TWI697176B - 芯片及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的芯片(1)及其製造方法，具有：環狀的芯後部(11)，及從芯後部(11)朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)。芯片(1)是進行衝壓步驟、捲繞步驟及除去步驟所獲得。除去步驟是至少部分除去：方向性電磁鋼板(3)的帶狀芯後部形成預定區域、薄片(2)的帶狀芯後部(21)、芯片(1)的芯後部(11)的絕緣皮膜(31)。

Description

芯片及其製造方法
本發明是關於具有環狀的芯後部，及從該芯後部朝其徑向中心延伸的複數的齒部的芯片及其製造方法。
在發電機與馬達等的旋轉電機使用複數層疊著具有環狀的芯後部與齒部的環狀的芯片的定子鐵芯。為使旋轉電機之例如小型化、高輸出化等的高性能化，以在從電磁鋼板所構成的芯片的易磁化方向(easy direction of magnetization)的控制為佳。具體而言，以將朝著環狀的芯片的徑向延伸之齒部的易磁化方向對齊於齒部的伸長方向為佳。並且，易磁化方向也稱為易磁化軸方向(the direction of an easy axis of rmagnetization)。
例如，專利文獻1中，揭示有由一方向具有易磁化方向的方向性電磁鋼板(grain-oriented inagnetic steel sheet)衝壓具有芯後部與齒部的帶狀的薄片(sheet piece)，將薄片捲繞成環狀藉此製造芯片(core sheet)的技術。藉此，可進行齒部的易磁化方向對齊於齒部的伸長方向之芯片的製造。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-92561號公報
但是，方向性電磁鋼板為使易磁化方向對齊於一方向，衝壓使方向性電磁鋼板的易磁化方向成為齒部的伸長方向，接著藉捲繞製造芯片時，芯後部的易磁化方向也成為齒部的伸長方向。環狀的芯後部之易磁化方向的原來的預定方向為周圍方向。
在芯後部，與周圍方向正交的方向，即齒部的伸長方向的易磁化性強時，由於定子鐵芯的磁路的磁化變得困難而使磁特性降低。亦即，齒部的磁特性雖佳，但芯後部的磁特性變差。
在方向性電磁鋼板的表面，通常形成有絕緣皮膜。藉此絕緣皮膜對方向性電磁鋼板賦予絕緣性。並且，藉絕緣皮膜使得賦予方向性電磁鋼板的易磁化方向張力(tension)的鐵損降低。亦即，藉絕緣皮膜使易磁化方向的磁阻降低，提升磁特性。
但是，易磁化方向的磁阻的降低雖有利於在齒部的磁特性的提升，但不利於芯後部。由於在芯後部是尋求與易磁化方向正交的周圍方向之磁特性的提升。因此，芯片整體的磁特性的提升有進一步改善的餘地，為使旋轉電機之例如小型化、高輸出化等的高性能化而期待有進一步的改良。
本發明是有鑒於相關課題所研創而成，提供一種齒部及芯後部的磁特性優異的芯片及其製造方法。
本發明之一樣態的芯片(1)的製造方法，具有環狀的芯後部(11)，及從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)，具備： 衝壓步驟，從面內的一方向具有易磁化方向(RD)，在表面形成有賦予上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)的方向性電磁鋼板(3)衝壓薄片(2)，該薄片，具有：朝著與上述易磁化方向的垂直方向(TD)延伸的帶狀芯後部(21)，及從上述帶狀芯後部朝著與上述易磁化方向平行延伸的複數的平行齒部(22)； 捲繞步驟，以上述平行齒部為內側將上述薄片捲繞成環狀，藉此獲得具有上述芯後部與上述齒部的上述芯片；及 除去步驟，至少部分除去上述薄片的上述帶狀芯後部或上述芯片的上述芯後部的上述絕緣皮膜。
本發明的其他樣態的芯片(1)的製造方法，具有環狀的芯後部(11)，及從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)， 在面內的一方向具有易磁化方向(RD)，在表面形成有賦予上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)的方向性電磁鋼板(3)，具備： 除去步驟，至少部分除去朝著與上述易磁化方向的垂直方向(TD)延伸的帶狀芯後部形成預定區域(32)的上述絕緣皮膜； 衝壓步驟，從上述方向性電磁鋼板衝壓薄片(2)，該薄片具有：存在於上述帶狀芯後部形成預定區域的帶狀芯後部(21)，及從上述帶狀芯後部朝著與上述易磁化方向平行延伸的複數的平行齒部(22)；及 捲繞步驟，以上述平行齒部為內側將上述薄片捲繞成環狀，藉此獲得具有上述芯後部與上述齒部的上述芯片。
本發明的另外的其他樣態，如芯片(1)，具有：環狀的芯後部(11)，及 從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)， 上述芯後部及上述齒部是由易磁化方向(RD)為上述齒部之伸長方向的方向性電磁鋼板所構成， 上述齒部具有賦予上述方向性電磁鋼板的上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)， 上述芯後部不具有上述絕緣皮膜。
在上述製造方法中，形成朝著與方向性電磁鋼板的易磁化方向平行延伸的平行齒部，以平行齒部為內側將薄片捲繞成環狀。因此，在芯後部及齒部，可以使易磁化方向與環狀的芯片的徑向對齊。為此，可降低齒部的磁阻，並可提升齒部的磁特性。
另一方面，芯後部之易磁化方向的原來的預定方向為環狀的芯後部的周圍方向。因此，在芯後部，與周圍方向正交的方向，即齒部的伸長方向的易磁化性強時，周圍方向的磁阻會變高而使磁化變得困難。
方向性電磁鋼板是在其絕緣皮膜燒結時賦予易磁化方向張力所製造。藉此，以微米級使鐵結晶朝著易磁化方向延伸。又，一般鐵結晶具有對易磁化方向外加磁場時延伸的性質。在此，藉著絕緣皮膜賦予易磁化方向的張力預先使鐵結晶朝著易磁化方向延伸，藉此在外加磁場時，無需使鐵結晶變形的能源，並根據其量可使易磁化方向更為容易磁化(亦即，磁特性增強)。相對於此，在與亦磁化方向正交的方向，磁特性會因起源於絕緣皮膜賦予易磁化方向張力的應變而變弱。 上述製造方法中，藉上述除去步驟至少除去部分之芯後部的絕緣皮膜。因此，可緩和或除去藉絕緣皮膜賦予芯後部之易磁化方向的張力。其結果，在芯後部中，雖然齒部的伸長方向，即朝芯片的徑向的磁特性減弱(亦即，磁阻增大)，但朝著芯片的周圍方向的磁特性增強(亦即，磁阻降低)。亦即，可提升芯後部的預定方向之周圍方向的磁特性。另一方面，在齒部中，可殘留絕緣皮膜，因此可避免芯片朝徑向的磁特性減弱。
因此，藉上述製造方法，維持著齒部的芯片朝徑向之優異的磁特性的狀態，可進行芯後部的周圍方向之磁特性提升的芯片的製造。亦即，可提供芯片整體之磁特性提升的製造方法。
又，在齒部具有絕緣皮膜，芯後部不具有絕緣皮膜的芯片在齒部之其伸長方向的磁特性，及芯後部之其周圍方向的磁特性優異。亦即，齒部中，藉絕緣皮膜保持有賦予方向性電磁鋼板的張力，因此可以高位準保持朝芯片的徑向的易磁化性。並且，在芯後部中，由於藉著緩和或除去絕緣皮膜賦予方向性電磁鋼板的張力，芯片朝徑向的易磁化性減弱，使得環狀的芯後部之周圍方向的易磁化性提升。
如上述，在齒部具有絕緣皮膜，芯後部不具有絕緣皮膜的芯片在齒部及芯後部的雙方在預定方向具有優異的磁特性。 再者，在記載於申請專利範圍及解決課題的手段的括弧內的符號是表示與後述之實施形態記載的具體手段的對應關係，並非限定本發明的技術範圍。
(實施形態1) 針對芯片的製造方法相關的實施形態，參閱第1圖～第6圖說明。本形態是在衝壓步驟後，進行除去步驟、捲繞步驟，如第1圖所例示，製造芯片1，該芯片，具有：圓環狀的芯後部11，及從芯後部11朝其徑向中心O(即，徑向內方)延伸的複數齒部12。
本形態是進行衝壓步驟、除去步驟及捲繞步驟製造芯片1。在以下表示各步驟的概要。
如第1A圖及第1B圖所例示，衝壓步驟是由方向性電磁鋼板3衝壓薄片2。薄片，具有：朝其易磁化方向RD與垂直方向TD延伸的帶狀芯後部21，即與易磁化方向RD平行延伸的複數平行齒部22。
除去步驟是如第1B圖及第1C圖所例示，至少部分除去薄片2之帶狀芯後部21的絕緣皮膜31。捲繞步驟是如第1C圖及第1D圖所例示，以平行齒部22為內側將薄片2捲繞成環狀。藉此，獲得具有芯後部11與齒部12的芯片1。以下，詳細說明各步驟。
如第1A圖所例示，方向性電磁鋼板3在面內的一方向具有易磁化方向RD。亦即，易磁化方向RD是在板狀的電磁鋼板的面內方向中一方向對齊的電磁鋼板為方向性電磁鋼板3。面內方向是與電磁鋼板的厚度方向Z垂直的方向。通常，壓延方向與平行方向為易磁化方向RD。因此，相對於易磁化方向RD的垂直方向TD通常是形成壓延方向與正交方向。作為方向性電磁鋼板3例如可利用市售品，例如可使用新日鐵住金股份公司製的23ZH85。
如第2圖所例示，方向性電磁鋼板3具有鋼板30及形成在其表面的絕緣皮膜31。絕緣皮膜31是對方向性電磁鋼板3賦予絕緣性，並對鋼板30的易磁化方向RD賦予張力以降低方向性電磁鋼板3的鐵損的膜。絕緣皮膜31是如第2圖所例示，例如形成於鋼板30的兩面，但也可形成於單面。
絕緣皮膜31是否為賦予張力的膜的判定是可藉除去方向性電磁鋼板3的絕緣皮膜31所產生之鋼板的有無翹曲來進行。或者，藉除去絕緣皮膜31後的方向性電磁鋼板3與形成絕緣皮膜31後之方向性電磁鋼板3的鐵損的比較來進行。只要翹曲的產生或鐵損變化的其中任一方符合，絕緣皮膜31即為進行張力的膜。
在藉翹曲進行判定的場合，除去方向性電磁鋼板3之單面的絕緣皮膜31，除去面與相反側的面的絕緣皮膜31並未除去而殘存。此時，在鋼板30的除去面側翹曲產生時，絕緣皮膜31即為賦予張力的膜。又，根據鐵損的變化進行判定的場合，從具有絕緣皮膜31的方向性電磁鋼板3及除去絕緣皮膜31後的方向性電磁鋼板3分別製作易磁化方向RD的鐵損測量試片，藉單板磁測試器(single sheet tester)分別測量並比較各鐵損測量試片的鐵損。只要藉著絕緣皮膜31的除去，使易磁化方向RD的鐵損降低，絕緣皮膜31即是賦予張力的膜。
絕緣皮膜31是由陶磁、玻璃、金屬氧化物等所構成。本說明書中，絕緣皮膜31是不包括可形成在鋼等的金屬表面的鈍態膜(passive film)的概念。絕緣皮膜31可以是1層也可以是2層以上。絕緣皮膜31的厚度是例如0.1～10μm。絕緣皮膜31由複數層構成的場合，絕緣皮膜31的厚度為各層的總計厚度。鋼板30的厚度是例如0.1～1.0mm，並以0.15～0.35mm為佳。
如第1A圖及第1B圖所例示，衝壓步驟是從方向性電磁鋼板3衝壓薄片2。薄片2是例如衝壓使帶狀芯後部21朝著方向性電磁鋼板3的易磁化方向RD與垂直方向TD延伸。亦即，帶狀芯後部21的長方向是形成與相對於易磁化方向RD的垂直方向TD平行。另一方面，平行齒部22被衝壓朝著與方向性電磁鋼板3的易磁化方向RD平行地延伸。薄片2是如第1B圖所例示為梳齒狀，將平行齒部22形成梳齒狀。
並且，本說明書中，垂直方向不僅是90°的方向，也包括外觀上接近90°的方向。針對平行方向也相同，不僅是180°或360°的方向，也包括外觀上接近180°或360°的方向。
接著，除去步驟是除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31。帶狀芯後部21的絕緣皮膜31也可以完全地除去，也可以部分除去而殘存。並且，完全除去是實質上將所有的絕緣皮膜31除去。容許在除去步驟的操作上有不可避免程度之絕緣皮膜31的不可避免的殘存。
在完全除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31的場合，會使絕緣皮膜31所賦予之帶狀芯後部21的張力消失，或充分地降低。藉此，使帶狀芯後部21的易磁化方向RD的磁阻變高，但垂直方向TD的磁阻降低。其結果，可提升芯片1的芯後部11之周圍方向C的磁特性。
另一方面，在部分除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31的場合，由於在帶狀芯後部21部分殘存有絕緣皮膜31，因此芯片1的芯後部11也可殘存具有絕緣性的絕緣皮膜31。因此，層疊複數的芯片1例如構築旋轉電機用的定子鐵芯時，可避免或緩和各芯片1的芯後部11間之絕緣性的降低。其結果，可抑制芯後部11的渦流損失。此外，藉著帶狀芯後部21之絕緣皮膜31的部分除去，也可降低帶狀芯後部21的張力，因此可提升周圍方向C的磁特性。可得知藉著皮膜除去的芯後部11之周圍方向C的磁特性的提升效果在完全除去絕緣皮膜31時的一方比部分除去時更高。
在絕緣皮膜31形成於鋼板30的兩面的場合，也可以除去兩面的絕緣皮膜31，也可以除去單方的面的絕緣皮膜31，殘留另一方的面的絕緣皮膜31。較理想是可將兩面的絕緣皮膜31除去。此時，藉著除去絕緣皮膜31可進一步增大上述的磁特性提升效果。
絕緣皮膜31的除去方法，雖不限於該等的方法，但例示有如雷射衝擊(laser peening)、噴珠衝擊(shot peening)、噴水衝擊(waterjet peening)、超音波衝擊(ultrasonic peening)、電子束加工、研磨加工、酸、鹼等的藥劑除去等。
較理想為雷射衝擊、噴珠衝擊、噴水衝擊，更理想為雷射衝擊。此時，提升除去精度，例如部分除去絕緣皮膜31的場合容易形成預定形狀的皮膜殘存區域111。又，雷射衝擊及噴珠衝擊的場合，可防止因大氣中處理的鏽的產生。並且，在雷射衝擊及噴水衝擊的場合，沒有使用成為異物混入原因之研磨媒介(grinding media)的必要，因此可抑制異物混入。另外，雷射衝擊的場合，可高速處理，而可進行一列式處理。
如第3A圖及第3B圖所例示，例如藉雷射衝擊除去絕緣皮膜31的場合，從雷射衝擊裝置的噴嘴41將雷射40照射於薄片2的帶狀芯後部21。藉雷射40的照射，除去薄片2的帶狀芯後部21的絕緣皮膜31。並藉著變更噴嘴41與帶狀芯後部21的相對位置，可變更照射位置。藉此，也可將所有的帶狀芯後部21的絕緣皮膜31除去，也可以部分除去。
除去步驟中，平行齒部22的絕緣皮膜31是以不除去而予殘存為佳。此時，為保持藉絕緣皮膜31所賦予的平行齒部22的張力，平行齒部22的易磁化方向RD的磁阻可維持低的狀態。
接著，可進行捲繞步驟。從第1C圖的兩端向下方延伸的兩個箭頭是在捲繞步驟中捲繞的方向的例示。如第1C圖及第1D圖所例示，捲繞步驟是以平行齒部22為內側進行將薄片2捲繞成環狀的捲繞加工。由於是將薄片2捲曲，因此捲繞加工也可稱為捲曲(curling)加工。
捲繞步驟中，帶狀芯後部21是例如形成圓環狀的芯後部11，平行齒部22是形成齒部12。並且，將各齒部12的伸長方向L加工成朝向圓環狀的芯後部11的徑向中心O。
如本形態，捲繞步驟是以在除去步驟後進行為佳。此時，在捲繞步驟中可抑制或防止絕緣皮膜31破碎。亦即，捲繞步驟是在捲繞加工時朝帶狀芯後部21的外圍側拉扯延伸所產生，在內周圍側產生壓縮應變。此時，帶狀芯後部21的外圍側或內周圍側存在有絕緣皮膜31的場合，會有使絕緣皮膜31破碎而有破碎粉產生之虞。如上述在除去步驟中，藉完全除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31，或部分除去外圍側或內周圍側的絕緣皮膜31，可避免或抑制捲繞步驟之破碎粉的產生。其結果可防止因破碎粉導致在捲繞加工機產生問題，或使得捲繞中途的薄片2堵塞於加工機內，或使芯片1損傷。
在捲繞加工後，可進行退火(annealing)步驟。退火步驟是將芯片1加熱。藉退火，可以使芯片1的再結晶化。退火步驟的加熱溫度是根據原材料的組成等可適當調整。加熱溫度例如可在700～1000℃的範圍調整。退火步驟是任意的步驟，可以在任意的時機進行。亦即，退火步驟即使包含，或不包含於本形態相關的芯片的製造方法仍是優異的步驟。又，退火步驟也可以在捲繞步驟之前進行，例如對於除去步驟前或除去步驟後的薄片2進行退火。
如以上說明，可製造芯片1。在以除去步驟完全除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31的場合，如第4圖所例示在芯後部11可獲得不具有絕緣皮膜31的芯片1。另一方面，在以除去步驟部分除去帶狀芯後部21的絕緣皮膜31的場合，如第5圖所例示在芯後部11可獲得除去絕緣皮膜31後的皮膜非形成區域112，殘存有絕緣皮膜31之皮膜殘存區域111的芯片1。第5圖的皮膜非形成區域112及皮膜殘存區域111的形成模樣為一例，例如可變更為後述的實施形態4、變形例1～4。
本形態的製造方法是如第1A～1D圖所例示，從方向性電磁鋼板3衝壓薄片2。薄片2，具有：與易磁化方向RD平行延伸的平行齒部22，及朝著與易磁化方向的垂直方向TD延伸的帶狀的芯後部。接著，以平行齒部22為內側將薄片2捲繞成環狀。因此，藉上述製造方法所獲得的芯片1的齒部12是如第4圖及第5圖表示，可以使易磁化方向RD對齊於齒部12的伸長方向L，亦即，朝圓環狀之芯片1的徑向中心O的方向。其結果，可提升齒部12的磁特性。並且，第4圖雖以點線箭頭表示易磁化方向RD，但第5圖中易磁化方向是與第4圖相同因此省略。
另一方面，芯後部11的易磁化方向RD的原來的預定方向為環狀的芯後部11的周圍方向C。因此，在芯後部11中，與周圍方向C正交的方向，即齒部12的伸長方向L的易磁化性強時，周圍方向C的磁阻變高而磁化變得困難。亦即，使得芯後部11的磁特性降低。
本形態的製造方法是如第1B圖及第1C圖所例示，藉除去步驟至少部分除去芯後部11的絕緣皮膜31。因此可緩和或除去因絕緣皮膜31所賦予芯後部11之易磁化方向RD的張力。
因此，在芯後部11朝著齒部12的伸長方向L，即芯片1之徑向的磁特性減弱，使環狀的芯片1之周圍方向C的磁阻降低而可提升磁特性。另一方面，在齒部12殘留有絕緣皮膜31，因此可避免芯片1之徑向磁特性的減弱。
如以上說明，藉上述製造方法，在保持著齒部12之芯片1徑向的優異磁特性的狀態，使得提升芯後部11的周圍方向C的磁特性之芯片1的製造成為可能。亦即，可提升芯片整體的磁特性。
又，如第4圖所例示，在齒部12具有絕緣皮膜31，芯後部11不具有絕緣皮膜31的芯片1是在齒部12之其伸長方向L的磁特性，及在芯後部11之其周圍方向C的磁特性優異。亦即，在齒部12是藉絕緣皮膜31保持著賦予方向性電磁鋼板3的張力，因此可以高位準保持芯片1的徑向的易磁化性。另一方面，在芯後部11是藉絕緣皮膜31緩和或除去賦予方向性電磁鋼板3的張力，因而使芯片1的徑向的易磁化性減弱，提升環狀芯後部11之周圍方向C的易磁化性。
上述所謂「芯後部不具有絕緣皮膜」即是在芯後部11的實質上全部的區域未形成有絕緣皮膜31的狀態。但是，容許在上述除去步驟的操作上有不可避免程度之絕緣皮膜31的不可避免的殘存。以上的殘存通常是微小的。
齒部12實質上是以其整體具有絕緣皮膜31為佳。此時，在齒部12藉著絕緣皮膜31充分保持著易磁化方向RD的張力。因此，齒部12可以使其伸長方向L的磁阻充分地降低。
上述所謂「齒部實質上其整體具有絕緣皮膜」即是在齒部的實質上全部的區域形成有絕緣皮膜的狀態。但是，例如容許在上述捲繞步驟的操作上有不可避免程度之絕緣皮膜31的不可避免的剝離。以上的剝離通常是微小的。
如上述，如第4圖所例示在齒部12具有絕緣皮膜31，芯後部11不具有絕緣皮膜31的芯片1是在齒部12及芯後部11的雙方具有朝預定方向的優異磁特性。亦即，齒部12是顯示其伸長方向L的磁阻充分地低，且優異的磁特性。又，芯後部11是顯示周圍方向C的磁阻降低，且優異的磁特性。
除去步驟中，部分除去芯後部11之皮膜的場合，如第5圖所例示，在芯後部11形成有除去絕緣皮膜31後的皮膜非形成區域112，及殘存有絕緣皮膜31的皮膜殘存區域111。針對皮膜非形成區域112與皮膜殘存區域111的較佳形成模樣，對比第5圖及第6圖進行以下說明。
如第6圖表示，芯後部11交互具有齒部伸長區域11A與齒部非伸長區域11B。以下適當稱齒部伸長區域為「伸長區域」，以下適當稱齒部非伸長區域為「非伸長區域」。
伸長區域11A是形成有從芯後部11延伸之齒部12的芯後部11的區域。另一方面，非伸長區域11B是未形成有從芯後部11延伸之齒部12之芯後部11的區域。第6圖雖是以虛線包圍伸長區域11A及非伸長區域11B的區域表示，但由於虛線彼此或虛線與芯片1的外圍端119重疊，因此實際是以若干小的尺寸表示。
第6圖的例示是在芯後部11的伸長區域11A分別形成有菱形的皮膜殘存區域111。如同圖所例示，皮膜殘存區域111可形成於芯後部11的寬W1的中央。
如第5圖及第6圖所例示，以分別在芯後部11的伸長區域11A形成有皮膜殘存區域111，在芯後部11的非伸長區域11B形成有皮膜非形成區域112地藉除去步驟除去絕緣皮膜31為佳。此時，緩和或除去芯後部11的非伸長區域11B，至少可以使非伸長區域11B的周圍方向C的磁阻降低而使得磁特性提升。其結果，如第5圖所例示，在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間，容易形成以虛線箭頭表示的磁路。可以在非伸長區域11B的整體形成皮膜非形成區域112，也可在非伸長區域11B的一部分形成皮膜非形成區域112。
另一方面，如第5圖及第6圖所例示，在伸長區域11A形成皮膜殘存區域111，藉此在層疊複數的芯片1 例如構築定子鐵芯的場合，可提升芯片1的芯後部11間的絕緣性。具體而言，可提升芯後部11之伸長區域11A間的絕緣性。藉此，可抑制渦流損失。也可以在伸長區域11A的整體形成皮膜殘存區域111，也可以在伸長區域11A的一部分形成皮膜非形成區域112。
另外，以在芯後部11的根部區域11C與非伸長區域11B的邊界區域11D形成有皮膜非形成區域112地以除去步驟除去絕緣皮膜31為佳。此時，進一步緩和或除去邊界區域11D的張力，至少可降低邊界區域11D的周圍方向C的磁阻使得磁特性提升。其結果，在芯片1相鄰的一對齒部與芯後部11之間，可更容易地形成以第5圖表示之虛線箭頭表示的磁路。
如第6圖表示，根部區域11C是位在從芯後部11延伸之齒部12的根部的芯後部11內的區域。根部區域11C是包含於伸長區域11A的區域，較芯後部11之寬W1二等分的中央線L1更位於齒部12側的區域。
邊界區域11D是夾著根部區域11C與非伸長區域11B的邊界的區域。邊界區域11D是比芯後部11之寬W1二等分的中央線L1更位於齒部12側的區域。邊界區域11D是比齒部之寬W2二等分的線L2更位於非伸長區域11B側，使非伸長區域11B在芯後部11的寬方向比二等分的線L3更位於伸長區域11A側。邊界區域11D是在第6圖中以虛線陰影表示的區域。也可以在邊界區域11D的整體形成有皮膜非形成區域112，也可以在邊界區域11D的一部分形成有皮膜非形成區域112。
如以上說明，根據本形態的製造方法，保持著齒部12對芯片1的徑向之優異的磁特性的狀態，提升芯後部11的周圍方向C的磁特性之芯片1的製造成為可能。其結果，芯片整體的磁特性的提升成為可能。又，在齒部12具有絕緣皮膜31，在芯後部11不具有絕緣皮膜31的芯片1是在齒部12及芯後部11的雙方朝預定方向的磁特性優異。
(實施形態2) 本形態中，在衝壓步驟後，依序進行捲繞步驟、除去步驟製造芯片1。並且，在實施形態2以後使用的符號之中，和已出的實施形態使用的符號相同的，只要不特別加以表示，即表示和已出的實施形態的相同的構成元件等。
如第7A圖及第7B圖所例示，首先，與實施形態1同樣進行方向性電磁鋼板3的衝壓加工，藉此獲得具有帶狀芯後部21與平行齒部22的薄片2。接著，進行捲繞步驟，如第7B圖及第7C圖所例示，以平行齒部22為內側將薄片2捲繞成環狀。藉此，獲得具有芯後部11與齒部12的芯片1。如第7C圖所例示，捲繞步驟後的芯片1是在芯後部11及齒部12的兩方形成有絕緣皮膜31。
接著，進行除去步驟，如第7D圖所例示除去芯片1的芯後部11的絕緣皮膜31。此時，以將齒部12的絕緣皮膜31預先殘存為佳。
各步驟是具體上可與實施形態1同樣地進行。也可以在衝壓步驟後進行退火步驟。如此一來，可獲得與實施形態1相同的芯片1。其他也可以和實施形態1同樣進行，獲得與實施形態1相同的效果。
(實施形態3) 本實施形態是除去步驟後，依序進行衝壓步驟、捲繞步驟製造與實施形態1同樣的芯片1。
如第8A圖所例示，首先，在方向性電磁鋼板3中，決定帶狀芯後部形成預定區域32。帶狀芯後部形成預定區域32雖是與衝壓步驟後所獲得的薄片2的帶狀芯後部21相同形狀，但實際上是實施衝壓加工前之方向性電極鋼板3上的假設區域。換言之，帶狀芯後部形成預定區域32是有如方向性電磁鋼板3上的設計圖。
在帶狀芯後部形成預定區域32的決定時，也可在衝壓步驟後預先決定成為平行齒部22的平行齒部形成預定區域33，也可以在衝壓步驟後預先決定成為薄片2的薄片形成預定區域34。至少可預先決定方向性電磁鋼板3的朝易磁化方向RD與垂直方向TD延伸的帶狀芯後部形成預定區域32。
除去步驟是如第8A圖所例示，至少除去方向性電磁鋼板3的帶狀芯後部形成預定區域32的絕緣皮膜31。以殘存平行齒部形成預定區域33的絕緣皮膜31為佳。
接著，藉著進行衝壓加工，如第8B圖所例示，獲得具有帶狀芯後部21與平行齒部22的薄片2。衝壓是以從預先決定的帶狀芯後部形成預定區域32形成帶狀芯後部21的方式進行。
亦即，帶狀芯後部21是從存在於方向性電磁鋼板3的帶狀芯後部形成預定區域32藉衝壓加工所形成。如此所獲得的薄片2具有已將絕緣皮膜31至少部分除去的帶狀芯後部21。
接著，進行捲繞步驟，如第8B圖所例示，以平行齒部22為內側將薄片2捲繞成環狀。藉此，如第8C圖所例示，可獲得與實施形態1相同的芯片1。在衝壓步驟後也可進行退火步驟。
各步驟在具體上可與實施形態1同樣地進行。如本實施形態，在衝壓步驟之前進行除去步驟的場合，例如使用稱為連續自動壓力型的壓機，可藉此以相同的壓機連續進行除去步驟與衝壓步驟。亦即，如第8A圖及第8B圖所例示，可藉自動加工連續進行帶狀芯後部形成預定區域32之絕緣皮膜31的除去，及薄片2的衝壓加工。因此，除去步驟及衝壓步驟的高速化成為可能。並且，其他是可與實施形態1相同，可獲得與實施形態1相同的效果。
(比較形態1) 本形態是從具有絕緣皮膜31的方向性電磁鋼板3衝壓薄片2，捲繞此薄片2，藉此製造與實施形態1相同形狀的芯片。具體而言，如第9A圖及第9B圖所例示，首先，與實施形態1同樣，進行衝壓加工，藉此從方向性電磁鋼板3製作具有帶狀芯後部21與平行齒部22的薄片2。薄片2是與實施形態1的相同。
接著，進行捲繞步驟，如第9B圖所例示，以平行齒部22為內側將薄片2捲繞成環狀。藉此，如第9C圖所例示，獲得具有芯後部81與齒部82的芯片8。芯片8的芯後部81及齒部82皆在表面具有絕緣皮膜31。
本形態中，芯後部81未經過如實施形態1～3的除去步驟，具有絕緣皮膜31。因此，藉絕緣皮膜31使芯後部81保持著其易磁化方向RD的張力。藉此，芯後部81的易磁化方向RD是與齒部82同樣地成為朝向芯片8之徑向中心O的方向。
如以上的芯片8中，齒部82的易磁化方向RD為預定的中心方向，因此磁特性優異，但是芯後部81中，易磁化方向RD是成為與預定的周圍方向C正交的方向。亦即，芯片8在芯後部81的磁化變得困難，磁特性上並不理想。
(實驗例1) 本例中，針對具有絕緣皮膜31的方向性電磁鋼板3的試驗片，比較評估絕緣皮膜31之除去前後的磁特性。首先，從與實施形態1相同的方向性電磁鋼板3切出縱55mm、橫55mm的試驗片。試驗片的厚度為0.23mm。接著，藉雷射衝擊，將試驗片的絕緣皮膜31全部除去。如此一來，獲得芯後部的成為樣品的試驗片。
接著，進行試驗片之磁特性的評估。磁特性的評估是除了試驗片的形狀如上述55mm×55mm的正方形，以JIS C 2556規定的「電磁鋼板單板磁特性試驗方法」為依據，藉著測量磁化力(magnetizing force)與磁通密度(magnetic flux density)來進行。磁化力為磁場的強度。測量是使用METRON技研(股)製的磁特性檢查裝置SK300。
第10圖是表示針對除去絕緣皮膜31的試驗片相對於易磁化方向RD之垂直方向TD的磁化力與磁通密度的關係。測量條件為頻率F:50Hz、磁化力H:10～1000A/m。又，針對除去絕緣皮膜31之前的狀態，亦即，具有絕緣皮膜31的試驗片，將易磁化方向RD的磁化力與磁通密度的關係，及垂直方向TD的磁化力與磁通密度的關係表示於第10圖。
如第10圖可得知，具有絕緣皮膜31的試驗片的易磁化方向RD的磁通密度是隨著磁化力的增大而急遽地增大。亦即，透磁率非常地高，磁阻非常地低。並且，透磁率是以在第10圖從各圖表的原點延伸出切線時的傾斜表示。磁阻為透磁率的倒數。
另一方面，具有絕緣皮膜31的試驗片的易磁化方向RD與垂直方向TD的磁通密度是即使磁化力增大其增大幅度仍小。亦即，透磁率低，磁阻高。
除去絕緣皮膜31，不具有絕緣皮膜31的試驗片中，與具有絕緣皮膜31的試驗片比較垂直方向TD之磁通密度的增大幅度提升。亦即，透磁率提升，磁阻降低。這是意味著藉除去絕緣皮膜31緩和或除去張力，使得磁阻降低而使得垂直方向TD的磁特性提升。
亦即，根據本例，如上述的實施形態，可得知藉著除去芯後部的絕緣皮膜31，使芯後部的易磁化方向RD的預定方向之周圍方向C的磁特性提升。
(實驗例2) 本例是針對在芯後部不具有絕緣皮膜的芯片與在芯後部具有絕緣皮膜的芯片，比較磁特性的例。具體而言，針對磁特性與各齒部12的間隔及齒部12的長度的關係調查。
首先，與實施形態1同樣，製作芯後部11不具有絕緣皮膜31的芯片1。又，作為比較用，與比較形態1同樣地製作芯後部11具有絕緣皮膜31的芯片1。該等的芯片1皆在齒部12具有絕緣皮膜31。
如第11圖所例示，在芯片1存在有複數芯後部11之寬W1 的中央線L1與齒部12之寬W2 的中央線L2的交點P。中央線L1是將芯後部11的寬W1 二等份的線，中央線L2是將齒部12的寬W2 二等份的線。
本例是變更從相對於各交點P間的距離θ的交點P到齒部12的前端121為止的距離r的比r/θ，製作複數的芯片1。r/θ不同，以芯後部11不具有絕緣皮膜31的複數芯片1作為實施例。另一方面，r/θ不同，以芯後部具有絕緣皮膜31的複數芯片8作為比較例。並且，θ是關係於馬達的極數，θ越大時極數越小，θ越小時則極數越大。
針對實施例及比較例的芯片1、8，測量芯後部11、81的周圍方向C，亦即，垂直方向TD的磁阻。磁阻的測量方法是如實驗例1。其結果表示於第12圖。
從第12圖可得知，芯後部11不具有絕緣皮膜31的實施例與芯後部11具有絕緣皮膜31的比較例比較，垂直方向TD的磁阻降低，磁特性優異。並且在r/θ≦10的場合，除去絕緣皮膜31之磁特性的提升效果變得顯著。由此效果變得更為顯著的觀點，以r/θ≦5為佳，並以r/θ≦4更佳。
另一方面，將朝環狀之芯片1的徑向中心O延伸的齒部12的易磁化方向RD與齒部12的伸長方向L對齊來降低芯片1的磁路阻力的觀點，以r/θ≧0.1為佳，並以r/θ≧1.0更佳。
(變形例1) 本例是針對在除去步驟所形成的皮膜殘存區域111與皮膜非形成區域112的變形例說明。本例是例示形成於芯後部11的寬W1 的中央的皮膜殘存區域111與皮膜非形成區域112的模樣。
如第13圖所例示，可形成朝芯後部11的周圍方向C延伸的帶狀的皮膜殘存區域111。此時，在較皮膜殘存區域111更近齒部12側及外圍端119側分別形成有呈帶狀延伸的皮膜非形成區域112。芯後部11的寬方向的皮膜殘存區域111的寬度是可適當調整。
又，如第6圖、第14圖所例示，在芯後部11的伸長區域11A分別形成菱形的皮膜殘存區域111，可連結該等菱形的皮膜殘存區域111並形成朝周圍方向C延伸的帶狀的皮膜殘存區域111。此時，在較皮膜殘存區域111更近齒部12側及外圍端119側形成有皮膜非形成區域112。菱形的皮膜殘存區域111的大小，或帶狀的皮膜殘存區域111的寬度是可適當調整。
如本例，即使形成皮膜殘存區域111及皮膜非形成區域112，仍可與實施形態1同樣，在芯後部11的伸長區域11A形成皮膜殘存區域111，在芯後部11的非伸長區域11B形成皮膜非形成區域112。並在邊界區域11D形成皮膜非形成區域112。因此，在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間容易形成磁路。
(實施形態4) 本形態是以除去步驟除去絕緣皮膜31使皮膜殘存區域111形成於芯後部11的外圍端119側，並使得皮膜非形成區域112形成於芯後部11的齒部12側。除去步驟是與實施形態1同樣可藉著各種衝擊法等進行。
如第15圖所例示，可沿著芯後部11的外圍端119側形成皮膜殘存區域111。此時，在層疊複數芯片1例如構築旋轉電機用的定子鐵芯時，可容易避免或緩和各芯片1的芯後部11間之絕緣性的降低。其結果，可抑制芯後部11的渦流損失。芯後部11之絕緣性的降低雖在芯後部11的外圍端119容易產生，但是比在芯後部11的外圍端119側形成皮膜殘存區域111更可抑制絕緣性的降低。
在芯後部11中較皮膜殘存區域111更近齒部12側，形成有皮膜非形成區域112。如本形態即使形成皮膜殘存區域111及皮膜非形成區域112，仍是與實施形態1同樣，在芯後部11的伸長區域11A形成有皮膜殘存區域111，並在芯後部11的非伸長區域11B形成有皮膜非形成區域112。並且在邊界區域11D形成有皮膜非形成區域112。因此，在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間容易形成磁路。除此之外，可與實施形態1同樣地進行，顯示與實施形態1相同的效果。
並且，本形態是沿著芯後部11的外圍端119所形成，並朝向齒部12形成突出部延伸的凸狀的皮膜殘存區域111。凸狀的皮膜殘存區域111之突出部的高度、沿著外圍端119延伸的皮膜殘存區域111的周圍方向C的寬度是可適當調整。
(變形例2) 本例是例示形成在芯後部11之外圍端119側的皮膜殘存區域111的形成模樣。
如第16圖～第18圖所例示，例如，可將圓形的皮膜殘存區域111形成於芯後部11的外圍端119。也可以如第16圖所例示形成正圓形，或如第17圖所例示在周圍方向C形成具有長軸的橢圓形，或如第18圖所例示在芯後部11的寬方向形成具有長軸的橢圓形。
又，如第19圖所例示，例如可形成從芯後部11的外圍端119朝向齒部12側延伸之扇形的皮膜殘存區域111。
又，如第20圖所例示，例如可形成從芯後部11的外圍端119朝向齒部12側延伸之山形的皮膜殘存區域111。
又，如第21圖所例示，例如可形成從芯後部11的外圍端119朝向齒部12側延伸之棒狀的皮膜殘存區域111。
本例中，從芯後部11的外圍端119延伸的皮膜殘存區域111的高度、皮膜殘存區域111的周圍方向C的寬度等雖可適當變更，但如第16圖～第21圖，以在齒部12的根部形成皮膜非形成區域112為佳。此時，在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間容易形成磁路。
(變形例3) 本例是例示從芯後部11的外圍端119延伸到齒部12的根部為止的皮膜殘存區域111的形成模樣。齒部12的根部是芯後部11與齒部12的邊界部分。
如第22圖及第23圖所例示，例如可形成從芯後部11的外圍端119延伸到齒部12的根部為止的棒狀的皮膜殘存區域111。如第22圖，可以在伸長區域11A分別形成各一個棒狀的皮膜殘存區域111，也可以如第23圖，在伸長區域11A及非伸長區域11B例如等間隔形成多數的棒狀的皮膜殘存區域111。間隔並沒有一定的必要，也可以變更。在多數形成棒狀的皮膜殘存區域111的場合，以使得各皮膜殘存區域111之周圍方向C的寬度小為佳。此時，在除去步驟後進行捲繞步驟時，在捲繞步驟中使絕緣皮膜31的破碎粉末變得更難產生。
又，如第24圖所例示，例如可形成從芯後部11的外圍端119延伸到齒部12的根部為止的扇形的皮膜殘存區域111。第24圖的例示是表示扇形的弧的兩端到達非伸長區域11B，使皮膜殘存區域111連續地連接於周圍方向C的例。此時，可一邊在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間維持著磁路，並加大皮膜殘存區域111的面積，因此可進一步提升層疊時之芯片1間的絕緣性。
並且，也可以將夾著第24圖所例示之扇形的皮膜殘存區域111的中心角的2直線，如第25圖所例示之朝皮膜殘存區域111的內側描繪成弧形地彎曲。此時，形成於非伸長區域11B及邊界區域11D的皮膜非形成區域112成為比第24圖所例示的扇形的皮膜殘存區域111大。其結果，在芯片1相鄰的一對齒部12與芯後部11之間更為容易形成磁路。亦即，可進一步提升芯後部之周圍方向C的磁特性。
本發明不限於上述各實施形態，在其要旨不脫離的範圍內可運用種種的實施形態。
1‧‧‧芯片 11‧‧‧芯後部 12‧‧‧齒部 2‧‧‧薄片 21‧‧‧帶狀芯後部 22‧‧‧平行齒部 3‧‧‧方向性電磁鋼板 31‧‧‧絕緣皮膜
第1A圖為實施形態1之方向性電磁鋼板的平面圖。 第1B圖為實施形態1之薄片的平面圖。 第1C圖為實施形態1的帶狀芯後部的絕緣皮膜除去後的薄片的平面圖。 第1D圖是具有實施形態1的絕緣皮膜除去後的芯後部之芯片的平面圖。 第2圖為實施形態1之方向性電磁鋼板的剖面圖。 第3A圖是在實施形態1中，表示藉雷射衝擊裝置對絕緣皮膜照射雷射的樣子的模式圖。 第3B圖是在實施形態1中，表示藉雷射照射除去絕緣皮膜的樣子的模式圖。 第4圖是在實施形態1中，除去芯後部的絕緣皮膜之芯片的放大平面圖。 第5圖是在實施形態1中，部分除去芯後部的絕緣皮膜之芯片的放大平面圖。 第6圖是在實施形態1中，表示芯後部的各區域之芯片的放大平面圖。 第7A圖為實施形態2的方向性電磁鋼板的平面圖。 第7B圖為實施形態2的薄片的平面圖。 第7C圖為實施形態2之具有絕緣皮膜的芯片的平面圖。 第7D圖為實施形態2之除去絕緣皮膜的芯後部之芯片的平面圖。 第8A圖為實施形態3中，芯後部形成預定區域之除去絕緣皮膜的方向性電磁鋼板的平面圖。 第8B圖為實施形態3中，具有除去絕緣皮膜之帶狀芯後部的薄片的平面圖。 第8C圖為實施形態3中，具有除去絕緣皮膜之芯後部的芯片的平面圖。 第9A圖為比較形態1的方向性電磁鋼板的平面圖。 第9B圖為比較形態1的薄片的平面圖。 第9C圖為比較形態1之具有絕緣皮膜的芯片的平面圖。 第10圖是在實驗例1中，表示絕緣皮膜的除去前及除去後之方向性電磁鋼板的磁化力與磁通密度的關係的圖表。 第11圖是在實驗例2中，表示芯後部及齒部的各尺寸之芯片的放大平面圖。 第12圖是在實驗例2中，表示芯片之r/θ與磁阻的關係的說明圖。 第13圖是在變形例1中，具備形成有呈帶狀延伸的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第14圖是在變形例1中，具備形成有複數菱形的皮膜殘存區域及呈帶狀延伸的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第15圖是在實施形態4中，具備形成有突出部朝齒部延伸的凸狀的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第16圖是在變形例2中，具備形成有圓形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第17圖是在變形例2中，具備在周圍方向具有長軸的橢圓形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第18圖是在變形例2中，具備在齒部的伸長方向具有長軸的橢圓形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第19圖是在變形例2中，具備形成有扇形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第20圖是在變形例2中，具備形成有山形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第21圖是在變形例2中，具備形成有棒狀的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第22圖是在變形例3中，具備在齒部伸長區域形成有棒狀的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第23圖是在變形例3中，具備在齒部伸長區域及齒部非伸長區域形成有棒狀的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第24圖是在變形例3中，具備在周圍方向連續形成有扇形的皮膜殘存區域之芯後部的芯片的放大平面圖。 第25圖是在變形例3中，具備在周圍方向連續形成有半橢圓形的皮膜非形成區域之芯後部的芯片的放大平面圖。
1‧‧‧芯片
2‧‧‧薄片
3‧‧‧方向性電磁鋼板
11‧‧‧芯後部
12‧‧‧齒部
21‧‧‧帶狀芯後部
22‧‧‧平行齒部
31‧‧‧絕緣皮膜
O‧‧‧徑向中心

Claims (18)

  1. 一種芯片的製造方法，具有：環狀的芯後部(11)，及從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)，該芯片(1)的製造方法，具有：衝壓步驟，從面內的一方向具有易磁化方向(RD)，在表面形成有賦予上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)的方向性電磁鋼板(3)衝壓薄片(2)，該薄片，具有：朝著與上述易磁化方向的垂直方向(TD)延伸的帶狀芯後部(21)，及從上述帶狀芯後部朝著與上述易磁化方向平行延伸的複數的平行齒部(22)；捲繞步驟，以上述平行齒部為內側將上述薄片捲繞成環狀，藉此獲得具有上述芯後部與上述齒部的上述芯片；及除去步驟，至少部分除去上述薄片的上述帶狀芯後部或上述芯片的上述芯後部的上述絕緣皮膜。
  2. 如申請專利範圍第1項記載的芯片的製造方法，其中，在上述除去步驟後進行上述捲繞步驟。
  3. 一種芯片的製造方法，具有：環狀的芯後部(11)，及從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)，該芯片(1)的製造方法，具有：除去步驟，在面內的一方向具有易磁化方向(RD)，在 表面形成有賦予上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)的方向性電磁鋼板(3)中，至少部分除去朝著與上述易磁化方向的垂直方向(TD)延伸的帶狀芯後部形成預定區域(32)的上述絕緣皮膜；衝壓步驟，從上述方向性電磁鋼板衝壓薄片(2)，該薄片具有：存在於上述帶狀芯後部形成預定區域的帶狀芯後部(21)，及從上述帶狀芯後部朝著與上述易磁化方向平行延伸的複數的平行齒部(22)；及捲繞步驟，以上述平行齒部為內側將上述薄片捲繞成環狀，藉此獲得具有上述芯後部與上述齒部的上述芯片。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟是藉雷射衝擊、噴珠衝擊或噴水衝擊，除去上述絕緣皮膜。
  5. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟是部分除去上述絕緣皮膜，形成除去上述絕緣皮膜後的皮膜非形成區域(112)，及殘存有上述絕緣皮膜的皮膜殘存區域(111)。
  6. 如申請專利範圍第4項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟是部分除去上述絕緣皮膜，形成除去上述絕緣皮膜後的皮膜非形成區域(112)，及殘存有上述絕緣皮膜的皮膜殘存區域(111)。
  7. 如申請專利範圍第5項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟除去上述絕緣皮膜使上述皮膜殘存區域形成於上述芯後部的外圍端(119)側，並使得上述皮膜非形成區域形成於上述芯後部的上述齒部側。
  8. 如申請專利範圍第5項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯後部交互具有：形成有從該芯後部延伸之上述齒部的齒部伸長區域(11A)，及未形成有從上述芯後部延伸之上述齒部的齒部非伸長區域(11B)，上述除去步驟是以在上述齒部伸長區域形成有上述皮膜殘存區域，在上述齒部非伸長區域形成有上述皮膜非形成區域的方式，除去上述絕緣皮膜。
  9. 如申請專利範圍第7項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯後部交互具有：形成有從該芯後部延伸之上述齒部的齒部伸長區域(11A)，及未形成有從上述芯後部延伸之上述齒部的齒部非伸長區域(11B)，上述除去步驟是以在上述齒部伸長區域形成有上述皮膜殘存區域，在上述齒部非伸長區域形成有上述皮膜非形成區域的方式，除去上述絕緣皮膜。
  10. 如申請專利範圍第8項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟是以在上述芯後部的上述齒部的根部區 域(11C)與上述齒部非伸長區域的邊界區域(11D)形成有上述皮膜非形成區域的方式，除去上述絕緣皮膜。
  11. 如申請專利範圍第9項記載的芯片的製造方法，其中，上述除去步驟是以在上述芯後部的上述齒部的根部區域(11C)與上述齒部非伸長區域的邊界區域(11D)形成有上述皮膜非形成區域的方式，除去上述絕緣皮膜。
  12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的關係。
  13. 如申請專利範圍第4項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的關係。
  14. 如申請專利範圍第5項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的 關係。
  15. 如申請專利範圍第6項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的關係。
  16. 如申請專利範圍第7項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的關係。
  17. 如申請專利範圍第8項記載的芯片的製造方法，其中，上述芯片使上述芯後部的寬方向的中央線(L1)與上述齒部的寬方向的中央線(L2)的各交點(P)間的距離θ，及上述交點與上述齒部的前端(121)之間的距離r滿足r/θ≦10的關係。
  18. 一種芯片，具有：環狀的芯後部(11)，及從上述芯後部朝其徑向中心(O)延伸的複數的齒部(12)， 上述芯後部及上述齒部是由易磁化方向(RD)為上述齒部之伸長方向(L)的方向性電磁鋼板所構成，上述齒部具有賦予上述方向性電磁鋼板的上述易磁化方向張力的絕緣皮膜(31)，上述芯後部不具有上述絕緣皮膜。
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