TWI707485B - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI707485B TW105132393A TW105132393A TWI707485B TW I707485 B TWI707485 B TW I707485B TW 105132393 A TW105132393 A TW 105132393A TW 105132393 A TW105132393 A TW 105132393A TW I707485 B TWI707485 B TW I707485B
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Abstract

本發明係提供一種半導體裝置之製造方法，其係在以2張絕緣 基板如包夾般固定半導體元件時，可抑制半導體元件之位置位移或傾斜發生。

一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：步驟A，於 形成於第1絕緣基板之第1電極上介由第1燒結前層，與半導體元件暫時黏著，得到積層體；步驟B，前述步驟A之後，使前述半導體元件介由與第1燒結前層為相反側之第2燒結前層，於形成於第2絕緣基板之第2電極上暫時黏著，得到半導體裝置前體；步驟C，前述步驟B之後，將第1燒結前層及第2燒結前層同時加熱，使半導體元件與第1電極及第2電極接合。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於熱電轉換模組等之半導體裝置之製造方法。
傳統上，熱電轉換模組，係存在構造為複數之P型熱電元件與N型熱電元件交互並聯，並存在以2張絕緣基板將此等包夾固定之構造者(例如，參照專利文獻1)。絕緣基板，其係在與熱電元件對應之位置形成電極，並與P型熱電元件及N型熱電元件依序以串聯電連接。
專利文獻1，如此之熱電轉換模組之製造方法，係記載將高黏著助焊劑塗佈於絕緣基板及熱電元件所附著之焊料鍍覆中至少一者，使熱電元件暫時固定於絕緣基板，之後加熱以藉由焊料鍍覆而焊接。
專利文獻1，係將熱電元件之一側的面暫時固定於一側的絕緣基板之電極後，加熱接合。之後，將另一側的絕緣基板之電極與熱電元件之另一側的面接合。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開平04-10674號公報
然而，專利文獻1之方法，由於係使用焊料進行接合，為了接合另一側而加熱時，已接合完成之另一側亦被加熱導致焊料再溶融，故有熱電元件之位置位移或傾斜發生之虞。
本發明係鑑於前述問題點所成，目的係提供一種半導體裝置之製造方法，其係在以2張絕緣基板如包夾般固定半導體元件時，可抑制半導體元件之位置位移或傾斜發生。
本申請發明者等，為了解決前述傳統之問題點，深入檢討半導體裝置之製造方法。其結果，發現藉由採用下述之構成，可抑制半導體元件之位置位移或傾斜發生，從而完成本發明。
亦即，本發明之半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：步驟A，於形成於第1絕緣基板之第1電極上介由第1燒結前層，與半導體元件暫時黏著，得到積層體；步驟B，前述步驟A之後，使前述半導體元件介由與前述第1燒結前層為相反側之第2燒結前層，於形成於第2絕緣基板之第2電極上暫時黏著，得到半導體裝置前體；步驟C，前述步驟B之後，將前述第1燒結前層及前述第2燒結前層 同時加熱，使前述半導體元件與前述第1電極及前述第2電極接合。
藉由前述構成，半導體元件，首先，係與形成於有第1絕緣基板之第1電極、及形成於有第2絕緣基板之第2電極為暫時黏著之狀態。之後，對於第1燒結前層與第2燒結前層同時加熱，使前述半導體元件與前述第1電極及前述第2電極接合。亦即，藉由1次加熱，半導體元件與第1電極接合，並且，半導體元件與第2電極接合。由於藉由1次加熱完成半導體元件之兩面接合，故不會發生燒結前層之再溶融。其結果，可抑制半導體元件之位置位移或傾斜發生。
此外，由於係與第1燒結前層及第2燒結前層暫時黏著，故不必使用半導體元件之翻轉防止用之模板等。其結果，可防止因模板摩擦等所導致之半導體元件的破損。
此外，由於係使用接合材之第1燒結前層及第2燒結前層而暫時黏著，故不須額外使用暫時固定用之膠帶或接著劑。因此，在經濟上較優異。
前述構成中，在前述步驟A之後，並且，前述步驟B之前的階段，前述半導體元件，係一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層為佳。
在前述步驟A之後，並且，前述步驟B之前的階段時，在前述半導體元件之一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層，可在前述步驟A之後，不進行第2燒結前層形成步驟，直接進行前述步驟B。
前述構成中，一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層之前述半導體元件，係藉由下述步驟X及步驟Y而得為佳。
步驟X，於半導體晶圓之一側的面形成第1燒結前層，另一側的面形成第2燒結前層，得到兩面形成有燒結前層之半導體晶圓；步驟Y，將由前述步驟X所得之兩面形成有燒結前層之半導體晶圓進行個片化。
藉由前述構成，由於係在半導體晶圓之兩面形成燒結前層之狀態下個片化，故可高效率地得到兩面形成燒結前層之半導體元件。
前述構成中，前述第1燒結前層及前述第2燒結前層，係含有金屬系化合物為佳。
若前述第1燒結前層及前述第2燒結前層含有金屬系化合物，則接合後，可成為電阻少而良好地電連接。
前述構成中，前述步驟X，係使半導體晶圓之一側的面積層片材狀之第1燒結前層，另一側的面積層片材狀之第2燒結前層，從而得到兩面形成有燒結前層之半導體晶圓之步驟為佳。
由於片材狀之燒結前層，厚度比較均一。因此，藉由前述構成，因係使用片材狀之燒結前層，故可進一步抑制半導體元件之傾斜。
前述構成中，前述半導體元件，係熱電元件為佳。
若前述半導體元件為熱電元件，則可作為抑制熱電元件之位置位移或傾斜之熱電轉換模組。
10:積層體
20:下基板
22:第1絕緣基板
24:第1電極
26:支持層
28:覆蓋膜
30:上基板
32:第2絕緣基板
34:第2電極
36:支持層
38:覆蓋膜
40:半導體晶圓
42:半導體元件
52:第1燒結前層
52a、52b:隔板
54:第2燒結前層
54a、54b:隔板
70:半導體裝置前體
80:半導體裝置
【圖1】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖2】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖3】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖4】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖5】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖6】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖7】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖8】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖9】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖10】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖11】說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
【圖12】表示荷重-位移曲線之一例的圖。
【圖13】說明壓子之投影畫像的圖。
以下，雖參照圖式說明關於本實施形態之半導體裝置之製造方法，但在其之前，說明本實施形態所使用之第1燒結前層及第2燒結前層。
(第1燒結前層)
本實施形態之第1燒結前層52(參照圖1、圖4)，係藉由加熱成為燒結層之層。
本實施形態，其之第1燒結前層，雖然係說明關於藉由加熱成為燒結層之層為1層之情形，惟本發明並未限定為此例。本發明中，藉 由加熱成為燒結層之層，亦可係藉由加熱成為燒結層之層係複數積層之構成。
第1燒結前層52之厚度，係5μm~200μm為佳，更佳係10μm~150μm，進一步更佳係15μm~100μm。藉由加熱前之第1燒結前層52之厚度在上述範圍時，可確保片材形狀的維持及厚度均一性。
第1燒結前層52，使用平行平板沖壓機，以0．5MPa、10秒、80℃之條件，與測試晶片(半導體晶片、縱2mm×橫2mm、厚度3mm)貼附後，在室溫(24℃)下之抗剪強度(暫時黏著時所預想之抗剪強度)，係在0．01MPa~1．0MPa之範圍內為佳，進一步較佳係在0．1MPa~0．9Mpa之範圍內。
具體而言，係使用諾信高科技股份有限公司(舊：Daisy‧japan股份有限公司)製之超細間距接合對應黏合測試儀 系列5000，根據以下所示條件所測定之值。
<抗剪強度測定條件>
稱重傳感器：BS250
測量範圍：250g
試驗種類：破壞試驗
測試速度：100μm/s
降下速度：100μm/s
測試高度：100μm
工具移動量：2000μm
破壞認識點：高(90%)
第1燒結前層52，使用平行平板沖壓機，以0．5MPa、10秒、80℃之條件，與測試晶片(半導體晶片、縱2mm×橫2mm、厚度3mm)貼附後，進一步，使用平行平板沖壓機，以1MPa、90秒、300℃之條件加熱後，在室溫(24℃)下之抗剪強度(加熱接合後所預想之抗剪強度)，係在2MPa~100MPa之範圍內為佳，更佳係在10MPa~90MPa之範圍內。
具體而言，係使用諾信高科技股份有限公司(舊：Daisy‧japan股份有限公司)製之萬能型黏合測試儀 系列4000，根據以下所示條件所測定之值。
<抗剪強度測定條件>
稱重傳感器：DS100kg
測量範圍：100kg
試驗種類：破壞試驗
測試速度：100μm/s
降下速度：100μm/s
測試高度：100μm
工具移動量：2000μm
破壞認識點：高(90%)
第1燒結前層52，係根據下述加熱條件A進行加熱後之硬度，使用奈米壓痕儀計測，係在1．5GPa~10GPa之範圍內為佳。前述硬度，在2．0GPa~8GPa之範圍內更佳，在2．5GPa~ 7GPa之範圍內進一步更佳。下述加熱條件A，係假設前述第1燒結前層52藉由加熱而成為燒結層之條件所規定之加熱條件。使用奈米壓痕儀的硬度之計測方法，係藉由實施例所記載之方法。
<加熱條件A>
第1燒結前層52，在10MPa之加壓下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘。
若前述硬度係1．5GPa以下，則將第1燒結前層52加熱所得之燒結層，係較強固者。此外，若前述硬度係10GPa以下，則將第1燒結前層52加熱所得之燒結層，係具有適度之柔軟性者。
前述硬度，可藉由金屬微粒子之種類、含有量、平均粒徑；熱分解性接著劑之種類、含有量；低沸點接著劑之種類、含有量；藉由加熱而形成燒結層時之加熱條件(例如，溫度、時間、升溫速度等)；形成燒結層時之環境(大氣環境、氮氣環境，抑或，還原氣體環境等)而控制。
第1燒結前層52，藉由下述加熱條件A加熱後之彈性率，在使用奈米壓痕儀之計測中，在30GPa~150GPa之範圍內為佳。前述彈性率，在35GPa~120GPa之範圍內更佳，在40GPa~100GPa之範圍內進一步更佳。下述加熱條件A，係假設第1燒結前層52藉由加熱而成為燒結層之條件而規定之加熱條件。使用奈米壓痕儀計測彈性率之計測方法，係藉由實施例所記載之方法。
<加熱條件A>
將第1燒結前層52在10MPa之加壓下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘。
若前述彈性率係30GPa以上，則將第1燒結前層52加熱所得之燒結層，係較強固者。此外，若前述彈性率係150GPa以下，則第1燒結前層52加熱所得之燒結層，係成為具有適度之柔軟性者。
前述彈性率，可藉由金屬微粒子之種類、含有量、平均粒徑；熱分解性接著劑之種類、含有量；低沸點接著劑之種類、含有量；藉由加熱而形成燒結層時之加熱條件(例如，溫度、時間、升溫速度等)；形成燒結層時之環境(大氣環境、氮氣環境，抑或，還原氣體環境等)而控制。
第1燒結前層52，藉由下述變形量計測方法B所得變形量，係在1600nm~1900nm之範圍內為佳。前述變形量，在1620nm~1880nm之範圍內更佳，在1650nm~1850nm之範圍內進一步更佳。
<變形量計測方法B>
(1)第1燒結前層52，在10MPa之加壓下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘，得到變形量計測用之層的步驟；(2)前述變形量計測用之層，使用奈米壓痕儀進行壓入深度2μm之壓入，計測從壓入前至壓入解除後之變形量的步驟。
進一步詳細之前述變形量之計測方法，係藉由實施例所記載之方法。
前述變形量係1900nm以下時，所得燒結層係較強固，且信頼性提升者。另一方面，前述變形量係1600nm以上時，因具有彈性變形區域，故所得燒結層之信頼性可提升。
第1燒結前層52，在大氣環境下，以升溫速度10℃/分之條件，進行從23℃至400℃之升溫後，藉由能量分散型X線分析所得之碳濃度係15重量%以下為佳，12重量%以下更佳，10重量%以下進一步更佳。若前述碳濃度係15重量%以下，則第1燒結前層52，進行升溫至400℃後有機物幾乎不存在。其結果，在加熱接合步驟後，係耐熱性優異，且於高溫環境中亦可得高信頼性、熱特性。
第1燒結前層52，在大氣環境下，以升溫速度10℃/分之條件，從23℃升溫至500℃為止進行掃描熱分析時之高峰係存在於150~350℃為佳，存在於170~320℃更佳，存在於180~310℃進一步更佳。若前述高峰存在於150~350℃，則可認為有機物(例如，構成第一燒結前層52之樹脂成分)在此溫度區域內熱分解。其結果，加熱接合步驟後之耐熱性可進一步優異。
第1燒結前層52，係含有金屬系化合物為佳。前述金屬系化合物，可列舉如：Au系、Ag系、Cu系之金屬微粒子等。
前述金屬微粒子，可列舉如燒結性金屬粒子。
前述燒結性金屬粒子，可合適地使用金屬微粒子之凝集體。金屬微粒子，可列舉如由金屬所成微粒子等。前述金屬，可列舉如金、銀、銅、氧化銀、氧化銅等。其中，係選自銀、銅、氧化銀、氧化銅所成群中至少1種為佳。若前述金屬微粒子係選自銀、銅、氧化銀、氧化銅所成群中至少1種，則可進一步合適地加熱接合。
前述燒結性金屬粒子之平均粒徑，較佳係0．0005μm以上，更佳係0．001μm以上。平均粒徑之下限，亦可由0．01μ m、0．05μm、0．1μm例示。另一方面，燒結性金屬粒子之平均粒徑，較佳係30μm以下，更佳係25μm以下。平均粒徑之上限，亦可由20μm、15μm、10μm、5μm例示。
前述燒結性金屬粒子之平均粒徑，係由以下之方法測定。亦即，以SEM(掃描式電子顯微鏡)觀察前述燒結性金屬粒子，計測平均粒子徑。又，SEM觀察，例如，燒結性金屬粒子係微米尺寸時，以5000倍觀察，亞微米尺寸時，以50000倍觀察，奈米尺寸時，以300000倍觀察微佳。
前述燒結性金屬粒子之形狀並無特別限定，例如：球狀、棒狀、鱗片狀、不定形狀。
第1燒結前層52，相對於第1燒結前層52全體，其係包含金屬微粒子為60~98重量%之範圍內為佳。前述金屬微粒子之含有量，在65~97重量%之範圍內更佳，在70~95重量%之範圍內進一步更佳。若所含前述金屬微粒子為60~98重量%之範圍內，則可將金屬微粒子燒結，抑或，將其溶融並與2物(例如，半導體元件與電極)接合。
第1燒結前層52，係含有低沸點接著劑為佳。前述低沸點接著劑，係為了使前述金屬微粒子的處理容易化而使用。此外，前述低沸點接著劑，亦可為了調整任意之機械物性而使用。具體而言，可作為以前述低沸點接著劑分散前述金屬微粒子之金屬微粒子含有膏狀物使用。
前述低沸點接著劑，在23℃係液狀。本說明書中，「液狀」係包含半液狀。具體而言，係指以動態黏彈性測定裝置(流變儀)進行黏 度測定，在23℃中黏度為100，000Pa‧s以下者。
黏度測定之條件，如下述所示。
流變儀：Thermo SCIENTFIC社製MER III
夾具：平行板20mmφ、間隙100μm、剪斷速度1/秒)
前述低沸點接著劑之具體例，可列舉例如：戊醇、己醇、庚醇、辛醇、1-癸醇、乙二醇、二甘醇、丙二醇、丁二醇、α-松油醇、1，6-己二醇、異冰片基環己醇(MTPH)等之一價及多價醇類；乙二醇丁基醚、乙二醇苯基醚、二甘醇甲基醚、二甘醇乙醚、二甘醇丁基醚、二乙二醇異丁基醚、二甘醇己醚、三甘醇甲基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇二丁基醚、二甘醇丁基甲基醚、二甘醇異丙甲醚、三甘醇二甲醚、三甘醇丁基甲基醚、丙二醇丙醚、二丙二醇甲醚、二丙二醇乙基醚、二丙二醇丙基醚、二丙二醇丁基醚、二丙二醇二甲醚、三丙二醇甲醚、三丙二醇二甲醚等之醚類；乙二醇乙基醚乙酸酯、乙二醇丁基醚乙酸酯、二甘醇乙醚乙酸酯、二甘醇丁基醚乙酸酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯(DPMA)等。亦可將此等2種以上併用。其中，將沸點相異之2種類併用為佳。若使用沸點相異之2種類，從維持片材形狀之觀點而言較優異。
第1燒結前層52，係含有在23℃為固形之熱分解性接著劑為佳。若含有前述熱分解性接著劑，在加熱接合步驟前，可易於維持片材形狀。此外，加熱接合步驟時較易熱分解。
本說明書中，「固形」，具體而言，係指以前述流變儀進行黏度測定，在23℃中黏度為較100，000Pa‧s大者。
本說明書中，「熱分解性接著劑」，係指在加熱接合步驟中可 熱分解之接著劑。前述熱分解性接著劑，在加熱接合步驟後，於燒結層(加熱後之第1燒結前層52)幾乎無殘存為佳。前述熱分解性接著劑，可列舉例如，即使第1燒結前層52含有其者，在大氣環境下，以升溫速度10℃/分之條件進行從23℃至400℃之升溫後，藉由能量分散型X線分析所得碳濃度仍係15重量%以下之材料。例如，熱分解性接著劑，若採用容易熱分解之材料，則即使含有量相較下較多，在加熱接合步驟後，仍可使燒結層(加熱後之第1燒結前層52)幾乎無殘存。
前述熱分解性接著劑，可列舉如：聚碳酸酯、丙烯酸樹脂、乙基纖維素、聚乙烯醇等。可單獨使用此等之材料，抑或，可將2種以上混合使用。其中，根據高熱分解性之觀點，以聚碳酸酯為佳。
前述聚碳酸酯，只要係在加熱接合步驟中可熱分解者即可，並無特別限定，可列舉如：主鏈之碳酸酯基(-O-CO-O-)間未含芳香族化合物(例如，苯環等)之脂肪族鏈所成脂肪族聚碳酸酯，或主鏈之碳酸酯基(-O-CO-O-)間含芳香族化合物之芳香族聚碳酸酯。其中，以脂肪族聚碳酸酯為佳。
前述脂肪族聚碳酸酯，可列舉如：聚碳酸乙烯酯、聚碳酸丙烯酯等。其中，根據為了形成片材而製作塗劑中對於有機溶劑的溶解性之觀點，以聚碳酸丙烯酯為佳。
前述芳香族聚碳酸酯，可列舉如主鏈含雙酚A構造者等。
前述聚碳酸酯之重量平均分子量，係在10，000~1，000，000之範圍內為佳。又，重量平均分子量，係藉由GPC(膠體‧滲透‧層析儀)測定，並以聚苯乙烯換算而算出之值。
前述丙烯酸樹脂，可列舉如：在加熱接合步驟中可熱分解之範圍內，具有碳數30以下，特別係碳數4~18之直鏈或支鏈的烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯類的1種或2種以上成分的聚合體(丙烯酸共聚合體)等。前述烷基，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、t-丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、硬脂基(十八烷基)、十八烷基、或月桂基(十二烷基)等。
此外，形成聚合體(丙烯酸共聚合體)之其他的單體，並無特別限定，可列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、羧乙基丙烯酸酯、羧戊基丙烯酸酯、衣康酸、馬來酸、延胡索酸或巴豆酸等之各種的含羧基的單體；馬來酸酐或衣康酸酐等之各種的酸酐物單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙基、(甲基)丙烯酸2-羥丙基、(甲基)丙烯酸4-羥丁基、(甲基)丙烯酸6-羥己基、(甲基)丙烯酸8-羥辛基、(甲基)丙烯酸10-羥癸基、(甲基)丙烯酸12-羥十二烷基或(4-羥甲基環己烷)-丙烯酸甲酯等之各種的羥基含有單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酸醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酸醯胺丙磺酸、磺丙基(甲基)丙烯酸酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之各種的含磺酸基的單體；或2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之各種的磷酸基含有單體。
丙烯酸樹脂中，重量平均分子量係1萬~100萬者為佳，3萬~70萬者更佳。若在上述數值範圍內，則可在加熱接合步驟前之接著性，以及，加熱接合步驟時之熱分解性皆優異。又，重量平均分子量， 係藉由GPC(膠體‧滲透‧層析儀)測定，並以聚苯乙烯換算而算出之值。
此外，丙烯酸樹脂中，以200℃~400℃可熱分解之丙烯酸樹脂為佳。
又，第1燒結前層52，除了前述成分以外，例如，亦可合適地含有可塑劑等。
第1燒結前層52，可以通常之方法製造。例如，製作含有形成第1燒結前層52之前述各成分的塗劑，將塗劑在基材隔板上塗佈為所定厚度而形成塗佈膜後，並藉由乾燥該塗佈膜，從而製造第1燒結前層52。
塗劑所使用之溶劑並無特別限定，以可將前述各成分均勻溶解、混鍊或分散之有機溶劑或醇類溶劑為佳。前述有機溶劑，可列舉例如：二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮系溶劑、甲苯、二甲苯等。此外，前述醇類溶劑，可列舉如：乙二醇、二甘醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，2-丁二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、2-丁烯-1，4-二醇、1，2，6-己三醇、甘油、辛二醇、2-甲基-2，4-戊二醇、松油醇。
塗佈方法並無特別限定。溶劑塗工之方法，可列舉例如：模具塗佈機、凹版塗佈機、輥塗佈機、逆轉塗佈機、缺角輪塗佈機、管式定厚塗佈機、絲網印刷等。其中，根據塗佈厚度的高均一性之觀點，以模具塗佈機為佳。此外，塗佈膜之乾燥條件並無特別限定，例如，可以乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘進行。又，即使在乾燥塗佈膜後， 亦因溶劑之種類，有全部溶劑並未氣化而殘留於塗膜中之情形。
第1燒結前層52含有前述低沸點接著劑時，因應前述乾燥條件，有前述低沸點接著劑之一部分揮發之情形。因此，因應前述乾燥條件，構成第1燒結前層52之各成分的比率會變化。例如，即使係由相同塗劑形成之第1燒結前層52，乾燥溫度越高，並且，乾燥時間越長，第1燒結前層52全體中所占金屬微粒子之含有量、或熱分解性接著劑之含有量越多。因此，為了使第1燒結前層52中之金屬微粒子或熱分解性接著劑之含有量成為所望之量，係以前述乾燥條件進行設定為佳。
基材隔板，可使用藉由聚對苯二甲酸(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑等之剝離劑完成表面塗層之塑膠薄膜或紙等。
第1燒結前層52之製造方法，例如，使用混合機使前述各成分混合，將所得混合物進行沖壓成形製造第1燒結前層52之方法等亦合適。混合機可列舉如直立式混合機等。
第1燒結前層52，係由2張隔板包夾之附兩面隔板第1燒結前層52為佳。亦即，係將隔板52a、第1燒結前層52，以及，隔板52b依序積層之附兩面隔板第1燒結前層52為佳(參照圖4)。隔板52a及隔板52b，可使用與前述基材隔板相同者。
(第2燒結前層)
第2燒結前層54，可採用與第1燒結前層52相同之構成。第2燒結前層54，可完全與第1燒結前層52為相同之構成，亦可在上述第1燒結前層52之項所說明之範圍內，與第1燒結前層52為不同之構成。
以上，說明關於第1燒結前層52及第2燒結前層54。
接著，參照圖式，說明關於本實施形態之半導體裝置之製造方法。
圖1~圖11，係說明本實施形態之半導體裝置之製造方法的斷面模式圖。
(半導體裝置之製造方法)
本實施形態之半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：步驟A，於形成於第1絕緣基板之第1電極上介由第1燒結前層，與半導體元件暫時黏著，得到積層體；步驟B，前述步驟A之後，使前述半導體元件介由與前述第1燒結前層為相反側之第2燒結前層，於形成於第2絕緣基板之第2電極上暫時接著，得到半導體裝置前體；步驟C，前述步驟B之後，將前述第1燒結前層及前述第2燒結前層同時加熱，使前述半導體元件與前述第1電極及前述第2電極接合。
〔步驟A〕
本實施形態之半導體裝置之製造方法中，首先，得到如圖1所示之積層體10。積層體10，係具有在第1絕緣基板22所形成之第1電極24上，半導體元件42介由第1燒結前層52而暫時黏著之構成。
此外，積層體10，係於第1絕緣基板22之裏面(與第1電極24形成面為相反側之面)具有支持層26。此外，為了防止複數之第1電極24彼此導通，係在各第1電極24之外周部分設置覆蓋膜28。覆蓋膜28，係設置於未設置第1電極24之第1絕緣基板22上。又，如本實 施形態，覆蓋膜28，於第1電極24之外周部分中，亦可形成為被覆在一部分第1電極24上。
以下，說明關於得到積層體10之具體方法。
積層體10，可藉由以下之步驟而得。
步驟A-1，準備具有第1絕緣基板22及第1絕緣基板22上所形成第1電極24之下基板20；步驟A-2，準備一側的面積層有第1燒結前層52，另一側的面積層有第2燒結前層54之半導體元件42；以及步驟A-3，將步驟A-2所準備之半導體元件42，介由第1燒結前層52與前述第1電極24暫時接著。
〔步驟A-1〕
步驟A-1，係準備下基板20。
如圖2所示，下基板20，係具有：第1絕緣基板22；第1電極24，形成於第1絕緣基板22之一部分上面；支持層26，積層於第1絕緣基板22之裏面；覆蓋膜28。如上述，覆蓋膜28，係形成於未設置第1電極24之第1絕緣基板22上，並且，形成為一部分被覆於第1電極24上。
第1絕緣基板22之材質，只要係具有電機絕緣性者即可，並無特別限定，可列舉例如：聚酯系樹脂、環氧系樹脂、胺基甲酸乙酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、ABS樹脂、聚碳酸酯樹脂、矽氧樹脂等之樹脂，抑或陶瓷等。其中，根據耐熱性之観點，係聚醯亞胺系樹脂、陶瓷為佳。
使用聚醯亞胺系樹脂等之樹脂時，第1絕緣基板22可具有可撓性。此外，使用陶瓷時，可以無法彎折之強固者作為第1絕緣基板22。
第1電極24之材質，可列舉例如：金、銀、銅、鎳、鈷等之各種金屬，抑或將此等作為主成分之各種合金。本實施形態，其之第1電極24，係由金電極24a與銅電極24b積層之2層所成電極。然而，本發明中，第1電極並未限定為此例，亦可係1層，且亦可為3層以上。
支持層26，當第1絕緣基板或第1電極具有可撓性時，係賦予下基板20彈性或剛性之層。支持層26，可列舉例如：具有剛性之板(例如，銅板、SUS板、鋁板、鈦板等)，抑或具有彈性之片材(銅箔、SUS箔、鋁箔、聚醯亞胺薄膜、液晶聚合物薄膜、PET薄膜等)。
覆蓋膜28之材質，只要係具有電機絕緣性者即可，並無特別限定，可列舉例如：聚酯系樹脂、環氧系樹脂、胺基甲酸乙酯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、ABS樹脂、聚碳酸酯樹脂、矽氧樹脂等之樹脂或丙烯酸系樹脂(防焊)等。其中，根據耐熱性之觀點，係聚醯亞胺系樹脂為佳。
本實施形態，係說明關於下基板20具有：第1絕緣基板22、第1電極24、支持層26、及覆蓋膜28之情形。然而，本發明中，下基板只要具有第1絕緣基板及第1電極即可，並未限定為此例。支持層26，亦可不存在。此外，覆蓋膜28，亦可不存在。
〔步驟A-2〕
步驟A-2，準備一側的面積層有第1燒結前層52，另一側的面積層有第2燒結前層54之半導體元件42。
一側的面積層有第1燒結前層52，另一側的面積層有第2燒結前層54之半導體元件42，可藉由下述步驟X及步驟Y而得。
步驟X，於半導體晶圓之一側的面形成第1燒結前層，另一側的面形成第2燒結前層，從而得到兩面形成燒結前層之半導體晶圓；步驟Y，將前述步驟X所得之兩面形成燒結前層之半導體晶圓個片化。
〔步驟X〕
步驟X，如圖3所示，於半導體晶圓40之一側的面形成第1燒結前層52，另一側的面形成第2燒結前層54，從而得到兩面形成燒結前層之半導體晶圓。
步驟X，亦可係在半導體晶圓40之一側的面積層片材狀之第1燒結前層52，另一側的面積層片材狀之第2燒結前層54，從而得到兩面形成燒結前層之半導體晶圓的步驟。亦即，步驟X，亦可係第1燒結前層以及第2燒結前層係片材狀，並將片材狀之第1燒結前層52、及片材狀之第2燒結前層54與半導體晶圓40貼附之步驟。
此時，片材狀之燒結前層，其厚度較平均。因此，此時，可進一步抑制半導體元件之傾斜。
片材狀之燒結前層，通常，係在兩面貼附有隔板之狀態下準備。圖4，係表示片材狀之第1燒結前層52之兩面與隔板52a、隔板52b貼附之狀態。此外，係表示片材狀之第2燒結前層54之兩面與隔板54a、隔板54b貼附之狀態。
將片材狀之燒結前層貼附於半導體晶圓40時，係將隔板之一方剝離後，進行貼附。
進一步具體而言，如圖5所示，首先，於一側之隔板52a剝離後之第1燒結前層52上載置半導體晶圓40，並於其上，載置一側之隔板54a剝離後之第2燒結前層54。之後，加壓貼附。貼附，例如，如圖6所示，可載置於下側加熱板60與上側加熱板62之間，使用平板沖壓機進行。貼附壓力，係在0．01~10MPa之範圍內為佳。此外，貼附時之貼附溫度並無特別限定，例如在23~90℃之範圍內為佳。
又，亦可於下側加熱板60上，載置一側之隔板剝離之第1燒結前層52，接著，在其上載置半導體晶圓40，接著，載置一側之隔板剝離之第2燒結前層54，最後，於下側加熱板60與上側加熱板62之間加壓貼附。
〔步驟Y〕
步驟Y，如圖7所示，將前述步驟X所得之兩面形成燒結前層之半導體晶圓40個片化。
具體而言，從第1燒結前層52剝離隔板52b並貼附於切割膠帶(圖未顯示)上。接著，從第2燒結前層54剝離隔板54b。之後，切割而個片化。
又，切割膠帶，由於係可採用傳統習知者，故在此省略說明。此外，切割方法，亦可使用傳統習知的切割裝置，由於可採用傳統習知的方法，故在此省略說明。可列舉例如，使用切割刀之方法，抑或雷射照射後割斷之方法等。
藉由以上，得到一側的面積層有第1燒結前層52，另一側的面積層有第2燒結前層54之半導體元件42。
又，上述之實施形態，係說明關於切割前將隔板52b及隔板54b剝離之情形。然而，切割並未限定為先將隔板52b及隔板54b剝離之此例。例如，亦可在切割後將隔板52b及隔板54b剝離。惟，切割前將隔板52b及隔板54b剝離之情形，在個片化前可一併將隔板52a與隔板52a剝離之點較優異。此外，在切割後將隔板52b及隔板54b剝離之情形，在暫時接著前為止，可保護燒結前層之觀點較優異。
上述之例，係說明關於使用片材狀之第1燒結前層及片材狀之第2燒結前層之情形。然而，本發明並未限定為此例，亦可使用形成第1燒結前層之液狀的組成物，以及，形成第2燒結前層之液狀的組成物。
亦即，步驟X，亦可係於半導體晶圓40之一側的面，塗佈形成第1燒結前層之液狀的組成物形成第1燒結前層52，另一側的面塗佈形成第2燒結前層之液狀的組成物形成第2燒結前層54，從而得到兩面形成燒結前層之半導體晶圓之步驟。
又，亦可於半導體晶圓40之一側的面，塗佈形成燒結前層之液狀的組成物，另一側的面貼附片材狀之燒結前層。
〔步驟A-3〕
步驟A-3，係將步驟A-2所準備之半導體元件42，介由第1燒結前層52而與下基板20之第1電極24暫時接著(參照圖1)。此步驟，係使用晶片貼片機等，將複數之半導體元件42個別與各第1電極24暫時接著。暫時接著條件，以壓力0．01MPa~5MPa暫時接著為佳。此外，暫時接著時之溫度並無特別限定，例如在23~150℃之範圍內為佳。此外，加壓時間，以0．01~5秒為佳。
以上，說明關於得到積層體10之方法(步驟A)。
〔步驟B〕
步驟A之後，藉由設置在與第1燒結前層52相反側之第2燒結前層54，將半導體元件42與第2絕緣基板32所形成之第2電極34上暫時接著，得到半導體裝置前體70(參照圖9)。
以下，說明關於得到半導體裝置前體70之具體方法。
半導體裝置前體70，可藉由以下之步驟而得。
步驟B-1，準備具有第2絕緣基板32及第2絕緣基板32上所形成之第2電極34之上基板30；
步驟B-2，介由第2燒結前層54，將步驟A所得積層體10之半導體元件42與上基板30之第2電極34暫時接著。
〔步驟B-1〕
步驟B-1，準備上基板30。
如圖8所示，上基板30，係具有：第2絕緣基板32、第2絕緣基板32之一部分上面所形成之第2電極34、第2絕緣基板32之裏面所積層之支持層36、及覆蓋膜38。覆蓋膜38，係形成於未設置第2電極34之第2絕緣基板32上，並且，係形成為一部分被覆於第2電極34上。
上基板30之第2電極34、及下基板20之第1電極24，係在製造半導體裝置80(參照圖11)時，以對向之位置關係配置，並且，在包夾於複數之半導體元件42間時，此等複數之半導體元件42係配置為電串聯連接。
第2絕緣基板32之材質，可使用與第1絕緣基板22相同者。
第2電極34之材質，可使用與第1電極24之材質相同者。
支持層36，可採用與支持層26相同之構成。
覆蓋膜38，可採用與覆蓋膜28相同之構成。
〔步驟B-2〕
步驟B-2，如圖9所示，係介由第2燒結前層54，將步驟A所得積層體10之半導體元件42與上基板30之第2電極34暫時接著。
此步驟，係於積層體10之上載置上基板30，之後，藉由上側加熱板64加熱進行暫時接著。暫時接著時之溫度並無特別限定，例如在23~150℃之範圍內為佳。此外，加熱時間，以1~100秒為佳。此外，亦可進行加壓，例如，以壓力0．01MPa~5MPa暫時接著為佳。
以上，說明關於得到半導體裝置前體70之方法(步驟B)。
〔步驟C〕
前述步驟B之後，將第1燒結前層52與第2燒結前層54同時加熱，使半導體元件54與第1電極24及第2電極34接合。
此接合步驟C(加熱接合步驟)，係藉由加熱，使第1燒結前層52及第2燒結前層54中之金屬微粒子燒結，且因應必要使熱分解性接著劑熱分解。此外，使藉由乾燥步驟未完全揮發而殘留之低沸點接著劑揮發。加熱溫度，可以較佳係180~400℃，更佳係190~370℃，進一步較佳係200~350℃進行。此外，加熱時間，可以較佳 係0．3~300分，更佳係0．5~240分，近一步較佳係1~180分進行。此外，加熱接合，亦可在加壓條件下進行。加壓條件，在1~500kg/cm2之範圍內為佳，5~400kg/cm2之範圍內進一步較佳。加壓下之加熱接合，例如，可以如翻轉晶片貼片機般加熱與加壓同時進行之裝置而實施。此外，如圖10所示，亦可係具有下側加熱板66與上側加熱板68之平行平板沖壓機。藉由以上得到半導體裝置80(參照圖11)。
以上，說明關於本實施形態之半導體裝置之製造方法。
半導體元件42，係熱電元件為佳。若半導體元件42係熱電元件，可作為抑制熱電元件之位置位移或傾斜之熱電轉換模組。
又，半導體元件42係熱電元件時，複數之半導體元件42，個別係P型熱電元件或N型熱電元件，此等可交互電串連而連接。
【實施例】
以下，利用實施例詳細說明本發明，惟本發明只要不超出其要旨，並未限定為以下之實施例。
說明實施例所使用之成分。
金屬微粒子含有膏狀物A：適宜調整含有應用奈米粒子研究所製之ANP-1(奈米尺寸之銀微粒子分散至低沸點接著劑之膏狀物)之低沸點接著劑的量。
熱分解性接著劑A(聚碳酸丙烯酯樹脂)：Empower社製之QPAC40，在23℃為固形
熱分解性接著劑B(丙烯酸樹脂)：藤倉化成社製之MM-2002-1，在23℃為固形
有機溶劑A：甲基乙基酮(MEK)
〔燒結前層之製作〕
根據表1所記載之配合比，將表1所記載之各成分及溶劑放入混合攪拌機(基恩士製 HM-500)之攪拌釜，攪拌模式，係以3分攪拌．混合。
將所得塗劑，塗佈‧乾燥於離型處理薄膜(三菱樹脂(株)製之MRA50)。乾燥條件，如表1所記載。
〔半導體裝置之製作，以及，評估〕
下基板，係準備柔性印刷電路基板(FPC)。此柔性印刷電路基板，係於聚醯亞胺薄膜所成第1絕緣基板上，形成有金/(無電解)鎳/銅之3層構成的第1電極者。1個第1電極之形狀，係縱3mm、橫7mm，於1個第1電極，在中央空出1mm之間隔並搭載2個縱2mm、橫2mm之晶片。第1電極，係空出1mm之間隔，於第1絕緣基板上，縱10個×橫6個配列。
此外，上基板，係準備與前述下基板相同者。
另一方面，準備厚度2μm之半導體晶圓，於前述半導體晶圓之兩面，貼附實施例之燒結前層。貼附條件，係使用平行平板沖壓機，以80℃、0．5MPa、10秒進行。又，兩面皆貼合相同之燒結前層。
接著，將兩面貼附有燒結前層之半導體晶圓，與切割膠帶(日東電工社製：NBD-5172K)貼附。
接著，使用切割裝置(迪斯科社製，裝置名：DFD-6361)，進行切割。藉此，將半導體晶圓及兩面之燒結前層個片化。切割條件，係切割環：2-8-1(迪斯科社製)、切割速度30mm/sec、切割刀片：B1A801 5DC320N50M51(迪斯科社製)、切割刀片回轉數：30000rpm、刀片高度：從夾盤面起50μm、裁切方式：A模式/單切、晶圓晶片尺寸：2mm角。
接著，將個片化之半導體晶圓(以下，亦稱為晶片)、暫時接著於下基板之電極上。暫時接著條件，係使用晶片貼片機，以80℃、0．5MPa、0．5秒進行。
接著，將上基板載置於晶片上後，進行暫時接著。暫時接著條件，係使用平行平板沖壓機，以80℃、0．5MPa、10秒進行。
接著，使用平行平板沖壓機，以溫度300℃、90秒、1MPa之條件加熱。藉此，使晶片與電極接合。
關於藉由以上製作之樣品，以可使晶片與電極接合者為○，無法接合時為×進行評估。結果如表1所示。
〔暫時接著抗剪強度之測定〕
對於實施例所製作之燒結前層，使用平行平板沖壓機，以0．5MPa、10秒、80℃之條件，與測試晶片(半導體晶片，縱2mm×橫2mm，厚度3mm)貼附。接著，測定在室溫(24℃)下之抗剪強度(暫時接著時所預想之抗剪強度)。
具體而言，係使用諾信高科技股份有限公司(舊：Daisy‧japan股份有限公司)製之超細間距接合對應黏合測試儀 系列5000，根據以下所 示條件測定。結果如表1所示。
又，本測定，係在剝離前將測試晶片破壞。因此，表中係記載破壞時之值。因此，實際之抗剪強度係較此值為高。此外，表中，亦表示破壞時之界面為何處。
<抗剪強度測定條件>
稱重傳感器：BS250
測量範圍：250g
試驗種類：破壞試驗
測試速度：100μm/s
降下速度：100μm/s
測試高度：100μm
工具移動量：2000μm
破壞認識點：高(90%)
〔燒結後抗剪強度之測定〕
對於實施例所製作之燒結前層，使用平行平板沖壓機，以0．5MPa、10秒、80℃之條件，與測試晶片(半導體晶片，縱2mm×橫2mm，厚
Figure 105132393-A0202-12-0028-16
3mm)貼附。接著，使用平行平板沖壓機，以1MPa、90秒、300℃之條件加熱。藉此，燒結前層成為燒結層。之後，測定室温(24℃)下之抗剪強度(加熱接合後所預想之抗剪強度)。
具體而言，係使用諾信高科技股份有限公司(舊：Daisy‧japan股份有限公司)製之萬能型黏合測試儀 系列4000，根據以下所示條件測定。
又，本測定，係在剝離前將測試晶片破壞。因此，表中係記載破壞時 之值。因此，實際之抗剪強度係較此值為高。此外，表中，亦表示破壞時之界面為何處。
<抗剪強度測定條件>
稱重傳感器：DS100kg
測量範圍：100kg
試驗種類：破壞試驗
測試速度：100μm/s
降下速度：100μm/s
測試高度：100μm
工具移動量：2000μm
破壞認識點：高(90%)
〔使用奈米壓痕儀之計測〕
準備裏面依序形成Ni層(厚度2~5μm(平均：約3．5μm))與Au層(厚度50nm)之半導體晶片(鉍-碲合金(BiTe)晶片)。半導體晶片之厚度，係500μm，且係縱5mm、橫5mm。準備之半導體晶片之Au層面個別與實施例之燒結前層貼合。
貼合條件，係使用平行平板沖壓機以0．5MPa、10秒、80℃進行。
準備以Ag層(厚度5μm)被覆全體之銅板(銅板之厚度3mm)。在準備之銅板上，以下述條件與附半導體晶片之燒結前層接合。藉此，得到評估用樣品。接合，係使用燒結裝置(伯東社製，HTM-3000)。
<接合條件>
在10MPa之加壓(平板沖壓)下，以升溫速度1．5℃/秒從80℃至300℃升溫後，在300℃保持2．5分鐘。之後，空冷至170℃為止，之後，水冷至80℃為止。又，水冷，係藉由加壓板內所附設之水冷式冷卻板進行。
之後，將樣品包埋至環氧樹脂(SCANDIA社之硬化樹脂(2液型、SCANDIPLEX A、SCANDIPLEX B))。
<包埋條件>
SCANDIPLEX A：SCANDIPLEX B=9：4(體積比)
在45℃放置1~2小時
包埋之後，藉由機械研磨法，露出半導體晶片之對角線上的斷面。機械研磨，係進行粗研磨之後，進行精密研磨。粗研磨之研磨裝置，係使用Struers製、RotoPol-31。此外，精密研磨之研磨裝置，係使用ALLIED製、精密研磨裝置MultiPrep。粗研磨條件，以及，精密研磨條件如下述。
<粗研磨條件>
耐水研磨紙：Struers社、SiC Foi1 #220
圓盤迴轉數：150rpm
<精密研磨條件>
耐水研磨紙：Struers社、SiC Foil #220，#1000
圓盤迴轉數：100rpm
荷重：200~500g
之後，將露出面之中央附近離子拋光。裝置，係使用JEOL社製之橫截面拋光機SM-09010，離子拋光之條件如下述。
<離子拋光條件>
加速電壓5~6kV
加工時間8~10小時
從遮蔽板之飛出量25~50μm
對於露出之燒結層之斷面的中央，以及，從中央至左右20μm之合計3點，使用奈米壓痕儀(Hysitron Inc社製，Triboindeter)，以下述壓入條件進行壓入。藉此，得到加重-位移曲線。此外，得到壓頭之投影畫像(壓頭之壓入導致之痕跡之畫像)。
<壓入條件>
使用壓頭：Berkovich〔三角錐型〕)
測定方法：單一壓入測定模式
測定溫度：25℃(室温)
壓入深度設定：2μm
根據荷重-位移曲線與壓頭之投影面積，算出硬度、彈性率、變形量之值而得。硬度，以及，彈性率之詳細的算出，係於裝置進行。詳細之算出方法，具體而言，例如，由於Handbook of Micro/nano Tribology(Second Edition)Edited by Bharat Bhushan,CRC Press(ISBN 0-8493-8402-8)已說明，故在此省略說明。結果由表1表示。
在此，說明關於荷重-位移曲線。圖12，係表示荷重-位移曲線之一例的圖。橫軸係位移量(壓入量)，縱軸係加重。壓入時，由於係壓入與加重一同施加，故從位移量0且加重0之位置向右上曲線化。之後，若在位移量成為2μm之時點解除壓入，變形之接合層的一部分會復原。此時，讀取加重成為0時之位移，作為變形量。
接著，說明關於壓頭之投影畫像。圖13，係說明壓頭之投影畫像的圖。圖13中，下之層係銅板，中間之層係燒結層，上之層係半導體晶片。燒結層上之黑色的三角形係壓頭壓入後之痕跡(投影畫像)。壓頭之投影面積，係藉由此畫像之面積求得。又，圖13，係說明使用奈米壓痕儀之壓頭之投影畫像的圖，並非實施例、比較例。
Figure 105132393-A0202-12-0032-1
10:積層體
22:第1絕緣基板
24:第1電極
26:支持層
28:覆蓋膜
42:半導體元件
52:第1燒結前層
54:第2燒結前層

Claims (6)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵係包含：步驟A，於形成於第1絕緣基板之第1電極上介由第1燒結前層，與半導體元件暫時黏著，得到積層體；步驟B，前述步驟A之後，使前述半導體元件介由與前述第1燒結前層為相反側之第2燒結前層，於形成於第2絕緣基板之第2電極上暫時黏著，得到半導體裝置前體；步驟C，前述步驟B之後，將前述第1燒結前層及前述第2燒結前層同時加熱，使前述半導體元件與前述第1電極及前述第2電極接合；前述步驟A係包含：步驟A-1，準備具有第1絕緣基板及形成於第1絕緣基板上之第1電極的下基板；步驟A-2，準備於一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層之半導體元件；以及步驟A-3，步驟A-2中準備的半導體元件介由第1燒結前層暫時黏著於前述第1電極；前述步驟A-2係包含：步驟X，於半導體晶圓之一側的面積層片材狀之第1燒結前層，另一側的面積層片材狀之第2燒結前層，得到於兩面形成有燒結前層之半導體晶圓；以及步驟Y，將由前述步驟X所得之兩面形成有燒結前層之半導體晶圓進行 個片化。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，其係在前述步驟A之後，並且，前述步驟B之前的階段，使前述半導體元件之一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，一側的面積層第1燒結前層，另一側的面積層第2燒結前層之前述半導體元件，係藉由下述步驟X及步驟Y所得者，步驟X，於半導體晶圓之一側的面形成第1燒結前層，另一側的面形成第2燒結前層，得到兩面形成有燒結前層之半導體晶圓；步驟Y，將由前述步驟X所得之兩面形成有燒結前層之半導體晶圓進行個片化。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述第1燒結前層及前述第2燒結前層，係含有金屬系化合物者。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述步驟X，係使半導體晶圓之一側的面積層片材狀之第1燒結前層，另一側的面積層片材狀之第2燒結前層，從而得到兩面形成有燒結前層之半導體晶圓。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製造方法，其中，前述半導體元件，係熱電元件。
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