TWI689573B - 導電性接著劑組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導電性接著劑組成物,該導電性接著劑組成物含有:熱硬化性樹脂,其具有可與環氧基反應之官能基;環氧樹脂;導電性填料;及胺基甲酸酯樹脂粒子,其平均粒徑為4μm以上且13μm以下,同時根據JIS K 6253所測定之A型硬度計(Type A durometer)硬度為55以上且90以下。

Description

導電性接著劑組成物
發明領域 本發明是有關於一種使用在印刷電路板之導電性接著劑組成物。
背景技術 以往,為了在印刷電路板上黏貼補強板或電磁波屏蔽薄膜,會使用在接著性樹脂組成物中添加有導電性填料的導電性接著劑。在將補強板或電磁波屏蔽薄膜黏貼於印刷電路板時,會於印刷電路板之覆蓋層形成開口部,使由銅箔等所構成的電路露出,並於該開口部填充導電性接著劑,且使該電路與補強板或電磁波屏蔽薄膜電連接。
作為此種導電性接著劑,舉例言之,目前揭示有一種接著劑,其於熱硬化性樹脂中,摻合導電性填料及具有預定比表面積之二氧化矽粒子。又,記載著藉由摻合此種二氧化矽粒子,不會損害電磁波屏蔽薄膜全體之柔軟性而可抑制絕緣層之損傷(例如參照專利文獻1)。又,揭示有一種由接著劑組成物所構成的接著片,該接著劑組成物含有具預定酸價之聚胺基甲酸酯聚脲樹脂及環氧樹脂。又,記載著藉由使用此種接著片,可提升耐回焊性(例如參照專利文獻2)。
先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特開2015-53412號公報 專利文獻2:日本專利第4806944號公報
發明概要 發明欲解決之課題 在此,一般而言,若導電性接著劑暴露於回焊步驟(例如於270℃下10秒鐘)中,則導電性以及與印刷電路板之密接性會降低,因此,乃要求耐回焊性(可承受回焊步驟之高耐熱性及回焊步驟後的導電性,以及與印刷電路板之高密接性)。又,近年來,電子基板呈現小型化之傾向,因此,設置於覆蓋層的開口部之孔徑亦呈現縮小之傾向。
然而,於上述專利文獻1中記載的接著劑中,若添加二氧化矽粒子,則熱硬化性樹脂之比率降低,因此,會有與補強板或印刷電路板之接著性降低之問題。
又,於上述專利文獻2中記載的接著片中,在將接著劑組成物填充於覆蓋層之開口部後,若暴露於回焊步驟中,則連接電阻值增大,因此,會有耐回焊性不足之問題。
故,本發明是有鑑於上述問題而完成,目的在提供一種導電性接著劑組成物,該導電性接著劑組成物即使於回焊後,亦可確保優異之導電性,以及與印刷電路板之密接性。
用以解決課題之手段 為了達成上述目的,本發明之導電性接著劑組成物乃含有:熱硬化性樹脂,其具有可與環氧基反應之官能基;環氧樹脂;及導電性填料;又,更含有胺基甲酸酯樹脂粒子,該胺基甲酸酯樹脂粒子之平均粒徑為4μm以上且13μm以下,同時根據JIS K 6253所測定A型硬度計(Type A durometer)硬度為55以上且90以下。
發明效果 若藉由本發明,則可提供一種導電性接著劑組成物,該導電性接著劑組成物即使於回焊後,仍具有優異之導電性,以及與印刷電路板之密接性。
用以實施發明之形態 以下,具體地說明本發明之導電性接著劑組成物。另,本發明並不限於以下實施形態,在未變更本發明要旨之範圍內,可適當地進行變更而應用。
本發明之導電性接著劑組成物是含有熱硬化性樹脂、導電性填料(H)及胺基甲酸酯樹脂粒子(I)的導電性接著劑組成物。
熱硬化性樹脂並無特殊之限制,可使用聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚系樹脂、環氧系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯脲系樹脂、三聚氰胺系樹脂及醇酸系樹脂等。該等可單獨使用,亦可併用2種以上。其中,若由獲得優異耐回焊性之觀點來看,則熱硬化性樹脂宜為具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂。此種熱硬化性樹脂可列舉如:環氧基改質聚酯樹脂、環氧基改質聚醯胺樹脂、環氧基改質丙烯酸樹脂、環氧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂、羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質丙烯酸樹脂、羧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂等。於該等之中,較為理想的是羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂、羧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂。 當熱硬化性樹脂為羧基改質熱硬化性樹脂時,其酸價宜為2~100mgKOH/g,更為理想的是2~50mgKOH/g,最為理想的是3~30mgKOH/g。若酸價為2mgKOH/g以上,則可與後述環氧樹脂充分地硬化,因此,導電性接著劑組成物之耐熱性良好。又,若酸價為100mgKOH/g以下,則可與後述環氧樹脂充分地硬化,因此,導電性接著劑組成物之剝離強度良好。 (羧基改質聚酯樹脂) 羧基改質聚酯樹脂例如可使含羥基聚酯樹脂與分子內具有3個以上之羧基的多元酸或其酐反應而製得。 又,含羥基聚酯樹脂可使二元醇與二元酸或二元酸酐抑或二元酸之二烷基酯反應而製得。 二元醇例如可列舉:碳原子數2~12之直鏈狀或分支狀之脂肪族化合物之二元醇,具體而言為乙二醇、二乙二醇、丙二醇、新戊二醇、1,2-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2-正丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、2-乙基-1,3-己二醇、2-二乙基-1,3-丙二醇、1,9-壬二醇、2-甲基-1,8-辛二醇、1,4-環己烷二甲醇或3-甲基-1,5-戊二醇;抑或碳原子數6~15之芳香族化合物之二元醇,具體而言為雙酚A或雙酚F中加成環氧乙烷或環氧丙烷者、己二醇、氫化雙酚A等脂肪族二元醇等。 與前述二元醇反應的二元酸或二元酸酐例如可列舉:芳香族二羧酸、脂環族二羧酸、脂肪族二羧酸或該等之酐。 芳香族二羧酸或其酐例如可列舉:對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、間苯二甲酸5-磺酸鈉或酞酸(酐)等。另,於本說明書中,舉例言之,「酞酸(酐)」集體意味著酞酸與酞酸酐。 脂環族二羧酸或其酐例如可列舉:四氫酞酸(酐)、六氫酞酸(酐)、1,4-環己烷二羧酸等。脂肪族二羧酸或其酐例如可列舉:琥珀酸(酐)、延胡索酸、馬來酸(酐)、己二酸、泌脂酸、壬二酸、腐植酸(himic acid)等。 與前述二元醇反應的二元酸之二烷基酯例如可列舉:前述二元酸與碳原子數1~18之直鏈狀或分支狀之烷基醇之酯化物。碳原子數1~18之直鏈狀或分支狀之烷基醇可列舉如:甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、二級丁醇、三級丁醇、正戊醇、乙醯基異丙醇、新己醇、異己醇、正己醇、庚醇、辛醇、癸醇、十二醇或十八醇。 作為二元酸之二烷基酯理想的化合物為二甲基酞酸酯、二甲基間苯二甲酸酯。 含羧基聚酯樹脂可使具有羥基之聚酯樹脂與分子內具有3個以上(理想的是3個或4個)之羧基的多元酸或其酐反應而製得。 分子內具有3個以上之羧基的多元酸或其酐例如可列舉:偏苯三酸(酐)、焦蜜石酸(酐)或乙二醇雙偏苯三酸酯二酐等。 (羧基改質聚醯胺樹脂) 羧基改質聚醯胺樹脂例如可藉由縮合反應,自二羧酸、三羧酸、四羧酸二酐等多元羧酸成分與有機二異氰酸酯或是二胺來合成。 上述多元羧酸可列舉如:琥珀酸、戊二酸、己二酸、壬二酸、泌脂酸、癸二酸、十二烷二酸、二聚物酸等脂肪族二羧酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、酞酸、萘二甲酸、二苯碸二羧酸、氧基二安息香酸等芳香族二羧酸、偏苯三酸、焦蜜石酸、二苯碸四羧酸二酐、二苯基酮四羧酸二酐等芳香族羧酸酐等。另,該等可單獨或組合2種以上使用。 上述有機二異氰酸酯可列舉如:4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、3,3’-二甲基-4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、對伸苯基二異氰酸酯、間二甲苯二異氰酸酯、間四甲基二甲苯二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、2,2,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、反式環己烷-1,4-二異氰酸酯、氫化間二甲苯二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等脂肪族異氰酸酯等。該等可單獨或組合2種以上使用。 另,亦可使用二胺以取代上述有機二異氰酸酯。二胺可列舉如:苯二胺、二胺基二苯丙烷、二胺基二苯甲烷、聯苯胺、4,4’-二胺基二苯碸、4,4’-二胺基二苯基硫醚、二胺基二苯基醚等。 (羧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂) 羧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂宜為使胺基甲酸酯預聚合物(D)與聚胺基化合物(E)反應而製得的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(F),且前述胺基甲酸酯預聚合物(D)乃使多元醇化合物(A)、二異氰酸酯化合物(B)及具有羧基之二元醇化合物(C)反應而製得。
<多元醇化合物(A)> 於本發明中的多元醇化合物並無特殊之限制,可使用胺基甲酸酯合成中使用的公知多元醇。此種多元醇例如可列舉:聚酯多元醇、聚醚多元醇、聚碳酸酯多元醇及其他多元醇等。
聚酯多元醇可例示:將脂肪族系二羧酸(例如琥珀酸、己二酸、泌脂酸、戊二酸、壬二酸等)及/或芳香族系二羧酸(例如間苯二甲酸、對苯二甲酸等)與低分子量二醇(例如乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-六亞甲二醇、新戊二醇、1,4-雙羥甲基環己烷等)進行縮聚合者。
此種聚酯多元醇之具體例可列舉如:聚己二酸伸乙基酯二元醇、聚己二酸伸丁基酯二元醇、聚己二酸六亞甲基酯二元醇、聚己二酸新戊基酯二元醇、聚己二酸伸乙基/伸丁基酯二元醇、聚己二酸新戊基/己基酯二元醇、聚己二酸-3-甲基戊烷酯二元醇、聚間苯二甲酸伸丁基酯二元醇、聚己內酯二元醇、聚-3-甲基戊內酯二元醇等。
聚醚多元醇之具體例可列舉如:聚乙二醇、聚丙二醇、聚伸丁二醇及該等之隨機/嵌段共聚物等。聚碳酸酯多元醇之具體例可列舉如:聚伸丁基碳酸酯二元醇、聚伸戊基碳酸酯二元醇、聚新戊基碳酸酯二元醇、聚六亞甲基碳酸酯二元醇、聚(1,4-環己烷二亞甲基碳酸酯)二元醇及該等之隨機/嵌段共聚物等。
其他多元醇之具體例可列舉如:二聚醇、聚丁二烯多元醇及其氫化物、聚異戊二烯多元醇及其氫化物、丙烯酸多元醇、環氧多元醇、聚醚酯多元醇、矽氧烷改質多元醇、α,ω-聚甲基丙烯酸甲酯二元醇、α,ω-聚甲基丙烯酸丁酯二元醇等。
多元醇化合物(A)之數量平均分子量(Mn,藉由末端官能基定量)並無特殊之限制,惟理想的是500~3,000。若多元醇化合物(A)之數量平均分子量(Mn)小於500,則難以顯現胺基甲酸酯鍵之凝結力,機械特性呈現降低之傾向。又,數量平均分子量大於3,000的結晶性多元醇會有皮膜化時引起白化現象之情形。另,多元醇化合物(A)可單獨或組合2種以上使用。
另,用以製得胺基甲酸酯預聚合物(D)之反應成分亦宜視需要使用短鏈二元醇成分及/或二胺成分。藉此,聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(F)的硬度、黏度等控制會變得容易。短鏈二元醇成分之具體例可列舉如:乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-六亞甲二醇、新戊二醇等脂肪族二醇及其環氧烷低莫耳加成物(藉由末端官能基定量的數量平均分子量小於500);1,4-雙羥甲基環己烷、2-甲基-1,1-環己烷二甲醇等脂環族二醇及其環氧烷低莫耳加成物(數量平均分子量小於500,同上);茬二醇等芳香族二醇及其環氧烷低莫耳加成物(數量平均分子量小於500,同上);雙酚A、硫代雙酚、磺代雙酚等雙酚及其環氧烷低莫耳加成物(數量平均分子量小於500,同上);C1~C18之烷基二乙醇胺等烷基二烷醇胺等。
作為二胺化合物之具體例,短鏈者可列舉如:亞甲二胺、伸乙二胺、伸丙二胺、六亞甲二胺、伸辛二胺等脂肪族二胺化合物;伸苯二胺、3,3’-二氯-4,4’-二胺基二苯甲烷、4,4’-亞甲雙(苯胺)、4,4’-二胺基二苯基醚、4,4’-二胺基二苯碸等芳香族二胺化合物;環戊二胺、環己二胺、4,4’-二胺基二環己基甲烷、1,4-二胺基環己烷、異佛酮二胺等脂環族二胺化合物等。再者,可使用肼、碳二醯肼、己二酸二醯肼、泌脂酸二醯肼、酞酸二醯肼等肼類作為二胺化合物。又,長鏈者可列舉如:長鏈伸烷二胺、聚氧伸烷二胺、末端胺聚醯胺、矽氧烷改質聚胺類等。該等二胺化合物可單獨或組合二種以上使用。
<二異氰酸酯化合物(B)> 於本發明中的二異氰酸酯化合物(B)並無特殊之限制,可使用聚胺基甲酸酯之製造中使用的以往公知之二異氰酸酯化合物。二異氰酸酯化合物(B)之具體例可列舉如:甲苯-2,4-二異氰酸酯、4-甲氧基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-異丙基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-氯-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-丁氧基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、2,4-二異氰酸酯二苯基醚、4,4’-亞甲雙(伸苯基異氰酸酯)(MDI)、伸荰基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯(XDI)、1,5-萘二異氰酸酯、聯苯胺二異氰酸酯、鄰硝基聯苯胺二異氰酸酯、4,4’-二異氰酸二苄酯等芳香族二異氰酸酯;亞甲基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,10-伸癸基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯;1,4-環伸己基二異氰酸酯、亞甲雙(4-環己基異氰酸酯)、1,5-四氫萘二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、氫化MDI、氫化XDI等脂環族二異氰酸酯;使該等二異氰酸酯與低分子量之多元醇或多胺反應,以使末端構成異氰酸酯而製得的聚胺基甲酸酯預聚合物等。
<具有羧基之二元醇化合物(C)> 於本發明中具有羧基之二元醇化合物(C)並無特殊之限制,例如可列舉:二羥甲基丙酸、二羥甲基丁酸等二羥甲基烷酸;二羥甲基烷酸之環氧烷低莫耳加成物(藉由末端官能基定量的數量平均分子量小於500);二羥甲基烷酸之ε-己內酯低莫耳加成物(藉由末端官能基定量的數量平均分子量小於500);衍生自二羥甲基烷酸之酸酐與甘油的半酯類;使二羥甲基烷酸之羥基、具有不飽和鍵之單體與具有羧基及不飽和鍵之單體進行自由基反應而製得的化合物等。其中,若由取得容易度、酸價調整容易度等觀點來看,則二羥甲基丙酸及二羥甲基丁酸等二羥甲基烷酸是較為合適的。
<胺基甲酸酯預聚合物(D)> 本發明之胺基甲酸酯預聚合物(D)乃使上述多元醇化合物(A)、二異氰酸酯化合物(B)及具有羧基之二元醇化合物(C)反應而製得。
反應時,二異氰酸酯化合物(B)相對於多元醇化合物(A)與具有羧基之二元醇化合物(C)之羥基之當量比,宜為1.1~2.5。藉由作成上述範圍內,在製得耐熱性、機械強度高之導電性接著劑組成物方面是較為理想的。反應溫度並無特殊之限制,可列舉於60~100℃下進行的態樣。
<反應停止劑> 使多元醇化合物(A)、二異氰酸酯化合物(B)及具有羧基之二元醇化合物(C)反應而製得胺基甲酸酯預聚合物(D)時,以調整胺基甲酸酯預聚合物之分子量為目的,視需要可使用反應停止劑。反應停止劑可使用單醇化合物、單胺化合物或烷醇胺化合物等。單醇例如可使用甲醇、乙醇、丁醇、異丙醇等。又,單胺化合物可使用丁胺、二丁胺等。又,烷醇胺可使用單乙醇胺、二乙醇胺等。
<聚胺基化合物(E)> 於本發明中的聚胺基化合物(E)並無特殊之限制,可使用聚脲樹脂之製造中使用的以往公知之聚胺基化合物。聚胺基化合物(E)之具體例可列舉如:伸乙二胺、1,6-六亞甲二胺、哌
Figure 106117020-A0304-12-0020-4
、2,5-二甲基哌
Figure 106117020-A0304-12-0020-4
、異佛酮二胺、4,4’-二環己基甲烷二胺、3,3’-二甲基-4,4’-二環己基甲烷二胺、1,2-環己烷二胺、1,4-環己烷二胺、1,2-丙烷二胺等二胺類;胺基乙基乙醇胺、胺基丙基乙醇胺、胺基己基乙醇胺、胺基乙基丙醇胺、胺基丙基丙醇胺、胺基己基丙醇胺等胺基烷基烷醇胺類等化合物。
<聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(F)> 於本發明中的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂(F)之重量平均分子量通常為50000~100000。
<環氧樹脂> 於本發明中的環氧樹脂並無特殊之限制,可使用一分子具有2個以上之環氧基的公知環氧樹脂。此種環氧樹脂例如可使用:雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂、螺環型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萜烯型環氧樹脂、參(環氧丙基氧基苯基)甲烷、肆(環氧丙基氧基苯基)乙烷等環氧丙基醚型環氧樹脂、四環氧丙基二胺基二苯甲烷等環氧丙基胺型環氧樹脂、四溴雙酚A型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、α-萘酚酚醛型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛型環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂、橡膠改質環氧樹脂等。該等可單獨使用,亦可混合2種以上。
環氧樹脂之環氧當量宜為800~100000。藉此,在進一步地提升與補強板之密接力方面是較為理想的。
當併用2種以上之環氧樹脂時,宜併用環氧當量為800~10000的環氧樹脂,以及環氧當量為90~300的環氧樹脂來使用。此時,環氧當量為800~10000的環氧樹脂以及環氧當量為90~300的環氧樹脂可為相同種類的環氧樹脂,亦可為化學構造不同的環氧樹脂。
環氧當量為800~10000的環氧樹脂在進一步地提升與補強板之密接力方面是較為理想的。上述環氧當量之下限更宜為1000,最為理想的是1500。上述環氧當量之上限更宜為5000,最為理想的是3000。又,上述環氧當量為800~10000的環氧樹脂宜使用常溫下呈固體的環氧樹脂。所謂常溫下呈固體乃意味著於25℃下在無溶劑狀態下不具流動性之固體狀態。
可作為環氧當量為800~10000的環氧樹脂使用的市售環氧樹脂可列舉如:EPICLON4050、7050、HM-091、HM-101(商品名,DIC股份有限公司製)、jER1003F、1004、1004AF、1004FS、1005F、1006FS、1007、1007FS、1009、1009F、1010、1055、1256、4250、4275、4004P、4005P、4007P、4010P(商品名,三菱化學股份有限公司製)等。
環氧當量為90~300的環氧樹脂在可獲得提升樹脂之耐熱性之效果方面是較為理想的。上述環氧當量之下限更宜為150,最為理想的是170。上述環氧當量之上限更宜為250,最為理想的是230。又,上述環氧當量為90~300的環氧樹脂宜使用常溫下呈固體的環氧樹脂。
上述環氧當量為90~300的環氧樹脂更宜為酚醛型環氧樹脂。酚醛型環氧樹脂雖然環氧樹脂密度高,但由於與其他環氧樹脂之混合性亦良好,且環氧基間之反應性之差亦小,因此,可將塗膜全體均一地作成高交聯密度。
上述酚醛型環氧樹脂並無特殊之限制,可列舉如:甲酚酚醛型環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、α-萘酚酚醛型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛型環氧樹脂等。
可作為如上述環氧當量為90~300的環氧樹脂使用的市售環氧樹脂可列舉如:EPICLON N-660、N-665、N-670、N-673、N-680、N-695、N-655-EXP-S,N-662-EXP-S、N-665-EXP、N-665-EXP-S、N-672-EXP、N-670-EXP-S、N-685-EXP、N-673-80M、N-680-75M、N-690-75M、N-740、N-770、N-775、N-740-80M、N-770-70M、N-865、N-865-80M(商品名,DIC股份有限公司製)、jER152、154、157S70(商品名,三菱化學股份有限公司製)、YDPN-638、YDCN-700、YDCN-700-2、YDCN-700-3、YDCN-700-5、YDCN-700-7、YDCN-700-10、YDCN-704、YDCN-700-A(商品名,新日鐵化學股份有限公司製)等。
又,當上述環氧當量為90~300的環氧樹脂乃使用酚醛型環氧樹脂時,上述環氧當量為800~10000的環氧樹脂宜使用常溫下呈固體的酚醛型環氧樹脂以外的環氧樹脂。若將上述接著層作成僅由酚醛型環氧樹脂所構成,則在密接性不足方面會有問題,因此,環氧當量為800~10000的環氧樹脂宜使用此種酚醛型環氧樹脂以外的環氧樹脂。
於本發明中,具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂與環氧樹脂之比率,相對於具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂100質量份,環氧樹脂宜為50~500質量份,更為理想的是50~300質量份,若著眼於正式接著後的密接性,則更為理想的是50~200質量份。藉由將比率作成上述範圍內,可適當地調整與具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂之交聯程度,導電性接著劑組成物或電磁波屏蔽薄膜之可撓性、與印刷電路板之密接性會變得良好之故。特別是若相對於具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂100質量份,環氧樹脂為50質量份以上,則可提升耐回焊性、正式接著後的密接性、與樹脂板之密接性,另一方面,若為500質量份以下,則可提升於鍍金層等金屬材料之密接性。
<導電性填料> 本發明之導電性接著薄膜乃含有導電性填料(H)。上述導電性填料(H)並無特殊之限制,例如可使用金屬填料、被覆金屬之樹脂填料、碳填料及該等之混合物。上述金屬填料包括:銅粉、銀粉、鎳粉、塗銀銅粉、塗金銅粉、塗銀鎳粉、塗金鎳粉,該等金屬粉可藉由電解法、霧化法、還原法來作成。
又,特別是為了可輕易地獲得填料彼此之接觸,導電性填料之平均粒徑宜作成3~50μm。又,導電性填料之形狀可列舉如:球狀、片狀、樹枝狀、纖維狀等。
若由連接電阻、成本之觀點來看,則上述導電性填料(H)宜為選自於由銀粉、塗銀銅粉、銅粉所構成群組中之至少一者。
相對於導電性接著劑組成物之總量,上述導電性填料(H)宜含有40~90質量%之比例。
又,於導電性接著薄膜中,在不會使耐焊料回焊性劣化之範圍內,亦可添加矽烷耦合劑、抗氧化劑、顏料、染料、賦黏樹脂、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑等。
<胺基甲酸酯樹脂粒子> 本發明之導電性接著劑組成物中所含胺基甲酸酯樹脂粒子(I)是使用具有4μm以上且13μm以下之平均粒徑的胺基甲酸酯樹脂粒子,較為理想的是5μm以上且7μm以下。
又,在此所謂「平均粒徑」是指50%粒徑(D50),可藉由應用雷射都卜勒法的粒度分布測定裝置(日機裝(股)製,Nanotrac(註冊商標)粒度分布測定裝置UPA-EX150)等進行測定。
又,本發明之胺基甲酸酯樹脂粒子(I)是使用根據JIS K 6253且藉由A型硬度計所測定的硬度(A型硬度計硬度)為55以上且90以下之範圍的胺基甲酸酯樹脂粒子。這是因為當硬度小於55時,會有耐回焊性不足之情形,又,當硬度大於90時,會有密接強度不足之情形之故。
依據上述,於本發明之導電性接著劑組成物中,係將胺基甲酸酯樹脂粒子(I)之平均粒徑設定為4μm以上且13μm以下,同時將胺基甲酸酯樹脂粒子(I)之硬度設定為55以上且90以下,因此,可製得一種導電性接著劑組成物,該導電性接著劑組成物即使於回焊後,亦具有優異之導電性,以及與印刷電路板之密接性優異。
又,相對於導電性接著劑組成物之總量,胺基甲酸酯樹脂粒子(I)的摻合量宜為3~30質量%。這是因為當摻合量小於3質量%,以及摻合量大於10質量%時,會有連接電阻值變得不安定之情形之故。
<硬化劑> 本發明之導電性接著薄膜視需要可含有硬化劑。上述硬化劑並無特殊之限制,例如可使用異氰酸酯化合物、嵌段異氰酸酯化合物、碳二亞胺化合物、
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唑啉化合物、三聚氰胺、金屬錯合物系交聯劑等以往公知之硬化劑。
上述異氰酸酯化合物例如可列舉:甲苯-2,4-二異氰酸酯、4-甲氧基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-異丙基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-氯-1,3-伸苯基二異氰酸酯、4-丁氧基-1,3-伸苯基二異氰酸酯、2,4-二異氰酸酯二苯基醚、4,4’-亞甲雙(伸苯基異氰酸酯)(MDI)、伸荰基二異氰酸酯、聯甲苯胺二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯(XDI)、1,5-萘二異氰酸酯、聯苯胺二異氰酸酯、鄰硝基聯苯胺二異氰酸酯、4,4’-二異氰酸二苄酯等芳香族二異氰酸酯;亞甲基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯、1,10-伸癸基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯;1,4-環伸己基二異氰酸酯、4,4-亞甲雙(環己基異氰酸酯)、1,5-四氫萘二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、氫化MDI、氫化XDI等脂環族二異氰酸酯;使該等二異氰酸酯與低分子量之多元醇或多胺反應,以使末端構成異氰酸酯而製得的聚胺基甲酸酯預聚合物等;再者,可使用作成該等異氰酸酯化合物之三聚異氰酸酯體、縮二脲體、加成體、聚合體的具有多官能異氰酸酯基者,且為迄今所使用公知者,並無特殊之限制。
上述嵌段異氰酸酯化合物可使用藉由公知方法將上述異氰酸酯化合物進行嵌段的化合物。進行嵌段的化合物並無特殊之限制,可列舉如:苯酚、甲酚、茬酚、氯酚及乙苯酚等酚系;ε-己內醯胺、δ-戊內醯胺、γ-丁內醯胺及β-丙內醯胺等內醯胺系;乙醯乙酸乙酯及乙醯丙酮等活性亞甲基系;甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、三級丁醇、戊醇、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、乙二醇單2-乙基己基醚、丙二醇單甲基醚、乙醇酸甲酯、乙醇酸丁酯、二丙酮醇、乳酸甲酯及乳酸乙酯、糠醇等醇系;甲醛肟、乙醛肟、丙酮肟、甲基乙基酮肟、二乙醯單肟、純環己酮肟等肟系;丁硫醇、己硫醇、三級丁硫醇、硫酚、甲硫酚、乙硫酚等硫醇系;乙醯胺、苯甲醯胺等醯胺系;琥珀醯亞胺及馬來醯亞胺等醯亞胺系;咪唑、2-乙基咪唑等咪唑系;二甲胺、二乙胺、二丁胺等二級胺系;吡唑、3-甲基吡唑、3,5-二甲基吡唑等吡唑系等。
上述碳二亞胺化合物並無特殊之限制,例如可列舉:藉由上述異氰酸酯化合物之脫羧縮合反應所製得者等。
上述
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉化合物並無特殊之限制,例如可列舉:2,2’-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-亞甲基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-伸乙基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-伸丙基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-伸丁基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-六亞甲基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-伸辛基-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-伸乙基-雙-(4,4-二甲基-2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-(1,3-伸苯基)-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-(1,3-伸苯基)-雙-(4,4-二甲基-2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、2,2’-(1,4-伸苯基)-雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)、雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉基環己烷)硫化物、雙-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉基降莰烷)硫化物等二
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉化合物;2,2’-(1,2,4-伸苯基)-參-(2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉)等三
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉化合物;苯乙烯.2-異丙烯基-2-
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉共聚物等含有
Figure 106117020-A0304-12-xxxx-1
唑啉基之聚合物等。
該等硬化劑若為適量,則對於提升耐熱性等是有效的。不過,若硬化劑之使用量過多,則會有引起柔軟性或密接性之降低等情形。故,相對於具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂之樹脂成分100質量份,硬化劑之使用量宜作成0.1~200質量份以下,更為理想的是作成0.2~100質量份。
為了促進前述硬化劑之硬化,本發明之導電性接著薄膜亦可併用咪唑系硬化促進劑。上述硬化促進劑並無特殊之限制,例如可列舉:像是2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-十七基咪唑、2,4-二胺基-6-(2’-十一基咪唑基)乙基-S-三
Figure 106117020-A0304-12-0020-4
、1-氰乙基-2-苯基咪唑、2-苯基咪唑、5-氰基-2-苯基咪唑、2,4-二胺基-6-[2’甲基咪唑基-(1’)]-乙基-S-三
Figure 106117020-A0304-12-0020-4
異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、1-氰乙基-2-苯基-4,5-二(2-氰基乙氧基)甲基咪唑等般,於咪唑環加成烷基、乙基氰基、羥基、吖
Figure 106117020-A0304-12-0020-4
等的化合物等。該等硬化促進劑若為適量,則對於提升耐熱性等是有效的。不過,若硬化促進劑之使用量過多,則會有引起柔軟性或密接性之降低等情形。故,相對於具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂之樹脂成分100質量份,硬化促進劑之使用量宜為0.01~1.0質量份。
<導電性接著薄膜> 如圖1所示,本發明之導電性接著薄膜1乃具備:剝離性基材2(脫模薄膜);及導電性接著劑層4,其藉由將上述導電性接著劑組成物塗佈於剝離性基材2之表面上而形成。另,塗佈方法並無特殊之限制,可使用以壓鑄模塗佈、唇口塗佈、逗點式塗佈等為代表的公知塗佈機器。另,於脫模性基材2塗佈導電性接著劑組成物時的條件可適當地設定。
脫模性基材2可使用:於聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等基底薄膜上將矽系或非矽系脫模劑塗佈於形成導電性接著劑層4側之表面者。另,脫模性基材2之厚度並無特殊之限制,可適當地考慮使用容易度而決定。
又,導電性接著劑層4之厚度宜為15~100μm。若比15μm薄,則埋入性不足,有時無法獲得與接地電路充分之連接,若比100μm厚,則不利於成本,且無法因應薄膜化之要求。藉由設定為此種厚度,當基材存在有凹凸時會適度地流動,因此,可變形成填埋凹部之形狀,並以良好之密接性進行接著。
<異方性導電性接著劑層、等方性導電性接著劑層> 本發明之導電性接著劑組成物可根據使用目的,使用作為異方性導電性接著劑層或等方性導電性接著劑層。舉例言之,當使用本發明之導電性接著劑組成物作為用以與補強板接著的導電性接著薄膜時,可使用作為等方性導電性接著劑層。
又,在具有金屬層的電磁波屏蔽薄膜之情形時,可使用作為等方性導電性接著劑層或異方性導電性接著劑層,惟理想的是使用作為異方性導電性接著劑層。
另,該等可藉由導電性填料(H)之摻合量,作成任一者之接著劑層。為了作成異方性導電性接著劑層,宜將導電性填料作成在導電性接著劑組成物之總固形成分中佔5質量%以上且小於40質量%。為了作成等方性導電性接著劑層,宜將導電性填料(H)作成在導電性接著劑組成物之總固形成分中佔40質量%以上且90質量%以下。
又,使用本發明之導電性接著劑的導電性接著薄膜與印刷電路板之密接性優異,該印刷電路板上的密接性乃包含:在像是聚醯亞胺薄膜之樹脂板上的密接性;以及在像是業經鍍金之銅箔或導電性補強板之金屬材料上的密接性。
<電磁波屏蔽薄膜> 如圖2所示,使用本發明之導電性接著劑組成物的電磁波屏蔽薄膜20乃具有:導電性接著劑層4;及保護層13,其設置於導電性接著劑層4之表面。保護層13只要是具有絕緣性(即,藉由絕緣性樹脂組成物所形成),則無特殊之限制,可使用公知者。又,保護層13亦可使用上述導電性接著劑層4中所使用的樹脂成分(導電性填料除外)。又,保護層13亦可為材質或硬度抑或彈性模數等物性不同的2層以上之積層體。
又,保護層13之厚度並無特殊之限制,可視需要適當地設定,惟可作成1μm以上(較為理想的是4μm以上)、20μm以下(較為理想的是10μm以下,更為理想的是5μm以下)。
又,於保護層13中,視需要亦可含有硬化促進劑、黏著性賦予劑、抗氧化劑、顏料、染料、塑化劑、紫外線吸收劑、消泡劑、調平劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑、抗結塊劑等。
又,該電磁波屏蔽薄膜20例如可列舉以下方法:於剝離性薄膜之其中一面塗佈保護層用樹脂組成物而使其乾燥,藉此,形成保護層13,其次,於保護層13上塗佈上述導電性接著劑組成物而使其乾燥,並形成導電性接著劑層4。
形成導電性接著劑層4及保護層13之方法可使用以往公知之塗佈方法,例如凹版塗佈方式、接觸塗佈方式、壓鑄模塗佈方式、唇模塗佈方式、逗點式塗佈方式、刮塗方式、輥塗方式、刮刀塗佈方式、噴塗方式、棒塗方式、旋轉塗佈方式、浸塗方式等。
電磁波屏蔽薄膜20可藉由熱壓,接著於印刷電路板上。電磁波屏蔽薄膜20之導電性接著劑層4會藉由加熱而變軟,並藉由加壓而流入設置於印刷電路板上的接地部。藉此,接地電路與導電性接著劑乃電連接,可提高屏蔽效果。
又,該電磁波屏蔽薄膜20例如可使用在圖2所示之屏蔽印刷電路板30。該屏蔽印刷電路板30乃具備印刷電路板40及電磁波屏蔽薄膜20。
印刷電路板40具有:基底基板41;印刷電路(接地電路)42,其形成於基底基板41上;絕緣性接著劑層43,其於基底基板41上設置成與印刷電路42鄰接;及絕緣性覆蓋層44,其設置成覆蓋絕緣性接著劑層43。另,藉由絕緣性接著劑層43與覆蓋層44,構成印刷電路板40之絕緣層,且於絕緣性接著劑層43與覆蓋層44上,形成有用以露出印刷電路42之一部分的開口部45。
基底基板41、絕緣性接著劑層43及覆蓋層44並無特殊之限制,例如可作成樹脂薄膜等。此時,可藉由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺或聚苯硫等樹脂來形成。印刷電路42例如可作成形成於基底基板41上的銅配線圖案等。
其次,說明屏蔽印刷電路板30之製造方法。於印刷電路板40上載置電磁波屏蔽薄膜20,且利用壓機加熱並同時加壓。藉由加熱而變軟的接著劑層4之一部分因加壓而流入開口部45。藉此,電磁波屏蔽薄膜20即透過接著劑層4黏貼於印刷電路板40。
<具有金屬層的電磁波屏蔽薄膜> 又,本發明之電磁波屏蔽薄膜亦可具有金屬層。藉由具有金屬層,可獲得更加優異之電磁波屏蔽性能。
更具體而言,舉例言之,如圖3所示,使用本發明之導電性接著劑組成物的電磁波屏蔽薄膜21具備:金屬層(屏蔽層)14;導電性接著劑層4,其設置於金屬層14之第1面側;及保護層13,其設置於與金屬層14之第1面呈相反側的第2面側。
形成金屬層14的金屬材料可列舉如:鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦、鋅及該等材料中之任一者,或是含有2種以上的合金等。可依照所要求電磁屏蔽效應及反覆撓曲、滑動耐性,適當地加以選擇。
又,金屬層14之厚度並無特殊之限制,舉例言之,可設定為0.1μm~8μm。另,金屬層14之形成方法包括:電鍍法、無電電鍍法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、金屬有機等。又,金屬層14亦可為金屬箔或金屬奈米粒子。
又,該電磁波屏蔽薄膜21例如可使用在圖3所示之屏蔽印刷電路板31。該屏蔽印刷電路板31具備上述印刷電路板40及電磁波屏蔽薄膜21。
其次,說明屏蔽印刷電路板31之製造方法。於印刷電路板40上載置電磁波屏蔽薄膜21,且利用壓機加熱並同時加壓。藉由加熱而變軟的接著劑層4之一部分因加壓而流入開口部45。藉此,電磁波屏蔽薄膜21即透過接著劑層4黏貼於印刷電路板40,同時金屬層14與印刷電路板40之印刷電路42即透過導電性接著劑來連接,並連接金屬層14與印刷電路42。
<具備補強板的屏蔽印刷電路板> 又,本發明之導電性接著劑組成物可使用在具備補強板的屏蔽印刷電路板。更具體而言,舉例言之,可使用在圖4所示之屏蔽印刷電路板32。該屏蔽印刷電路板32具備印刷電路板47、導電性接著劑層4及導電性補強板15。又,印刷電路板47與導電性補強板15係藉由本發明之導電性接著劑層4來接著,同時電連接。
又,於印刷電路板47中,構成為在印刷電路42之表面之一部分設置鍍層(例如鍍金層)46,且該鍍層46係自開口部45露出。
另,亦可構成為與上述圖2所示之屏蔽印刷電路板30相同,未設置鍍層46而透過流入開口部45的接著劑層4,直接連接印刷電路42與導電性補強板15。
導電性補強板15乃設置用以防止在安裝有電子零件的印刷電路板中,起因於印刷電路板之撓曲而在安裝有電子零件的部位產生應變,且電子零件破損。該導電性補強板15可使用具有導電性之金屬板等,舉例言之,可使用不鏽鋼板、鐵板、銅板或鋁板等。於該等之中,更為理想的是使用不鏽鋼板。藉由使用不鏽鋼板,即便板厚較薄,亦具有用以支撐電子零件充分之強度。
又,導電性補強板15之厚度並無特殊之限制,惟理想的是0.025~2mm,更為理想的是0.1~0.5mm。若導電性補強板15之厚度位於該範圍內,則可毫不勉強地將接著有導電性補強板15的電路基板內建於小型機器中,且具有用以支撐所安裝電子零件充分之強度。又,亦可藉由鍍敷等,於導電性補強板15之表面形成Ni或Au等之金屬層。又,導電性補強板15之表面亦可藉由噴砂或蝕刻等而賦予凹凸形狀。
另,在此所謂電子零件除了連接器或IC之外,可列舉如電阻器、電容器等的晶片零件等。
其次,說明屏蔽印刷電路板32之製造方法。首先,於導電性補強板15上載置構成導電性接著劑層4的導電性接著薄膜,且利用壓機加熱並同時加壓,藉此製作附補強板之導電性接著薄膜。其次,於印刷電路板47上載置附補強板之導電性接著薄膜,且利用壓機加熱並同時加壓。藉由加熱而變軟的接著劑層4之一部分乃因加壓而流入開口部45。藉此,導電性補強板15即透過接著劑層4黏貼於印刷電路板47,同時導電性補強板15與印刷電路板47之印刷電路42即透過導電性接著劑來連接,導電性補強板15與印刷電路42構成導通狀態。故,可獲得利用導電性補強板15的電磁波遮蔽能力。
另,作為可黏貼藉由本發明之導電性接著劑組成物所形成導電性接著薄膜的被黏貼體,舉例言之,可列舉能承受反覆撓曲之撓性電路板作為代表例,理所當然,亦可應用於剛性印刷電路板。再者,並不限於單面屏蔽之電路板,亦可應用於雙面屏蔽之電路板。
實施例 以下,根據實施例說明本發明。另,本發明並不限於該等實施例,可根據本發明之旨趣,將該等實施例進行變形、變更,且無法自本發明之範圍將該等排除在外。
(實施例1~6、比較例1~5) <導電性接著薄膜之製作> 藉由下述製造方法,製造具有表1所示組成(質量%)的實施例1~6及比較例1~5之導電性接著薄膜。
摻合表1所示之各材料,並製作糊狀導電性接著劑組成物。另,具有可與環氧基反應之官能基的熱硬化性樹脂係使用酸價2的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂35質量份與酸價26的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂45質量份之混合物,環氧樹脂使用苯氧基式環氧樹脂(三菱化學(股)製,商品名:jER4275)20質量份、苯酚酚醛型環氧樹脂(三菱化學(股)製,商品名:jER152)20質量份、橡膠改質環氧樹脂(旭電化(股)製,商品名:ERP-4030)5質量份,嵌段異氰酸酯硬化劑使用DURANATE17B-60PX(旭化成化學(股)製),咪唑系硬化促進劑使用2MA-OK(四國化成(股)製)。又,胺基甲酸酯樹脂粒子使用胺基甲酸酯球(大日精化(股)製,商品名:Dynamic Beads)。又,二氧化矽粒子使用SAISHIRIA360(富士矽(Fuji Silysia)化學(股)製,平均粒徑:5μm)。
其次,使用刮刀片(板狀刮刀),將所製作導電性接著劑組成物手工塗佈於業經脫模處理的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(分隔件薄膜)上,並進行100℃×3分鐘之乾燥,藉此,製作導電性接著薄膜。另,刮刀片乃依照所製作導電性接著薄膜之厚度,適切地選擇1mil~5mil之品項(1mil=1/1000吋=25.4μm)。又,於各實施例及各比較例中,將各導電性接著薄膜製作成構成表1中所記載的預定厚度。又,導電性接著薄膜之厚度乃藉由測微計進行測定。 (實施例7) 摻合表1所示之各材料,並製作糊狀導電性接著劑組成物。另,熱硬化性樹脂使用酸價12mgKOH/g的羧基改質聚酯樹脂(數量平均分子量:15000,Tg:15℃)83質量份,環氧樹脂使用甲酚酚醛型環氧樹脂(環氧當量:220g/eq,Tg:90℃)7質量份。又,胺基甲酸酯樹脂粒子使用平均粒徑7μm、硬度74之胺基甲酸酯球10質量份。 其次,與實施例1同樣進行而製作導電性接著薄膜。 (實施例8~13) 除了如表2所示般變更羧基改質聚醯胺樹脂之酸價與摻合量、環氧樹脂之摻合量及胺基甲酸酯樹脂粒子之硬度外,與實施例7同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。 (比較例6) 又,除了使用平均粒徑4μm之二氧化矽粒子(富士矽(Fuji Silysia)化學(股)製,商品名:SYLYSIA350)以取代胺基甲酸酯樹脂粒子外,與實施例7同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。 (比較例7) 除了如表2所示般變更羧基改質聚酯樹脂之酸價與摻合量及環氧樹脂之摻合量,同時未使用胺基甲酸酯樹脂外,與實施例7同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。 (實施例14) 摻合表3所示之各材料,並製作糊狀導電性接著劑組成物。另,熱硬化性樹脂使用酸價18mgKOH/g的羧基改質聚醯胺樹脂(數量平均分子量:2000,Tg:30℃)71質量份,環氧樹脂使用甲酚酚醛型環氧樹脂(常溫下呈液體,當量:180g/eq)/雙酚A型環氧樹脂(常溫下呈液體,當量:250g/eq)=90/10%之混合樹脂10質量份。又,胺基甲酸酯樹脂粒子使用平均粒徑為7μm且硬度為58的胺基甲酸酯球19質量份。 其次,與實施例1同樣進行而製作導電性接著薄膜。 (實施例15~16) 除了如表3所示般變更胺基甲酸酯樹脂粒子之平均粒徑與硬度外,與實施例14同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。 (比較例8) 除了如表3所示般變更羧基改質聚醯胺樹脂之摻合量、甲酚酚醛型環氧樹脂/雙酚A型環氧樹脂之混合樹脂之摻合量,同時未使用胺基甲酸酯樹脂粒子外,與實施例14同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。 (比較例9) 除了使用平均粒徑4μm之二氧化矽粒子(富士矽(Fuji Silysia)化學(股)製,商品名:SYLYSIA350)以取代胺基甲酸酯樹脂粒子外,與實施例14同樣進行而製作糊狀導電性接著劑組成物及導電性接著薄膜。
[表1]
Figure 02_image001
[表2]
Figure 02_image003
[表3]
Figure 02_image005
<剝離強度之測定> 其次,藉由90°剝離試驗,測定業已形成於敷銅層板之銅箔表面的鍍金層與導電性接著劑之密接性。更具體而言,使用壓機,將實施例1~16、比較例1~9中所製作導電性接著薄膜與SUS板製金屬補強板(厚度:200μm)以溫度:170℃、時間:3分鐘、壓力:2MPa之條件進行加熱加壓,再以150℃加熱1小時後,剝離分隔件薄膜而製作附金屬補強板之導電性接著薄膜。
其次,藉由與上述熱壓接相同的條件,將具備由聚醯亞胺所構成的基底基板、形成於基底基板表面上之銅箔、形成於銅箔表面之鍍金層的銅箔積層薄膜之鍍金層,以及附金屬補強板之導電性接著薄膜接著後,再藉由壓機,以溫度:170℃、時間:30分鐘、壓力:3MPa之條件接著,製作附金屬補強板之銅箔積層薄膜。其次,於常溫下,藉由拉伸試驗機(島津製作所(股)製,商品名AGS-X50S),將銅箔積層薄膜以拉伸速度50mm/分、剝離角度90°進行剝離,並測定破裂時的剝離強度之最大值。另,當剝離強度為9.5N/cm以上時,評價為密接性優異。表4、表5中顯示以上結果。
<附金屬補強板之電路基板之製作> 其次,使用壓機,將實施例1~16、比較例1~9中所製作導電性接著薄膜(附分隔件薄膜)與金屬補強板(將SUS板之表面鍍敷Ni者,厚度:200μm)以溫度:120℃、時間:5秒、壓力:0.5MPa之條件進行加熱加壓,並製作附金屬補強板之導電性接著薄膜。其次,將導電性接著薄膜上的分隔件薄膜剝離,並藉由與上述熱壓接相同的條件,將附金屬補強板之導電性接著薄膜接著於撓性基板後,再藉由壓機,以溫度:170℃、時間:30分鐘、壓力:3MPa之條件接著,製作附金屬補強板之電路基板。另,撓性基板係使用下述撓性基板:如圖5所示,於聚醯亞胺薄膜29上,形成業已於表面之一部分設置鍍金層22的銅箔圖案23,並於其上形成由聚醯亞胺薄膜所構成的覆蓋層24。又,將設置有金屬補強板26的導電性接著薄膜25接著於該撓性基板上,製作附金屬補強板之電路基板。另,於覆蓋層24上,形成模擬直徑0.8mm之接地連接部的開口部27。
<連接電阻值之測定> 其次,於實施例1~16、比較例1~9中所製作附金屬補強板之電路基板中,如圖6所示,藉由電阻計28,測定設置有鍍金層22的2條銅箔圖案23間之電阻值,並評價銅箔圖案23與金屬補強板26之連接性。另,當連接電阻小於0.1Ω時,評價為導電性優異。表4、表5中顯示以上結果。
<耐回焊性評價> 其次,進行所製作附金屬補強板之銅箔積層薄膜(或附金屬補強板之電路基板)的耐回焊性之評價。回焊條件是假想無鉛焊料,並設定附金屬補強板之銅箔積層薄膜(或附金屬補強板之電路基板)中的聚醯亞胺薄膜暴露於265℃下5秒鐘的溫度曲線。
又,使所製作實施例1~16、比較例1~9之各附金屬補強板之銅箔積層薄膜通過熱風回焊3次後,藉由上述方法,測定回焊後之破裂時的剝離強度之最大值。另,當剝離強度為9.5N/cm以上時,評價為回焊後之密接性優異。表4、表5中顯示以上結果。
又,使所製作實施例1~16、比較例1~9之各附金屬補強板之電路基板通過熱風回焊1次、3次及5次後,藉由上述方法,測定回焊後之連接電阻值。另,當連接電阻小於0.1Ω時,評價為回焊後導電性優異。表4、表5中顯示以上結果。
[表4](基礎申請案之表2)
Figure 02_image007
[表5]
Figure 02_image009
如表4~5所示,使用平均粒徑為4μm以上且13μm以下、硬度為55以上且90以下的胺基甲酸酯球之實施例1~16,於回焊前後可說是具有優異之導電性,同時與銅箔積層薄膜之密接性優異。
另一方面,於胺基甲酸酯球之平均粒徑小(即,3μm)的比較例1中,與未使用胺基甲酸酯球的比較例5、7~8相同,於回焊前後連接電阻可說是並未充分地降低。
又,於胺基甲酸酯球之平均粒徑大(即,15μm)的比較例2,以及胺基甲酸酯球之硬度大(即,95)的比較例3中,與銅箔積層薄膜之密接性(回焊前)可謂不足。
又,於使用二氧化矽粒子(平均粒徑:5μm)以取代胺基甲酸酯球的比較例4中,與銅箔積層薄膜之密接性(回焊前)可謂不足。 又,於使用二氧化矽粒子(平均粒徑:4μm)以取代胺基甲酸酯球的比較例6中,與銅箔積層薄膜之密接性(回焊後)可謂不足。 又,於使用二氧化矽粒子(平均粒徑:4μm)以取代胺基甲酸酯球的比較例9中,與銅箔積層薄膜之密接性(回焊後)可謂不足。
產業上之可利用性 如以上所說明,本發明乃適合於印刷電路板中所使用的導電性接著劑組成物。
1、25‧‧‧導電性接著薄膜 2‧‧‧剝離性基材 4‧‧‧導電性接著劑層 13‧‧‧保護層 14‧‧‧金屬層 15‧‧‧導電性補強板 20、21‧‧‧電磁波屏蔽薄膜 22‧‧‧鍍金層 23‧‧‧銅箔圖案 24、44‧‧‧覆蓋層 26‧‧‧金屬補強板 27、45‧‧‧開口部 28‧‧‧電阻計 29‧‧‧聚醯亞胺薄膜 30、31、32‧‧‧屏蔽印刷電路板 40、47‧‧‧印刷電路板 41‧‧‧基底基板 42‧‧‧印刷電路 43‧‧‧絕緣性接著劑層 46‧‧‧鍍層
圖1是有關本發明之實施形態的導電性接著薄膜之截面圖。 圖2是有關本發明之實施形態的屏蔽印刷電路板之截面圖。 圖3是有關本發明之實施形態的屏蔽印刷電路板之截面圖。 圖4是有關本發明之實施形態的屏蔽印刷電路板之截面圖。 圖5是實施例中使用的撓性基板之截面圖。 圖6是用以說明實施例中電阻值之測定方法之圖。
1‧‧‧導電性接著薄膜
2‧‧‧剝離性基材
4‧‧‧導電性接著劑層

Claims (6)

  1. 一種導電性接著劑組成物,含有: 熱硬化性樹脂,其具有可與環氧基反應之官能基; 環氧樹脂;及 導電性填料; 又,更含有胺基甲酸酯樹脂粒子,該胺基甲酸酯樹脂粒子之平均粒徑為4μm以上且13μm以下,同時根據JIS K 6253所測定A型硬度計硬度為55以上且90以下。
  2. 如請求項1之導電性接著劑組成物,其中相對於前述導電性接著劑組成物之總量,前述胺基甲酸酯樹脂粒子的摻合量為3~30質量%。
  3. 如請求項1或2之導電性接著劑組成物,其中前述熱硬化性樹脂係選自於由羧基改質聚酯樹脂、羧基改質聚醯胺樹脂及羧基改質聚胺基甲酸酯聚脲樹脂所構成群組中之1種。
  4. 一種導電性接著薄膜,具備: 剝離性基材;及 導電性接著劑層,其設置於該剝離性基材之表面,並由如請求項1至3中任一項之導電性接著劑組成物所構成。
  5. 一種電磁波屏蔽薄膜,具備: 保護層,其具有絕緣性;及 導電性接著劑層,其設置於該保護層之表面,並由如請求項1至3中任一項之導電性接著劑組成物所構成。
  6. 一種印刷電路板,具備: 基底基板,其形成有印刷電路; 導電性接著劑層,其由如請求項1至3中任一項之導電性接著劑組成物所構成;及 導電性補強板; 又,前述基底基板與前述導電性補強板係藉由前述導電性接著劑層電連接。
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