TWI682009B - 底漆組合物、接著方法、及電氣．電子零件 - Google Patents

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Abstract

本發明之底漆組合物至少包含(A)平均單元式：(R1 2SiO2/2)a(R2SiO3/2)b所示之有機矽氧烷嵌段共聚物，其中樹脂狀矽氧烷嵌段係藉由直鏈狀矽氧烷嵌段而連結，含有與矽原子鍵結之羥基或與矽原子鍵結之烷氧基0.5~35.0莫耳%(式中，R1及R2分別獨立地為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基，a為0.40~0.90之數，b為0.10~0.60之數，且a+b=1.00)；(B)硬化觸媒；及(C)有機溶劑。本發明之底漆組合物能夠提高聚矽氧硬化物對光半導體元件、封裝材料、基板等基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。

Description

底漆組合物、接著方法、及電氣‧電子零件
本發明係關於一種底漆組合物、使用該組合物之接著方法、及使用該組合物之電氣‧電子零件。
對於光半導體裝置(LED)等電氣‧電子零件，為了提高其可靠性，藉由聚矽氧硬化物將光半導體元件密封。為了形成該聚矽氧硬化物，使用有矽氫化反應硬化性聚矽氧組合物，但使該組合物硬化而獲得之聚矽氧硬化物對光半導體元件、封裝材料、基板等基材之接著性不充分。特別是表面褶皺少、灰塵等之附著少、高硬度之聚矽氧硬化物對基材之接著性不充分。
為了提高聚矽氧硬化物對基材之接著性，已知將上述基材藉由底漆組合物進行預處理。作為該底漆組合物，例如已知有包含丙烯酸系聚合物、矽烷醇縮合觸媒、及矽烷偶合劑之底漆組合物(參照專利文獻1)，包含具有環氧基及與矽原子鍵結之烷氧基之有機矽氧烷低聚物與有機溶劑之底漆組合物(參照專利文獻2)，包含矽烷偶合劑、路易士酸性之有機鋁化合物、及有機溶劑之底漆組合物(參照專利文獻3)。
但是，即便為該等底漆組合物，亦存在接著性不充分之問題。進而，亦存在因近年來之LED之小型化、或LED之伴隨高亮度化之發 熱量之增大而經受熱循環，於聚矽氧硬化物與基材之間容易產生剝離或龜裂之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-339450號公報
[專利文獻2]日本專利特開2006-253398號公報
[專利文獻3]日本專利特開2007-246803號公報
本發明之目的在於提供一種底漆組合物，其能夠提高聚矽氧硬化物對光半導體元件、封裝材料、基板等基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。又，本發明之其他目的在於提供一種接著方法，其能夠提高聚矽氧硬化物對上述基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。進而，本發明之其他目的在於提供一種電氣‧電子零件，其提高聚矽氧硬化物對上述基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。
本發明之底漆組合物至少包含：(A)平均單元式：(R1 2SiO2/2)a(R2SiO3/2)b
(式中，R1及R2分別獨立地為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基，a為0.40~0.90之數，b為0.10~0.60之數，且a+b=1.00)所示之有機矽氧烷嵌段共聚物，其中式：[R2SiO3/2]
(式中，R2與上述相同)所示之樹脂狀矽氧烷嵌段係藉由式：-(R1 2SiO2/2)n-
(式中，R1與上述相同，n為10~400之數)所示之直鏈狀矽氧烷嵌段而連結，含有與矽原子鍵結之羥基或與矽原子鍵結之烷氧基0.5~35.0莫耳%，於25℃下為固體狀，軟化點為200℃以下；(B)硬化觸媒(促進本組合物之硬化之量)；及(C)任意量之有機溶劑。
本發明之接著方法之特徵在於：將上述底漆組合物塗佈於基材上並去除有機溶劑後，於所獲得之底漆層上塗佈硬化性聚矽氧組合物並進行硬化。
本發明之電氣‧電子零件之特徵在於：包括電氣‧電子用基材、該基材上之底漆層、及該底漆層上之聚矽氧硬化物，且上述底漆層藉由上述底漆組合物而形成。
本發明之底漆組合物能夠提高聚矽氧硬化物對光半導體元件、封裝材料、基板等基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。又，本發明之接著方法能夠提高聚矽氧硬化物對上述基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。進而，本發明之電氣‧電子零件能夠提高聚矽氧硬化物對上述基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。
1‧‧‧光半導體元件
2‧‧‧基板
3‧‧‧電路
4‧‧‧電路
5‧‧‧接合線
6‧‧‧光反射材
7‧‧‧硬化性聚矽氧組合物之硬化物
圖1為作為本發明之電氣‧電子零件之一例之板上覆晶封裝(COB)型之光半導體裝置之剖視圖。
圖2為作為本發明之電氣‧電子零件之一例之其他板上覆晶封裝(COB)型之光半導體裝置之剖視圖。
[底漆組合物]
(A)成分之有機矽氧烷嵌段共聚物係由平均單元式：(R1 2SiO2/2)a(R2SiO3/2)b所示。
式中，R1及R2分別獨立地為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基。具體而言，可例示：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基、癸基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、苯基丙基等芳烷基。R1較佳為烷基及/或芳基，尤佳為甲基及/或苯基。R2較佳為芳基，尤佳為苯基。
式中，a為0.40~0.90之數，較佳為a為0.50~0.90之數、或0.60~0.90之數。式中，b為0.10~0.60之數，較佳為0.10~0.50之數、或0.10~0.40之數。再者，式中，a+b+c=1.00。
進而，(A)成分係式：[R2SiO3/2]所示之樹脂狀矽氧烷嵌段藉由式：-(R1 2SiO2/2)n-所示之直鏈狀矽氧烷嵌段而連結。
於式：[R2SiO3/2]所示之樹脂狀矽氧烷嵌段中，式中，R2為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基，可例示與上述相同之基。又，該樹脂狀矽氧烷嵌段之重量平均分子量並無限定，較佳為至少500。其 意指該樹脂狀矽氧烷嵌段包含至少3個以上之式：R2SiO3/2所示之三矽氧烷單元。再者，該重量平均分子量係源自作為原料之樹脂狀矽氧烷者，可藉由凝膠滲透層析法(GPC)對作為原料之樹脂狀矽氧烷進行測定。
又，於式：-(R1 2SiO2/2)n-所示之直鏈狀矽氧烷嵌段中，式中，R1分別獨立地為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基，可例示與上述相同之基。
(A)成分之有機矽氧烷嵌段共聚物包含二矽烷氧基[R1 2SiO2/2]單元及三矽烷氧基[R2SiO3/2]單元，進而含有0.5~35.0莫耳%、較佳為2~32莫耳%之與矽原子鍵結之羥基[≡SiOH]或與矽原子鍵結之烷氧基[≡SiOR]。作為該烷氧基，可例示：甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基等碳數1~4之烷氧基。該與矽原子鍵結之羥基或與矽原子鍵結之烷氧基存在於有機矽氧烷嵌段共聚物內之任意之矽烷氧基單元上，該與矽原子鍵結之羥基或與矽原子鍵結之烷氧基反應而可使本組合物硬化。
再者，(A)成分之有機矽氧烷嵌段共聚物中之二矽烷氧基[R1 2SiO2/2]單元及三矽烷氧基[R2SiO3/2]單元之莫耳分率、及有機矽氧烷嵌段共聚物中之與矽原子鍵結之羥基[≡SiOH]或與矽原子鍵結之烷氧基[≡SiOR]之含量可藉由29Si-核磁共振譜(NMR)而進行測定。
(A)成分於25℃下為固體狀，軟化點為200℃以下。軟化點之較佳上限為150℃以下、或100℃以下，另一方面，其較佳下限為30℃以上、或50℃以上。又，(A)成分之分子量並無限定，較佳為其重量平均分子量為20,000以上，較佳為40,000以上。
(A)成分之有機矽氧烷嵌段共聚物中，式： [R2SiO3/2]所示之樹脂狀矽氧烷嵌段係藉由式：-(R1 2SiO2/2)n-所示之直鏈狀矽氧烷嵌段而連結，上述樹脂狀矽氧烷嵌段進一步凝集而形成包含「硬」聚合物嵌段之「奈米區域」，故而該有機矽氧烷嵌段共聚物於室溫下成為固體狀。另一方面，相分離之直鏈狀矽氧烷嵌段形成「軟」聚合物嵌段，該相分離之「軟」聚合物嵌段與「硬」聚合物嵌段包含不同玻璃轉移溫度(Tg)之「軟」聚合物嵌段與「硬」聚合物嵌段，具體而言，「軟」聚合物嵌段具有未達25℃、未達0℃、或未達-20℃之更低之Tg，「硬」聚合物嵌段具有超過30℃、超過40℃、或超過50℃之更高之Tg。其結果，經由藉由本組合物而形成之底漆層而接著有光半導體元件、封裝材料、基板等基材之聚矽氧硬化物即便經受熱循環等，亦能夠藉由底漆層緩和應力而抑制上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂。
此種(A)成分之有機矽氧烷嵌段共聚物之製備方法並無限定，例如藉由日本專利特表2013-540169號公報或日本專利特表2013-544295號公報所記載之方法而製備。
(B)成分為用於促進本組合物之硬化之硬化觸媒，較佳為縮合反應觸媒。作為此種縮合反應觸媒，可例示：二月桂酸二丁基錫、二乙酸二丁基錫、辛烯酸錫、辛酸二丁基錫、月桂酸錫等有機錫化合物；鈦酸四丁酯、鈦酸四丙酯、二丁氧基雙(乙醯乙酸乙酯)等有機鈦化合物；鋯酸四丁酯、四(乙醯丙酮)鋯、鋯酸四異丁酯、丁氧基三(乙醯丙酮)鋯、環烷酸鋯、辛酸鋯、2-乙基己酸鋯等有機鋯化合物；三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁、三正丙基鋁、環烷酸鋁、硬脂酸鋁、辛酸鋁、苯甲酸鋁、乙醯乙酸乙基鋁二異丙酯、乙醯乙酸乙基鋁二異丁酸酯、三(乙醯乙酸乙酯)鋁、雙乙醯乙酸乙基鋁單乙醯丙酮酸 酯、三(乙醯丙酮)鋁等有機鋁化合物；1,8-二氮雙環[5,4,0]-十一-7-烯(DBU)、1,5,7-三氮雙環[4.4.0]十-5-烯(TBD)、1,4-二氮雙環[2.2.0]辛烷(DABCO)、1,1,3,3-四甲基胍(TMG)、1,5-二氮雙環[4.3.0]-5-壬烯(DBN)、7-甲基-1,5,7-三氮雙環[4.4.0]十-5-烯(MTBD)等含氮化合物；三苯基氧化膦等有機磷化合物；以及鹽酸、硫酸、十二烷基苯磺酸等酸性化合物；氨、氫氧化鈉等鹼性化合物，較佳為有機錫化合物、有機鈦化合物、含氮化合物、鹼性化合物。
(B)成分之含量為促進本組合物之硬化之量，具體而言，相對於(A)成分100質量份，較佳為0.005~0.5質量份之範圍內、或0.01~0.5質量份之範圍內。其原因在於，若(B)成分之含量為上述範圍之下限以上，則能夠使所獲得之組合物充分硬化，另一方面，其原因在於，若為上述範圍之上限以下，則無損使所獲得之組合物硬化而獲得之底漆層之機械特性或光學特性。
(C)成分之有機溶劑係用以將於25℃下為固體狀之(A)成分溶解，提高本組合物之塗佈性之成分。作為此種有機溶劑，可例示：正庚烷、正己烷、異辛烷、環戊烷、環己烷等脂肪族烴系溶劑；乙醇、丙醇、丁醇、環己醇等醇系溶劑；二乙醚、四氫呋喃、1,4-二响烷等醚系溶劑；丙酮、甲基異丁基酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；吡啶等芳香族雜環系溶劑。就能夠將(A)成分充分溶解而言，(C)成分較佳為包含芳香族烴系溶劑，又，就能夠將本組合物均勻地塗佈於基材而言，(C)成分較佳為芳香族烴系溶劑與脂肪族烴系溶劑之混合溶劑。
(C)成分之含量為考慮本組合物之塗佈作業性或乾燥作業性而可任意決定之量，具體而言，為本組合物整體之70質量%以上，較佳為成為70~99.9質量%之範圍內、或80~99.9質量%之範圍內之量。
本組合物中，亦可含有乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基 矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷等含烯基之矽烷偶合劑；3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基之矽烷偶合劑；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等含甲基丙烯醯基或丙烯醯基之矽烷偶合劑；3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-乙基胺基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等含胺基之矽烷偶合劑等作為其他任意成分。矽烷偶合劑之含量並無限定，較佳為成為本組合物整體之0.05~5質量%之範圍內、或0.1~2質量%之範圍內之量。
又，於本發明之底漆層上所接著之硬化性聚矽氧組合物為矽氫化反應硬化性之情形時，為了提高其硬化性及與本底漆層之接著性，亦可含有矽氫化反應用觸媒。作為此種矽氫化反應用觸媒，可例示：鉑系觸媒、銠系觸媒、鈀系觸媒，就能夠明顯促進本組合物之硬化而言，較佳為鉑系觸媒。作為該鉑系觸媒，可例示：鉑細粉末、氯鉑酸、氯鉑酸之醇溶液、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物、鉑-羰基錯合物，尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物。作為該烯基矽氧烷，可例示：1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷、該等烯基矽氧烷之甲基之一部分被乙基、苯基等取代之烯基矽氧烷、該等烯基矽氧烷之乙烯基被烯丙基、己烯基等取代之烯基矽氧烷。特別是，就該鉑-烯基矽氧烷錯合物之穩定性良好而言，較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。矽氫化反應用觸媒之含量較佳為相對於本組合物整體，金屬原子以質量單位計成為0.01~10,000ppm之範圍內之量。
[接著方法]
其次，對本發明之接著方法進行詳細說明。
本發明之接著方法中，首先將上述底漆組合物塗佈於基材上。
電氣‧電子用基材並無限定，例如可列舉：光半導體元件、封 裝材料、基板。又，基材之材質並無限定，例如可列舉：鋁、銅、鎳、氮化鋁等金屬材料；玻璃或藍寶石等金屬氧化物材料；醯亞胺樹脂、雙馬來醯亞胺-三綫樹脂、含玻璃纖維之環氧樹脂、酚醛紙樹脂、酚醛樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚碳酸酯樹脂、氟樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、液晶聚合物、聚醚碸樹脂、環烯烴樹脂、聚矽氧橡膠、聚矽氧樹脂等有機材料。
底漆組合物之塗佈量通常為30~100g/m2，較佳為10~50g/m2。其原因在於，若未達上述下限，則無法形成充分厚度之底漆層，無法達成牢固之接著。其原因在於，若超過上述上限，則底漆層變得過厚，而難以控制所接著之硬化性聚矽氧組合物之厚度。
作為底漆組合物之塗佈方法，可應用噴霧、刷塗、浸漬等先前公知之方法。去除有機溶劑之方法並無限定，可使用於室溫下放置而進行乾燥之方法、風吹乾燥之方法、藉由加熱使有機溶劑強制蒸發之方法、利用紅外線照射之乾燥等周知之方法。再者，於去除有機溶劑之過程中，可使底漆層硬化，亦可於其後之硬化性聚矽氧組合物之硬化時，同時硬化。
其次，於基材之底漆層上塗佈硬化性聚矽氧組合物並進行硬化。該硬化性聚矽氧組合物並無限定，較佳為矽氫化反應硬化性聚矽氧組合物。該矽氫化反應硬化性聚矽氧組合物例如至少包含：(I)一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷；(II)一分子中具有至少2個與矽原子鍵結之氫原子之有機聚矽氧烷；及(III)矽氫化反應用觸媒。
作為(I)成分中之烯基，可例示：乙烯基、烯丙基、丁烯基、戊 烯基、己烯基。又，作為(I)成分中之烯基以外之與矽原子鍵結之基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；環戊基、環己基等環烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、3-苯基丙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、九氟丁基乙基等鹵化烷基。
(I)成分之分子結構並無限定，例如可列舉：直鏈狀、環狀、一部分具有支鏈之直鏈狀、支鏈狀。又，(I)成分之黏度並無限定，較佳為於25℃下為20~100,000mPa‧s之範圍內、或100~10,000mPa‧s之範圍內。
作為(II)成分之氫原子以外之與矽原子鍵結之基，可例示：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；環戊基、環己基等環烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、3-苯基丙基等芳烷基；氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基、九氟丁基乙基等鹵化烷基。
(II)成分之分子結構並無限定，例如可列舉：直鏈狀、環狀、一部分具有支鏈之直鏈狀、支鏈狀。又，(II)成分之黏度並無限定，較佳為於25℃下為1~10,000mPa‧s之範圍內。
(II)成分之含量只要為對使上述硬化性聚矽氧組合物硬化而言充足之量即可，較佳為相對於(I)成分中之烯基1莫耳，(II)成分中之與矽原子鍵結之氫原子成為0.3~10莫耳之範圍內之量。
(III)成分為用於促進上述硬化性聚矽氧組合物之硬化之矽氫化反應用觸媒，可使用上述所說明之觸媒。
(III)成分之含量並無限定，為促進上述硬化性聚矽氧組合物之硬化之量，較佳為相對於上述硬化性聚矽氧組合物，鉑金屬以質量單位計成為1~1000ppm之範圍內之量、或5~100ppm之範圍內之量。
其次，於底漆層上使上述硬化性聚矽氧組合物硬化。使硬化性 聚矽氧組合物硬化之條件並無限定，亦可視需要進行加熱。
[電氣‧電子零件]
其次，對本發明之電氣‧電子零件進行詳細說明。
本發明之電氣‧電子零件之特徵在於：其係包括電氣‧電子用基材、該基材上之底漆層、及該底漆層上之聚矽氧硬化物者，且藉由上述底漆組合物而形成。作為該電氣‧電子零件，可例示光半導體裝置(LED)。
作為本發明之電氣‧電子零件之一例之光半導體裝置(LED)的剖視圖示於圖1及圖2。圖1表示作為本發明之光半導體裝置之一例之板上覆晶封裝(COB)型之光半導體裝置的剖視圖。圖1之COB型光半導體裝置中，光半導體元件1藉由黏晶而搭載於COB用之基板2，該光半導體元件1與電路3、4藉由接合線5而電性連接。又，於基板2上之光半導體元件1周圍，以高效率地反射自光半導體元件1發出之光之方式形成有光反射材6。
圖2表示作為本發明之光半導體裝置之一例之其他板上覆晶封裝(COB)型之光半導體裝置的剖視圖。圖2之COB型光半導體裝置中，光半導體元件1與COB用之基板2上之電路3、4藉由接合墊而電性連接。又，於基板2上之光半導體元件1周圍，以高效率地反射自光半導體元件1發出之光之方式形成有光反射材6。
於圖1及圖2之光半導體裝置中，基板2可為鋁或銅等金屬製基板，於該金屬製基板之表面經由絕緣層(未圖示)形成電路3、4。又，於使用非金屬製基板作為基板2之情形時，無需形成絕緣層。作為此種非金屬製基板，可例示：玻璃環氧基板、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)基板、聚醯亞胺基板、聚酯基板、氮化鋁基板、氮化硼基板、氮化矽基板、氧化鋁陶瓷基板、玻璃基板、軟性玻璃基板。進而，亦可使用包含具有絕緣樹脂層之鋁製基板或銅製基板之混合基板、或經 印刷配線之矽基板、碳化矽基板、藍寶石基板作為該基板2。
該電路3、4使用導電性較高之選自由銀、銅、及鋁所組成之群中之至少一種金屬、或包含選自由銀、銅、及鋁所組成之群中之至少一種之合金。電路3、4之表面形成有藉由上述底漆組合物而形成之底漆層(未圖示)。進而，於該基板2以露出搭載光半導體元件1之部分之方式，經由上述底漆層於電路3、4上形成光反射材6。
圖1及圖2中，光半導體元件1及光反射材6藉由密封材7而密封，亦可僅將光半導體元件1藉由密封材7而密封成圓頂形。再者，圖1及圖2中，光半導體元件1於基板2上僅圖示有1個，亦可於基板2上搭載複數個該光半導體元件1。
[實施例]
藉由實施例對本發明之底漆組合物、接著方法、及電氣‧電子零件進行詳細說明。實施例中，黏度為於25℃下之值，式中，Me、Ph、及Vi分別表示甲基、苯基、及乙烯基。又，以如下方式評價有機矽氧烷嵌段共聚物之軟化點、利用底漆組合物之接著性能。
[軟化點]
將有機矽氧烷嵌段共聚物成型為
Figure 105105532-A0305-02-0014-2
14mm×22mm之圓柱狀之錠狀，將該錠置於設定為25℃~100℃之加熱板上，以100克重之負載自上方持續按壓10秒鐘，卸除負載後，測定該錠之變形量。將高度方向之變形量成為1mm以上之溫度設為軟化點。
[硬化性聚矽氧組合物之接著力]
於25mm×75mm之玻璃基板上藉由分注器每約100mg地將硬化性聚矽氧組合物塗佈於5個部位。其次，於該組合物蓋上厚度1mm之6mm見方之鋁製晶片，藉由1kg之板壓接之狀態下，於150℃下加熱2小時使其硬化後，冷卻至室溫，製作晶粒抗剪強度試片。藉由晶粒抗剪強度測定裝置(西進商事股份有限公司製造之黏結強度試驗機SS- 100KP)測定該試片之晶粒抗剪強度，求得其平均值。
[參考例1-有機矽氧烷嵌段共聚物之製備]
於安裝有溫度計、鐵氟龍(註冊商標)製之攪拌槳、及安裝有水冷冷凝器之Dean Stark裝置之500mL四口圓底燒瓶中投入平均單元式：PhSiO3/2所示且重量平均分子量為1,300之有機聚矽氧烷樹脂45.0g與甲苯70.38g，於氮氣環境下，一面攪拌一面加熱。使反應混合物一面進行甲苯回流一面加熱30分鐘後，將反應混合物冷卻至108℃。
又，於分子鏈兩末端矽烷醇基封端甲基苯基聚矽氧烷(聚合度140)55.0g及甲苯29.62g之溶液中添加甲基三乙醯氧基矽烷與乙基三乙醯氧基矽烷之質量比1：1之混合物1.21g，製備分子鏈兩末端二乙醯氧基封端甲基苯基聚矽氧烷(聚合度140)之甲苯溶液。
於氮氣環境下，於上述反應混合物中迅速添加上述分子鏈兩末端二乙醯氧基封端甲基苯基聚矽氧烷之甲苯溶液，於室溫下反應2小時。其後，使反應混合物一面進行甲苯回流一面加熱2小時。其次，將其冷卻至108℃，並添加甲基三乙醯氧基矽烷與乙基三乙醯氧基矽烷之質量比1：1之混合物7.99g。使反應混合物一面進行甲苯回流一面進一步加熱1小時。其次，將其冷卻至90℃，其後添加離子交換水12mL。使溫度上升並回流，藉由共沸蒸餾去除水。再次將反應混合物冷卻至90℃，進而添加離子交換水12mL。將其加熱並回流，再次去除水。其後，藉由蒸餾去除甲苯56.9g，使固形物成分含量上升。將所獲得之反應物冷卻至室溫，其後藉由5.0μm之過濾器進行加壓過濾，使用甲苯而獲得固形物成分濃度10質量%之反應物之甲苯溶液。該反應物藉由29Si-核磁共振譜分析，已知為平均單元式：(PhMeSiO2/2)0.55(PhSiO3/2)0.45所示，式：(PhSiO3/2) 所示之苯基矽氧烷樹脂嵌段藉由式：-(PhMeSiO2/2)140-所示之甲基苯基矽氧烷嵌段而連結，具有16莫耳%之與矽原子鍵結之羥基，軟化點為55℃之有機矽氧烷嵌段共聚物。
[參考例2-底漆組合物之製備]
於正庚烷100質量份中加入烯丙基三甲氧基矽烷10質量份並進行混合後，加入鈦酸四(正丁基)酯2質量份並均勻混合後，加入氯鉑酸與1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷之錯合物0.1質量份而製備均勻混合之底漆組合物。
[參考例3-硬化性聚矽氧組合物之製備]
將式：-(MeViSiO)20-所示之具有直鏈狀甲基乙烯基矽氧烷嵌段、分子鏈兩末端藉由羥基所封端之甲基乙烯基聚矽氧烷4.4質量份、式：Me2ViSiO(Me2SiO)160SiMe2Vi所示之分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基聚矽氧烷4.1質量份、平均一次粒徑0.2μm之氧化鈦(堺化學工業製造之SX-3103)51.8質量份、平均粒徑15μm之球形二氧化矽(新日鐵材料鎂光製造之HS-202)30質量份、及黏度為24mPa‧s、式：Me2ViSiO(Me2SiO)29Si(OMe)3所示之分子鏈單末端藉由二甲基乙烯基矽烷氧基所封端、其他分子鏈單末端藉由三甲氧基矽烷氧基所封端之二甲基聚矽氧烷4質量份投入至羅斯攪拌機，於室溫下混合後，減壓下，一面加熱至150℃一面進行混練，製備聚矽氧基底。
其次，於室溫下，將於該聚矽氧基底具有-(MeHSiO)50- 所示之直鏈狀甲基氫化矽氧烷嵌段、分子鏈兩末端藉由三甲基矽烷氧基所封端之甲基氫化聚矽氧烷4.7質量份(相對於聚矽氧基底中之甲基乙烯基聚矽氧烷與分子鏈兩末端二甲基乙烯基矽烷氧基封端二甲基聚矽氧烷中之乙烯基之合計1莫耳，本成分中之與矽原子鍵結之氫原子成為1.5莫耳之量)、黏度為20mPa‧s之分子鏈兩末端羥基封端二甲基矽氧烷‧甲基乙烯基矽氧烷共聚合低聚物與3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷之質量比1：2之縮合反應物1質量份、及1-乙炔基-1-環己醇(相對於本組合物，以質量單位計成為200ppm之量)混合後，混合鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷溶液(相對於本組合物，鉑原子以質量單位計成為3.5ppm之量)，製備硬化性聚矽氧組合物。
[實施例1]
將參考例1中所製備之有機矽氧烷嵌段共聚物之甲苯溶液(固形物成分濃度10質量%)5g、1,8-二氮雙環[5,4,0]-十-7-烯(DBU)0.0005g、及甲苯5g均勻混合而製備底漆組合物。其次，於玻璃板以塗佈量成為50g/m2之方式均勻塗佈該底漆組合物，於100℃下乾燥30分鐘。玻璃板上之底漆層因若干斑點而不均勻，但完全沒有表面褶皺。其次，於玻璃板之底漆層側塗佈參考例3中所製備之硬化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
[實施例2]
將參考例1中所製備之有機矽氧烷嵌段共聚物之甲苯溶液(固形物成分濃度10質量%)2.5g、1,8-二氮雙環[5,4,0]-十一-7-烯(DBU)0.00025g、及甲苯7.5g均勻混合而製備底漆組合物。其次，於玻璃板上以塗佈量成為50g/m2之方式均勻塗佈該底漆組合物，於100℃下乾燥30分鐘。玻璃板上之底漆層因若干斑點而不均勻，但完全沒有表面褶皺。其次，於玻璃板之底漆層側塗佈參考例3中所製備之硬 化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
[實施例3]
將參考例1中所製備之有機矽氧烷嵌段共聚物之甲苯溶液(固形物成分濃度10質量%)1.0g、1,8-二氮雙環[5,4,0]-十一-7-烯(DBU)0.0001g、及甲苯9g均勻混合而製備底漆組合物。其次，於玻璃板以塗佈量成為50g/m2之方式均勻塗佈該底漆組合物，於100℃下乾燥30分鐘。玻璃板上之底漆層均勻，完全沒有表面褶皺。其次，於玻璃板之底漆層側塗佈參考例3中所製備之硬化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
[實施例4]
將參考例1中所製備之有機矽氧烷嵌段共聚物之甲苯溶液(固形物成分濃度10質量%)2.5g、1,8-二氮雙環[5,4,0]-十一-7-烯(DBU)0.00025g、甲苯2.5g、及正庚烷5.0g均勻混合而製備底漆組合物。其次，於玻璃板以塗佈量成為50g/m2之方式均勻塗佈該底漆組合物，於100℃下乾燥30分鐘。玻璃板上之底漆層均勻，完全沒有表面褶皺。其次，於玻璃板之底漆層側塗佈參考例3中所製備之硬化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
[比較例1]
於未經底漆處理之玻璃板塗佈參考例3中所製備之硬化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
[比較例2]
於玻璃板以塗佈量成為50g/m2之方式均勻塗佈參考例2中所製備之底漆組合物，於100℃下乾燥30分鐘。玻璃板上之底漆層均勻。其 次，於玻璃板之底漆層側塗佈參考例3中所製備之硬化性聚矽氧組合物，製作晶粒抗剪強度試片。測定晶粒抗剪強度，其結果示於表1。
Figure 105105532-A0305-02-0019-1
[產業上之可利用性]
本發明之底漆組合物能夠提高聚矽氧硬化物對光半導體元件、封裝材料、基板等基材之接著性，抑制由熱循環所導致之上述聚矽氧硬化物之剝離或龜裂，因此適合作為如高亮度、高輸出之LED般發熱量較大之LED裝置製造時之底漆組合物。

Claims (11)

  1. 一種底漆組合物，用於將硬化性聚矽氧組合物接著於基材，其至少包含：(A)平均單元式：(R1 2SiO2/2)a(R2SiO3/2)b(式中，R1及R2分別獨立地為碳數1~12之烷基、碳數6~20之芳基、或碳數7~20之芳烷基，a為0.40~0.90之數，b為0.10~0.60之數，且a+b=1.00)所示之有機矽氧烷嵌段共聚物，其中式：[R2SiO3/2](式中，R2與上述相同)所示之樹脂狀矽氧烷嵌段係藉由式：-(R1 2SiO2/2)n-(式中，R1與上述相同，n為10~400之數)所示之直鏈狀矽氧烷嵌段而連結，含有與矽原子鍵結之羥基或與矽原子鍵結之烷氧基0.5~35.0莫耳%，於25℃下為固體狀，軟化點為200℃以下；(B)作為硬化觸媒之縮合反應觸媒(促進本組合物之硬化之量)；及(C)任意量之有機溶劑。
  2. 如請求項1之底漆組合物，其中(A)成分中之R1為烷基及/或芳基。
  3. 如請求項1之底漆組合物，其中(A)成分中之R2為芳基。
  4. 如請求項2之底漆組合物，其中(A)成分中之R2為芳基。
  5. 如請求項1之底漆組合物，其中(C)成分為芳香族烴系溶劑、或芳 香族烴系溶劑與脂肪族烴系溶劑之混合溶劑。
  6. 如請求項1之底漆組合物，其中硬化性聚矽氧組合物為矽氫化反應硬化性聚矽氧組合物。
  7. 如請求項1之底漆組合物，其中基材為電氣‧電子零件。
  8. 一種接著方法，其特徵在於：將如請求項1至7中任一項之底漆組合物塗佈於基材上並去除有機溶劑後，於所獲得之底漆層上塗佈硬化性聚矽氧組合物並進行硬化。
  9. 如請求項8之接著方法，其中將硬化性聚矽氧組合物與底漆層之硬化同時進行。
  10. 一種電氣‧電子零件，其係包括電氣‧電子用基材、該基材上之底漆層、及該底漆層上之聚矽氧硬化物者，且上述底漆層藉由如請求項1至7中任一項之底漆組合物所形成。
  11. 如請求項10之電氣‧電子零件，其中電氣‧電子零件為光半導體裝置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR122019013926B1 (pt) 2013-01-09 2019-10-29 Basf Agro Bv processo para preparar um composto de triazol de fórmula i
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN109311835A (zh) 2016-06-15 2019-02-05 巴斯夫农业公司 环氧化四取代烯烃的方法
US20220204770A1 (en) * 2019-04-29 2022-06-30 Dow Silicones Corporation Primer for silicone rubber compositions and elastomeric materials
CN113717637B (zh) * 2021-09-07 2022-08-02 河南三棵树新材料科技有限公司 一种耐高温防腐涂料及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103189420A (zh) * 2010-09-22 2013-07-03 道康宁公司 树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物
CN104114656A (zh) * 2011-12-14 2014-10-22 道康宁公司 树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的固化性组合物
TW201500474A (zh) * 2013-03-15 2015-01-01 Dow Corning 粉末樹脂直鏈有機聚矽氧烷組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE759621A (fr) * 1969-12-01 1971-06-01 Dow Corning Copolymeres sequences d'organosiloxanes non corrosifs, vulcanisables a la temperature ambiante
JP3527369B2 (ja) 1996-09-04 2004-05-17 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 電気部品およびその製造方法
JP4041966B2 (ja) 2002-06-18 2008-02-06 信越化学工業株式会社 ハードコート剤及びハードコート膜が形成された物品
JP2004339450A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プライマー組成物、及び該プライマーを用いた発光ダイオード
JP4623282B2 (ja) 2005-03-10 2011-02-02 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4777802B2 (ja) 2006-03-17 2011-09-21 信越化学工業株式会社 耐光性プライマー組成物、該プライマー組成物を用いる発光半導体装置の製造方法、及び該方法により得られる発光半導体装置
US9045668B2 (en) * 2010-09-22 2015-06-02 Dow Corning Corporation Organosiloxane block copolymer
EP2670789A1 (en) 2011-02-04 2013-12-11 Dow Corning Corporation Curable organosiloxane block copolymer emulsions
WO2013142240A1 (en) * 2012-03-21 2013-09-26 Dow Corning Corporation Compositions of resin-linear organosiloxane block copolymers
WO2014129347A1 (ja) * 2013-02-20 2014-08-28 横浜ゴム株式会社 硬化性樹脂組成物
KR20150132380A (ko) * 2013-03-15 2015-11-25 다우 코닝 코포레이션 수지-선형 유기실록산 블록 공중합체의 조성물

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103189420A (zh) * 2010-09-22 2013-07-03 道康宁公司 树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物
CN104114656A (zh) * 2011-12-14 2014-10-22 道康宁公司 树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的固化性组合物
TW201500474A (zh) * 2013-03-15 2015-01-01 Dow Corning 粉末樹脂直鏈有機聚矽氧烷組成物

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Publication number Publication date
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WO2016136244A1 (ja) 2016-09-01
TW201638256A (zh) 2016-11-01
JPWO2016136244A1 (ja) 2017-12-07
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US10479910B2 (en) 2019-11-19

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