TWI684659B - 成膜裝置 - Google Patents

成膜裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI684659B
TWI684659B TW107122308A TW107122308A TWI684659B TW I684659 B TWI684659 B TW I684659B TW 107122308 A TW107122308 A TW 107122308A TW 107122308 A TW107122308 A TW 107122308A TW I684659 B TWI684659 B TW I684659B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processed
glass substrate
holding
film
Prior art date
Application number
TW107122308A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201907034A (zh
Inventor
金子俊則
大野哲宏
Original Assignee
日商愛發科股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商愛發科股份有限公司 filed Critical 日商愛發科股份有限公司
Publication of TW201907034A publication Critical patent/TW201907034A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI684659B publication Critical patent/TWI684659B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本發明之成膜裝置係於被處理基板上進行成膜之成膜裝置，其具備：供給裝置，其配置於能夠真空排氣之腔室內，供給成膜材料；及保持裝置，其於成膜時保持上述被處理基板。上述保持裝置具有：防附著板，其覆蓋上述保持裝置中之上述成膜材料會附著之區域；保持部，其保持上述被處理基板；及位置設定部，其於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時設定上述被處理基板之位置。上述位置設定部具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之滾輪。

Description

成膜裝置
本發明係關於一種成膜裝置，尤其係關於濺鍍、CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)等較佳地用於成膜之技術。
於半導體元件領域或平板顯示器(FPD，flat panel display)領域，使用濺鍍裝置作為形成各種薄膜之裝置。
於一般的濺鍍裝置中，於腔室內設置有濺鍍用之陰極，且於減壓後之腔室內，以與安裝於陰極之靶隔開特定之間隔對向之方式配置被處理體(基板)。
其次，將Ar氣體(惰性氣體)導入至腔室內，於將被處理體接地之狀態下藉由對靶施加負電壓而使其放電，使藉由放電而自Ar氣體游離之Ar離子與靶碰撞。
然後，使自靶飛出之粒子附著於被處理體，藉此進行成膜處理。
作為此種裝置之例，已知有如日本專利第5309150號公報中所記載般，於藉由夾具機構將基板定位並支持之狀態下成膜之技術。
然而，例如如日本專利第5869560號公報所記載般，有時要實施連續進行複數種成膜處理等成膜量較多之處理。於該情形時，附著物會堆積於成膜室內之可動部分即夾具機構，附著物之量增大，該附著物成為導致成膜缺陷之顆粒產生源。因此，有希望不設置夾具機構之要求。
但，於不設置夾具機構之情形時，雖能夠降低顆粒產生，但會產生如下問題，即，無法充分地維持成膜處理中之基板對準之準確性。
本發明係鑒於上述情況而完成，其欲達成以下目的。 1.於成膜量增大之情形時，亦能夠降低顆粒產生。 2.能夠維持成膜處理中之基板對準之準確性。
本發明之一態樣之成膜裝置係於被處理基板上進行成膜之成膜裝置，且具備：供給裝置，其配置於能夠真空排氣之腔室內，供給成膜材料；及保持裝置，其於成膜時保持上述被處理基板。上述保持裝置具有：防附著板，其覆蓋上述保持裝置中之上述成膜材料會附著之區域；保持部，其保持上述被處理基板；及位置設定部，其於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時設定上述被處理基板之位置。上述位置設定部具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之滾輪。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，亦可為於上述保持裝置中，上述位置設定部設置於與位於彼此相反之位置之上述被處理基板之緣部之各者抵接之位置。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，亦可於上述腔室之外側設置驅動裝置，該驅動裝置係於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時，使上述防附著板與上述保持部彼此分離及接近。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述滾輪亦可設置於上述防附著板。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述滾輪亦可設置於上述保持部。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述保持裝置亦可具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之支持構件。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述支持構件亦可設置於上述防附著板。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，亦可為上述支持構件具有與上述被處理基板之至少周緣端面部相接之基板支持部，且上述基板支持部於沿著上述被處理基板之表面之方向上能夠於上述周緣端面部之法線方向上移動，並且朝上述被處理基板之中心施力。
本發明之一態樣之成膜裝置係於被處理基板上進行成膜之成膜裝置，且具備：供給裝置，其配置於能夠真空排氣之腔室內，供給成膜材料；及保持裝置，其於成膜時保持上述被處理基板。上述保持裝置具有：防附著板，其覆蓋上述保持裝置中之上述成膜材料會附著之區域；保持部，其保持上述被處理基板；及位置設定部，其於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時設定上述被處理基板之位置。上述位置設定部具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之滾輪。藉此，於防附著板與保持部夾持被處理基板時，藉由防附著板與保持部彼此接近之動作而使被處理基板之周緣端面部抵接於滾輪，以相對於防附著板成為特定位置之方式定位。藉此，僅以防附著板與保持部彼此接近之動作，藉由旋轉之滾輪便可不使周緣端面部抵接之被處理基板破損地進行定位。因此，能夠於準確地定位之狀態之被處理基板上進行成膜處理。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，於上述保持裝置中，上述位置設定部設置於與位於彼此相反之位置之上述被處理基板之緣部之各者抵接的位置。藉此，位置設定部抵接於位於彼此相反之位置之被處理基板之緣部之各者，從而可將被處理基板以相對於防附著板成為特定之位置之方式定位。再者，於本發明之一態樣之成膜裝置中，較佳為以位置設定部抵接於位於彼此交叉之被處理基板之邊之緣部之各者的方式，於保持裝置設置複數個位置設定部。於該情形時，可於被處理基板之面內方向之複數個方向上進行被處理基板之定位。
本發明之一態樣之成膜裝置於上述腔室之外側設置驅動裝置，該驅動裝置係於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時，使上述防附著板與上述保持部彼此分離及接近。藉此，並未於成為被處理空間之腔室內配置成為顆粒產生源之驅動源等，故能夠防止被處理空間內產生污染，並且能夠削減腔室容積。
又，於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述滾輪設置於上述防附著板。藉此，藉由防附著板與保持部夾持被處理基板時彼此接近之動作，可於與防附著板中之滾輪之配置位置對應之部位對被處理基板準確地進行位置設定。
又，於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述滾輪設置於上述保持部。藉此，藉由防附著板與保持部夾持被處理基板時彼此接近之動作，可於與保持部中之滾輪之配置位置對應之部位對被處理基板進行位置設定，而進行被處理基板相對於與保持部對應地設定之防附著板之位置設定。
又，上述保持裝置具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之支持構件。藉此，於藉由支持構件接觸於被處理基板之周緣端面部而支持被處理基板之情形時，亦可防止於被處理基板之緣部產生破損等。
又，上述支持構件設置於上述防附著板。藉此，可於與防附著板中之支持構件之配置位置對應之部位支持被處理基板。進而，於成膜處理中能夠以被處理基板相對於防附著板之位置不變動之方式支持被處理基板。
於本發明之一態樣之成膜裝置中，上述支持構件具有與上述被處理基板之至少周緣端面部相接之基板支持部，上述基板支持部於沿著上述被處理基板之表面之方向上能夠於上述周緣端面部之法線方向上移動，並且朝上述被處理基板之中心施力。藉此，可防止於被處理基板緣部產生裂紋、缺損。再者，所謂朝被處理基板之中心施力係指能夠支持施加至基板支持部之被處理基板之負載之方向。
[發明之效果] 根據本發明之態樣，能夠發揮如下效果，即，即便於成膜量增大之情形時，亦能夠降低顆粒產生，並且能夠維持成膜處理中之基板對準之準確性。
以下，根據圖式說明本發明之第1實施形態之成膜裝置。再者，本實施形態係為了更好地理解發明之主旨而具體地進行說明者，只要無特別指定，則並不限定本發明。
圖1係表示本實施形態之成膜裝置之模式俯視圖。圖2係表示本實施形態之成膜裝置之裝載/卸載室之模式側視圖。圖3係表示本實施形態之成膜裝置之成膜室之模式側視圖。圖4係表示本實施形態之成膜裝置之保持裝置之立體圖。於圖中，符號1為成膜裝置。
本實施形態之成膜裝置1(濺鍍裝置)例如於液晶顯示器之製造步驟中於由玻璃等構成之被處理基板(玻璃基板、基板)上形成TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形等時，作為對由玻璃或樹脂構成之被處理基板於真空環境下進行加熱處理、成膜處理、蝕刻處理等之往復式或連續式之真空處理裝置。
如圖1、圖2所示，成膜裝置1具備：裝載/卸載室2，其將大致矩形之由玻璃構成之玻璃基板11(被處理基板)搬入/搬出；耐壓之成膜室4(腔室)，其例如藉由濺鍍法於玻璃基板11上形成ZnO系或In2 O3 系之透明導電膜等覆膜；及搬送室3(腔室)，其位於成膜室4與裝載/卸載室2(腔室)之間。作為本實施形態之成膜裝置1，如圖2所示，採用向下濺鍍式之濺鍍裝置，但亦可採用側向濺鍍式之濺鍍裝置、向上濺鍍式之濺鍍裝置。
再者，雖未圖示，但於成膜裝置1中，亦可設置複數個成膜室4(腔室)與複數個裝載/卸載室2(腔室)。於該情形時，亦可將複數個腔室以包圍搬送室3之周圍之方式形成。此種腔室例如只要包括彼此鄰接地形成之2個裝載/卸載室(腔室)、與複數個處理室(腔室)即可。例如，於2個裝載/卸載室中，亦可將一個裝載/卸載室作為將玻璃基板11自外部朝真空處理裝置(成膜裝置1)搬入之裝載室，且將另一個裝載/卸載室作為將玻璃基板11自成膜裝置1搬出至外部之卸載室。
於此種各個腔室2、4與搬送室3之間、及裝載/卸載室2(腔室)與外部之間，只要分別形成隔離閥即可。
如圖2所示，於裝載/卸載室2之內部，配置有能夠設定自成膜裝置1之外部搬入之玻璃基板11之載置位置並進行對準之定位構件2a。
於裝載/卸載室2，還設置有對該裝載/卸載室2內進行粗抽真空之旋轉泵等粗抽排氣裝置2b(低真空排氣裝置)。
於搬送室3之內部，如圖1所示，配置有搬送裝置3a(搬送機器人)。
搬送裝置3a具有旋轉軸、安裝於該旋轉軸之機械臂、形成於機械臂之一端之機械手、及使機械手上下移動之上下移動裝置。機械臂包括能夠彼此彎曲之第一、第二主動臂、及第一、第二從動臂。搬送裝置3a可使作為被搬送物之玻璃基板11於腔室2、4之各者與搬送室3之間移動。
於成膜室4之內部，如圖3所示，設置有於成膜中保持玻璃基板11之保持裝置10。保持裝置10亦可具備用以加熱玻璃基板11之加熱器。又，於成膜室4中，設置有：背襯板6(陰極電極、濺鍍陰極)，其立設於與加熱器對向之位置，作為供給成膜材料之供給裝置而發揮功能；電源7，其對背襯板6施加負電位之濺鍍電壓；氣體導入部8，其將氣體導入至該成膜室4內；及高真空排氣裝置9，其係對成膜室4之內部進行高抽真空之渦輪分子泵等。於與玻璃基板11大致平行地相面對之背襯板6之前表面側固定有靶。
於成膜室4之外側，設置有使構成保持裝置10之防附著板15與保持部13彼此分離及接近之驅動裝置30。於圖3所示之例中，驅動裝置30連接於防附著板15，防附著板15與保持部13之間之相對距離由驅動裝置30進行控制。驅動裝置30亦可不連接於防附著板15而連接於保持部13。又，驅動裝置30亦可連接於防附著板15及保持部13之兩者。
圖5係表示本實施形態之保持裝置之位置設定部附近之構造之剖視圖。圖6係表示本實施形態之保持裝置之基板導件之剖視圖。圖5係沿著圖4之Ⅴ-Ⅴ線之剖視圖，且係表示於防附著板與保持部之間夾持有玻璃基板之狀態之圖。圖6係沿著圖4之Ⅵ-Ⅵ線之剖視圖，且係表示於防附著板與保持部之間夾持有玻璃基板之狀態之圖。
如圖3～圖5所示，保持裝置10具備：保持部13，其保持玻璃基板11之反面11L；防附著板15，其覆蓋玻璃基板11之緣部11E及保持裝置10中之成膜材料會附著之區域R；滾輪16(位置設定部)，其於防附著板15與保持部13夾持並保持玻璃基板11時設定玻璃基板11之位置；及基板導件100(支持構件)，其抵接於玻璃基板11之周緣端面部11b而支持玻璃基板11。
保持部13具有於玻璃基板11之成膜處理時將玻璃基板11之周緣部(緣部11E)自被處理面11a(正面)之反面11L予以支持之構造，且具有較玻璃基板11之外形輪廓稍大之框體形狀。於框狀之保持部13之內側，配置有未圖示之加熱器。加熱器能夠對支持於保持部13之玻璃基板11自反面11L進行加熱。
保持部13具備抵接於玻璃基板11之反面11L而支持玻璃基板11之複數個支持凸部19。複數個支持凸部19自保持部13之表面(與防附著板15對向之面)朝玻璃基板11之反面11L(支持側)突出。複數個支持凸部19以與玻璃基板11之外形輪廓之形狀對應之方式配置。
支持凸部19與下述滾輪16同樣地係由對於濺鍍等處理具有耐熱性及耐真空性並且具有能夠支持玻璃基板11之強度之樹脂形成。作為此種樹脂，例如可列舉VESPEL(杜邦公司製造，註冊商標)等聚醯亞胺樹脂。
設置於保持部13之複數個滾輪16之各者具有與形成保持部13之框之直線部13X(第1直線部、邊)或直線部13Y(第2直線部、邊)之延伸方向平行之軸線。滾輪16之各者能夠以該軸線為中心而旋轉。具體而言，如圖4、圖5所示，以使各滾輪16之旋轉曲面16F之切線TL(相對於軸線正交且與保持部13平行之切線)朝向保持部13之中央延伸之方式，將複數個滾輪16配置於保持部13之直線部13X、13Y上。藉此，於複數個滾輪16能夠以與由保持部13保持之玻璃基板11之周緣端面部11b平行之軸線旋轉之狀態下，滾輪16之旋轉曲面16F能夠抵接於玻璃基板11之周緣端面部11b。
又，複數個滾輪16之各者可設置於矩形之保持部13之直線部13X、13Y交叉(相連)之部分即角部C之附近之位置(角部C之兩側)。藉此，滾輪16位於保持部13中彼此對向之兩組直線部(邊)、即2個直線部13X及2個直線部13Y之各者。再者，保持部13之複數個滾輪16之配置及複數個滾輪16之數量可根據玻璃基板11之外形輪廓之形狀、大小、處理時之玻璃基板11之支持狀態等而適當設定。
具體而言，於保持部13之相鄰之兩邊相連之角部C之兩側，即，於與直線部13X、13Y相連之角部C鄰接之位置，可配置2個或4個滾輪16。即，於構成保持部13之4個角部區域，可配置共計8～16個滾輪16。又，滾輪16可於保持部13之直線部13X、13Y延伸之方向上配置於支持凸部19之兩側之位置。
關於滾輪16，如圖4、圖5所示，使滾輪16之旋轉曲面16F抵接於玻璃基板11之周緣端面部11b，而設定相對於保持部13之玻璃基板11之面內方向之支持位置。又，以使滾輪16之旋轉軸線16a位於將設為支持狀態之玻璃基板11之正面11a延長後之平面11Va與將反面11L延長後之平面11VL之間的方式，設定滾輪16及支持凸部19之位置。亦即，滾輪16之旋轉軸線16a之位置係在設為支持狀態之玻璃基板11之厚度方向上與支持凸部19之前端19T相距玻璃基板11之厚度尺寸之一半左右之距離的位置。
滾輪16之徑向之尺寸(直徑)只要大於玻璃基板11之厚度尺寸即可，例如，可將滾輪16之直徑設為玻璃基板11之厚度尺寸之3倍以上。
滾輪16係由對於濺鍍等處理具有耐熱性及耐真空性並且具有能夠支持玻璃基板11之強度之樹脂形成。作為此種樹脂，例如可列舉VESPEL(杜邦公司製造，註冊商標)等聚醯亞胺樹脂。
如圖4、圖5所示，防附著板15與保持部13對向，且與該保持部13一起夾持並保持玻璃基板11。防附著板15形成為用以覆蓋保持裝置10中之不希望有成膜材料附著之區域R、及支持於保持部13之玻璃基板11周緣之非成膜區域(緣部11E)之矩形框狀。如此，防附著板15以覆蓋自保持裝置10之外周部分至玻璃基板11之外周部分之部分的方式設置，防附著板15以覆蓋除玻璃基板11以外會附著有自背襯板6之靶擊出之粒子之區域之方式設置。
如圖4、圖5所示，於防附著板15之中央部，形成有以使成膜材料到達玻璃基板11之被處理面11a(正面)之方式沿防附著板15之厚度方向貫通之開口部15a。於該開口部15a之緣部(內端)，形成有傾斜部15b。傾斜部15b具有於自玻璃基板11之外側朝向中心之方向上傾斜部15b之厚度減少之傾斜面。亦即，開口部15a形成為使開口部15a之開口面積於自防附著板15之正面側朝向反面側之方向上縮小，藉此，於開口部15a之內周面形成傾斜部15b。
如圖5所示，於防附著板15之反面側15L(反面)，形成有與滾輪16之形狀對應之凹部15c。於支持有玻璃基板11之狀態下，滾輪16之與防附著板15對向之面位於該凹部15c內，藉此構成為滾輪16與防附著板15不接觸。
如圖4所示，防附著板15設置為相對於保持部13平行之狀態，並且以使防附著板15與保持部13彼此分離及接近而防附著板15與保持部13分離之距離可變之方式設置。此時，防附著板15與保持部13維持彼此平行之狀態，並且分離距離於圖4中箭頭B所示之方向上變化。
保持裝置10能夠以使防附著板15與保持部13分離之距離變化之方式驅動，可利用防附著板15與保持部13將玻璃基板11夾持並保持、解除。
於本實施形態之保持裝置10中，如上所述，設置有驅動防附著板15之驅動裝置30。該驅動防附著板15之驅動裝置30設置於成膜室4(腔室)之外側位置。例如，藉由在防附著板15與保持部13之法線方向上延伸之驅動銷(驅動裝置)等而能夠設定保持部13與防附著板15之距離。該驅動銷可設為藉由配置於成膜室4(腔室)之外側之驅動馬達等驅動裝置30而進退之構成。驅動銷、驅動裝置30可設為能夠於維持腔室4之密閉之狀態下驅動防附著板15。
防附著板15例如可設為構成為能夠相對於保持部13裝卸之由鈦或陶瓷等構成之矩形板狀。
作為防附著板15之裝卸構造，例如，可於防附著板15之反面側15L(靠近玻璃基板11之面)設置沿著框狀之防附著板15之法線方向延伸之裝卸條。裝卸條只要經由連結構件連接於限制保持裝置10之防附著板15移動之位置限制構件即可。裝卸條設為沿著防附著板15之法線方向設置之圓柱形狀之構件，其收容於設置於位置限制構件之收容部。
藉此，可使用搬送室3之搬送裝置3a(搬送機器人)將防附著板15取出至腔室2、3、4之外側。又，能夠使用搬送裝置3a(搬送機器人)安裝自裝載/卸載室2搬送之新的防附著板15。
又，於防附著板15之反面側15L，設置有位於開口部15a之周緣之複數個基板導件100(支持構件)。
如圖6所示，基板導件100具有基座110、基板支持部120、及螺旋彈簧140(賦能構件)。
基座110及基板支持部120係由對於濺鍍等處理具有耐熱性及耐真空性並且具有能夠支持玻璃基板11之強度之樹脂形成。作為此種樹脂，例如可列舉VESPEL(杜邦公司製造，註冊商標)等聚醯亞胺樹脂。
基座110安裝於防附著板15之反面側15L，且收納抵接於玻璃基板11之基板支持部120。
基板支持部120係以使支持平面部121自基座110之中央朝玻璃基板11之周緣端面部11b之法線方向突出之方式收納於基座110。基板支持部120之支持平面部121與保持於保持裝置10之玻璃基板11之周緣端面部11b大致平行地接觸。基板支持部120以能夠於沿著玻璃基板11之正面11a及反面11L之面內方向、即於周緣端面部11b之法線方向上移動之方式安裝於基座110。
基板支持部120係以收納於基座110之狀態，由螺旋彈簧140相對於基座110沿著玻璃基板11之周緣端面部11b之法線方向、亦即防附著板15之開口部15a之法線方向施力。
如圖6所示，基座110具有大致長方體之形狀。於基座110之內部，形成有收納基板支持部120之內部空間111。
基座110之內部空間111具有開口111a、111b。開口111a係於安裝於防附著板15之反面側15L之背面110a形成開口。開口111b係於防附著板15之開口部15a之內側形成開口。於基座110之背面110a，立設有以沿著背面110a之延伸方向延長之方式形成之板狀之抵接部112。
基座110之內部空間111於後視時具有大致矩形之剖面。該剖面係內部空間111之大致整體於背面110a開口之大致矩形之剖面。於基座110之圖6之上下方向上，內部空間111形成為具有小於背面110a之內部空間111之尺寸之大致一半的尺寸。
基座110之內部空間111係以使相對於圖6之紙面之鉛直方向之抵接部112之兩端隔著開口111a保留之方式開口。換言之，基座110以包圍開口111a之方式連接於抵接部112。於圖6之右側之基座110之表面，形成有上槽113。於相對於圖6之紙面之鉛直方向上，上槽113之寬度尺寸與內部空間111之尺寸相等。上槽113以於圖6之上下方向上延伸之方式形成於基座110。
於內部空間111，位於圖6之下側之基座110之面係移動位置限制滑動面116。移動位置限制滑動面116抵接於基板支持部120，限制基板支持部120之移動位置。於相對於圖6之紙面之鉛直方向上，形成位於大致同一平面上之2個移動位置限制滑動面116。
於基座110之內部空間111，收納有於圖6之左右方向具有伸縮軸線之螺旋彈簧140。基座110具有除抵接部112以外與由基板支持部120之支持平面部121所載置之玻璃基板11分離之輪廓形狀。
抵接部112自背面110a側觀察時呈大致矩形之輪廓形狀，且設為不會使載置於基板導件100之玻璃基板11直接抵接於防附著板15之反面側15L之大小。具體而言，抵接部112自基座110之背面110a之端部朝圖6之右方向立設，且具有與基座110之相對於圖6之紙面之鉛直方向之尺寸相等之寬度。
基板支持部120具有支持平面部121與收納部122。於位於圖6之右側之支持平面部121之面上載置有玻璃基板11時，支持平面部121抵接於周緣端面部11b。收納部122於圖6之左端側收納於內部空間111。
收納部122位於基座110之背面110a側並且沿著內部空間111於圖6之左右方向上延伸。收納部122之厚度尺寸與內部空間111之圖6之上下方向之尺寸相等。又，成為開口111a之上端側之支持平面部121具有載置部123。載置部123沿著上槽113朝圖6之下側延伸，並且以覆蓋基座110之圖6之上下方向全長之方式形成。如圖6所示，收納部122與載置部123具有剖面L字狀之形狀。
如圖6所示，收納部122於俯視時具有與內部空間111大致相等之剖面形狀。於收納部122，於相對於圖6之紙面之鉛直方向之收納部122之兩端側，形成有能夠對應於基座110之位置限制面而抵接之位置限制面。於收納部122，於相對於圖6之紙面之鉛直方向上，形成有位於大致同一平面上之2個位置限制面。
於收納部122，於圖6之左右方向上延伸地設置有收納螺旋彈簧140之收納凹部124。
於圖6所示之收納部122之下側面，形成有能夠相對於基座110之移動位置限制滑動面116滑動之移動位置限制滑動面。該移動位置限制滑動面係於圖6之左右方向上延伸之平面。再者，於圖6中，收納部122之移動位置限制滑動面因與收納凹部124重疊而未圖示。
藉由收納部122之移動位置限制滑動面與移動位置限制滑動面116滑動，能夠將基板支持部120相對於基座110之移動方向限制於圖6之左右方向。
位於靠近背面110a之載置部123之部位係與圖6之上下方向平行之平面即支持平面部121。於圖6之支持平面部121之下側，形成有傾斜面123a。傾斜面123a連接於支持平面部121，且自支持平面部121與傾斜面123a之連接點朝圖6之下方而向左側傾斜。傾斜面123a係於自支持平面部121朝向圖6之下側端部之方向上，朝防附著板15之開口部15a之外側傾斜地形成。亦即，傾斜面123a設置成於自防附著板15朝向保持部13之方向上，且於載置於保持部13之玻璃基板11之正面11a之面內方向上，自支持平面部121逐漸離開。
於玻璃基板11抵接於基板導件100時，圖6之左右方向之基板支持部120之移動方向被移動位置限制滑動面116及收納部122之移動位置限制滑動面限制，於該狀態下，螺旋彈簧140藉由施加至基板支持部120之負載而壓縮從而螺旋長度縮小，如圖6中箭頭D所示，基板支持部120朝圖6之左方向移動。
藉由該基板支持部120之移動，可緩和由施加至基板支持部120之負載所引起之對玻璃基板11之周緣端面部11b之反作用力、及對玻璃基板11之周緣端面部11b之衝擊。
基板導件100之抵接部112與支持凸部19以能夠夾持並保持玻璃基板11之方式配置於彼此對向之位置。支持凸部19以與基板導件100之抵接部112之中心位置對應之方式配置。
再者，支持凸部19亦可配置於成為未設置基板導件100之位置之保持部13。特佳為將支持凸部19配置於成為滾輪16之兩側之位置。
又，基板導件100之支持平面部121於防附著板15之法線方向上，可配置於與滾輪16之外周大致相同之位置。
進而，基板導件100之支持平面部121於防附著板15之法線方向上，可配置於較滾輪16之外周更靠防附著板15之開口部15a之稍外側之位置。於該情形時，基板導件100之傾斜面123a之傾斜方向上之特定位置於防附著板15之法線方向上，可配置於與滾輪16之外周大致相同之位置。
其次，對在本實施形態之成膜裝置1中藉由保持裝置10保持有玻璃基板11之狀態下之對玻璃基板11之成膜進行說明。
首先，對成膜室4內執行之成膜步驟進行說明。
自氣體導入部8對成膜室4供給濺鍍氣體與反應氣體，自外部之電源7對背襯板6(陰極電極)施加濺鍍電壓。於成膜室4內藉由電漿激發之濺鍍氣體之離子與背襯板6之靶碰撞而使成膜材料之粒子飛出。然後，飛出之粒子與反應氣體結合之後，藉由粒子附著於玻璃基板11而於玻璃基板11之正面形成特定之膜。如本實施形態般，對於往復式反應性濺鍍裝置(成膜裝置1)，亦可構成為藉由驅動保持裝置10而使所保持之玻璃基板11相對於背襯板6相對移動。
其次，對玻璃基板11之成膜前之步驟、尤其使搬入至成膜裝置1內之玻璃基板11對準之步驟進行說明。
自成膜裝置1之外部搬入至內部之玻璃基板11首先載置於裝載/卸載室2內之定位構件2a。此時，玻璃基板11於定位構件2a上對準於特定位置。
其次，將載置於裝載/卸載室2之定位構件2a之玻璃基板11利用搬送裝置3a(搬送機器人)之機械手支持，並自裝載/卸載室2取出。然後，玻璃基板11經由搬送室3而朝成膜室4搬送。
於成膜室4中，如圖3所示，保持裝置10成為藉由驅動裝置30而使防附著板15與保持部13分離之狀態(準備位置)。
於該狀態下，到達成膜室4之玻璃基板11藉由搬送裝置3a(搬送機器人)而載置於保持裝置10之保持部13上。
首先，藉由搬送裝置3a(搬送機器人)而被支持為與防附著板15及保持部13大致平行狀態之玻璃基板11如圖4中箭頭A所示，沿保持部13沿著水平方向插入至彼此分離之保持部13與防附著板15之間。其後，玻璃基板11到達圖4中虛線所示之位置。
此時，保持部13之面上之玻璃基板11之X方向及Y方向之位置(面內位置)設定為藉由定位構件2a及搬送裝置3a(搬送機器人)之移動而規定之狀態。然而，於該狀態下，於X方向及Y方向之位置上有可能產生數毫米左右之偏移。
其次，玻璃基板11藉由使搬送裝置3a(搬送機器人)之機械手接近於保持部13而如圖4中箭頭B所示，玻璃基板11下降至玻璃基板11之周緣部(緣部11E)之反面11L抵接於複數個支持凸部19之位置為止。
此時，伴隨玻璃基板11之移動，玻璃基板11之周緣端面部11b抵接於接近之滾輪16。玻璃基板11之周緣端面部11b所抵接之滾輪16藉由移動之玻璃基板11之動作而旋轉，使玻璃基板11於X方向及Y方向之位置對準。
如上所述，複數個滾輪16設置於保持部13之直線部13X、13Y上。因此，當玻璃基板11載置於保持部13上時，於矩形之玻璃基板11之外形輪廓之各邊之兩端位置、亦即靠近矩形之玻璃基板11之角部之位置配置有複數個滾輪16。因此，可準確地規定設置於彼此對向之直線部之滾輪16之間所配置的玻璃基板11之位置。亦即，可準確地規定設置於彼此對向之2個直線部13X之滾輪16之間所配置的玻璃基板11之位置。又，可準確地規定設置於彼此對向之2個直線部13Y之滾輪16之間所配置的玻璃基板11之位置。
同時，藉由設置於彼此正交之直線部13X、13Y之滾輪16而可準確地規定X方向及Y方向之玻璃基板11之位置。
藉此，載置於保持部13上之玻璃基板11成為以僅抵接於複數個支持凸部19及複數個滾輪16之狀態於保持部13上準確地定位的狀態。
其次，藉由驅動裝置30，如圖6中箭頭G所示，使防附著板15朝保持部13下降並接近。
此時，玻璃基板11之周緣端面部11b抵接於接近之基板導件100之基板支持部120上所設置之傾斜面123a及支持平面部121。周緣端面部11b抵接於支持平面部121之玻璃基板11相對於防附著板15保持於成膜處理中所需之位置。
傾斜面123a以自支持平面部121朝開口部15a擴大之方向傾斜之方式形成。因此，如圖6中箭頭D所示，將抵接於傾斜面123a之周緣端面部11b朝支持平面部121導引，進行玻璃基板11之最終位置設定。
防附著板15之下降於玻璃基板11之正面11a抵接於抵接部112之位置結束。
藉由防附著板15之移動停止，而如圖5所示，由抵接部112與支持凸部19夾持玻璃基板11之正面11a及反面11L。於該狀態下，玻璃基板11配置於成膜處理位置，且保持於保持裝置10，而對準結束。
其後，配置於成膜處理位置且保持於保持裝置10之玻璃基板11以玻璃基板11之正面11a與背襯板6之表面大致平行之狀態保持，而進行上述成膜步驟。
再者，於玻璃基板11已對準之狀態下，於防附著板15成為最接近於保持部13之位置時，如圖5所示，與防附著板15對向之滾輪16之部分成為位於防附著板15之凹部15c內之狀態，滾輪16不與防附著板15接觸。
成膜處理結束後之玻璃基板11係自藉由驅動裝置30而上升之防附著板15與保持部13之間，藉由搬送裝置3a(搬送機器人)而朝與圖6之箭頭A相反之方向取出，最終經由搬送室3自裝載/卸載室2搬出至外部。再者，於其他腔室中，亦能夠進行其他處理。
根據本實施形態之成膜裝置1，可不使用如圖7所示之夾具K而準確地進行玻璃基板11之對準。再者，如圖7中虛線所示，夾具K係藉由旋動動作而進行玻璃基板11之對準之構件。於該情形時，有因具備夾具K之構造而於成膜空間即處理室4內配置可動構件，從而導致發生顆粒產生之不良情況之虞。
相對於此，於成膜裝置1中，能夠使因具備夾具K之構造而發生之顆粒產生之不良情況幾乎消失。
圖7中，該夾具K係夾持基板W之外周部分並將基板W保持於載置部52上之構件。
又，於成膜處理後將附著有多餘之成膜材料之防附著板150自處理室4卸下而更換基板W時，於具有夾具K之構造中，需要打破處理室4之密閉而釋放空氣。
相對於此，本實施形態之保持裝置10中，能夠藉由搬送裝置3a(搬送機器人)取出處理後之防附著板15，無須將處理室4釋放空氣。
又，根據本實施形態之成膜裝置1，如圖5所示，藉由能夠旋轉之滾輪16抵接於玻璃基板11之周緣端面部11b而可進行玻璃基板11之對準。因此，不會對玻璃基板11之周緣端面部11b施加不必要之衝擊、負載。藉此，能夠極大地降低玻璃基板11中之裂紋、缺損之產生。
同時，可藉由在玻璃基板11被施力之狀態下能夠使玻璃基板11移動之具有基板支持部120之基板導件100保持玻璃基板11之周緣端面部11b。因此，不會對玻璃基板11之周緣端面部11b施加不必要之衝擊、負載。藉此，能夠極大地降低玻璃基板11中之裂紋、缺損之產生。
而且，於玻璃基板11抵接於基板導件100時，玻璃基板11已為藉由滾輪16而對準之狀態。因此，若設置傾斜面123a，則可形成對準之玻璃基板11中幾乎不會產生裂紋、缺損之狀態。
又，根據本實施形態之成膜裝置1，由於未設置如圖7所示之夾具K，故能夠縮短玻璃基板11之被處理面11a、與防附著板15之開口部15a之距離，而使防附著板15與玻璃基板11之間隙減少。
同時，根據本實施形態之成膜裝置1，由於未設置如圖7所示之夾具K，故於對準時，可減少與玻璃基板11之被處理面11a接觸之面積，而將於被處理面11a上產生劃痕等之可能性幾乎完全消除。
以下，根據圖式說明本發明之第2實施形態之成膜裝置。
圖8係表示本實施形態之成膜裝置之保持裝置之立體圖，第2實施形態於關於滾輪配置之方面，與上述第1實施形態不同。於圖8中，對與第1實施形態相同之構件標註相同符號，並省略或簡化其說明。
於本實施形態之保持裝置10中，如圖8所示，滾輪16與基板導件100同樣地配置於防附著板15。
於本實施形態之保持裝置10中，如圖8所示，可將滾輪16與基板導件100鄰接地配置於防附著板15之角部C之附近。
根據本實施形態，可發揮與上述第1實施形態相同之效果。
再者，於該情形時，滾輪16與基板導件100之配置及設置數量亦可與第1實施形態相同。
對本發明之較佳之實施形態進行說明，雖藉由上述實施形態進行了說明，但應理解該等僅為本發明之例示性者，不應考慮為限定者。可不脫離本發明之範圍而進行追加、省略、置換、及其他變更。因此，本發明不應看作由上述說明限定，而是由申請專利範圍限制。
[產業上之可利用性] 作為本發明之應用例，可列舉濺鍍裝置、CVD裝置等。
1‧‧‧成膜裝置(濺鍍裝置)2‧‧‧裝載/卸載室(腔室)2a‧‧‧定位構件2b‧‧‧粗抽排氣裝置3‧‧‧搬送室(腔室)3a‧‧‧搬送裝置(搬送機器人)4‧‧‧成膜室(腔室、處理室)6‧‧‧背襯板(陰極電極)7‧‧‧電源8‧‧‧氣體導入部9‧‧‧高真空排氣裝置10‧‧‧保持裝置11‧‧‧玻璃基板(被處理基板)11a‧‧‧被處理面11a‧‧‧被處理面(正面)11a‧‧‧正面11b‧‧‧周緣端面部11E‧‧‧緣部11L‧‧‧反面11Va‧‧‧平面11VL‧‧‧平面13‧‧‧保持部13X‧‧‧直線部13Y‧‧‧直線部15‧‧‧防附著板15a‧‧‧開口部15b‧‧‧傾斜部15c‧‧‧凹部15L‧‧‧反面側16‧‧‧滾輪(位置設定部)16a‧‧‧旋轉軸線16F‧‧‧旋轉曲面19‧‧‧支持凸部19T‧‧‧前端30‧‧‧驅動裝置52‧‧‧載置部100‧‧‧基板導件(支持構件)110‧‧‧基座110a‧‧‧背面111‧‧‧內部空間111a‧‧‧開口111b‧‧‧開口112‧‧‧抵接部113‧‧‧上槽116‧‧‧移動位置限制滑動面120‧‧‧基板支持部121‧‧‧支持平面部122‧‧‧收納部123‧‧‧載置部123a‧‧‧傾斜面124‧‧‧收納凹部140‧‧‧螺旋彈簧(賦能構件)150‧‧‧防附著板A‧‧‧箭頭B‧‧‧箭頭C‧‧‧角部D‧‧‧箭頭G‧‧‧箭頭K‧‧‧夾具L‧‧‧剖面R‧‧‧區域TL‧‧‧切線W‧‧‧基板
圖1係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之模式俯視圖。 圖2係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之裝載/卸載室之模式側視圖。 圖3係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之成膜室之模式側視圖。 圖4係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之保持裝置之立體圖。 圖5係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之保持裝置之圖，其係沿著圖4之Ⅴ-Ⅴ線之剖視圖，且係表示於防附著板與保持部之間夾持有玻璃基板之狀態之圖。 圖6係表示本發明之第1實施形態之成膜裝置之保持裝置之圖，其係沿著圖4之Ⅵ-Ⅵ線之剖視圖，且係表示於防附著板與保持部之間夾持有玻璃基板之狀態之圖。 圖7係說明先前之成膜裝置之夾具之剖視圖。 圖8係表示本發明之第2實施形態之成膜裝置之保持裝置之立體圖。
10‧‧‧保持裝置
11‧‧‧玻璃基板(被處理基板)
13‧‧‧保持部
13X‧‧‧直線部
13Y‧‧‧直線部
15‧‧‧防附著板
15a‧‧‧開口部
15b‧‧‧傾斜部
16‧‧‧滾輪(位置設定部)
16F‧‧‧旋轉曲面
19‧‧‧支持凸部
100‧‧‧基板導件(支持構件)
TL‧‧‧切線
A‧‧‧箭頭
B‧‧‧箭頭
C‧‧‧角部

Claims (8)

  1. 一種成膜裝置，其係於被處理基板上進行成膜者，且具備：供給裝置，其配置於能夠真空排氣之腔室內，供給成膜材料；及保持裝置，其於成膜時保持上述被處理基板；上述保持裝置具有：防附著板，其覆蓋上述保持裝置中之上述成膜材料會附著之區域；保持部，其保持上述被處理基板；及位置設定部，其於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時設定上述被處理基板之位置；且於上述保持裝置中，上述位置設定部設置於與位於彼此相反之位置之上述被處理基板之緣部之各者抵接的位置；上述位置設定部具有抵接於上述被處理基板之周緣端面部之滾輪。
  2. 如請求項1之成膜裝置，其中於上述腔室之外側設置驅動裝置，該驅動裝置係於上述防附著板與上述保持部夾持並保持上述被處理基板時，使上述防附著板與上述保持部彼此分離及接近。
  3. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述滾輪設置於上述防附著板。
  4. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述滾輪設置於上述保持部。
  5. 如請求項1之成膜裝置，其中上述保持裝置具有抵接於上述被處理基 板之周緣端面部之支持構件。
  6. 如請求項5之成膜裝置，其中上述支持構件設置於上述防附著板。
  7. 如請求項5或6之成膜裝置，其中上述支持構件具有與上述被處理基板之至少周緣端面部相接之基板支持部，上述基板支持部於沿著上述被處理基板之表面之方向上能夠於上述周緣端面部之法線方向上移動，並且朝上述被處理基板之中心施力。
  8. 如請求項1之成膜裝置，其中上述保持部具備朝上述被處理基板之反面突出之複數個支持凸部；且於上述被處理基板之上述反面藉由上述複數個支持凸部而被支持時，上述滾輪抵接於上述被處理基板之上述周緣端面部。
TW107122308A 2017-06-29 2018-06-28 成膜裝置 TWI684659B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017127092 2017-06-29
JP2017-127092 2017-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201907034A TW201907034A (zh) 2019-02-16
TWI684659B true TWI684659B (zh) 2020-02-11

Family

ID=64742421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107122308A TWI684659B (zh) 2017-06-29 2018-06-28 成膜裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11842887B2 (zh)
JP (1) JP6602495B2 (zh)
KR (1) KR102156038B1 (zh)
CN (1) CN109563616B (zh)
TW (1) TWI684659B (zh)
WO (1) WO2019004359A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11554383B2 (en) * 2020-02-17 2023-01-17 Airbus Operations Gmbh System for lacquer transfer

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000336476A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Fujitsu Ltd ガラス基板のスパッタリング方法及びスパッタリング装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS539150B1 (zh) 1970-12-30 1978-04-04
JPS61236138A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Hitachi Ltd 真空処理装置
JPH04348515A (ja) * 1991-05-27 1992-12-03 Nec Corp ウェーハ保持機構
JPH06252245A (ja) * 1993-02-26 1994-09-09 Tokyo Electron Yamanashi Kk 真空処理装置
JP4104028B2 (ja) * 1997-07-08 2008-06-18 松下電器産業株式会社 スパッタリング装置
JPH11145082A (ja) * 1997-10-24 1999-05-28 Lsi Logic Corp スパッタリング装置における点接触型クランプ
US6126382A (en) * 1997-11-26 2000-10-03 Novellus Systems, Inc. Apparatus for aligning substrate to chuck in processing chamber
US6168668B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
US6277198B1 (en) * 1999-06-04 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Use of tapered shadow clamp ring to provide improved physical vapor deposition system
KR20030034711A (ko) * 2001-10-26 2003-05-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반도체 장치의 제조 장비
JP2005077845A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Hoya Corp スパッタリング装置、薄膜付き基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法
JP2006086238A (ja) * 2004-09-15 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd ワークの位置決め方法および装置
JP4887630B2 (ja) * 2005-02-24 2012-02-29 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の位置決め装置及び端面研削装置
US20060207508A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Applied Materials, Inc. Film deposition using a spring loaded contact finger type shadow frame
US20110195562A1 (en) 2008-10-16 2011-08-11 Ulvac, Inc. Sputtering Apparatus, Thin-Film Forming Method, and Manufacturing Method for a Field Effect Transistor
US20110209989A1 (en) * 2010-02-26 2011-09-01 Youming Li Physical vapor deposition with insulated clamp
JP5639431B2 (ja) * 2010-09-30 2014-12-10 キヤノントッキ株式会社 成膜装置
CN201883141U (zh) * 2010-12-03 2011-06-29 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜沉积设备和防着板
KR20170104160A (ko) 2011-04-26 2017-09-14 가부시키가이샤 아루박 캐소드 유닛
KR20120134368A (ko) * 2011-06-02 2012-12-12 엘아이지에이디피 주식회사 기판 척킹 디척킹 장치
WO2015125241A1 (ja) * 2014-02-19 2015-08-27 堺ディスプレイプロダクト株式会社 スパッタリング装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000336476A (ja) * 1999-05-28 2000-12-05 Fujitsu Ltd ガラス基板のスパッタリング方法及びスパッタリング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019004359A1 (ja) 2019-06-27
KR102156038B1 (ko) 2020-09-15
US11842887B2 (en) 2023-12-12
WO2019004359A1 (ja) 2019-01-03
US20210296097A1 (en) 2021-09-23
TW201907034A (zh) 2019-02-16
CN109563616A (zh) 2019-04-02
JP6602495B2 (ja) 2019-11-06
KR20190022768A (ko) 2019-03-06
CN109563616B (zh) 2021-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6827788B2 (en) Substrate processing device and through-chamber
US20180233328A1 (en) Vacuum processing apparatus and maintenance apparatus
KR100639071B1 (ko) 박막 작성 시스템
TWI705152B (zh) 基板處理裝置、支持銷
US11473188B2 (en) Sputtering apparatus
JPWO2011074274A1 (ja) 基板ホルダ対、基板ホルダ、基板接合装置およびデバイスの製造方法
KR101063127B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI684659B (zh) 成膜裝置
US20070138009A1 (en) Sputtering apparatus
TW201923129A (zh) 濺鍍裝置
KR102153644B1 (ko) 성막 장치, 마스크 프레임, 얼라인먼트 방법
JP4839097B2 (ja) 真空装置
CN117587369A (zh) 基板处理装置
US20220319819A1 (en) Substrate processing system and substrate processing method
CN117594516A (zh) 基板处理装置和夹持机构
KR101914771B1 (ko) 막 증착 방법
CN112750746A (zh) 基板保持单元、基板保持构件、基板保持装置及基板处理装置
TW202217031A (zh) 濺鍍裝置
JP2023084397A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2004277798A (ja) 成膜処理装置および成膜処理方法
TWM590156U (zh) 用於施加薄膜塗層的真空裝置
JP2002244094A (ja) 面処理装置