TWI697649B - 散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

一種散熱模組的製造方法、散熱模組及電子裝置。散熱模組的製造方法包括如下步驟：提供第一基材，第一基材具有第一部分、第二部分及連接第一部分及第二部分的連接部。對第一基材的表面進行第一蝕刻，以形成多個凹槽。提供多個第二基材，結合這些第二基材於第一基材上，以覆蓋這些凹槽並形成多個腔室。填充工作流體至這些腔室內。密封這些腔室。散熱模組包括第一基材、工作流體以及多個第二基材。電子裝置包括散熱模組及多個電子模組。散熱模組的第一部分與第二部分分別接觸多個電子模組。

Description

散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置
本申請是有關於一種製造方法、模組以及裝置，且特別是有關於一種散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置。
隨著電子裝置的效能不斷地提高。因此，電子裝置運作時所產生的熱量也越來越高。如何在有限的空間下提升電子裝置的散熱效果，已成為各家廠商努力的目標。
本申請提供一種散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置，能夠解決現有散熱模組以及電子裝置的空間利用率及散熱效果無法兼顧的問題。
本申請的一種散熱模組的製造方法包括如下步驟：提供第一基材，第一基材具有第一部分、第二部分以及連接第一部分以及第二部分之連接部。對於第一基材的表面進行第一蝕刻，以形成多個凹槽。提供多個第二基材，結合這些第二基材於第一基材上，以覆蓋這些凹槽並形成多個腔室。填充工作流體(working fluid)至這些腔室內。密封這些腔室。
在本申請的一實施例中，上述的結合這些第二基材於第一基材上以及填充工作流體的步驟包括：放置這些第二基材於第一基材上。焊接各個第二基材於第一基材上，以覆蓋各個腔室，並分別保留一注入孔。從各個注入孔填充工作流體至對應之腔室。焊接焊料於各個注入孔，以封閉各個注入孔。
在本申請的一實施例中，上述的焊接各個第二基材於第一基材的方法包括進行擴散焊接或使用焊料焊接。
在本申請的一實施例中，上述的密封這些腔室之後更包括如下步驟：彎折連接部。
在本申請的一實施例中，上述的散熱模組的製造方法更包括如下步驟：對於第一基材的表面進行第二蝕刻，以形成至少一元件容置空間。
在本申請的一實施例中，上述的散熱模組的製造方法更包括如下步驟：對於第一基材的表面進行第二蝕刻，以形成至少一貫孔。
本申請的一種散熱模組包括第一基材、工作流體以及多個第二基材。第一基材具有第一部分、第二部分、連接部與多個凹槽。連接部連接第一部分與第二部分。這些凹槽分別蝕刻形成於第一基材。這些第二基材分別覆蓋第一基材上的這些凹槽以形成多個腔室。工作流體填充在這些腔室內。
本申請的一種電子裝置包括散熱模組及多個電子模組。散熱模組包括第一基材、工作流體以及多個第二基材。第一基材具有第一部分、第二部分、連接部與多個凹槽。連接部連接第一部分與第二部分，且連接部有部分彎折。這些凹槽分別蝕刻形成於第一基材。第一部分與第二部分分別接觸這些電子模組。這些第二基材分別覆蓋第一基材上的這些凹槽以形成多個腔室。工作流體填充在這些腔室內。
在本申請的一實施例中，上述的散熱模組在具有這些腔室的部分的厚度介於0.3毫米及0.5毫米之間。
在本申請的一實施例中，上述的第一部分與第二部分呈平板狀。
在本申請的一實施例中，上述的連接部有部分彎折。
在本申請的一實施例中，上述的第一基材蝕刻形成有至少一元件容置空間。
在本申請的一實施例中，上述的第一基材除了元件容置空間之外的部分的厚度介於0.3毫米及0.4毫米之間。
在本申請的一實施例中，上述的第一基材蝕刻形成有至少一貫孔。
基於上述，在本申請的散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置中，能夠提高散熱效果且符合電子裝置朝向薄型化發展的設計趨勢。
為讓本申請的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A至圖1E繪示本申請一實施例的一種散熱模組的製造流程。在本實施例的散熱模組的製造方法中，首先提供如圖1A所示的第一基材110，此第一基材110可被區分為第一部分112a、第二部分112b及連接部112c，其中連接部112c連接第一部分112a及第二部分112b。然後，如圖1B所示，對於第一基材110的表面118b進行第一蝕刻，以形成凹槽113。之後，如圖1C所示，提供第二基材120，結合第二基材120於第一基材110上，以覆蓋凹槽113並形成腔室116。接著，如圖1D所示，填充工作流體130至腔室116內，並密封腔室116。最後，如圖1E所示，彎折連接部112c，以完成散熱模組100。
需說明的是，雖然為了便於說明，在圖1A至圖1E中簡潔地表示出單一個的連接部112c、單一個的第二部分112b、單一個的凹槽113、單一個的第二基材120以及單一個的腔室116。但是，連接部112c、第二部分112b、凹槽113、第二基材120以及腔室116的數量也可以是多個，本申請並無限制。
在本實施例中，結合第二基材120於第一基材110上及填充工作流體130至腔室116內的步驟例如是先放置第二基材120在第一基材110上。接著，焊接第二基材120於第一基材110上，以覆蓋凹槽113形成腔室116，並保留注入孔122。焊接第二基材120於第一基材110的方法包括但不限於擴散焊接(Diffusion Bonding，又稱擴散接合)。然後，將腔室116抽真空。之後，從注入孔122填充工作流體130到腔室116內。最後，焊接焊料在注入孔122，以封閉注入孔122。在其它實施例中，焊接第二基材120於第一基材110的方法包括使用焊料焊接。
請參考圖1A及圖1B，在本實施例中，散熱模組的製造方法更包括從第一基材110的表面118a進行第二蝕刻，以形成至少一元件容置空間114。需說明的是，本實施例從第一基材110的表面118a及表面118b進行第一蝕刻與第二蝕刻的步驟的先後順序並沒有限制，端視需求而定。
如圖1E所示，第一基材110在除了元件容置空間114之外的部分具有厚度T1。厚度T1例如介於0.3毫米及0.4毫米之間。散熱模組100在具有腔室116的部分具有厚度T2。厚度T2例如介於0.3毫米及0.5毫米之間。
圖2是依照本申請的散熱模組的製造方法所製作而成的一種散熱模組的立體示意圖。請參考圖1E及圖2，本實施例的散熱模組的製造方法更包括彎折連接部112c，以形成一第一部分112a、兩個第二部分112b以及兩個連接部112c。各個連接部112c連接第一部分112a與對應的第二部分112b。各個第二部分112b分別具有腔室116並覆蓋有第二基材120。各個腔室116分別填充有工作流體130。在本實施例中，第一部分112a及第二部分112b呈平板狀且互相平行，而在其它未繪示的實施例中不限於此。另外，第一部分112a、第二部分112b及連接部112c的數量並無限制。
請參考圖2，第一基材110的表面118a還可進行第二蝕刻以形成至少一貫孔119。貫孔119可用以容納高度較高的電子元件，例如是攝像鏡頭。
圖3是本申請的一種電子裝置的示意圖。請參考圖3，電子裝置50包括散熱模組100及多個電子模組(例如電子模組52b、52c、52d、52e。第一部分112a及第二部分112b分別接觸設置於電路板52a上的電子模組52b、52c、52d、52e。電子模組52b、52c、52d、52e可透過第一基材110將熱傳導至第一基材110在腔室116內部的工作流體130，以進行散熱。
舉例而言，第二部分112b是接觸高度較低的電子模組52b。第一部分112a是接觸高度次高的電子模組52c及電子模組52d。高度最高的電子模組52e的一部分可容納於元件容置空間114並接觸第一部分112a，使得電子裝置50可以降低整體厚度。因此，具有元件容置空間114及連接部112c的第一基材110可以接觸電子模組52b、52c、52d、52e上較多的部分。據此，在本申請的散熱模組的製造方法、散熱模組100以及電子裝置50中，第一基材110具有多個腔室216，且電子模組52b、52c、52d、52e同時接觸於第一基材110，故散熱模組100能夠傳導電子模組52b、52c、52d、52e的熱的導熱面積較大，有助於提高散熱模組100及電子裝置50的散熱效果。此外，第一基材110的第一部分112a蝕刻形成有元件容置空間114，能夠用以容納電子模組52e，故電子裝置50的內部空間能夠被有效利用，同時能夠符合電子裝置50朝向薄型化發展的設計趨勢。
綜上所述，在本申請的散熱模組的製造方法、散熱模組以及電子裝置中，第一基材具有多個腔室，且多個電子模組同時接觸於第一基材的第一部分及第二部分，散熱模組能夠傳導多個電子模組的熱的導熱面積較大，有助於提高散熱模組及電子裝置的散熱效果。此外，第一基材的第一部分蝕刻形成有元件容置空間，能夠用以容納電子模組，故電子裝置的內部空間能夠被有效利用，同時能夠符合電子裝置朝向薄型化發展的設計趨勢。
雖然本申請已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本申請，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本申請的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本申請的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
50：電子裝置 52a：電路板 52b、52c、52d、52e：電子模組 100：散熱模組 110：第一基材 112a：第一部分 112b：第二部分 112c：連接部 113：凹槽 114：元件容置空間 116：腔室 118a、118b：表面 119：貫孔 120：第二基材 122：注入孔 130：工作流體 T1、T2：厚度
圖1A至圖1E繪示本申請一實施例的一種散熱模組的製造流程。 圖2是依照本申請的散熱模組的製造方法所製作而成的一種散熱模組的立體示意圖。 圖3是本申請的一種電子裝置的示意圖。
100：散熱模組 110：第一基材 112a：第一部分 112b：第二部分 112c：連接部 114：元件容置空間 116：腔室 118a：表面 119：貫孔 120：第二基材 130：工作流體

Claims (17)

  1. 一種散熱模組的製造方法，包括：提供第一基材，該第一基材具有第一部分、第二部分以及連接該第一部分以及該第二部分之連接部；對於該第一基材的表面進行第一蝕刻，以形成多個凹槽，其中該些凹槽設置於該第二部分；提供多個第二基材，結合該些第二基材於該第一基材上，以覆蓋該些凹槽並形成多個腔室；填充工作流體至該些腔室內；密封該些腔室；以及彎折該連接部，其中該第二部分呈平板狀。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的散熱模組的製造方法，其中結合該些第二基材於該第一基材上以及填充該工作流體的步驟包括：放置該些第二基材於該第一基材上；焊接各該第二基材於該第一基材上，以覆蓋各該凹槽，並分別保留一注入孔；從各該注入孔填充該工作流體至對應之該腔室；以及焊接焊料於各該注入孔，以封閉各該注入孔。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的散熱模組的製造方法，其中焊接各該第二基材於該第一基材的方法包括進行擴散焊接或使用焊料焊接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的散熱模組的製造方法，更包括：對於該第一基材的表面進行第二蝕刻，以形成至少一元件容置空間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的散熱模組的製造方法，更包括：對於該第一基材的表面進行第二蝕刻，以形成至少一貫孔。
  6. 一種散熱模組，包括：第一基材，具有第一部分、第二部分、連接部與多個凹槽，其中該連接部連接該第一部分與該第二部分，該些凹槽分別蝕刻形成於該第一基材，其中該第二部分呈平板狀，該些凹槽設置於該第二部分，該連接部有部分彎折；多個第二基材，分別覆蓋該第一基材上的該些凹槽以形成多個腔室；以及工作流體，填充在該些腔室內。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的散熱模組，其中該散熱模組在具有該些腔室的部分的厚度介於0.3毫米及0.5毫米之間。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的散熱模組，其中該第一部分呈平板狀。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的散熱模組，其中該第一基材蝕刻形成有至少一元件容置空間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的散熱模組，其中該第一基材除了該元件容置空間之外的部分的厚度介於0.3毫米及0.4毫米之間。
  11. 如申請專利範圍第6項所述的散熱模組，其中該第一基材蝕刻形成有至少一貫孔。
  12. 一種電子裝置，包括：多個電子模組；以及散熱模組，包括：第一基材，具有第一部分、第二部分、連接部與多個凹槽，其中該連接部連接該第一部分與該第二部分，該第二部分呈平板狀，該連接部有部分彎折，該些凹槽分別蝕刻形成於該第一基材，該些凹槽設置於該第二部分，該第一部分與該第二部分分別接觸該些電子模組；多個第二基材，分別覆蓋該第一基材上的該些凹槽以形成多個腔室；以及工作流體，填充在該些腔室內。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的電子裝置，其中該散熱模組在具有該些腔室的部分的厚度介於0.3毫米及0.5毫米之間。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的電子裝置，其中該第一部分呈平板狀。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的電子裝置，其中該第一基材蝕刻形成有至少一元件容置空間。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的電子裝置，其中該第一基材除了該元件容置空間之外的部分的厚度介於0.3毫米及0.4毫米之間。
  17. 如申請專利範圍第12項所述的電子裝置，其中該第一基材蝕刻形成有至少一貫孔。
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