CN103788658A - 硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和led装置 - Google Patents

硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和led装置 Download PDF

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Abstract

本发明的课题在于提供一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物、硅酮积层基板与它的制造方法、及LED装置，其中所述硅酮积层基板的热膨胀系数较低、翘曲和变形等得以被抑制，且耐热性、耐候性等特性优异。为了解决上述课题，本发明提供一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其含有：(A)三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元和R2SiO1.5单元所构成，且由RSiO1.5单元所表示的T单元所构成；(B)有机氢聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元及R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元所构成；(C)铂族金属系催化剂；及，(D)填充剂。

Description

硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和LED装置
技术领域
本发明涉及一种硅酮树脂组合物、使用该硅酮树脂组合物的硅酮积层基板及与它的制造方法、和使用该硅酮积层基板的LED装置。 
背景技术
作为LED的构装基板或电气电子部件等的构装基板，大多使用将环氧树脂含浸于玻璃布中而成的构装基板，但存在以下问题：由于无铅和LED的高亮度化而导致LED元件自身的放热量增加，而使基板劣化。从这种情况来看，要求更高的耐热性和耐候性。 
并且，伴随着电子设备的高功能化，开始谋求电子部件的高密度集成化和高密度构装化，并要求积层基板的薄层化，但存在以下问题：因薄层化而产生翘曲，并产生连接不良的缺陷。基板的翘曲一般是使用填充大量的热膨胀系数较小的无机填料，使整个基板的热膨胀系数降低的方法，但容易产生较多的问题，例如流动性降低、钻孔加工性降低等（请参照专利文献1）。因此，开始研究由于树脂改良所导致的热膨胀系数的降低。 
近年来，开始研究以下事项：将耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板，作为LED的构装基板或电气电子部件等的构装基板来使用（请参照专利文献2）。然而，由于与以往用于构装基板中的环氧树脂相比较，硅酮树脂的玻璃化转变温度(glassy transition temperature)较低，因此，存在容易产生由薄层化所导致的翘曲的问题。 
现有技术文献 
专利文献 
专利文献1：日本特开2004-182851号公报 
专利文献2：日本特开2010-89493号公报 
发明内容
本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物、及使用该硅酮树脂组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、及LED装置，其中所述硅酮积层基板的热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异。 
本发明是为解决上述问题而完成的，提供一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其特征在于，其含有： 
(A)三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元（在此，R1表示碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基）和R2SiO1.5单元（在此，R2表示碳数2～8的烯基）所构成，且由RSiO1.5单元（在此，R为R1或R2）所表示的T单元所构成； 
(B)有机氢聚硅氧烷：(B)成分中的键结于硅原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1～4.0的量，所述有机氢聚硅氧烷由R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元及R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元（在此，R1如上所述，a为0、1或2，b为1或2，且a＋b为2或3）所构成； 
(C)铂族金属系催化剂：有效量；及， 
(D)填充剂：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为900质量份以下。 
这种硅酮树脂组合物，由于含有由T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷（(A)成分），因此，它的固化物具有较高的玻璃化转变温度，使用此硅酮树脂组合物制造而成的硅酮积层基板，热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐侯性等特性优异。 
并且优选为，前述硅酮树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为150℃以上。 
如果是固化物具有这种较高的玻璃化转变温度的硅酮树脂组合物，就可以更适合于制造一种硅酮积层基板，耐热性较高且可以确实地抑制翘曲和变形。 
并且，此时优选为，前述R1为甲基、乙基、丙基、环己基或苯基，前述R2为乙烯基或烯丙基。 
如果是这种硅酮树脂组合物，就可以更适合用于制造硅酮积层基板。 
优选为，前述(A)和(B)成分中的一者或两者含有硅醇基。 
如果是这种硅酮树脂组合物，由于具有较高的粘接性，因此，可以更适 合使用。 
并且优选为，前述(B)成分具有连续的R1 2SiO单元。 
如果是这种硅酮树脂组合物，就可以使聚合物分子具有由R1SiO1.5单元等所构成的分支结构，并且利用R1 2SiO单元的连续也可以延伸为直链状。 
优选为，前述(D)成分包含以下成分中的一者或两者： 
(D1)除了白色颜料以外的无机质填充剂：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为600质量份以下； 
(D2)白色颜料：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为1～300质量份 
如果是这种硅酮树脂组合物，就可以高效地降低硅酮积层基板的线膨胀系数且提高该基板的强度，并且可以根据目的而使基板为白色，可以更适合用于制造硅酮积层基板。 
优选为，前述(D2)成分是二氧化钛、氧化锌、或由它们组合而成。 
这些可以高效地使基板成为白色，可以适合用于光学装置。 
并且优选为，前述硅酮树脂组合物在室温下为固体状。 
如果是这种硅酮树脂组合物，那么容易操作，可以更适合用于制造硅酮积层基板。 
并且，在本发明中，提供一种硅酮积层基板，其是具有玻璃布、与含浸于该玻璃布中的硅酮树脂组合物的固化物而成，其特征在于： 
前述硅酮树脂组合物是上述的硅酮树脂组合物。 
如果是这种硅酮积层基板，那么热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异。 
并且，本发明提供一种硅酮积层基板的制造方法，其具备以下步骤： 
将上述的硅酮树脂组合物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸于玻璃布中； 
将前述溶剂从该玻璃布中蒸发而去除；及， 
将含浸于该玻璃布中的前述硅酮树脂组合物在加压成型下加热固化。 
如果是这种硅酮积层基板的制造方法，就可以容易地制造一种硅酮积层基板，所述硅酮积层基板的翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异。 
本发明提供一种LED装置，其具备： 
上述的硅酮积层基板；及， 
LED芯片，构装于该硅酮积层基板上。 
如果是这种LED装置，就可以适合用作耐热性、耐候性等特性优异的LED装置。 
如果是本发明的硅酮树脂组合物，则具有较高的玻璃化转变温度，且可以适合用于制造热膨胀较低、耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板。因此，使用此硅酮树脂组合物制作而成的硅酮积层基板，适合作为例如LED等发光装置。 
附图说明
图1是表示本发明的LED装置的一个实例的剖面图。 
附图标记的说明： 
1LED装置；2硅酮积层基板；3电极图案；4芯片粘合剂；5LED芯片；6粘合线；7透明密封体。 
具体实施方式
以下，更详细地说明本发明。 
如上所述，期望开发一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物，所述硅酮树脂组合物用于制造一种热膨胀系数较低、翘曲和变形得以被抑制、耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板。 
本发明人努力进行研究，结果发现：如果是以下硅酮树脂组合物，则具有较高的玻璃化转变温度，使用此硅酮树脂组合物制造而成的硅酮积层基板，热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异；所述硅酮树脂组合物用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，所述硅酮树脂组合物含有： 
(A)三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元（在此，R1表示碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基）和R2SiO1.5单元（在此，R2表示碳数2～8的烯基）所构成，且由RSiO1.5单元（在此，R为R1或R2）所表示的T单元所构成； 
(B)有机氢聚硅氧烷：(B)成分中的键结于硅原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1～4.0的量，所述有机氢聚硅氧烷由R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元及R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元（在此，R1如上所述，a为0、1或2，b为1或2，且a＋b为2或3）所构成； 
(C)铂族金属系催化剂：有效量；及， 
(D)填充剂：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为900质量份以下。 
以下，详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。 
而且，在本说明书中，“室温”是指15～30℃的温度。“半固体”是指以下状态：具有带有可塑性但不带有流动性的性质，由于温度、应力及变形等来自外部的压力而呈现出液体或固体性质。并且，Ph表示苯基，Me表示甲基，Et表示乙基，Vi表示乙烯基。 
（硅酮树脂组合物） 
本发明的硅酮树脂组合物包含下述(A)～(D)成分，适合用于制造本发明的硅酮积层基板。本发明的组合物优选为在室温下为固体状，更优选为在室温下为可塑性的固体。室温下为固体状的组合物容易操作。 
以下，说明本发明的硅酮树脂组合物中所包含的各成分。 
—(A)成分—树脂结构的有机聚硅氧烷— 
本发明的组合物的重要的构成成分即(A)成分是树脂结构（即三维网状结构）的有机聚硅氧烷，所述有机聚硅氧烷是由R1SiO1.5单元（在此，R1表示碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基）和R2SiO1.5单元（在此，R2表示碳数2～8的烯基）所构成； 
并由前述R1SiO1.5单元与R2SiO1.5单元的至少一部分连续重复而成。 
前述(A)成分是由RSiO1.5单元（在此，R为R1或R2）所表示的T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷。而且，当R1为支链状的烷基或环状的烷基（环烷基）时，碳数为3～10。 
而且，由上述的R1SiO1.5单元与R2SiO1.5单元的至少一部分连续重复而成的结构，是指由下述通式(1)所表示的T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷链结构： 
Figure BDA0000384330400000061
（在此，m为36～360，n为4～40的整数）。 
在(A)成分的分子中，R1SiO1.5单元与R2SiO1.5单元使聚合物分子分支或三维网状化。R2SiO1.5单元的R2（尤其是乙烯基或烯丙基），通过与后述的(B)成分的R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元的键结于硅原子上的氢原子（即SiH基）进行氢化硅烷化加成反应，来实现使本发明的组合物固化的作用。 
从所获得的固化物的特性上来看，构成(A)成分所必需的两种硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO1.5单元：R2SiO1.5单元的摩尔比，优选为95～50：50～5，尤其是90～70：30～10（其中，合计为100）。 
并且，此(A)成分的利用凝胶渗透色谱(Gel Permeation Chromatography，GPC)所测得的聚苯乙烯换算重量平均分子量在1,000～100,000、尤其是4,000～10,000的范围内的固体或半固体状的固化物更加适合。 
这种树脂结构的有机聚硅氧烷可以利用以下方法来合成：将作为各单元的原料的化合物组合并成为上述摩尔比，在例如酸的存在下进行共水解和缩合。 
在此，作为R1SiO1.5单元的原料，可以例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷及环己基三氯硅烷等氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等的烷氧基硅烷等。 
作为R2SiO1.5单元的原料，可以例示：ViSiCl3等具有乙烯基或烯丙基的氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等的烷氧基硅烷等。 
而且，在本发明中，当利用上述的原料化合物的共水解和缩合来制造(A)成分的有机聚硅氧烷时，R1SiO1.5单元也可以是末端为硅醇基或甲氧基的硅氧烷单元。此时，(A)成分的有机聚硅氧烷，可能含有硅醇基或甲氧基。 
并且，在本发明中，当利用上述的原料化合物的共水解和缩合来制造(A)成分的有机聚硅氧烷时，在R1SiO1.5单元、R2SiO1.5单元或它们的2种以上的 组合中，也可以包含具有硅醇基的硅氧烷单元。通常，相对于全部硅氧烷单元，(A)成分的有机聚硅氧烷可以含有约为10摩尔%以下（0～10摩尔%）的所述含有硅醇基的硅氧烷单元。作为上述含有硅醇基的硅氧烷单元，可以列举例如：(HO)SiO1.5单元、R1(HO)SiO单元、R1(HO)2SiO0.5单元、R2(HO)SiO单元、及R2(HO)2SiO0.5单元。 
—(B)成分—树脂结构的有机氢聚硅氧烷— 
本发明的组合物的重要的构成成分之一即(B)成分是树脂结构的有机氢聚硅氧烷，所述有机氢聚硅氧烷是由R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元及R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元（在此，R1如上所述，a为0、1或2，b为1或2，且a＋b为2或3）所构成；且部分含有直链状的硅氧烷结构，所述直链状的硅氧烷结构是由上述R1 2SiO单元的至少一部分连续重复而成，它的重复个数为5～50个，优选为8～40个，又更优选为10～35个。 
前述有机氢聚硅氧烷的末端也可以为硅醇基或甲氧基。 
而且，上述的R1 2SiO单元的至少一部分连续重复而成、它的重复个数为5～50个的结构，是指形成由下述通式(2)所表示的直链状二有机聚硅氧烷链结构： 
Figure BDA0000384330400000071
（在此，m为5～50的整数）。 
优选为，存在于(B)成分的有机氢聚硅氧烷中的全部R1 2SiO单元的至少一部分、优选为50摩尔%以上（50～100摩尔%）、尤其是80摩尔%以上（80～100摩尔%），在分子中形成有所述由通式(2)所表示的链结构。由于通过具有连续的R1 2SiO单元，交联点间距离部分变长，可以赋予可挠性，因此，固化物的脆性得以被改善，对玻璃布和铜箔具有较高的粘接性。 
在(B)成分的分子中，R1 2SiO单元起到使聚合物分子延伸成直链状的作用，R1SiO1.5单元使聚合物分子分支或三维网状化。R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元中的键结于硅上的氢原子，通过与上述的(A)成分所具有的烯基进行氢化硅烷化加 成反应，来实现使本发明的组合物固化的作用。 
从所获得的固化物特性上来看，构成(B)成分所必需的三种硅氧烷单元的摩尔比，即R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元、R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元的摩尔比分别优选为90～24：75～9：50～1，尤其是70～28：70～20：10～2（其中，合计为100）。 
尤其是如果R1SiO1.5单元：R1 2SiO单元的摩尔比为70～30：30～70（其中，合计为100），固化物的脆性得以被改善，对玻璃布和铜箔具有较高的粘接性。 
并且，从操作性、固化物的特性等观点来看，此(B)成分的利用GPC所测得的聚苯乙烯换算重量平均分子量在3,000～1,000,000，尤其是10,000～100,000的范围内，则更加适合。 
这种树脂结构的有机氢聚硅氧烷可以通过以下方法来合成：将作为各单元的原料的化合物组合，使上述三种硅氧烷单元在生成聚合物中成为所需的摩尔比，在例如酸的存在下进行共水解。 
在此，作为R1SiO1.5单元的原料，可以例示：MeSiCl3、EtSiCl3、PhSiCl3、丙基三氯硅烷及环己基三氯硅烷等氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷相对应的甲氧基硅烷类等的烷氧基硅烷等。 
作为R1 2SiO单元的原料，可以例示： 
ClMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2Cl、 
ClMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2Cl、 
ClMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2Cl、 
HOMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2OH、 
HOMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2OH、 
HOMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2OH、 
MeOMe2SiO(Me2SiO)jSiMe2OMe、 
MeOMe2SiO(Me2SiO)k(PhMeSiO)LSiMe2OMe、 
MeOMe2SiO(Me2SiO)k(Ph2SiO)LSiMe2OMe 
（其中，j＝3～48的整数(平均值)，且k＝0～47的整数(平均值)，L＝1～48的整数(平均值)，且k＋L＝3～48的整数(平均值)）等。 
并且，R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元，表示选自R1HSiO单元、R1 2HSiO0.5单元、 H2SiO单元、R1H2SiO0.5单元中的1种硅氧烷单元或2种以上的硅氧烷单元的组合。作为它的原料，可以例示：Me2HSiCl、MeHSiCl2、Ph2HSiCl及PhHSiCl2等氯硅烷类；及，与这些各个氯硅烷类相对应的甲氧基硅烷类等的烷氧基硅烷类等。 
而且，在本发明中，当利用上述的原料化合物的共水解和缩合来制造(B)成分的有机氢聚硅氧烷时，R1SiO1.5单元也可以是末端为硅醇基或甲氧基的硅氧烷单元。此时，(B)成分的有机氢聚硅氧烷，可能含有硅醇基或甲氧基。 
并且，在本发明中，当利用上述的原料化合物的共水解和缩合来制造(B)成分的有机氢聚硅氧烷时，在R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元、R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元或它们的2种以上的组合中，包含具有硅醇基的硅氧烷单元。通常，相对于全部硅氧烷单元，(B)成分的有机氢聚硅氧烷可能含有约为10摩尔%以下（0～10摩尔%）的所述含有硅醇基的硅氧烷单元。作为上述含有硅醇基的硅氧烷单元，可以列举例如：(HO)SiO1.5单元、R1(HO)SiO单元、(HO)2SiO单元、H(HO)SiO单元、H2(HO)SiO0.5单元、R1H(HO)SiO0.5单元、及H(HO)2SiO0.5单元。 
(B)成分的有机氢聚硅氧烷的调配量为，(B)成分中的键结于硅原子上的氢原子（SiH基）相对于(A)成分中的烯基的合计量的摩尔比为0.1～4.0的量，尤其优选为0.5～3.0的量，又更优选为0.8～2.0的量。如果不足0.1，则不进行固化反应，而难以获得硅酮树脂组合物的固化物；而如果超过4.0，由于大量未反应的SiH基将残留于固化物中，因此，成为导致硅酮树脂组合物的固化物的物性历时变化的原因。 
优选为，在本发明中，为了赋予粘接性，(A)和(B)成分中的一者或两者含有硅醇基。在(A)成分的有机聚硅氧烷或(B)成分的有机氢聚硅氧烷中，相对于全部硅氧烷单元，具有该硅醇基的硅氧烷单元的量约为40摩尔%以下（0～40摩尔%）。 
—(C)成分—铂族金属系催化剂— 
此催化剂成分是为了使本发明的组合物发生加成固化反应而调配，有铂系、钯系及铑系催化剂。作为该催化剂，也可以使用以往作为促进氢化硅烷化反应的催化剂而被公知的任何催化剂。考虑到成本等，可以例示：铂、铂黑及氯铂酸等铂系催化剂，例如H2PtCl6·pH2O、K2PtCl6、KHPtCl6·pH2O、 K2PtCl4、K2PtCl4·pH2O、PtO2·pH2O、PtCl4·pH2O、PtCl2及H2PtCl4·pH2O（在此，p为正整数）等；它们与烯烃等的碳氢化合物、醇或含有乙烯基的有机聚硅氧烷络合物等；这些催化剂可以单独使用1种，或使用2种以上的组合。 
(C)成分的调配量为用于固化的有效量即可，通常，相对于前述(A)成分和(B)成分的合计量，作为铂族金属，以质量换算为0.1～500ppm，尤其优选为0.5～100ppm的范围。 
—(D)成分—填充剂— 
(D)成分的填充剂被添加至本发明的组合物中，其目的在于降低本发明的硅酮积层基板的线膨胀系数且提高该基板的强度。作为(D)成分，可以为任何公知的填充剂，可以列举例如：沉淀二氧化硅、气相法二氧化硅(烟制二氧化硅，fumed silica)、熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅及结晶二氧化硅等二氧化硅类、气相法二氧化钛、氧化锌、氮化硅、氮化铝、氮化硼、三氧化二锑、氧化铝、氧化锆、硫化锌、氧化镁及硫酸钡等。作为增强性无机质填充剂，可以列举例如：沉淀二氧化硅及气相法二氧化硅等二氧化硅类、气相法二氧化钛、氧化铝及氮化铝等。作为非增强性无机填充剂，可以列举例如：碳酸钙、硅酸钙、二氧化钛、氧化铁、炭黑及氧化锌等。(D)成分可以单独使用1种、或组合2种以上使用。 
从所获得的硅酮积层基板的线膨胀系数和强度的观点来看，相对于(A)和(B)成分的合计量每100质量份，(D)成分的调配量为900质量份以下（0～900质量份）的范围，优选为600质量份以下（0～600质量份）的范围，更优选为10～600质量份，尤其是50～500质量份的范围。 
含有下述(D1)及/或(D2)成分的填充剂，更适合作为(D)成分用于本发明的硅酮积层基板，尤其适合用于LED装置所使用的硅酮积层基板。 
(D1)无机质填充剂 
(D1)是除了白色颜料以外的无机质填充剂，被添加至本发明的组合物中，目的在于降低本发明的硅酮积层基板的线膨胀系数且提高该基板的机械强度。作为(D1)成分，通常可以使用硅酮树脂组合物中所调配的无机质填充剂，也可以为任何公知的无机质填充剂，可以列举例如：熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅及结晶二氧化硅等二氧化硅类、氮化硅、氮化铝、氮化硼及三氧 化二锑等；尤其优选为熔融二氧化硅、熔融球状二氧化硅。(D1)成分可以单独使用1种，或组合2种以上使用。 
(D1)成分的平均粒径和形状并无特别限定。(D1)成分的平均粒径通常为0.5～500μm，但从所获得的硅酮树脂组合物的成型性和流动性来看，优选为1～10μm，又更优选为1～5μm。而且，可以将平均粒径作为由激光衍射法所实施的粒度分布测定中的质量平均值D50（或中值径）而求得。 
(D1)成分的无机质填充剂，也可以预先用硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂等偶联剂进行表面处理，以加强树脂与无机质填充剂的结合强度。作为这种偶联剂，优选为使用例如：γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷及β-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等环氧基官能性烷氧基硅烷；N-β(氨乙基)γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷及N-苯基-7-氨丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性烷氧基硅烷；及，γ-巯丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性烷氧基硅烷等。而且，关于表面处理中所使用的偶联剂的调配量和表面处理方法，并无特别限制。 
并且，(D1)成分的无机质填充剂，也可以在将该无机质填充剂分散于有机溶剂中而成的料浆的状态下，添加至本发明的组合物中。 
从所获得的硅酮积层基板的线膨胀系数和强度的观点来看，相对于(A)和(B)成分的合计量每100质量份，(D1)成分的调配量优选为600质量份以下（0～600质量份）的范围，更优选为10～600质量份，尤其是50～500质量份的范围。 
(D2)白色颜料 
(D2)成分是白色颜料，作为用于使所得的硅酮树脂组合物的固化物成为白色的白色着色剂而使用。(D2)成分被添加至本发明的组合物中，目的在于当所得的硅酮积层基板需要反射光时，提高该硅酮积层基板的光反射率，但当获得并非特别需要反射光的硅酮积层基板时，也可以不添加于本发明的组合物中。在此，“硅酮积层基板需要反射光”如下所述，是指该硅酮积层基板的光反射率在全部可见光区域中，优选为80%以上（即80～100%）。作为(D2)成分，如果是以往通常使用的公知的白色颜料，就可以无限制地使用，但更适合使用二氧化钛、氧化铝、氧化锆、硫化锌、氧化锌、氧化镁、硫酸钡或它们的2种以上的组合。作为该组合，可以列举二氧化钛与具体例示出的其 他白色颜料中的至少1种的组合。其中，更优选为二氧化钛、氧化铝、氧化镁，又更优选为二氧化钛。二氧化钛的晶形可以为金红石型、锐钛型及板钛型中的任一种，但优选使用金红石型。 
白色颜料的平均粒径优选为0.05～10.0μm，更优选为0.1～5.0μm，又更优选为0.1～1.0μm。并且，为了提高(D2)成分的白色颜料与(A)和(B)成分的树脂成分以及(D1)成分的无机质填充剂的混合性和分散性，也可以用Al的氢氧化物、Si的氢氧化物等的氢氧化物等对(D2)成分的白色颜料预先进行表面处理。而且，如上所述，可以将平均粒径作为由激光衍射法所实施的粒度分布测定中的质量平均值D50（或中值径）来求得。(D2)成分可以单独使用1种，或组合2种以上使用。 
相对于(A)和(B)成分的合计量每100质量份，(D2)成分的调配量优选为1～300质量份，更优选为3～200质量份，尤其优选为10～150质量份。如果该调配量不足1质量份，那么所得的硅酮树脂组合物的固化物的白色度可能会不充分。如果该调配量超过300质量份，那么(D1)成分的无机质填充剂在全部填充剂中所占的比例可能会变得过低，其中所述(D1)成分的无机质填充剂被添加的目的在于降低本发明的硅酮积层基板的线膨胀系数且提高该基板的机械强度。而且，在全部硅酮树脂组合物中，(D2)成分的白色颜料的量优选为1～50质量%的范围，更优选为5～30质量%的范围，又更优选为10～30质量%的范围。 
—其他成分— 
除了上述的(A)～(D)成分以外，还可以根据需要向本发明的组合物中调配原本公知的各种添加剂。 
[粘接助剂] 
为了赋予粘接性，可以根据需要向本发明的组合物中添加粘接助剂（粘接性赋予剂）。粘接助剂可以单独使用1种，或组合2种以上使用。作为粘接助剂，可以列举例如：一分子中含有选自键结于硅原子上的氢原子（SiH基）、键结于硅原子上的烯基（例如Si-CH＝CH2基）、烷氧基硅烷基（例如三甲氧基硅烷基）、环氧基（例如缩水甘油氧基丙基、3,4-环氧环己基乙基）的至少2种、优选为2种或3种官能性基团的直链状或环状的硅原子数4～50个、优选为4～20个左右的有机硅氧烷低聚物；或由下述通式(3)所表示的有机含 氧硅烷基(organo oxysilyl)改性异氰尿酸酯化合物；它的水解缩合物（有机硅氧烷改性异氰尿酸酯化合物）；及它们的2种以上的组合等。 
Figure BDA0000384330400000131
（式中，R5为由下述式(4)所表示的有机基团、 
Figure BDA0000384330400000132
(在此，R6为氢原子或碳原子数为1～6的一价烃基，v为1～6、尤其是1～4的整数。) 
或含有脂肪族不饱和键的一价烃基，但R5的至少1个为式(4)的有机基团）。 
作为通式(3)中的R5的含有脂肪族不饱和键的一价烃基，可以列举：乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、异丁烯基、戊烯基及己烯基等碳数2～8、尤其是2～6的烯基；及，环己烯基等碳原子数6～8的环烯基等。并且，作为式(4)中的R6的一价烃基，可以列举碳原子数1～8、尤其是1～6的一价烃基，例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基及己基等烷基；环己基等环烷基；针对上述R5而例示的烯基和环烯基；及，苯基等芳基等，优选为烷基。 
并且，作为粘接助剂，可以例示1,5-双(缩水甘油氧基丙基)-1,3,5,7-四甲 基环四硅氧烷、1-缩水甘油氧基丙基-5-三甲氧基硅烷基乙基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷等、及由下述式所表示的化合物： 
Figure BDA0000384330400000141
（式中，g和h分别为0～50的范围内的整数，而且g＋h满足2～50、优选为4～20）。 
Figure BDA0000384330400000161
上述的有机硅化合物中，使所得的硅酮树脂组合物的固化物具有尤其良好的粘接性的化合物，是一分子中具有键结于硅原子上的烷氧基与烯基或键 结于硅原子上的氢原子（SiH基）的有机硅化合物。 
相对于(A)成分100质量份，粘接助剂的调配量通常为10质量份以下（即0～10质量份），优选为0.1～8质量份，更优选为0.2～5质量份左右。如果该调配量过多，恐怕会对硅酮树脂组合物的固化物的硬度造成不良影响、或提高表面粘性。 
[固化抑制剂] 
可以根据需要向本发明的硅酮树脂组合物中适当调配固化抑制剂。固化抑制剂可以单独使用1种，或组合2种以上使用。作为固化抑制剂，可以列举例如选自由像四甲基四乙烯基环四硅氧烷这样的含有较多的乙烯基的有机聚硅氧烷、异三聚氰酸三烯丙酯、烷基马来酸酯(alkyl maleate)、乙炔醇类及其硅烷改性物及硅氧烷改性物、过氧化氢物、四甲基乙二胺、苯并三唑及它们的混合物所组成的组群的化合物等。相对于(A)成分每100质量份，固化抑制剂通常添加0.001～1.0质量份，优选为0.005～0.5质量份。 
—制备— 
本发明的硅酮树脂组合物，其是通过将所需成分均匀地混合来制备。通常，将两种液体分开保存以避免进行固化，使用时再将这两种液体混合并进行固化。当然，也可以添加少量的前述的乙炔醇等固化抑制剂，作为一种液体来使用。并且，本发明的硅酮树脂组合物也可以将(A)～(C)成分均匀地混合而获得基底组合物，并在此基底组合物中加入甲苯、二甲苯及庚烷等溶剂，然后再添加(D)成分，由此以溶液或分散液的形式来制备。(D)成分含有(D1)及/或(D2)成分，该硅酮树脂组合物是将(A)～(C)成分均匀地混合而获得基底组合物。也可以在此基底组合物中加入甲苯、二甲苯及庚烷等溶剂，然后再添加(D1)及/或(D2)成分，由此以分散液的形式来制备。 
[玻璃化转变温度] 
一般要求硅酮树脂组合物满足热冲击循环试验的标准，该试验是在－60℃～140℃的温度范围内实施。因此，如果是具有150℃以上的玻璃化转变温度的本发明的硅酮树脂组合物，就可以有效地通过该试验。 
（硅酮积层基板） 
本发明的硅酮积层基板具有以下部分而成： 
玻璃布；及， 
硅酮树脂组合物的固化物，填充至前述玻璃布中，且覆盖前述玻璃布表面。 
硅酮积层基板的厚度并无特别限定，根据该基板的用途和用于制造该基板的玻璃布的厚度等而适当选择即可，但优选为20～2,000μm，更优选为50～1,000μm。而且，作为硅酮积层基板，可以列举例如LED装置用硅酮积层基板、电气电子部件等的构装用硅酮积层基板。 
在本发明的一实施方式中，上述硅酮积层基板是LED装置中所使用的硅酮积层基板，(D)成分的填充剂相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，含有600质量份以下的(D1)成分，并根据情况相对于(A)和(B)成分的合计100质量份而含有1～300质量份的(D2)成分。本发明的LED装置中所使用的硅酮积层基板的光反射率，在全部可见光区域中，优选为80%以上（即80～100%），更优选为85～99%。在本发明中，光反射率是利用例如光反射率测定器X-rite8200（积分球式分光光度计，爱色丽(X-rite)公司(US)制造）等来测定。而且，在本发明中，可见光区域是指400～700nm的区域。 
并且，将本发明的LED装置中所使用的硅酮积层基板，在以200℃的温度加热23小时以进行耐热变色试验后的光反射率，在全部可见光区域中，优选为80%以上（即80～100%），更优选为85～98%。 
—玻璃布— 
玻璃布并无特别限定，可以使用公知的玻璃布。可以使用例如石英玻璃布、无碱玻璃布及高抗拉强度的T玻璃布。玻璃布为片材状，它的厚度并无特别限定，可以根据本发明的硅酮积层基板的用途等而适当选择，但例如为10～2,000mm，优选为10～1,000μm，更优选为20～300μm。在本发明的硅酮积层基板中，玻璃布的厚度并无特别限定，可以根据该硅酮积层基板的用途等而适当选择，但优选为20～2,000μm，更优选为50～1,000μm。 
—硅酮树脂组合物的固化物— 
通过使包含上述的(A)～(D)成分的硅酮树脂组合物含浸于玻璃布中并固化，使固化物填充至上述玻璃布中，并覆盖该玻璃布表面。在本发明的硅酮积层基板中，该固化物可以只覆盖玻璃布的一面，也可以覆盖两面，但优选为覆盖该玻璃布的两面。覆盖该玻璃布表面的固化物的厚度并无特别限定，可以根据本发明的硅酮积层基板的用途等而适当选择，但优选为20～2,000 μm，更优选为50～1,000μm。在本发明的硅酮积层基板中，覆盖该玻璃布表面的固化物的厚度并无特别限定，可以根据本发明的硅酮积层基板的用途等而适当选择，但优选为50～2,000μm，更优选为60～1,000μm。 
（硅酮积层基板的制造方法） 
本发明的硅酮积层基板可以通过以下方法而获得： 
使包含上述(A)～(D)成分的硅酮树脂组合物在溶解、分散于溶剂中的状态下，含浸于玻璃布中； 
继而，将前述溶剂从该玻璃布中蒸发而去除；及， 
继而，使含浸于该玻璃布中的前述硅酮树脂组合物在加压成型下加热固化。在此，通过使用填充剂作为(D)成分，可以获得本发明的硅酮积层基板，其中所述填充剂相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，含有600质量份以下的(D1)成分，并根据情况相对于(A)和(B)成分的合计100质量份而含有1～300质量份的(D2)成分。 
—溶剂— 
溶剂并无特别限定，可以将上述的硅酮树脂组合物溶解、分散，且可以在该组合物保持为未固化或半固化的状态的温度下蒸发即可，可以列举例如沸点为50～200℃、优选为80～150℃的溶剂。当制造LED装置用的硅酮积层基板时，溶剂并无特别限定，可以将上述的硅酮树脂组合物溶解、分散，且可以在该组合物保持为未固化或半固化的状态的温度下蒸发即可，可以列举例如沸点为50～150℃，优选为60～100℃的溶剂。作为溶剂的具体例，可以列举：甲苯、二甲苯、己烷及庚烷等碳氢化合物系非极性溶剂；及，醚类等。溶剂的使用量并无特别限制，可以将上述的硅酮树脂组合物溶解、分散，并使所得的溶液或分散液含浸于玻璃布中的量即可，相对于该硅酮树脂组合物100质量份，优选为10～200质量份，更优选为20～100质量份。当制造LED装置用的硅酮积层基板时并无特别限制，可以将上述的硅酮树脂组合物溶解、分散，并使所得的溶液或分散液含浸于玻璃布中的量即可，相对于该硅酮树脂组合物100质量份，优选为10～200质量份，更优选为50～100质量份。 
上述的硅酮树脂组合物的溶液或分散液可以通过以下方法而含浸于玻璃布中，例如：将玻璃布浸渍于该溶液或分散液中，或使用浸涂装置等在玻璃 布的一面或两面上涂布。 
溶剂的蒸发可以通过以下方式而进行，例如：将在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸有上述的硅酮树脂组合物的玻璃布，以优选为50～150℃，更优选为60～100℃放置。也可以适当使用烘箱、干燥机等加热装置。 
加压成型下的加热固化可以在以下条件下进行，例如：使用热压机、真空压力机等，优选为1～100MPa、更优选为5～50MPa的压力，优选为50～200℃、更优选为70～180℃的温度。加压成型时间优选为10～150分钟，更优选为40～120分钟。并且，能以50～200℃、尤其是70～180℃进行0.1～10小时、尤其是1～4小时的后固化(post cure)。 
（LED装置） 
本发明的LED装置具备：本发明的硅酮积层基板；及，LED芯片，构装于该基板上。图1是表示本发明的LED装置的一例的剖面图。在图1所示的LED装置1中，在本发明的硅酮积层基板2上制作有由正极与负极所组成的电极图案3，在电极图案的一个电极上，通过芯片粘合剂(die bonding paste)4将LED芯片5芯片粘合。在LED芯片5与电极图案3的另一电极之间，连接有粘合线(die bonding wire)6。电极图案3的一部分、LED芯片5及粘合线6被透明密封体7密封。 
电极图案3可以利用公知的方法来制作，可以通过以下方法来制作，例如：对铜箔积层基板进行蚀刻等，所述铜箔积层基板具有本发明的硅酮积层基板2、及设置于该基板2的一面或两面上的铜箔。作为芯片粘合剂4，可以列举例如银胶等。作为粘合线6，可以列举例如金线等。透明密封体7可以通过以下方法来设置，例如：使用硅酮密封剂、环氧密封剂等公知的密封剂，适当成型为所需的形状并固化。 
[实施例] 
以下，示出合成例、实施例及比较例来具体地说明本发明，但本发明并不限制于下述实施例。而且，在下述例中，重量平均分子量是利用凝胶渗透色谱(GPC)所测定的聚苯乙烯换算值。 
（合成例1） 
—含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A1)— 
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：562.1g（90摩尔%）、ViSiCl3：47.8g（10摩尔%）溶解于甲苯溶剂中，然后滴入水中，进行共水解，并且利用水洗、碱洗进行中和、脱水，然后脱去溶剂，合成由T单元所构成的三维网状结构的含有乙烯基的树脂(A1)。此树脂的重量平均分子量为4000，乙烯基含量为0.08摩尔/100g。 
（合成例2） 
—含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A2)— 
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：499.6g（80摩尔%）、ViSiCl3：95.6g（20摩尔%）溶解于甲苯溶剂中，然后滴入水中，进行共水解，并且利用水洗、碱洗进行中和、脱水，然后脱去溶剂，合成由T单元所构成的三维网状结构的含有乙烯基的树脂(A2)。此树脂的重量平均分子量为4200，乙烯基含量为0.14摩尔/100g。 
（合成例3） 
—含有氢化硅烷基的有机氢聚硅氧烷树脂(B1)— 
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：666.8g（81.8摩尔%）、ClMe2SiO(Me2SiO)8SiMe2Cl：278.6g（9.1摩尔%）、MeHSiCl2：40.3g（9.1摩尔%）溶解于甲苯溶剂中，然后滴入水中，进行共水解，并且利用水洗、碱洗进行中和、脱水，然后脱去溶剂，合成含有氢化硅烷基的树脂。此树脂的重量平均分子量为11000，氢化硅烷基含量为0.05摩尔/100g。 
（合成例4） 
—含有氢化硅烷基的有机氢聚硅氧烷树脂(B2)— 
将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：666.8g（81.8摩尔%）、ClMe2SiO(Me2SiO)8SiMe2Cl：278.6g（9.1摩尔%）、Me2HSiCl：31.6g（9.1摩尔%）溶解于甲苯溶剂中，然后滴入水中，进行共水解，并且利用水洗、碱洗进行中和、脱水，然后脱去溶剂，合成含有氢化硅烷基的树脂。此树脂的重量平均分子量为9000，氢化硅烷基含量为0.05摩尔/100g。 
（实施例1） 
加入合成例1中所得的含有乙烯基的树脂(A1)：71g、合成例3中所得的含有氢化硅烷基的树脂(B1)：129g、作为反应抑制剂的乙炔醇系乙炔基甲基癸基甲醇：0.2g、氯铂酸的1质量%辛醇溶液：0.2g，充分搅拌以获得基底 组合物。在此基底组合物中，加入290g甲苯作为溶剂，并且加入395g氧化铝（商品名：Admafine AO-502，平均粒径：约0.7μm，(股)Admatechs制造）和10g氧化钛（商品名：PF-691，平均粒径：约0.2μm，(股)石原产业(IshiharaSangyo Kaisha,Ltd.)制造），并使用新基搅拌机(thinky mixer)搅拌，以制备硅酮树脂组合物的甲苯分散液。 
通过将玻璃布（日东纺(Nitto Boseki Co.,Ltd.)制造，厚度：100μm）浸渍于此甲苯分散液中，使该甲苯分散液含浸于该玻璃布中。通过将该玻璃布以80℃放置8分钟而使甲苯蒸发。在将甲苯蒸发后的玻璃布的两面上，在室温下形成固体的皮膜。利用热压机将该玻璃布以160℃加压成型20分钟，然后以200℃加压成型70分钟，而获得硅酮积层基板。并且，将前述玻璃布夹在2片铜箔（古河电气工业(Furukawa Electric Co.,Ltd.)制造，厚度35μm）之间，利用热压机以160℃加压成型20分钟，然后以200℃加压成型70分钟，而获得覆铜箔积层基板。 
（实施例2） 
使用合成例4中所得的含有氢化硅烷基的树脂(B2)，来代替在实施例1中的合成例3所得的含有氢化硅烷基的树脂(B1)，除此以外与实施例1同样地进行，而获得硅酮积层基板和覆铜箔积层基板。 
（实施例3） 
使用合成例2中所得的含有乙烯基的树脂(A2)：53g，来代替在实施例1中的合成例1所得的含有乙烯基的树脂(A1)，并使用合成例3中所得的含有氢化硅烷基的树脂(B1)：147g，除此以外与实施例1同样地进行，而获得硅酮积层基板和覆铜箔积层基板。 
（实施例4） 
使用合成例4中所得的含有乙烯基的树脂(B2)，来代替在实施例3中的合成例3所得的含有氢化硅烷基的树脂(B1)，除此以外，与实施例3同样地进行，而获得硅酮积层基板和覆铜箔积层基板。 
（比较例合成1） 
—含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A3)— 
参考日本特开2010-89493号公报的实施例，合成含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A3)，所述含有乙烯基的有机聚硅氧烷树脂(A3)含有除了由RSiO1.5 所表示的T单元结构以外的有机聚硅氧烷。合成方法是将由PhSiCl3所表示的有机硅烷：952.5g（81.6摩尔%）、ClMe2SiO(Me2SiO)8SiMe2Cl：398.0g（9.1摩尔%）、MeViSiCl2：37.8g（4.8摩尔%）、Me2ViSiCl：30.2g（4.5摩尔%）溶解于甲苯溶剂中，然后滴入水中，进行共水解，并且利用水洗、碱洗进行中和、脱水，然后脱去溶剂，而合成含有氢化硅烷基的树脂。此树脂的重量平均分子量为14000，氢化硅烷基含量为0.05摩尔/100g。 
（比较例1） 
使用含有除了T单元结构以外的有机聚硅氧烷的含有乙烯基的树脂(A3)，来代替在实施例1中的由T单元所构成的三维网状结构的含有乙烯基的树脂(A1)，除此以外与实施例1同样地进行，而获得硅酮积层基板和覆铜箔积层基板。 
（比较例2） 
使用市售的白色玻璃环氧基板，来代替实施例1中制作的硅酮积层基板，并进行耐热变色性试验。 
1.外观 
用肉眼确认所得的硅酮积层基板的表面的均匀性，即该表面是否平滑，是否具有凹凸而不均匀。 
2.玻璃化转变温度(Tg) 
使用在实施例和比较例中制备而成的硅酮积层基板制造用硅酮树脂组合物的甲苯分散液，并利用加热烘箱使甲苯分散液热固化，而获得1.0mm厚的片材，使用动态力学分析(Dynamic mechanical analysis，DMA)装置（商品名：Q800型，(股)TA Instruments(TA Instruments Japan Inc.)）进行动态粘弹性测定。而且，玻璃化转变温度为在1Hz中使tanδ表示出最大值的温度。 
3.线膨胀系数 
利用蚀刻处理去除所得的覆铜箔积层基板的铜箔，然后按照日本JIS C6484，使用热机械分析(thermomechanical analysis，TMA)装置（商品名：TMA/SS6100，(股)精工电子纳米科技(SII NanoTechnology Inc.)），在低于玻璃化转变温度的温度范围和高于玻璃化转变温度的温度范围内，对该基板测定垂直方向（Z方向）的线膨胀系数。 
4.耐热变色性 
利用蚀刻处理去除所得的覆铜箔积层基板的铜箔，然后利用光反射率测定器X-rite8200（积分球式分光光度计，X-rite公司(US)制造）测定该积层基板表面的蓝色LED在平均波长(470nm)下的反射率，并且同样地测定以200℃加热处理23小时后的反射率。 
它们的各测定结果示于表1、表2。 
表1 
如表1所示，通过使用本发明的由T单元所构成的三维网状结构的含有乙烯基的树脂，可以获得一种硅酮积层基板，所述硅酮积层基板与以往的硅酮积层基板制造用硅酮树脂组合物相比较，玻璃化转变温度非常高，线膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制。 
表2 
Figure BDA0000384330400000242
如表2所示，明确以下事项：与通用的环氧基板相比较，本发明的硅酮积层基板的耐热性特性非常优异，可以防止由加工时的加热和LED芯片的放热量的增加所导致的基板的劣化。 
另外，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有与本发明的权利要求书所述的技术思想实质相同的结构、并发挥相同作用效果的技术方案，均包含在本发明的技术范围内。 

Claims (11)

1.一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其特征在于，其含有：
(A)三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元和R2SiO1.5单元所构成，且由RSiO1.5单元所表示的T单元所构成，R1SiO1.5单元中的R1表示碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基，R2SiO1.5单元中的R2表示碳数2～8的烯基，RSiO1.5单元中的R为R1或R2；
(B)有机氢聚硅氧烷：(B)成分中的键结于硅原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1～4.0的量，所述有机氢聚硅氧烷由R1SiO1.5单元、R1 2SiO单元及R1 aHbSiO(4－a－b)/2单元所构成，此处，R1表示碳数1～10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～10的芳基，a为0、1或2，b为1或2，且a＋b为2或3；
(C)铂族金属系催化剂：有效量；及，
(D)填充剂：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为900质量份以下。
2.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述硅酮树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为150℃以上。
3.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述R1为甲基、乙基、丙基、环己基或苯基，前述R2为乙烯基或烯丙基。
4.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(A)和(B)成分中的一者或两者含有硅醇基。
5.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(B)成分具有连续的R1 2SiO单元。
6.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(D)成分包含以下成分中的一者或两者：
(D1)除了白色颜料以外的无机质填充剂：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为600质量份以下；
(D2)白色颜料：相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为1～300质量份。
7.如权利要求6所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(D2)成分是二氧化钛、氧化锌、或由它们组合而成。
8.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述硅酮树脂组合物在室温下为固体状。
9.一种硅酮积层基板，其是具有玻璃布、和含浸于该玻璃布中的硅酮树脂组合物的固化物而成，其特征在于，
前述硅酮树脂组合物是权利要求1所述的硅酮树脂组合物。
10.一种硅酮积层基板的制造方法，其特征在于，其具备以下步骤：
将权利要求1所述的硅酮树脂组合物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸于玻璃布中；
将前述溶剂从该玻璃布中蒸发而去除；及，
将含浸于该玻璃布中的前述硅酮树脂组合物在加压成型下加热固化。
11.一种LED装置，其特征在于，其具备：
权利要求9所述的硅酮积层基板；及，
LED芯片，构装于该硅酮积层基板上。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108698375A (zh) * 2016-03-30 2018-10-23 日本钨合金株式会社 覆铜层叠板及其制造方法
WO2021135122A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 潍坊歌尔微电子有限公司 防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102256994B1 (ko) * 2016-01-15 2021-05-27 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 축합반응형 다이본딩제, led 발광장치 및 그 제조방법
JP6645911B2 (ja) * 2016-06-03 2020-02-14 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂基板及びその製造方法、並びに光半導体装置
JP2018030953A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂透明基板及びその製造方法
JP2018030977A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂基板、金属層形成シリコーン樹脂基板、シリコーン樹脂硬化基板及び金属層形成シリコーン樹脂硬化基板
WO2018051158A1 (en) * 2016-09-19 2018-03-22 Wacker Chemie Ag Thermally stable silicone potting compositions
CN106626690B (zh) * 2016-10-14 2018-09-28 厦门大学 一种高电容率金属化表面板材的制备方法
JP2020027824A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 ローム株式会社 発光装置および表示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101107324A (zh) * 2005-01-24 2008-01-16 迈图高新材料日本合同公司 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置
US20080026217A1 (en) * 2005-12-02 2008-01-31 Kim Hye M Method for preparing a photochromic nanoparticle and nanoparticle prepared therefrom
CN101673716A (zh) * 2008-09-11 2010-03-17 信越化学工业株式会社 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置
JP2012074416A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
CN102464887A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 达兴材料股份有限公司 发光二极管元件用可硬化硅氧烷树脂组合物
CN102732040A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 信越化学工业株式会社 硅树脂组合物以及采用该组合物的光学半导体装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3946626B2 (ja) 2002-12-03 2007-07-18 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、プリプレグおよびそれを用いたプリント配線板
EP1987084B1 (en) * 2006-02-24 2014-11-05 Dow Corning Corporation Light emitting device encapsulated with silicones and curable silicone compositions for preparing the silicones
JPWO2007119627A1 (ja) * 2006-04-10 2009-08-27 宇部興産株式会社 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びこれらの製造方法
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
JP2009079163A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Ube Ind Ltd 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びシルセスキオキサン硬化物の製造法
KR101274418B1 (ko) * 2010-06-24 2013-06-17 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 광 반도체 장치용 밀봉제 및 이를 이용한 광 반도체 장치
CN103619981A (zh) * 2010-12-22 2014-03-05 道康宁公司 有机硅组合物、有机硅粘合剂、涂布和层合基底
CN104321385B (zh) 2012-05-25 2016-08-24 株式会社大赛璐 固化性树脂组合物及其固化物、密封剂以及光半导体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101107324A (zh) * 2005-01-24 2008-01-16 迈图高新材料日本合同公司 发光元件封装用有机硅组合物及发光装置
US20080026217A1 (en) * 2005-12-02 2008-01-31 Kim Hye M Method for preparing a photochromic nanoparticle and nanoparticle prepared therefrom
CN101673716A (zh) * 2008-09-11 2010-03-17 信越化学工业株式会社 硅氧积层基板及其制法、硅氧树脂组成物以及led装置
JP2012074416A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
CN102464887A (zh) * 2010-11-18 2012-05-23 达兴材料股份有限公司 发光二极管元件用可硬化硅氧烷树脂组合物
CN102732040A (zh) * 2011-04-08 2012-10-17 信越化学工业株式会社 硅树脂组合物以及采用该组合物的光学半导体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108698375A (zh) * 2016-03-30 2018-10-23 日本钨合金株式会社 覆铜层叠板及其制造方法
WO2021135122A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 潍坊歌尔微电子有限公司 防尘结构、麦克风封装结构以及电子设备

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