JP6956111B2 - チャンバ内の表面に配置された金属堆積物を除去する方法 - Google Patents
チャンバ内の表面に配置された金属堆積物を除去する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6956111B2 JP6956111B2 JP2018556005A JP2018556005A JP6956111B2 JP 6956111 B2 JP6956111 B2 JP 6956111B2 JP 2018556005 A JP2018556005 A JP 2018556005A JP 2018556005 A JP2018556005 A JP 2018556005A JP 6956111 B2 JP6956111 B2 JP 6956111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- chamber
- metal deposit
- species
- steps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 149
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 149
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 claims description 25
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 15
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 14
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/12—Gaseous compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
a)金属堆積物が酸化される工程;
b)前記酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した化学種が注入される工程であって、この第2の工程b)が、工程a)の少なくとも一部の中で行われる工程。
a)この金属堆積物を酸化するのに適した化学種を注入する第1の段階と;
b)酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した化学種を注入する第2の段階であって、この第2の段階b)は、この第1の段階a)の後に行われる段階。
− マスクは、保存されるべき金属堆積物の各領域に取り付けられる;
− マスクによって覆われていない各領域において過剰な金属堆積物を除去するためにa)およびb)段階のシーケンスが1回または数回行われる。
− エッチングされるべき金属堆積物の各領域にマスクが取り付けられる;
− マスクによって覆われていない各領域の金属堆積物を不動態化するのに適した化学種が注入される;
− マスクが除去される;
− マスクによって先に覆われた各領域の過剰の金属堆積物を除去するために、a)およびb)段階のシーケンスが1回または数回行われる。
− 金属堆積物を酸化させるのに適した化学種を注入するためのパルスの持続時間は0.02秒〜5秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は0.02秒〜10秒の範囲であり;
− 金属堆積物を酸化させるのに適した化学種を注入するためのパルスの持続時間は0.02秒〜1秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は0.02秒〜1秒の範囲であり;
− 金属堆積物を酸化させるのに適した化学種を注入するためのパルスの持続時間は1秒〜5秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は1秒〜10秒の範囲である。
− 酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した酸化化学種を注入するためのパルスの持続時間は0.02秒〜5秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は0.02秒〜10秒の範囲であり;
− 酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した化学種を注入するためのパルスの持続時間は0.02秒〜1秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は0.02秒〜1秒の範囲であり;
− 酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した化学種を注入するためのパルスの持続時間は1秒〜5秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は1秒〜10秒の範囲である。
一例として、段階a)は、100ms〜1,000ms、好ましくは100ms〜500ms、例えば200msの範囲の持続時間のパルスに従って、100〜1,000sccm(標準立方センチメートル/分)、好ましくは100〜500sccm、例えば300sccmの範囲の流量にて、酸素を注入することによって行われる。
2Cu+O2→2CuO
4Cu+O2→2Cu2O
2H+2hfacH+CuO→Cu(hfacH)2+H2O
2H+2hfacH+Cu2OCu+Cu(hfacH)2+H2O
以下の説明では、除去方法が実施されている2つの利用を紹介する。除去方法を参照して上述した特性は、これら2つの利用に転用することができる。
a)金属残留物2を酸化するのに適した化学種を注入する段階;
b)前記酸化された金属残留物を揮発させるのに適した化学種を注入する段階。
− 化学機械的研磨は、後続の研磨の均一性を保証するために厚い金属層の堆積(通常は1.5μm以上)を必要とするが、本発明で行われるエッチングは、ビアを充填するのに十分な金属の厚さ、すなわち過剰に堆積された数百ナノメートルのみで堆積可能である。従って、本発明は、堆積されるべき金属の量を約10分の1に減少させることを可能にする。
− 基板の著しい汚染を引き起こす化学機械的研磨を回避することによって、本発明はまた、この研磨に続く必要なクリーニング工程も避ける。
− 最後に、基板と金属堆積物との間に停止層を形成する必要はもはやない。
G.Zhou et al.:Initial oxidation kinetics of Cu(100),(110),and(111)thin films investigated by in situ UHV TEM,J.Mater.Res.,Vol.20,No.7,Jul 2005
Claims (17)
- チャンバ(1)内の表面(5)に配置された金属堆積物(2)を除去する方法であって、前記方法が、以下を含むシーケンス、すなわち、
a)この金属堆積物(2)を酸化するのに適した化学種を注入する第1の段階と、
b)前記酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した化学種を注入する第2の段階であって、前記第2の段階b)は、この第1の段階a)の後に行われる段階と
を繰り返し行うことを含み、
ここで段階b)において、前記化学種が、段階a)で酸化された金属堆積物の量に関して準化学量論量で注入され、その結果として前記酸化された金属堆積物の層は完全には揮発されない、方法。 - 前記金属堆積物(2)を酸化するのに適した前記化学種および前記酸化された金属堆積物を揮発させるのに適した前記化学種が、それぞれ1回または数回のパルスの形態で注入される、請求項1に記載の方法。
- 前記注入パルスの持続時間が0.02秒〜5秒の範囲であり、2つの連続するパルス間の遅延(もしあれば)は0.02秒〜10秒の範囲である、請求項2に記載の方法。
- 前記シーケンスは、化学種が前記チャンバに注入されない、段階a)と段階b)との間の段階を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記シーケンスが、段階a)と段階b)との間に少なくとも部分的なチャンバパージング段階を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 2つの連続したシーケンスの間に、化学種が前記チャンバに注入されない工程および/または前記チャンバが少なくとも部分的にパージされる工程を含む、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記チャンバ(1)が、20〜250℃、好ましくは20〜150℃の温度に維持される、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 段階a)が、以下の酸化種:酸素、オゾン、亜酸化窒素の少なくとも1つの注入を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 段階b)において注入される前記化学種が、ヘキサフルオロアセチルアセトンを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 段階a)および/または段階b)で注入される前記化学種が、プラズマ活性化される、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記金属堆積物(2)が、以下の元素、すなわち、銅、チタン、タンタル、ルテニウム、亜鉛、ジルコニウム、バナジウム、銀、金、クロムの少なくとも1つを含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の方法。
- 堆積チャンバ(1)の内壁に配置された金属残留物(2)をクリーニングする方法であって、前記残留物が、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法を用いて除去される、方法。
- 表面(5)上に過剰に堆積した金属堆積物(2)をエッチングする方法であって、前記金属堆積物の少なくとも一部が請求項1から11のいずれか一項に記載の方法によって除去される、方法。
- a)およびb)段階の第1のシーケンスに先立って、マスク(7)が前記金属堆積物(2)上に局所的な様式で取り付けられることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 以下の工程、すなわち、
前記マスク(7)は、保存されるべき前記金属堆積物(2)の各領域に取り付けられる工程と、
前記マスク(7)によって覆われていない各領域において過剰な金属堆積物(2)を除去するためにa)およびb)段階の前記シーケンスが1回または数回行われる工程と
を含むことを特徴とする、請求項14に記載の方法 - 以下の工程、すなわち、
前記マスク(7)が、エッチングされるべき前記金属堆積物(2)の各領域に取り付けられる工程と、
前記マスク(7)によって覆われていない各領域の前記金属堆積物(2)を不動態化するのに適した化学種が注入される工程と、
前記マスク(7)が除去される工程と、
前記マスク(7)によって先に覆われた各領域の過剰な前記金属堆積物(2)を除去するために、a)およびb)段階のシーケンスが1回または数回行われる工程と
を含むことを特徴とする、請求項14に記載の方法。 - a)およびb)段階の前記シーケンスを、過剰な前記金属堆積物(2)を除去するのに必要な回数繰り返すことを特徴とする、請求項13から16のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1650407 | 2016-01-19 | ||
FR1650407A FR3046801B1 (fr) | 2016-01-19 | 2016-01-19 | Procede d'elimination d'un depot metallique dispose sur une surface dans une enceinte |
PCT/EP2017/050760 WO2017125335A1 (fr) | 2016-01-19 | 2017-01-16 | Procede d'elimination d'un depot metallique dispose sur une surface dans une enceinte |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019504929A JP2019504929A (ja) | 2019-02-21 |
JP6956111B2 true JP6956111B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=55486935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018556005A Active JP6956111B2 (ja) | 2016-01-19 | 2017-01-16 | チャンバ内の表面に配置された金属堆積物を除去する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10767257B2 (ja) |
EP (1) | EP3405598B1 (ja) |
JP (1) | JP6956111B2 (ja) |
KR (1) | KR20180117105A (ja) |
CN (1) | CN108884560B (ja) |
FR (1) | FR3046801B1 (ja) |
TW (1) | TWI709665B (ja) |
WO (1) | WO2017125335A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11202112556XA (en) * | 2019-05-15 | 2021-12-30 | Applied Materials Inc | Methods of reducing chamber residues |
US11516287B2 (en) | 2020-04-29 | 2022-11-29 | Silicon Motion Technology (Hong Kong) Limited | Method and apparatus for performing simple storage service seamless migration using index objects |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6284052B2 (en) * | 1998-08-19 | 2001-09-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber |
TW593770B (en) * | 1999-05-10 | 2004-06-21 | Air Prod & Chem | Method for anisotropic etching of copper thin films with a beta-diketone, a beta-ketoimine, or a breakdown product thereof |
KR100363088B1 (ko) | 2000-04-20 | 2002-12-02 | 삼성전자 주식회사 | 원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법 |
WO2003008663A1 (en) | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Formation of titanium nitride films using a cyclical deposition process |
US6784096B2 (en) | 2002-09-11 | 2004-08-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming barrier layers in high aspect ratio vias |
KR100667561B1 (ko) | 2005-02-18 | 2007-01-11 | 주식회사 아이피에스 | 박막 증착 방법 |
US20080242078A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Asm Nutool, Inc. | Process of filling deep vias for 3-d integration of substrates |
WO2009042713A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition of tungsten materials |
JP2011512015A (ja) * | 2008-02-11 | 2011-04-14 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 半導体処理システムにおけるイオン源の洗浄 |
JP5646190B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄方法及び処理装置 |
JP5811540B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2015-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の加工方法及び加工装置 |
JP2012186190A (ja) * | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Central Glass Co Ltd | ドライクリーニング方法 |
US9824865B2 (en) * | 2014-03-05 | 2017-11-21 | Lam Research Corporation | Waferless clean in dielectric etch process |
-
2016
- 2016-01-19 FR FR1650407A patent/FR3046801B1/fr active Active
-
2017
- 2017-01-16 US US16/070,491 patent/US10767257B2/en active Active
- 2017-01-16 WO PCT/EP2017/050760 patent/WO2017125335A1/fr active Application Filing
- 2017-01-16 KR KR1020187023626A patent/KR20180117105A/ko active IP Right Grant
- 2017-01-16 JP JP2018556005A patent/JP6956111B2/ja active Active
- 2017-01-16 TW TW106101377A patent/TWI709665B/zh active
- 2017-01-16 EP EP17701652.4A patent/EP3405598B1/fr active Active
- 2017-01-16 CN CN201780007347.0A patent/CN108884560B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10767257B2 (en) | 2020-09-08 |
FR3046801A1 (fr) | 2017-07-21 |
FR3046801B1 (fr) | 2020-01-17 |
EP3405598B1 (fr) | 2019-08-07 |
TWI709665B (zh) | 2020-11-11 |
US20190032199A1 (en) | 2019-01-31 |
EP3405598A1 (fr) | 2018-11-28 |
JP2019504929A (ja) | 2019-02-21 |
WO2017125335A1 (fr) | 2017-07-27 |
CN108884560A (zh) | 2018-11-23 |
CN108884560B (zh) | 2021-01-29 |
KR20180117105A (ko) | 2018-10-26 |
TW201739961A (zh) | 2017-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102521375B1 (ko) | 증착 및 제거를 이용한 선택적 층 형성 | |
KR102662636B1 (ko) | 유전체 표면들에 대하여 금속 또는 금속성 표면들 상에서의 선택적 퇴적 | |
JP6956111B2 (ja) | チャンバ内の表面に配置された金属堆積物を除去する方法 | |
US6875702B2 (en) | Plasma treatment system | |
JP6660384B2 (ja) | チャンバの表面に位置する金属堆積物の除去方法 | |
US6852624B2 (en) | Electroless plating process, and embedded wire and forming process thereof | |
US20040213895A1 (en) | Method of manufacturing multilevel interconnection | |
CN108475660A (zh) | 用于制造包括贯穿基板延伸的导电孔的互连部的方法 | |
JP2002033322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002203807A (ja) | コンタクトホールの形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191211 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210423 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6956111 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |