CN108884560B - 用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于去除布置在腔室(1)中表面(5)上的金属沉积物(2)的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：a)注入适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质的第一阶段；和b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在所述第一阶段a)之后进行。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法。
背景技术
现有技术中已知的用于从腔室中的表面去除金属沉积物的方法包括以下步骤：
a)氧化所述金属沉积物的步骤；
b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的步骤，所述第二步骤b)在步骤a)的至少一部分期间进行。
然而，这样的去除方法的有效性仍有待改进。
适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质也可能与所述金属沉积物在其氧化之前反应。这是可能阻断步骤a)的方式。
因此，所述化学物质与所述金属沉积物的反应可以干扰所述去除方法，并且尤其是危害其有效性。
当进行所述去除方法以从腔室中的表面去除铜(Cu)沉积物时尤其如此。步骤a)通常包括引入气态氧或气态臭氧。适合于使氧化铜挥发的化学物质包括六氟乙酰丙酮(hfacH)。当将hfacH化学物质注入所述腔室时，它也在铜被氧化之前与铜反应。于是阻断了所述氧化反应。
因此，本发明的目的是提出一种去除金属沉积物的方法，所述方法使得可以限制可能阻断所述方法的干扰反应。
本发明的第一个应用涉及布置在沉积腔室的内壁上的金属残余物的清洁。
本发明的另一个应用涉及印刷电路的制造，更具体而言，涉及尤其用于填充通孔的金属层的蚀刻，所述通孔是在印刷电路的几个层之间建立电连接的金属化孔洞。
常规上，所述通孔用金属例如铜过度填充，以便确保令人满意的通孔填充。过量的金属通过化学机械蚀刻步骤去除。在印刷电路基板和金属沉积层之间布置停止层来控制蚀刻厚度。所述化学机械蚀刻步骤需要使用停止层以确保非常精确地控制所述方法，并且还需要后续操作，包括复杂而昂贵的对蚀刻表面的清洁。
本发明的另一个目的是提出一种简化且较便宜的用于制造金属化通孔的方法。
发明内容
本发明目的在于克服全部或部分的上述缺点，并且涉及一种用于去除布置在腔室中表面上的金属沉积物的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：
a)注入适合于氧化所述金属沉积物的化学物质的第一阶段；
b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在第一阶段a)之后进行。
在注入适合于氧化所述金属沉积物的化学物质之后注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质因此使得一方面可以避免所述物质相互反应，而另一方面，避免干扰反应，包括布置在腔室中表面上的所述金属沉积物与所述化学物质的反应。
此外，以一个或几个脉冲的形式注入所述适合于氧化所述金属沉积物和使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质也使得可以限制所述化学物质的量。
根据一种实施方法，在阶段b)中，相对于在阶段a)中氧化的所述金属沉积物的量，所述化学物质以亚化学计量的量注入。
由此可限制适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的消耗，并因此可限制去除所述沉积物的成本。
根据一个实施方式，所述序列包括在阶段(a)和阶段(b)之间的阶段，在此期间没有化学物质被注入所述腔室。
而且，所述序列可包括在阶段a)和阶段b)之间的至少部分腔室吹洗(purge)阶段。
此外，所述方法可以在两个连续的序列之间包括没有化学物质被注入所述腔室和/或所述腔室被至少部分吹洗的步骤。
根据一种实施方法，将所述腔室维持在20和250℃之间、优选在20和150℃之间的温度。
根据一种实施方法，步骤a)通过注入包含至少一种下列物质的氧化物质来进行：氧气，臭氧，一氧化二氮。
根据一种实施方法，在步骤b)中注入的化学物质包括六氟乙酰丙酮。
特别有利地，在阶段a)和/或阶段b)中注入的化学物质可以是等离子体活化的。
根据一种实施方法，所述金属沉积物包括下列元素中的至少一种：铜，钛，钽，钌，锌，锆，钒，银，金，铬。
本发明的另一个目的涉及一种清洁布置在沉积腔室的内壁上的金属残余物的方法，其中使用如上所述的去除方法去除所述残余物。
本发明的另一个目的涉及一种蚀刻在表面上过量沉积的金属沉积物的方法，其中通过如上所述的去除方法去除至少一部分所述金属沉积物。
根据一个实施方式，在a)和b)阶段的第一个序列之前，将掩模以局部化方式贴附在金属沉积物上。
所述蚀刻方法于是可以包括以下步骤：
-将所述掩模贴附在待保留的金属沉积物的各区域上；
-将a)和b)阶段的序列进行一次或数次以去除未被所述掩模覆盖的各区域中过量的金属沉积物。
或者，所述蚀刻方法可包括以下步骤：
-将所述掩模贴附在待蚀刻的金属沉积物的各区域上；
-注入适合于钝化未被所述掩模覆盖的各区域中的金属沉积物的化学物质；
-去除所述掩模；
-将a)和b)阶段的序列进行一次或数次以去除先前被所述掩模覆盖的各区域中过量的金属沉积物。
可以将a)和b)阶段的序列根据需要重复多次以去除所述过量的金属沉积物。
附图说明
在参考附图的同时阅读以下对本发明的具体但非限制性的实施方式的描述后，将更好地理解本发明，在附图中：
-图1是腔室的示意图；
-图2A在图(a)上显示了根据本发明的一个实施方式，注入所述腔室中的氧化物质的量随时间的变化，并且在图(b)上显示了根据本发明的所述实施方式，注入所述腔室中的适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的量随时间的变化，时间尺度与图(a)的时间尺度相同；
-图2B在图(a)上显示了根据本发明的另一个实施方式，注入所述腔室中的氧化物质的量随时间的变化，并且在图(b)上显示了根据本发明的所述实施方式，注入所述腔室中的适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的量随时间的变化，时间尺度与图(a)的时间尺度相同；
-图3(a)和3(b)是印刷电路的部分横截面图，本发明的方法根据用于蚀刻在印刷电路基板表面上过量沉积的金属沉积物的两种变体来实施。
具体实施方式
为了简化描述，对在各种实施方法中相同或具有相同功能的要素将使用相同的标记。
图1显示了腔室1，其中布置有支座5。
在腔室1内的表面上，即在腔室1的内壁上以及在支座5上，观察到不想要的金属沉积物2。
金属沉积物2可以包括下列元素中的至少一种：铜，钛，钽，钌，锌，锆，钒，银，金，铬。
从腔室1中的表面去除金属沉积物2的方法通过重复一个或多个序列来循环地进行，每个序列包括第一阶段a)，其包括向所述腔室中注入适合于氧化所述金属沉积物的物质，和第二阶段b)，其包括向所述腔室中注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的物质，第二阶段b)在第一阶段a)结束后进行。换句话说，该方法避免了同时注入用于氧化所述金属沉积物的物质和旨在使所述氧化的金属沉积物挥发的物质。阶段a)和b)可任选地隔开给定的时间段，在此期间没有物质被注入所述腔室或在此期间所述腔室被至少部分吹洗。
阶段a)可通过使用注入系统(未显示)注入气态形式的氧化物质来进行。
阶段a)可通过注入包括至少一种以下物质的氧化物质来进行：氧气、臭氧、一氧化二氮。
所述氧化物质在所述清洁序列的所述第一阶段a)期间以脉冲方式(以一个或几个脉冲的形式)被注入。
根据一些实施方法：
-用于注入氧化物质的脉冲的持续时间在0.02s至5s范围内，两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在0.02s至10s范围内；
-用于注入氧化物质的脉冲的持续时间在0.02s至1s范围内，两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在0.02s至1s范围内；
-用于注入氧化物质的脉冲的持续时间在1s至5s范围内，并且两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在1s至10s范围内。
当注入所述氧化物质时，将金属沉积物2氧化的反应在其自由表面上发生。
在所述清洁序列的第二阶段中使用的适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质也可以与金属沉积物2反应并由此钝化所述沉积物的暴露表面。将金属沉积物2钝化的反应是干扰反应，其限制或阻断所述氧化物质氧化所述沉积物的任何反应。
为了避免这种干扰反应，在阶段a)结束后的阶段b)中，通过注入系统(未显示)以脉冲方式(以一个或几个脉冲的形式)注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质。
根据一些实施方法：
-用于注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的脉冲的持续时间在0.02s至5s范围内，并且两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在0.02s至10s范围内；
-用于注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的脉冲的持续时间在0.02s至1s范围内，并且两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在0.02s至1s范围内；
-用于注入适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的脉冲的持续时间在1s至5s范围内，并且两个连续脉冲之间的延迟(如果有的话)在1s至10s范围内。
虽然图2A和2B中显示的脉冲具有选通(strobe)形状，但如果两个连续脉冲隔开一定时间间隔，在所述时间间隔期间没有注入适合于氧化所述金属沉积物或用于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的话，则可以考虑其他脉冲形状。
可以将腔室1维持在20至250℃范围内的温度，以便将适合于使所述金属沉积物挥发的化学物质维持在气态形式。优选地，将腔室1的温度维持在20和150℃之间、且更优选在20和100℃之间的温度。
将腔室1中的压力维持在0.1和10托之间，或者优选在1和5托之间。
所述方法有利地以第一个序列的阶段a)开始，以便至少在金属沉积物2的自由表面上将金属沉积物2氧化。
氧化的金属沉积物层由此覆盖金属沉积物2。
在一种特别有利的方式中，金属沉积物2的氧化动力学是预先确定的。
金属沉积物2的氧化动力学取决于其性质和形成它的条件，但也取决于阶段a)的氧化条件。
然而，根据经验确定金属沉积物2的氧化动力学在本领域技术人员的能力范围内。
在这方面，技术人员可以参考该文献Guangwen Zhou等，J.Mater.Res.，第20卷，第7期(1684-1694)，2005年7月。
因此，在实施从腔室1中的表面去除金属沉积物2的方法之前，有利的是确定所述金属沉积物对于各种氧化条件的氧化动力学并绘制可能沉积在腔室1内的表面上的每种金属沉积物2类型的图表。
所述图表然后可用于确定在预定的持续时间和给定的氧化条件下氧化的金属沉积物的量。
因此，为了实施从腔室1中的表面去除金属沉积物2的方法，使用所述图表使得可以根据脉冲的持续时间(s)和各脉冲期间注入的物质的流速来确定在阶段a)中氧化的金属沉积物的量。
在阶段b)的各脉冲期间，所述化学物质使所述氧化的金属沉积层至少部分地挥发。
一旦阶段a)和b)的第一个序列完成，将氧化物质再次注入所述腔室(新阶段a))，使得所述氧化物质在腔室1中占多数，并因此，使得氧化金属沉积物2的反应是优势反应，然后进行新的阶段b)。任选地，可以在序列的阶段b)和随后序列的阶段a)之间进行腔室的吹洗和/或在两个连续序列之间观察到没有物质被注入所述腔室中的时间段。
有利地，调节阶段b)的脉冲的持续时间，使得所述氧化的金属沉积层不会完全挥发。所保留的所述氧化的金属沉积层部分由此形成抵御金属沉积物2被阶段b)中注入的化学物质钝化的屏障。于是避免了钝化反应。
换句话说，在阶段b)中注入用于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质期间，相对于在同一序列的阶段a)中氧化的金属沉积物的量，所述化学物质以亚化学计量的量注入。
当在阶段a)中氧化的金属沉积物的量和用所述化学物质氧化的所述金属沉积物的挥发反应机制二者均已知时，可以确定前述的亚化学计量的量。
在一种特别有利的方式中，所述氧化物质和/或所述旨在使所述氧化的金属沉积物挥发的物质由位于原位或距所述腔室一定距离的等离子体源活化。所述物质由此更具反应性，并因此即使用短脉冲进行所述阶段a)和/或b)，也可能到达被待去除的金属沉积物覆盖的所有腔室表面。
因此，适合于氧化所述金属沉积物和适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质的注入方式具有许多优点。
第一个优点是使本发明的去除方法有效。事实上，由此中和了干扰反应，所述干扰反应包括金属沉积物2被注入的化学物质钝化。所述干扰反应的中和避免了必须打开腔室1并采用对后者除污染的过程。
第二个优点是能够控制在阶段a)和b)期间注入的化学物质的量，并由此使得可以降低所述去除方法的成本。
实施例
举例来说，按照持续时间在100ms至1,000ms范围内、优选100ms至500ms范围内、例如200ms的脉冲，以100至1,000sccm(标准立方厘米/分钟)范围内、优选100至500sccm范围内、例如300sccm的流速，通过注入氧气来进行阶段a)。
适合于使所述氧化的金属沉积物挥发的化学物质可以包括六氟乙酰丙酮(hfacH)。
按照持续时间在100ms至1,000ms范围内、优选100ms至500ms范围内、例如200ms的脉冲，以10至500mg.min-1(毫克/分钟)范围内、优选10和100mg.min-1之间、例如50mg.min-1的流速在阶段b)中注入HfacH物质。
将所述沉积腔室中的温度维持在50℃。
因此，当金属沉积物2包括铜(Cu)时，阶段a)的氧化反应如下：
2Cu+02→2Cu0
4Cu+02→2Cu20
阶段a)的氧化在阶段b)中停止，并且所述氧化的金属沉积物被所注入的hfacH物质根据以下反应挥发：
2H+2hfacH+CuO→Cu(hfacH)2+H20
2H+2hfacH+Cu20Cu+Cu(hfacH)2+H20
图2A示出了a)和b)阶段的序列的一个实施方式，显示了随时间t注入每个所述阶段中的物质的流速。在这个实施方式中，阶段a)由用于注入氧化物质(例如氧等离子体(O2))的单个脉冲组成。阶段b)紧跟在阶段a)之后，并且由用于注入旨在使所述氧化的铜沉积物挥发的物质(例如hfacH等离子体)的单个脉冲组成。T指定了所述序列的持续时间。在所示的特定情况下，阶段a)的持续时间基本上等于阶段b)的持续时间，并且是例如500ms左右。然而，这个值以及阶段a)和b)的相对持续时间纯粹是指示性的，并且可以根据所注入物质的流速以及氧化和挥发动力学而变化。
图2B示出了a)和b)阶段的序列的一个实施方式，显示了随时间t注入每个所述阶段中的物质的流速。在这个实施方式中，阶段a)由用于注入氧化物质(例如氧等离子体)的三脉冲系列组成，所述脉冲被隔开一定时间间隔，在此期间在所述腔室中建立真空。在阶段a)的最后脉冲结束和阶段b)的第一脉冲之间允许一个时间段，这个时间段称为P，可能用于吹洗所述腔室。阶段b)由三脉冲系列组成，用于注入旨在使氧化的铜沉积物挥发的物质(例如hfacH等离子体)。T指定了所述序列的持续时间。在所示的特定情况下，阶段a)的持续时间基本上等于阶段b)的持续时间，并且是例如1.5s左右。然而，这些值以及阶段a)和b)的相对持续时间以及在每个阶段中进行的脉冲数量纯粹是指示性的，并且可以根据所注入物质的流速以及氧化和挥发动力学而变化。
与连续注入氧等离子体并且在不中断氧等离子体注入的情况下以脉冲注入hfacH等离子体的方法相比，用本发明的方法，可以在视觉上观察到更快速的铜沉积物去除。
应用
以下描述介绍了实施所述去除方法的两个应用。上面参考所述去除方法描述的特征可以转换到这两个应用。
在本发明的第一应用中，实施所述去除方法以清洁布置在沉积腔室1的内壁上的金属残余物2。
在这个第一实施方式中，在所述去除方法中提到的腔室是沉积腔室1。沉积腔室1可以是化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、等离子体增强物理气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)腔室。
当在布置于沉积腔室1的支座5上的基板上沉积膜时，在沉积腔室1的表面上，即在沉积腔室1的内壁上，以及在支座5上，观察到不希望的所述膜中包含的材料的沉积物。
随着在腔室1中进行连续沉积时，所述不希望的材料沉积物积聚在这些表面上，并且是在所述基板上形成的膜的重要污染源。
在这些沉积腔室中形成的膜可以是金属膜，并且在沉积腔室1的内壁上观察到的在所述膜中包含的材料沉积物被称为金属残余物2。
于是本发明在于清洁布置在沉积腔室1的内壁上的这些金属残余物2。以类似于上述用于去除金属沉积物的方法的方式，根据所述第一实施方式的方法包括重复一个或多个序列，每个序列包括以下阶段：
a)注入适合于氧化金属残余物2的化学物质的阶段；
b)注入适合于使所述氧化的金属残余物挥发的化学物质的阶段。
阶段b)在阶段a)之后进行。
图3(a)和3(b)显示了本发明的第二应用的两个变体，其中用于去除金属沉积物2的方法被用来制造印刷电路10，以便蚀刻在印刷电路的基板上沉积的金属沉积物2。
在图3(a)和3(b)所示的实例中，金属沉积物2用于填充通孔6。通孔6是金属化的孔洞，在印刷电路基板的一个或几个层之间建立电连接。
在图3(a)和3(b)中，仅显示了一个通孔6，应当理解，印刷电路10可以包含若干通孔6。
本发明的方法也可以更通用的方式进行实施，以蚀刻沉积在基板表面上的金属沉积物。例如，所述方法允许基于金属沉积层在印刷电路基板上产生焊盘(pad)。
图3(a)和3(b)所示的印刷电路基板10具有面5。通孔6至少部分穿过印刷电路10，以将面5与印刷电路10的另一个层(未显示)电连接。
制成的金属沉积物2是过量的。它填充通孔6，以便以令人满意的方式将其金属化，并且还覆盖印刷电路10的面5。本发明的方法可用于蚀刻该过量的金属沉积物2，使得所述金属沉积物只保留在通孔6内部并且可能沿其纵轴向外延伸。在通孔6周围和表面5上，使用本发明的方法去除金属沉积物2。
印刷电路10被放置在腔室(未显示)中，例如与参照本发明方法的第一应用所描述的沉积腔室1类似的沉积腔室，以清洁所述金属残余物。
图3(a)显示了第二实施方式的第一变体。在所述方法实施之前，将掩模7贴附于待保留在印刷电路10的表面5上的金属沉积物2的各区域。掩模7以通孔6的纵轴为中心。
然后，将所述方法的a)和b)阶段的序列依照本发明进行一次或数次，以从未被掩模7覆盖的表面5的各区域去除过量的金属沉积物2。
在阶段a)中，因为掩模7保护通孔6，所以仅有通孔6周围的金属沉积物2被氧化。在阶段a)结束时，位于通孔6中并沿其纵轴的金属沉积物2部分未被氧化。
在阶段a)之后进行的阶段b)中，将适合于使氧化的金属沉积物2挥发的化学物质注入腔室1中。在阶段b)中，所述化学物质以脉冲序列被注入。
适合于使所述氧化的金属沉积物2挥发的化学物质仅在通孔6周围起作用，因为掩模7保护通孔6处的金属沉积物2。
将a)和b)阶段的序列根据需要重复多次，以逐渐去除过量的金属沉积物2部分的厚度。
图3(b)显示了第二实施方式的第二变体。在实施所述方法之前，将掩模7贴附在印刷电路10的表面5处和通孔6周围待蚀刻的金属沉积物2的各区域上。
然后将适合于钝化未被所述掩模覆盖的各区域中的金属沉积物2的化学物质注入腔室1中。所述钝化可以通过相对于所述金属沉积物的量过量注入所述氧化物质和/或适合于使氧化的金属沉积物2挥发的化学物质来进行，优选以相对于金属沉积物2的量为超化学计量的量。
金属沉积物2因此仅在未掩蔽区域的水平、即在通道6处被钝化。
然后去除掩模7。
然后，将所述方法的a)和b)阶段的序列依照本发明进行一次或数次，以从先前被掩模覆盖的各区域中的表面5去除过量的金属沉积物2。
在阶段a)中，仅有通孔6周围的金属沉积物2被氧化，因为在通孔6的水平处，金属沉积物被钝化并由此履行掩模的功能。在阶段a)结束时，在通孔6处的金属沉积物未被氧化。
在在阶段a)之后执行的阶段b)中，将适合于使氧化的金属沉积物2挥发的化学物质注入腔室1中。在阶段b)中，所述化学物质以脉冲序列被注入。
适合于使所述氧化的金属沉积物2挥发的化学物质仅在通孔6周围起作用，因为所述钝化像掩模那样保护了通孔6处的金属沉积物2。
将a)和b)阶段的序列根据需要重复多次，以去除过量的金属沉积物2。
与使用化学-机械抛光来蚀刻金属沉积物的常规方法相比，本发明具有以下优点：
-虽然化学-机械抛光需要沉积厚金属层(通常大于或等于1.5μm)以确保后续抛光的均匀性，但是本发明中进行的蚀刻使得可以仅沉积足以填充通孔的金属厚度，即几百纳米过量沉积。因此本发明使得可以将待沉积的金属量减少约10倍。
-通过避免了导致基板显著污染的化学-机械抛光，本发明还避免了在该抛光之后所需的清洁步骤。
-最后，不再需要在基板和金属沉积物之间形成停止层。
因此，得益于本发明，蚀刻在表面上沉积的金属沉积物更为简单且更为便宜。
当然，本发明不限于所描述的实施方法。在不背离本发明的范围的情况下，可以提供替选性实施方式。
本发明的用于去除金属沉积物的方法使得可以限制可能阻断所述方法的干扰反应。
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Claims (18)
1.一种用于去除布置在腔室(1)中表面(5)上的金属沉积物(2)的方法，所述方法包括反复进行包括以下阶段的序列：
a)注入适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质的第一阶段；
b)注入适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质的第二阶段，所述第二阶段b)在第一阶段a)之后进行；
并且其中，在阶段b)中，相对于在阶段a)中氧化的金属沉积物的量，所述化学物质以亚化学计量的量注入，使得所述氧化的金属沉积物层不会完全挥发。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述适合于氧化所述金属沉积物(2)的化学物质和所述适合于使氧化的金属沉积物挥发的化学物质分别以一个或几个脉冲的形式注入。
3.根据权利要求2所述的方法，其中注入脉冲的持续时间在0.02s至5s范围内，并且如果存在两个连续脉冲之间的延迟的话，所述两个连续脉冲之间的延迟在0.02s至10s范围内。
4.根据前述权利要求任一项所述的方法，其中所述序列包括在阶段a)和阶段b)之间的阶段，在此期间没有化学物质被注入所述腔室。
5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述序列包括在阶段a)和阶段b)之间的至少部分腔室吹洗阶段。
6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其在两个连续的序列之间包括没有化学物质被注入所述腔室和/或所述腔室被至少部分吹洗的步骤。
7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中将所述腔室(1)维持在20℃和250℃之间的温度。
8.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中将所述腔室(1)维持在20℃和150℃之间的温度。
9.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中阶段a)包括注入至少一种下列氧化物质：氧气，臭氧，一氧化二氮。
10.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中在阶段b)中注入的化学物质包括六氟乙酰丙酮。
11.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中在阶段a)和/或阶段b)中注入的化学物质是等离子体活化的。
12.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其中所述金属沉积物(2)包括至少一种下列元素：铜，钛，钽，钌，锌，锆，钒，银，金，铬。
13.一种用于清洁布置在沉积腔室(1)的内壁上的金属沉积物(2)的方法，其中使用根据权利要求1至12任一项所述的方法去除所述沉积物。
14.一种用于蚀刻在表面(5)上过量沉积的金属沉积物(2)的方法，其中通过根据权利要求1至12任一项所述的方法去除至少一部分所述金属沉积物。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在a)和b)阶段的第一个序列之前，将掩模(7)以局部化方式贴附在所述金属沉积物(2)上。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
-将所述掩模(7)贴附在待保留的金属沉积物(2)的各区域上；
-将a)和b)阶段的序列进行一次或数次以去除未被所述掩模覆盖的各区域中过量的金属沉积物(2)。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
-将所述掩模(7)贴附在待蚀刻的金属沉积物(2)的各区域上；
-注入适合于钝化未被所述掩模覆盖的各区域中的金属沉积物(2)的化学物质；
-去除所述掩模(7)；
-将a)和b)阶段的序列进行一次或数次以去除先前被所述掩模覆盖的各区域中过量的金属沉积物(2)。
18.根据权利要求14至17任一项所述的方法，其特征在于，将a)和b)阶段的序列根据需要重复多次以去除所述过量的金属沉积物(2)。
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