TWI676353B - 水晶振動元件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

水晶振動元件(10)之製造方法包含：準備水晶片(111)之步驟；於水晶片(111)之中央部(117)設置第1激勵電極(114a)之步驟；一邊使用第1激勵電極(114a)作為保護中央部(117)之金屬遮罩，一邊去除周緣部(118)之一部分，於水晶片(111)之中央部(117)與周緣部(118)之間形成第1側面(112a)之步驟；以及以與第1激勵電極(114a)接觸之方式設置延伸至水晶片(111)之周緣部(118)之第1引出電極(115a)之步驟。

Description

水晶振動元件及其製造方法

本發明係關於一種水晶振動元件及其製造方法。

壓電振子被搭載於行動通訊機等，例如作為定時裝置或負載感測器被加以利用。尤其是作為壓電振子之一種之水晶振子，對壓電體利用人工水晶，具有較高之頻率精度。搭載於水晶振子之水晶振動元件例如藉由如下方法形成：藉由利用了光微影技術之蝕刻，對水晶片實施外形加工，對該水晶片實施圖案化，加工出各種電極。為使蝕刻之加工精度提高，正在研究各種構成。

例如，專利文獻1中揭示有一種水晶振動元件之製造方法，其包含：將光阻劑以及耐蝕膜作為遮罩而蝕刻水晶片，設置階差面或傾斜面之步驟；去除光阻劑以及耐蝕膜之步驟；以及將光阻劑作為遮罩蝕刻金屬膜，形成激勵電極、引出電極等之步驟。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-283660號公報

然而，於水晶片形成階差面或傾斜面，對水晶片之主面進行形成凹凸之外形形成之情形時，若於該外形形成之後成膜光阻劑，則由於表面張力等，光阻劑之膜厚於水晶片之主面之角處變小。由於此種光阻劑之膜厚變動，而存在例如激勵電極之加工精度降低之問題。

本發明係鑒於此種情況而完成者，本發明之目的在於提供一種可降低振動特性之製造誤差之水晶振動元件及其製造方法。

本發明之一態樣之水晶振動元件之製造方法包含：準備水晶片之步驟，該水晶片具有第1主面及與第1主面對向之第2主面，且具有俯視第1主面時位於中央側之中央部及位於中央部之外側之周緣部；水晶片之第1主面中，於中央部設置第1激勵電極之步驟；一邊使用第1激勵電極作為保護中央部之金屬遮罩，一邊去除周緣部之一部分，於水晶片之第1主面側，於中央部與周緣部之間形成第1側面之步驟；以與作為金屬遮罩使用之第1激勵電極接觸之方式，於水晶片之第1主面側，設置延伸至周緣部之第1引出電極之步驟。

本發明之另一態樣之水晶振動元件具備：水晶片，其具有第1主面及與第1主面對向之第2主面，且具有俯視第1主面時位於中央側之中央部及位於中央部之外側之周緣部，第1主面以及第2主面中至少於第1主面側，於中央部與周緣部 之間形成第1側面；第1激勵電極，其於水晶片之第1主面中設置於中央部；第2激勵電極，其於水晶片之第2主面中，設置於中央部且與第1激勵電極對向；第1引出電極，其電性連接於第1激勵電極；以及第2引出電極，其電性連接於第2激勵電極；且第1引出電極於俯視水晶片之第1主面時至少覆蓋第1激勵電極之至少一部分，自中央部延伸至周緣部。

根據本發明，能夠提供一種可降低振動特性之製造誤差之水晶振動元件及其製造方法。

1‧‧‧水晶振子

10‧‧‧水晶振動元件

11‧‧‧水晶片

17‧‧‧中央部

18、19‧‧‧周緣部

11a、17a、18a、19a‧‧‧第1主面

11b、17b、18b、19b‧‧‧第2主面

12a、13a‧‧‧第1側面

12b、13b‧‧‧第2側面

14a‧‧‧第1激勵電極

14b‧‧‧第2激勵電極

15a‧‧‧第1引出電極

15b‧‧‧第2引出電極

51、53‧‧‧第1密接層

52、54‧‧‧第1導電層

55‧‧‧第2密接層

56‧‧‧第2導電層

圖1係概略性地表示第1實施形態之水晶振子之構成之分解立體圖。

圖2係概略性地表示圖1所示之水晶振子之沿II-II線之剖面之構成之剖視圖。

圖3係概略性地表示圖2所示之水晶振動元件之構成之剖視圖。

圖4係概略性地表示第1實施形態之水晶振動元件之製造方法之一部分之流程圖。

圖5係繼圖4所示之流程圖後概略性地表示第1實施形態之水晶振動元件之製造方法之流程圖。

圖6係概略性地表示蝕刻水晶片之步驟之剖視圖。

圖7係概略性地表示設置第2密接層以及第2導電層之步驟之剖視圖。

圖8係概略性地表示將光阻劑圖案化之步驟之剖視圖。

圖9係概略性地表示蝕刻第2密接層以及第2導電層之步驟之剖視圖。

圖10係概略性地表示切削中央部之電極表面之步驟之剖視圖。

圖11係概略性地表示第2實施形態之水晶振子之構成之剖視圖。

圖12係概略性地表示第3實施形態之水晶振子之構成之分解立體圖。

圖13係概略性地表示第3實施形態之水晶振子之構成之剖視圖。

圖14係概略性地表示第4實施形態之水晶振動元件之構成之立體圖。

以下，一邊參照圖式，一邊對本發明之實施形態進行說明。其中，於第2實施形態以後，與第1實施形態相同或類似之構成元件以與第1實施形態相同或類似之符號表示，並適當地省略詳細之說明。又，關於第2實施形態以後之實施形態中獲得之效果，對與第1實施形態相同者適當地省略說明。各實施形態之圖式為例示，各部之尺寸或形狀為示意者，不應將本案發明之技術範圍限定理解為該實施形態。

<第1實施形態>

首先，一邊參照圖1~圖3，一邊對本發明之第1實施形態之水晶振子1之構成進行說明。圖1係概略性地表示第1實施形態之水晶振子之構成之分解立體圖。圖2係概略性地表示圖1所示之水晶振子之沿II-II線之剖面之構成之剖視圖。圖3係概略性地表示圖2所示之水晶振動元件之構成之剖視圖。再者，圖中所示之第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3分別為相互正交之方向。再者，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3亦可為相互以90°以外之角度交叉之方向。又，第1方向D1、第2方向D2以及第3方向D3不限定於圖1所示之箭頭之方向(正方向)，亦包含與箭頭相反之方向(負方向)。

水晶振子(Quartz Crystal Resonator Unit)1係壓電振子(Piezoelctric Resonator Unit)之一種，對應於施加電壓而使水晶振動元件(Quartz Crystal Resonator)10激振。水晶振動元件10利用水晶片(Quartz Crystal Element)11作為根據施加電壓而振動之壓電體。

如圖1所示，水晶振子1具備水晶振動元件10、蓋構件20、基座構件30以及接合構件40。基座構件30以及蓋構件20係用以收容水晶振動元件10之保持器。此處圖示之例中，蓋構件20呈凹狀，具體而言，呈具有開口部之箱狀，基座構件30呈平板狀。蓋構件20以及基座構件30之形狀不限定於上述，例如基座構件亦可呈凹狀，蓋構件以及基座構件兩者亦可為於彼此對向之側具有開口部之凹狀。

水晶振動元件10具有薄片狀之水晶片11。水晶片11具有彼此對向之第1主面11a以及第2主面11b。第1主面11a位於與基座構件30對向之側之相反側，第2主面11b位於與基座構件30對向之側。

水晶片11例如為AT切割型水晶片。AT切割型水晶片之主面為與由X軸以及Z'軸特定之面平行之面(以下稱作「XZ'面」。關於由其他軸或其他方向特定之面亦相同)。因此，水晶片11之第1主面11a以及第2主面11b分別相當於XZ'面。AT切割型水晶片例如係藉由將對人工水晶(Synthetic Quartz Crystal)錠進行切斷以及研磨加工所得之水晶基板施以蝕刻加工而形成。再者，X軸、Y軸、Z軸係水晶結晶軸(Crystallographic Axes)，X軸相當於電軸，Y軸相當於機械軸，Z軸相當於光學軸。Y'軸以及Z'軸分別為將Y軸以及Z軸繞X軸自Y軸朝Z軸之方向旋轉35度15分±1分30秒而得之軸。再者，水晶片之切割角度亦可應用AT切割以外 之不同之切割(例如BT切割等)。

AT切割型水晶片11具有與X軸方向平行之長邊延伸之長邊方向、與Z'軸方向平行之短邊延伸之短邊方向、以及與Y'軸方向平行之厚度延伸之厚度方向。俯視第1主面11a時水晶片11呈矩形狀，具有位於中央且有助於激振之中央部17、於X軸之負方向側與中央部17相鄰之周緣部18、於X軸之正方向側與中央部17相鄰之周緣部19。中央部17以及周緣部18、19分別沿Z'軸方向以帶狀設置，自水晶片11之於Z'軸方向對向之一端延伸至另一端。因此，水晶片11之第1主面11a包含中央部17之第1主面17a、周緣部18之第1主面18a以及周緣部19之第1主面19a。同樣地，水晶片11之第2主面11b包含中央部17之第2主面17b、周緣部18之第2主面18b以及周緣部19之第2主面19b。

水晶片11係中央部17較周緣部18、19厚之台面型構造。具體而言，於中央部17與周緣部18之間形成有連接中央部17之第1主面17a與周緣部18之第1主面18a之第1側面12a，連接中央部17之第2主面17b與周緣部18之第2主面18b之第2側面12b。同樣地，於中央部17與周緣部19之間形成階差，形成有連接中央部17之第1主面17a與周緣部19之第1主面19a之第1側面13a，連接中央部17之第2主面17b與周緣部19之第2主面19b之第2側面13b。如此，水晶片11之第1主面11a以及第2主面11b分別於中央部17與周緣部18之間以及中央部17與周緣部19之間形成階差。

水晶片11之第1側面12a、13a以及第2側面12b、13b分別於與水晶片11之第1主面11a以及第2主面11b正交之方向延伸。換言之，水晶片11之第1側面12a、13a以及第2側面12b、13b沿Y'Z'面延伸。再者，水晶片11之第1側面12a、13a以及第 2側面12b、13b亦可分別形成為錐形。例如，第1側面12a以及第2側面13b亦可於自Y'軸正方向朝X軸正方向傾斜之方向延伸，第2側面12b以及第1側面13a亦可於自Y'軸正方向朝X軸負方向傾斜之方向延伸。又，雖圖1所示之例中，表示於中央部17與周緣部18、19之間，於第1主面11a側以及第2主面11b側兩者形成有階差之態樣，但作為變化例，亦可僅於第1主面11a側以及第2主面11b側之任一邊形成階差。

水晶片11只要為於中央部與周緣部之間形成有側面之形狀，則並不限定於上述。例如，水晶片11亦可設置有於Z'軸正方向或負方向與中央部17相鄰之周緣部。又，水晶片11並非限定於台面型構造，亦可為中央部17較周緣部18、19薄之倒台面型構造。中央部17與周緣部18、19之厚度之變化亦可為連續變化之凸形狀或斜面形狀。如下所述，於中央部與周緣部之間亦可形成狹縫。再者，水晶片11之形狀並非限定於板狀，例如於俯視第1主面11a時亦可為具有一對平行之兩臂部及連結兩臂部之連結部之梳齒型等。

圖1以及圖2所示之例中，水晶振動元件10以X軸與第1方向D1平行，Z'軸與第2方向D2平行，Y'軸與第3方向D3平行之方式設定。

水晶振動元件10具備構成一對電極之第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b。第1激勵電極14a設置於中央部17之第1主面17a。又，第2激勵電極14b設置於中央部17之第2主面17b。第1激勵電極14a與第2激勵電極14b於第3方向D3隔著水晶片11彼此對向。第1激勵電極14a與第2激勵電極14b以於XZ'面大致整體重合之方式配置。第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b分別具有與X軸方向平行之長邊、與Z'軸方向平行之短邊以及與Y'軸方向平行之厚度。

俯視中央部17之第1主面17a時，第1激勵電極14a之外緣延伸至中央部17之與第1側面12a之交界為止。又，俯視中央部17中之第2主面17b時，第2激勵電極14b之外緣延伸至中央部17之與第2側面12b之交界為止。換言之，第1激勵電極14a之與中央部17對向之主面之外形與中央部17之第1主面17a之外形一致。又，第2激勵電極14b之與中央部17對向之主面之外形與中央部17之第2主面17b之外形一致。藉此，可改善中央部17之有助於激振之區域之利用效率，使水晶振動元件10小型化。又，可改善中央部17中被激振之振動之封閉效率。

水晶振動元件10具有一對第1引出電極15a以及第2引出電極15b，與一對第1連接電極16a以及第2連接電極16b。第1連接電極16a透過第1引出電極15a與第1激勵電極14a電性連接。又，第2連接電極16b透過第2引出電極15b與第2激勵電極14b電性連接。第1連接電極16a以及第2連接電極16b分別係用以將第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b電性連接於基座構件30之端子。

第1引出電極15a於俯視水晶片11之第1主面11a時覆蓋第1激勵電極14a之一部分，且於第1主面11a自中央部17通過第1側面12a延伸至周緣部18。第1引出電極15a進而通過周緣部18之第1主面18a上被引繞至到達第2主面18b為止。俯視水晶片11之第2主面11b時，第2引出電極15b覆蓋第2激勵電極14b之一部分，於第2主面11b自中央部17通過第2側面12b延伸至周緣部18。由於第1引出電極15a覆蓋第1激勵電極14a之至少一部分，故第1激勵電極14a與第1引出電極15a之接觸面積增加，電性連接穩定。又，由於在水晶片11之角部易產生電極之剝離等損傷，故藉由第1引出電極15a覆蓋第1激勵電極14a之端部，可抑制第1激勵電極14a之損傷。因此，可抑制水晶振動元件10之頻率特性之劣化。

再者，第1引出電極15a亦可於俯視水晶片11之第1主面11a時，不覆蓋第1激勵電極14a而與第1激勵電極14a鄰接。又，俯視水晶片11之第1主面11a時，第1引出電極15a亦可覆蓋第1激勵電極14a之整體。同樣地，俯視水晶片11之第2主面11b時，第2引出電極15b亦可與第2激勵電極14b鄰接，亦可覆蓋第2激勵電極14b之整體。

第1連接電極16a設置於周緣部18之第2主面18b，第2連接電極16b設置於周緣部18之第2主面18b。第1引出電極15a以及第1連接電極16a一體地形成。第2引出電極15b以及第2連接電極16b亦一體地形成。

如圖3所示，上述各種電極分別為多層構造。第1激勵電極14a具備第1密接層51以及第1導電層52。第1密接層51對水晶片11具有較第1導電層52高之密接性。第1密接層51設置於水晶片11之第1主面11a側，與中央部17之第1主面17a接觸。第1導電層52具有較第1密接層51高之導電性，具有較第1密接層51高之化學穩定性。俯視水晶片11之第1主面11a時，第1導電層52覆蓋第1密接層51。第2激勵電極14b亦同樣地具備設置於水晶片11之第2主面11b側，且與中央部17之第2主面17b接觸之第1密接層53，以及俯視水晶片11之第2主面11b時覆蓋第1密接層53之第1導電層54。但是，第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b並非限定於2層構造，亦可為單層構造，亦可為3層以上之多層構造。

第1引出電極15a具備第2密接層55以及第2導電層56。第2密接層55對水晶片11具有較第2導電層56高之密接性。第2密接層55設置於水晶片11之第1主面11a側，與中央部17之第1主面17a以及第2主面17b接觸。第2密接層55亦與第2側面 12b接觸，覆蓋第1激勵電極14a之端部，即第1導電層52之端部。第2導電層56具有較第2密接層55高之導電性，且具有較第2密接層55高之化學穩定性。俯視水晶片11之第1主面11a以及第2主面11b時，第2導電層56覆蓋第2密接層55。即，於中央部17之第1引出電極15a與第1激勵電極14a重疊之區域電極由4層構造所構成，第1導電層52覆蓋第1密接層51，第2密接層55覆蓋第1導電層52，第2導電層56覆蓋第2密接層55。

再者，由於第1連接電極16a與第1引出電極15a一體地形成，故與第1引出電極15a同樣地具備第2密接層55以及第2導電層56。圖3雖未圖示，但第2引出電極15b以及第2連接電極16b亦同樣地具備第2密接層以及第2導電層。但是，第1引出電極15a、第2引出電極15b、第1連接電極16a以及第2連接電極16b並非限定於2層構造，亦可為單層構造，亦可為3層以上之多層構造。

第1激勵電極14a之第1密接層51、第2激勵電極14b之第1密接層53以及第1引出電極15a之第2密接層55分別由包含鉻(Cr)之金屬材料所構成。第1激勵電極14a之第1導電層52、第2激勵電極14b之第1導電層54以及第1引出電極15a之第2導電層56分別由包含金(Au)之金屬材料所構成。藉由於基底設置與氧之反應性較高之鉻(Cr)層，提高水晶片與電極之密接力，藉由於表面設置與氧之反應性較低之金(Au)層，由氧化所導致之電極之劣化得到抑制。藉此，可改善水晶振動元件之可靠性。

如圖3所示，第1激勵電極14a之自第1引出電極15a露出之部分之厚度(以下將沿第3方向D3之厚度簡單表示為「厚度」)T1，較第1激勵電極14a之與第1引出電極15a重疊之部分之厚度T2小(T1<T2)。第1引出電極15a之設置於中央部17 之部分之厚度T3，較第1引出電極15a之設置於周緣部18之部分之厚度T4小(T3<T4)。第1激勵電極14a之厚度T1之部分與厚度T2之部分相比，第1密接層51之厚度相等，第1導電層52之厚度變小。第1引出電極15a之厚度T3之部分與厚度T4之部分相比，第2密接層55之厚度相等，第2導電層56之厚度變小。如此，藉由切削設置於中央部17之電極之表面而可調整電極之厚度，從而可調整水晶振動元件10之頻率特性。

雖圖3所示之構成例中，設置於中央部17之電極於與中央部17之第1主面17a之整面對向之部分厚度變小，但至少於與中央部17之第1主面17a之中央部對向之部分厚度變小即可。又，未必需要切削設置於中央部17之電極之表面，第1激勵電極14a之厚度T1與厚度T2亦可相等，第1引出電極15a之厚度T3與厚度T4亦可相等。

蓋構件20之形狀呈凹狀，為朝向基座構件30之第1主面32a開口之箱狀。蓋構件20接合於基座構件30而設置被蓋構件20以及基座構件30包圍之內部空間26。該內部空間26收容水晶振動元件10。蓋構件20之形狀只要可收容水晶振動元件10則不特別限定，一例中，俯視頂面部21之主面時呈矩形狀。蓋構件20例如藉由與第1方向D1平行之長邊、與第2方向D2平行之短邊以及與第3方向D3平行之高度來定義。蓋構件20之材質並不特別限定，例如由金屬等導電材料所構成。蓋構件20藉由以導電性材料構成，而具有將向內部空間26輻射之電磁波之至少一部分屏蔽之電磁屏蔽功能。

如圖2所示，蓋構件20具有內表面24以及外表面25。內表面24係內部空間26側之面，外表面25係與內表面24為相反側之面。蓋構件20具有與基座構件30之 第1主面32a對向之頂面部21，以及與頂面部21之外緣相連接且向與頂面部21之主面交叉之方向延伸之側壁部22。又，蓋構件20於凹狀之開口端部(側壁部22之接近於基座構件30之側之端部)具有與基座構件30之第1主面32a對向之對向面23。該對向面23以包圍水晶振動元件10之周圍之方式呈框狀延伸。

基座構件30保持水晶振動元件10且使之能激振。基座構件30呈平板狀。基座構件30具有與第1方向D1方向平行之長邊、與第2方向D2平行之短邊以及與第3方向D3平行之厚度方向之邊。

基座構件30具有基體31。基體31具有彼此對向之第1主面32a(正面)以及第2主面32b(背面)。基體31例如為絕緣性陶瓷(氧化鋁)等燒結材。

基座構件30具有設置於第1主面32a之電極墊33a、33b以及設置於第2主面32b之外部電極35a、35b、35c、35d。電極墊33a、33b係用以將基座構件30與水晶振動元件10電性連接之端子。又，外部電極35a、35b、35c、35d係用以將未圖示之電路基板與水晶振子1電性連接之端子。電極墊33a透過向第3方向D3延伸之通孔電極34a電性連接於外部電極35a，電極墊33b透過向第3方向D3延伸之通孔電極34b電性連接於外部電極35b。通孔電極34a、34b形成於將基體31於第3方向D3貫通之導孔內。外部電極35c、35d亦可為不輸入輸出電訊號等之虛設電極，亦可為對蓋構件20供給接地電位，使蓋構件20之電磁屏蔽功能提高之接地電極。外部電極35c、35d亦可省略。

導電性保持構件36a、36b分別將水晶振動元件10之一對連接電極16a以及16b電性連接於基座構件30之一對電極墊33a、33b。又，導電性保持構件36a、36b 於基座構件30之第1主面32a保持水晶振動元件10且使之能激振。導電性保持構件36a、36b例如由包含以環氧系樹脂或矽酮系樹脂為主劑之熱硬化樹脂或紫外線硬化樹脂等之導電性接著劑所構成，包含用以對接著劑賦予導電性之導電性粒子等添加劑。進而，出於使強度增加之目的，或保持基座構件與水晶振動元件之間隔之目的，填料亦可被添加至接著劑。

於基座構件30之第1主面32a設置有密封構件37。圖1所示之例中，於俯視第1主面32a時，密封構件37呈矩形之框狀。俯視第1主面32a時，電極墊33a、33b配置於密封構件37之內側，密封構件37以包圍水晶振動元件10之方式設置。密封構件37由導電材料所構成。例如，藉由用與電極墊33a、33b相同之材料構成密封構件37，可於設置電極墊33a、33b之步驟中同時設置密封構件37。

接合構件40設置於蓋構件20以及基座構件30之各自全周。具體而言，接合構件40設置於密封構件37上，形成矩形之框狀。密封構件37以及接合構件40隔於蓋構件20之側壁部22之對向面23與基座構件30之第1主面32a之間。

蓋構件20以及基座構件30之兩者藉由隔著密封構件37以及接合構件40接合，水晶振動元件10被密封於由蓋構件20及基座構件30所包圍之內部空間(腔室)26。該情形，內部空間26較佳為氣壓相較於大氣壓為低壓之真空狀態。藉此，可降低由第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b之氧化所導致之水晶振子1之頻率特性之經時性變動等。

水晶振子1透過基座構件30之外部電極35a、35b對構成水晶振動元件10之第1激勵電極14a以及第2激勵電極14b之間施加交替電場。藉此，水晶片11藉由厚度 切變振動模式(Thickness Shear Vibration Mode)等特定之振動模式振動，獲得伴隨該振動之諧振特性。

其次，一邊參照圖4~圖10，一邊對第1實施形態之水晶振動元件110之製造方法進行說明。圖4係概略性地表示第1實施形態之水晶振動元件之製造方法之一部分之流程圖。圖5係繼圖4所示之流程圖後概略性地表示第1實施形態之水晶振動元件之製造方法之流程圖。圖6係概略性地表示蝕刻水晶片之步驟之剖視圖。圖7係概略性地表示設置第2密接層以及第2導電層之步驟之剖視圖。圖8係概略性地表示將光阻劑圖案化之步驟之剖視圖。圖9係概略性地表示蝕刻第2密接層以及第2導電層之步驟之剖視圖。圖10係概略性地表示切削中央部之電極表面之步驟之剖視圖。

首先，準備水晶片(S11)。水晶片111係以XZ'面成為主面之方式自人工水晶之單晶切出之平板狀之構件。水晶片111之表面例如亦可藉由化學機械研磨等研磨處理而實現平坦化。厚度切變振動模式之水晶振動元件中，水晶片之厚度之大小對作為壓電振動元件之頻率特性帶來較大影響。因此，為了能夠實現目標之頻率特性，亦可藉由本步驟之研磨處理調整水晶片之厚度。

其次，設置第1密接層(S12)。第1密接層151、153係以覆蓋水晶片111之第1主面111a以及第2主面111b之各者之整面之方式形成。圖案化之前之第1密接層151、153相當於包含水晶片111之一體之一系列之金屬膜。第1密接層151、153例如藉由濺鍍使包含鉻(Cr)之金屬材料沈積於水晶片111之表面而形成。第1密接層151、153以厚度成為1nm以上20nm以下之方式形成。藉由第1密接層151、153之厚度為1nm以上，可抑制第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b之對 水晶片111之密接力之降低。藉此，可降低第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b之剝離等損傷之發生。又，藉由第1密接層151、153之厚度為20nm以下，可抑制水晶振動元件110之振動特性之劣化。

其次，設置第1導電層(S13)。第1導電層152、154分別於水晶片111之第1主面111a側以及第2主面111b側以覆蓋第1密接層151、153之方式形成。圖案化之前之第1導電層152、154相當於包括含有水晶片111之第1密接層151、153之一體之一系列之金屬膜。第1導電層152、154例如藉由濺鍍使包含金(Au)之金屬材料沈積於第1密接層151、153之表面而形成。第1導電層152、154以厚度成為1nm以上500nm以下之方式形成。藉由第1導電層152、154之厚度為1nm以上，向第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b提供充分之導電性。又，可抑制相當於基座之第1密接層151、153之氧化。因此，可抑制水晶振動元件110之振動特性之劣化。又，藉由第1導電層152、154之厚度為500nm以下，可降低包含金(Au)之金屬材料之使用量。因此，降低水晶振動元件110之製造成本，可縮短第1導電層152、154之成膜所需要之時間。

第1密接層151、153以及第1導電層152、154之成膜方法不限定於濺鍍，亦可藉由PVD(Physical Vapor Deposition)或CVD(Chemical Vapor Depositon)等乾式鍍覆、或電氣鍍覆或無電解鍍覆等濕式鍍覆而形成。

其次，設置光阻劑(S14)。光阻劑以覆蓋第1導電層152、154之整面之方式形成。首先，藉由旋轉塗佈法、射出法、凹版塗佈等印刷法等將光阻劑溶液塗佈於第1導電層152、154之整面。其次，藉由使光阻劑溶液乾燥而去除溶劑，且使其固化，形成由感光性樹脂所構成之光阻劑。

其次，將光阻劑圖案化(S15)。就對微細加工之適應性之觀點而言，光阻劑較佳為藉由溶解去除曝光過之部分之正型感光性樹脂。使用正型感光性樹脂之情形時，於用光罩將相當於中央部117之區域遮光之狀態下將光阻劑曝光。其後，藉由顯影液沖洗曝光之部分。其結果，光罩之遮光區域之形狀被轉印至光阻劑。其結果，中央部117之外形被圖案化至殘留於第1導電層152、154上之光阻劑。再者，光阻劑亦可為藉由溶解去除遮光之部分之負型感光性樹脂。

其次，蝕刻第1導電層(S16)。第1導電層152、154之去除加工藉由使用以碘化鉀水溶液為主成分之第1蝕刻液之濕式蝕刻而實施。由於碘化鉀水溶液對金(Au)之蝕刻速率高，對鉻(Cr)之蝕刻速率低，故可一邊蝕刻露出之第1導電層152、154，一邊使相當於基地之第1密接層151、153殘留。

其次，蝕刻第1密接層(S17)。第1密接層151、153之去除加工藉由使用以硝酸鈰銨水溶液為主成分之第2蝕刻液之濕式蝕刻而實施。由於硝酸鈰銨水溶液對金(Au)之蝕刻速率低，對鉻(Cr)之蝕刻速率高，故可一邊抑制被已圖案化之光阻劑覆蓋而殘留之第1導電層152、154之侵蝕，一邊蝕刻露出之第1密接層151、153。

如此，第1蝕刻液以及第2蝕刻液分別適當地選擇對第1密接層與第1導電層之蝕刻速率不同之蝕刻液。被蝕刻之第1導電層152以及第1密接層151形成第1激勵電極114a之外形，被蝕刻之第1導電層154以及第1密接層153形成第2激勵電極114b之外形。再者，第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b之外形形成不限定於利用濕式蝕刻者，亦可藉由乾式蝕刻等其他去除加工而形成。

其次，蝕刻水晶片(S18)。此處使用第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b作為保護水晶片111之中央部117之金屬遮罩，去除加工周緣部118以及周緣部119。水晶片111之去除加工藉由利用氫氟酸之濕式蝕刻而實施。藉此，如圖6所示，於中央部117與周緣部118之間產生階差，形成將中央部117之第1主面117a與周緣部118之第1主面118a連接之第1側面112a，形成將中央部117之第2主面117b與周緣部118之第2主面118b連接之第2側面112b。同樣地，形成將中央部117之第1主面117a與周緣部119之第1主面119a連接之第1側面113a，形成將中央部117之第2主面117b與周緣部119之第2主面119b連接之第2側面113b。即，水晶片111成為藉由自平板狀之構件去除一部分而於第1主面111a與第2主面111b之兩側具有台面型構造之凹凸狀構件。此時，於中央部117之第1主面117a殘留作為金屬遮罩使用之第1激勵電極114a，於中央部117之第2主面117b殘留作為金屬遮罩使用第2激勵電極114b。再者，水晶片111之台面型構造之形成不限定於濕式蝕刻，亦可藉由乾式蝕刻等其他去除加工而形成。但是，就降低對第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b之損壞之觀點而言，水晶片111之去除加工較佳為利用濕式蝕刻者。

若想於在水晶片形成台面型構造之後，於水晶片之中央部設置激勵電極，則由於光阻劑溶液之表面張力等而光阻劑之膜厚變得不均勻。例如，光阻劑於階差之角部變薄，於平坦之區域變厚。因此，光阻劑之圖案化精度降低，於階差之角部附近之光阻劑之圖案形狀不穩定。如此一來，難以至中央部之主面之邊緣為止形成均勻膜厚之激勵電極，俯視中央部之主面時激勵電極之外緣位於中央部之主面之內側。如上所述，若使用第1激勵電極114a作為用以於水晶片111形成台面型構造之金屬遮罩，則可形成第1激勵電極114a直至中央部117之第1主 面117a之邊緣，即中央部117之與第1側面112a之交界為止。由於中央部117之第1主面117a與第1激勵電極114a之形狀一致，故可抑制第1激勵電極114a之形狀之變動，可抑制水晶振動元件110之頻率特性之變動。同樣地，亦可形成第2激勵電極114b直至中央部117之與第2側面112b之交界為止。

其次，設置第2密接層(S21)。如圖7所示，構成第1引出電極115a之一部分以及未圖示之第2引出電極之一部分之第2密接層155，以覆蓋水晶片111之周緣部118之表面、第1激勵電極114a之表面以及第2激勵電極114b之表面之方式形成。圖案化之前之第2密接層155相當於包含水晶片111、第1激勵電極114a以及第2激勵電極114b之一體之一系列之金屬膜。第2密接層155為了成為與第1密接層151、153相同之構成，可藉由與第1密接層151、153相同之方法形成。即，第2密接層155係藉由濺鍍使包含鉻(Cr)之金屬材料沈積而成之金屬膜，其厚度為1nm以上20nm以下。

其次，設置第2導電層(S22)。如圖7所示，構成第1引出電極115a之一部分以及未圖示之第2引出電極之一部分之第2導電層156，以覆蓋第2密接層155之方式形成。圖案化之前之第2導電層156相當於包括含有水晶片111之第2密接層155之一體之一系列之金屬膜。第2導電層156可藉由與第1導電層152、154相同之方法以成為相同之構成之方式而形成。即，第2導電層156係藉由濺鍍使包含金(Au)之金屬材料沈積而成之金屬膜，其厚度為1nm以上500nm以下。

其次，設置光阻劑(S23)。光阻劑161以覆蓋第2導電層156之整面之方式形成。步驟S23中設置之光阻劑161可藉由與步驟S14中設置之光阻劑相同之方法以成為相同之構成之方式形成。

其次，將光阻劑圖案化(S24)。步驟S24之圖案化係藉由與步驟S15相同之方法實施。如圖8所示，於光阻劑161，藉由光微影法而圖案化有第1引出電極115a以及未圖示之第2引出電極之外形。

其次，蝕刻第2導電層(S25)。此時，藉由使用與步驟16中使用之第1蝕刻液相同之蝕刻液，可一邊蝕刻露出之第2導電層156，一邊使相當於基底之第2密接層155殘留。

其次，蝕刻第2密接層(S26)。此時，藉由使用與步驟17中使用之第2蝕刻液相同之蝕刻液，可一邊抑制被已圖案化之光阻劑覆蓋而殘留之第2導電層156之侵蝕，一邊蝕刻露出之第2密接層155。如圖9所示，藉由蝕刻第2密接層155，第1激勵電極114a之第1導電層152以及第2激勵電極114b之第1導電層154露出。由於第2蝕刻液對金(Au)之蝕刻速率較低，故可抑制對露出之第1激勵電極114a之第1導電層152以及第2激勵電極114b之第1導電層154之由蝕刻液所導致之侵蝕。

如以上般，藉由將激勵電極以及引出電極設置為2層構造，使用對各層之蝕刻速率不同之蝕刻液進行濕式蝕刻，可一邊抑制激勵電極之損傷，一邊將引出電極圖案化。再者，引出電極之形成不限定於利用光微影法之濕式蝕刻。引出電極亦可藉由將已圖案化有引出電極之形狀之濺鍍遮罩配置於水晶片111之周圍，藉由透過濺鍍遮罩濺鍍第2密接層155以及第2導電層156之方法而實施圖案化。

其次，切削中央部之電極表面(S26)。如圖10所示，藉由離子研磨對與中央部117之第1主面117a對向之第1激勵電極114a之表面以及第1引出電極115a之表面進行切削。藉此降低形成於中央部117之電極之厚度，調整水晶振動元件110之頻率特性。經過以上之步驟，製造出具備所需之頻率特性之水晶振動元件110。再者，步驟S26中切削表面可為中央部117之第1主面117a側以及第2主面117b側中之至少一方之電極，亦可為兩者之電極。

以下，對其他實施形態進行說明。以下之各個實施形態中，對與上述第1實施形態共通之事情省略記述，僅對不同之處進行說明。將附加有與第1實施形態相同之符號之構成作為具有與第1實施形態之構成相同之構成以及功能者，省略詳細之說明。不提及關於相同構成之相同作用效果。

<第2實施形態>

一邊參照圖11，一邊對第2實施形態之水晶振動元件210之構成進行說明。圖11係概略性地表示第2實施形態之水晶振子之構成之剖視圖。

水晶振動元件210具備水晶片211、第1激勵電極214a、第2激勵電極214b、第1引出電極215a以及第1連接電極216a。水晶片211具備中央部217以及周緣部218、219。水晶片211於中央部217與周緣部218之間形成將各個第1主面217a及第1主面218a連接之第1側面212a，形成將各個第2主面217b及第2主面218b連接之第2側面212b。水晶片211於中央部217與周緣部219之間形成將各個第1主面217a及第1主面219a連接之第1側面213a，形成將各個第2主面217b及第2主面219b連接之第2側面213b。第1激勵電極214a具備第1密接層251以及第1導電層252。第2激勵電極214b具備第1密接層253以及第1導電層254。第1引出電極215a具備第2密接 層255以及第2導電層256。

與第1實施形態之水晶振動元件10之不同點為水晶片211為倒台面型構造之點。即，周緣部218、219較中央部217厚。水晶片211係中央部217之第1主面217a以及第2主面217b之兩側凹陷之兩面倒台面型構造。再者，水晶片211亦可為中央部217之第1主面217a以及第2主面217b之單側凹陷之單面倒台面型構造。

於此種水晶振動元件210中，亦可獲得與上述相同之效果。

<第3實施形態>

一邊參照圖12以及圖13，一邊對第3實施形態之水晶振子900之構成進行說明。圖12係概略性地表示第3實施形態之水晶振子之構成之分解立體圖。圖13係概略性地表示第3實施形態之水晶振子之構成之剖視圖。

水晶振子900係將水晶振動元件910隔於第1蓋構件920a與第2蓋構件920b之間之所謂夾層構造。水晶振動元件910具備水晶片911、第1激勵電極914a、第2激勵電極914b、第1引出電極915a以及第2引出電極915b。第1蓋構件920a隔著第1密封構件937a接合於水晶片911之第1主面911a，第2蓋構件920b隔著第2密封構件937b接合於水晶片911之第2主面911b。

俯視水晶片911之第1主面911a時，水晶片911具備中央部917、空出間隔包圍中央部917之周緣部919。即，中央部917與周緣部919之間形成有狹縫。周緣部919之厚度較中央部917之厚度大。中央部917由一對支持部918支持於周緣部919。支持部918之厚度較中央部917之厚度小。再者，支持部918相當於周緣部之一部 分。於支持部918及中央部917之間形成有將中央部917之第1主面917a與支持部918之第1主面918a連接之第1側面912a，形成有將中央部917之第2主面917b與支持部918之第2主面918b連接之第2側面912b。又，於中央部917之狹縫側之端部形成有將中央部917之第1主面917a與第2主面917b連接之第3側面913。第1蓋構件920a接合於周緣部919之第1主面919a，第2蓋構件920b接合於周緣部919之第2主面919b。

俯視中央部917之第1主面917a時，第1激勵電極914a之外緣延伸至中央部917之與第1側面912a之交界為止以及與第3側面913之交界為止。俯視中央部917之第2主面917b時，第2激勵電極914b之外緣延伸至中央部917之與第2側面912b之交界為止以及與第3側面913之交界為止。第1引出電極915a覆蓋第1激勵電極914a之一部分，通過第1側面912a以及一對支持部918中之一方，引繞至周緣部919之第1主面919a。第2引出電極915b覆蓋第2激勵電極914b之一部分，通過第2側面912b以及一對支持部918中之另一方，引繞至周緣部919之第2主面919b。

於此種水晶振動元件910中，亦可獲得與上述相同之效果。

<第4實施形態>

一邊參照圖14，一邊對第4實施形態之水晶振動元件410之構成進行說明。圖14係概略性地表示第4實施形態之水晶振動元件之構成之立體圖。

本實施形態與第1實施形態之不同點為具備於Z'軸之正方向側與中央部417相鄰之周緣部PR1、以及於Z'軸之負方向側與中央部417相鄰之周緣部PR2之點。周緣部PR1連接周緣部418、419之各者之一端，周緣部PR2連接周緣部418、419 之各者之另一端。俯視水晶片411之第1主面411a時，周緣部418、419、PR1、PR2設置成矩形之框狀，中央部417設置成被周緣部418、419、PR1、PR2包圍之島狀。於中央部417之第1主面417a之整面設置有第1激勵電極414a，周緣部418設置有第1引出電極415a以及第1連接電極416a。再者，於未圖示之第2主面側，中央部417亦為被周緣部418、419、PR1、PR2包圍之島狀，於中央部417之第2主面之整面亦設置有第2激勵電極。於此種水晶振動元件410中，亦可獲得與上述相同之效果。

如此，若於中央部之第1以及第2主面之各者之整面形成有第1以及第2激勵電極，則中央部以及周緣部之形狀並非特別限定者。例如俯視水晶片之第1主面時，中央部之形狀可為圓或橢圓形狀，亦可為四邊形以外之多邊形狀。

除了形成於周緣部與中央部之間之階差之外，亦可於水晶片之第1主面側以及第2主面側進一步形成階差。例如，於中央部形成薄壁區域與厚壁區域，中央部之薄壁區域與周緣部鄰接，中央部之厚壁區域鄰接於薄壁區域之與周緣部為相反側。中央部之薄壁區域亦可形成為遍及水晶片之於Z'軸方向對向之一端至另一端之全寬之帶狀。此時，中央部之厚壁區域亦可與中央部之薄壁區域同樣地形成為遍及水晶片之全寬之帶狀，亦可形成為被中央部之薄壁區域包圍之島狀。中央部之厚壁區域形成為帶狀之情形時，中央部之厚壁區域可於X軸方向隔於中央部之薄壁區域之間，亦可僅於X軸方向之正方向以及負方向之任一方與中央部之薄壁區域鄰接。再者，中央部之薄壁區域以及厚壁區域之位置關係亦可相反。即，亦可中央部之厚壁區域與周緣部鄰接，中央部之薄壁區域鄰接於厚壁區域之與周緣部為相反側。

作為於水晶片之第1主面側以及第2主面側進一步形成階差之構成，例如於周緣部形成薄壁區域與厚壁區域，周緣部之厚壁區域與中央部鄰接，周緣部之薄壁區域鄰接於厚壁區域之與中央部為相反側。周緣部之厚壁區域亦可形成為遍及水晶片之全寬之帶狀。此時，中央部亦可為與周緣部之厚壁區域同樣地形成為遍及水晶片之全寬之帶狀，亦可形成為被周緣部之厚壁區域包圍之島狀。又，周緣部之厚壁區域亦可形成為被薄壁區域包圍之島狀。此時，中央部亦可形成為遍及厚壁區域之全寬之帶狀，亦可形成為被厚壁區域包圍之島狀。再者，周緣部之厚壁區域以及薄壁區域之位置關係亦可相反。即，亦可為周緣部之薄壁區域與中央部鄰接，周緣部之厚壁區域鄰接於薄壁區域之與中央部為相反側。

如以上般，根據本發明之一態樣，提供一種水晶振動元件110之製造方法，其包含：準備水晶片111之步驟，該水晶片具有第1主面111a以及與第1主面111a對向之第2主面111b，具有俯視第1主面111a時位於中央側之中央部117以及位於中央部117之外側之周緣部118；水晶片111之第1主面111a中，於中央部117設置第1激勵電極114a之步驟；一邊使用第1激勵電極114a作為保護中央部117之金屬遮罩，一邊去除周緣部118之一部分，於水晶片111之第1主面111a側於中央部117與周緣部118之間形成第1側面112a之步驟；以與作為金屬遮罩使用之第1激勵電極114a接觸之方式，於水晶片111之第1主面111a側設置延伸至周緣部118之第1引出電極115a之步驟。

根據上述態樣，可形成第1激勵電極直至中央部之第1主面之邊緣為止，即中央部之與第1側面之交界為止。藉由中央部之第1主面與第1激勵電極之形狀一致，可抑制第1激勵電極之形狀之變動，可抑制水晶振動元件之頻率特性之變動。可改善中央部之有助於激振之區域之利用效率，使水晶振動元件小型化。 又，可改善中央部中被激振之振動之封閉效率。

第1引出電極115a亦可通過第1側面112a。

第1引出電極115a亦可於俯視水晶片111之第1主面111a時，於中央部117覆蓋第1激勵電極114a之至少一部分。藉此，第1激勵電極與第1引出電極之接觸面積增加，第1激勵電極與第1引出電極之電性連接穩定。又，可抑制第1激勵電極之損傷，可抑制水晶振動元件之頻率特性之劣化。

設置第1激勵電極114a之步驟亦可包含：於水晶片111之第1主面111a側設置第1密接層151之步驟；以及設置第1導電層152之步驟，該第1導電層152具有較第1密接層151高之導電性，俯視水晶片111之第1主面111a時覆蓋第1密接層151。藉此，藉由於基底設置與氧之反應性高之第1密接層可提高水晶片與第1激勵電極之密接力，藉由於表面設置與氧之反應性低之第1導電層可抑制由氧化所導致之第1激勵電極之劣化。即，可改善水晶振動元件之可靠性。

設置第1引出電極115a之步驟亦可包含：於水晶片111之第1主面111a側設置第2密接層155之步驟；以及設置第2導電層156之步驟，該第2導電層156具有較第2密接層155高之導電性，俯視水晶片111之第1主面111a時覆蓋第2密接層155。藉此，藉由於基底設置與氧之反應性高之第2密接層可提高水晶片與第1引出電極之密接力，藉由於表面設置與氧之反應性低之第2導電層可抑制由氧化所導致之第1引出電極之劣化。即，可改善水晶振動元件之可靠性。

第1密接層151以及第2密接層155分別由包含鉻之金屬材料所構成，第1導電 層以及第2導電層亦可分別由包含金之金屬材料所構成。藉此，鉻(Cr)與水晶之密接性較金(Au)高，金(Au)較鉻(Cr)導電性高且化學穩定性高。因此，可獲得上述效果。

設置第1引出電極115a之步驟亦可包含：設置金屬膜155、156之步驟；設置覆蓋金屬膜155、156之光阻劑161之步驟；將光阻劑161圖案化為第1引出電極115a之形狀之步驟；蝕刻金屬膜155、156之步驟。藉此，與藉由光微影法以相同步驟形成第1激勵電極與第1引出電極之情形相比，由於圖案化之要求精度較低，故可抑制製造成本。

設置第1引出電極之步驟亦可包含：於水晶片之第1主面側設置第1金屬膜以及以覆蓋第1金屬膜之方式設置第2金屬膜之步驟；設置覆蓋第2金屬膜之光阻劑之步驟；將光阻劑圖案化為第1引出電極之形狀之步驟；為使第1金屬膜露出而使用第1蝕刻液蝕刻第2金屬膜之步驟；使用與第1蝕刻液之蝕刻速率不同之第2蝕刻液，蝕刻第1金屬膜之步驟。藉此，藉由濕式蝕刻形成第1引出電極之外形之時，由於可降低對第1激勵電極之損壞，故可抑制水晶振動元件之頻率特性之製造誤差。

設置第1引出電極115a之步驟亦可包含：將已圖案化有第1引出電極115a之形狀之濺鍍遮罩配置於水晶片111之第1主面111a側之步驟；藉由濺鍍遮罩濺鍍金屬膜155、156之步驟。藉此，與藉由光微影法形成第1引出電極之外形之情形相比，可減少步驟數。

亦可進一步包含降低設置於中央部117之電極114a、115a之厚度，調整頻率 之步驟。藉此，可抑制水晶振動元件之頻率特性之製造誤差。

亦可進一步包含：水晶片111之第2主面111b中，於中央部117設置與第1激勵電極114a對向之第2激勵電極114b之步驟；一邊使用第2激勵電極114b作為保護中央部117之金屬遮罩，一邊去除周緣部118、119之一部分，於水晶片111之第2主面111b側於中央部117與周緣部118之間形成第2側面112b、113b之步驟；以與作為金屬遮罩使用之第2激勵電極114b接觸之方式，於水晶片111之第2主面111b側設置延伸至周緣部118之第2引出電極115b之步驟。藉此，可獲得與上述相同之效果。

根據本發明之另一態樣，提供一種水晶振動元件10，該水晶振動元件10具有第1主面11a及與第1主面11a對向之第2主面11b，並且具有俯視第1主面11a時位於中央側之中央部17及位於中央部17之外側之周緣部18、19；且具備：水晶片11，該水晶片之第1主面11a以及第2主面11b中，至少於第1主面11a側於中央部17與周緣部18、19之間形成有第1側面12a、13a；於水晶片11之第1主面11a中設置於中央部17之第1激勵電極14a；於水晶片11之第2主面11b中設置於中央部17且與第1激勵電極14a對向之第2激勵電極14b；電性連接於第1激勵電極14a之第1引出電極15a；電性連接於第2激勵電極14b之第2引出電極15b；且俯視水晶片11之第1主面11a時，第1引出電極15a至少覆蓋第1激勵電極14a之至少一部分，自中央部17延伸至周緣部18。

根據上述態樣，藉由形成第1激勵電極直至中央部之第1主面之邊緣為止，即中央部之與第1側面之交界為止，可改善中央部之有助於激振之區域之利用效率，使水晶振動元件小型化。又，可改善中央部中被激振之振動之封閉效率。 由於第1引出電極覆蓋第1激勵電極之一部分，故第1激勵電極與第1引出電極之接觸面積增加，第1激勵電極與第1引出電極之電性連接穩定。又，可抑制第1激勵電極之損傷，可抑制水晶振動元件之頻率特性之劣化。

俯視水晶片11之第1主面11a時，第1激勵電極14a之外緣亦可延伸至中央部17之與第1側面12a之交界為止。藉此，藉由中央部之第1主面與第1激勵電極之形狀一致，可抑制第1激勵電極之形狀之變動，可抑制水晶振動元件之頻率特性之變動。

第1激勵電極14a亦可具備：設置於水晶片11之第1主面11a側之第1密接層51；以及具有較第1密接層51高之導電性，俯視水晶片11之第1主面11a時覆蓋第1密接層51之第1導電層52。藉此，藉由於基底設置與氧之反應性高之第1密接層，可提高水晶片與第1激勵電極之密接力，藉由於表面設置與氧之反應性低之第1導電層，可抑制由氧化所導致之第1激勵電極之劣化。即，可改善水晶振動元件之可靠性。

第1引出電極15a亦可具備：設置於水晶片11之第1主面11a側之第2密接層55；以及具有較第2密接層55高之導電性，俯視水晶片11之第1主面11a時覆蓋第2密接層55之第2導電層56。藉此，藉由於基底設置與氧之反應性高之第2密接層，可提高水晶片與第1引出電極之密接力，藉由於表面設置與氧之反應性低之第2導電層，可抑制由氧化所導致之第1引出電極之劣化。即，可改善水晶振動元件之可靠性。

第1密接層51以及第2密接層55亦可分別由包含鉻之金屬材料所構成，第1導 電層52以及第2導電層56亦可分別由包含金之金屬材料所構成。藉此，鉻(Cr)與水晶之密接性較金(Au)高，金(Au)較鉻(Cr)導電性高且化學穩定性高。因此，可獲得上述之效果。

第1引出電極15a之設置於中央部17之部分之厚度T3亦可較第1引出電極15a之設置於周緣部18之部分之厚度T4小。藉此，藉由切削設置於中央部之電極之表面，可調整水晶振動元件之頻率特性。因此，可抑制水晶振動元件之頻率特性之製造誤差。

中央部17之厚度亦可較周緣部18、19之厚度大，第1側面12a、13a亦可將中央部17與周緣部18、19連接。藉此，由所謂順向台面型構造所形成之階差中，可獲得上述之效果。

中央部217之厚度亦可較周緣部218、219之厚度小，第1側面212a、213a亦可將中央部217與周緣部218、219連接。藉此，由所謂倒台面型構造所形成之階差中，可獲得上述之效果。

水晶片11於第2主面11b側於中央部17與周緣部18、19之間形成有第2側面12b、13b，俯視水晶片11之第2主面11b時，第2引出電極15b亦可覆蓋第2激勵電極14b之至少一部分，於水晶片11之第2主面11b側自中央部17延伸至周緣部18。藉此，可獲得與上述相同之效果。

水晶片911亦可於中央部917與周緣部919之間形成狹縫。此種構成中，亦可獲得上述之效果。

如以上所說明，根據本發明之一態樣，能夠提供一種可降低振動特性之製造誤差之水晶振動元件及其製造方法。

再者，以上說明之實施形態係用以將本發明之理解變容易者，並非用以限制本發明而解釋者。本發明可不脫離其宗旨而進行變更/改良，並且本發明亦包含其等價物。即，發明所屬技術領域中具有通常知識者對各實施形態施加適當設計變更者亦只要具備本發明之特徵，就包含於本發明之範圍。例如，各實施形態所具備之各元件及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等並非限定於例示者，可進行適當變更。又，各實施形態所具備之各元件只要於技術有可能就可進行組合，組合該等而成者亦只要包含本發明之特徵，就包含於本發明之範圍內。

Claims (20)

1. 一種水晶振動元件之製造方法，其包含：準備水晶片之步驟，該水晶片具有第1主面及與上述第1主面對向之第2主面，且具有俯視上述第1主面時位於中央側之中央部及位於上述中央部之外側之周緣部；上述水晶片之上述第1主面中，於上述中央部設置第1激勵電極之步驟；一邊使用上述第1激勵電極作為保護上述中央部之金屬遮罩，一邊去除上述周緣部之一部分，於上述水晶片之上述第1主面側，於上述中央部與上述周緣部之間形成第1側面之步驟；以及以與作為上述金屬遮罩使用之上述第1激勵電極接觸之方式，於上述水晶片之上述第1主面側設置延伸至上述周緣部之第1引出電極之步驟，上述第1引出電極於俯視上述水晶片之上述第1主面時，於上述中央部覆蓋上述第1激勵電極之至少一部分。
2. 如請求項1所述之水晶振動元件之製造方法，其中上述第1引出電極通過上述第1側面。
3. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其中設置上述第1激勵電極之步驟包含：於上述水晶片之上述第1主面側設置第1密接層之步驟；以及設置第1導電層之步驟，該第1導電層具有較上述第1密接層高之導電性，且於俯視上述水晶片之上述第1主面時覆蓋上述第1密接層。
4. 如請求項3所述之水晶振動元件之製造方法，其中設置上述第1引出電極之步驟包含：於上述水晶片之上述第1主面側設置第2密接層之步驟；以及設置第2導電層之步驟，該第2導電層具有較上述第2密接層高之導電性，且於俯視上述水晶片之上述第1主面時覆蓋上述第2密接層。
5. 如請求項4所述之水晶振動元件之製造方法，其中上述第1密接層以及上述第2密接層分別由包含鉻之金屬材料所構成，上述第1導電層以及上述第2導電層分別由包含金之金屬材料所構成。
6. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其中設置上述第1引出電極之步驟包含：設置金屬膜之步驟；設置覆蓋上述金屬膜之光阻劑之步驟；將上述光阻劑圖案化為上述第1引出電極之形狀之步驟；以及蝕刻上述金屬膜之步驟。
7. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其中設置上述第1引出電極之步驟包含：於上述水晶片之上述第1主面側設置第1金屬膜、以及以覆蓋上述第1金屬膜之方式設置第2金屬膜之步驟；設置覆蓋上述第2金屬膜之光阻劑之步驟；將上述光阻劑圖案化為上述第1引出電極之形狀之步驟；為使上述第1金屬膜露出，而使用第1蝕刻液蝕刻上述第2金屬膜之步驟；以及使用與上述第1蝕刻液蝕刻速率不同之第2蝕刻液，蝕刻上述第1金屬膜之步驟。
8. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其中設置上述第1引出電極之步驟包含：將已圖案化有上述第1引出電極之形狀之濺鍍遮罩配置於上述水晶片之上述第1主面側之步驟；以及藉由上述濺鍍遮罩濺鍍金屬膜之步驟。
9. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其進而包含降低設置於上述中央部之電極之厚度而調整頻率之步驟。
10. 如請求項1或2所述之水晶振動元件之製造方法，其進而包含：上述水晶片之上述第2主面中，於上述中央部設置與上述第1激勵電極對向之第2激勵電極之步驟；一邊使用上述第2激勵電極作為保護上述中央部之金屬遮罩，一邊去除上述周緣部之一部分，於上述水晶片之上述第2主面側，於上述中央部與上述周緣部之間形成第2側面之步驟；以及以與作為上述金屬遮罩使用之上述第2激勵電極接觸之方式，於上述水晶片之上述第2主面側設置延伸至上述周緣部之第2引出電極之步驟。
11. 一種水晶振動元件，其具備：水晶片，其具有第1主面及與上述第1主面對向之第2主面，並且具有於俯視上述第1主面時位於中央側之中央部及位於上述中央部之外側之周緣部，於上述水晶片之上述第1主面側，於上述中央部與上述周緣部之間形成有第1側面；第1激勵電極，其於上述水晶片之上述第1主面中設置於上述中央部；第2激勵電極，其於上述水晶片之上述第2主面中，設置於上述中央部，且與上述第1激勵電極對向；第1引出電極，其電性連接於上述第1激勵電極；以及第2引出電極，其電性連接於上述第2激勵電極；且於俯視上述水晶片之上述第1主面時，上述第1引出電極至少覆蓋上述第1激勵電極之至少一部分，且自上述中央部延伸至上述周緣部。
12. 如請求項11所述之水晶振動元件，其中於俯視上述水晶片之上述第1主面時，上述第1激勵電極之外緣延伸至上述中央部中之與上述第1側面之交界為止。
13. 如請求項11所述之水晶振動元件，其中上述第1激勵電極具備：第1密接層，其設置於上述水晶片之上述第1主面側；以及第1導電層，其具有較上述第1密接層高之導電性，且於俯視上述水晶片之上述第1主面時覆蓋上述第1密接層。
14. 如請求項13所述之水晶振動元件，其中上述第1引出電極具備：第2密接層，其設置於上述水晶片之上述第1主面側；以及第2導電層，其具有較上述第2密接層高之導電性，且於俯視上述水晶片之上述第1主面時覆蓋上述第2密接層。
15. 如請求項14所述之水晶振動元件，其中上述第1密接層以及上述第2密接層分別由包含鉻之金屬材料所構成，上述第1導電層以及上述第2導電層分別由包含金之金屬材料所構成。
16. 如請求項11至15中任一項所述之水晶振動元件，其中上述第1引出電極之設置於上述中央部之部分之厚度，較上述第1引出電極之設置於上述周緣部之部分之厚度小。
17. 如請求項11至15中任一項所述之水晶振動元件，其中上述中央部之厚度較上述周緣部之厚度大，且上述第1側面將上述中央部以及上述周緣部連接。
18. 如請求項11至15中任一項所述之水晶振動元件，其中上述中央部之厚度較上述周緣部之厚度小，且上述第1側面將上述中央部以及上述周緣部連接。
19. 如請求項11至15中任一項所述之水晶振動元件，其中上述水晶片於上述第2主面側於上述中央部與上述周緣部之間形成有第2側面，上述第2引出電極於俯視上述水晶片之上述第2主面時，覆蓋上述第2激勵電極之至少一部分，且於上述水晶片之上述第2主面側自上述中央部延伸至上述周緣部。
20. 如請求項11至15中任一項所述之水晶振動元件，其中上述水晶片中，於上述中央部與上述周緣部之間形成有狹縫。