TWI691103B - 光源裝置及發光裝置 - Google Patents

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小野高志
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Abstract

本發明的光源裝置(1)具備：驅動電路(11)；發光元件(30)，其具有位於與驅動電路側相反側的光出射面，被配置於驅動電路上，與驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；以及顏色轉換層(40)，其與光出射面接觸，將自光出射面出射的光之波長進行轉換，光出射面由第III族氮化物半導體構成。

Description

光源裝置及發光裝置
本發明係關於光源裝置及發光裝置。
專利文獻1揭示有一種混色發光元件裝置，其於基板上形成有發光元件被像素化之陣列，於發光元件上介隔金屬層而配置了螢光體。又，專利文獻2揭示有一種發光裝置，其於基板上配置發光元件，於發光元件的上面設有包含螢光體之透光性構件。揭示於專利文獻2的發光裝置中，發光元件與透光性構件是藉由壓接、燒結、或利用接著劑進行的接著等公知的方法連接。
專利文獻1：日本公開專利公報「特開2006-054470號公報(2006年2月23日公開)」
專利文獻2：日本公開專利公報「特開2015-126209號公報(2015年7月6日公開)」
揭示於專利文獻1的混色發光元件裝置中，有由於發光元件與螢光體之間存在金屬層，故光提取效率降低，裝置整體的尺寸變大之問題。又，金屬層存在的部分之螢光體的厚度與金屬層不存在的部分之螢光體的厚度不同，因此於發光元件的面產生顏色不均。
又，揭示於專利文獻2之發光裝置中，發光元件與透光性構件是藉由壓接、燒結、或利用接著劑進行的接著等公知的方法連接，因此於發光元件與透光性構件之間可設有接著層。因此，有光提取效率降低，裝置整體的尺寸變大之問題。
本發明的一態樣之目的在於，使光源裝置的光提取效率以及發光的均勻性提升，減小光源裝置之整體的尺寸。
為了解決上述課題，本發明的一態樣之光源裝置具備：驅動電路；發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；以及顏色轉換層，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
又，本發明的一態樣之光源裝置具備：驅動電路；發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；螢光體層，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及濾色層，其配置於該螢光體層上，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
進而，發明的一態樣的光源裝置具備：驅動電路；複數個發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；複數層顏色轉換層，分別與該複數個發光元件一對一地對應，且與所對應的該發光元件的該光出射面接觸，將自所對應的該發光元件的該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及光反射層，其配置於該顏色轉換層之間，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
根據本發明的一態樣，可發揮如下效果：使光源裝置的光提取效率以及發光的均勻性提升，縮小光源裝置的整體的尺寸。
1、1a、1b、1c:光源裝置
2、2a、2b、2c、2d:光源裝置
3:光源裝置
4、4a、4b、4c:光源裝置
5、5a、5b、5c:光源裝置
6:光源裝置
10:基板
11:驅動電路
12:金屬配線
13:絕緣層
18:成長基板
19:分離槽
20:電極
30:藍色發光元件
30a:紫色發光元件
40、41、42:顏色轉換層
40a:藍色轉換層
40b:綠色轉換層
40c:紅色轉換層
45:黃色轉換層
50:樹脂
60:固定樹脂
70a、70d:藍色濾色層
70b、70e:綠色濾色層
70c、70f:紅色濾色層
80:黃色轉換層
80a:顏色轉換層
90:吸光層
201:基板側電極
202:發光元件側電極
a1:凹凸面
c1、c2:透光性樹脂
圖1為示出本發明之實施形態1的光源裝置之顏色轉換層的形狀、以及光源裝置之構造的圖。圖1的(a)為示出顏色轉換層的形狀為長方體 之情形的圖，圖1的(b)為示出俯視光源裝置的圖，圖1的(c)為光源裝置的側視圖，圖1的(d)為示出顏色轉換層之下面的面積大於顏色轉換層之上面的面積之情形的圖，圖1的(e)為示出顏色轉換層的形狀係上面沒有角而帶有圓度的形狀之情形的圖。
圖2為示出本發明之實施形態1的光源裝置之截面及俯視該光源裝置的圖。圖2的(a)為示出光源裝置具備顏色轉換層之情形的圖，圖2的(b)為示出光源裝置具備樹脂之情形的圖，圖2的(c)為示出俯視圖2的(b)所示之光源裝置的圖。圖2的(d)為圖2的(c)所示出的光源裝置的側視圖，圖2的(e)為示出光源裝置具備固定樹脂之情形的圖，圖2的(f)為示出光源裝置具備三種顏色轉換層之情形的圖。
圖3為示出圖2所示的光源裝置之製造方法的圖。
圖4為示出作為圖2所示的光源裝置之變形例1的光源裝置的截面圖。圖4的(a)為示出光源裝置具備透光性樹脂之情形的圖，圖4的(b)為示出透光性樹脂覆蓋顏色轉換層之側面及上面的情形的圖，圖4的(c)為示出自圖4的(a)所示之光源裝置除去透光性樹脂的光源裝置的圖。
圖5為示出作為圖2所示的光源裝置之變形例1的光源裝置的截面及俯視該光源裝置的圖。圖5的(a)為示出光源裝置之各顏色轉換層的厚度不同之情形的圖，圖5的(b)為示出俯視圖5的(a)所示之光源裝置的圖。圖5的(c)為圖5的(b)所示之光源裝置的側視圖，圖5的(d)為示出光源裝置之各顏色轉換層的寬度不同之情形的圖。
圖6為示出作為圖2所示的光源裝置之變形例2的光源裝置的截面圖。
圖7為本發明之實施形態2之光源裝置的截面圖。圖7的(a)為示出光源裝置具備濾色層的之情形的圖，圖7的(b)為示出濾色層的厚度不同之 情形的圖。圖7的(c)為示出濾色層覆蓋顏色轉換層之情形的圖，圖7的(d)為示出顏色轉換層的厚度不同之情形的圖。
圖8為示出本發明之實施形態3的光源裝置的截面及俯視該光源裝置的圖。圖8的(a)為示出一層黃色轉換層覆蓋三個藍色發光元件之情形的圖，圖8的(b)為示出各濾色層的厚度及寬度不同之情形的圖，圖8的(c)為示出各濾色層的厚度不同之情形的圖。圖8的(d)為示出俯視圖8的(c)所示之光源裝置的圖，圖8的(e)為圖8的(d)所示之光源裝置的側視圖，圖8的(f)為示出自圖8的(c)所示之光源裝置變更顏色轉換層之情形的圖。
圖9為本發明之實施形態4的光源裝置的截面圖。
〔實施形態1〕
針對本發明之實施形態，若基於圖1~圖6進行說明，則如下所述。圖1為示出本發明之實施形態1的光源裝置1的顏色轉換層40~42之形狀、以及光源裝置1之構造的圖。圖2為示出本發明之實施形態1的光源裝置1~1c之截面及俯視該光源裝置1~1c的圖。
光源裝置1如圖1的(a)所示，具備基板10、電極20、藍色發光元件30以及顏色轉換層40。又，光源裝置1如圖1的(b)及(c)所示，各個藍色發光元件30可為於基板10上配置成m×n(m、n為自然數)之格子狀的陣列(構造體)。藍色發光元件30可等間隔(等間距)地於配置於陣列。具體而言，例如，可統一鄰接的藍色發光元件30間的距離。
基板10可利用以至少其表面與藍色發光元件30連接之方式形成配線者。基板10例如可由矽、鍺、碳化矽、或In-Ga-Zn-O系構成。又， 基板10可為單層構造，也可為積層構造。基板10包含驅動電路11，例如，可於基板10之上面設有驅動電路11。驅動電路11控制藍色發光元件30之導通/斷開。於基板10配置有複數個藍色發光元件30之情形時，驅動電路11可個別地控制藍色發光元件30。於基板10的上面，經由電極20連接有藍色發光元件30。驅動電路11藉由配置於藍色發光元件30的正下方，可使光源裝置1的俯視之面積減小，可實現更小型之光源裝置1(後述之發光裝置)。又，於藍色發光元件30的正下方配置驅動電路11，藉此可縮小藍色發光元件30與驅動電路11之間的配線電容及電阻，可製造延遲少的光源裝置1(發光裝置)。
又，圖2~圖9中，為了便於說明，著眼於配置在光源裝置1的複數個藍色發光元件30中，接近的三個藍色發光元件30。如圖2的(a)所示，光源裝置1中，可於基板10的上面，經由電極20連接有三個藍色發光元件30。關於電極20於後面敘述。光源裝置1中，三個藍色發光元件30的光出射面(上面)位於大致同一平面上。藉此，可容易地將顏色轉換層40塗布於藍色發光元件30之光出射面。
基板10具有用於驅動藍色發光元件30之電路。藉由於基板10上接合電極20與藍色發光元件30之電極，基板10與藍色發光元件30電性接合。
作為藍色發光元件30之一例，可利用公知者，具體而言為半導體發光元件，例如第III-V族化合物半導體。其中，作為第III族氮化物半導體之GaN系半導體，由於能夠發出可有效率地激發螢光物質之短波長的光，故作為藍色發光元件30而較佳。藍色發光元件30可由第III族氮化物半導體構成，例如可由GaN系材料及InGaN系材料構成。藍色發光元件30例如可為以p型GaN層、InGaN層、以及具有位於與基板10側相反側之光出射面的n型GaN層的順序配置之藍色LED(Light Emitting Diode)。又，藍色發 光元件30可為藍色雷射。藍色發光元件30可為倒裝晶片型。藉由使用倒裝晶片型之藍色發光元件30，可施加大電流，可實現高輝度之光源裝置1。也就是，於藍色發光元件30之光出射面不設有電極，藍色發光元件30之光出射面可由第III族氮化物半導體(例如GaN系材料)構成。
藍色發光元件30可利用將後述之成長基板18作為藍寶石基板，將該藍寶石基板剝離而形成者。又，成長基板18可由矽、GaN、AlN、或AlGaN等構成。藍色發光元件30之發光峰波長為380~490nm，較佳為440~470nm。藍色發光元件30為發光晶片，發光面之面積為1500μm2以下(例如，發光面之尺寸為20μm×60μm之晶片或15μm×45μm之晶片)，較佳為450μm2以下(例如，發光面之尺寸為12μm×36μm之晶片或8μm×24μm之晶片，更佳為100μm2以下(例如，發光面之尺寸為5μm×15μm之晶片或2μm×6μm之晶片)。藍色發光元件30的尺寸越小，越能夠製造小型且高精細之光源裝置1。又，藍色發光元件30間的距離為20μm以下，較佳為5μm以下，更佳為2μm以下。藍色發光元件30之尺寸以及藍色發光元件30間的距離，是藉由後述之發光裝置所求之裝置的尺寸、以及顯示圖像的解析度決定。
顏色轉換層40與藍色發光元件30之光出射面直接接觸，將自藍色發光元件30之光出射面出射的光之波長進行轉換。具體而言，例如顏色轉換層40可與藍色發光元件30之光出射面接觸，將從配置於顏色轉換層40的正下方之藍色發光元件30發出的光之波長進行轉換，出射黃色光。也就是，顏色轉換層40可為含有作為顏色轉換材料之、黃色螢光體及/或吸光材料的黃色轉換層。吸光材料可為如用於液晶顯示器用之濾色器、或影像感測器用之色阻(color resist)的色素等材料。藉由使顏色轉換層40除了螢光體還含有吸光材料，可進行更細緻的光譜之控制。顏色轉換層40例如含有 Y3A15O12：Ce3+作為黃色螢光體。又，如圖2的(a)所示，於存在三個藍色發光元件30之情形時，顏色轉換層40被配置於三個藍色發光元件30各自的光出射面。顏色轉換層40例如可使螢光體揉合(knead)於環氧樹脂、矽氧樹脂、及丙烯酸系之樹脂而形成。上述樹脂用於在顏色轉換層40中保持螢光體。顏色轉換層40所含有之螢光體的材料，例如可為以下所示之(1)~(4)。
(1)將以(MI)3-x1Cex1(MII)5O12(MI表示Y、Lu、Gd、及La中之至少一者、MII表示Al及Ga中之至少一者、x1滿足0.005≦x1≦0.20。)表示之3價鈰活化的氧化物螢光體。
(2)將以(MIII)2-x2Eux2SiO4(MIII表示Mg、Ca、Sr及Ba中之至少一者、x2滿足0.03≦x2≦0.20。)表示之2價銪活化的矽酸鹽螢光體。
(3)將以(MIV)3-x3Cex3Si6N11(MIV表示Lu、Y、La、及Gd中之至少一者。x3滿足0.01<x3≦0.2。)表示之3價鈰活化的氮化物螢光體。
(4)將以〔Eux4(MV)1-x4〕a1Sib1Alc1Od1Ne1(a1滿足0.15≦a1≦1.5、x4滿足0≦x4≦1、b1及c1滿足b1+c1=12、d1及e1滿足d1+e1=16。MV表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、及Gd中之至少一者。)表示之作為α型SiAlON的2價銪活化的氮氧化物螢光體。
又，顏色轉換層40可為出射與黃色光不同顏色的光之顏色轉換層。顏色轉換層40可為含有綠色螢光體或紅色螢光體之顏色轉換層，也可為混合綠色螢光體與紅色螢光體之顏色轉換層。再者，後述之實施形態中，作為發光元件，雖有使用紫色發光元件30a而非藍色發光元件30之情形，但於該情形下，也可單獨使用該等黃色螢光體，或與其他螢光體同時使用而構成顏色轉換層。又，也可使顏色轉換層不僅含有螢光體，還含有吸色材料而構成各顏色轉換層。
關於顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料等顏色轉換材料之尺寸，中徑為2μm以下，較佳為0.5μm以下，更佳為0.2μm以下。顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料之尺寸小於藍色發光元件30之發光面。又，顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料之尺寸小於配置在基板10上的藍色發光元件30間的距離。顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料之尺寸，若中徑為0.5μm以下，則布朗運動變得大於重力運動，故可抑制顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料的自然沉降。又，顏色轉換層40所含有之螢光體及吸光材料的尺寸若中徑為0.2μm以下，則可於顏色轉換層40內緊密地填充螢光體或吸光材料，可使顏色轉換層40的厚度變薄。厚度是指沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度。顏色轉換層40之厚度為30μm以下，較佳為10μm以下，更佳為4μm以下。顏色轉換層40之厚度越薄，來自位於該顏色轉換層40旁邊的顏色轉換層40之下方的藍色發光元件30的發光之影響變得越小。顏色轉換層40之寬度與藍色發光元件30之寬度相同，或大於藍色發光元件30之寬度。寬度是指沿著與自基板10朝向藍色發光元件30的方向正交之方向的寬度。
顏色轉換層40的形狀如圖1的(a)所示，可為長方體之形狀。又，如圖1的(d)所示，可於藍色發光元件30的光出射面配置顏色轉換層41來取代顏色轉換層40。顏色轉換層41與顏色轉換層40相比，形狀不同。顏色轉換層41之形狀為顏色轉換層41的下面的面積大於顏色轉換層41的上面的面積。進而，如圖1的(e)所示，於藍色發光元件30的光出射面配置顏色轉換層42來取代顏色轉換層40。顏色轉換層42與顏色轉換層40相比，形狀不同。顏色轉換層42之形狀為於顏色轉換層42的上面沒有角而帶有圓度之形狀。可於藍色發光元件30的光出射面可配置顏色轉換層41或顏色轉換層42等圓柱、多角柱、截錐、多角截錐、及半球之形狀的顏色轉換層，來取 代顏色轉換層40。又，可於藍色發光元件30的光出射面配置圓柱、多角柱、截錐、多角截錐、及半球之形狀排列的凹凸形狀之顏色轉換層。藉此，可使朝藍色發光元件30的正上方出射的光的成分變多。又，為了使光提取效率提升或控制光定向特性，可於各藍色發光元件30配置複數種形狀的顏色轉換層。
顏色轉換層40之螢光體及光吸收材料的濃度為10wt%以上，較佳為25wt%以上。若可提高顏色轉換層40之螢光體及光吸收材料的濃度，則可使顏色轉換層40之厚度變薄。藉由顏色轉換層40之厚度變薄，向旁邊的顏色轉換層40出射的光之成分變少，因此可減低自其他顏色轉換層40出射的光混合之情形。又，於顏色轉換層40內有存在螢光體及吸光材料之濃度梯度之情形，顏色轉換層40的下面側之螢光體及吸光材料的濃度高時，向藍色發光元件30之散熱路徑變短。由此，伴隨顏色轉換之、自螢光體及吸光材料發出的熱之散熱性提升，故可提高螢光體及吸光材料的顏色轉換性能。又，藉由使氧化鋁、二氧化矽、氧化鈦之填料揉合於顏色轉換層，可控制光定向特性，或使光提取效率提升。
又，光源裝置1a如圖2的(b)~(d)所示，與光源裝置1相比，不同點為具備樹脂50(光遮蔽層)。樹脂50使藍色發光元件30及電極20固定於基板10。樹脂50具有遮蔽自藍色發光元件30之側面出射的光及自顏色轉換層40出射的光之光遮蔽功能，可由吸收或反射光之材料構成。樹脂50之光遮蔽率較佳為50%以上。若樹脂50為吸收光的材料，則樹脂50的顏色接近黑色，若樹脂50為反射光的材料，則樹脂50接近白色。樹脂50也被稱為填料，作為一例，可使液狀之樹脂固化而形成。樹脂50被埋入光源裝置1a中的、至少包含基板10之上部、藍色發光元件30之側面與電極20之側面 的區域。又，三個藍色發光元件30之光出射面與樹脂50的上面位於大致同一平面上。
藉由於光源裝置1a設置樹脂50，可獲得以下說明之效果。具體而言，各藍色發光元件30的光於藉由各藍色發光元件30上的顏色轉換層而被轉換顏色時，藍色發光元件30被位於該藍色發光元件30旁邊的藍色發光元件30之上方的顏色轉換層轉換顏色的機率減低。藉此，可獲得鮮明的圖像。又，藍色發光元件30的保持強度提升，可延長光源裝置1a的壽命。進而，藍色發光元件30的光出射面與光遮蔽層的上面位於大致同一平面，因此可容易地進行顏色轉換層之形成。
進而，光源裝置1b如圖2的(e)所示，與光源裝置1a相比，不同點在於具備固定樹脂60。固定樹脂60使藍色發光元件30及樹脂50固定於顏色轉換層40。固定樹脂60覆蓋顏色轉換層40的側面及上面與樹脂50的上面。優先提升光提取效率的情形時，較佳相對於自藍色發光元件30及顏色轉換層40出射的光之波長，固定樹脂60的透射率為高。又，於變更光定向特性或變更硬度的情形時，也可揉合氧化鋁、二氧化矽及/或氧化鈦之填料，可藉由設為凹凸形狀等之方式變更表面形狀而使光提取效率及光定向特性變化。
光源裝置1c如圖2的(f)所示，與光源裝置1a相比，不同點為三個藍色發光元件30被變更為三個紫色發光元件30a。又，光源裝置1c與光源裝置1a相比，不同點為三層顏色轉換層40分別被變更為藍色轉換層40a、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c。光源裝置1中，使用一種顏色轉換層，但光源裝置1c中，使用三種顏色轉換層。例如，藍色轉換層40a含有Sr5(PO4)3Cl：Eu2+作為藍色螢光體，綠色轉換層40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作為綠色螢光體，紅色轉換層40c含有Ca2SiO4：Eu2+作為紅色螢光體。本發明之 一態樣的光源裝置能夠以轉換後之光的波長不同的方式，使用兩種以上的顏色轉換層。藉此，可發出各種各樣的光。又，藍色轉換層40a、綠色轉換層40b、及紅色轉換層40c各自的顏色轉換材料(螢光體或色素等吸光材料)之濃度可不相同。顏色轉換層之顏色轉換材料的濃度依每個顏色轉換層之種類而不同，藉此，例如可對每個顏色設定適當的顏色轉換材料之濃度，出射最合適的光。
進而，可於一個顏色轉換層含有複數種類之螢光體及/或吸光材料。例如，為了取得光提取效率與發光顏色的平衡，可組合K2SiF6：Mn4+與CaAlSiN3：Eu2+而形成紅色轉換層40c。K2SiF6：Mn4+具有半值寬度為10nm以下之630nm左右的發光峰波長，CaAlSiN3：Eu2+具有半值寬度為90~105nm左右之範圍的650nm左右的發光峰波長。如上述，顏色轉換層含有複數種類之螢光體及/或吸光材料，藉此可形成自顏色轉換層出射的光之光譜。
作為紫色發光元件30a之一例，與藍色發光元件30同樣地，可利用公知者，具體而言可利用半導體發光元件。其中，作為第III族氮化物半導體之GaN系半導體，由於能夠發出可有效率地激發螢光物質之短波長的光，故作為紫色發光元件30a而較佳。紫色發光元件30a可由第III族氮化物半導體構成，例如可由GaN系材料及InGaN系材料構成。也就是，於紫色發光元件30a的光出射面不設置電極，紫色發光元件30a的光出射面可由第III族氮化物半導體構成(例如GaN系材料)構成。紫色發光元件30a例如可為以p型GaN層、InGaN層、以及具有位於與基板10側相反側之光出射面的n型GaN層的順序配置之紫色LED。紫色發光元件30a的發光峰波長為365~420nm，較佳為390~420nm。
藍色轉換層40a被配置於三個中的一個紫色發光元件30a的光出射面(上面)，將來自配置於藍色轉換層40a正下方的紫色發光元件30a之發光的波長進行轉換，出射藍色光。藍色轉換層40a所含有的螢光體的材料，例如可為以下所示之(5)~(7)。
(5)活化以(MVI)5-x5Eux5(PO4)3(MVII)(MVI表示Ca、Sr、及Ba中之至少一者。MVII表示F、Cl、及Br中之至少一者。x5滿足0.1≦x5≦1.5。)表示之2價銪的磷氧化物螢光體。
(6)活化以(MVIII)1-x6Eux6MgAl10O17(MVIII表示Sr及Ba中之至少一者。x6滿足0.005≦x6≦0.2。)表示之2價銪的鋁氧化物螢光體。
(7)活化以(MIX)1-x7Cex7Si3N5(MIX表示Lu、Y、La、及Gd中之至少一者。x7滿足0.005≦x7≦0.2。)表示之3價鈰的氮化物螢光體。
綠色轉換層40b被配置於三個中的一個紫色發光元件30a的光出射面，將來自配置於綠色轉換層40b正下方的紫色發光元件30a之發光的波長進行轉換，出射綠色光。綠色轉換層40b所含有的螢光體的材料，例如可為以下所示之(8)~(15)。
(8)活化以Eux8SifAlgOhNi(0.001≦x8≦0.2)表示之作為β型SiAlON的2價銪的氮氧化物螢光體。
(9)活化以(MX)3-x9Cex9(MXI)5O12(MX表示Lu、Y、La、及Gd中之至少一者。MXI表示Al及Ga中之至少一者。x9滿足0.005≦x9≦0.3。)表示之具有石榴石型晶體結構的3價鈰之氧化物螢光體。
(10)以(MXII)2-x10Eux10SiO4(MXII表示Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少一者。x10滿足0.005≦x10≦0.4。)表示之螢光體(活化2價銪的矽酸鹽螢光體)。
(11)活化以(MXIII)3-x11Cex11(MXIV)2Si3O12(MXIII表示Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少一者。MXIV表示Li、Na、K、Cs、Rb、Mg、Ca、Ba、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、及Lu中之至少一者。x11滿足0.005≦x11≦0.3。)表示之3價鈰的矽酸鹽螢光體。
(12)活化以(MXV)3-x12Cex12Si6N11(MXV表示Lu、Y、La、及Gd中之至少一者。x12滿足0.005≦x12≦0.2。)表示之3價鈰的氮化物螢光體。
(13)活化以(MXVI)1-y1Euy1Mg1-x13Al10-x13Mnx13+y1O17(MXVI表示Sr及Ba中之至少一者。y1滿足0.005≦y1≦0.2、x13及y1滿足0.005≦x13+y1≦0.2。)表示之2價銪與2價錳的鋁酸鹽螢光體。
(14)活化以(MXVII)3-x14Eux14Si6O12N2(MXVII表示Sr及Ba中之至少一者。x14滿足0.005≦x14≦0.2。)表示之2價銪與2價錳的矽酸鹽螢光體。
(15)活化以(MXVIII)2-x15Eux15SiO4(MXVIII表示Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少一者、x15滿足0.03≦x15≦0.10。)表示之2價銪的矽酸鹽螢光體。
紅色轉換層40c被配置於三個中的一個紫色發光元件30a的光出射面，將來自配置於紅色轉換層40c正下方的紫色發光元件30a之發光的波長進行轉換，出射紅色光。紅色轉換層40c所含有的螢光體的材料，例如可為以下所示之(16)~(21)。
(16)活化以(MXIX)1-x16Eux16(MXX)SiN3(MXIX表示Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少一者。MXX表示Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd、及Lu中之至少一者。x16滿足0.005≦x16≦0.2。)表示之2價銪的氮化物螢光體。
(17)活化以(MXXI)2-x17Eux17Si5N8(MXXI表示Mg、Ca、Sr、及Ba中之至少一者。x17滿足0.005≦x17≦0.2。)表示之2價銪的氮化物螢光體。
(18)活化以〔Eux18(MXXII)1-x18〕a2Sib2Alc2Od2Ne2(a2滿足0.15≦a2≦1.5、x18滿足0≦x18≦1、b2及c2滿足b2+c2=12、d2及e2滿足d2+e2=16。MXXII表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、及Gd中之至少一者。)表示之作為α型SiAlON之2價銪的氮氧化物螢光體。
(19)活化以(MXXIII)2((MXXIV)1-x19Mnx19)F6(MXXIII表示Li、Na、K、Rb、及Cs中之至少一者。MXXIV表示Ge、Si、Sn、Ti、及Zr中之至少一者。x19滿足0.005≦x19≦0.3。)表示之4價錳的氟化金屬鹽螢光體。
(20)活化以(MXXV)2-x20Eux20O3-y2Sy2(MXXV表示Y、La、及Gd中之至少一者。x20滿足0.005≦x20≦0.4、y2滿足0.0≦y2≦2.0。)表示之3價銪的硫氧化物螢光體。
(21)活化以Ca2-x21Eux21SiO4(x21滿足0.5≦x21≦1.5。)表示之2價銪的氧化物螢光體。
又，後述之實施形態中，作為發光元件，雖有使用藍色發光元件30而非紫色發光元件30a之情形，但於該情形下，也可使用此處所示之綠色螢光體或紅色螢光體。顏色轉換層所包含的螢光體不限於上述，可不限於發光顏色且含有複數螢光體而構成各顏色轉換層。進而，也可使顏色轉換層不僅含有螢光體，還含有吸色材料而構成各顏色轉換層。又，也可於顏色轉換層揉合氧化鋁、二氧化矽及/或氧化鈦之填料，或是變更顏色轉換層的表面形狀，藉此控制顏色轉換層的光定向特性，或使光提取效率提升。再者，顏色轉換層的表面形狀可為圓錐形狀、多角錐形狀、截錐形狀、多角截錐形狀或半球形狀。又，可為具有圓錐形狀、多角錐形狀、截錐形狀、多角截錐形狀或半球形狀排列之凹凸的形狀。為了使顏色轉換層之光提取 效率提升或控制光定向特性，可於各藍色發光元件30配置複數種形狀的顏色轉換層。
(光源裝置1之製造方法)
接著，針對光源裝置1之製造方法，基於圖3進行說明。圖3為示出光源裝置1之製造方法的圖。於針對光源裝置1之製造方法進行說明之前，針對電極20及金屬配線12進行說明。
電極20例如為由金(Au)或Au-Sn(表面為Au)構成之電極，且用於電連接基板10與藍色發光元件30者。具體而言，電極20作為電連接金屬配線12與設於藍色發光元件30之表面的金屬端子(未圖示)之墊電極而發揮功能，也被稱為凸塊。
金屬配線12為至少包含對藍色發光元件30供給控制電壓之控制電路的配線。電極20中連接於金屬配線12之第一部分為基板側電極201，電極20中連接於設置於藍色發光元件30的表面之金屬端子(未圖示)的第二部分，為發光元件側電極202。
(藍色發光元件30之形成步驟)
首先，如圖3的(a)所示，於成長基板18設置藍色發光元件30。成長基板18為使藍色發光元件30的半導體層疊晶生長的基板。作為第III-V族化合物半導體及第III族氮化物半導體中的基板，可利用公知者。又，作為第III-V族化合物半導體及第III族氮化物半導體，可利用公知者。
(發光元件側電極202之形成步驟)
於形成藍色發光元件30後，如圖3的(b)所示，於藍色發光元件30之上形成複數個發光元件側電極202。於該形成使用周知的一般電極形成技術。發光元件側電極202之代表性的材料，例如為金(Au)。
(分離槽19之形成步驟)
於發光元件側電極202形成後，如圖3的(c)所示，於藍色發光元件30形成複數個分離槽19。於該形成，使用標準之半導體選擇蝕刻程序。圖3中，相鄰的發光元件側電極202之間，形成分離槽19。所形成的分離槽19到達成長基板18之表面。藉由形成分離槽19，一片藍色發光元件30於成長基板18的表面被分割為複數之個別的藍色發光元件30。
(兩個基板之位置對準步驟)
於形成分離槽19後，如圖3的(d)所示，準備預先形成金屬配線12、絕緣層13、以及基板側電極201，且具有驅動電路11之基板10。絕緣層13為藉由氧化膜、樹脂膜、樹脂層構成之絕緣性的層。絕緣層13防止基板10與電極20直接接觸。於相對於基板10之基板側電極201的形成，使用周知之一般電極形成技術。基板側電極201之代表性的材料，例如為金(Au)。與準備基板10同時進行，如圖3的(d)所示，使成長基板18反轉。反轉後，以各基板側電極201與各發光元件側電極202對向之方式，將基板10與成長基板18進行位置對準。
(基板10之貼合步驟)
於位置對準結束後，如圖3的(e)所示，貼合基板10與成長基板18。此時，使用既有之貼合技術，以對應的基板側電極201及發光元件側電極202接合的方式，藉由加壓而從上下壓制基板10及成長基板18。除此之外，藉由於基板10的貼合步驟中對基板10進行加熱的處理，提升基板側電極201及發光元件側電極202之反應性，或藉由基板10之貼合前的電漿處理等，可使電極20之乾淨表面露出。藉由加熱基板10之處理及電漿處理，可更為強固地接合對應之基板側電極201及發光元件側電極202。如上述，對應之基板側電極201及發光元件側電極202被一體化，構成電極20。
(樹脂50之形成步驟)
於貼合步驟結束後，在於基板10與成長基板18之間產生的空隙內，填充液狀樹脂50a。填充後之狀態如圖3的(f)所示。此時，例如，以貼合後之狀態浸於以液狀樹脂50a填滿的容器內即可。液狀樹脂50的主材料並不特別限定，例如為環氧樹脂。再者，液狀樹脂50a的注入方法除上述之外，也可為以注射針，尤其可為配合基板10與藍色發光元件30之間產生的空隙之尺寸的微針(microneedle)注入液狀樹脂50a之方法。作為此情形時之注射針的材料，使用金屬製或塑膠製等。
填充步驟中，較佳於50℃~200℃之溫度範圍內的溫度下進行填充。藉此，易於將液狀樹脂50a正常地填充至空隙內。進而，溫度範圍較佳為80℃~170℃。藉此，可減少對樹脂50的特性(固化程序後之密接性、散熱性等)造成損害之虞。又，溫度範圍進一步較佳為100℃~150℃。藉此，可減少產生於上述空隙之氣泡，可不產生對流等而幾乎完全地進行填充，且易於製造光源裝置1。
尤其，考慮到將各個藍色發光元件30之大小設為例如縱寬及橫寬為20μm以下，更佳為數μm~10數μm，將藍色發光元件30的厚度設為10μm左右(2μm~15μm)之微小尺寸的情形。該情形時，於基板剝離及剝離後之步驟中，液狀樹脂50a作為用於提升固著力之補強構件而更有用地發揮功能。藉此，可減小樹脂50之製品間的特性之不均，因此易於製造光源裝置1。上述製品是指各個藍色發光元件30之大小於俯視時，縱寬及橫寬為20μm以下，更佳為數μm~10數μm之製品。
被填充於空隙內之液狀樹脂50a，如圖3的(f)所示，被完全埋入空隙內。藉此，於藍色發光元件30之側面、電極20之側面及階差面，以及基板10的上部，埋入液狀樹脂50a。於液狀樹脂50a填充結束後，使液狀樹 脂50a固化。再者，關於使液狀樹脂50a固化之方法不特別限定，例如也可藉由加熱液狀樹脂50a，或對液狀樹脂50a照射紫外線，使液狀樹脂50a固化。
(成長基板18之剝離步驟)
填充步驟結束後，如圖3的(g)所示，使成長基板18剝離。於該步驟使用既有之剝離技術。作為既有之剝離技術的一例，可利用使用了雷射光之照射的剝離技術。例如，將藍寶石基板等透明基板用於藍色發光元件30之成長基板，作為發光元件層將第III族氮化物半導體進行晶體成長之情形時，藉由自透明基板側以一定條件照射雷射光，可減輕對晶體成長層造成之損傷。再者，作為其他手段，也可為使用了濕式蝕刻法、輪磨或研磨法等的成長基板18之剝離。
由於樹脂50將電極20及藍色發光元件30密接固定於基板10，故可於剝離成長基板18時，防止藍色發光元件30及電極20被一起剝離。於剝離成長基板18後，藍色發光元件30的光出射面及樹脂50的上面露出。又，剝離成長基板18後，藍色發光元件30之光出射面與樹脂50之上面位於大致同一平面上。
由雷射光之照射造成的影響，僅波及藍色發光元件30中的成長基板18側之數nm~數十nm的部分，其影響相當小。
又，於剝離成長基板18後，使用CMP(chemical mechanical polishing，化學機械研磨)及/或濕式蝕刻，可使包含剝離後之藍色發光元件30的光出射面之面的平滑性提升。又，可於剝離後除去殘渣。藉由平滑性之提升、以及於剝離後除去殘渣，下一步驟即顏色轉換層40之形成變得更容易，可使自藍色發光元件30出射之光的光提取率提升。
使用由GaN材料及InGaN系材料構成之藍色發光元件30的情形時，藉由於本剝離步驟剝離成長基板18，形成由GaN系材料構成的光出射 面。再者，剝離成長基板18後的藍色發光元件30之光出射面一般而言由Ga與N構成。其中，藉由藍色發光元件30之製造條件及剝離條件，也可為藍色發光元件30之光出射面僅由Ga構成之情形、以及僅由N構成之情形。本實施形態中，包含光出射面僅由Ga構成之情形、以及光出射面僅由N構成之情形，將藍色發光元件30之光出射面設為由GaN系材料構成之面。
(顏色轉換層40之形成步驟)
剝離步驟結束後，可藉由以下之(22)~(24)中的一個步驟，形成顏色轉換層40。以下之(22)~(24)之步驟為形成顏色轉換層40之步驟的一例。
(22)將螢光體物質揉合於感光性固化樹脂(光阻劑)，將揉合而成者塗布於藍色發光元件30之光出射面及樹脂50的上面。藉由一般之光刻步驟，殘留摻入了必要之螢光體的抗蝕劑，藉此形成螢光體圖案。
(23)於不殘留螢光體圖案之位置，使用一般的光化作用(photoprocess)而形成剝離製程(lift-off)用之光阻劑圖案。於在該光阻劑圖案之上塗布摻入螢光體的樹脂後，藉由將光阻劑圖案進行剝離製程，形成摻入了螢光體之樹脂圖案(顏色轉換層40)。摻入了螢光體的樹脂之塗布可藉由噴霧進行。
(24)利用一般之印刷技術直接形成摻入了螢光體之油墨。此時，可將色素與螢光體一起摻入油墨。
(固定樹脂60之形成步驟)
製作具有與藍色發光元件30之光出射面相同面積的面之顏色轉換層40(板狀之顏色轉換層)，將該顏色轉換層40配置於藍色發光元件30之上。以樹脂(固定樹脂60成為固體前的液體狀態之樹脂)覆蓋顏色轉換層40之側面及上面、以及樹脂50之上面，藉此使顏色轉換層40固定於藍色發光元 件30及樹脂50。固定樹脂60的形成步驟結束後，結束光源裝置1之製造。此處所說明的固定樹脂60的形成步驟為一例。
藉由上述，於光源裝置1之製造中，由於使成長基板18(藍寶石基板)剝離，故與包含成長基板18之光源裝置相比，可製造薄了成長基板18的厚度(通常為100μm左右)的光源裝置1。藉此，光源裝置1中，顏色轉換層40與藍色發光元件30之光出射面直接接觸。也就是，所有相對於藍色發光元件30之顏色轉換層40的接觸面皆與藍色發光元件30之光出射面直接接觸。
顏色轉換層40與藍色發光元件30之間不存在成長基板18，且顏色轉換層40與藍色發光元件30之光出射面直接接觸，藉此，將顏色轉換層之發熱進行散熱的路徑變短，可使散熱性提升。由於可減低由成長基板18造成之光的散射，故可使光提取效率以及發光之均勻性提升。藉此，可自顏色轉換層40出射高輝度的光。又，由於除去成長基板18，故光源裝置1之整體的尺寸變小。
本發明之一態樣中，藍色發光元件30的基板側電極201，於同一面分別形成有陽極及陰極，於基板側電極201的基板10側之面存在陽極及陰極。又，於與藍色發光元件30的基板10側相反側之面，作為藍色發光元件30之構成元素之In、Ga及N之元素中，僅存在一個乃至複數個元素。
本發明之一態樣中，自藍色發光元件30出射的光，自與藍色發光元件30之基板10側相反側的面被提取，於藍色發光元件30的光出射面不存在電極。因此，自藍色發光元件30出射之光不於藍色發光元件30之光出射面反射，可提高光提取效率。
又，顏色轉換層40與藍色發光元件30之光出射面即不包含電極等金屬膜的面直接接觸。藉此，自藍色發光元件30出射的光之由電極等金屬膜造成之反射的影響極小，光有效率地朝顏色轉換層40進入。
藉由顏色轉換層40直接形成於藍色發光元件30上，可藉由藍色發光元件30與顏色轉換層40之間的邊界，縮小藍色發光元件30與顏色轉換層40之間的折射率之差。
於藍色發光元件30與顏色轉換層40之間存在由空氣或部分地由其他材料構成之區域，或是由其他材料構成之層的情形時，有發生藍色發光元件30之光的反射及散射的可能性。上述其他材料是與藍色發光元件30及顏色轉換層40不同的材料。然而，即使是上述情形，本發明之一態樣中，不發生光的反射及散射等，可提高光提取效率。
再者，即使為上述情形，藉由其他構成與藍色發光元件30或顏色轉換層40之間的邊界，形成具有適當的界面形狀或適當的折射率之界面，藉此光提取效率也可變高。上述其他構成為空氣或部分地由其他材料構成之區域，或是由其他材料構成之層。
另一方面，例如經由接著劑等而於藍色發光元件30上形成顏色轉換層40之情形時，顏色轉換層40與接著劑之層之間的邊界、以及於顏色轉換層40與接著劑之層之間的邊界具有不同折射率者相互接觸。藉此，有如下情形，即自藍色發光元件30出射之光於該等邊界被折射或反射，由此降低光朝顏色轉換層40進入的效率。
又，由在藍色發光元件30之一面及與該面對向之面之兩者具有電極的上下電極構造構成藍色發光元件30之情形時，於藍色發光元件30之光出射面存在電極，也就是金屬膜。藉此，自藍色發光元件30出射之光防礙光進入顏色轉換層40。
此處，記載有利用在藍色發光元件30上直接形成顏色轉換層40而得之效果。除該效果外，也有可藉由在藍色發光元件30上直接形成顏色轉換層40而提升散熱性，改善機械性特性之可能性。
上述製造方法終究僅是可製造光源裝置1之方法的一例。此處所說明之各步驟是用於使光源裝置1易於製造，且構成光源裝置1之製造方法的步驟並不限定於該等。
本發明之一態樣中，於藍色發光元件30與基板10之間形成樹脂50。樹脂50覆蓋基板側電極201中除了基板10側之面及發光元件側電極202側之面以外的部分。又，樹脂50覆蓋發光元件側電極202中除了藍色發光元件30側之面及基板側電極201側之面以外的部分。藉由樹脂50，藍色發光元件30與基板10的接著力變強，因此藍色發光元件30與基板10不易剝離，藍色發光元件30被穩定地保持於基板10上。
例如，於成長基板18之剝離步驟或顏色轉換層40之形成步驟中，考慮到藍色發光元件30受到外力之情形。此情形時，有如下情況，即基板側電極201與發光元件側電極202剝離，無法電性驅動藍色發光元件30，無法使藍色發光元件30發光。另一方面，樹脂50存在於藍色發光元件30與基板10之間，藉此，即使於藍色發光元件30受到外力的情形時，藍色發光元件30與基板10剝離的可能性變小，藍色發光元件30穩定地保持被接著於基板10之狀態。
顏色轉換層40可為單層，也可為組合吸收率或發光光譜彼此不同的複數層顏色轉換層者。於顏色轉換層40為單層之情形時，由於顏色轉換層40是以單層設計，故可簡化加工程序。
又，藉由將顏色轉換層40重疊複數層而形成，可更為高自由度地實現符合利用本發明之一態樣的各發光裝置的利用狀況之顏色轉換層40的 特性。例如，於屋外使用發光裝置之情形時，由於發光裝置之輝度變得更為重要，故視感度高的發光光譜變得重要。另一方面，於電影等影像鑑賞為主要目的之情形時，顏色的鮮明度變得重要，故較佳為組合了複數層吸收率或發光光譜彼此不同之顏色轉換層的發光裝置。此情形時，可實現能夠擴大顏色的再現範圍之發光光譜。進而，考慮到藉由將自藍色發光元件30出射之藍色的光完全地進行顏色轉換而期望更純粹之發光顏色的情形。該情形時，較佳作為由主要具有顏色轉換功能之層、以及具有吸收無法完全進行顏色轉換的藍色的光之功能的層等構成之複數層而形成光轉換層。如上述，可以相對於特定目的或複數目的而同時符合的方式，由複數層構成顏色轉換層40。
(變形例1)
接著，針對光源裝置1之變形例1即光源裝置2~2d，基於圖4及圖5進行說明。圖4為示出光源裝置1之變形例1即光源裝置2~2b的截面圖。圖5為示出光源裝置1之變形例1即光源裝置2c、2d的截面及俯視該光源裝置2c、2d的圖。
光源裝置2如圖4的(a)所示，與光源裝置1a相比，不同點為三層顏色轉換層40分別被變更為透光性樹脂c1、綠色轉換層40b、紅色轉換層40c。圖4的(a)所示之光源裝置2中，例如綠色轉換層40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作為綠色螢光體，紅色轉換層40c含有Ca2SiO4：Eu2+作為紅色螢光體。光源裝置2中，於使光源裝置2的藍色光發光之部分的藍色發光元件30的光出射面，配置透光性樹脂c1。又，綠色轉換層40b的螢光體濃度高於紅色轉換層40c的螢光體濃度。原因在於，斯托克斯位移(Stokes shift)越小，對於光之吸收越不利，因此顏色轉換層的顏色越接近藍色，該顏色轉換層之螢光體濃度越高為佳。如上述，本發明之一態樣的光源裝置中，複 數個藍色發光元件30中，可於至少一個藍色發光元件30上形成透光性樹脂c1。藉此，於並非必須在藍色發光元件30上配置顏色轉換層亦可的情形時，可防止灰塵等附著於藍色發光元件30。
透光性樹脂c1被配置於三個中的一個藍色發光元件30之光出射面，使來自配置於透光性樹脂c1的正下方之藍色發光元件30之光透射，將該光出射。透光性樹脂c1較佳例如為環氧樹脂、矽氧樹脂以及丙烯酸系樹脂等。又，藉由對透光性樹脂c1賦與感光性，可形成利用了光化作用之透光性樹脂c1。
光源裝置2a如圖4的(b)所示，與光源裝置1c相比，不同點為具備透光性樹脂c2、於三個中的一個藍色發光元件30之光出射面設有顏色轉換層、以及紫色發光元件30a被變更為藍色發光元件30。如圖4的(b)所示之光源裝置2a中，例如綠色轉換層40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作為綠色螢光體，紅色轉換層40c含有Ca2SiO4：Eu2+作為紅色螢光體。光源裝置2a中，三層顏色轉換層之正下方分別配置有藍色發光元件30，故藍色/綠色/紅色之三色的顏色轉換層中，不需藍色的顏色轉換層。
透光性樹脂c2使綠色轉換層40b及紅色轉換層40c固定於藍色發光元件30及樹脂50。透光性樹脂c2覆蓋綠色轉換層40b之側面及上面、以及紅色轉換層40c之側面及上面。又，透光性樹脂c2覆蓋樹脂50之上面。藉此，可藉由透光性樹脂c2保護藍色發光元件30之光出射面、綠色轉換層40b、紅色轉換層40c以及樹脂50的上面。透光性樹脂c2使來自綠色轉換層40b的光、紅色轉換層40c的光、以及來自配置於透光性樹脂c2的正下方之藍色發光元件30之光透射，將該等光出射。透光性樹脂c2較佳例如為環氧樹脂、矽氧樹脂以及丙烯酸系樹脂等。又，可使氧化鋁、二氧化矽及/或氧化鈦 之填料揉合於透光性樹脂c2、或變更透光性樹脂c2之表面形狀。藉此，可控制透光性樹脂c2之光定向特性，或使透光性樹脂c2之光提取效率提升。
光源裝置2b如圖4的(c)所示，與光源裝置1c相比，不同點為於三個中的一個藍色發光元件30的光出射面不設有顏色轉換層、以及紫色發光元件30a被變更為藍色發光元件30。如圖4的(c)所示之光源裝置2b中，例如綠色轉換層40b含有(Ba、Sr)2SiO4：Eu2+作為綠色螢光體，紅色轉換層40c含有Ca2SiO4：Eu2+作為紅色螢光體。光源裝置2b中，使用藍色發光元件30作為發光元件，故藍色/綠色/紅色之三色的顏色轉換層中，不需藍色的顏色轉換層。也就是，複數個藍色發光元件30中，至少一個藍色發光元件30的光出射面露出。藉此，於並非必須在藍色發光元件30上配置顏色轉換層亦可的情形時，可將自藍色發光元件30出射的光直接往外部出射。又，可簡化製造步驟。
光源裝置2c如圖5的(a)~(c)所示，於光源裝置2中，將透光性樹脂c1、綠色轉換層40b、及紅色轉換層40c的厚度進行了變更。厚度是指沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度。例如，透光性樹脂c1之厚度可大於綠色轉換層40b之厚度。又，綠色轉換層40b之厚度可大於紅色轉換層40c之厚度。如上述，顏色轉換層之厚度可依據顏色轉換層之種類而不同。藉此，可於每個像素使必要的顏色之光發光。
光源裝置2d如圖5的(d)所示，於光源裝置2中，將透光性樹脂c1、綠色轉換層40b、及紅色轉換層40c的寬度進行了變更。寬度是指沿著與自基板10朝向藍色發光元件30之方向正交的方向之寬度。例如，綠色轉換層40b之寬度可大於紅色轉換層40c之寬度。又，紅色轉換層40c之寬度可大於透光性樹脂c1之寬度。如上述，顏色轉換層之寬度可依據顏色轉換層之種類而不同。例如，考慮到使用了藍色發光元件30之情形。此情形時，成為 於負責藍色光之藍色發光元件30上塗布有透光性樹脂c1的情況，但為了自藍色發光元件30提取藍色光，不需要由顏色轉換層進行之顏色轉換。也就是，相當於顏色轉換層之透光性樹脂c1的寬度小之情形不會成為大問題。另一方面，於負責綠色光之藍色發光元件30上塗布有綠色轉換層40b，但對綠色轉換層40b，要求抑制由藍色光之缺乏造成的顏色再現範圍之降低。因此，綠色轉換層40b的寬度大者為有利。
如前述，顏色轉換層40之厚度可於形成在各藍色發光元件30上的每個顏色轉換層40而不同。一般而言，綠色螢光體的藍色光之吸收強度低於紅色螢光體的藍色光之吸收強度。因此，較佳包含綠色螢光體的顏色轉換層之厚度大於包含紅色螢光體的顏色轉換層之厚度。
又，於各藍色發光元件30存在輝度不均或發光波長不均的情形時，依據該不均，分別變更形成於各藍色發光元件30上的顏色轉換層40之厚度。藉此，可藉由於藍色發光元件30上形成顏色轉換層40後之狀態，實現出射輝度及發光波長無不均的光。
進而，使用光化作用形成顏色轉換層40之情形時，較佳以顏色轉換層40的厚度依每個顏色轉換層40的顏色不同的方式，設計發光裝置。
例如，考慮到形成綠色轉換層40b與紅色轉換層40c之情形，此情形時，於藍色發光元件30上藉由旋轉塗布或塗刷(squeegee)塗布包含紅色螢光體的光阻劑後，使用光罩等而僅對發出紅色光的藍色發光元件30上進行用於使光阻劑固化之光照射。藉此，形成紅色轉換層40c。
接著，藉由旋轉塗布或刷塗將包含綠色螢光體的光阻劑塗布於藍色發光元件30上。此時，設為包含綠色螢光體的光阻劑之厚度大於紅色轉換層40c的厚度。藉此，包含綠色螢光體的光阻劑之厚度與紅色轉換層40c相比厚度更高，且，可以成為均勻的方式塗布包含綠色螢光體的光阻劑。 另一方面，若設為於形成紅色轉換層40c後形成綠色轉換層40b，則由於必須設為包含綠色螢光體的光阻劑之厚度成為低於紅色轉換層40c的厚度之條件，故難以均勻地塗布。之後，使用光罩等而僅對發出綠色光的藍色發光元件30上進行用於使光阻劑固化之光照射。藉此，形成綠色轉換層40b。
(變形例2)
針對光源裝置1之變形例2即光源裝置3，基於圖6進行說明。圖6為示出光源裝置1之變形例2即光源裝置3的截面圖。光源裝置3如圖6所示，與光源裝置2c相比，不同點為藍色發光元件30之光出射面成為凹凸面a1。
凹凸面a1為凹凸之間距為一定間距的面，為殘留PSS(Patterned Sapphire Substrate：圖案化藍寶石基板)的部分。也就是，於藍色發光元件30之光出射面存在PSS(2μm左右之間距、1μm左右之深度的凹部)。可藉由表面研磨或蝕刻削去PSS，且也可使用無PSS之成長基板18來形成藍色發光元件30。又，於使用無PSS之成長基板18形成藍色發光元件30後，也可藉由濕式蝕刻及/或乾式蝕刻等於藍色發光元件30之光出射面側形成凹凸。如上述，於藍色發光元件30之光出射面形成有凹凸。藉此，可自藍色發光元件30有效率地出射光，可使光提取效率提升。又，藉由凹凸，增大藍色發光元件30與顏色轉換層(或透光性樹脂c1)之接著面積，故可使接著強度提升。凹凸較佳為自光出射面之最上部凹陷的形狀，更佳為凹陷是圓錐形狀。圓錐的頂點的角度較佳為30度至120度，更佳為50度至110度，進而較佳為70度至100度。又，藉由凹凸，藍色發光元件30與顏色轉換層(或透光性樹脂c1)之接著面積變大，因此可使藍色發光元件30與顏色轉換層(或透光性樹脂c1)之接著強度提升。
〔實施形態2〕
若針對本發明之其他實施形態，基於圖7進行說明，則如下所述。再者，為了便於說明，對於具有與已藉由上述實施形態進行說明之構件相同功能的構件，標註相同符號，並省略其說明。圖7為本發明之實施形態2之光源裝置4~4c的截面圖。
光源裝置4如圖7的(a)所示，與光源裝置1相比，不同點為具備藍色濾色層70a、綠色濾色層70b及紅色濾色層70c。又，光源裝置4與光源裝置1相比，不同點為顏色轉換層40被變更為黃色轉換層45(螢光體層)。黃色轉換層45含有黃色螢光體，例如Y3A15O12：Ce3+。又，黃色轉換層45也可以含有綠色螢光體與紅色螢光體等之方式，藉由使黃色轉換層45含有不同種類之複數個螢光體，將自藍色發光元件30出射的光轉換為黃色光。
藍色濾色層70a與黃色轉換層45的上面接觸，含有吸光材料，僅使自黃色轉換層45出射之光中的藍色光透射。具體而言，藍色濾色層70a配置於黃色轉換層45上，僅使配置於藍色濾色層70a之正下方的黃色轉換層45出射的光中特定之波長的光透射，出射藍色光。藍色濾色層70a的寬度與配置於藍色濾色層70a之正下方的黃色轉換層45的寬度相同。寬度是指沿著與自基板10朝向藍色發光元件30的方向正交之方向的寬度。
綠色濾色層70b與黃色轉換層45的上面接觸，含有吸光材料，僅使自黃色轉換層45出射之光中的綠色光透射。具體而言，綠色濾色層70b配置於黃色轉換層45上，僅使配置於綠色濾色層70b之正下方的黃色轉換層45出射的光中特定之波長的光透射，出射綠色光。綠色濾色層70b的寬度與配置於綠色濾色層70b之正下方的黃色轉換層45的寬度相同。
紅色濾色層70c與黃色轉換層45的上面接觸，含有吸光材料，僅使自黃色轉換層45出射之光中的紅色光透射。具體而言，紅色濾色層70c配置於黃色轉換層45上，僅使配置於紅色濾色層70c之正下方的黃色轉換層45 出射的光中特定之波長的光透射，出射紅色光。紅色濾色層70c的寬度與配置於紅色濾色層70c之正下方的黃色轉換層45的寬度相同。
藉由上述，光源裝置4中於黃色轉換層45上配置濾色層。由此，可藉由選擇濾色層的種類，使必要之顏色的光出射。
(濾色層之形成方法)
此處，針對濾色層之形成方法進行說明。藉由以下之(4)~(8)的處理，可形成濾色層。以下之(4)~(8)的處理為用於實現圖7的(a)所示之構成的處理之一例。
(4)將紅色濾色抗蝕劑塗布於黃色轉換層45之上面。
(5)使用光罩，僅對紅色濾色抗蝕劑之、位於藍色發光元件30上的部分照射紫外線，使紅色濾色抗蝕劑固化。
(6)除去紅色濾色抗蝕劑之未固化的部分。
(7)將綠色濾色抗蝕劑塗布於黃色轉換層45之上面。也對綠色濾色抗蝕劑實施對於紅色濾色抗蝕劑實施之(5)及(6)的處理。
(8)將藍色濾色抗蝕劑塗布於黃色轉換層45之上面。也對藍色濾色抗蝕劑實施對於紅色濾色抗蝕劑實施之(5)及(6)的處理。
光源裝置4a如圖7的(b)所示，與光源裝置4相比，藍色濾色層70a、綠色濾色層70b以及紅色濾色層70c各自的厚度不同。厚度是指沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度。例如，藍色濾色層70a的厚度可大於綠色濾色層70b的厚度。又，綠色濾色層70b的厚度可大於紅色濾色層70c的厚度。如上述，濾色層的厚度可依據濾色層的種類而不同。藉此，可於每個像素使必要的顏色之光發光。
再者，光源裝置4a即圖7的(b)所示的構成中，藉由前述之(7)的處理，進行與紅色濾色抗蝕劑相比，將綠色濾色抗蝕劑更厚地進行塗布 的處理。又，光源裝置4a即圖7的(b)所示的構成中，藉由前述之(8)的處理，進行與綠色濾色抗蝕劑相比，將藍色濾色抗蝕劑更厚地進行塗布的處理。光源裝置4a中，以從薄的濾色層開始依序形成的方式進行處理。該等處理為一例。
光源裝置4b如圖7的(c)所示，與光源裝置4相比，以下兩點不同。第一點為，藍色濾色層70a、綠色濾色層70b以及紅色濾色層70c各自被變更為藍色濾色層70d、綠色濾色層70e以及紅色濾色層70f。第二點為，三層黃色轉換層45分別被變更為透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c。再者，透光性樹脂c1的寬度可大於配置在透光性樹脂c1之正下方的藍色發光元件30的寬度，綠色轉換層40b的寬度可大於配置在綠色轉換層40b之正下方的藍色發光元件30的寬度。又，紅色轉換層40c的寬度可大於配置在紅色轉換層40c之正下方的藍色發光元件30的寬度。藉此，可減低自藍色發光元件30出射的光不通過顏色轉換層之情形。寬度是指沿著與自基板10朝向藍色發光元件30的方向正交之方向的寬度。
藍色濾色層70d與透光性樹脂c1的上面接觸，含有吸光材料，僅使自透光性樹脂c1出射之光中的藍色光透射。具體而言，藍色濾色層70d僅使配置於藍色濾色層70d內的透光性樹脂c1出射的光中特定之波長的光透射，出射藍色光。藍色濾色層70d的寬度與配置於藍色濾色層70d內的透光性樹脂c1的寬度相同。再者，藍色濾色層70d可覆蓋透光性樹脂c1。
綠色濾色層70e與綠色轉換層40b的上面接觸，含有吸光材料，僅使自綠色轉換層40b出射之光中的綠色光透射。具體而言，綠色濾色層70e僅使配置於綠色濾色層70e內的綠色轉換層40b出射的光中特定之波長的光透射，出射綠色光。綠色濾色層70e的寬度大於配置於綠色濾色層70e內的綠色轉換層40b的寬度。再者，綠色濾色層70e可覆蓋綠色轉換層40b。
紅色濾色層70f與紅色轉換層40c的上面接觸，含有吸光材料，僅使自紅色轉換層40c出射之光中的紅色光透射。具體而言，紅色濾色層70f僅使配置於紅色濾色層70f內的紅色轉換層40c出射的光中特定之波長的光透射，出射紅色光。紅色濾色層70f的寬度大於配置於紅色濾色層70f內的紅色轉換層40c的寬度。再者，紅色濾色層70f可覆蓋紅色轉換層40c。
如上述，濾色層的寬度可大於顏色轉換層。藉此，可減低自顏色轉換層出射的光不通過濾色層的情形。又，可使氧化鋁、二氧化矽及/或氧化鈦之填料揉合於濾色層、或變更濾色層之表面形狀，藉此可控制濾色層之光定向特性，或使光提取效率提升。
光源裝置4c如圖7的(d)所示，與光源裝置4相比，以下三點不同。第一點為，於透光性樹脂c1的上面未設有濾色層。第二點為，三層黃色轉換層45分別被變更為透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c。第三點為，透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c的厚度各自不同。
光源裝置4c中，作為發光元件，使用藍色發光元件30，於藍色發光元件30之光出射面配置有透光性樹脂c1。因此，藍色/綠色/紅色三色之濾色層中，不需藍色的濾色層。
實施形態2中，可使用紫色發光元件30a取代藍色發光元件30。於使用紫色發光元件30a之情形時，能夠以使顏色轉換層同時含有藍色螢光體及黃色螢光體兩者，或同時含有藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體三者等方式，組合更多的螢光體而構成顏色轉換層。
〔實施形態3〕
若針對本發明之其他實施形態，基於圖8進行說明，則如下所述。再者，為了便於說明，對於具有與已藉由上述實施形態進行說明之構件相同功能 的構件，標註相同符號，並省略其說明。圖8為示出本發明之實施形態3的光源裝置5~5c的截面及俯視該光源裝置5~5c的圖。
光源裝置5如圖8的(a)所示，與光源裝置4相比，不同點為黃色轉換層45被變更為黃色轉換層80(螢光體層)。一層黃色轉換層80被配置於藍色發光元件30之光出射面及樹脂50的上面。也就是，一層黃色轉換層80與三個藍色發光元件30之光出射面接觸。再者，三個藍色發光元件30之光出射面與樹脂50的上面位於大致同一平面上。
黃色轉換層80將自三個藍色發光元件30之光出射面出射的光之波長進行轉換。被用於黃色轉換層80的樹脂與用於黃色轉換層45的樹脂為相同材料。又，黃色轉換層80所含有的螢光體是以與黃色轉換層45所含有的螢光體相同的材料形成。於一層黃色轉換層80的上面配置有藍色濾色層70a、綠色濾色層70b及紅色濾色層70c。
藍色濾色層70a、綠色濾色層70b及紅色濾色層70c分別與三個藍色發光元件30一對一地對應。自藍色發光元件30的光出射面側觀看光源裝置5時，藍色濾色層70a的下面與所對應的藍色發光元件30的光出射面一致，綠色濾色層70b的下面與所對應的藍色發光元件30的光出射面一致。又，自藍色發光元件30的光出射面側觀看光源裝置5時，紅色濾色層70c的下面與所對應的藍色發光元件30的光出射面一致
藉由上述，光源裝置5中，使黃色轉換層80接觸複數個藍色發光元件30的各光出射面，故變得容易形成黃色轉換層80。又，可一次形成黃色轉換層80，故可獲得均勻的光。
光源裝置5a如圖8的(b)所示，為於光源裝置5中，將藍色濾色層70a、綠色濾色層70b及紅色濾色層70c的厚度及寬度進行變更者。厚度是指 沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度，寬度是指沿著與自基板10朝向藍色發光元件30之方向正交的方向之寬度。
例如，藍色濾色層70a之厚度可大於綠色轉換層70b之厚度。又，綠色轉換層70b之厚度可大於紅色轉換層70c之厚度。
進而，例如綠色轉換層70b之寬度可大於紅色轉換層70c之寬度。又，紅色轉換層70c之寬度可大於藍色濾色層70a之寬度。
如上述，濾色層的厚度及寬度可依據濾色層的種類而不同。藉此，可於每個像素使必要的顏色之光發光。再者，此處雖各濾色層的厚度及寬度不同，但也可為僅各濾色層的寬度不同。
光源裝置5b如圖8的(c)~(e)所示，為於光源裝置5中，將藍色濾色層70a、綠色濾色層70b及紅色濾色層70c的厚度進行變更者。厚度是指沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度。
例如，藍色濾色層70a之厚度可大於綠色轉換層70b之厚度。又，綠色轉換層70b之厚度可大於紅色轉換層70c之厚度。如上述，濾色層的厚度可依據濾色層的種類而不同。藉此，可於每個像素使必要的顏色之光發光。
光源裝置5c如圖8的(f)所示，與光源裝置5b相比，不同點為將黃色轉換層80變更為顏色轉換層80a。顏色轉換層80a與黃色轉換層80形狀相同。於顏色轉換層80a含有紅色螢光體及綠色螢光體。如上述，可使顏色轉換層含有複數種螢光體。藉此，可更細緻地控制自像素發出的光譜。
實施形態3中，可使用紫色發光元件30a取代藍色發光元件30。於使用紫色發光元件30a之情形時，能夠以使顏色轉換層同時含有藍色螢光體及黃色螢光體兩者，或同時含有藍色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體三者等方式，組合更多的螢光體而構成顏色轉換層。
〔實施形態4〕
若針對本發明之其他實施形態，基於圖9進行說明，則如下所述。再者，為了便於說明，對於具有與已藉由上述實施形態進行說明之構件相同功能的構件，標註相同符號，並省略其說明。圖9為本發明之實施形態4的光源裝置6的截面圖。
光源裝置6如圖9所示，與光源裝置2相比，不同點為具備吸光層90。吸光層90被配置於透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c各自之間。吸光層90由樹脂，例如白色樹脂構成。吸光層90的厚度較佳為顏色轉換層的厚度之約一半至約兩倍，吸光層90的吸光率較佳為50%以上。吸光層90的上面與透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c的上面位於大致同一平面上。也就是，吸光層90的厚度與透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c的厚度相同。厚度是指沿著自基板10朝向藍色發光元件30之方向的厚度。
又，光源裝置6可具備光反射層取代吸光層90。光反射層被配置於透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c各自之間。光反射層由樹脂，例如白色樹脂構成。光反射層的厚度較佳為顏色轉換層的厚度之約一半至約兩倍以下，光反射層的光反射率較佳為50%以上。光反射層的上面與透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c的上面位於大致同一平面上。也就是，光反射層的厚度與透光性樹脂c1、綠色轉換層40b及紅色轉換層40c的厚度相同。
藉由上述，自透光性樹脂c1朝向綠色轉換層40b之光的成分變少，自綠色轉換層40b朝向透光性樹脂c1及紅色轉換層40c之光的成分變少。又，自紅色轉換層40c朝向綠色轉換層40b之光的成分變少。藉此，可減低 自透光性樹脂c1出射的光、自綠色轉換層40b出射的光及自紅色轉換層40c出射的光混合之情形。
(吸光層90之形成方法)
此處，針對吸光層90的形成方法進行說明。藉由以下之(9)~(11)的處理，可形成吸光層90。以下之(9)~(11)的處理為用於形成吸光層90的處理之一例。再者，光反射層也可藉由與以下之(9)~(11)的處理相同之處理形成。
(9)於基板10經由電極20接合藍色發光元件30後，以覆蓋基板10之上面及藍色發光元件30的方式塗布填料。
(10)去除填料之位於藍色發光元件30上的部分。也就是，形成包圍填料之壁而形成的凹部。
(11)將顏色轉換層填充於該凹部。
〔關於發光元件及顏色轉換層〕
藍色發光元件、紫色發光元件、顏色轉換層、以及濾色層，它們的形狀不限於長方體，可為圓柱、多角柱、截錐、多角截錐、及半球之形狀。又，不同尺寸的藍色發光元件及紫色發光元件可含有於一個光源裝置之中。又，每個顏色轉換層的種類之數量的比，如圖2的(f)所示，藍色：綠色：紅色可不為1：1：1，例如藍色：綠色：紅色為1：2：1。
〔關於光源裝置〕
本發明之一態樣的光源裝置如前述，各發光元件可為於基板上配置成成m×n(m、n為自然數)之格子狀的陣列(構造體)。或者，各發光元件可以鋸齒狀格子(hound’s tooth)或其他圖案配置。光源裝置被使用於頭戴式顯示器或眼鏡型裝置之顯示器等發光裝置。於發光裝置可搭載一個陣列，也可搭載複數個陣列。適合發光裝置的顯示畫面之像素的、光源裝置 之各發光元件的導通/斷開被驅動電路11個別地控制，藉此可使對比度提升。
〔總結〕
本發明之態樣1的光源裝置(1)具備：驅動電路(11)；發光元件(藍色發光元件30)，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；以及顏色轉換層(顏色轉換層40)，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
根據上述構成，藉由顏色轉換層與發光元件的光出射面直接接觸，可使光提取效率、及發光之均勻性提升。又，顏色轉換層與發光元件的光出射面直接接觸，因此光源裝置1的整體之尺寸變小。進而，可抑制熱的影響及顏色不均。
本發明之態樣2的光源裝置(1)於上述態樣1中，該發光元件(藍色發光元件30)為至少兩個以上，複數個該發光元件的該光出射面位於大致同一平面上。
根據上述構成，複數個發光元件的光出射面位於大致同一平面上，因此可容易地將顏色轉換層塗布於發光元件的光出射面。
本發明之態樣3的光源裝置(1c)於上述態樣2中，該顏色轉換層(藍色轉換層40a、綠色轉換層40b、紅色轉換層40c)以轉換後的光之波長不同的方式，而可為至少兩種以上。
根據上述構成，顏色轉換層的種類以轉換後之光的波長不同之方式，而為兩種以上，因此可發出各種各樣的光。
本發明之態樣4的光源裝置(2)於上述態樣2中，可於該發光元件(藍色發光元件30)中，至少一個該發光元件上形成有透光性樹脂c1。
根據上述構成，於至少一個發光元件上形成有透光性樹脂c1。藉此，即使於並非必須在發光元件上配置顏色轉換層亦可的情形時，可防止灰塵等附著於發光元件。
本發明之態樣5的光源裝置(2b)於上述態樣2中，該發光元件(藍色發光元件30)中，至少一個該發光元件的該光出射面可露出。
根據上述構成，複數個發光元件中至少一個發光元件的光出射面露出。藉此，即使於並非必須在發光元件上配置顏色轉換層亦可的情形時，可將自發光元件出射的光直接出射至外部。
本發明之態樣6的光源裝置(2c)於上述態樣2中，該顏色轉換層(綠色轉換層40b、紅色轉換層40c)之沿著自該驅動電路(11)朝向該發光元件(藍色發光元件30)的方向之厚度，可依每個該顏色轉換層的種類而不同。
根據上述構成，顏色轉換層之、自驅動電路朝向發光元件的方向之厚度，依每個顏色轉換層的種類而不同。藉此，例如可於每個像素使必要的顏色之光發光。
本發明之態樣7的光源裝置(2d)於上述態樣2中，該顏色轉換層(綠色轉換層40b、紅色轉換層40c)之沿著與自該驅動電路(11)朝向該發光元件(藍色發光元件30)的方向正交的方向之寬度，可依每個該顏色轉換層的種類而不同。
本發明之態樣8的光源裝置(1c)於上述態樣2中，該顏色轉換層(藍色轉換層40a、綠色轉換層40b、紅色轉換層40c)所包含的顏色轉換材料的濃度，可依每個該顏色轉換層的種類而不同。
根據上述構成，顏色轉換層所含有的顏色轉換材料之濃度，依每個顏色轉換層的種類而不同。藉此，可對每個顏色設定適當的顏色轉換材料之濃度，出射最合適的光。
本發明之態樣9的光源裝置(3)於上述態樣1中，於該光出射面可形成有凹凸。
根據上述構成，於發光元件的光出射面形成有凹凸。藉此，可有效率地自發光元件出射光，可使光提取效率提升。
本發明之態樣10的光源裝置(1a)於上述態樣2中，進一步具備配置於彼此相鄰的該發光元件(藍色發光元件30)之間的光遮蔽層，該光遮蔽層之與該驅動電路(11)側相反側的可與該光出射面面位於大致同一平面上。
根據上述構成，於各發光元件的光對各發光元件上的顏色轉換層進行激發發光時，對位於該發光元件的旁邊之發光元件的上方之顏色轉換層進行激發發光之機率減少。藉此，可獲得鮮明的圖像。又，發光元件的保持強度提升，可延長光源裝置的壽命。進而，發光元件的光出射面及光遮蔽層之與基板側為相反側的面位於大致同一平面上，因此可容易地進行顏色轉換層之形成。
本發明之態樣11的光源裝置(4)具備：驅動電路(11)；發光元件(藍色發光元件30)，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；螢光體層(黃色轉換層45)，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及濾色層(藍色濾色層70a、綠色濾色層70b、紅色濾色層70c)，其配置於該螢光體層上，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
根據上述構成，濾色層被配置於螢光體層上。藉此，藉由選擇濾色層的種類，可使必要之顏色的光出射。
本發明之態樣12的光源裝置(5)於上述態樣11中，該發光元件(藍色發光元件30)可為至少兩個以上，該螢光體層(黃色轉換層80)可與該發光元件的各光出射面接觸。
根據上述構成，螢光層與複數個發光元件的各光出射面接觸。由於使顏色轉換層與複數個發光元件之各光出射面接觸，故顏色轉換層之形成變得容易。
本發明之態樣13的光源裝置(6)具備：驅動電路(11)；複數個發光元件(藍色發光元件30)，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；複數層顏色轉換層(綠色轉換層40b、紅色轉換層40c)，分別與該複數個發光元件一對一地對應，且與所對應的該發光元件的該光出射面接觸，將自所對應的該發光元件的該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及吸光層(90)或光反射層，其配置於該顏色轉換層之間，該光出射面由第III族氮化物半導體構成。
根據上述構成，自顏色轉換層朝向其旁邊的顏色轉換層之光的成分變少。藉此，可減低自顏色轉換層出射的光與自其旁邊的顏色轉換層出射的光混合之情形。
本發明之態樣14的發光裝置於上述態樣1、11、13之任一者中，具備該光源裝置。
本發明不限定於上述之各實施態，於申請專利範圍所示之範圍內可進行各種變更，關於組合分別揭示於不同實施形態的技術性手段而得之 實施形態，也包含於本發明之技術性範圍。進而，藉由組合分別揭示於各實施形態的技術性手段，可形成新的技術性特徵。
1:光源裝置
10:基板
11:驅動電路
20:電極
30:藍色發光元件
40、41、42:顏色轉換層

Claims (12)

  1. 一種光源裝置，其特徵在於，具備：驅動電路；發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；以及顏色轉換層，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換，該光出射面由第III族氮化物半導體構成；其中該發光元件為至少兩個以上，複數個該發光元件的該光出射面位於大致同一平面上；且進一步具備配置於該發光元件之間的光遮蔽層，該光遮蔽層之與該驅動電路側相反側的面與該光出射面位於大致同一平面上。
  2. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，該顏色轉換層以轉換後的光的波長不同的方式，而為至少兩種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，於該發光元件中，至少一個該發光元件上形成有透光性樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，該發光元件中，至少一個該發光元件的該光出射面露出。
  5. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，該顏色轉換層之沿著自該驅動電路朝向該發光元件的方向之厚度，依每個該顏色轉換層的種類而不同。
  6. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，該顏色轉換層之沿著與自該驅動電路朝向該發光元件的方向正交的方向之寬度，依每個該顏色轉換層的種類而不同。
  7. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，該顏色轉換層所包含的顏色轉換材料的濃度，依每個該顏色轉換層的種類而不同。
  8. 如申請專利範圍第1項的光源裝置，其中，於該光出射面形成有凹凸。
  9. 一種光源裝置，其特徵在於，具備：驅動電路；發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；螢光體層，其與該光出射面接觸，將自該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及濾色層，其配置於該螢光體層上，該光出射面由第III族氮化物半導體構成；其中該發光元件為至少兩個以上，複數個該發光元件的該光出射面位於大致同一平面上；且進一步具備配置於該發光元件之間的光遮蔽層，該光遮蔽層之與該驅動電路側相反側的面與該光出射面位於大致同一平面上。
  10. 如申請專利範圍第9項的光源裝置，其中，該螢光體層與該發光元件的各光出射面接觸。
  11. 一種光源裝置，其特徵在於，具備： 驅動電路；複數個發光元件，其具有位於與該驅動電路側相反側的光出射面，被配置於該驅動電路上，與該驅動電路電連接，由第III族氮化物半導體構成；複數層顏色轉換層，分別與該複數個發光元件一對一地對應，且與所對應的該發光元件的該光出射面接觸，將自所對應的該發光元件的該光出射面出射的光之波長進行轉換；以及吸光層或光反射層，其配置於該顏色轉換層之間，該光出射面由第III族氮化物半導體構成；其中該發光元件為至少兩個以上，複數個該發光元件的該光出射面位於大致同一平面上；且進一步具備配置於該發光元件之間的光遮蔽層，該光遮蔽層之與該驅動電路側相反側的面與該光出射面位於大致同一平面上。
  12. 一種發光裝置，其特徵在於，具備申請專利範圍第1、9、11項中任一項的光源裝置。
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