TWI677007B - 測定系統及測定方法 - Google Patents

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豬狩浩
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Abstract

不改造既有之電漿蝕刻裝置，而在將處理容器內保持著減壓狀態下，來測定聚焦環的消耗量。
一種測定系統，係測定電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定系統，該電漿蝕刻裝置係具有處理容器，載置台以及聚焦環，該測定系統係具有：感應器基板，係設置有距離感應器；以及測定裝置，係測定聚焦環之消耗量。測定裝置係具有：搬送指示部，係指示搬送裝置，而將測定裝置搬送至處理容器內；取得部，係取得距離感應器所測定之對應於從距離感應器至聚焦環之距離的物理量資訊；以及測定部，係基於所取得之物理量資訊來測定聚焦環之消耗量。

Description

測定系統及測定方法
本發明之各種面相及實施形態係關於一種測定系統及測定方法。
電漿蝕刻裝置中，已知藉由於載置有被處理基板之下部電極周圍設置聚焦環，便可改善被處理基板外周附近的電漿分布之均勻性等。然而，在使用電漿之蝕刻的過程中，聚焦環會與被處理基板一同地被慢慢削減。在聚焦環被削減時，被處理基板外周部之電漿分布的均勻性便會下降。藉此，便會有在處理基板之外周部中，蝕刻速率會改變，而使得元件之特性劣化的情況。
為了測定聚焦環之消耗量，例如，在結束既定次數之電漿蝕刻處理時，將電漿蝕刻裝置之處理容器開放於大氣壓，而使用游標卡尺等來測定聚焦環之厚度。然而，一旦處理容器被開放於大氣壓時，為了繼續處理，便需要再度讓處理容器內回到真空狀態。這會花費既定時間。
又，為了測定聚焦環之厚度，而藉由讓游標卡尺等碰觸處理容器內部會使得附著於處理容器內部之副產物剝落，便有在重啟電漿蝕刻處理時，成為污染物而附著於被處理基板的情況。為了防止被處理基板之污染，係有需要在測量聚焦環之厚度後，進行清潔或粒子測定等之處理。因此，在測定聚焦環之厚度的情況，光是進行該等處理之部分，便會使得產線停止，而讓生產性下降。
為了抑制產線之生產性下降，便謀求一種不將處理容器開放於大氣壓，而測定聚焦環消耗量之技術。為了實現此技術，例如，已知一種將雷射光照射至聚焦環，並基於反射光之角度等，來測定聚焦環消耗量之技術。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本特開2006-173223號公報
專利文獻2：日本特開2010-34416號公報
然而，基於反射光角度等來測定聚焦環之消耗量的方法係需要設置用以將雷射光導入至電漿蝕刻裝置之處理容器的窗體，以及，用以導出反射光之窗體。因此，為了設置此般窗體，便需要改造電漿蝕刻裝置，而使得電漿蝕刻裝置之製造成本增加。又，由於雷射光及反射光之光線路徑上無法配置構件，故會使得電漿蝕刻裝置之設計的自由度下降。
本發明一面相中之測定系統係測定電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定系統，該電漿蝕刻裝置係具有：處理容器，係收納有被處理基板，且其內部可減壓；下部電極，係設置於該處理容器內，並載置有以搬送裝置搬送至該處理容器內之該被處理基板；以及聚焦環，係設置為圍繞該下部電極周圍；該測定系統係具有：感應器基板，係設置有距離感應器；以及測定裝置，係測定該聚焦環之消耗量；該測定裝置係具有：搬送指示部，係指示該搬送裝置，而將該感應器基板搬送至該處理容器內；取得部，係取得該距離感應器所測定之對應於從該距離感應器至該聚焦環的距離之物理量資訊；以及測定部，係基於所取得之該物理量資訊來測定該聚焦環之消耗量。
根據本發明之各種面相及實施形態，便可不改造既有之電漿蝕刻裝置，而在保持處理容器內於減壓狀態下來測定聚焦環的消耗量。
W‧‧‧半導體晶圓
101‧‧‧電漿蝕刻裝置
110‧‧‧搬送裝置
1‧‧‧處理容器
2‧‧‧載置台
5‧‧‧聚焦環
20‧‧‧感應器基板
23‧‧‧距離感應器
30‧‧‧測定裝置
33‧‧‧取得部
35‧‧‧測定部
36‧‧‧搬送指示部
圖1係顯示實施形態中之處理系統的一範例之圖式。
圖2係顯示電漿蝕刻裝置之一範例的概略剖面圖。
圖3係顯示感應器基板之一範例的圖式。
圖4係顯示測定裝置之一範例的區塊圖。
圖5係說明測定動作之一範例的圖式。
圖6係說明測定動作之一範例的圖式。
圖7係說明測定動作之一範例的圖式。
圖8係用以說明測定消耗量的聚焦環一部分的一範例之圖式。
圖9係顯示聚焦環之初始狀態的測定處理之一範例的流程圖。
圖10係顯示聚焦環消耗量之測定處理的一範例之流程圖。
圖11係顯示實現測定裝置之機能的電腦之一範例的圖式。
圖12係顯示感應器基板之其他範例的圖式。
圖13係顯示感應器基板之其他範例的圖式。
所揭露之測定系統在1個實施形態中，係測定電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定系統，該電漿蝕刻裝置係具有：處理容器，係收納有被處理基板，且其內部可減壓；下部電極，係設置於處理容器內，並載置有以搬送裝置搬送至處理容器內之被處理基板；以及聚焦環，係設置為圍繞下部電極周圍，該測定系統係具有：感應器基板，係設置有距離感應器，以及測定裝置，係測定聚焦環之消耗量。測定裝置係具有：搬送指示部，係指示搬送裝置，而將感應器基板搬送至處理容器內；取得部，係取得距離感應器所測定之對應於從距離感應器至聚焦環的距離之物理量資訊；以及測定部，係基於對應於所取得之距離的物理量資訊來測定聚焦環之消耗量。
又，所揭露之1個實施形態中，距離感應器亦可在通過聚焦環上時，於聚焦環之寬度方向中的複數位置，測定對應於從距離感應器至聚焦環之距離的物理量資訊。
又，所揭露之1個實施形態中，搬送指示部亦可從被處理基板被載置於下部電極的位置，至被處理基板被搬入處理容器時所通過之閥而遠離的位置，將感應器基板搬入。又，距離感應器亦可至少會在從聚焦環中心靠閥側之聚焦環的部分，以及從聚焦環中心靠閥相反側之聚焦環的部分中，測定對應於從距離感應器至聚焦環之距離的物理量資訊。
又，所揭露之1個實施形態中，搬送指示部亦可在搬送裝置會將感應器基板搬入至處理容器內時，於感應器基板上，以距離感應器會位於從通 過感應器基板中心，而表示感應器基板之搬送方向的直線遠離既定距離的方式，來將感應器基板保持於搬送裝置。
又，所揭露之1個實施形態中，感應器基板亦可係形成有定位用之定向平面或凹槽的定位部，距離感應器亦可設置於感應器基板表面，從通過感應器基板中心與定位部之直線而遠離既定距離以上的位置。
又，所揭露之1個實施形態中，距離感應器亦可為靜電電容感應器，會測定靜電電容來作為對應於從距離感應器至聚焦環之距離的物理量。
又，所揭露之1個實施形態中，感應器基板亦可具有無線通訊裝置，係將距離感應器所測定之對應於距離的物理量資訊無線傳送；取得部亦可取得該無線通訊裝置所無線傳送之對應於距離的物理量資訊。
又，所揭露之測定方法，在1個實施形態中，係電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定方法，該電漿蝕刻裝置係具有：處理容器，係收納有被處理基板，且其內部可減壓；下部電極，係設置於處理容器內，並載置有以搬送裝置搬送至處理容器內之被處理基板；以及聚焦環，係設置為圍繞下部電極周圍，該方法係測定裝置會實行：指示搬送裝置，而將設有距離感應器之感應器基板搬送至處理容器內之工序；取得距離感應器所測定之對應於從距離感應器至聚焦環的距離之物理量資訊的工序；以及基於所取得之物理量資訊，來測定聚焦環之消耗量的工序。
以下，便就所揭露之測定系統及測定方法的實施形態，基於圖式來詳細地說明。另外，並不會限制本實施形態所揭露之發明。又，各實施形態係可在不矛盾的範圍內來適當地組合處理內容。
[處理系統100之構成]
圖1係顯示實施形態之處理系統100的一範例之圖式。處理系統100係具備有複數電漿蝕刻裝置101(101-1及101-2)、搬送室102以及複數晶圓匣室103(103-1及103-2)。複數電漿蝕刻裝置101及複數晶圓匣室103係設置於搬送室102周圍。處理系統100係測定系統之一範例。
電漿蝕刻裝置101-1與搬送室102之間係設置有閘閥G-1，閘閥G-1可氣密地閉塞或連通電漿蝕刻裝置101-1與搬送室102之間。同樣地，電漿蝕刻裝置101-2與搬送室102之間係設置有閘閥G-2，閘閥G-2可氣密地閉塞或連通電漿蝕刻裝置101-2與搬送室102之間。
又，晶圓匣室103-1與搬送室102之間係設置有閘閥G-3，閘閥G-3可氣密地閉塞或連通晶圓匣室103-1與搬送室102之間。同樣地，晶圓匣室103-2與搬送室102之間係設置有閘閥G-4，閘閥G-4可氣密地閉塞或連通晶圓匣室103-2與搬送室102之間。
又，晶圓匣室103-1係設置有門閥D-1，門閥D-1可從晶圓匣室103-1外部來氣密地閉塞晶圓匣室103-1內，或是讓晶圓匣室103-1內連通於晶圓匣室103-1外部而開放於大氣壓。同樣地，晶圓匣室103-2係設置有門閥D-2，門閥D-2可從晶圓匣室103-2外部來氣密地閉塞晶圓匣室103-2內，或是讓晶圓匣室103-2內連通於晶圓匣室103-2外部而開放於大氣壓。
然後，收納有複數被處理基板之半導體晶圓W的晶圓匣130會透過門閥D-1及D-2來分別搬入至晶圓匣室103-1及103-2內。又，可將收納有電漿蝕刻裝置101-1或101-2所處理之半導體晶圓W的晶圓匣130透過門閥D-1及D-2來分別從晶圓匣室103-1及103-2搬出。又，晶圓匣130係收納有後述感應器基板20。各晶圓匣室103係設置有各未圖示之真空排氣裝置，在搬入晶圓匣130，而關閉門閥D-1及D-2後，各晶圓匣室103內部會藉由真空排氣裝置來排氣為既定真空度。
搬送室102內係設置有擁有多關節臂之搬送裝置110。臂之前端係設置有保持半導體晶圓W之基板支撐部111a及111b。搬送裝置110可在開啟閘閥G-1、G-2、G-3及G-4的狀態下，來讓基板支撐部111進入各電漿蝕刻裝置101及各晶圓匣室103內。
然後，搬送裝置110會讓處理前之半導體晶圓W載置於基板支撐部111並從晶圓匣室103內之晶圓匣130取出，而搬入至電漿蝕刻裝置101內。然後，讓處理後之半導體晶圓W載置於基板支撐部111，並從電漿蝕刻裝置101搬出，而收納至晶圓匣室103內之晶圓匣130內。又，搬送室102係設置有未圖示之真空排氣裝置，在搬送室102內會藉由真空排氣裝置來排氣為既定真空度的狀態下，搬送裝置110便可進行半導體晶圓W之搬送等。
搬送室102內之搬送裝置110係連接有測定裝置30。測定裝置30會指示搬送裝置110，來將感應器基板20從晶圓匣130搬出，而搬入至電漿蝕刻裝置101內。然後，測定裝置30會基於搬入至電漿蝕刻裝置101內之感 應器基板20所測定的資訊，來測定電漿蝕刻裝置101內之構件，例如聚焦環的狀態。
[電漿蝕刻裝置101之構成]
圖2係顯示電漿蝕刻裝置101之一範例的概略剖面圖。電漿蝕刻裝置101，例如圖2所示，係具有構成為氣密，且為電性接地電位的處理容器1。處理容器1係藉由例如於表面施予陽極氧化披覆膜後之鋁等，來形成為略圓筒狀。處理容器1內係設置有水平地支撐被處理基板之半導體晶圓W的載置台2。
載置台2係其基材2a會以導電性金屬，例如鋁等來加以構成，且具有作為下部電極之機能。此載置台2會透過絕緣板3來被導體之支撐台4所支撐。又，載置台2上方之外周係設置有例如單晶矽等所形成之聚焦環5。進一步地，以圍繞載置台2及支撐台4周圍的方式，來設置有由例如石英等所構成之圓筒狀內壁構件3a。
載置台2上方係以略平行地對向於載置台2的方式，換言之，以對向於載置台2上所載置之半導體晶圓W的方式，來設置有擁有上部電極之機能的噴淋頭16。噴淋頭16與載置台2係具有作為一對電極(上部電極與下部電極)之機能。載置台2的基材2a會透過匹配器11a來連接有高頻電源10a。又，載置台2之基材2a會透過匹配器11b來連接有高頻電源10b。高頻電源10a會將電漿產生所使用之既定頻率(例如100MHz)的高頻電力供給至載置台2之基材2a。又，高頻電源10b係吸引離子(偏壓)所使用之既定頻率的高頻電力，會將較高頻電源10a要低之頻率(例如，13MHz)的高頻電力供給至載置台2之基材2a。
載置台2上面係設置有用以靜電吸附半導體晶圓W之靜電夾具6。靜電夾具6係具有絕緣體6b以及設置於絕緣體6b之間的電極6a，電極6a係連接有直流電源12。然後，靜電夾具6會藉由直流電源12所施加之直流電壓而產生於靜電夾具6表面的庫倫力，來吸附保持半導體晶圓W。
載置台2內部係形成有流通有冷媒之流道2b，流道2b係連接有配管2c及2d。然後，可藉由讓GALDEN等之冷媒循環於流道2b中，來將支撐台4及載置台2控制為既定溫度。又，載置台2係以貫穿載置台2的方式，來設置有用以將氦氣體等之冷卻氣體(背側氣體)供給至半導體晶圓W內面 側的配管18。配管18會連接於未圖示之背側氣體供給源。藉由該等構成，便可將以靜電夾具6來吸附保持於載置台2上面的半導體晶圓W控制為既定溫度。
上述噴淋頭16會設置於處理容器1上部。噴淋頭16係具備有本體部16a與為電極板之上部頂板16b，且會透過絕緣性構件17來被處理容器1上部所支撐。本體部16a會藉由例如表面經陽極氧化處理之鋁等來加以形成，且於其下部裝卸自如地支撐上部頂板16b。上部頂板16b係以例如石英等的含矽物質來加以形成。
本體部16a內部係設置有氣體擴散室16c及16d。本體部16a底部係以位於氣體擴散室16c及16d下部的方式，來形成有多數氣體流通孔16e。氣體擴散室係被2分為設置於中央部之氣體擴散室16c，以及，設置於周緣部之氣體擴散室16d，且可獨立地在中央部與周緣部改變處理氣體之供給狀態。
又，上部頂板16b係以於厚度方向貫穿該上部頂板16b的方式來設置有氣體導入孔16f，各氣體導入孔16f會連通於上述氣體流通孔16e。藉由此般構成，氣體擴散室16c及16d所供給之處理氣體便會透過氣體流通孔16e及氣體導入孔16f來噴淋狀地擴散而供給至處理容器1內。另外，本體部16a等係設置有未圖示之加熱器以及循環冷媒用之未圖示的配管等之溫度調整器，而可在電漿蝕刻處理中將噴淋頭16溫控為所欲範圍內之溫度。
上述本體部16a係形成有分別朝氣體擴散室16c及16d導入處理氣體的2個氣體導入口16g及16h。氣體導入口16g係連接有配管15a之一端，配管15a之另端係透過閥V1及質流控制器(MFC)15c來連接有供給蝕刻用處理氣體之處理氣體供給源15。又，氣體導入口16h係連接有配管15b之一端，配管15b之另端係透過閥V2及MFC15d來連接有處理氣體供給源15。
然後，處理氣體供給源15所供給之處理氣體會透過配管15a及15b來分別供給至氣體擴散室16c及16d，而透過各氣體流通孔16e及氣體導入孔16f來噴淋狀地擴散供給至處理容器1內。
上述上部電極之噴淋頭16係透過低通濾波器(LPF)51來電性連接有可變直流電源52。可變直流電源52可透過開關53來供給或遮斷直流電力。 可變直流電源52之電流、電壓以及開關53之開啟及關閉會藉由後述控制部60來加以控制。另外，如後述般，在從高頻電源10a及高頻電源10b來將高頻電力供給至載置台2而在處理空間產生電漿時，會依需要來以控制部60開啟開關53，而對上部電極之噴淋頭16施加既定直流電壓。
處理容器1底部係形成有排氣口71。排氣口71係透過排氣管72來連接有排氣裝置73。排氣裝置73係具有真空泵，藉由此真空泵作動，便可將處理容器1內減壓至既定真空度。又，處理容器1側壁係設置有開口部74，開口部74係設置有開閉該開口部74之閘閥G。
處理容器1內壁係沿著內壁面，來裝卸自如地設置有沉積保護體76及77。沉積保護體76及77係具有防止蝕刻副產物(沉積)會附著於處理容器1內壁的機能。又，沉積保護體77係設置為包覆下部電極之載置台2、內壁構件3a以及支撐台4外周面。沉積保護體76之與靜電夾具6上所吸附保持之半導體晶圓W略相同高度的位置係設置有直流地連接於大地的導電性構件(GND區塊)79。藉由導電性構件79，來抑制處理容器1內之異常放電。
又，處理容器1周圍係同心圓狀地配置有環狀磁鐵80。環狀磁鐵80會在噴淋頭16與載置台2之間的空間形成磁場。環狀磁鐵80會藉由未圖示之旋轉機構來自由旋轉地加以保持。
上述構成之電漿蝕刻裝置101會藉由控制部60，來總括控制其動作。控制部60係設置有具備CPU(Central Processing Unit)而控制電漿蝕刻裝置101之各部的程序控制器61、使用者介面62以及記憶部63。使用者介面62係工序管理者為了管理電漿蝕刻裝置101而進行指令之輸入操作的鍵盤以及將電漿蝕刻裝置101之運作狀況可視化而加以顯示的顯示器等。
記憶部63係儲存有在程序控制器61之控制下，用以實現電漿蝕刻裝置101所實行之各種處理的控制程式(軟體)以及記憶有處理條件資料等的配方。然後，藉由對應於來自使用者介面62之指示，而將任意配方從記憶部63叫出，並藉由程序控制器61加以實行，便可在程序控制器61之控制下，進行電漿蝕刻裝置101中之所欲的處理。又，控制程式或處理條件資料等之配方亦可利用儲存於電腦可讀取之電腦記錄媒體(例如，硬碟、CD、軟碟、半導體記憶體等)等之狀態者，或是，利用從其他裝置，例如透過通訊電路來傳送者。
[感應器基板20之構成]
圖3係顯示感應器基板20之一範例的圖式。感應器基板20，例如圖3所示，係具有基底基板21、距離感應器23、無線通訊機24以及電池26。本實施形態中，基底基板21係具有與被處理基板之半導體晶圓W略相同之形狀。藉此，搬送裝置110便可藉由基板支撐部111，來與半導體晶圓W同樣地操作感應器基板20。又，基底基板21外周係形成有顯示基底基板21方向之定位部22。本實施形態中，定位部22為例如凹槽。另外，定位部22亦可為定向平面。
距離感應器23、無線通訊機24以及電池26係被組裝於基底基板21表面。電池26會藉由配線27來連接於距離感應器23及無線通訊機24，且透過配線27來將電力供給至距離感應器23及無線通訊機24。距離感應器23會藉由配線25來連接於無線通訊機24。距離感應器23會組裝於從通過基底基板21之中心29與定位部22的直線，而遠離△L1之基底基板21上的位置。
無線通訊機24會接收測定裝置30所無線傳送之電波，而將所接收之電波調變，並透過配線25來朝距離感應器23傳送。又，無線通訊機24在透過配線25來從距離感應器23收取訊號的情況，會對所收取之訊號施予既定調變而朝測定裝置30無線傳送。本實施形態中，無線通訊機24會藉由類比無線通訊方式，來在與測定裝置30之間傳送接收訊號。另外，無線通訊機24亦可藉由無線LAN或Bluetooth(註冊商標)等的數位無線通訊方式，來在與測定裝置30之間傳送接收訊號。
距離感應器23會在透過配線25來從無線通訊機24收取表示測定指示之訊號的情況，測定對應於與測定對象物之距離的物理量。然後，距離感應器23會將表示所測定物理量的訊號透過配線25來朝無線通訊機24傳送。本實施形態中，測定對象物係處理容器1內所設置之聚焦環5。又，本實施形態中，距離感應器23係測定靜電電容來作為對應於與測定對象物之間的距離的物理量之例如為靜電電容感應器。另外，距離感應器23只要為可測定對應於與測定對象物之間的距離而改變之物理量的感應器的話，亦可為其他方式之感應器(例如，雷射距離感應器，超音波感應器等)。
在此，在電漿蝕刻裝置101內處理半導體晶圓W時，會因為處理容器1內所生成的電漿，而使得聚焦環5被稍微地削減。然後，因為重複半導體晶圓W之處理，便會使得處理容器1內之聚焦環5變薄，而讓所謂提高半導體晶圓W之外周附近的電漿均勻性之聚焦環5的效果下降。
於是，本實施形態中，係在電漿蝕刻裝置101之處理開始前，將感應器基板20搬入至處理容器1內，而藉由距離感應器23來測定從距離感應器23至聚焦環5的距離。然後，在處理了數個半導體晶圓W後，再度將感應器基板20搬入至處理容器1內，而藉由感應器基板20來測定從感應器基板20至聚焦環5的距離。然後，由與處理開始前所測定之距離之相差部分，來計算出聚焦環5之消耗量，並將所計算出之消耗量通知於處理系統100之使用者。
又，處理對象之半導體晶圓W係與圖3所示之感應器基板20同樣地形成有定位部22。形成於半導體晶圓W之定位部22附近的電漿分布會有與半導體晶圓W外周部之其他部分的電漿分布稍微不同的情況。因此，半導體晶圓W之定位部22附近的聚焦環5之消耗量會有與其他部分之聚焦環5之消耗量不同的情況。因此，即便測定半導體晶圓W之配置有定位部22之位置附近的聚焦環5之消耗量，仍會有測定出與聚焦環5其他部分之消耗量不同的數值的情況。
為了迴避此情況，本實施形態中，例如圖3所示，距離感應器23會組裝於從通過基底基板21之中心29與定位部22直線，而遠離△L1之基底基板21上的位置。然後，在將感應器基板20搬入至電漿蝕刻裝置101之處理容器1內時，便會讓感應器基板20朝從定位部22朝向基底基板21之中心29之方向移動。藉此，在距離感應器23通過聚焦環5上方時，距離感應器23便會通過與配置於半導體晶圓W之定位部22的位置附近之聚焦環5的部分而有所不同之部分上方。藉此，便可防止藉由距離感應器23去測定出配置於半導體晶圓W之定位部22的位置附近之聚焦環5的消耗量。
另外，本實施形態中，在讓感應器基板20朝方向B移動而從閘閥G搬入至處理容器1內的情況，係較半導體晶圓W被搬入至處理容器1內而被載置於靜電夾具6上的位置，而進一步地從閘閥G遠離的位置，來讓感應器基板20移動。藉此，距離感應器23便可在靠近閘閥G側之聚焦環5 的部分，以及遠離閘閥G側之聚焦環5部分的2處中，測定聚焦環5之消耗量。
此時，在基底基板21上，將距離感應器23組裝於從通過中心29與定位部22之直線而遠離過遠的位置時，於讓感應器基板20朝方向B移動而搬入至處理容器1內的情況，藉由距離感應器23來測定消耗量之聚焦環5上的2處位置便會互相變近。因此，便會有基於距離感應器23來測定之測定值所計算出之聚焦環5的消耗量與聚焦環5整體之實際消耗量的差距變大的情況。因此，較佳地，距離感應器23係組裝於在基底基板21上，從通過中心29與定位部22之直線而不要過遠的位置。例如，較佳地，從通過基底基板21之中心29與定位部22的直線至組裝有距離感應器23的基底基板21上的位置的距離△L1係例如在基底基板21半徑的1/4~1/2倍左右的範圍內。藉此，便可提高聚焦環5消耗量的測定精度。
[測定裝置30之構成]
圖4係顯示測定裝置30之一範例的區塊圖。測定裝置30例如圖4所示，係具有天線31、無線通訊部32、取得部33、測定指示部34、測定部35以及搬送指示部36。
無線通訊部32會在從測定指示部34收取到訊號的情況，對所收取之訊號施予既定調變，而透過天線31來朝感應器基板20傳送。又，無線通訊部32會在透過天線31來從感應器基板20接收到訊號的情況，將所接收之訊號調變而朝取得部33傳送。
測定指示部34會在從測定部35收取到測定指示的情況，產生表示測定指示之訊號，而將所產生之訊號朝無線通訊部32傳送。取得部33會將從無線通訊部32所收取之訊號轉變為表示測定值之資訊，而朝測定部35傳送。搬送指示部36會對應於來自測定部35之指示，而將控制感應器基板20之搬送的訊號朝搬送裝置110傳送。
測定部35會透過滑鼠或鍵盤等之輸入裝置37，而對應於處理系統100來自使用者之指示，來控制搬送裝置110及距離感應器23，以測定電漿蝕刻裝置101之處理容器1內的構件狀態。例如，測定部35會對應於處理系統100之來自使用者的指示，來控制搬送裝置110及距離感應器23，以進行處理容器1內之聚焦環5的初始狀態之測定。所謂初始狀態係指例如在 進行聚焦環5之交換，而開始電漿蝕刻裝置101之電漿蝕刻處理前的狀態。
聚焦環5之初始狀態的測定中，測定部35會例如到距離感應器23會位於靠近閘閥G側之聚焦環5上方的位置為止，將使得感應器基板20搬入至電漿蝕刻裝置101之處理容器1內的指示朝搬送指示部36傳送。搬送裝置110例如圖5所示，係以距離感應器23會位於基底基板21下面側的方式，來保持感應器基板20，而從閘閥G沿著搬送方向B，來將感應器基板20搬入至處理容器1內。然後，在距離感應器23位於靠近閘閥G側之聚焦環5上方的情況，測定部35會將測定指示傳送至測定指示部34。然後，在從取得部33接收測定值之情況，測定部35會保持對應於所接收之測定值的距離之資訊。
接著，測定部35會將讓感應器基板20搬入至處理容器1內既定距離的指示朝搬送指示部36傳送。所謂既定距離係例如數毫米。然後，測定部35會將測定指示傳送至測定指示部34，而從取得部33接收測定值資訊，並保持對應於所接收之測定值的距離d之資訊。測定部35例如圖6所示，係在距離感應器23通過聚焦環5上方的期間，讓感應器基板20朝搬送方向B移動既定距離，而將讓距離感應器23來測定對應於至聚焦環5的距離d的測定值之處理重複複數次(例如，十幾次左右)。
然後，在距離感應器23通過靠近閘閥G側之聚焦環5上方的情況，測定部35會在距離感應器23位於閘閥G遠離側之聚焦環5上方的位置為止，將讓感應器基板20進一步地搬入之指示朝搬送指示部36傳送。搬送裝置110例如圖7所示，感應器基板20會從閘閥G沿著搬送方向B，從搬入被處理基板之半導體晶圓W之位置，進一步地至遠離閘閥G既定距離△L2部分之位置，搬入感應器基板20。然後，在距離感應器23例如圖7所示，會位於遠離閘閥G側之聚焦環5上方的情況，測定部35會將測定指示傳送至測定指示部34。然後，在從取得部33接收測定值的情況，測定部35會保持對應於所接收之測定值的距離d之資訊。
然後，測定部35會與在距離感應器23位於靠近閘閥G側之聚焦環5上方的情況同樣地，於距離感應器23通過遠離閘閥G側之聚焦環5上方的期間，讓感應器基板20於處理容器1內移動既定距離，而讓距離感應器23複數次重複測定對應於至聚焦環5之距離d的測定值之處理。
在此，感應器基板20中，距離感應器23例如圖3所示，係組裝於從通過基底基板21中心與定位部22之直線遠離既定距離△L1的基底基板21上之位置。然後，搬送裝置110會以感應器基板20之定位部22為基準，並以通過基底基板21中心與定位部22之直線會通過聚焦環5及靜電夾具6之略中央的方式，來將感應器基板20沿著搬送方向B而搬入至處理容器1內。藉此，例如圖8所示，感應器基板20之距離感應器23便會通過從通過聚焦環5之略中央的直線遠離既定距離△L1之聚焦環5上的區域5a及區域5b。藉此，在靠近閘閥G側之聚焦環5的區域5b，以及遠離閘閥G側之聚焦環5的區域5a中，便會分別複數次測定對應於從距離感應器23至初始狀態之聚焦環5的距離d之測定值。
然後，在距離感應器23通過遠離閘閥G側之聚焦環5上方的情況，測定部35會將收納感應器基板20於晶圓匣130的指示朝搬送指示部36傳送。然後，測定部35會基於對應於靠近閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d，以及對應於遠離閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d，來計算出從距離感應器23至初始狀態之聚焦環5的距離d0，並保持所計算出之距離d0。測定部35會計算出例如，對應於測定值之距離d的平均值來作為從距離感應器23至初始狀態之聚焦環5的距離d0。
又，測定部35會在以電漿蝕刻裝置101來進行1次以上電漿蝕刻處理後，對應於處理系統100之來自使用者的指示，而控制搬送裝置110及距離感應器23，以進行處理容器1內之聚焦環5的消耗狀態之測定。例如，測定部35會在聚焦環5之消耗狀態的測定中，與使用圖5至圖7來說明之聚焦環5的初始狀態之測定同樣地，於靠近閘閥G側之聚焦環5上方，以及遠離閘閥G側之聚焦環5上方中，分別測定複數次對應於從距離感應器23至聚焦環5之距離d的測定值。
然後，測定部35會基於對應於靠近閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d，以及對應於遠離閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d，來計算出從距離感應器23至聚焦環5的距離d1。然後，測定部35會計算出從所保持之距離d0減去所計算出之距離d1的數值來作為聚焦環5之消耗量。然後，測定部35會將所計算出之聚焦環5的消耗量輸出至顯示器等的輸出裝置38。
藉此，處理系統100之使用者便可不將電漿蝕刻裝置101之處理容器1開放於大氣壓，而測定聚焦環5之消耗量。又，由於可使用與被處理基板之半導體晶圓W相同形狀的感應器基板20來測定聚焦環5之消耗量，故無需對處理容器1施予在側壁形成窗體之改造，而可使用既有電漿蝕刻裝置101來測定聚焦環5之消耗量。又，由於無需在處理容器1內確保測定聚焦環5消耗量用之光源的光線路徑，故可抑制電漿蝕刻裝置101之設計自由度下降。
另外，測定部35亦可計算電漿蝕刻裝置101所實行之電漿蝕刻處理的次數，並在達到既定次數的情況，不等待處理系統100之來自使用者的指示，而自動開始聚焦環5消耗量之測定處理。於此情況，到開始聚焦環5消耗量之測定處理為止的電漿蝕刻處理之實行次數便可藉由處理系統100之使用者來任意地設定。又，測定部35亦可在處理系統100接受保持來自使用者的消耗量閾值，而在聚焦環5消耗量之測定處理中所測定之聚焦環5消耗量為所保持之閾值以上的情況，將聚焦環5之消耗量達到閾值之指令取代所測定之消耗量的數值，或是亦可與所測定之消耗量的數值一同地輸出至顯示器等的輸出裝置38。
[初始狀態之測定處理]
圖9係顯示聚焦環5之初始狀態的測定處理之一範例的流程圖。例如，在進行聚焦環5之交換，而從處理系統100之使用者指示初始狀態之測定處理的情況，測定裝置30便會開始本流程圖所示之處理。
首先，測定部35會將讓收納在晶圓匣130內之感應器基板20保持於搬送裝置110之指示朝搬送指示部36傳送。搬送指示部36會將來自測定部35之指示轉換為控制訊號，而朝搬送裝置110傳送。搬送裝置110會藉由基板支撐部111從晶圓匣130來將感應器基板20取出，並以距離感應器23會位於基底基板21下面側的方式來保持感應器基板20(S100)。
接著，測定部35會將距離感應器會位於靠近閘閥G側之聚焦環5上方的位置為止，來讓感應器基板20搬入之指示朝搬送指示部36傳送。搬送指示部36會將來自測定部35之指示轉換為控制訊號，而朝搬送裝置110傳送。搬送裝置110會將感應器基板20搬入至距離感應器會位於靠近閘閥G側之聚焦環5上方的位置(S101)。
接著，測定部35會傳送測定指示(S102)。具體而言，測定部35會將測定指示傳送至測定指示部34。測定指示部34會產生表示測定指示之訊號，而將所產生之訊號朝無線通訊部32傳送。無線通訊部32會對從測定指示部34所收取之訊號施予既定調變而透過天線31來朝感應器基板20無線傳送。感應器基板20之無線通訊機24會將從測定裝置30所接收之電波調變而朝距離感應器23傳送。
接著，測定部35會接收對應於從距離感應器23至聚焦環5的距離d之測定值(S103)。具體而言，距離感應器23會對應於從無線通訊機24所收取之訊號所表示的測定指示，來測定對應於從距離感應器23至聚焦環5的距離的物理量(本實施形態中係靜電電容)，而將表示測定值之訊號朝無線通訊機24傳送。無線通訊機24會對表示從距離感應器23所收取之測定值的訊號施予既定調變，而朝測定裝置30無線傳送。
測定裝置30之無線通訊部32會透過天線31來接收從感應器基板20所傳送之電波，而將所接收之電波調變並朝取得部33傳送。取得部33會將無線通訊部32所調變之訊號轉換為表示測定值之資訊而朝測定部35傳送。測定部35會從取得部33收取測定值資訊，而保持對應於所收取之測定值的距離d之資訊。
接著，測定部35會判斷距離感應器23之測定次數是否達到既定次數(S104)。在距離感應器23之測定次數未達到既定次數的情況(S104：No)，測定部35會將讓感應器基板20沿著搬送方向B來移動既定距離之指示朝搬送指示部36傳送。搬送指示部36會將來自測定部35之指示轉換為控制訊號，而朝搬送裝置110傳送。搬送裝置110會讓感應器基板20沿著搬送方向B移動既定距離(S105)。然後，測定部35會再次實行步驟S102所示之處理。
另一方面，距離感應器23之測定次數達到既定次數的情況(S104：Yes)，測定部35會將距離感應器會位於遠離閘閥G側之聚焦環5上方的位置，來搬入感應器基板20之指示朝搬送指示部36傳送。搬送指示部36會將來自測定部35之指示轉換為控制訊號，而朝搬送裝置110傳送。搬送裝置110會將感應器基板20搬入至距離感應器會位於遠離閘閥G側之聚焦環5上方的位置(S106)。
接著，測定部35會傳送測定指示(S107)。然後，測定部35會接收對應於從距離感應器23至聚焦環5之距離d的測定值(S108)。然後，測定部35會判定距離感應器23之測定次數是否達到既定次數(S109)。在距離感應器23之測定次數未達到既定次數的情況(S109：No)，測定部35會將讓感應器基板20沿著搬送方向B來移動既定距離之指示朝搬送指示部36傳送(S110)。然後，測定部35會再次實行步驟S107所示之處理。另外，由於步驟S107~S110的處理會與步驟S102~S105中所說明的處理相同，故省略詳細說明。
另一方面，在距離感應器23之測定次數達到既定次數的情況(S109：Yes)，測定部35會將讓感應器基板20回到晶圓匣130之指示朝搬送指示部36傳送。搬送指示部36會將來自測定部35之指示轉換為控制訊號，而朝搬送裝置110傳送。搬送裝置110會將感應器基板20收納於晶圓匣130(S111)。
接著，測定部35會將對應於靠近閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d，以及對應於遠離閘閥G側之聚焦環5上方所測定之複數測定值的距離d加以平均，來計算出從距離感應器23至初始狀態之聚焦環5的距離d0(S112)。然後，測定部35會將所計算出之距離d0保存於測定裝置30之記憶體(S113)，則測定裝置30便結束本流程圖所示之初始狀態的測定處理。
[消耗量之測定處理]
圖10係顯示聚焦環5消耗量之測定處理的一範例之流程圖。例如，在處理系統100被使用者指示消耗量之測定處理的情況，測定裝置30便會開始本流程圖所示之處理。
首先，感應器基板20及測定裝置30會實行使用圖9所說明之步驟S100~S111之處理。然後，測定部35會將對應於靠近閘閥G側之聚焦環5上方所測定的複數測定值之距離d，以及對應於遠離閘閥G側之聚焦環5上方所測定的複數測定值之距離d加以平均，來計算出從距離感應器23至初始狀態之聚焦環5的距離d1(S120)。
接著，測定部35會算出從所保持的距離d0，來減去步驟S120中所計算出之距離d1的數值來作為聚焦環5之消耗量(S121)。然後，測定部35會 將所計算出之聚焦環5的消耗量輸出至顯示器等的輸出裝置38(S122)，則測定裝置30便結束本流程圖所示之消耗量的測定處理。
[硬體]
圖11係顯示實現測定裝置30之機能的電腦40之一範例的圖式。電腦40係具備有CPU(Central Processing Unit)41、RAM(Random Access Memory)42、ROM(Read Only Memory)43、輔助記憶裝置44、無線通訊機45、輸出入介面(I/F)46以及多媒體介面(I/F)47。
CPU41會基於ROM43或輔助記憶裝置44所儲存之程式來動作，以進行各部控制。ROM43係儲存有電腦40啟動時藉由CPU41所實行之啟動程式或電腦40關於硬體的程式等。
輔助記憶裝置44係例如為HDD(Hard Disk Drive)或SSD(Solid State Drive)等，會儲存藉由CPU41所實行之程式以及該程式所使用之資料等。無線通訊機45會與感應器基板20等無線通訊，並從感應器基板20等的其他機器接收資料而朝CPU41傳送，並將CPU41所產生之資料朝感應器基板20等的其他機器傳送。
CPU41會透過輸出入介面46來控制顯示器或印表機等的輸出裝置38、搬送裝置110以及鍵盤及滑鼠等的輸入裝置37。CPU41會透過輸出入介面46來從輸入裝置37取得資料。又，CPU41會將所產生之資料透過輸出入介面46來朝輸出裝置38或搬送裝置110輸出。
多媒體介面47會讀取記錄媒體48所儲存之程式或資料，並透過RAM42來提供至CPU41。CPU41會將該程式透過多媒體介面47來從記錄媒體48讀出而下載至RAM42上，而實行所下載之程式。記錄媒體48係例如為DVD(DigitalVersatile Disc)、PD(Phase change rewritable Disk)等的光學記錄媒體、MO(Magneto-Optical disk)等的磁光記錄媒體，磁帶媒體，磁氣記錄媒體或半導體記憶體等。
電腦40之CPU41會藉由實行RAM42上所下載之程式，來實現無線通訊部32、取得部33、測定指示部34、測定部35以及搬送指示部36的各機能。電腦40之CPU41會將上述程式從記錄媒體48讀取而加以實行，但作為其他範例亦可從其他裝置透過有線或無線之通訊電路來取得該等程式。
以上，便已就實施形態來加以說明。根據本實施形態之處理系統100，便可不改造既有電漿蝕刻裝置101，而在將處理容器1內保持著減壓狀態下，來測定聚焦環5消耗量。
另外，本發明並不限於上述實施形態，可在其主旨範圍內進行各種改變。
例如圖12所示，感應器基板20之基底基板21亦可形成有複數開口部28a~28d。由於感應器基板20係將距離感應器23、無線通訊機24以及電池26組裝於基底基板21上，故感應器基板20之重量會有較被處理基板之半導體晶圓W要重的情況。因此，感應器基板20之重量便會在為了將感應器基板20搬入至處理容器1內而讓搬送裝置110之臂延伸的情況，因感應器基板20之重量使得臂彎曲，而有感應器基板20會接觸到處理容器1內之構件的可能性。於是，例如圖12所示，藉由於基底基板21形成複數開口部28a~28d，便可使得感應器基板20輕量化，而可防止感應器基板20會接觸到處理容器1內之構件。
又，上述實施形態中，雖感應器基板20係於基底基板21上設置有1個距離感應器23，但揭露之技術並不限於此。例如圖13所示，亦可於基底基板21上設置有複數距離感應器23-1及23-2。藉此，便可測定聚焦環5更多部位的消耗量，而可提高消耗量之測定精度。但是較佳地，在此情況，各距離感應器23例如圖13所示，亦係組裝於從通過基底基板21之中心29與定位部22的直線，而分別遠離△L1之基底基板21上的位置。
又，上述實施形態中，雖測定裝置30會從感應器基板20藉由無線通訊來接收表示對應於距離的物理量之測定值的訊號，但揭露之技術並不限於此。例如，感應器基板20之距離感應器23亦可將對應於距離之物理量的測定值記錄於基底基板21上所組裝之記憶體內。然後，處理系統100之使用者可將測定後之感應器基板20從晶圓匣室103取出，並透過電纜等來連接於測定裝置30。然後，測定裝置30亦可透過電纜等，來從感應器基板20之記憶體讀出測定值。
又，上述實施形態，雖然搬送裝置110會沿著半導體晶圓W之搬入方向B來將感應器基板20搬入至處理容器1內，而在感應器基板20搬入過程中，於距離感應器23通過聚焦環5上方時，距離感應器23會測定對應 於從距離感應器23至聚焦環5的距離之測定值，但揭露之技術並不限於此。例如，搬送裝置10若是可更自由地動作的話，搬送裝置110亦可在將感應器基板20搬入至處理容器1內後，以距離感應器23會沿著聚焦環5來移動於聚焦環5上方的方式，來讓感應器基板20在處理容器1內移動。藉此，測定裝置30便可在聚焦環5中測定更多部位的消耗量，而可提高消耗量之測定精度。
又，上述實施形態中，雖具有感應器基板20之基底基板21的形狀為與被處理基板之半導體晶圓W略相同的形狀，但作為其他形態，基底基板21之外形亦可較半導體晶圓W要大。又，此情況，較佳地係距離感應器23會組裝於靠近基底基板21外緣的位置。藉此，搬送裝置110係可以與將被處理基板之半導體晶圓W搬入至處理容器1內的情況相同之範圍的動作，來讓距離感應器23位於遠離閘閥G側之聚焦環5上方。
以上，雖已使用實施形態來說明本發明，但本發明之技術範圍並不限定於上述實施形態所記載的範圍。可於上述實施形態添加多樣的改變或改良對該業者而言係屬自明事項。又，添加此般改變或改良之形態亦被包含於本發明之技術範圍係可從申請專利範圍之記載明瞭。

Claims (10)

  1. 一種測定系統，係測定電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定系統，該電漿蝕刻裝置係具有：處理容器，係收納有被處理基板，且其內部可減壓；下部電極，係設置於該處理容器內，並載置有以搬送裝置搬送至該處理容器內之該被處理基板；以及聚焦環，係設置為圍繞該下部電極周圍；該測定系統係具有：感應器基板，係設置有距離感應器；以及測定裝置，係測定該聚焦環之消耗量；該測定裝置係具有：搬送指示部，係指示該搬送裝置，而將該感應器基板搬送至該處理容器內；取得部，係取得該距離感應器所測定之對應於從該距離感應器至該聚焦環的距離之物理量資訊；以及測定部，係基於所取得之該物理量資訊來測定該聚焦環之消耗量。
  2. 如申請專利範圍第1項之測定系統，其中該距離感應器係在通過該聚焦環上時，於該聚焦環之寬度方向中的複數位置，測定對應於從該距離感應器至該聚焦環之距離的物理量資訊。
  3. 如申請專利範圍第1項之測定系統，其中該搬送指示部係從該被處理基板被載置於該下部電極的位置，至該被處理基板被搬入該處理容器時所通過之閥而遠離的位置，將該感應器基板搬入；該距離感應器係至少會在從該聚焦環中心靠該閥側之該聚焦環的部分，以及從該聚焦環中心靠該閥相反側之聚焦環的部分中，測定對應於從該距離感應器至該聚焦環之距離的物理量資訊。
  4. 如申請專利範圍第2項之測定系統，其中該搬送指示部係從該被處理基板被載置於該下部電極的位置，至該被處理基板被搬入該處理容器時所通過之閥而遠離的位置，將該感應器基板搬入；該距離感應器係至少會在從該聚焦環中心靠該閥側之該聚焦環的部分，以及從該聚焦環中心靠該閥相反側之聚焦環的部分中，測定對應於從該距離感應器至該聚焦環之距離的物理量資訊。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之測定系統，其中該搬送指示部係在該搬送裝置會將該感應器基板搬入至該處理容器內時，於該感應器基板上，以該距離感應器會位於從通過該感應器基板中心，而表示該感應器基板之搬送方向的直線遠離既定距離的方式，來將該感應器基板保持於該搬送裝置。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之測定系統，其中該感應器基板係形成有定位用之定向平面或凹槽的定位部；該距離感應器係設置於該感應器基板表面，從通過該感應器基板中心與該定位部之直線而遠離既定距離以上的位置。
  7. 如申請專利範圍第6項之測定系統，其中該距離感應器係設置於該感應器基板表面，從通過該感應器基板中心與該定位部之直線而遠離該感應器基板之半徑1/4~1/2倍距離的位置。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之測定系統，其中該距離感應器係靜電電容感應器，會測定靜電電容來作為對應於從該距離感應器至該聚焦環之距離的物理量。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之測定系統，其中該感應器基板係具有無線通訊裝置，係將該距離感應器所測定之該物理量資訊無線傳送；該取得部會取得該無線通訊裝置所無線傳送之該物理量資訊。
  10. 一種測定方法，係電漿蝕刻裝置中之聚焦環消耗量之測定方法，該電漿蝕刻裝置係具有：處理容器，係收納有被處理基板，且其內部可減壓；下部電極，係設置於該處理容器內，並載置有以搬送裝置搬送至該處理容器內之該被處理基板；以及聚焦環，係設置為圍繞該下部電極周圍；該方法係測定裝置會實行：指示該搬送裝置，而將設有距離感應器之感應器基板搬送至該處理容器內之工序；取得該距離感應器所測定之對應於從該距離感應器至該聚焦環的距離之物理量資訊的工序；以及基於所取得之該物理量資訊，來測定該聚焦環之消耗量的工序。
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3082632A4 (en) 2013-12-20 2018-01-10 Crossroads Extremity Systems, LLC Polyaxial locking hole
US11202626B2 (en) 2014-07-10 2021-12-21 Crossroads Extremity Systems, Llc Bone implant with means for multi directional force and means of insertion
US10014198B2 (en) * 2015-08-21 2018-07-03 Lam Research Corporation Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment
JP6651994B2 (ja) * 2016-06-17 2020-02-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、メンテナンス用治具、基板処理装置のメンテナンス方法及び記憶媒体
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module
EP3315948B1 (de) * 2016-10-26 2019-09-04 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Verfahren zur ermittlung des brechzahlprofils eines zylinderförmigen optischen gegenstandes
US11864753B2 (en) 2017-02-06 2024-01-09 Crossroads Extremity Systems, Llc Implant inserter
WO2018148284A1 (en) 2017-02-07 2018-08-16 Crossroads Extremity Systems, Llc Counter-torque implant
JP6797079B2 (ja) * 2017-06-06 2020-12-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
US10978333B2 (en) * 2017-11-14 2021-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for robotic arm sensing
US11538713B2 (en) * 2017-12-05 2022-12-27 Lam Research Corporation System and method for edge ring wear compensation
JP7029983B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-04 東京エレクトロン株式会社 測定器及び測定器のずれ量を求める方法
US11935773B2 (en) * 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US10794681B2 (en) 2018-09-04 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Long range capacitive gap measurement in a wafer form sensor system
US11521872B2 (en) 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US11342210B2 (en) 2018-09-04 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring wafer movement and placement using vibration data
US11404296B2 (en) * 2018-09-04 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring placement of a substrate on a heater pedestal
US10847393B2 (en) 2018-09-04 2020-11-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring process kit centering
JP7076351B2 (ja) * 2018-10-03 2022-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の厚さ測定方法
JP7129325B2 (ja) * 2018-12-14 2022-09-01 東京エレクトロン株式会社 搬送方法及び搬送システム
US11393663B2 (en) * 2019-02-25 2022-07-19 Tokyo Electron Limited Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control
KR102147775B1 (ko) * 2019-03-11 2020-08-25 (주)드림솔 에지링 측정 장치
US11913777B2 (en) 2019-06-11 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Detector for process kit ring wear
KR20210002175A (ko) * 2019-06-26 2021-01-07 삼성전자주식회사 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치
TWI730486B (zh) * 2019-11-01 2021-06-11 財團法人工業技術研究院 流場可視化觀測裝置與流場可視化觀測方法
US11668553B2 (en) * 2020-02-14 2023-06-06 Applied Materials Inc. Apparatus and method for controlling edge ring variation
US11589474B2 (en) 2020-06-02 2023-02-21 Applied Materials, Inc. Diagnostic disc with a high vacuum and temperature tolerant power source
US11924972B2 (en) * 2020-06-02 2024-03-05 Applied Materials, Inc. Diagnostic disc with a high vacuum and temperature tolerant power source
CN114203578A (zh) 2020-09-02 2022-03-18 东京毅力科创株式会社 基板处理系统以及状态监视方法
CN114496689B (zh) * 2020-11-11 2024-05-28 中国科学院微电子研究所 一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法
USD961081S1 (en) 2020-11-18 2022-08-16 Crossroads Extremity Systems, Llc Orthopedic implant
CN114639582A (zh) * 2020-12-15 2022-06-17 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种边缘环高度测量装置及方法
EP4024034A1 (en) * 2021-01-05 2022-07-06 The Boeing Company Methods and apparatus for measuring fastener concentricity
JP2022116644A (ja) 2021-01-29 2022-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び状態監視方法
US11788927B2 (en) 2021-02-26 2023-10-17 Heraeus Quartz North America Llc Evaluation of preforms with non-step-index refractive-index-profile (RIP)
WO2024023898A1 (ja) * 2022-07-25 2024-02-01 三菱電機株式会社 プラズマ処理装置および劣化判定方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW494457B (en) * 2000-07-04 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method for predicting consumption of consumable part, method for predicting deposited-film thickness, and plasma processor
US20060157698A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system, semiconductor device and method of manufacture
US20060171848A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Advanced Energy Industries, Inc. Diagnostic plasma sensors for endpoint and end-of-life detection
JP2009054665A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5194743A (en) * 1990-04-06 1993-03-16 Nikon Corporation Device for positioning circular semiconductor wafers
KR100434790B1 (ko) * 1997-05-20 2004-06-07 동경 엘렉트론 주식회사 처리 장치
JP4776783B2 (ja) * 1999-05-07 2011-09-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2001230239A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US7135852B2 (en) * 2002-12-03 2006-11-14 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
US7850174B2 (en) * 2003-01-07 2010-12-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and focus ring
JP2005303099A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US20060043063A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Mahoney Leonard J Electrically floating diagnostic plasma probe with ion property sensors
JP2006173223A (ja) 2004-12-14 2006-06-29 Toshiba Corp プラズマエッチング装置およびそれを用いたプラズマエッチング方法
US7477960B2 (en) * 2005-02-16 2009-01-13 Tokyo Electron Limited Fault detection and classification (FDC) using a run-to-run controller
EP1780499A1 (de) * 2005-10-28 2007-05-02 Hch. Kündig & Cie. AG Verfahren zum Messen der Dicke von Mehrschichtfolien
US20070169700A1 (en) * 2006-01-26 2007-07-26 Gert-Jan Sniders Sensing system and method for determining the alignment of a substrate holder in a batch reactor
US20080066868A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Tokyo Electron Limited Focus ring and plasma processing apparatus
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2010034416A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5595795B2 (ja) * 2009-06-12 2014-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の消耗部品の再利用方法
JP2011210853A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Tokyo Electron Ltd 消耗量測定方法
KR101899784B1 (ko) * 2011-09-01 2018-09-21 세메스 주식회사 공정 챔버 모니터링 장치 및 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW494457B (en) * 2000-07-04 2002-07-11 Tokyo Electron Ltd Method for predicting consumption of consumable part, method for predicting deposited-film thickness, and plasma processor
US20060157698A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor manufacturing system, semiconductor device and method of manufacture
JP2006196716A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US20060171848A1 (en) * 2005-01-31 2006-08-03 Advanced Energy Industries, Inc. Diagnostic plasma sensors for endpoint and end-of-life detection
JP2009054665A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 搬送アームの移動位置の調整方法及び位置検出用治具

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