KR20170124558A - 프라이머 조성물, 접착 방법 및 전기·전자 부품 - Google Patents

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KR20170124558A
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료스케 야마자키
히로아키 요시다
신 요시다
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다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드
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Abstract

(A) 평균 단위식: (Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２)ａ(Ｒ２ＳｉＯ３／２)ｂ로 표시되고, 레진상 실록산 블록이 직쇄상 실록산 블록에 의해 연결되며, 규소 원자 결합 수산기 또는 규소 원자 결합 알콕시기를 0.5∼35.0몰% 함유하는 오가노실록산 블록 공중합체(식 중, Ｒ１ 및 Ｒ２는 각각 독립하여 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기, a는 0.40∼0.90의 수, b는 0.10∼0.60의 수, 또한 a+b=1.00), (B) 경화 촉매 및 (C) 유기 용매로 적어도 이루어진다. 본 발명의 프라이머 조성물은 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있다.

Description

프라이머 조성물, 접착 방법 및 전기·전자 부품
본 발명은 프라이머 조성물, 당해 조성물을 이용한 접착 방법, 및 당해 조성물을 이용한 전기·전자 부품에 관한 것이다.
광 반도체 장치(LED) 등의 전기·전자 부품은 그 신뢰성을 향상시키기 위해 광 반도체 소자가 실리콘 경화물에 의해 봉지(封止)되어 있다. 이 실리콘 경화물을 형성하기 위해 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물이 사용되고 있지만, 당해 조성물을 경화하여 얻어지는 실리콘 경화물은 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재에 대한 접착성이 충분하지 않았다. 특히, 표면 택(surface tackiness)이 적고, 먼지 등의 부착이 적은 고경도의 실리콘 경화물은, 기재에 대한 접착성이 충분하지 않았다.
기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시키기 위해 상기 기재를 프라이머 조성물로 미리 처리하는 것이 알려져 있다. 이 프라이머 조성물로서, 예를 들면 아크릴계 중합체, 실라놀 축합 촉매 및 실란 커플링제로 이루어지는 프라이머 조성물(특허문헌 1 참조), 에폭시기 및 규소 원자 결합 알콕시기를 가지는 오가노실록산 올리고머와 유기 용매로 이루어지는 프라이머 조성물(특허문헌 2 참조), 실란 커플링제, 루이스 산성의 유기 알루미늄 화합물 및 유기 용매로 이루어지는 프라이머 조성물(특허문헌 3 참조)이 알려져 있다.
그러나, 이들 프라이머 조성물일지라도 접착성이 충분하지 않다고 하는 과제가 있다. 게다가, 최근의 LED의 소형화나 LED의 고휘도화에 수반하는 발열량의 증대에 의해 히트 사이클(heat cycle)을 받아 실리콘 경화물과 기재와의 사이에 필(peeling)이나 크랙(cracking)을 생기게 하기 쉽다는 과제도 있다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2004-339450호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 제2006-253398호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 제2007-246803호
본 발명의 목적은 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있는 프라이머 조성물을 제공하는 데에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있는 접착 방법을 제공하는 데에 있다. 게다가, 본 발명의 다른 목적은 상기 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙이 억제된 전기·전자 부품을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 프라이머 조성물은
(A) 평균 단위식:
(Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２)ａ(Ｒ２ＳｉＯ３／２)ｂ
(식 중, Ｒ１ 및 Ｒ２는 각각 독립하여 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기이며, a는 0.40∼0.90의 수, b는 0.10∼0.60의 수이며, 또한 a+b=1.00이다.)
로 표시되고, 식:
［Ｒ２ＳｉＯ３ ／２］
(식 중, Ｒ２는 상기와 같다.)
로 표시되는 레진상 실록산 블록이 식:
－(Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２)ｎ－
(식 중, Ｒ１은 상기와 동일하고, n은 10∼400의 수이다.)
로 표시되는 직쇄상 실록산 블록에 의해 연결되며, 규소 원자 결합 수산기 또는 규소 원자 결합 알콕시기를 0.5∼35.0몰% 함유하는, 25℃에서 고체상이며, 연화점이 200℃ 이하인 오가노실록산 블록 공중합체,
(B) 경화 촉매(본 조성물의 경화를 촉진하는 양) 및
(C) 임의량의 유기 용매
로 적어도 이루어진다.
본 발명의 접착 방법은 상기의 프라이머 조성물을 기재 위에 도포하고, 유기 용매를 제거한 후, 얻어진 프라이머 층 위에 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 경화하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전기·전자 부품은 전기·전자용 기재, 당해 기재 상의 프라이머 층 및 당해 프라이머 층 상의 실리콘 경화물로 이루어지고, 상기 프라이머 층이 상기의 프라이머 조성물에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 프라이머 조성물은 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있다. 또한, 본 발명의 접착 방법은 상기 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있다. 게다가, 본 발명의 전기·전자 부품은 상기 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 전기·전자 부품의 일례인 칩 온 보드(COB)형 광 반도체 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 전기·전자 부품의 일례인 다른 칩 온 보드(COB)형 광 반도체 장치의 단면도이다.
[프라이머 조성물]
(A) 성분인 오가노실록산 블록 공중합체는 평균 단위식:
(Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２)ａ(Ｒ２ＳｉＯ３／２)ｂ
로 표시된다.
식 중, Ｒ１ 및 Ｒ2는 각각 독립하여 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기이다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 사이클로헥실기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 아랄킬기가 예시된다. Ｒ１은 알킬기 및/또는 아릴기인 것이 바람직하고, 특히 메틸기 및/또는 페닐기인 것이 바람직하다. Ｒ2는 아릴기인 것이 바람직하고, 특히 페닐기인 것이 바람직하다.
식 중, a는 0.40∼0.90의 수이며, 바람직하게는 a는 0.50∼0.90의 수, 또는 0.60∼0.90의 수이다. 식 중, b는 0.10∼0.60의 수이며, 바람직하게는 0.10∼0.50의 수, 또는 0.10∼0.40의 수이다. 또한, 식 중, a+b+c=1.00이다.
게다가, (A)성분은 식:
［Ｒ２ＳｉＯ３ ／２］
로 표시되는 레진상 실록산 블록이 식:
－(Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２)ｎ－
로 표시되는 직쇄상 실록산 블록에 의해 연결되어 있다.
식:
［Ｒ２ＳｉＯ３ ／２］
로 표시되는 레진상 실록산 블록에 있어서, 식 중, Ｒ2는 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기이며, 상기와 같은 기가 예시된다. 또한, 이 레진상 실록산 블록의 중량 평균 분자량은 한정되지 않지만, 바람직하게는 적어도 500이다. 이것은, 이 레진상 실록산 블록이 적어도 3개 이상의 식: Ｒ２ＳｉＯ３ ／ ２로 표시되는 트리실록산 단위로 이루어지는 것을 의미한다. 또한, 이 중량 평균 분자량은 원료인 레진상 실록산에 유래하는 것이며, 원료인 레진상 실록산을 겔 투과 크로마토그라피(GPC)에 의해 측정할 수 있다.
또한, 식:
－(Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２)ｎ－
로 표시되는 직쇄상 실록산 블록에 있어서, 식 중, Ｒ１은 각각 독립하여 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기이며, 상기와 같은 기가 예시된다.
(A)성분인 오가노실록산 블록 공중합체는 디실록시 ［Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２］ 단위 및 트리실록시 ［Ｒ２ＳｉＯ３ ／２］ 단위로 이루어지는데, 게다가 0.5∼35.0몰%, 바람직하게는 2∼32몰%의 규소 원자 결합 수산기[≡SiOH] 또는 규소 원자 결합 알콕시기[≡SiOR]를 함유한다. 이 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기 등의 탄소수 1∼4의 알콕시기가 예시된다. 이 규소 원자 결합 수산기 또는 규소 원자 결합 알콕시기는 오가노실록산 블록 공중합체 내의 임의의 실록시 단위 상에 존재하고 있고, 이 규소 원자 결합 수산기 또는 규소 원자 결합 알콕시기가 반응하여 본 조성물을 경화시킬 수 있다.
또한, (A)성분인 오가노실록산 블록 공중합체에 있어서의 디실록시 [Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２] 단위 및 트리실록시 [Ｒ２ＳｉＯ３ ／２] 단위의 몰 분율, 및 오가노실록산 블록 공중합체 중의 규소 원자 결합 수산기[≡SiOH] 또는 규소 원자 결합 알콕시기[≡SiOR]의 함유량은 29Si-핵자기 공명 스펙트럼(NMR)에 의해 측정할 수 있다.
(A)성분은 25℃에서 고체상이고, 연화점이 200℃ 이하이다. 연화점의 바람직한 상한은 150℃ 이하, 또는 100℃ 이하이며, 한편 그 바람직한 하한은 30℃ 이상, 또는 50℃ 이상이다. 또한, (A)성분의 분자량은 한정되지 않지만, 바람직하게는 그 중량 평균 분자량이 20,000 이상, 바람직하게는 40,000 이상이다.
(A)성분인 오가노실록산 블록 공중합체에서는, 식:
［Ｒ２ＳｉＯ３ ／２］
로 표시되는 레진상 실록산 블록이 식:
－(Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２)ｎ－
로 표시되는 직쇄상 실록산 블록에 의해 연결되며, 상기 레진상 실록산 블록이 더욱더 응집하여 「단단한」 폴리머 블록으로 이루어지는 「나노 도메인」을 형성하고 있으므로, 이 오가노실록산 블록 공중합체는 실온에서 고체상이 된다. 한편, 상 분리한 직쇄상 실록산 블록은 「부드러운」 폴리머 블록을 형성하고 있으며, 이 상 분리된 「부드러운」 폴리머 블록과 「단단한」 폴리머 블록은 다른 유리 전이 온도(Tg), 구체적으로는 25℃ 미만, 0℃ 미만, 또는 -20℃ 미만이라고 하는 보다 낮은 Tg를 가지는 「부드러운」 폴리머 블록과 30℃ 초과, 40℃ 초과, 또는 50℃ 초과라고 하는 보다 높은 Tg를 가지는 「단단한」 폴리머 블록으로 이루어진다. 그 결과, 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재를 본 조성물에 의해 형성한 프라이머 층을 개재시켜 접착한 실리콘 경화물이 히트 사이클 등을 받아도 프라이머 층에 의해 응력을 완화하여 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있다.
이러한 (A)성분인 오가노실록산 블록 공중합체의 조제 방법은 한정되지 않고, 예를 들면 일본 공표특허공보 제2013-540169호나 일본 공표특허공보 제2013-544295호에 기재된 방법에 의해 조제된다.
(B)성분은 본 조성물의 경화를 촉진하기 위한 경화 촉매이며, 바람직하게는 축합 반응 촉매이다. 이러한 축합 반응 촉매로서는 디부틸주석 디라우레이트, 디부틸주석 디아세테이트, 옥텐산주석, 디부틸주석 디옥테이트, 라우르산주석 등의 유기 주석 화합물; 테트라부틸 티타네이트, 테트라프로필 티타네이트, 디부톡시비스(에틸아세토아세테이트) 등의 유기 티탄 화합물; 테트라부틸 지르코네이트, 테트라키스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 테트라이소부틸 지르코네이트, 부톡시트리스(아세틸아세토네이토)지르코늄, 나프텐산지르코늄, 옥틸산지르코늄, 2-에틸헥산산지르코늄 등의 유기 지르코늄 화합물; 트리메톡시알루미늄, 트리에톡시알루미늄, 트리이소프로폭시알루미늄, 트리-n-프로필알루미늄, 나프텐산알루미늄, 스테아르산알루미늄, 옥틸산알루미늄, 안식향산알루미늄, 알루미늄 에틸아세토아세테이트 디이소프로필레이트, 알루미늄 에틸아세토아세테이트 디이소부티레이트, 알루미늄 트리스(에틸아세토아세테이트), 알루미늄 비스에틸아세토아세테이트 모노아세틸아세토네이트, 알루미늄 트리스(아세틸아세토네이트) 등의 유기 알루미늄 화합물; 1, 8-디아자비사이클로[5, 4, 0]-운데카-7-엔(DBU), 1, 5, 7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔(TBD), 1, 4-디아자비사이클로[2.2.0]옥탄(DABCO), 1, 1, 3, 3-테트라메틸구아니딘(TMG), 1, 5-디아자비사이클로[4.3.0]-5-노넨(DBN), 7-메틸-1, 5, 7-트리아자비사이클로[4.4.0]데카-5-엔(MTBD) 등의 함질소 화합물; 트리페닐포스핀 옥사이드 등의 유기 인 화합물; 기타 염산, 황산, 도데실벤젠설폰산 등의 산성 화합물; 암모니아, 수산화나트륨 등의 알칼리성 화합물이 예시되며, 바람직하게는 유기 주석 화합물, 유기 티탄 화합물, 함질소 화합물, 알칼리성 화합물이다.
(B)성분의 함유량은 본 조성물의 경화를 촉진하는 양이며, 구체적으로는, (A)성분 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.005∼0.5질량부의 범위 내, 또는 0.01∼0.5질량부의 범위 내이다. 이것은, (B)성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 조성물을 충분히 경화할 수 있기 때문이며, 한편 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 조성물을 경화하여 얻어지는 프라이머 층의 기계적 특성이나 광학적 특성을 손상하지 않기 때문이다.
(C)성분인 유기 용매는 25℃에서 고체상인 (A)성분을 용해하여 본 조성물의 도공성을 향상시키기 위한 성분이다. 이러한 유기 용매로서는 n-헵탄, n-헥산, 이소옥탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매; 에탄올, 프로판올, 부탄올, 사이클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디에틸 에테르, 테트라하이드로푸란, 1, 4-디옥산 등의 에테르계 용매; 아세톤, 메틸 이소부틸 케톤 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸 등의 에스테르계 용매; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소계 용매; 피리딘 등의 방향족 복소환계 용매가 예시된다. (A)성분을 충분히 용해할 수 있는 점에서 (C)성분은 방향족 탄화수소계 용매를 포함하는 것이 바람직하고, 또한 본 조성물을 기재에 균일하게 도포할 수 있는 점에서 (C)성분은 방향족 탄화수소계 용매와 지방족 탄화수소계 용매의 혼합 용매인 것이 바람직하다.
(C)성분의 함유량은 본 조성물의 도공 작업성이나 건조 작업성을 고려하여 임의로 결정할 수 있는 양이며, 구체적으로는, 본 조성물 전체의 70질량% 이상, 바람직하게는 70∼99.9질량%의 범위 내, 또는 80∼99.9질량%의 범위 내가 되는 양이다.
본 조성물에는 기타 임의의 성분으로서 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 아릴트리에톡시실란 등의 알케닐기 함유 실란 커플링제; 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 2-(3, 4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 실란 커플링제; 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란 등의 메타크릴기 또는 아크릴기 함유 실란 커플링제; 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-에틸아미노)-3-아미노프로필트리메톡시실란 등의 아미노기 함유 실란 커플링제 등을 함유해도 좋다. 실란 커플링제의 함유량은 한정되지 않지만, 본 조성물 전체의 0.05∼5질량%의 범위 내, 또는 0.1∼2질량%의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 프라이머 층 위에 접착시키는 경화성 실리콘 조성물이 하이드로실릴화 반응 경화성인 경우, 그 경화성 및 본 프라이머 층과의 접착성을 높이기 위해 하이드로실릴화 반응용 촉매를 함유해도 좋다. 이러한 하이드로실릴화 반응용 촉매로서는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매가 예시되며, 본 조성물의 경화를 현저하게 촉진할 수 있는 점에서 백금계 촉매가 바람직하다. 이 백금계 촉매로서는 백금 미분말, 염화백금산, 염화백금산의 알코올 용액, 백금-알케닐실록산 착체, 백금-올레핀 착체, 백금-카보닐 착체가 예시되며, 특히 백금-알케닐실록산 착체가 바람직하다. 이 알케닐실록산으로서는 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산, 1, 3, 5, 7-테트라메틸-1, 3, 5, 7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸기의 일부를 에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산, 이들 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산이 예시된다. 특히, 이 백금-알케닐실록산 착체의 안정성이 양호한 점에서 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산인 것이 바람직하다. 하이드로실릴화 반응용 촉매의 함유량은, 본 조성물 전체에 대하여, 금속 원자가 질량 단위로 0.01∼10,000 ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다.
[접착 방법]
다음에, 본 발명의 접착 방법을 상세하게 설명한다.
본 발명의 접착 방법에서는, 우선 상기의 프라이머 조성물을 기재 위에 도포한다.
전기·전자용 기재는 한정되지 않지만, 예를 들면 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판을 들 수 있다. 또한, 기재의 재질은 한정되지 않고, 예를 들면 알루미늄, 구리, 니켈, 질화알루미늄 등의 금속 재료; 유리나 사파이어 등의 금속 산화물 재료; 이미드 수지, 비스말레이미드·트리아진 수지, 유리섬유 함유 에폭시 수지, 종이 페놀 수지, 베이크라이트(Bakelite), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 수지, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지, 폴리카보네이트 수지, 불소 수지, 폴리이미드 수지, 폴리페닐렌 설파이드 수지, 아라미드 수지, 폴리에테르 에테르 수지, 폴리에테르 이미드 수지, 액정 폴리머, 폴리에테르 설폰 수지, 사이클로올레핀 수지, 실리콘 고무, 실리콘 수지 등의 유기 재료를 들 수 있다.
프라이머 조성물의 도포량은 통상 30∼100 g/m2이며, 바람직하게는 10∼50 g/m2이다. 이것은, 상기 하한 미만이면, 충분한 두께의 프라이머 층을 형성할 수 없고, 강고한 접착을 달성할 수 없기 때문이다. 상기 상한을 초과하면 프라이머 층이 지나치게 두꺼워져서, 접착시키는 경화성 실리콘 조성물의 두께를 제어하는 것이 어렵기 때문이다.
프라이머 조성물의 도포 방법으로서는 스프레이, 브러시 코팅(brush coating), 침지 등 종래 공지의 방법이 적용 가능하다. 유기 용매를 제거하는 방법은 한정되지 않고, 실온에서 방치하여 건조하는 방법, 바람을 쐬어 건조하는 방법, 가열에 의해 유기 용매를 강제적으로 증발시키는 방법, 적외선 조사에 의한 건조 등의 주지의 방법을 이용할 수 있다. 또한, 유기 용매를 제거하는 과정에서 프라이머 층을 경화시켜도 좋지만, 그 후의 경화성 실리콘 조성물의 경화 시 동시에 경화시켜도 좋다.
다음에, 기재의 프라이머 층 위에 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 경화한다. 이 경화성 실리콘 조성물은 한정되지 않지만, 바람직하게는 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물이다. 이 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물은, 예를 들면
(I) 1분자 중에 적어도 2개의 알케닐기를 가지는 오가노폴리실록산,
(II) 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 가지는 오가노폴리실록산 및
(III) 하이드로실릴화 반응용 촉매
로 적어도 이루어진다.
(I)성분 중의 알케닐기로서는 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기가 예시된다. 또한, (I)성분 중의 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합하는 기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등의 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 사이클로알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 3-페닐프로필기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3, 3, 3-트리플루오로프로필기, 노나플루오로부틸에틸기 등의 할로겐화 알킬기가 예시된다.
(I)성분의 분자 구조는 한정되지 않고, 예를 들면 직쇄상, 환상, 일부 분기를 가지는 직쇄상, 분기상을 들 수 있다. 또한, (I)성분의 점도는 한정되지 않고, 바람직하게는 25℃에 있어서 20∼100,000 mPa·s의 범위 내, 또는 100∼10,000 mPa·s의 범위 내이다.
(II)성분의 수소 원자 이외의 규소 원자에 결합하는 기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 등의 알킬기; 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등의 사이클로알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 3-페닐프로필기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기, 3, 3, 3-트리플루오로프로필기, 노나플루오로부틸에틸기 등의 할로겐화 알킬기가 예시된다.
(II)성분의 분자 구조는 한정되지 않고, 예를 들면 직쇄상, 환상, 일부 분기를 가지는 직쇄상, 분기상을 들 수 있다. 또한, (II)성분의 점도는 한정되지 않고, 바람직하게는 25℃에 있어서 1∼10,000 mPa·s의 범위 내이다.
(II)성분의 함유량은 상기 경화성 실리콘 조성물을 경화시키기에 충분한 양이라면 좋고, 바람직하게는 (I)성분 중의 알케닐기 1몰에 대하여 (II)성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.3∼10몰의 범위 내가 되는 양이다.
(III)성분은 상기 경화성 실리콘 조성물의 경화를 촉진하기 위한 하이드로실릴화 반응용 촉매이며, 상기에 설명한 촉매를 이용할 수 있다.
(III)성분의 함유량은 한정되지 않고, 상기 경화성 실리콘 조성물의 경화를 촉진하는 양이며, 바람직하게는 상기 경화성 실리콘 조성물에 대하여, 백금 금속이 질량 단위로 1∼1000 ppm의 범위 내가 되는 양, 또는 5∼100 ppm의 범위 내가 되는 양이다.
다음에, 프라이머 층 위에서 상기 경화성 실리콘 조성물을 경화시킨다. 경화성 실리콘 조성물을 경화시키는 조건은 한정되지 않고, 필요에 따라, 가열해도 좋다.
[전기·전자 부품]
다음에, 본 발명의 전기·전자 부품을 상세하게 설명한다.
본 발명의 전기·전자 부품은 전기·전자용 기재, 당해 기재 상의 프라이머 층, 및 당해 프라이머 층 상의 실리콘 경화물로 이루어지는 전기·전자 부품으로서, 상기의 프라이머 조성물에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이 전기·전자 부품으로서는 광 반도체 장치(LED)가 예시된다.
　본 발명의 전기·전자 부품의 일례인 광 반도체 장치(LED)의 단면도를 도 1 및 도 2에 나타냈다. 도 1은 본 발명의 광 반도체 장치의 일례인 칩 온 보드(COB)형 광 반도체 장치의 단면도를 나타낸다. 도 1의 COB형 광 반도체 장치에서는, 광 반도체 소자(1)가 COB용 기판 (2)에 다이 본드에 의해 탑재되고, 이 광 반도체 소자(1)와 회로(3, 4)를 본딩 와이어(bonding wire, 5)에 의해 전기적으로 접속하고 있다. 또한, 기판(2) 위의 광 반도체 소자(1) 주위에는, 광 반도체 소자(1)로부터 나오는 빛을 효율적으로 반사하도록 광 반사재(6)가 형성되어 있다.
도 2는 본 발명의 광 반도체 장치의 일례인 다른 칩 온 보드(COB)형 광 반도체 장치의 단면도를 나타낸다. 도 2의 COB형 광 반도체 장치에서는, 광 반도체 소자(1)가 COB용 기판(2) 위의 회로(3, 4)와 본딩 패드(bonding pad)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 기판(2) 위의 광 반도체 소자(1) 주위에는, 광 반도체 소자(1)로부터 나오는 빛을 효율적으로 반사하도록 광 반사재(6)가 형성되어 있다.
도 1 및 도 2의 광 반도체 장치에 있어서, 기판(2)은 알루미늄이나 구리 등의 금속제 기판이여도 좋고, 그 금속제 기판의 표면에 절연층(도시하지 않음)을 개재시켜 회로(3, 4)가 형성되어 있다. 또한, 기판(2)으로서 비금속제 기판을 이용하는 경우에는, 절연층을 형성할 필요는 없다. 이러한 비금속제 기판으로서는 유리 에폭시 기판, 폴리부틸렌 테레프탈레이트(PBT) 기판, 폴리이미드 기판, 폴리에스테르 기판, 질화알루미늄 기판, 질화붕소 기판, 질화규소 기판, 알루미나 세라믹 기판, 유리 기판, 플렉시블(flexible) 유리 기판이 예시된다. 게다가, 이 기판(2)으로서 절연 수지층을 가지는 알루미늄제 기판 또는 구리제 기판으로 이루어지는 하이브리드 기판이나, 프린트 배선한 실리콘 기판, 탄화규소 기판, 사파이어 기판을 이용할 수도 있다.
이 회로(3, 4)는 전기 전도성이 높은 은, 구리 및 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속, 또는 은, 구리 및 알루미늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 합금을 이용할 수 있다. 회로(3, 4)의 표면은 상기 프라이머 조성물에 의해 형성된 프라이머 층(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 게다가, 이 기판(2)에는, 광 반도체 소자(1)를 탑재하는 부분을 노출하도록 상기 프라이머 층을 개재시켜 회로(3, 4) 위에 광 반사재(6)가 형성되어 있다.
도 1 및 도 2에서는, 광 반도체 소자(1) 및 광 반사재(6)가 봉지재(7)에 의해 봉지되어 있지만, 광 반도체 소자(1)만을 봉지재(7)로 돔상으로 봉지해도 좋다. 또한, 도 1 및 도 2에서는, 광 반도체 소자(1)가 기판(2) 위에 1개만 도시되어 있지만, 이 광 반도체 소자(1)를 기판(2) 위에 복수 탑재해도 좋다.
실시예
본 발명의 프라이머 조성물, 접착 방법 및 전기·전자 부품을 실시예에 의해 상세하게 설명한다. 실시예 중, 점도는 25℃에서의 값이며, 식 중, Me, Ph 및 Vi는 각각 메틸기, 페닐기 및 비닐기를 나타낸다. 또한, 오가노실록산 블록 공중합체의 연화점, 프라이머 조성물에 의한 접착 성능을 다음과 같이 하여 평가했다.
[연화점]
오가노실록산 블록 공중합체를 φ14 mm×22 mm의 원주상의 태블릿상으로 성형하고, 이 태블릿(tablet)을 25℃∼100℃로 설정한 핫 플레이트(hot plate) 위에 두고, 100그램중(g重)의 하중으로 위로부터 10초간 계속해서 누르고, 하중을 제거한 후, 당해 태블릿의 변형량을 측정했다. 높이 방향의 변형량이 1 mm 이상이 된 온도를 연화점으로 했다.
[경화성 실리콘 조성물의 접착력]
25 mm×75 mm의 유리 기판 위에 경화성 실리콘 조성물을 디스펜서에 의해 약 100 mg씩 5군데에 도포했다. 다음에, 이 조성물에 두께 1 mm의 6 mm 각(角)의 알루미늄제 칩을 씌우고, 1 ㎏의 판자에 의해 압착한 상태에서 150℃에서 2시간 가열하여 경화시킨 후, 실온으로 냉각하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 이 시험편의 다이 쉐어 강도(die shear strength)를 다이 쉐어 강도 측정 장치(세이신쇼지가부시키가이샤(Seishin Trading Co., Ltd.) 제품인 본드 테스터 SS-100KP)에 의해 측정하고, 그 평균치를 구했다.
[참고예 1-오가노실록산 블록 공중합체의 조제]
온도계, 테프론(등록상표)제의 교반 패들 및 수냉 응축기를 설치한 딘 스타크(Dean Stark) 장치를 장착한 500 mL의 4구 환저 플라스크에 평균 단위식: ＰｈＳｉＯ３／２로 표시되고, 중량 평균 분자량이 1,300인 오가노폴리실록산 레진 45.0 g과 톨루엔 70.38 g을 투입하고, 질소 분위기하 교반하면서 가열했다. 반응 혼합물을 톨루엔 환류시키면서 30분간 가열한 후, 반응 혼합물을 108℃로 냉각했다.
또한, 분자쇄 양 말단 실란올 그룹 봉쇄 메틸페닐폴리실록산(중합도 140) 55.0 g 및 톨루엔 29.62 g의 용액에 메틸트리아세톡시실란과 에틸트리아세톡시실란의 질량비 1:1의 혼합물 1.21 g을 첨가하여 분자쇄 양 말단 디아세톡시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산(중합도 140)의 톨루엔 용액을 조제했다.
질소 분위기하 상기의 반응 혼합물에 상기의 분자쇄 양 말단 디아세톡시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산의 톨루엔 용액을 신속히 첨가하고, 실온에서 2시간 반응시켰다. 그 후, 반응 혼합물을 톨루엔 환류시키면서 2시간 가열했다. 다음에, 이것을 108℃로 냉각하고, 메틸트리아세톡시실란과 에틸트리아세톡시실란의 질량비 1:1의 혼합물 7.99 g을 첨가했다. 반응 혼합물을 톨루엔 환류시키면서 추가로 1시간 가열했다. 다음에, 이것을 90℃로 냉각하고, 그 후, 이온 교환수 12 mL를 첨가했다. 온도를 상승시켜 환류시켜, 물을 공비 증류에 의해 제거했다. 반응 혼합물을 다시 90℃로 냉각하고, 추가로 이온 교환수 12 mL를 첨가했다. 이것을 가열하여 환류시켜 물을 다시 제거했다. 그 후, 톨루엔 56.9 g을 증류에 의해 제거하여 고형분 함유량을 상승시켰다. 얻어진 반응물을 실온으로 냉각하고, 그 후, 5.0 μm의 필터로 가압 여과하고, 톨루엔을 이용하여 고형분 농도 10질량%의 반응물의 톨루엔 용액을 얻었다. 이 반응물은 29Si-핵자기 공명 스펙트럼 분석에 의해 평균 단위식:
(ＰｈＭｅＳｉＯ２／２)０.５５(ＰｈＳｉＯ３／２)０.４５
로 표시되고, 식:
(ＰｈＳｉＯ３ ／２)
로 표시되는 페닐실록산 레진 블록이 식:
－(ＰｈＭｅＳｉＯ２ ／２)140－
로 표시되는 메틸페닐실록산 블록에 의해 연결되며, 16몰%의 규소 원자 결합 수산기를 가지고, 연화점이 55℃인 오가노실록산 블록 공중합체인 것으로 밝혀졌다.
[참고예 2-프라이머 조성물의 조제]
n-헵탄 100질량부에 알릴트리메톡시실란 10질량부를 가하여 혼합한 후, 테트라(n-부틸) 티타네이트 2질량부를 가하여 균일하게 혼합한 후, 염화백금산과 1, 3-디비닐테트라메틸디실록산과의 착체 0.1질량부를 가하여 균일하게 혼합한 프라이머 조성물을 조제했다.
[참고예 3-경화성 실리콘 조성물의 조제]
식:
－(ＭｅＶｉＳｉＯ)２０－
로 표시되는 직쇄상 메틸비닐실록산 블록을 가지고, 분자쇄 양 말단이 수산기로 봉쇄된 메틸비닐폴리실록산 4.4질량부, 식:
Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ(Ｍｅ２ＳｉＯ)１６０ＳｉＭｅ２Ｖｉ
로 표시되는 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산 4.1질량부, 평균 1차 입자 지름 0.2 μm의 산화티탄(사카이카가쿠코교 제품인 SX-3103) 51.8질량부, 평균 입자 지름 15 μm의 구상 실리카(신닛테츠마테리아루즈마이크론사 제품인 HS-202) 30질량부 및 점도 24 mPa·s인, 식:
Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ(Ｍｅ２ＳｉＯ)２９Ｓｉ(ＯＭｅ)３
로 표시되는 분자쇄 편 말단이 디메틸비닐실록시기로 봉쇄되고, 다른 분자쇄 편 말단이 트리메톡시실록시기로 봉쇄된 디메틸폴리실록산 4질량부를 로스 믹서(Ross mixer)에 투입하고, 실온에서 혼합한 후, 갑압하 150℃로 가열하면서 혼련하여 실리콘 베이스를 조제했다.
다음에, 실온하 이 실리콘 베이스에 식:
－(ＭｅＨＳｉＯ)５０－
로 표시되는 직쇄상 메틸하이드로젠실록산 블록을 가지고, 분자쇄 양 말단이 트리메틸실록시기로 봉쇄된 메틸하이드로젠폴리실록산 4.7질량부(실리콘 베이스 중의 메틸비닐폴리실록산과 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산 중의 비닐기의 합계 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 1.5몰이 되는 양), 점도 20 mPa·s의 분자쇄 양 말단 수산기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합 올리고머와 3-글리시독시프로필트리메톡시실란과의 질량비 1:2의 축합 반응물 1질량부, 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올(본 조성물에 대하여, 질량 단위로 200 ppm이 되는 양)을 혼합한 후, 백금의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산의 1, 3-디비닐-1, 1, 3, 3-테트라메틸디실록산 용액(본 조성물에 대하여, 백금 원자가 질량 단위로 3.5 ppm이 되는 양)을 혼합하여 경화성 실리콘 조성물을 조제했다.
[실시예 1]
참고예 1에서 조제한 오가노실록산 블록 공중합체의 톨루엔 용액(고형분 농도 10질량%) 5 g, 1, 8-디아자비사이클로[5, 4, 0]-운데카-7-엔(DBU) 0.0005 g 및 톨루엔 5 g을 균일하게 혼합하여 프라이머 조성물을 조제했다. 다음에, 이 프라이머 조성물을 유리판에 도포량이 50 g/m2이 되도록 균일하게 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 유리판 상의 프라이머 층은 약간 얼룩져서 균일하지 않았지만, 표면 택은 전혀 없었다. 다음에, 유리판의 프라이머 층 측에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 2]
참고예 1에서 조제한 오가노실록산 블록 공중합체의 톨루엔 용액(고형분 농도 10질량%) 2.5 g, 1, 8-디아자비사이클로[5, 4, 0]-운데카-7-엔(DBU) 0.00025 g 및 톨루엔 7.5 g을 균일하게 혼합하여 프라이머 조성물을 조제했다. 다음에, 이 프라이머 조성물을 유리판 위에 도포량이 50 g/m2이 되도록 균일하게 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 유리판 상의 프라이머 층은 약간 얼룩지고 균일하지 않았지만, 표면 택은 전혀 없었다. 다음에, 유리판의 프라이머 층 측에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 3]
참고예 1에서 조제한 오가노실록산 블록 공중합체의 톨루엔 용액(고형분 농도 10질량%) 1.0 g, 1, 8-디아자비사이클로[5, 4, 0]-운데카-7-엔(DBU) 0.0001 g 및 톨루엔 9 g을 균일하게 혼합하여 프라이머 조성물을 조제했다. 다음에, 이 프라이머 조성물을 유리판에 도포량이 50 g/m2이 되도록 균일하게 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 유리판 상의 프라이머 층은 균일하고, 표면 택은 전혀 없었다. 다음에, 유리판의 프라이머 층 측에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 4]
참고예 1에서 조제한 오가노실록산 블록 공중합체의 톨루엔 용액(고형분 농도 10질량%) 2.5 g, 1, 8-디아자비사이클로[5, 4, 0]-운데카-7-엔(DBU) 0.00025 g, 톨루엔 2.5 g 및 n-헵탄 5.0 g을 균일하게 혼합하여 프라이머 조성물을 조제했다. 다음에, 이 프라이머 조성물을 유리판에 도포량이 50 g/m2이 되도록 균일하게 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 유리판 상의 프라이머 층은 균일하고, 표면 택은 전혀 없었다. 다음에, 유리판의 프라이머 층 측에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[비교예 1]
프라이머 처리하지 않은 유리판에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[비교예 2]
참고예 2에서 조제한 프라이머 조성물을 유리판에 도포량이 50 g/m2이 되도록 균일하게 도포하고, 100℃에서 30분간 건조시켰다. 유리판 상의 프라이머 층은 균일했다. 다음에, 유리판의 프라이머 층 측에 참고예 3에서 조제한 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 다이 쉐어 시험편을 제작했다. 다이 쉐어 강도를 측정하고, 그 결과를 표 1에 나타냈다.
[표 1]
Figure pct00001
산업상 이용 가능성
본 발명의 프라이머 조성물은 광 반도체 소자, 패키지 재료, 기판 등의 기재에 대한 실리콘 경화물의 접착성을 향상시켜, 히트 사이클에 의한 상기 실리콘 경화물의 필이나 크랙을 억제할 수 있으므로, 고휘도·고출력의 LED처럼 발열량이 큰 LED 디바이스 제조 시의 프라이머 조성물로서 아주 알맞다.
1: 광 반도체 소자
2: 기판
3: 회로
4: 회로
5: 본딩 와이어(bonding wire)
6: 광 반사재
7: 경화성 실리콘 조성물의 경화물

Claims (12)

  1. (A) 평균 단위식:
    (Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２)ａ(Ｒ２ＳｉＯ３／２)ｂ
    (식 중, Ｒ１ 및 Ｒ２는 각각 독립하여 탄소수 1∼12의 알킬기, 탄소수 6∼20의 아릴기 또는 탄소수 7∼20의 아랄킬기이며, a는 0.40∼0.90의 수, b는 0.10∼0.60의 수이며, 또한 a+b=1.00이다.)
    로 표시되고, 식:
    ［Ｒ２ＳｉＯ３／２］
    (식 중, Ｒ２는 상기와 같다.)
    로 표시되는 레진상 실록산 블록이 식:
    －(Ｒ１ ２ＳｉＯ２ ／２)ｎ－
    (식 중, Ｒ１은 상기와 동일하고, n은 10∼400의 수이다.)
    로 표시되는 직쇄상 실록산 블록에 의해 연결되며, 규소 원자 결합 수산기 또는 규소 원자 결합 알콕시기를 0.5∼35.0몰% 함유하는, 25℃에서 고체상이며, 연화점이 200℃ 이하인 오가노실록산 블록 공중합체,
    (B) 경화 촉매(본 조성물의 경화를 촉진하는 양) 및
    (C) 임의량의 유기 용매
    로 적어도 이루어지는 프라이머 조성물.
  2. 제1항에 있어서, (A)성분 중의 Ｒ１이 알킬기 및/또는 아릴기인, 프라이머 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, (A)성분 중의 Ｒ２가 아릴기인, 프라이머 조성물.
  4. 제1항에 있어서, (B)성분이 축합 반응 촉매인, 프라이머 조성물.
  5. 제1항에 있어서, (C)성분이 방향족 탄화수소계 용매 또는 방향족 탄화수소계 용매와 지방족 탄화수소계 용매의 혼합 용매인, 프라이머 조성물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 기재에 경화성 실리콘 조성물을 접착하기 위한, 프라이머 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 경화성 실리콘 조성물이 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물인, 프라이머 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 기재가 전기·전자 부품인, 프라이머 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재한 프라이머 조성물을 기재 위에 도포하고, 유기 용매를 제거한 후, 얻어진 프라이머 층 위에 경화성 실리콘 조성물을 도포하여 경화하는 것을 특징으로 하는 접착 방법.
  10. 제9항에 있어서, 경화성 실리콘 조성물을 프라이머 층의 경화와 동시에 행하는 것을 특징으로 하는, 접착 방법.
  11. 전기·전자용 기재, 당해 기재 상의 프라이머 층, 및 당해 프라이머 층 상의 실리콘 경화물로 이루어지는 전기·전자 부품으로서, 상기 프라이머 층이 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재한 프라이머 조성물에 의해 형성되어 이루어지는 전기·전자 부품.
  12. 제11항에 있어서, 전기·전자 부품이 광 반도체 장치인, 전기·전자 부품.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2895256C (en) 2013-01-09 2021-06-01 BASF Agro B.V. Process for the preparation of substituted oxiranes and triazoles
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
EP3472138B1 (en) 2016-06-15 2020-08-26 BASF Agro B.V. Process for the epoxidation of a tetrasubstituted alkene
WO2020223182A1 (en) * 2019-04-29 2020-11-05 Dow Silicones Corporation Primer for silicone rubber compositions and elastomeric materials
CN113717637B (zh) * 2021-09-07 2022-08-02 河南三棵树新材料科技有限公司 一种耐高温防腐涂料及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE759621A (fr) * 1969-12-01 1971-06-01 Dow Corning Copolymeres sequences d'organosiloxanes non corrosifs, vulcanisables a la temperature ambiante
JP3527369B2 (ja) 1996-09-04 2004-05-17 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 電気部品およびその製造方法
JP4041966B2 (ja) * 2002-06-18 2008-02-06 信越化学工業株式会社 ハードコート剤及びハードコート膜が形成された物品
JP2004339450A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd プライマー組成物、及び該プライマーを用いた発光ダイオード
JP4623282B2 (ja) 2005-03-10 2011-02-02 信越化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP4777802B2 (ja) 2006-03-17 2011-09-21 信越化学工業株式会社 耐光性プライマー組成物、該プライマー組成物を用いる発光半導体装置の製造方法、及び該方法により得られる発光半導体装置
CN103189421B (zh) * 2010-09-22 2015-03-25 道康宁公司 有机硅氧烷嵌段共聚物
EP2619246B1 (en) * 2010-09-22 2014-07-16 Dow Corning Corporation Resin-linear organosiloxane block copolymers
CN103339171B (zh) 2011-02-04 2016-05-04 道康宁公司 可固化有机硅氧烷嵌段共聚物乳剂
KR102144280B1 (ko) 2011-12-14 2020-08-14 다우 실리콘즈 코포레이션 수지-선형 오르가노실록산 블록 공중합체의 경화성 조성물
WO2013142240A1 (en) 2012-03-21 2013-09-26 Dow Corning Corporation Compositions of resin-linear organosiloxane block copolymers
KR20150119882A (ko) 2013-02-20 2015-10-26 요코하마 고무 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물
WO2014150841A2 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Dow Corning Corporation Powdered resin linear organopolysiloxane compositions
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