JPS61236138A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS61236138A JPS61236138A JP7657285A JP7657285A JPS61236138A JP S61236138 A JPS61236138 A JP S61236138A JP 7657285 A JP7657285 A JP 7657285A JP 7657285 A JP7657285 A JP 7657285A JP S61236138 A JPS61236138 A JP S61236138A
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- JP
- Japan
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- weight
- sample
- electrode
- aligning arms
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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-
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空処理装置に係り、特に試料の保持機構に好
適な真空処理＊ｌｔに関するものである。
適な真空処理＊ｌｔに関するものである。
従来の装置は、米国特許第２６０６６８号明細書に記載
のよう−こ、ウェハな機械的に押し付ける機能を有して
いたが、ウニへの中心−こ自動的に調芯して押し付ける
という点については配慮さｊていないため、ウェハの外
周をかなり広範囲にわたって押し付けなけｎばなちず、
ウニＪ１の歩留りが悪くなるという問題があった。
のよう−こ、ウェハな機械的に押し付ける機能を有して
いたが、ウニへの中心−こ自動的に調芯して押し付ける
という点については配慮さｊていないため、ウェハの外
周をかなり広範囲にわたって押し付けなけｎばなちず、
ウニＪ１の歩留りが悪くなるという問題があった。
本発明の目的は、試料の押えを自動調芯させ、より少な
い面積で試料を押え付けて、試料の歩留りを向上させる
ことのできる真空処理装置を提供することにある。
い面積で試料を押え付けて、試料の歩留りを向上させる
ことのできる真空処理装置を提供することにある。
本発明は、真空容器内で試料を設置し往復動する試料台
と、前記試料台の試料設置側にあって前記試料を押え保
持するウェイトと、前記試料＠にピンを介して設けられ
前記試料台の動ｔｔに争わせ前記ウェイトと当接する調
芯アームと、前記真空容器内に設けられ、＠記試料台の
動とにより当接する案内手段と、前記調芯アームを定位
１１ｃ復元する弾性体とを具備したことを特徴とし、試
料の押えを自動調芯させ、より少ない面積で試料を押え
付けて、試料の歩留りを向上させることのできるもので
ある。
と、前記試料台の試料設置側にあって前記試料を押え保
持するウェイトと、前記試料＠にピンを介して設けられ
前記試料台の動ｔｔに争わせ前記ウェイトと当接する調
芯アームと、前記真空容器内に設けられ、＠記試料台の
動とにより当接する案内手段と、前記調芯アームを定位
１１ｃ復元する弾性体とを具備したことを特徴とし、試
料の押えを自動調芯させ、より少ない面積で試料を押え
付けて、試料の歩留りを向上させることのできるもので
ある。
以下５本発明の一実施例を第１図から第３図により説明
する。
する。
第１図は真空処理装置例えばプラズマ処理装置の停止状
態を示す。】は試料例えば基板２が載置さｎ、上下に移
動可能な試料台例えば電極で、３は劃１が上ってくると
電極】に載置した基板２心当たり基板２を重さで押え付
けるウェイトで、４は電極】の下部に取り付けＰ−Ｉｒ
またブラケット７にピン５を介して回動可能に取り付け
ろｒた調芯アームで、６は調芯アームｔこ掛かり調芯ア
ームを定位置に復元する弾性体例えばばねで％８はプラ
ズマ処理装置の処理室である真空容器９に−取り付けら
ｒ電極の移動により調芯アーム６に当接する案内手段例
えばローラである。
態を示す。】は試料例えば基板２が載置さｎ、上下に移
動可能な試料台例えば電極で、３は劃１が上ってくると
電極】に載置した基板２心当たり基板２を重さで押え付
けるウェイトで、４は電極】の下部に取り付けＰ−Ｉｒ
またブラケット７にピン５を介して回動可能に取り付け
ろｒた調芯アームで、６は調芯アームｔこ掛かり調芯ア
ームを定位置に復元する弾性体例えばばねで％８はプラ
ズマ処理装置の処理室である真空容器９に−取り付けら
ｒ電極の移動により調芯アーム６に当接する案内手段例
えばローラである。
上記構成により、電極】は下がった位置にあり、電極１
の中心にハンドリング装置（図示省略）によって基板２
が載置さｒ、ており、調芯アーム４はビン５を中心にし
て、下部なばね６によって押さｎ、上部の先端が縮まる
方向ｔこ傾けちｊている。調芯アーム４はばね６＃こよ
って先端が縮めらｒる方向會こ押さｒているが、あまり
上部が縮まる方向に動かない様−こスト・ソバ４ａがビ
ン５よりも土に設けてあり、ブラケット７に当って止ま
る。また調芯アーム４のピン５よ０も下側に傾斜部４ｂ
が設けてあり、ローラ８の下方に位置する。この状態に
おいて、劃１が上昇していく。ます調芯アーム４の先端
がウェイト３の内側凹部にはまり込む。
の中心にハンドリング装置（図示省略）によって基板２
が載置さｒ、ており、調芯アーム４はビン５を中心にし
て、下部なばね６によって押さｎ、上部の先端が縮まる
方向ｔこ傾けちｊている。調芯アーム４はばね６＃こよ
って先端が縮めらｒる方向會こ押さｒているが、あまり
上部が縮まる方向に動かない様−こスト・ソバ４ａがビ
ン５よりも土に設けてあり、ブラケット７に当って止ま
る。また調芯アーム４のピン５よ０も下側に傾斜部４ｂ
が設けてあり、ローラ８の下方に位置する。この状態に
おいて、劃１が上昇していく。ます調芯アーム４の先端
がウェイト３の内側凹部にはまり込む。
さらに電′ｌｋ１が上昇し続けると、調芯アーム４の傾
斜部４ｂがローラ８と接触し、ローラ８に：よって傾斜
部４ｂが除々に押えつけらｒ２％ピン５を中心ｔＣ＠芯
アーム４の先端が除々に押し広げら１で。
斜部４ｂがローラ８と接触し、ローラ８に：よって傾斜
部４ｂが除々に押えつけらｒ２％ピン５を中心ｔＣ＠芯
アーム４の先端が除々に押し広げら１で。
ウェイト３の内側の径ｄの壁面を押し広げる方向ニ力が
加わり、ウェイト３が調芯アームによって動かさｒる。
加わり、ウェイト３が調芯アームによって動かさｒる。
ローラ８と調芯アーム４とは同数あり、電極】の中心を
同心としてローラ８および調芯アーム４が少なくとも３
組以上円周に調けらｊている。調芯アーム４の傾斜部４
ｂは、第３図に示すようにローラ８と接触した時に調芯
アーム４の先端がウェイト３の内側凹部の内径ｄよりや
や太い径りとなるよ５にしておく。または、ローラ８の
位置を調整して調芯アーム４の傾斜部４ａとの当り量を
調整しても良い。調芯アーム４の傾斜部４ａの頂点がロ
ーラ８部を通過する時に、ウェイト３の中心が基板２の
中心に甘う。調芯アーム４の先端は、実際にはウェイト
３の凹部内径ｄより広がらないので、ローラ８が傾斜部
４ｂを越せないことになるが、調芯アーム４がたわむの
で、ローラ８は傾斜部４ｂを通り過ぎることができる。
同心としてローラ８および調芯アーム４が少なくとも３
組以上円周に調けらｊている。調芯アーム４の傾斜部４
ｂは、第３図に示すようにローラ８と接触した時に調芯
アーム４の先端がウェイト３の内側凹部の内径ｄよりや
や太い径りとなるよ５にしておく。または、ローラ８の
位置を調整して調芯アーム４の傾斜部４ａとの当り量を
調整しても良い。調芯アーム４の傾斜部４ａの頂点がロ
ーラ８部を通過する時に、ウェイト３の中心が基板２の
中心に甘う。調芯アーム４の先端は、実際にはウェイト
３の凹部内径ｄより広がらないので、ローラ８が傾斜部
４ｂを越せないことになるが、調芯アーム４がたわむの
で、ローラ８は傾斜部４ｂを通り過ぎることができる。
第２図は、電極３が上がりきってプラズマ処理装置の運
転開始準備完了の状態を示す。電極】が。
転開始準備完了の状態を示す。電極】が。
調芯アーム４の傾斜部４ｂとローラ８とが接触している
状態よりもさらりこ上昇すると、ローラ８が傾斜部４ｂ
を通り過ぎて、調芯アーム４から外ｊ。
状態よりもさらりこ上昇すると、ローラ８が傾斜部４ｂ
を通り過ぎて、調芯アーム４から外ｊ。
調芯アーム４のウェイト３を押し付けている力が除かｎ
、基板２＃ｃはウェイト３の重さのみで押え付けられる
。この状態で基板２＃こ処理が施こさ１、処理が終わる
と、訂記動作の逆動作をしながら電極】が下降する。
、基板２＃ｃはウェイト３の重さのみで押え付けられる
。この状態で基板２＃こ処理が施こさ１、処理が終わる
と、訂記動作の逆動作をしながら電極】が下降する。
以上、太実施例によｎば劃１を上下動させることにより
、調芯アーム４が作動してウェイト３を電極】の中心に
一含わせらｒ、電極１の中心に載置さｊた基板２の中心
かちずｒることかないので、基板２の外周を最小面積で
押えることかでｒる。
、調芯アーム４が作動してウェイト３を電極】の中心に
一含わせらｒ、電極１の中心に載置さｊた基板２の中心
かちずｒることかないので、基板２の外周を最小面積で
押えることかでｒる。
本発明によｒば、試料台を往復動させることで、試料の
押えをするウェイトを自動調芯させることができるので
、より少ない面積で試料を押え付けて、試料の歩留りを
向上させることができる七いう効果がある。
押えをするウェイトを自動調芯させることができるので
、より少ない面積で試料を押え付けて、試料の歩留りを
向上させることができる七いう効果がある。
第１図および第２図は本発明の一実施例であるプラズマ
処理装置を示す断面図、第３図は第２図のＡ部の詳細図
である。 １・・・・・・電極、３・・・・・・ウェイト、４・・
・・・・調芯アーム％８・・・・・・ローラ オｌ圀 ／−−−−−−−’ｆ！極 ３−−−−−一ウエイト ４−一一一調、ｖＴ−ム ８・−−−−一ローラ 第３図
処理装置を示す断面図、第３図は第２図のＡ部の詳細図
である。 １・・・・・・電極、３・・・・・・ウェイト、４・・
・・・・調芯アーム％８・・・・・・ローラ オｌ圀 ／−−−−−−−’ｆ！極 ３−−−−−一ウエイト ４−一一一調、ｖＴ−ム ８・−−−−一ローラ 第３図
Claims (1)
- １、真空容器内で試料を設置し往復動する試料台と、前
記試料台の試料設置側にあつて前記試料を押え保持する
ウェイトと、前記試料台にピンを介して設けられ前記試
料台の動きに合わせ前記ウェイトと当接する調芯アーム
と、前記真空容器内に設けられ前記試料台の動きにより
当接する案内手段と、前記調芯アームを定位置に復元す
る弾性体とを具備したことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7657285A JPS61236138A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7657285A JPS61236138A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236138A true JPS61236138A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13608951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7657285A Pending JPS61236138A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236138A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109563616A (zh) * | 2017-06-29 | 2019-04-02 | 株式会社爱发科 | 成膜装置 |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7657285A patent/JPS61236138A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109563616A (zh) * | 2017-06-29 | 2019-04-02 | 株式会社爱发科 | 成膜装置 |
| CN109563616B (zh) * | 2017-06-29 | 2021-07-23 | 株式会社爱发科 | 成膜装置 |
| US11842887B2 (en) | 2017-06-29 | 2023-12-12 | Ulvac, Inc. | Film formation apparatus |
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