TWI678526B - 半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法。監視裝置包括：發光裝置、偏光片、相位延遲器、PCB基板、受光裝置和控制部，發光裝置、偏光片、相位延遲器正向依次配置，透過偏光片的光線偏光透過相位延遲器而投射到檢查對象PCB基板，PCB基板位於相位延遲器的前方，對入射的圓偏光或橢圓偏光光線進行反射，PCB基板反射後逆向行進的反射光重新依次經過相位延遲器和偏光片，位於偏光片後方的受光裝置對反射光進行聚光並變換成電訊號，控制部判斷在PCB基板表面是否附著有膜。它能夠解決以往目視或利用無偏光影像分析的確認膜剝離與否的問題，準確而迅速地自動判斷膜的剝離與否或膜一部分是否殘餘。

Description

半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法
本發明涉及半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法。
授權專利 10-1119571號（半導體印刷電路板的保護膜自動剝離機及膜剝離方法）提供一種半導體印刷電路板的保護膜自動剝離機，其中，包括：裝料機，其將在上下面附著有膜的基板加載到工作臺上；對齊機，其對齊位於工作臺上的基板；刮扒器，其在膜的一側（基板行進的方向側）邊緣形成上、下刮痕部，在基板與膜之間形成縫隙；上部運載器，其在工作臺上吸附基板的上部，構成得按第一往復距離往復運動；下部帶單元，其使第一黏著性帶附著於形成有刮痕部的下部膜的一側，該上部運載器使基板移動到一側，或下部帶單元移動到另一側，使下部膜剝離；下部運載器，其從該上部運載器接受傳遞剝離了下部膜的基板並把持，構成得按第二往復距離往復運動；上部帶單元，其使第二黏著性帶附著於形成有刮痕部的上部膜的一側，下部運載器使基板移動到一側，或上部帶單元移動到另一側，剝離上部膜。
授權專利第10-1837443號（權利權人：與本發明的申請人相同）揭露“一種利用視攝影機的半導體基板用保護膜剝離與否確認系統及利用視攝影機的半導體基板用保護膜剝離與否確認系統中使用的影像處理算法，其中，包括：視攝影機10，其向剝離的基板照射照明而獲得影像；影像處理部20，其執行為了在該視攝影機10獲得的影像中確認膜殘存與否而對基板和膜進行區分的影像處理算法；控制部30，其根據該影像處理部20的處理結果，控制膜自動剝離裝置或者向操作者或管理者提出警告”。
如上所述，需要一種確認膜是否被膜自動剝離裝置完全剝離的裝置或方法，本申請人的數次測試結果顯示，就無偏光影像分析的情況而言，存在因誤感知以及未感知導致的問題。這成為影響量產、降低設備可靠度的因素。因此，需要一種準確判斷剝離是否正確進行的系統。
本申請人在數年前開發膜自動剝離裝置並商用化成功後，數年來嘗試開發能現場應用的殘存膜有無判別裝置，但在技術開發及現場應用性方面存在障礙，最終終於開發了現場應用性優秀及差別誤差極小、裝置構成不複雜的本系統。
本發明旨在提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，能夠解決以往目視或利用無偏光影像分析的確認膜剝離與否的問題，準確而迅速地自動判斷膜的剝離與否或膜一部分是否殘餘。
本發明旨在提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，利用圓偏光入射後因殘餘膜導致的雙折射現象，使有無膜時反射光受光特性差異（光的強度差異）放大後，利用光感測器，藉由少量的數據處理，迅速判斷既定區域的膜是否殘存。
本發明旨在提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，不進行以往的精密影像分析等，而是根據放大的光的強度差異，僅以光電二極體訊號和判別器，便能夠準確地判別檢查區域的膜是否殘存，因而相比於優秀的性能，可以以簡單而相對低價的構成要素體現裝置，因而半導體生產線現場應用性、生產率、商品性優秀。
本發明的一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中，包括：
發光裝置、偏光片、相位延遲器、PCB基板、受光裝置和控制部，
該發光裝置、偏光片、相位延遲器正向依次配置，透過偏光片的光線偏光透過相位延遲器而投射到檢查對象PCB基板，
PCB基板位於相位延遲器的前方，對入射的圓偏光或橢圓偏光光線進行反射，
PCB基板反射後逆向行進的反射光重新依次經過相位延遲器和偏光片，位於偏光片後方的受光裝置對反射光進行聚光並變換成電訊號，
控制部利用受光裝置產生的與光線強度相關的電訊號，判斷在PCB基板表面是否附著有膜。
一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中，包括：
發光裝置，其發出第一光線（無偏光）並使之前進；
偏光片，其隔開地位於該發光裝置的前方，使正向前進的該發光裝置的第一光線變換成第二線偏光；
1/4λ波長板（Quarter wave plate），其鄰接位於該偏光片的前方，使正向透過的該第二線偏光變換成第三圓偏光或橢圓偏光；
光學透鏡，其對碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板表面而反射後逆向依次透過1/4λ波長板和偏光片的光線進行聚光；
光感測器，其對透過該光學透鏡的光線進行受光，產生與光線相關的電訊號並傳送給控制部；
控制部，其利用從光感測器傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，利用算出的光線的強度值，判斷膜在檢查對象PCB基板表面附著與否（膜剝離與否）。
就本發明的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置而言，較佳發光裝置發出的第一光線正向依次透過偏光片和1/4λ波長板（Quarter wave plate），碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板表面而反射後，重新依次逆向透過1/4λ波長板和偏光片，發生偏光阻斷效果（反射光去除效果），
當在檢查對象PCB基板的表面無膜時（相比有膜），折射或雙折射程度小，偏光阻斷效果大，到達透鏡的光線的強度表現得較弱（暗），
當在檢查對象PCB基板的表面有膜時（相比無膜時），折射或雙折射程度大，偏光阻斷效果小，到達透鏡的光線的強度表現得相對較大（亮），
控制部利用從光感測器傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，將算出的光線的強度值與光線強度相關比較值進行比較，判斷膜在PCB基板表面附著與否（膜剝離與否）。
一種半導體基板用保護膜剝離與否監視方法，其包括：
從發光裝置發出第一光線並使之前進的步驟；
該發光裝置的光線正向前進，透過偏光片而變換成第二線偏光的步驟；
該第二線偏光正向透過1/4λ波長板而成為第三圓偏光或橢圓偏光的步驟；
該第三圓偏光或橢圓偏光碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板表面，第四反射光逆向反射的步驟；
該第四反射光逆向透過1/4λ波長板而成為第五反射-中間波的步驟；
該第五反射-中間波透過偏光片而變換成第五反射-受光波的步驟；
該第五反射-受光波通透光學透鏡而到達光感測器，該光感測器產生與到達的光線相關的電訊號並傳送給控制部的受光及傳送步驟；
該控制部利用從光感測器傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，將算出的光線的強度值與光線強度相關的比較值進行比較，判斷膜在PCB基板表面附著與否的步驟。
本發明的有益效果為：根據本發明，提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，能夠解決以往目視或利用無偏光影像分析的確認膜剝離與否的問題，準確而迅速地自動判斷膜的剝離與否或膜一部分是否殘餘。
另外，提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，能夠利用圓偏光入射後因殘餘膜導致的雙折射現象，使有無膜時反射光受光特性差異（光的強度差異）放大後，利用光感測器，藉由少量的數據處理，迅速判斷既定區域的膜是否殘存。
另外，提供一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法，不進行以往的精密影像分析等，而是根據放大的光的強度差異，僅以光電二極體訊號和判別器，便能夠準確地判別檢查區域是否殘存膜，因而相比於優秀的性能，可以以簡單而相對低價的構成元件體現裝置，因而半導體生產線現場應用性、生產率、商品性優秀。
下面參照圖式，針對本發明一個實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置及方法進行詳細說明。
在本發明中，所謂偏光阻斷效果，是指透過偏光片（直線偏光片或線偏光片）的線偏光正向透過1/4λ波長板相位延遲器，在基板反射後重新逆向透過時發生的偏光阻斷效果（反射光去除效果，例如，當為P偏光時，基板反射後重新逆向透過時，使主要的S偏光、電波的振動方向變化90°，反射光大部分無法重新透過偏光片而被阻斷的效果，如第1圖所示。在本發明中，偏光片是指直線或線偏光片。
1/4波長板（quarter-wave plate）是指在沿相互垂直方向振動的直線偏光之間引起1/4波長的光程差的厚度既定的雙折射板。如果放入直線偏光，則透過光成為圓偏光。
第一、第二實施例共有如第1圖至第3圖所示，本發明的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，包括：
發光裝置10、偏光片20、相位延遲器（例如採用1/4λ波長板）、PCB基板T、受光裝置450和控制部60，
該發光裝置10、偏光片20、相位延遲器30正向依次配置，透過偏光片的光線偏光透過相位延遲器而投射到檢查對象PCB基板T，
PCB基板T位於相位延遲器的前方，對入射的圓偏光或橢圓偏光光線進行反射。
另外，PCB基板反射後逆向行進的反射光重新依次經過相位延遲器和偏光片，位於偏光片20後方（逆向）的受光裝置450對反射光進行聚光並變換成電訊號，控制部60利用受光裝置450產生的與光線強度相關的電訊號，判斷在PCB基板T表面是否附著有膜（膜剝離與否）。
如第1圖至第3圖所示，本發明的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置包括：發光裝置10，其發出第一光線L1（無偏光）並使之前進；偏光片20，其隔開地位於該發光裝置10的前方，使正向前進的該發光裝置10的第一光線L1變換成第二線偏光L2；1/4λ波長板30，其鄰接位於該偏光片20的前方，使正向透過的該第二線偏光L2變換成第三圓偏光L3或橢圓偏光。
另外，進一步包括：光學透鏡40，其對碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板T表面而反射後逆向依次透過1/4λ波長板30和偏光片20的光線進行聚光；
光感測器50，其對透過該光學透鏡40的光線進行受光，產生與光線相關的電訊號並傳送給控制部60。
控制部60利用從光感測器50傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值V_1，對算出的光線的強度值與預先儲存的光線的強度相關基準值V_0進行比較，判斷膜在PCB基板T的表面附著與否（膜剝離與否）。
其中，發光裝置10發出的第一光線L1正向依次透過偏光片20和1/4λ波長板（Quarter wave plate）30，碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板T表面而反射後，重新依次逆向透過1/4λ波長板（Quarter wave plate）30和偏光片20，發生偏光阻斷效果（反射光去除效果）。當在檢查對象PCB基板T的表面無膜時（相比有膜），折射或雙折射程度小，偏光阻斷效果大，到達透鏡的光線的強度表現得較弱（暗）。當在檢查對象PCB基板T的表面有膜時（相比無膜時），折射或雙折射程度大，偏光阻斷效果小，到達透鏡的光線的強度表現得相對（相比無膜時）較大（亮）。
在本發明的第一實施例中，控制部60利用從光感測器50傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值V_1，對算出的光線的強度值與光線強度相關比較值V_0（例如，為了減小判斷誤差而在無膜時測量的光線強度值基礎上加上既定值後的值）進行比較，判斷膜在PCB基板T表面附著與否（膜剝離與否）。
其中，光線強度相關比較值V_0例如可以是為了減小判斷誤差而在無膜時測量的光線強度值基礎上加上既定值後的值，或預先儲存的根據反復的無偏光及偏光入射投射實驗及經驗而判斷為有膜的值，是指在即時測量前預先輸入於判別程序或儲存於儲存器的值。
如第2圖所示，較佳光感測器50為光電感測器或光電二極體。本發明的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置進一步包括：後殼110，其以塑料樹脂形成；前殼150，其以塑料樹脂形成，結合於該後殼110的前方；固定口130，其位於由該後殼110與前殼150形成的內腔的中間。
該發光裝置10、光學透鏡40、光感測器50位於該固定口130的後面與後殼110之間；該偏光片20、1/4λ波長板30位於該固定口130的前面與前殼150之間；該發光裝置10位於後殼110的前方，組成受光裝置450的光感測器50和光學透鏡40依次正向排列。
在固定部130的前面固定有玻璃罩140，在該玻璃罩140的前面依次固定有偏光片20和1/4λ波長板（Quarter wave plate）30；LED型發光裝置10與光感測器50以有線或無線方式與該控制部60電連接。
如第2圖所示，該固定口130包括在與該發光裝置10相應的位置處形成的發光用開口部131、在與該光學透鏡40相應的位置處形成的受光用開口部133，該前殼150包括供該發光裝置10的光線和受光用反射光透過的第三開口部153，該前殼150與該後殼110結合而構成一個能移動的檢查本體B，該檢查本體B連接於位移裝置（前進後退及/或升降裝置）上，以便能夠根據與能移動的檢查本體B一體或獨立地形成的控制部60的指令而在三維空間中位移。
在本發明第一、第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置中，該發光裝置10、偏光片20、1/4λ波長板30、光學透鏡40和光感測器50內建於由前殼150與後殼110形成的空間中，構成一個能移動的檢查本體B，檢查本體B連接於位移裝置上，以便能夠根據與能移動的檢查本體B一體或獨立地形成的控制部60的指令而在三維空間中位移，該光感測器50為光電感測器或光電二極體，該檢查本體B的前面與檢查對象PCB基板T的檢查區域之間的距離為0.1 ~ 10 cm。利用本發明的方法，可以在近距離準確地判別膜殘存與否。
本發明第一實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視方法包括：從發光裝置10發出第一光線（無偏光）L1並使之前進的步驟S10；該發光裝置10的光線正向前進，透過偏光片20而變換成第二線偏光L2的步驟S20；該第二線偏光L2正向透過1/4λ波長板（Quarter wave plate）30而成為第三圓偏光L3或橢圓偏光的步驟S30；該第三圓偏光L3或橢圓偏光碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板T表面，第四反射光L4逆向反射的步驟S40。
然後執行：該第四反射光L4逆向透過1/4λ波長板（Quarter wave plate）而成為第五反射-中間波L5的步驟S50；該第五反射-中間波L5透過偏光片而變換成第五反射-受光波L6的步驟S60；該第五反射-受光波L6透過光學透鏡40而到達光感測器50，該光感測器50產生與到達的光線相關的電訊號並傳送給控制部60的受光及傳送步驟S70。
最後，控制部60利用從光感測器50傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值V_1，對算出的光線的強度值與預先儲存的光線強度相關基準值V_0進行比較，判斷膜在PCB基板T表面附著與否（膜剝離與否）S80。
第二實施例
如第3圖和第4圖所示，本發明第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置與第一實施例相比，進一步包括用於向檢查對象PCB基板照射無偏光入射光的第二發光裝置12，控制部60利用從光感測器50傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，控制部60比較來自偏光入射光的受光光線的強度值V_1與來自無偏光入射光（入射時未透過偏光片的入射光）的受光光線的強度值V_2，當差異值超過臨界值時，判斷為在PCB基板T的表面殘存有膜。
如第3圖所示，發明的第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置進一步包括：第二發光裝置12，其用於向檢查對象PCB基板照射無偏光入射光；
後殼110，其以塑料樹脂形成；前殼150，其以塑料樹脂形成，結合於該後殼110的前方；固定口130，其位於由該後殼110與前殼150形成的內腔的中間。
該發光裝置10、光學透鏡40、光感測器50位於該固定口130的後面與後殼110之間；該偏光片20和1/4λ波長板（Quarter wave plate）30位於該固定口130的前面與前殼150之間；該發光裝置10位於後殼110的前方，組成受光裝置450的光感測器50和光學透鏡40正向依次排列。
在固定口130的前面固定有玻璃罩140，在該玻璃罩140的前面依次固定有偏光片20和1/4λ波長板（Quarter wave plate）30；發光裝置10和光感測器50以有線或無線方式而與該控制部60電連接。
與第一實施例稍稍不同，其中，發光裝置10發出的第一光線在入射過程中透過發光用開口部131和偏光片20，但該第二發光裝置12發光的光線在入射過程中穿過第三開口部135，但在第三開口部135直進方向前後不存在偏光片20，因而不透過偏光片20，而是以無偏光狀態入射到檢查對象PCB基板。
如第3圖、第4圖所示，本發明第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視方法包括：從第一發光裝置發出第一無偏光並使之前進，透過偏光片20而變換成第二線偏光L2的步驟S110；該第二線偏光沿正向透過1/4λ波長板（Quarter wave plate）30而成為圓偏光或橢圓偏光的步驟S120；該第三圓偏光或橢圓偏光碰到成為膜附著與否判斷對象的PCB基板T的表面而逆向反射，透過1/4λ波長板30和偏光片20的步驟S130。
然後，進行透過該1/4λ波長板（Quarter wave plate）30和偏光片20的反射光，透過光學透鏡40而到達光感測器50，該光感測器50產生與到達的光線相關的電訊號並傳送到控制部60的源自偏光的反射光受光步驟S140。
在此基礎上，進行：從第二發光裝置發出第二無偏光並使之前進，未透過偏光片而碰到檢查對象PCB基板T的表面並逆向反射的無偏光反射步驟S150；從PCB基板反射的無偏光反射光的光線透過光學透鏡而到達光感測器，光感測器產生與到達的光線相關的電訊號並傳送給控制部60的源自無偏光的反射光受光步驟S160。
最終，進行該控制部60接收在步驟S140中傳送的電訊號並計算出相應光線強度值V_1，該控制部60接收在步驟S160中傳送的電訊號並計算出相應光線強度值V_2，該控制部60求出兩光線強度值的差異值；當該差異值超過臨界值時，判斷為在PCB基板T的表面殘存有膜的步驟S170。
本發明就以上提及的較佳實施例進行了說明，但並非本發明的範圍限定於這種實施例，本發明的範圍由以下申請專利範圍確定，包括屬於本發明均等範圍的複數樣修訂及變形。
需要指出的是，在以下申請專利範圍中記載的元件符號單純用於輔助發明的理解，不影響對權利範圍的解釋，不得根據記載的元件符號而縮窄解釋權利範圍。
10‧‧‧發光裝置
12‧‧‧第二發光裝置
20‧‧‧偏光片
30‧‧‧1/4λ波長板
40‧‧‧光學透鏡
50‧‧‧光感測器
60‧‧‧控制部
110‧‧‧後殼
130‧‧‧固定口
131‧‧‧發光用開口部
133‧‧‧受光用開口部
135‧‧‧第三開口部
140‧‧‧玻璃罩
150‧‧‧前殼
153‧‧‧受光用反射光透過的第三開口部
450‧‧‧受光裝置
第1圖是說明本發明的偏光阻斷效果的示意圖。
第2圖是本發明第一實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置構成圖。
第3圖是本發明第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置構成圖。
第4圖是本發明第二實施例的半導體基板用保護膜剝離與否監視方法流程圖。

Claims (11)

  1. 一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其包括： 一發光裝置（10）、一偏光片（20）、一相位延遲器（30）、一PCB基板（T）、一受光裝置（450）和一控制部（60）， 該發光裝置（10）、該偏光片（20）、該相位延遲器（30）正向依次配置，透過偏光片的光線偏光透過相位延遲器而投射到檢查對象的該PCB基板（T）， 該PCB基板（T）位於該相位延遲器的前方，對入射的圓偏光或橢圓偏光光線進行反射， 該PCB基板反射後逆向行進的反射光重新依次經過該相位延遲器和該偏光片，位於該偏光片（20）後方的該受光裝置（450）對該反射光進行聚光並變換成電訊號， 該控制部（60）利用該受光裝置（450）產生的與光線強度相關的電訊號，判斷在該PCB基板（T）表面是否附著有膜。
  2. 一種半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其包括： 一發光裝置（10），其發出一第一光線（L1）並使之前進； 一偏光片（20），其隔開地位於該發光裝置（10）的前方，使正向前進的該發光裝置（10）的該第一光線（L1）變換成一第二線偏光（L2）； 一1/4λ波長板（30），其鄰接位於該偏光片（20）的前方，使正向透過的該第二線偏光（L2）變換成一第三圓偏光（L3）或一橢圓偏光； 一光學透鏡（40），其對碰到成為膜附著與否判斷對象的該PCB基板（T）表面而反射後逆向依次透過該1/4λ波長板（30）和該偏光片（20）的光線進行聚光； 一光感測器（50），其對透過該光學透鏡（40）的光線進行受光，產生與光線相關的電訊號並傳送給一控制部（60）； 該控制部（60），其利用從該光感測器（50）傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，利用算出的光線的強度值，判斷膜在檢查對象的該PCB基板表面附著與否。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中， 該發光裝置（10）發出該第一光線（L1）正向依次透過該偏光片（20）和該1/4λ波長板（ 30），碰到成為膜附著與否判斷對象的該PCB基板（T）表面而反射後，重新依次逆向透過該1/4λ波長板（ 30）和該偏光片（20），發生偏光阻斷效果， 當在檢查對象的該PCB基板（T）的表面無膜時，折射或雙折射程度小，偏光阻斷效果大，到達透鏡的光線的強度表現得較弱， 當在檢查對象的該PCB基板（T）的表面有膜時，折射或雙折射程度大，偏光阻斷效果小，到達透鏡的光線的強度表現得相對較大， 該控制部（60）利用從該光感測器（50）傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，將算出的光線的強度值與光線強度相關比較值進行比較，判斷膜在該PCB基板（T）表面附著與否。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中，該光感測器（50）為一光電感測器或一光電二極體。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其進一步包括： 一後殼（110），其以塑料樹脂形成； 一前殼（150），其以塑料樹脂形成，結合於該後殼（110）的前方； 一固定口（130），其位於由該後殼（110）與該前殼（150）形成的內腔的中間； 該發光裝置（10）、該光學透鏡（40）、該光感測器（50）位於該固定口（130）的後面與該後殼（110）之間； 該偏光片（20）、該1/4λ波長板（30）位於該固定口（130）的前面與該前殼（150）之間； 該發光裝置（10）位於該後殼（110）的前方，組成一受光裝置（450）的該光感測器（50）和該光學透鏡（40）依次正向排列； 在該固定部（130）的前面固定有一玻璃罩（140），在該玻璃罩（140）的前面依次固定有該偏光片（20）和該1/4λ波長板（30）； 該發光裝置（10）與該光感測器（50）以有線或無線方式與該控制部（60）電連接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中， 該固定口（130）包括在與該發光裝置（10）相應的位置處形成的一發光用開口部（131）、在與該光學透鏡（40）相應的位置處形成的一受光用開口部（133）， 該前殼（150）包括供該發光裝置（10）的光線和該受光用反射光通過的一第三開口部（153）， 該前殼（150）與該後殼（110）結合而構成一個能移動的檢查本體（B），該檢查本體（B）連接於一位移裝置上，以便能夠根據與能移動的該檢查本體（B）一體或獨立地形成的該控制部（60）的指令而在三維空間中位移。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中， 該發光裝置（10）、該偏光片（20）、該1/4λ波長板（30）、該光學透鏡（40）和該光感測器（50）內建於由一前殼（150）與一後殼（110）形成的空間中，構成一個能移動的檢查本體（B），該檢查本體（B）連接於位移裝置上，以便能夠根據與能移動的該檢查本體（B）一體或獨立地形成的該控制部（60）的指令而在三維空間中位移， 該光感測器（50）為一光電感測器或一光電二極體， 該檢查本體（B）的前面與檢查對象的該PCB基板（T）的檢查區域之間的距離為0.1 ~ 10 cm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其進一步包括用於向檢查對象的該PCB基板照射無偏光入射光的一第二發光裝置（12）， 該控制部（60）利用從該光感測器（50）傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值， 該控制部（60）比較來自偏光入射光的受光光線的強度值與來自無偏光入射光的受光光線的強度值， 當差異值超過臨界值時，判斷為在該PCB基板（T）的表面殘存有膜。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的半導體基板用保護膜剝離與否監視裝置，其中，進一步包括： 一第二發光裝置（12），其用於向檢查對象的該PCB基板照射無偏光入射光； 一後殼（110），其以塑料樹脂形成； 一前殼（150），其以塑料樹脂形成，結合於該後殼（110）的前方； 一固定口（130），其位於由該後殼（110）與該前殼（150）形成的內腔的中間； 該發光裝置（10）、該光學透鏡（40）、該光感測器（50）位於該固定口（130）的後面與該後殼（110）之間； 該偏光片（20）和該1/4λ波長板（30）位於該固定口（130）的前面與該前殼（150）之間； 該光裝置（10）位於該後殼（110）的前方，組成該受光裝置（450）的該光感測器（50）和該光學透鏡（40）正向依次排列； 在該固定口（130）的前面固定有一玻璃罩（140），在該玻璃罩（140）的前面依次固定有該偏光片（20）和該1/4λ波長板（30）； 該發光裝置（10）和該光感測器（50）以有線或無線方式而與該控制部（60）電連接， 該發光裝置（10）發出的第一光線在入射過程中透過一發光用開口部（131）和該偏光片（20）， 該第二發光裝置（12）發光的光線在入射過程中穿過一第三開口部（135），但在該第三開口部（135）直進方向前後不存在該偏光片（20），因而不透過該偏光片（20），而是以無偏光狀態入射到檢查對象的該PCB基板。
  10. 一種半導體基板用保護膜剝離與否監視方法，其包括： 從一發光裝置（10）發出一第一光線（L1）並使之前進的步驟（S10）； 該發光裝置（10）的光線正向前進，透過一偏光片（20）而變換成一第二線偏光（L2）的步驟（S20）； 該第二線偏光（L2）正向透過一1/4λ波長板（30）而成為一第三圓偏光（L3）或一橢圓偏光的步驟（S30）； 該第三圓偏光（L3）或該橢圓偏光碰到成為膜附著與否判斷對象的一PCB基板（T）表面，一第四反射光（L4）逆向反射的步驟（S40）； 該第四反射光（L4）逆向透過該1/4λ波長板（30）而成為一第五反射-中間波（L5）的步驟（S50）； 該第五反射-中間波（L5）透過偏光片而變換成一第五反射-受光波（L6）的步驟（S60）； 該第五反射-受光波（L6）透過光學透鏡（40）而到達一光感測器（50），該光感測器（50）產生與到達的光線相關的電訊號並傳送給一控制部（60）的受光及傳送步驟（S70）； 該控制部（60）利用從光感測器（50）傳送的光線相關電訊號，算出光線的強度值，將算出的光線的強度值與光線強度相關的比較值進行比較，判斷膜在該PCB基板（T）表面附著與否的步驟（S80）。
  11. 一種半導體基板用保護膜剝離與否監視方法，其包括： 從一第一發光裝置發出一第一無偏光並使之前進，透過一偏光片（20）而變換成一第二線偏光（L2）的步驟（S110）； 該第二線偏光沿正向透過一1/4λ波長板（30）而成為一第三圓偏光或一橢圓偏光的步驟（S120）； 該第三圓偏光或該橢圓偏光碰到成為膜附著與否判斷對象的一PCB基板（T）的表面而逆向反射，透過該1/4λ波長板（30）和該偏光片（20）的步驟（S130）； 透過該1/4λ波長板（30）和該偏光片（20）的反射光，透過一光學透鏡（40）而到達一光感測器（50），該光感測器（50）產生與到達的光線相關的電訊號並傳送到一控制部（60）的源自偏光的反射光受光步驟（S140）； 從一第二發光裝置發出一第二無偏光並使之前進，未透過偏光片而碰到檢查對象的該PCB基板（T）的表面並逆向反射的無偏光反射步驟（S150）； 從該PCB基板反射的無偏光反射光的光線透過光學透鏡而到達該光感測器，該光感測器產生與到達的光線相關的電訊號並傳送給該控制部（60）的源自無偏光的反射光受光步驟（S160）； 該控制部（60）接收在步驟（S140）中傳送的電訊號並計算出相應光線強度值，該控制部（60）接收在步驟（S160）中傳送的電訊號並計算出相應光線強度值，該控制部（60）求出兩光線強度值的差異值； 當該差異值超過臨界值時，判斷為在該PCB基板（T）的表面殘存有膜的步驟（S170）。
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