金屬沉積物之方法，使限制能夠使該方法受阻之不想要之反應成為可能。
本發明之第一個應用係關於清除沉積在沉積腔室之內壁上之金屬殘留物。
本發明之另一個應用係關於印刷電路之製造，且更具體言之係特別係用於填充通路之金屬層之蝕刻，該通路係允許在一印刷電路之數層間之電性連接之金屬化孔洞。
慣例上，該通路係以諸如銅之金屬過量地填充，以便確保該通路之良好填充。該過量之金屬係藉由化學機械性蝕刻之步驟去除。一障壁層被置於該印刷電路之基板與該金屬沉積物層之間，以控制該蝕刻之厚度。該化學機械性蝕刻步驟需要使用障壁層以便確保該方法之極精準控制且另外需要隨後之清潔經蝕刻表面之作業，其複雜且昂貴。
另一個本發明之主題係提出經簡化且較不昂貴之用於製造金屬化通路之方法。
本發明意欲完全地或部分地克服前述缺點且係關於一用於去除設置在外殼中表面上之金屬沉積物之方法，該方法包含重複實施包含以下者之工序：a)注入能夠氧化該金屬沉積物之化學物種之第一階段；b)注入能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之第二階段，該第二階段b)係於該第一階段a)之後實施。
因此，於該能夠氧化該金屬沉積物之化學物種之注入之後之該能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之注入使得以下者成為可能：於一方面避免於該等物種之間之其等之反應且於另一方面避免包含該設置在外殼中表面上之金屬沉積物與該化學物種之反應之寄生反應。
此外，以一或多種脈衝之形式注入該適合用於氧化該金屬沉積物以及使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種亦使限制該化學物種之量成為可能。
根據一具體實例，在階段b)期間，該化學物種參照該經氧化之金屬沉積物在階段a)期間之量係以次化學計量注入。
因此，以下者係可能的：限制該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之消耗，且因此限制去除該沉積物之花費。
根據一具體實例，該工序在階段a)與階段b)之間包含一階段，在其期間無化學物種被注入至該腔室中。
此外，該工序可在階段a)與階段b)之間包含一至少部分地吹洗該外殼之階段。
另一方面，該方法可在兩個連續之工序之間包含一其中無化學物種被注入至該外殼中及/或實現至少部分地吹洗該外殼之步驟。
根據一具體實例，該外殼被維持於包含在20與250℃之間，較佳係在20與150℃之間之溫度下。
根據一具體實例，步驟a)係藉由注入一包含以下物種之至少一者之氧化性物種實現：氧、臭氧、一氧化二氮。
根據一具體實例，該於步驟b)中注入之化學物種包含六氟乙
醯丙酮。
特別有利地，該在階段a)期間及/或在階段b)期間注入之化學物種可被電漿活化。
根據一具體實例，該金屬沉積物包含以下元素之至少一者：銅、鈦、鉭、釕、鋅、鋯、釩、銀、金、鉻。
本發明之另一個主題係關於一用於清除置於一沉積腔室之內壁上之金屬殘留物之方法，其中該殘留物係藉由如以上描述之去除方法去除。
本發明之另一個主題係關於用於蝕刻在一表面上過量地沉積之金屬沉積物之方法，其中該金屬沉積物之至少一部份係藉由如以上描述之去除方法去除。
根據一具體實例，在階段a)與b)之第一個工序之前，一遮罩係以局部性方式固定至該金屬沉積物上。
該蝕刻方法可接著包含以下步驟：-將該遮罩固定在各個欲保留之該金屬沉積物之區域上；-實施該階段a)與b)之工序一或多次以去除各個未被該遮罩覆蓋之區域中之過量之該金屬沉積物。
供選擇地，該蝕刻方法可包含以下步驟：-將該遮罩固定在各個欲蝕刻之該金屬沉積物之區域上；-注入適合用於鈍化各個未被該遮罩覆蓋之區域中之該金屬沉積物之化學物種；-去除該遮罩；
-實施該階段a)與b)之工序一或多次以去除各個事先被該遮罩覆蓋之區域中之過量之該金屬沉積物。
該階段a)與b)之工序可被重複所需之次數以去除該過量之金屬沉積物。
1:外殼/腔室/沉積腔室
2:金屬沉積物/金屬殘留物
5:支撐件/面/表面
6:通路
7:遮罩
10:印刷電路
基於以下本發明之特殊與非限制性具體實例之描述並參照所附圖式，本發明會被更佳地瞭解，該等圖式中：-圖1係一外殼之圖解性呈現；-圖2A在圖(a)上顯示根據本發明之一具體實例之以時間的函數表示之被注入至該外殼中之氧化性物種之量，且於圖(b)上顯示根據本發明之該具體實例之以時間的函數表示之被注入至該外殼中之能夠揮發能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之量，其時間尺度係與圖(a)之時間尺度一樣；-圖2B在圖(a)上顯示根據本發明之另一具體實例之以時間的函數表示之被注入至該外殼中之氧化性物種之量，且於圖(b)上顯示根據本發明之該具體實例之以時間的函數表示之被注入至該外殼中之能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之量，其時間尺度係與圖(a)之時間尺度一樣；-圖3(a)與3(b)係一印刷電路之部分橫截面圖，本發明之方法係根據兩種變形實施以用於蝕刻過量地沉積在該印刷電路之一基體之表面上之金屬沉積物。
對於不同的具體實例，為了簡化描述之目的，對於完全相同或提供相同功能之元件會使用相同之符號。
圖1顯示一外殼1，其中設置有一支撐件5。
一不想要之金屬沉積物2於該外殼1中之表面上(即在該外殼1之內壁上)以及在該支撐件5上被觀察到。
該金屬沉積物2可包含以下元素之至少一者：銅、鈦、鉭、釕、鋅、鋯、釩、銀、金、鉻。
該用於去除在該腔室1中之表面上之該金屬沉積物2之方法係循環地實施，其係藉由重複一或多個各個包含以下者之工序：由將能夠氧化該金屬沉積物之物種注入至該外殼中所組成之第一階段a)與由將能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之物種注入至該外殼中所組成之第二階段b)，該第二階段b)係於該第一階段a)結束之後實施。換言之，於此方法中，避免該意欲氧化該金屬沉積物之物種之與該意欲使該經氧化之金屬沉積物揮發之物種之任何同時注入。階段a)與b)可視需要地由決定之持續期間分開，在其期間無物種被注入至該外殼中，或在其期間實現至少部分地吹洗該外殼。
階段a)可藉由透過一注入系統(未顯示)注入呈氣態形式之氧化性物種而實現。
階段a)可藉由注入包含以下物種之至少一者之氧化性物種而實現：氧、臭氧、一氧化二氮。
該氧化性物種係在該清潔工序之該第一階段a)期間以脈衝方式(以一或多種脈衝之形式)注入。
根據一些具體實例：
-該氧化性物種之一或多種注入脈衝之持續期間係包含在0.02s與5s之間，
且在兩個連續之脈衝之間之時段(如適用)係包含在0.02s與10s之間；-該氧化性物種之一或多種注入脈衝之持續期間係包含在0.02s與1s之間，且在兩個連續之脈衝之間之時段(如適用)係包含在0.02s與1s之間；-該氧化性物種之一或多種注入脈衝之持續期間係包含在1s與5s之間，且在兩個連續之脈衝之間之時段(如適用)係包含在1s與10s之間。
在該氧化性物種之注入期間，一該金屬沉積物2之氧化反應於其自由表面上發生。
用於該清潔工序之第二階段之該能夠使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種可與該金屬沉積物2相同好地反應，且因此鈍化該沉積物之被暴露之表面。該金屬沉積物2之此鈍化反應係不想要之反應，其會限制或使該沉積物通過該氧化性物種之任何氧化反應受阻。
為避免此寄生反應，於階段a)結束後於階段b)以脈衝方式(以一或多種脈衝之形式)通過一注入系統(未顯示)注入該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種。
根據一些具體實例：
-該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之一或多種注入脈衝之持續期間係包含在0.02s與5s之間，且在兩個連續之脈衝之間之延遲時間(如適用)係包含在0.02s與10s之間；-該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之一或多種注入脈衝之持續期間係包含在0.02s與1s之間，且在兩個連續之脈衝之間之延遲時間(如適用)係包含在0.02s與1s之間；-該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之一或多種注入脈衝
之持續期間係包含在1s與5s之間，且在兩個連續之脈衝之間之延遲時間(如適用)係包含在1s與10s之間。
雖然於圖2A與2B中顯示之脈衝具有方形波形狀，可設想其他脈衝之形狀，其條件為二連續脈衝被一時間間隔分開，在該時間間隔期間無適合用於氧化該金屬沉積物或用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種被注入。
該外殼1可被維持於包含在20與250℃之間之溫度下以便將適合用於使該金屬沉積物揮發之化學物種維持於氣態形式下。較佳地，該腔室1之溫度被維持於包含在20與150℃之間，又更佳係在20與100℃之間之溫度下。
該外殼1中之壓力被維持在0.1與10托之間或(較佳地)在1與5托之間。
有利地，該方法係以一第一工序之階段a)起始以至少於該金屬沉積物2之自由表面之水平面上氧化金屬沉積物。
因此，一經氧化金屬沉積物層會覆蓋該金屬沉積物2。
特別有利地，該金屬沉積物2之氧化動力學被預先測定。
該金屬沉積物2之氧化動力學取決於其性質且取決於其形成之條件，但亦取決於階段a)之氧化條件。
然而，對所屬技術領域中具有通常知識者而言憑經驗地測定該金屬沉積物2之氧化動力學係落入其能力中。
於該方面，所屬技術領域中具有通常知識者可參考以下文件：Guangwen Zhou等人，J.Mater.Res.,Vol.20,No.7(1684-1694),Jul 2005。
因此，在實施該用於去除在於該外殼1中之表面上之該金屬沉積物2之方法之前，以下者係有利者：對於不同氧化條件測定該金屬沉積物之氧化動力學，並為能夠被沉積在於該外殼1中之表面上之該金屬沉積物2之種類之各者繪製圖表。
可接著使用該等圖表以對於預決定之持續期間且於給定氧化條件下測定該經氧化之金屬沉積物之量。
因此，對於實施該用於去除在於該外殼1中之表面上之該金屬沉積物2之方法，使用該等圖表使以下者成為可能：測定以一或多種脈衝之持續期間的函數與於各個脈衝之過程中以注入之物種流率的函數表示的在階段a)期間之該經氧化之金屬沉積物之量。
在階段b)之各個脈衝期間，經氧化之金屬沉積物之層被該化學物種(至少部分地)揮發。
一旦階段a)與b)之第一個工序已完成，該氧化性物種再次被注入至該外殼中(新階段a))，以使得該氧化性物種再次大多數在該外殼1中，且因此該金屬沉積物2之氧化反應係佔優勢之反應，接著實施一新階段b)。視需要地，可在一工序之階段b)與下個工序之階段a)之間實施該外殼之吹洗及/或在兩個連續之工序之間保持一時間間隔，在該時間間隔期間無物種被注入至該外殼中。
有利地，設定階段b)之一或多種脈衝之持續期間以使得該經氧化之金屬沉積物之層不被徹底地揮發。因此，剩下之經氧化之金屬沉積物之層之部分形成對於該金屬沉積物2通過該在階段b)期間注入之化學物種之鈍化之障壁。該鈍化反應接著被避免。
換言之，在該用於在階段b)中使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之注入之過程中，該化學物種參照相同工序之階段a)中之該經氧化之金屬沉積物之量係以次化學計量注入。
以上提及之次化學計量可基於關於在階段a)期間被氧化之該金屬沉積物之量以及關於該經氧化之金屬沉積物利用該化學物種之揮發反應之機制兩者之知識來決定。
特別有利地，該氧化性物種及/或該意欲用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之物種係藉由放置於原位或遠離該腔室之電漿源活化。因此，該物種更具反應性且因此能夠達到被該欲去除之金屬沉積物覆蓋之該外殼之所有表面，即使階段a)及/或b)係以短脈衝實施。
適合用於氧化該金屬沉積物與用於使經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之注入之模式因此具有為數眾多之優點。
第一個優點係使得根據本發明之去除方法效率高。事實上，該包含該金屬沉積物2透過所注入之化學物種之鈍化之寄生反應因此被中和。該寄生反應之中和免除開啟該外殼1之必要、以及依靠去除後者之污染之程序之必要。
第二個優點係控制在階段a)與b)期間注入之化學物種之量之能力，且因此使減少該去除方法之花費成為可能。
以舉例之方式，階段a)係藉由根據一脈衝以包含在100ms與1000ms之間，較佳係在100ms與500ms之間，例如200ms之持續期間，以包含在100與1000sccm(標準立方公分每分鐘)之間，較佳係在100與
500sccm之間，例如300sccm之流率來注入氧而實現。
該適合用於使經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種可包含六氟乙醯丙酮(hfacH)
該hfacH物種係在階段b)期間根據一包含在100ms與1000ms之間，較佳係在100ms與500ms之間，例如200ms之脈衝持續期間，以包含在10與500mg.min-1(毫克每分鐘)之間，較佳係在10與100mg.min-1之間，例如50mg.min-1之流率注入。
該沉積腔室中之溫度係維持於50℃下。
因此，當該金屬沉積物2包含銅(Cu)時，階段a)之氧化反應係以下者：2Cu+O2 → 2CuO
4Cu+O 2 → 2Cu 2 O
在階段b)期間，階段a)之氧化終止，且該經氧化之金屬沉積物係透過所注入之hfacH物種根據以下反應揮發：2H+2hfacH+CuO → Cu(hfacH)2+H 2 O
2H+2hfacH+Cu 2 O → Cu+Cu(hfacH)2+H 2 O
圖2A顯示一階段a)與b)之工序之具體實例，其描繪在時間t期間於該等階段之各者中注入之物種之流率。於此具體實例中，階段a)係由用於注入該氧化性物種(例如氧電漿(O2))之單一脈衝組成。階段b)緊跟在階段a)之後且係由用於注入該意欲用於使經氧化之銅之沉積物揮發之物種(例如hfacH電漿)之單一脈衝組成。T指明該工序之持續期間。於所顯示之特殊例子中，階段a)之持續期間係實質上等於階段b)之持續期間，
且例如500ms之量級。然而，此值以及階段a)與b)之相對持續期間僅僅係象徵性且可根據所注入之物種之流率與氧化之與揮發之動力學而變化。
圖2B顯示一階段a)與b)之工序之具體實例，其描繪在時間t期間於該等階段之各者中注入之物種之流率。於此具體實例中，階段a)係由一有三個用於注入該氧化性物種(例如氧電漿)之脈衝之系列組成，該等脈衝係由一時間間隔分開，於該時間間隔中該外殼被放置於真空下。將一時間間隔置於階段a)之最終脈衝之結束與階段b)之第一個脈衝之間，可視需要地利用此時間間隔(以P代表)以吹洗該腔室。階段b)係由一有三個用於注入該意欲用於使經氧化之銅之沉積物揮發之物種(例如hfacH電漿)之脈衝之系列組成。T指明該工序之持續期間。於所顯示之特殊例子中，階段a)之持續期間係實質上等於階段b)之持續期間，且例如係在1.5s之量級。然而，此等值以及階段a)與b)之相對持續期間以及於各個階段中實現之脈衝之數目僅僅係象徵性且可根據所注入之物種之流率與氧化之與揮發之動力學變化。
相較於一其中氧電漿會被連續地注入且其中hfacH電漿會以脈衝方式注入而不打斷該氧電漿之注入之方法，目視觀察到使用根據本發明之方法去除銅之沉積物更快速。
本敘述之剩下部分呈現二個其中該去除方法被實施之應用。以上參照一去除方法描述之特徵可轉用於該二個應用中。
於本發明之第一應用中，實施該去除方法以用於清除置於沉積腔室1之內壁上之金屬殘留物2。
於該第一具體實例中，於該去除方法中提及之外殼係沉積腔室1。該沉積腔室1可係用於化學氣相沉積(CVD)、用於物理氣相沉積(PVD)、用於電漿加強化學氣相沉積(PECVD)、用於原子層沉積(ALD)之沉積腔室。
在於設置在該沉積腔室1之支撐件5上之基體上沉積一薄膜之期間，於該沉積腔室1中之表面上(即在該沉積腔室1之內壁上)以及在該支撐件5上觀察到不想要之包含在該薄膜中之材料之沉積物。
在於該腔室1中實施之沉積之過程中，該不想要之材料之沉積物於此等表面上累積，且係於該基體上形成之薄膜之污染之顯著來源。
於此等沉積腔室中形成之薄膜可係金屬薄膜，且於該沉積腔室1之內壁上觀察到之包含在該薄膜中之材料之沉積物被稱為金屬殘留物2。
本發明接著係由清除設置於該沉積腔室1之內壁上之此等金屬殘留物2組成。與以上描述之用於去除金屬沉積物之方法類似，根據第一具體實例之方法包含重複各自包含以下者之一或多個工序：a)一注入適合用於氧化該等金屬殘留物2之化學物種之階段；b)一注入適合用於使該等經氧化之金屬殘留物揮發之化學物種之階段。
階段b)係於階段a)之後實施。
圖3(a)與3(b)顯示本發明之第二應用之二個變形，其中該用於去除金屬沉積物2之方法被實施以用於制造印刷電路10，以蝕刻沉積在該印刷電路之基體上之金屬沉積物2。
於圖3(a)與3(b)之實施例中，該金屬沉積物2係用於填充通
路6。該通路6係金屬化孔洞，其允許印刷電路基體之一或多層之間之電性連接。
於圖3(a)與3(b)中，顯示單一之通路6，應瞭解該印刷電路10可包含數個通路6。
本發明之方法亦可以更一般之方法實施以用於蝕刻沉積在一基體之表面上之金屬沉積物。例如，該方法使自一金屬沉積物之層起始在一印刷電路基體上製造一塊形接觸成為可能。
該於圖3(a)與3(b)中顯示之印刷電路之基體10包含一面5。一通路6至少部分地通過該印刷電路10以將該面5電連結至該印刷電路10之另一層(未顯示)。
該金屬沉積物2係以過量製造。其填充該通路6以令人滿意地金屬化其，且亦覆蓋該印刷電路10之面5。本發明之方法使以下者成為可能：蝕刻此過量之金屬沉積物2，以使得該金屬沉積物僅餘留在該通路6裡面且視需要地沿著其縱軸向外伸出。於該通路6周圍以及該表面5上，該金屬沉積物2係使用本發明之方法去除。
該印刷電路10係設置於一外殼(未顯示)中，例如與參照本發明之方法之第一應用描述之該沉積腔室1類似之沉積腔室，以清除金屬殘留物。
圖3(a)顯示一該第二具體實例之第一變形。於實施該方法之前，一遮罩7被固定在欲保留之該金屬沉積物2之各個區域上，於該印刷電路10之表面5之水平面上。該遮罩7之中心在該通路6之縱軸上。
接著，該方法之階段a)與b)之工序係根據本發明實施一或多
次，以去除於該未被遮罩7覆蓋之表面5之各個區域中之該過量之金屬沉積物2。
在階段a)期間，該金屬沉積物2僅於該通路6周圍被氧化，因為該遮罩7保護該通路6。於階段a)結束時，位於該通路6中且沿著其縱軸之該金屬沉積物2之部分未被氧化。
在階段b)(其於階段a)之後實施)期間，適合用於使該經氧化之金屬沉積物2揮發之化學物種被注入至該外殼1中。在階段b)期間，化學物種係根據一連串脈衝注入。
該適合用於使該經氧化之金屬沉積物2揮發之化學物種僅於該通路6周圍起作用，該遮罩7於該通路6之水平面上保護該金屬沉積物2。
該階段a)與b)之工序被重複所需之次數以逐漸地去除該金屬沉積物2之過量部分之厚度。
圖3(b)顯示一該第二具體實例之第二變形。於實施該方法之前，一遮罩7被固定在欲蝕刻之該金屬沉積物2之各個區域上，於該印刷電路10之表面5之水平面上面且於該通路6周圍。
接著，適合用於鈍化於各個未被該遮罩覆蓋之區域中之該金屬沉積物2之化學物種被注入至該外殼1中。該鈍化可藉由注入(參照該金屬沉積物之量為過量)該氧化性物種及/或該能夠使該經氧化之金屬沉積物2揮發之化學物種(較佳係以參照該金屬沉積物2之量為過化學計量之量)實現。
因此，該金屬沉積物2僅於未被遮避之區域(即於該通路6
之水平面上)被鈍化。
接著該遮罩7被去除。
接著，該方法之階段a)與b)之工序係根據本發明實施一或多次，以於各個事先被該遮罩覆蓋之區域去除該於表面5上之過量之金屬沉積物2。
在階段a)期間，該金屬沉積物2僅於該通路6周圍被氧化，因為於該通路6之水平面，該金屬沉積物被鈍化且因此執行遮罩功能。於階段a)結束時，該金屬沉積物於該通路6之水平面上未被氧化。
在階段b)(其係階段a)之後實施)期間，適合用於使該經氧化之金屬沉積物2揮發之化學物種被被注入至該外殼1中。在階段b)期間，該化學物種係根據一連串脈衝注入。
該適合用於使該經氧化之金屬沉積物2揮發之化學物種僅僅於該通路6周圍起作用，該鈍化以遮罩之方式保護於該通路6之水平面上之該金屬沉積物2。
該階段a)與b)之工序被重複所需之次數以去除該過量之金屬沉積物2。
相較於用於藉由機械-化學拋光蝕刻金屬沉積物之習用方法，本發明具有以下優點：-機械-化學拋光需要厚金屬層(典型係大於或等於1.5μm)之沉積以確保隨後之拋光之一致性，但於本發明中實施之蝕刻使沉積單單足以填充該通路之金屬之厚度(即數百奈米過量之沉積)成為可能。本發明因此使以下者成為可能：減少欲沉積之金屬之量達大約10之因數。
-藉由不須使用導致該基體之顯著污染之機械-化學拋光，本發明亦避免導因於此拋光之清潔步驟，-最後，不再需要在該基體與該金屬沉積物之間形成一障壁層。
因此，使用本發明，沉積在一表面上之金屬沉積物之蝕刻被簡化且係較不昂貴。
當然，本發明並不限於所描述之具體實例。可作變形具體實例而不超出本發明之範圍
因此，根據本發明之用於去除金屬沉積物之方法使限制能夠使該方法受阻之寄生反應成為可能。
G. Zhou等人：Initial oxidation kinetics of Cu(100), (110), and (111) thin films investigated by in situ UHV TEM, J. Mater. Res., Vol. 20, No. 7，2005年7月
Claims (17)
- 一種用於去除設置在外殼(1)中表面(5)上之金屬沉積物(2)之方法，該方法包含重複實施包含以下者之工序：a)注入適合用於氧化該金屬沉積物(2)之化學物種之第一階段；b)注入適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種之第二階段，該第二階段b)係於該第一階段a)之後實施；且其中，在階段b)期間，該化學物種參照該經氧化之金屬沉積物在階段a)期間之量係以次化學計量注入，以使得該經氧化之金屬沉積物之層未被完全揮發。
- 根據請求項1之方法，其中該適合用於氧化該金屬沉積物(2)之化學物種與該適合用於使該經氧化之金屬沉積物揮發之化學物種係分別以一或多種脈衝之形式注入。
- 根據請求項2之方法，其中該一或多種注入脈衝之持續期間係包含在0.02s與5s之間，且如適用在兩個連續之脈衝之間之時段係包含在0.02s與10s之間。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該工序在階段a)與階段b)之間包含一階段，在該階段期間無化學物種被注入至該外殼中。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該工序包含在階段a)與階段b)之間至少部分地吹洗該外殼之階段。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其在兩個連續之工序之間包含其中無化學物種被注入至該外殼中及/或實現至少部分地吹洗該外殼之步驟。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該外殼(1)被維持於包含在20與250℃之間之溫度。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中階段a)包含注入以下氧化性物種之至少一者：氧、臭氧、一氧化二氮。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該在階段b)期間注入之化學物種包含六氟乙醯丙酮。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該在階段a)期間及/或在階段b)期間注入之化學物種係藉由電漿活化。
- 根據請求項1至3中之一項之方法，其中該金屬沉積物(2)包含以下元素之至少一者：銅、鈦、鉭、釕、鋅、鋯、釩、銀、金、鉻。
- 一種用於清除設置在沉積腔室(1)之內壁上之金屬殘留物(2)之方法，其中該殘留物係藉由根據請求項1至11中之一項之方法去除。
- 一種用於蝕刻在一表面(5)上過量沉積之金屬沉積物(2)之方法，其中該金屬沉積物之至少一部份係藉由根據請求項1至11中之一項之方法去除。
- 根據請求項13之方法，其特徵在於在階段a)與b)之第一個工序之前，一遮罩(7)係以局部性方式固定至該金屬沉積物(2)上。
- 根據請求項14之方法，其特徵在於其包含以下步驟：-將該遮罩(7)固定在各個欲保留之該金屬沉積物(2)之區域上；-實施該階段a)與b)之工序一或多次以去除各個未被該遮罩覆蓋之區域中之該過量之金屬沉積物(2)。
- 根據請求項14之方法，其特徵在於其包含以下步驟： -將該遮罩(7)固定在各個欲蝕刻之該金屬沉積物(2)之區域上；-注入適合用於鈍化各個未被該遮罩覆蓋之區域中之該金屬沉積物(2)之化學物種；-除去該遮罩(7)；-實施該階段a)與b)之工序一或多次以去除各個事先被該遮罩覆蓋之區域中之該過量之金屬沉積物(2)。
- 根據請求項13至16中之一項之方法，其特徵在於該階段a)與b)之工序被重複所需之次數以去除該過量之金屬沉積物(2)。
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