CN201883141U - 一种薄膜沉积设备和防着板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种薄膜沉积设备和防着板，涉及薄膜沉积技术领域，为能够有效避免发生放电现象而设计。本实用新型提供的一种薄膜沉积设备，包括成膜腔室，所述成膜腔室内设置有靶，与所述靶相邻的腔体壁上设置有防着板，所述防着板包括防着板本体，所述防着板本体靠近所述靶的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面，且所述阶梯部的所述底面与所述靶相对设置。本实用新型可用于薄膜沉积设备中。
Description
技术领域
本实用新型涉及薄膜沉积技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积设备和防着板。
背景技术
在TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)的制作过程中，通常采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)工艺沉积ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)薄膜。PVD制备ITO薄膜的原理是，利用一定能量的离子轰击出靶材原子，并使轰击出来的靶材原子具有一定的动能转移至玻璃衬底上沉积进而形成薄膜。然而，轰击出来的原子不仅仅沉积玻璃衬底上，还会沉积在PVD设备的成膜腔室的其他非镀膜区域。
为了避免污染成膜腔室内部的除玻璃衬底之外的非镀膜区域，如图1所示，在PVD设备的成膜腔室1内，采用防着板2将腔室内部的工作区域封闭起来，这样，工艺过程中，从靶3轰击出来的靶材原子沉积到镀膜区域4的衬底上而形成薄膜，而溅射到非镀膜区域的靶材原子就将粘附在防着板2与工作区域接触的表面上，不会污染腔室的非镀膜区域。
现有技术中，所采用的防着板通常为平板状结构。在薄膜的沉积过程中，靶材原子溅射到防着板后，这些原子的动能将转化成热量，使防着板粘附靶材原子的上表面温度上升。如图2所示，工艺过程中，设置在靶3周围非镀膜区域的防着板2，其上表面的温度将不断升高，而由于靶3的背板处和腔体壁11上均设有冷却水管12，该防着板2的上表面和下表面将产生温差，该防着板2将产生形变。另外，该防着板2受热膨胀而受到腔体壁11的挤压，这样也会造成该防着板2的形变。形变将使该防着板2与靶3的背板之间的间距变小，易发生放电。放电将引起工作区域内异常杂质离子增多，严重影响成膜质量。而且，发生放电后，还需要停止运行设备，对该防着板进行清洗或更换，因此，将导致设备的架动率降低进而降低了生产效率。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于，提供一种薄膜沉积设备和防着板，能够有效避免发生放电现象。
为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种薄膜沉积设备，包括成膜腔室，所述成膜腔室内设置有靶，围绕所述靶的腔体壁上设置有防着板，所述防着板包括防着板本体，所述防着板本体靠近所述靶的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面，且所述阶梯部的所述底面与所述靶相对设置。
一种防着板，包括防着板本体，所述防着板本体的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面。
采用上述技术方案后，本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备和防着板，通过阶梯部增加了靶和防着板之间的距离，进行薄膜沉积的工艺过程中，有效避免了由于防着板的形变而与靶靠近或接触而产生的放电现象，进而，有效避免放电引起的异常杂质离子增多，保证了成膜质量。同时，有效避免了放电所导致设备运行的间断，提高了设备的架动率，进而有效提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中薄膜沉积设备的结构示意图；
图2为现有技术中薄膜沉积设备的防着板和靶的位置关系示意图；
图3为本实用新型实施例的薄膜沉积设备的防着板和靶的位置关系示意图；
图4为本实用新型实施例的薄膜沉积设备的防着板的剖面结构示意图；
图5为本实用新型实施例的薄膜沉积设备的防着板的另一种剖面结构示意图；
图6为本实用新型实施例的薄膜沉积设备的防着板的另一种剖面结构示意图；
图7为本实用新型实施例薄膜沉积设备的防着板的阶梯部的剖面结构示意图；
图8为本实用新型实施例的薄膜沉积设备的防着板的另一种剖面结构示意图。
附图标记：
1-成膜腔室，2-防着板，3-靶，4-镀膜区域，11-腔体壁，12-冷却水管，21-防着板主体，22-阶梯部，211-防着板主体底面，221-阶梯部底面，222-第一金属部，223-第二金属部。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型旨在提供一种薄膜沉积设备和防着板，能够有效避免发生放电现象。
如图3所示，本实用新型实施例提供了一种薄膜沉积设备，包括成膜腔室(图中未显示)，所述成膜腔室内设置有靶3，与靶3相邻的腔体壁11上设置有防着板2，其中，防着板的结构参见图4，防着板2包括防着板本体21，防着板本体21靠近靶3的一端设有阶梯部22，阶梯部22的底面221高于防着板本体21的底面211，且阶梯部22的底面221与靶3相对设置。需要指出的是，本实施例中，将防着板本体21和阶梯部22相对于腔体壁11的表面称为底面。
本实用新型实施例提供的薄膜沉积设备，通过阶梯部22增加了靶3和防着板2相对部分之间的距离。因此，进行薄膜沉积的工艺过程中，当防着板2受热和腔体壁11的挤压而发生形变时，由于靶3和防着板2相对部分之间的距离较大，能够有效避免防着板2与靶3之间的接近或接触，因此，能够有效避免两者之间产生放电现象，进而，有效避免了放电引起的异常杂质离子增多，保证了设备的成膜质量。同时，有效避免了放电所导致设备运行的间断，提高了设备的架动率，进而有效提高生产效率。
其中，如图4所示，阶梯部22的底面221高于防着板本体21的底面211的距离H不限，但不易过大，避免H过大使防着板2的高度高于靶3而影响靶材原子的正常溅射，以及避免H过大而露出阶梯部22下的腔体壁11，而无法对该部分腔体壁11进行有效保护。优选的，H为2至3毫米。
进一步的，作为本实施例的一种改进，防着板2与成膜工作区域接触的表面可进行提高粘附力的表面处理，即防着板本体21和阶梯部22相对于其底面的另一侧表面(上表面)进行了提高粘附力的表面处理。经过表面处理后，将提高防着板与成膜工作区域接触的表面的粘附力，减少颗粒或原子脱落，有效避免颗粒或原子的脱落对所沉积薄膜的影响，进一步保证所沉积薄膜的质量。其中，提高粘附力的表面处理可采用现有的表面处理方式，具体的，可为Al熔射处理，进行Al熔射处理后，能够增加防着板2与成膜工作区域接触的表面的表面积，提高粘附力。当然，提高粘附力的表面处理不限于Al熔射处理，还可以为其它处理方式，这里不做限定。
本实施例中的防着板2，阶梯部22的底面221高于防着板本体21的底面211，阶梯部22和防着板主体21的上表面位于相同的平面上，但本实用新型不限于此，防着板2的结构还可如图5所示，防着板本体21的一端设有阶梯部22，阶梯部22的底面221高于防着板本体21的底面211，阶梯部22的上表面高于防着板主体21的上表面。防着板2的结构还可如图6所示，防着板本体21的一端设有阶梯部22，阶梯部22的底面221高于防着板本体21的底面211，阶梯部22的上表面低于防着板主体21的上表面。
另外，由于防着板2用于封闭工作区域时，通常需要和其他防着板或者腔体壁相连接，因此，防着板2上还设置有卡扣或者螺孔等，用于和其他防着板或者腔体壁连接固定。通常，卡扣或螺孔设置于防着板本体21与设有阶梯部22的一端相对的另一端的边缘区域。
本实施例中，防着板2可为金属材质，具体材料不限。本实施例中，防着板2为Al或Ti材质。
进一步的，作为本实施例的一种改进，可使防着板2的阶梯部22为双金属结构。具体的，如图7所示，阶梯部22包括第一金属部222和第二金属部223，第一金属部222的膨胀系数小于第二金属部223的膨胀系数，例如，第一金属部为钛金属，第二金属部为铝金属，当然还可为其它金属，这里不做限定。其中，第一金属部222位于第二金属部223的上部，阶梯部22的底面221即为第二金属部223的底面。由于第一金属部222的膨胀系数小于第二金属部223的膨胀系数，阶梯部22受热后，将向膨胀系数小的第一金属部222的一侧方向弯曲，即阶梯部22向远离靶3的方向弯曲，进一步避免了工艺过程中靶3和防着板2的接近或接触，因此，有效避免靶3和防着板2之间产生放电现象。
如图8所示，可将两种不同膨胀系数的金属板焊接，上部的金属板膨胀系数小于下部金属板的膨胀系数，且下部的金属板设有阶梯结构，以形成具有双金属结构的阶梯部22的防着板2。当然，还可有其他形成方法，本实用新型对此不做限定。
本实施例提供的薄膜沉积设备可以为PVD设备，还可以为其他需要防着板封闭工作区域的薄膜沉积设备，这里不做限定。
相应的，本实用新型还提供了一种防着板，包括防着板本体，所述防着板本体的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面。
本实用新型实施例提供的防着板，主要用于PVD等薄膜沉积设备的成膜腔室内部，围绕薄膜沉积设备的靶设置，以保护与所述靶相邻的非镀膜区域的腔体壁，避免薄膜沉积的工艺过程中，轰击出来的原子沉积在该腔体壁而造成污染。
使用时，本实用新型实施例提供的防着板设有阶梯部一端与所述靶靠近，通过阶梯部增加了靶和防着板之间的距离，进行薄膜沉积的工艺过程中，有效避免了由于防着板的形变而与靶靠近或接触而产生的放电现象，进而，有效避免放电引起的异常杂质离子增多，保证了成膜质量。同时，有效避免了放电所导致设备运行的间断，提高了设备的架动率，进而有效提高生产效率。
其中，本实用新型实施例提供的防着板，可为本实用新型实施例的薄膜沉积设备中采用的防着板，前文已经进行了详细说明，具体请详见前文描述，这里不再赘述。
以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种薄膜沉积设备，包括成膜腔室，所述成膜腔室内设置有靶，与所述靶相邻的腔体壁上设置有防着板，其特征在于，所述防着板包括防着板本体，所述防着板本体靠近所述靶的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面，且所述阶梯部的所述底面与所述靶相对设置。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面的距离为2至3毫米。
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述防着板本体和所述阶梯部相对于其所述底面的另一侧表面进行了提高粘附力的表面处理。
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述提高粘附力的表面处理为铝熔射处理。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述阶梯部包括第一金属部和第二金属部，其中所述第一金属部位于所述第二金属部的上部，且所述第一金属部的膨胀系数小于所述第二金属部的膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述第一金属部为钛(Ti)金属部，所述第二金属部为铝(Al)金属部。
7.一种防着板，其特征在于，包括防着板本体，所述防着板本体的一端设有阶梯部，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面。
8.根据权利要求7所述的防着板，其特征在于，所述阶梯部的底面高于所述防着板本体的底面的距离为2至3毫米。
9.根据权利要求7所述的防着板，其特征在于，所述防着板本体和所述阶梯部相对于其所述底面的另一侧表面进行了提高粘附力的表面处理。
10.根据权利要求9所述的防着板，其特征在于，所述提高粘附力的表面处理为铝熔射处理。
11.根据权利要求7所述的防着板，其特征在于，所述阶梯部包括第一金属部和第二金属部，其中所述第一金属部位于所述第二金属部的上部，且所述第一金属部的膨胀系数小于所述第二金属部的膨胀系数。
12.根据权利要求11所述的防着板，其特征在于，所述第一金属部为钛(Ti)金属部，所述第二金属部为铝(Al)金属部。
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2010
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Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20150710 Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20150710 |
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