TWI660414B - 切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法 - Google Patents

切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法。切斷裝置具備：切斷機構，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管台，保管經切斷的半導體封裝體；多個移送機構，吸附半導體封裝體並將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上；控制部，控制移送機構的動作；多個移送機構具備多個吸附部，控制部進行如下的控制：在多個吸附部吸附有半導體封裝體的狀態下，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離。

Description

切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法
本發明是關於一種切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法。
作為現有技術，例如在日本專利特開2016-21541號公報（專利文獻1）中揭示有一種單片化物品的製造裝置，其具備將通過使用切斷部件切斷物件物而單片化的單片化物品移送至容器中的移送機構。此單片化物品的製造裝置具備：吸引源，用以吸附單片化物品；吸引系統配管，與吸引源連接；多個吸附墊，設置在移送機構上，用以分別吸附多個單片化物品；多個開口，分別形成在多個吸附墊上；多個個別配管，設置在移送機構上，分別與多個開口連接；加壓源，用以朝多個個別配管中供給高壓氣體來對單片化物品進行加壓，由此從多個吸附墊上吹飛單片化物品；加壓系統配管，與加壓源連接；開閉閥，設置在加壓系統配管上，將加壓系統配管開閉；多個切換閥，分別設置在多個個別配管上，將多個個別配管的各者與吸引系統配管連接、或將多個個別配管的各者與加壓系統配管連接；以及控制部，至少控制開閉閥與多個切換閥。
另外，例如在山崎尚、高野勇佑、本間莊一，「半導體封裝體中的應用濺鍍成膜法的電磁波遮罩膜形成技術」，東芝評論（Toshiba Review），東芝股份有限公司，2016年12月，第71卷，第6期，第16頁～第19頁（非專利文獻1）中揭示有如下的技術：將經單片化的半導體封裝體黏貼在黏貼構件的背面保護用膠帶上，並通過濺鍍成膜法來形成電磁遮罩膜。
但是，在將多個半導體封裝體黏貼在如非專利文獻1中所揭示的黏貼構件上來形成電磁遮罩膜時，若考慮生產性，則理想的是在封裝體（密封樹脂部）的側面維持可形成膜的間隔，而高密度地配置封裝體。因此，在將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上時要求精度。
另一方面，有別於如專利文獻1中所揭示的將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷，而將半導體封裝體單片化的切斷裝置，現狀是使用黏貼裝置。若考慮生產性，則期望一種使用切斷裝置將半導體封裝體高精度地黏貼在黏貼構件上的技術，但目前尚未進行針對此期望的具體的技術性提案。
本發明是解決所述課題者，其目的在於提供一種在將封裝體基板切斷成多個半導體封裝體後，將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上時，可謀求生產性的提升的切斷裝置、半導體封裝體的黏貼方法及電子零件的製造方法。
為了解決所述課題，本發明的切斷裝置具備：切斷機構，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管台，保管由切斷機構切斷的半導體封裝體；多個移送機構，吸附半導體封裝體並將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上；控制部，至少控制移送機構的動作；多個移送機構具備多個吸附部，控制部進行如下的控制：在多個吸附部吸附有半導體封裝體的狀態下，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離。
為了解決所述課題，本發明的半導體封裝體的黏貼方法包括：切斷步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管步驟，在保管臺上保管半導體封裝體；移送步驟，利用設置在多個移送機構上的多個吸附部吸附半導體封裝體，並將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件的上方；以及黏貼步驟，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離，由此將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上。
以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。關於本申請文件中的任一張圖，為容易理解，均適宜省略或誇張來示意性地描繪。對相同的構成元件標注相同的符號並適宜省略說明。再者，在本申請文件中，所謂「支撐構件」，是指支撐晶片、絕緣性膜、導電性膜、半導體膜等支撐體對象物的構件，可列舉玻璃環氧基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板等一般的基板，及引線框架、半導體晶片等。
[實施形態1] （切斷裝置的構成） 參照圖1對本發明的切斷裝置的構成進行說明。如圖1所示，切斷裝置1例如是將作為切斷對象物的封裝體基板切斷而單片化成多個區域，並將作為經單片化的切斷物的半導體封裝體黏貼在黏貼構件上的裝置。切斷裝置1分別具備供給半導體封裝體的供給模組A、切斷封裝體基板的切斷模組B、檢查經切斷的半導體封裝體的檢查模組C、及黏貼經檢查的半導體封裝體的黏貼模組D作為構成元件。各構成元件（各模組A～模組D）分別相對於其他構成元件可裝卸且可更換。
具有樹脂部的支撐構件等作為封裝體基板，由切斷裝置1切斷而單片化。作為具有樹脂部的支撐構件，例如可列舉：對安裝在基板上的多個晶片進行了樹脂密封的經密封基板、或對安裝在半導體晶片上的多個晶片進行了樹脂密封的經密封晶片等。也可以將使樹脂部成形前的支撐構件本身切斷。在本實施形態中，對將作為封裝體基板的經密封基板切斷而單片化成多個區域，並將經單片化的半導體封裝體黏貼在黏貼構件上的情況進行說明。
經密封基板包括：基板、安裝在基板所具有的多個區域中的多個晶片、及以一併覆蓋多個區域的方式成形的密封樹脂。將經密封基板切斷而單片化的多個半導體封裝體分別相當於製品。
如圖1所示，在供給模組A中設置供給相當於封裝體基板的經密封基板2的封裝體基板供給部3。經密封基板2通過搬送機構（未圖示）而從供給模組A被搬送至切斷模組B中。
在切斷模組B中設置用以載置並切斷經密封基板2的切斷台4。切斷台4通過移動機構5而可在圖的Y方向上移動。而且，切斷台4通過旋轉機構6而可在θ方向上回轉。在切斷台4上，例如也可以安裝切斷用夾具（未圖示），並在切斷用夾具上載置經密封基板2。
在切斷模組B中設置主軸（spindle）7作為切斷機構。切斷裝置1例如是設置1個主軸7的單主軸構成的切斷裝置。主軸7可獨立地在X方向及Z方向上移動。在主軸7上安裝旋轉刀8。在主軸7上分別設置朝高速旋轉的旋轉刀8噴射切削水的切削水用噴嘴、噴射冷卻水的冷卻水用噴嘴（均未圖示）等。通過使切斷台4與主軸7相對地移動來將經密封基板2切斷。旋轉刀8通過在與X軸正交的平面的面內進行旋轉來將經密封基板2切斷。
也可以設為在切斷模組B中設置兩個主軸的雙主軸構成的切斷裝置。當將大面積的封裝體基板切斷時，旋轉刀所切斷的封裝體基板的總距離變長，因此優選設置兩個主軸來有效率地切斷封裝體基板。進而，為了提升切斷裝置的生產性，也可以設為設置兩個切斷台，在各個切斷臺上切斷封裝體基板的雙切割台構成。
在檢查模組C中設置檢查台9。將作為切斷經密封基板2而單片化的半導體封裝體P的集合體的經切斷基板10移載至檢查台9上。經切斷基板10通過搬送機構（未圖示）而從切斷台4被移載至檢查台9上。檢查台9可在X方向上移動、且能夠以Y方向為軸而旋轉。
切斷經密封基板2而單片化的半導體封裝體P自身分別相當於製品。作為製品，例如製造接點柵格陣列（Land Grid Array，LGA）、球柵陣列（Ball Grid Array，BGA）、晶片尺寸封裝（Chip Size Package，CSP）、四側無引腳扁平封裝（Quad Flat Non-leaded package，QFN）等的製品。
在檢查模組C中，多個半導體封裝體P例如通過作為檢查機構的檢查用的照相機11來檢查表面狀態或完成狀況等。可對應於半導體封裝體P的結構，採用檢查半導體封裝體P的表面側、背面側及4個側面的檢查機構。將經檢查的半導體封裝體P區分為良品與不良品。將經檢查的半導體封裝體P從檢查台9移載至保管台12上。保管台12可在Y方向上移動。
在黏貼模組D中設置供給黏貼構件的黏貼構件供給部13。作為黏貼構件，使用黏貼在支撐基座上的樹脂片等。例如，對使用黏貼構件17的情況進行說明，所述黏貼構件17將具有圓形的開口部14的框狀構件15用作支撐基座，並在框狀構件15上安裝有樹脂片16。
作為框狀構件15，使用不銹鋼或鋁等的金屬框。作為框狀構件15的形狀，例如使用矩形、進行了倒角的矩形及圓形的形狀等。也可以使用這些以外的形狀。另外，關於開口部14的形狀，也不特別限定於圓形、矩形的形狀等。在圖1中，表示使用具有圓形的開口部14、且進行了倒角的矩形的框狀構件15的情況。
樹脂片16是將黏接劑塗布在樹脂製的片狀基材的兩面上而成的片。作為黏接劑，可使用黏著劑（感壓黏接劑：pressure sensitive adhesive ）。作為樹脂片16，例如使用將矽酮系黏著劑塗布在聚醯亞胺膜的兩面上而成的樹脂片等。此處，黏接劑只要至少塗布在黏貼半導體封裝體P的面上即可，但通過塗布在兩面上，可黏貼在支撐基座上來安裝樹脂片16。再者，也可以將黏貼半導體封裝體P的面與黏貼支撐基座的面設為同一側的面。
再者，作為支撐基座，可使用金屬板、玻璃板、樹脂板、半導體晶片等。進而，也可以使用將它們層疊而成的層疊板。另外，支撐基座的形狀並不特別限定於圓形、矩形等。此外，可以形成開口部，也可以不形成開口部。可對應於用途而使用最合適的支撐基座。
在黏貼構件供給部13中配置收容盒（未圖示）。在收容盒中收容多個黏貼構件17。黏貼構件17通過移載機構（未圖示）而從黏貼構件供給部13被移載至黏貼台18上。在黏貼台18中，例如設置使黏貼構件17排列的排列機構19。黏貼台18可在Y方向上移動。
作為排列機構19，例如可使用通過從兩側夾持黏貼構件17來使X方向及Y方向的位置排列的排列機構。排列機構19優選以排列機構19的一部分與黏貼台18重疊的方式配置在黏貼台18的上方。由此，可抑制切斷裝置1整體的面積增大。並不限定於此，作為排列機構19，也可以使用利用定位針來使黏貼構件17排列的排列機構。只要是可使黏貼構件17在X方向及Y方向上排列的排列機構即可。進而，也可以設置使黏貼構件17與黏貼台18對位的對位機構。
在黏貼模組D中設置吸附由檢查模組C所檢查的半導體封裝體P，並將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上的多個移送機構20。在此情況下，例如設置兩個移送機構20。移送機構20可在X方向上移動。進而，也可以使移送機構20可在Z方向上移動。半導體封裝體P通過兩個移送機構20而從保管台12被移送至黏貼構件17上，並黏貼在黏貼構件17的樹脂片16上。黏貼有半導體封裝體P的黏貼構件17被送回至黏貼構件供給部13中，並被收容在收容盒的原來的位置中。
在黏貼模組D中設置作為吸引機構的真空泵21。使用真空泵21進行將經密封基板2吸附在切斷台4上、將作為半導體封裝體P的集合體的經切斷基板10吸附在檢查台9及保管台12上、移送機構20吸附半導體封裝體P等。在圖1中，為便於說明，表示在黏貼模組D中僅設置有1個真空泵21的情況，但實際上在切斷裝置1中設置多個真空泵。
在供給模組A中設置控制部CTL。控制部CTL至少控制包含後述的吸附部的移送機構的動作，此處，控制切斷裝置1的動作、經密封基板2的搬送、經密封基板2的切斷、經切斷基板10的搬送、半導體封裝體P的檢查、黏貼構件17的供給、半導體封裝體P的移送等。在本實施形態中，將控制部CTL設置在供給模組A中。並不限定於此，也可以將控制部CTL設置在其他模組中。另外，也可以將控制部CTL分割成多個，並設置在供給模組A、切斷模組B、檢查模組C及黏貼模組D中的至少兩個模組中。
再者，在圖1中，表示將作為封裝體基板的具有矩形（長方形）的形狀的經密封基板2切斷的情況，因此將切斷台4、檢查台9及保管台12設為矩形的形狀。並不限定於此，例如若為將包含密封樹脂部的半導體晶片作為封裝體基板來處理的情況，則也可以將切斷台4、檢查台9及保管台12設為圓形的形狀。
（保管台及移送機構的構成） 參照圖2（a）～圖2（c）對保管台12及移送機構20的構成進行說明。如圖2（a）所示，用以吸附多個半導體封裝體P的吸附孔22對應於各個半導體封裝體P而形成在保管台12中。各吸附孔22經由各個配管（未圖示）而與真空泵21（參照圖1）連接。經切斷的半導體封裝體P經由各個吸附孔22而吸附在保管台12上。例如，若半導體封裝體P的尺寸在X方向及Y方向上均為相同的大小a（a×a），則半導體封裝體P在X方向及Y方向上均對照與半導體封裝體的尺寸相同的間隔（間距a）而吸附在保管台12上。在圖2（a）中，為便於說明，表示13個半導體封裝體P排列在X方向上的情況。
在此情況下，對照半導體封裝體P的尺寸（a×a），以與半導體封裝體P的尺寸相同的間隔（間距a）將半導體封裝體P吸附在保管台12上。並不限定於此，也能夠以比半導體封裝體P的尺寸大的間隔（間距）將半導體封裝體P吸附在保管台12上。
移送機構20具備吸附半導體封裝體P的多個吸附部23。多個吸附部23分別可獨立地在Z方向上移動。各吸附部23經由各個配管（未圖示）而與真空泵21（參照圖1）連接。在圖2（a）～圖2（c）中，例如表示在移送機構20上設置有7個吸附部23的情況。再者，為容易說明，如圖2（a）所示，將7個吸附部23從左側起（朝+X方向）依次設為23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g。吸附部23a～吸附部23g的相互的間隔可變。
移送機構20可利用7個吸附部23（23a～23g）而一併吸附7個半導體封裝體P。移送機構20將所吸附的7個半導體封裝體P從保管台12朝黏貼構件17移送。各個吸附部23可通過間隔調整機構（未圖示）來變更並調整各吸附部23的相互的間隔。因此，即便半導體封裝體P的尺寸、或排列半導體封裝體P的間距不同，也可以變更各吸附部23的間隔來一併吸附半導體封裝體P。在此情況下，雖然在移送機構20上設置有7個吸附部23，但可在移送機構20上設置任意的數量的吸附部。另外，也可以設置3個以上的移送機構。
移送機構20可在X方向上移動，各個吸附部23（23a～23g）可獨立地在Z方向上移動。由此，可僅使用多個吸附部23中的特定的吸附部23來吸附半導體封裝體P。例如，若為在保管台12上排列有7個以上的半導體封裝體P的情況，則可利用7個吸附部23一併吸附7個半導體封裝體P。若為排列在保管台12上的半導體封裝體P的數量為6個以下的情況，則吸附部23可對照所排列的半導體封裝體P的數量來吸附半導體封裝體P。因此，可通過7個吸附部23，任意地選擇1個半導體封裝體P～7個半導體封裝體P來進行吸附。
進而，可通過7個吸附部23，僅選擇排列在保管台12上的半導體封裝體P中的良品來進行吸附。換言之，移送機構20可不吸附不良品而僅吸附良品來將半導體封裝體P從保管台12朝黏貼構件17移送。或者，也可以事先從保管台12上僅吸附並排除不良品。
再者，也可以使移送機構20可在X方向及Z方向上移動，使吸附部23無法在Z方向上移動。在此情況下，例如只要吸附部23不吸附不進行移送的半導體封裝體（不良品），而維持將不良品吸附在保管台12上的狀態即可。只要吸附部23僅吸附要移送的半導體封裝體（良品）並進行移送即可。
（移送並黏貼半導體封裝體的動作） 參照圖2（a）～圖2（c）～圖3（a）～圖3（c），對使用移送機構20將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上，並將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17的樹脂片16上的動作進行說明。為便於說明，首先對1個移送機構20吸附半導體封裝體P並移送至黏貼構件17上進行黏貼的情況進行說明。
首先，如圖2（a）所示，在移送機構20中，以變成與半導體封裝體P排列在保管台12上的間距a相同的方式變更各吸附部23的間隔（間距）。其次，使移送機構20移動至成為本次應移送的對象的7個半導體封裝體P1的上方。在圖2（a）中，由P1所表示的7個半導體封裝體相當於通過本次的動作所移送的半導體封裝體。再者，由P0所表示的3個半導體封裝體相當於通過上次的動作所移送的半導體封裝體，由P2所表示的3個半導體封裝體相當於通過下次的動作所移送的半導體封裝體。
繼而，在使各吸附部23的間隔對照間距a的狀態下，使各個吸附部23（23a～23g）下降，而通過7個吸附部23來一併吸附7個半導體封裝體P1。在此情況下，使各個吸附部23下降來一併吸附半導體封裝體P1。並不限定於此，也可以使移送機構20下降來一併吸附7個半導體封裝體P1，也可以使移送機構20及吸附部23兩者下降來吸附半導體封裝體P1。
繼而，如圖2（b）所示，在吸附有7個半導體封裝體P1的狀態下，使移送機構20從保管台12移動至黏貼構件17的上方。在此移動過程中，在移送機構20中，將各吸附部23的間隔變更成在黏貼構件17上排列半導體封裝體P1的固定的間隔，例如間距b。間距b是比間距a（半導體封裝體P的尺寸）大的間隔。使移送機構20在黏貼構件17的樹脂片16上的規定位置處停止。在圖2（b）中，表示以間距b的間隔將10個半導體封裝體P排列在X方向上的情況。再者，由P0所表示的兩個半導體封裝體相當於通過上次的動作所黏貼的半導體封裝體。
繼而，如圖2（c）所示，使7個吸附部23（23a～23g）下降來將7個半導體封裝體P1一併按壓在黏貼構件17的樹脂片16上。
繼而，在將7個半導體封裝體P1按壓在樹脂片16上的狀態下解除7個吸附部23的吸附。而且，使7個吸附部23以與黏貼構件17分離的方式上升而回到原來的位置。在此狀態下，除利用上次的動作的兩個半導體封裝體P0的黏貼以外，在黏貼構件17中的此列上新黏貼7個半導體封裝體P1。
繼而，使移送機構20從黏貼構件17的上方移動至保管台12的上方。在移送機構20中，將各吸附部23的間隔從間距b變更成間距a。
繼而，如圖3（a）所示，在保管台12上，例如將移送機構20的3個吸附部23e～23g配置在尚未移送而殘留的3個半導體封裝體P2的上方。使3個吸附部23e～23g下降來吸附3個半導體封裝體P2。使3個吸附部23e～23g回到原來的位置。
繼而，使保管台12在-Y方向上移動、且使移送機構20在+X方向上移動，由此在排列在下一列上的4個半導體封裝體P2（未圖示）的上方配置4個吸附部23a～23d。使4個吸附部23a～23d下降來吸附4個半導體封裝體P2。使4個吸附部23a～23d回到原來的位置。在此狀態下，移送機構20分兩次吸附7個半導體封裝體P2。
繼而，在吸附有7個半導體封裝體P2的狀態下，使移送機構20從保管台12移動至黏貼構件17的上方。在此移動過程中，在移送機構20中，將各吸附部23的間隔從間距a變更成間距b。
繼而，如圖3（b）所示，在黏貼構件17上，例如將移送機構20的吸附部23g配置在黏貼有7個半導體封裝體P1的下一個黏貼位置的上方。使吸附部23g下降來將1個半導體封裝體P2黏貼在樹脂片16上。使吸附部23g回到原來的位置。在此狀態下，在此列上黏貼兩個半導體封裝體P0、7個半導體封裝體P1、1個半導體封裝體P2，合計黏貼10個半導體封裝體P。吸附部23a～吸附部23f分別維持吸附有黏貼在下一列上的半導體封裝體P2的狀態。
繼而，如圖3（c）所示，使黏貼台18在-Y方向上移動、且使移送機構20在+X方向上移動，由此將6個吸附部23a～23f配置在下一列上黏貼半導體封裝體P2的黏貼位置的上方。使6個吸附部23a～23f下降來將6個半導體封裝體P2黏貼在樹脂片16上。使吸附部23a～吸附部23f回到原來的位置。在此狀態下，移送機構20分兩次將7個半導體封裝體P2黏貼在黏貼構件17上。再者，在圖3（c）中，由P3所表示的4個半導體封裝體相當於通過下次的動作所黏貼的半導體封裝體。通過將此種動作重複多次，而將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17的規定位置並將半導體封裝體P依次黏貼在黏貼構件17上。
此處的包含利用吸附部23的吸附及吸附解除動作的移送機構20的動作通過所述控制部CTL來控制。
（使用兩個移送機構移送並黏貼半導體封裝體的動作） 以下對使用兩個移送機構20移送並黏貼半導體封裝體P的動作進行說明，但關於與所述使用1個移送機構20的情況的動作相同的內容，不重複詳細的說明。再者，此處的包含利用吸附部23的吸附及吸附解除動作的移送機構20的動作通過所述控制部CTL來控制。
參照圖4～圖5，對使用兩個移送機構20將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上，並將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17的樹脂片16上的動作進行說明。
作為即將移送半導體封裝體P之前的狀態，例如如圖4所示，以相對於沿著X方向延伸的中心線CL（由細的點劃線表示）變成左右對稱的方式，配置保管台12與黏貼構件17及兩個移送機構20a、20b。兩個移送機構20a、20b例如沿著搬送軌道R1、搬送軌道R2（由細的虛線表示）而在X方向上移動，所述搬送軌道R1、搬送軌道R2設置在與中心線CL在Y方向上分別僅相隔距離L的位置上。
在圖4中，經單片化的多個半導體封裝體P呈格子狀地排列在保管台12上。例如，在X方向上呈格子狀地排列有7個，在Y方向上呈格子狀地排列有15個，合計呈格子狀地排列有105個半導體封裝體P。各個半導體封裝體P在X方向及Y方向上均以間距a的間隔排列。為便於說明，將沿著X方向排列的7個半導體封裝體P的集合體從左側起設為群組G1、群組G2、群組G3、G4、群組G5、群組G6、・・・、群組G14、群組G15。
移送機構20a、移送機構20b分別具備7個吸附部23（23a～23g：參照圖2（a）～圖2（c））。將移送機構20a、移送機構20b的吸附部23的間隔設定成與排列在保管台12上的半導體封裝體P的間距a相同的間距a。
在黏貼構件17的框狀構件15中，例如設置對應於300 mm晶片的開口部14。以覆蓋此開口部14的方式將樹脂片16安裝在框狀構件15上。對在此種黏貼構件17中，例如在覆蓋開口部14的樹脂片16上，在X方向及Y方向上均以間距b的間隔將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上的情況進行說明。在圖4～圖5中，表示將89個半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上進行黏貼的情況。
參照圖5，對使用兩個移送機構20a、20b移送半導體封裝體P，並將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上的動作進行說明。如圖5所示，首先使保管台12在+Y方向上移動，將群組G1的7個半導體封裝體P配置在搬送軌道R1的下方。其次，使移送機構20a沿著搬送軌道R1在-X方向上移動，並在群組G1的7個半導體封裝體P的上方停止。繼而，使移送機構20a的7個吸附部23下降並通過7個吸附部23來吸附7個半導體封裝體P。繼而，使7個吸附部23回到原來的位置。所述一連串的動作成為移送機構20a吸附半導體封裝體P的吸附動作。
繼而，使移送機構20a沿著搬送軌道R1在+X方向上移動。在移送機構20a從保管台12朝黏貼構件17移動的過程中，將各吸附部23的間隔從間距a變更成間距b。繼而，使黏貼台18在±Y方向上移動、且使移送機構20a在±X方向上移動，由此使各吸附部23移動至黏貼構件17中的各個黏貼位置的上方。繼而，使各吸附部23下降至各個黏貼位置上，由此以間距b的間隔將半導體封裝體P黏貼在樹脂片16上。繼而，使各吸附部23回到原來的位置。所述一連串的動作成為移送機構20a黏貼半導體封裝體P的黏貼動作。
例如，若在黏貼構件17中存在黏貼7個以上的半導體封裝體P的黏貼區域，則將7個半導體封裝體P一併黏貼在樹脂片16上。當僅存在黏貼6個以下的半導體封裝體P的黏貼區域時，僅將可黏貼的數量的半導體封裝體P黏貼在樹脂片16上。剩餘的半導體封裝體P黏貼在下一列的黏貼區域上。如此，將7個半導體封裝體P一併或分割黏貼在樹脂片16上。
在此情況下，對將多個半導體封裝體P一併黏貼在樹脂片16上的動作進行了說明。並不限定於此，也可以將吸附在7個吸附部23（23a～23g）上的半導體封裝體P一個一個地黏貼在樹脂片16上。
移送機構20a在黏貼構件17上進行黏貼動作的同時，移送機構20b在保管台12上進行吸附動作。當移送機構20b進行吸附動作時，使保管台12進一步在+Y方向上移動，將群組G2的7個半導體封裝體P配置在搬送軌道R2的下方。繼而，使移送機構20b沿著搬送軌道R2在-X方向上移動，並在群組G2的7個半導體封裝體P的上方停止。繼而，使移送機構20b的7個吸附部23下降並通過7個吸附部23來吸附7個半導體封裝體P。繼而，使7個吸附部23回到原來的位置。所述一連串的動作成為移送機構20b吸附半導體封裝體P的吸附動作。
繼而，使移送機構20b沿著搬送軌道R2在+X方向上移動。在移送機構20b從保管台12朝黏貼構件17移動的過程中，將各吸附部23的間隔從間距a變更成間距b。繼而，使黏貼台18在±Y方向上移動、且使移送機構20b在±X方向上移動，由此使移送機構20b的各吸附部23移動至移送機構20a黏貼有群組G1的7個半導體封裝體P的下一個黏貼位置的上方。繼而，使各吸附部23下降至各個黏貼位置上，由此以間距b的間隔將半導體封裝體P黏貼在樹脂片16上。繼而，使各吸附部23回到原來的位置。所述一連串的動作成為移送機構20b黏貼半導體封裝體P的黏貼動作。通過黏貼動作，將7個半導體封裝體P一併或分割黏貼在樹脂片16上。
在移送機構20a、移送機構20b分別在黏貼構件17上完成黏貼動作，並從黏貼構件17朝保管台12移動的過程中，將各吸附部23的間隔從間距b變更成間距a。在將各吸附部23的間隔變成間距a的狀態下，移送機構20a、移送機構20b在保管台12上進行下一個吸附動作。移送機構20a、移送機構20b交替地進行此吸附動作與黏貼動作，由此將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上進行黏貼。
圖5表示例如移送機構20b完成吸附群組G4的7個半導體封裝體P的吸附動作，並從保管台12朝黏貼構件17移動的狀態。繼而，緊接在黏貼有群組G3的7個半導體封裝體P的黏貼位置之後，移送機構20b進行黏貼群組G4的7個半導體封裝體P的黏貼動作。同時，移送機構20a完成黏貼群組G3的7個半導體封裝體P的黏貼動作，並從黏貼構件17朝保管台12移動。繼而，移送機構20a進行吸附群組G5的7個半導體封裝體P的吸附動作。如此，兩個移送機構20a、20b交替地進行吸附動作與黏貼動作，由此可有效率地將半導體封裝體P從保管台12黏貼至黏貼構件17上。即，通過使用多個移送機構20進行如下的黏貼動作，可有效率地將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上，所述黏貼動作是使這些移送機構20依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P按壓在黏貼構件17上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件17分離。
再者，在圖5中，以分別表示排列在保管台12的群組G1～群組G5中的7個半導體封裝體P的影線與分別表示黏貼在黏貼構件17上的半導體封裝體P的影線相對應的方式，以相同的影線來描繪。
（半導體封裝體的黏貼方法） 以下對半導體封裝體P的黏貼方法進行說明，但關於已說明的內容，不重複詳細的說明。
切斷步驟是在切斷模組B中進行。使用作為切斷機構的主軸7的旋轉刀8將載置在切斷台4上的作為封裝體基板的經密封基板2切斷（參照圖1）。由此，將經密封基板2變成作為多個半導體封裝體P的集合體的經切斷基板10的狀態。其後，也可以在所述檢查模組C中，將經切斷基板10移載至檢查台9上進行檢查步驟。
緊接著切斷步驟的保管步驟是在檢查模組C中進行。將在切斷步驟中所切斷的經切斷基板10載置在保管台12上進行保管（參照圖1）。
緊接著保管步驟的移送步驟是在檢查模組C及黏貼模組D中進行。使多個移送機構20a、20b下降，通過設置在多個移送機構20a、20b上的多個吸附部23，從載置在保管台12上的經切斷基板10吸附多個半導體封裝體P（參照圖2（a）、圖3（a））。在多個吸附部23吸附有半導體封裝體P的狀態下，移動至載置在黏貼台18上的黏貼構件17的上方（參照圖2（b）、圖3（b）、圖4、圖5）。
間隔調整步驟是在移送步驟的利用吸附部23吸附半導體封裝體P之後、且在接下來的黏貼步驟之前，在檢查模組C及黏貼模組D的至少一者中進行。以變成規定的尺寸的方式調整吸附有半導體封裝體P的狀態的多個吸附部23的相互的間隔（參照圖2（b）、圖3（b）、圖4、圖5）。此規定的尺寸是指對應於在接下來的黏貼步驟中黏貼在黏貼構件17上的多個半導體封裝體P的排列間距的尺寸，且事先進行設定。
緊接著移送步驟及間隔調整步驟的黏貼步驟是在黏貼模組D中進行。使多個移送機構20a、20b依次動作，並使移送機構20a、移送機構20b下降來將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P按壓在黏貼構件17的樹脂片16上，在此狀態下解除利用吸附部23的吸附後，使吸附部23與黏貼構件17分離，由此將半導體封裝體P黏貼在樹脂片16上（參照圖2（c）、圖3（b）、圖3（c）、圖4、圖5）。
以所述方式，可將多個半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上。
再者，在以上的說明中，將移送機構20a、移送機構20b的多個吸附部23的間隔設為可變，但並不限定於此。移送機構20a、移送機構20b的多個吸附部23的間隔也可以不變。另外，在移送機構20a、移送機構20b的多個吸附部23的間隔不變的裝置構成的情況下，在所述動作及方法的說明中，省略多個吸附部23的間隔調整。在以下所說明的實施形態中也同樣如此。
（作用效果） 本實施形態的切斷裝置1具備：作為切斷機構的主軸7，將作為多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板的經密封基板2切斷成多個半導體封裝體P；保管台12，保管由主軸7切斷的半導體封裝體P；多個移送機構20a、20b，吸附半導體封裝體P並將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上；控制部CTL，至少控制移送機構20a、移送機構20b的動作；多個移送機構20a、20b具備多個吸附部23，控制部CTL進行如下的控制：在多個吸附部23吸附有半導體封裝體P的狀態下，使多個移送機構20a、20b依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P按壓在黏貼構件17上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件17分離。
本實施形態的半導體封裝體的黏貼方法包括：切斷步驟，將作為多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板的經密封基板2切斷成多個半導體封裝體P；保管步驟，在保管台12上保管半導體封裝體P；移送步驟，利用設置在多個移送機構20a、20b上的多個吸附部23吸附半導體封裝體P，並將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17的上方；以及黏貼步驟，使多個移送機構20a、20b依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P按壓在黏貼構件17的樹脂片16上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件17分離，由此將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上。
根據此構成，利用作為切斷機構的主軸7將經密封基板2切斷來製作多個半導體封裝體P。通過設置在移送機構20a、移送機構20b上的多個吸附部23，可將經切斷的半導體封裝體P黏貼在安裝於黏貼構件17上的樹脂片16上。
根據本實施形態，可使用同一個裝置進行將經密封基板2單片化來製作相當於製品的半導體封裝體P的切斷步驟、及將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上的黏貼步驟。因此，可不使用不同的裝置進行切斷步驟與黏貼步驟，而降低設備的成本。因此，可抑制製品的製造成本。由此，可謀求生產性的提升。
進而，在本實施形態的切斷裝置1中設為如下的構成，即多個吸附部23的相互的間隔可變，且控制部CTL進行如下的控制：在多個吸附部23吸附有半導體封裝體P的狀態下調整多個吸附部23的相互的間隔，使多個移送機構20a、20b依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P按壓在黏貼構件17上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件17分離。
本實施形態的半導體封裝體的黏貼方法進而包含調整吸附有半導體封裝體P的狀態的多個吸附部23的相互的間隔的間隔調整步驟，且在間隔調整步驟後進行黏貼步驟。
根據此構成，移送機構20a、移送機構20b分別具備相互的間隔可變的多個吸附部23。通過設置在移送機構20a、移送機構20b上的多個吸附部23，可將半導體封裝體P以任意的間隔黏貼在安裝於黏貼構件17上的樹脂片16上。因此，可提升黏貼在黏貼構件17上的半導體封裝體P的位置精度。
根據本實施形態，在移送機構20a、移送機構20b上分別設置相互的間隔可變的多個吸附部23。移送機構20a、移送機構20b可利用多個吸附部23一併或分割吸附多個半導體封裝體P，並將多個半導體封裝體P從保管台12一併移送至黏貼構件17上。由於一併移送多個半導體封裝體P並黏貼在黏貼構件17上，因此可謀求將半導體封裝體P黏貼在黏貼構件17上的生產性的提升。
進而，移送機構20a、移送機構20b交替地進行保管台12上的吸附動作與黏貼構件17上的黏貼動作。由此，可使用兩個移送機構20a、20b同時進行吸附動作與黏貼動作。通過使用兩個移送機構20a、20b，可謀求將半導體封裝體P從保管台12移送至黏貼構件17上進行黏貼的生產性的提升。
根據本實施形態，在移送機構20a、移送機構20b中，各個吸附部23可獨立地在Z方向上移動。由此，可僅使用多個吸附部23中的特定的吸附部23來吸附半導體封裝體P。因此，可將排列在保管台12上的半導體封裝體P中的不良品排除，而僅吸附良品並移送至黏貼構件17上。
在本實施形態中，在移送機構20a、移送機構20b在保管台12與黏貼構件17之間移動的途中，調整各吸附部23的間隔。在此情況下，為了確認各吸附部23的間隔是否已被正確地調整，也可以在移送機構20a、移送機構20b的下方設置用以拍攝吸附在移送機構20a、移送機構20b的各吸附部23上的半導體封裝體P的照相機。由此，各吸附部23能夠以正確的間隔吸附半導體封裝體P，並以正確的間隔進行黏貼。
在本實施形態中，在黏貼構件供給部13中，設為使用同一個的收容盒進行黏貼構件17的供給與黏貼構件17的收容的構成。由此，在黏貼模組D中，設為黏貼構件供給部13進行黏貼構件17的供給與黏貼構件17的收容兩者的裝置構成。因此，抑制黏貼模組D的面積增大，並抑制切斷裝置1整體的面積增大。並不限定於此，也可以設為分別設置供給黏貼構件17的黏貼構件供給部與收容黏貼構件17的黏貼構件收容部的裝置構成。
[實施形態2] 參照圖6（a）～圖6（c）～圖7（a）～圖7（c），對實施形態2中所使用的黏貼構件的構成及將半導體封裝體移送至黏貼構件上進行黏貼的動作進行說明。與實施形態1的差異是使用如下的黏貼構件，所述黏貼構件將具有多個第1開口部的板狀構件用作黏貼構件的支撐基座，並以對應於板狀構件的第1開口部的位置的方式將具有第2開口部的樹脂片安裝在板狀構件上。除此以外的裝置構成及動作與實施形態1相同，因此省略說明。
（黏貼構件的構成） 參照圖6（a）～圖6（c），對實施形態2中所使用的黏貼構件進行說明。如圖6（a）所示，作為黏貼構件的支撐基座，例如使用具有多個第1開口部24的板狀構件25。多個第1開口部24通過壓製加工或蝕刻加工等而一併形成在板狀構件25上。作為板狀構件25的材質，使用不銹鋼或鋁等。作為板狀構件25的形狀，使用矩形、進行了倒角的矩形及圓形的形狀等。也可以使用這些以外的形狀。
如圖6（a）所示，第1開口部24形成為矩形（正方形）。第1開口部24的大小例如形成為與黏貼在黏貼構件上的半導體封裝體（參照圖7（a）～圖7（c））相同的尺寸。若半導體封裝體的尺寸在X方向及Y方向上均為相同的大小c，則第1開口部24在X方向及Y方向上均形成為相同的大小c。當半導體封裝體在X方向及Y方向上均以間距d的間隔黏貼在黏貼構件上時，對照此間距d的間隔，第1開口部24也在X方向及Y方向上均以間距d的間隔形成。在圖6（a）中，例如在對應於300 mm晶片的區域26中形成多個第1開口部24。
如圖6（b）所示，在安裝在板狀構件25上的樹脂片27中，例如形成比形成在板狀構件25上的第1開口部24小的多個第2開口部28。當在板狀構件25上安裝有樹脂片27時，以俯視下第2開口部28重疊在第1開口部24內的方式形成第2開口部28。換言之，在具有多個第1開口部24的板狀構件25上安裝無開口部的樹脂片，並在覆蓋第1開口部24的樹脂片區域中形成比第1開口部24小的第2開口部28，由此製作樹脂片27。
第2開口部28例如在X方向及Y方向上均形成為相同的大小e。第2開口部28以俯視下與第1開口部24重疊的方式，在X方向及Y方向上均形成為與第1開口部24相同的間距d。與第1開口部24同樣地，在對應於300 mm晶片的區域26中形成多個第2開口部28。
如圖6（c）所示，在板狀構件25上安裝樹脂片27來構成黏貼構件29。以樹脂片27的第2開口部28與板狀構件25的第1開口部24重疊的方式，在板狀構件25上安裝樹脂片27。因此，在第1開口部24的外周部上形成樹脂片27的突出部27a。突出部27a的長度f變成f＝（c－e）/2。如圖7（a）～圖7（c）中所說明那樣，半導體封裝體的外周緣部黏貼在此突出部27a上，半導體封裝體黏貼在黏貼構件29上。
在此情況下，將具有多個第1開口部24的板狀構件25用作黏貼構件29的支撐基座。並不限定於此，也可以設為在板狀構件25的外周上進一步設置金屬製等的框狀構件，並將此框狀構件作為支撐基座的構成。在此情況下，例如也可以設為在相對於樹脂片27同一側配置板狀構件25與框狀構件的構成。只要使樹脂片27的尺寸比形成有多個第1開口部24的板狀構件25大，並將樹脂片27安裝在內側形成有比板狀構件25大的開口的框狀構件上即可，進而可使框狀構件的厚度比板狀構件25的厚度厚。通過設為此種構成的黏貼構件，可將框狀構件用作搬送用構件。另外，黏貼構件29也可以設為將金屬製等的框狀構件用作支撐基座，並以覆蓋此框狀構件的內側的開口的方式安裝有樹脂片27的構成，在此情況下，多個開口部（第2開口部28）僅形成在樹脂片27上。
（移送並黏貼半導體封裝體的動作） 參照圖7（a）～圖7（c），對使用移送機構將半導體封裝體從保管台12移送至黏貼構件29上，並將半導體封裝體黏貼在黏貼構件29的樹脂片27上的動作進行說明。
如圖7（a）所示，經切斷而單片化的半導體封裝體P4排列在保管台12上。此情況下的半導體封裝體P4例如為BGA（Ball Grid Array）封裝體。作為BGA封裝體的半導體封裝體P4在基板側（背面側）的外周部上具有成為外部電極的多個球形電極（ball electrode）30。半導體封裝體P4的尺寸例如在X方向及Y方向上均為相同的大小c。因此，半導體封裝體P4在X方向及Y方向上均以間距c的間隔排列在保管台12上。
在半導體封裝體P4（BGA封裝體）中，伴隨封裝體尺寸的小型化，半導體封裝體P4的基板側的外周緣部的未形成球形電極30的區域縮小。如圖7（a）所示，半導體封裝體P4的基板側的外周緣部以從球形電極30的端部至半導體封裝體P4的端部為止的距離g的形式來表示。伴隨封裝體尺寸的小型化，外周緣部的距離g也變得極短。
在移送機構31中，例如設置4個吸附部23（23a、23b、23c、23d）。4個吸附部23分別可獨立地在Z方向上移動。在移送機構31中，以變成與半導體封裝體P4排列在保管台12上的間距c相同的方式，調整各吸附部23的間隔（間距）。繼而，使移送機構31移動至成為本次應移送的對象的4個半導體封裝體P4的上方。繼而，使4個吸附部23下降來吸附4個半導體封裝體P4。
繼而，如圖7（b）所示，在吸附有4個半導體封裝體P4的狀態下，使移送機構31從保管台12移動至黏貼構件29的上方。在此移動過程中，在移送機構31中，將各吸附部23的間隔變更成在黏貼構件29上排列半導體封裝體P4的間距d。將吸附部23配置在形成於黏貼構件29的樹脂片27上的第2開口部28的上方後使移送機構31停止。
繼而，例如僅使4個吸附部23中的吸附部23a下降，而將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在樹脂片27的突出部27a上。在此情況下，以將形成在半導體封裝體P4的基板側的多個球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內的方式，將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在樹脂片27的突出部27a上。如此，通過將半導體封裝體P4黏貼在樹脂片27的突出部27a上，可不使球形電極30碰撞板狀構件25的端部而將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上。繼而，在吸附部23a將半導體封裝體P4黏貼在樹脂片27的突出部27a上後，解除吸附部23a的吸附。然後，使吸附部23a上升而回到原來的位置。
繼而，如圖7（c）所示，使吸附部23b下降來將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在樹脂片27的突出部27a上。繼而，使吸附部23c下降來將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在樹脂片27的突出部27a上。最後，使吸附部23d下降來將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在樹脂片27的突出部27a上。如此，通過使4個吸附部23（23a～23d）依次下降，而將4個半導體封裝體P依次黏貼在樹脂片27的突出部27a上。
通過將此動作重複多次，而將半導體封裝體P4從保管台12朝黏貼構件29移送並將半導體封裝體P依次黏貼在黏貼構件29上。關於使用兩個移送機構31，將半導體封裝體P4從保管台12朝黏貼構件29移送的動作，也能夠以與實施形態1相同的動作來進行。
形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30的大小根據製品而不同。存在球形電極30的大小比樹脂片27的厚度大的情況。另外，存在半導體封裝體P4的外周緣部，即從球形電極30的端部至半導體封裝體P4的端部為止的距離g極短的情況。在這些情況下，半導體封裝體P4與樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24的對位變得嚴峻。因此，將形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內變得嚴峻。若黏貼半導體封裝體P4的位置偏移，則存在因球形電極30碰撞板狀構件25的端部而損傷球形電極30之虞。存在因球形電極30受損並破損而產生半導體封裝體P4的外觀不良或可靠性不良之虞。
為了將半導體封裝體P4的球形電極30高精度地納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內，半導體封裝體P4與形成在樹脂片27上的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24的對位變得非常重要。因此，例如也可以設置如使用照相機等檢測半導體封裝體P4的位置與第2開口部28的位置及第1開口部24的位置，並可高精度地進行對位的對位機構。由此，可將半導體封裝體P4的外周緣部更高精度地黏貼在樹脂片27的突出部27a上。
再者，關於本實施形態的半導體封裝體的黏貼方法，與所述實施形態1大致相同，不同點記載在所述構成及動作的說明中，因此省略說明。
（作用效果） 本實施形態的切斷裝置1具備：作為切斷機構的主軸7，將作為多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板的經密封基板2切斷成多個半導體封裝體P4；保管台12，保管由主軸7切斷的半導體封裝體P4；多個移送機構31，吸附半導體封裝體P4並將半導體封裝體P4從保管台12移送至黏貼構件29上；控制部CTL，至少控制移送機構31的動作；多個移送機構31具備相互的間隔可變的多個吸附部23，控制部CTL進行如下的控制：在多個吸附部23吸附有半導體封裝體P4的狀態下調整多個吸附部23的相互的間隔，使多個移送機構31依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P4按壓在黏貼構件29上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件29分離。
進而，在本實施形態中設為如下的構成，即黏貼構件29具備具有多個第1開口部24的板狀構件25，及具有多個第2開口部28，並以第2開口部28對應於第1開口部24的方式安裝在板狀構件25上的樹脂片27。
本實施形態的半導體封裝體的黏貼方法包括：切斷步驟，將作為多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板的經密封基板2切斷成多個半導體封裝體P4；保管步驟，在保管台12上保管半導體封裝體P4；移送步驟，利用設置在多個移送機構31上的多個吸附部23吸附半導體封裝體P4，並將半導體封裝體P4從所述保管台12移送至黏貼構件29的上方；間隔調整步驟，調整吸附有半導體封裝體P4的狀態的多個吸附部23的相互的間隔；以及黏貼步驟，在間隔調整步驟後，使多個移送機構31依次動作，將吸附在吸附部23上的半導體封裝體P4按壓在黏貼構件29的樹脂片27上並解除利用吸附部23的吸附，而使吸附部23與黏貼構件29分離，由此將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上。
根據此構成，移送機構31分別具備相互的間隔可變的多個吸附部23（23a～23d）。黏貼構件29具備具有多個第1開口部24的板狀構件25與具有多個第2開口部28的樹脂片27。調整移送機構31的吸附部23的間隔，而將吸附部23配置在樹脂片27所具有的第2開口部28的上方。在此狀態下，將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在配置於第2開口部28的外周部的樹脂片27上。由此，可將形成在半導體封裝體P4的基板側的多個球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內，並將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上。
根據本實施形態，黏貼構件29包含具有多個第1開口部24的板狀構件25與具有多個第2開口部28的樹脂片27。樹脂片27的第2開口部28比板狀構件25的第1開口部24小。以樹脂片27的第2開口部28與板狀構件25的第1開口部24重疊的方式在板狀構件25上安裝樹脂片27。由此，將樹脂片27的突出部27a配置在第2開口部28的外周部上。可將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在此突出部27a上。因此，可將形成在半導體封裝體P4的基板側的多個球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內。
根據本實施形態，可將形成在半導體封裝體P4的基板側的多個球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內，並將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上。由此，可抑制使半導體封裝體P4下降時球形電極30碰撞板狀構件25的端部，而損傷球形電極30。因此，可抑制因球形電極30的破損而產生半導體封裝體P4的外觀不良或可靠性不良。
[實施形態3] （黏貼構件的構成） 參照圖8（a）～圖8（c）對實施形態3中所使用的黏貼構件的構成進行說明。與實施形態2中所示的黏貼構件29的差異是在黏貼構件中，形成在板狀構件上的多個第3開口部的大小與形成在樹脂片上的多個第4開口部的大小相同。除此以外的裝置構成基本上與實施形態2相同，因此省略說明。
如圖8（a）所示，保管台12的構成、排列在保管台12上的半導體封裝體P4的尺寸及移送機構31的構成與實施形態2相同。因此，與實施形態2同樣地，半導體封裝體P4是具有球形電極30的BGA封裝體。半導體封裝體P4的尺寸在X方向及Y方向上均為相同的大小c。半導體封裝體P4在X方向及Y方向上均以間距c的間隔排列在保管台12上。
如圖8（b）所示，黏貼構件32具備具有多個第3開口部33的板狀構件34與具有多個第4開口部35的樹脂片36。板狀構件34所具有的第3開口部33與樹脂片36所具有的第4開口部35的大小相同。第3開口部33及第4開口部35在X方向及Y方向上均形成為相同的大小e。以樹脂片36的第4開口部35與板狀構件34的第3開口部33重疊的方式，在板狀構件34上安裝樹脂片36。第3開口部33的間距及第4開口部35的間距在X方向及Y方向上均形成為相同的間距d。因此，在黏貼構件32中，未形成實施形態2中所形成的樹脂片的突出部。
關於將半導體封裝體P4從保管台12移送至黏貼構件32上，並將半導體封裝體P4的外周緣部黏貼在配置於第4開口部35的外周部的樹脂片36上的動作，基本上與實施形態2相同，因此省略說明。另外，在實施形態3中也取得與實施形態2相同的效果。再者，與實施形態2同樣地，也可以設為在板狀構件34的外周上進一步設置金屬製等的框狀構件，並將此框狀構件作為支撐基座的構成。
[實施形態4] 參照圖9～圖11，對使半導體封裝體P4與實施形態2中所示的黏貼構件29的開口部對位，而將半導體封裝體P4高精度地黏貼在黏貼構件29上的方法進行說明。對位以外的動作與實施形態2相同，因此省略說明。再者，此處為了使說明變得簡單，作為基本構成，對將移動機構20、第1照相機37及第2照相機38分別設為1個的構成進行說明，關於設置有兩個移動機構的構成，將後述。
（利用照相機的對位機構） 參照圖9對使用兩台照相機的對位機構進行說明。如圖9所示，在移送機構20上設置第1照相機37作為用以拍攝黏貼構件29的開口部（形成在樹脂片27上的第2開口部28及形成在板狀構件25上的第1開口部24）的拍攝機構。在移送機構20中設置7個吸附部23。在圖9～圖10（a）、圖10（b）中，為便於說明，對設置有1個移送機構20的情況進行說明。
第1照相機37是以相對於移送機構20固定的狀態安裝。在此情況下，在移送機構20進行移動的X軸方向上在相鄰的位置上安裝有第1照相機37。第1照相機37只要以相對於移送機構20固定的狀態安裝即可，也可以安裝在移送機構20的在Y軸方向上相鄰的位置上。
在移送機構20的下方設置用以拍攝吸附在移送機構20的吸附部23上的半導體封裝體P4的第2照相機38。第2照相機38通過驅動機構（未圖示）而可在Y方向上移動。
（利用照相機的對位方法） 參照圖10（a）、圖10（b），對將半導體封裝體P4相對於黏貼構件29的開口部高精度地黏貼的方法進行說明。如圖10（a）所示，移送機構20將半導體封裝體P4吸附在吸附部23上，並正在從保管台12的上方朝黏貼構件29的上方移動。此情況下的半導體封裝體P4為BGA封裝體，在半導體封裝體P4的基板側（背面側）形成有球形電極30。在移送機構20移動的過程中，使用第2照相機38從下方拍攝半導體封裝體P4。拍攝半導體封裝體P4，而取得半導體封裝體P4的位置資料。
繼而，如圖10（b）所示，在黏貼構件29的上方，安裝在移送機構20上的第1照相機37拍攝黏貼構件29的開口部（形成在樹脂片27上的第2開口部28或形成在板狀構件25上的第1開口部24）。拍攝黏貼構件29的開口部，而取得開口部的位置資料。第1照相機37所拍攝的黏貼構件29的開口部可作為形成在板狀構件25上的第1開口部24及形成在樹脂片27上的第2開口部28的至少一者。
要求將形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內，並將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上。存在因球形電極30碰撞板狀構件25的端部而損傷球形電極30之虞。因此，重要的是高精度地進行半導體封裝體P4與形成在板狀構件25上的第1開口部24的對位。
由第2照相機38所拍攝的半導體封裝體P4的位置資料及由第1照相機37所拍攝的黏貼構件29的開口部的位置資料均被發送至切斷裝置1的控制部CTL（參照圖1）中。控制部CTL根據半導體封裝體P4的位置資料與黏貼構件29的開口部的位置資料，進行相對於黏貼構件29的開口部的半導體封裝體P4對位。如此，通過使用兩台照相機進行對位，可將半導體封裝體P4相對於黏貼構件29的開口部高精度地黏貼。因此，可將形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30確實地納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內。
具體而言，半導體封裝體P4與黏貼構件29的開口部的對位通過移送機構20朝X方向的移動、及載置有黏貼構件29的黏貼台18朝Y方向的移動來進行。在黏貼台18中，黏貼構件29通過排列機構19（參照圖1）而在X方向及Y方向上均進行了排列，因此可高精度地進行半導體封裝體P4與黏貼構件29的開口部的對位。因此，可將半導體封裝體P4相對於黏貼構件29的開口部高精度地黏貼。進而，若有必要，則也可以設置使黏貼台18旋轉的旋轉機構。
再者，利用第1照相機37的黏貼構件29的開口部的拍攝、及利用第2照相機38的半導體封裝體P4的拍攝只要在利用移送機構20的吸附部23吸附半導體封裝體P4之後、且在將半導體封裝體P4黏貼在黏貼構件29上之前即可。關於這些拍攝的順序，可在利用第1照相機37的拍攝後進行利用第2照相機38的拍攝，也可以在利用第1照相機37的拍攝前進行利用第2照相機38的拍攝。
對例如如圖4所示那樣設置兩個移送機構20的情況進行說明。當設置有兩個移送機構20時，可對應於移送機構20a設置合計兩個第1照相機37a及第2照相機38a，對應於移送機構20b設置合計兩個第1照相機37b及第2照相機38b，也可以在移送機構20a、移送機構20b兩者上設置共用的1個第1照相機37及1個第2照相機38。當使兩個移送機構20a、移送機構20b共用第1照相機37及第2照相機38時，只要設為以固定在兩個移送機構20a、20b中的一者上的狀態安裝第1照相機37，並使第2照相機38可在圖9的Y軸方向上移動的構成即可。例如，只要利用1個第1照相機37取得對應於兩個移送機構20a、20b的黏貼構件29的開口部的拍攝資料，並根據此拍攝資料生成對應於兩個移送機構20a、20b的黏貼構件29的開口部的座標資料即可。作為此處的利用第1照相機37及第2照相機38取得拍攝資料的順序，例如也可以設為利用第2照相機38拍攝吸附在移送機構20a上的半導體封裝體P4、利用第1照相機37拍攝對應於移送機構20a、移送機構20b的黏貼構件29的開口部、利用第2照相機38拍攝吸附在移送機構20b上的半導體封裝體P4這一順序。
（紅外線照相機的構成） 參照圖11對圖10（a）、圖10（b）中所示的第1照相機37的構成進行說明。如圖11所示，第1照相機37例如具備紅外光源39與分束器（beam splitter）40及紅外線拍攝元件41。分束器40是用以如後述那樣使入射光42b與反射光43變成同軸的光學構件。作為此光學構件，只要是分束器、半透明反射鏡（half mirror）等可通過使紅外光42a反射並使反射光43透過來使入射光42b與反射光43變成同軸者即可。第1照相機37是所謂的使用同軸照明的紅外線照相機。再者，紅外光源39只要是將可由紅外線拍攝元件41拍攝的紅外區域的光作為至少一部分而發出的光源即可，並不意味著僅為只發出紅外區域的光的光源。
（利用紅外線照相機的拍攝方法） 參照圖11，對使用第1照相機37，例如拍攝形成在黏貼構件29的板狀構件25上的第1開口部24的方法進行說明。首先，在-X方向上從紅外光源39朝分束器40照射紅外光42a。從紅外光源39所照射的紅外光42a通過分束器40來將前進方向改變90度而在-Z方向上前進。
通過分束器40來將前進方向改變成-Z方向的紅外光42b入射至樹脂片27中。當樹脂片27例如由聚醯亞胺樹脂形成時，樹脂片27著色成黃色。紅外光42b透過著色成黃色的樹脂片27。其結果，紅外光42b在-Z方向上入射至金屬製的板狀構件25的平坦的表面中，並生成朝+Z方向反射的反射光43。由板狀構件25反射的反射光43透過分束器40而入射至紅外線拍攝元件41中。通過入射至紅外線拍攝元件41中的反射光43來識別板狀構件25的位置。因此，可高精度地特定形成在板狀構件25上的第1開口部24的位置。由此，可高精度地進行半導體封裝體P4與形成在板狀構件25上的第1開口部24的對位。因此，可將半導體封裝體P4相對於黏貼構件29的開口部高精度地黏貼。可將形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30確實地納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內。
（作用效果） 根據本實施形態，在移送機構20上安裝用以拍攝黏貼構件29的開口部的第1照相機37。在移送機構20的下方設置用以拍攝吸附在移送機構20的吸附部23上的半導體封裝體P4的第2照相機38。根據由第2照相機38所拍攝的半導體封裝體P4的位置資料與由第1照相機37所拍攝的黏貼構件29的開口部的位置資料，相對於黏貼構件29的開口部進行半導體封裝體P4的對位。通過進行對位，可將半導體封裝體P4相對於黏貼構件29的開口部高精度地黏貼。由此，可將形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內。因此，可抑制球形電極30碰撞板狀構件25的端部，並抑制損傷球形電極30。
根據本實施形態，第1照相機37具備紅外光源39與作為光學構件的分束器40及紅外線拍攝元件41。通過分束器40來將從紅外光源39所照射的紅外光42a的前進方向改變90度，而使紅外光42b入射至樹脂片27中。紅外光42b透過著色成黃色的樹脂片27並由金屬製的板狀構件25的表面反射而生成反射光43。由板狀構件25反射的反射光43透過分束器40而入射至紅外線拍攝元件41中。由此，紅外線拍攝元件41可高精度地識別板狀構件25的位置。因此，可高精度地進行半導體封裝體P4與形成在板狀構件25上的第1開口部24的對位。由此，可抑制球形電極30碰撞板狀構件25的端部，並抑制損傷球形電極30。
[實施形態5] （電子零件的製造方法） 參照圖12（a）～圖12（d），對在實施形態2中所示的黏貼在黏貼構件29上的半導體封裝體P4上形成電磁遮罩膜來製造電子零件的電子零件的製造方法進行說明。
如圖12（a）所示，將從切斷裝置1中取出的黏貼構件29例如載置在濺鍍裝置44的試樣台45上。在此狀態下，形成在半導體封裝體P4的基板側的球形電極30被納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內。因此，半導體封裝體P4的頂面與4個側面露出，但形成在半導體封裝體P4的基板側（背面側）的球形電極30為未露出的狀態。
繼而，如圖12（b）所示，在濺鍍裝置44中，在黏貼在黏貼構件29上的多個半導體封裝體P4上形成作為導電性膜的金屬膜46。由此，在半導體封裝體P4的表面側，即作為半導體封裝體P4的露出面的頂面及4個側面形成金屬膜46，但金屬膜46不會繞到半導體封裝體P4的背面側。因此，不會因金屬膜46進入形成在半導體封裝體P4的背面側的球形電極30與球形電極30之間而導致球形電極30彼此短路。球形電極30維持最初的狀態而受到保護。
雖然在半導體封裝體P4的頂面及4個側面形成金屬膜46，但半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間的間隔非常狹小而幾乎不形成金屬膜46。另外，即便形成有金屬膜46，也變成非常薄的金屬膜。進而，優選應用如在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間幾乎不形成金屬膜46的形成條件。作為金屬膜46，例如使用銅（Cu）、鋁（Al）、鎳（Ni）等。通過在半導體封裝體P4的表面側（頂面及4個側面）形成金屬膜46，可利用金屬膜46對相當於製品的半導體封裝體P4進行電磁遮罩。
在此情況下，通過濺鍍法，在黏貼在黏貼構件29上的半導體封裝體P4上形成金屬膜46。並不限定於此，作為形成金屬膜的方法，可使用真空蒸鍍法、離子鍍法等物理氣相成長法（物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）法），化學氣相成長法（化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法），鍍敷法，網版印刷法等。即便在使用這些方法的情況下，也優選應用如在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間幾乎不形成金屬膜的形成條件。再者，除金屬膜以外，也可以使用具有導電性的多孔質膜、具有導電性的樹脂膜等具有導電性的導電性膜。
繼而，如圖12（c）所示，從濺鍍裝置44中取出黏貼構件29。將在半導體封裝體P4上形成有金屬膜46的黏貼構件29暫時載置在平臺47上。
繼而，如圖12（d）所示，將黏貼在黏貼構件29的樹脂片27（突出部27a）上的半導體封裝體P4分別從黏貼構件29中取出。例如，從背面側向上頂半導體封裝體P4，由此從黏貼構件29中取出半導體封裝體P4。此時，由於形成在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間的金屬膜46非常薄，因此半導體封裝體P4可從此部分的金屬膜46上自動地分開而取出。以所述方式取出的具有金屬膜46的半導體封裝體P4成為具有電磁遮罩膜的電子零件48。因此，電子零件48可通過金屬膜46來減少放射噪音及入射噪音。
再者，由於形成在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間的金屬膜46非常薄，因此可將半導體封裝體P4從此部分自動地分開而取出。並不限定於此，也可以在從黏貼構件29中取出半導體封裝體P4前，例如事先使用鐳射或旋轉刀等將形成在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間的非常薄的金屬膜46去除。
（作用效果） 根據本實施形態，可在黏貼在黏貼構件29上的多個半導體封裝體P4上一併形成作為導電性膜的金屬膜46。雖然在半導體封裝體P4的頂面及4個側面形成金屬膜46，但金屬膜46不會繞到形成在半導體封裝體P4的背面側的球形電極30中。由於將半導體封裝體P4的背面側的球形電極30納入樹脂片27的第2開口部28及板狀構件25的第1開口部24內，因此球形電極30不會露出。由此，可在半導體封裝體P4的頂面及4個側面一併形成變成遮罩膜的金屬膜46。因此，可高效率地生產具有電磁遮罩膜的電子零件48。
根據本實施形態，以半導體封裝體P4與半導體封裝體P4的間隔變得狹小的方式排列多個半導體封裝體P4。由此，雖然在半導體封裝體P4的頂面及4個側面形成金屬膜46，但在半導體封裝體P4與半導體封裝體P4之間幾乎不形成金屬膜。因此，當從黏貼構件29中取出半導體封裝體P4時，可將半導體封裝體P4從此部分的金屬膜46上自動地分開而取出。因此，可削減製造具有電磁遮罩膜的電子零件48的步驟，並可降低製造成本。
在各實施形態中，表示將作為封裝體基板的具有矩形的形狀的封裝體基板切斷的情況。並不限定於此，即便在將如半導體晶片那樣的實質上具有圓形的形狀的封裝體基板切斷的情況下，也可以應用以上所說明的內容。
如以上那樣，將所述實施形態的切斷裝置設為如下的構成，即具備切斷機構，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管台，保管由切斷機構切斷的半導體封裝體；多個移送機構，吸附半導體封裝體並將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上；控制部，至少控制移送機構的動作；多個移送機構具備多個吸附部，控制部進行如下的控制：在多個吸附部吸附有半導體封裝體的狀態下，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離。
根據此構成，在將封裝體基板切斷成多個半導體封裝體後，將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上時，可謀求生產性的提升。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即多個吸附部的相互的間隔可變，且控制部進行如下的控制：在多個吸附部吸附有半導體封裝體的狀態下調整多個吸附部的相互的間隔，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離。
根據此構成，可提升黏貼在黏貼構件上的半導體封裝體的位置精度。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即黏貼構件具備框狀構件、及以覆蓋框狀構件的內側的開口的方式安裝在框狀構件上的樹脂片。
根據此構成，可減輕黏貼構件的重量。因此，可容易地進行黏貼構件的搬送。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即黏貼構件具備具有多個第1開口部的板狀構件，及具有多個第2開口部，並以第2開口部對應於第1開口部的方式安裝在板狀構件上的樹脂片。此處，第1開口部與第2開口部的大小可相同、或第1開口部的大小比第2開口部的大小大。
根據此構成，例如可將半導體封裝體的突起狀的電極納入樹脂片的第2開口部及板狀構件的第1開口部內。由此，可抑制損傷突起狀的電極。因此，可抑制因突起狀的電極的破損而產生半導體封裝體的外觀不良或可靠性不良。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即具備使黏貼構件排列在黏貼臺上的排列機構或對黏貼構件進行定位的定位機構。
根據此構成，可將黏貼構件高精度地排列或定位在黏貼臺上來載置。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即移送機構具備用以拍攝第1開口部或第2開口部的第1照相機，且設置用以從下方拍攝吸附在吸附部上的半導體封裝體的第2照相機。
根據此構成，可相對於黏貼構件的開口部高精度地進行半導體封裝體的對位。因此，可抑制突起狀的電極碰撞板狀構件的端部，並抑制損傷突起狀的電極。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即第1照相機具備紅外光源、紅外線拍攝元件、及用以使從紅外光源穿過樹脂片而入射至板狀構件中的入射光與入射光由板狀構件反射的反射光變成同軸的光學構件。
根據此構成，可相對於形成在黏貼構件的板狀構件上的第1開口部高精度地進行半導體封裝體的對位。因此，可抑制突起狀的電極碰撞板狀構件的端部，並抑制損傷突起狀的電極。
進而，在所述實施形態的切斷裝置中設為如下的構成，即半導體封裝體具備樹脂部與多個突起狀的電極。
根據此構成，可不損傷半導體封裝體的突起狀的電極，而將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上。
所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法包括：切斷步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管步驟，在保管臺上保管半導體封裝體；移送步驟，利用設置在多個移送機構上的多個吸附部吸附半導體封裝體，並將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件的上方；以及黏貼步驟，使多個移送機構依次動作，將吸附在吸附部上的半導體封裝體按壓在黏貼構件上並解除利用吸附部的吸附，而使吸附部與黏貼構件分離，由此將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上。
根據此方法，在將封裝體基板切斷成多個半導體封裝體後，將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上時，可謀求生產性的提升。
進而，在所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法中，進而包含調整吸附有半導體封裝體的狀態的多個吸附部的相互的間隔的間隔調整步驟，且在間隔調整步驟後進行黏貼步驟。
根據此方法，可提升黏貼在黏貼構件上的半導體封裝體的位置精度。
進而，在所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法中，黏貼構件以覆蓋框狀構件的內側的開口的方式安裝有樹脂片，且在黏貼步驟中，將半導體封裝體黏貼在樹脂片上。
根據此方法，可減輕黏貼構件的重量。因此，可容易地進行黏貼構件的搬送。
進而，在所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法中，黏貼構件具備具有多個第1開口部的板狀構件，及具有多個第2開口部，並以第2開口部對應於第1開口部的方式安裝在板狀構件上的樹脂片，且在黏貼步驟中，將半導體封裝體黏貼在配置於第2開口部的外周部的樹脂片上。
根據此方法，例如可將半導體封裝體的突起狀的電極納入樹脂片的第2開口部及板狀構件的第1開口部內。由此，可抑制損傷突起狀的電極。因此，可抑制因突起狀的電極的破損而產生半導體封裝體的外觀不良或可靠性不良。
進而，在所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法中，在移送步驟中利用吸附部吸附半導體封裝體之後、且在黏貼步驟中將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上之前，包括從下方拍攝吸附在吸附部上的半導體封裝體的第1拍攝步驟、及從上方拍攝第1開口部或第2開口部的第2拍攝步驟，黏貼步驟包括根據第1拍攝步驟中所拍攝的半導體封裝體的拍攝資料、及第2拍攝步驟中所拍攝的第1開口部或第2開口部的拍攝資料，進行相對於第1開口部或第2開口部的半導體封裝體的對位的步驟。
根據此方法，可相對於黏貼構件的開口部高精度地進行半導體封裝體的對位。因此，可抑制突起狀的電極碰撞板狀構件的端部，並抑制損傷突起狀的電極。
進而，在所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法中，半導體封裝體具備樹脂部與多個突起狀的電極。
根據此方法，可不損傷半導體封裝體的突起狀的電極，而將半導體封裝體黏貼在黏貼構件上。
進而，電子零件的製造方法是在通過所述實施形態的半導體封裝體的黏貼方法而黏貼在黏貼構件上的半導體封裝體上形成導電性膜。
根據此方法，可在半導體封裝體的頂面及4個側面形成導電性膜。因此，可通過導電性膜來對半導體封裝體進行電磁遮罩。
對本發明的實施形態進行了說明，但本次所揭示的實施形態應認為在所有方面均為例示而非進行限制者。本發明的範圍由發明申請專利範圍表示，且意圖包含與發明申請專利範圍均等的含義及範圍內的所有變更。
1‧‧‧切斷裝置
2‧‧‧經密封基板（封裝體基板）
3‧‧‧封裝體基板供給部
4‧‧‧切斷台
5‧‧‧移動機構
6‧‧‧旋轉機構
7‧‧‧主軸（切斷機構）
8‧‧‧旋轉刀
9‧‧‧檢查台
10‧‧‧經切斷基板
11‧‧‧檢查用的照相機
12‧‧‧保管台
13‧‧‧黏貼構件供給部
14‧‧‧開口部（開口）
15‧‧‧框狀構件
16‧‧‧樹脂片
17‧‧‧黏貼構件
18‧‧‧黏貼台
19‧‧‧排列機構
20、20a、20b‧‧‧移送機構
21‧‧‧真空泵
22‧‧‧吸附孔
23、23a、23b、23c、23d、23e、23f、23g‧‧‧吸附部
24‧‧‧第1開口部
25、34‧‧‧板狀構件
26‧‧‧區域
27、36‧‧‧樹脂片
27a‧‧‧突出部
28‧‧‧第2開口部
29、32‧‧‧黏貼構件
30‧‧‧球形電極
31‧‧‧移送機構
33‧‧‧第3開口部（第1開口部）
35‧‧‧第4開口部（第2開口部）
37、37a、37b‧‧‧第1照相機
38、38a、38b‧‧‧第2照相機
39‧‧‧紅外光源
40‧‧‧分束器（光學構件）
41‧‧‧紅外線拍攝元件
42a‧‧‧紅外光
42b‧‧‧紅外光（入射光）
43‧‧‧反射光
44‧‧‧濺鍍裝置
45‧‧‧試樣台
46‧‧‧金屬膜（導電性膜）
47‧‧‧平臺
48‧‧‧電子零件
A‧‧‧供給模組
B‧‧‧切斷模組
C‧‧‧檢查模組
D‧‧‧黏貼模組
P、P0、P1、P2、P3、P4‧‧‧半導體封裝體
CTL‧‧‧控制部
CL‧‧‧中心線
R1、R2‧‧‧搬送軌道
L‧‧‧與中心線的距離
G1、G2、G3、G4、G5、G6、 、G14、G15‧‧‧群組
a、c、e‧‧‧大小
a、b、c、d‧‧‧間距
f‧‧‧長度
g‧‧‧距離
X、Y、Z、θ‧‧‧方向
本發明的所述及其他目的、特徵、局面及優點將根據與隨附的圖式相關聯來理解的關於本發明的以下的詳細說明而變得明確。
圖1是表示本發明的切斷裝置中，裝置的概要的平面圖。 圖2（a）～圖2（c）是表示實施形態1中，將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上進行黏貼的動作的概略剖面圖。 圖3（a）～圖3（c）是表示實施形態1中，將下一個半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上進行黏貼的動作的概略剖面圖。 圖4是表示實施形態1中，即將使用兩個移送機構移送半導體封裝體之前的狀態的平面圖。 圖5是表示實施形態1中，正使用兩個移送機構移送半導體封裝體的狀態的平面圖。 圖6（a）～圖6（c）是表示實施形態2中所使用的黏貼構件的概略圖，（a）是表示板狀構件的平面圖，（b）是表示樹脂片的平面圖，（c）是表示黏貼構件的概略剖面圖。 圖7（a）～圖7（c）是表示實施形態2中，將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上進行黏貼的動作的概略剖面圖。 圖8（a）～圖8（c）是表示實施形態3中，將半導體封裝體從保管台移送至黏貼構件上進行黏貼的動作的概略剖面圖。 圖9是表示實施形態4中，設置在移送機構上的第1照相機與設置在移送機構的下方的第2照相機的平面圖。 圖10（a）是表示實施形態4中，第2照相機拍攝半導體封裝體的狀態的概略圖，圖10（b）是表示實施形態4中，第1照相機拍攝黏貼構件的開口部的狀態的概略圖。 圖11是表示實施形態4中，使用第1照相機拍攝板狀構件的開口部的狀態的概略圖。 圖12（a）～圖12（d）是表示在實施形態2中黏貼在黏貼構件上的半導體封裝體上形成導電性膜來製造電子零件的步驟的概略剖面圖。

Claims (17)

  1. 一種切斷裝置，包括：切斷機構，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管台，保管由所述切斷機構切斷的所述半導體封裝體；多個移送機構，吸附所述半導體封裝體並將所述半導體封裝體從所述保管台移送至黏貼構件上；控制部，至少控制所述移送機構的動作；所述多個移送機構具備多個吸附部，所述控制部進行如下的控制：在所述多個吸附部吸附有所述半導體封裝體的狀態下，使所述多個移送機構依次動作，將吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體按壓在所述黏貼構件上並解除利用所述吸附部的吸附，而使所述吸附部與所述黏貼構件分離，所述黏貼構件具備框狀構件、及以覆蓋所述框狀構件的內側的開口的方式安裝在所述框狀構件上的樹脂片。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的切斷裝置，其中所述多個吸附部的相互的間隔可變，所述控制部進行如下的控制：在所述多個吸附部吸附有所述半導體封裝體的狀態下調整所述多個吸附部的相互的間隔，使所述多個移送機構依次動作，將吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體按壓在所述黏貼構件上並解除利用所述吸附部的吸附，而使所述吸附部與所述黏貼構件分離。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的切斷裝置，其包括使所述黏貼構件排列在黏貼臺上的排列機構或對所述黏貼構件進行定位的定位機構。
  4. 一種切斷裝置，包括：切斷機構，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管台，保管由所述切斷機構切斷的所述半導體封裝體；多個移送機構，吸附所述半導體封裝體並將所述半導體封裝體從所述保管台移送至黏貼構件上；控制部，至少控制所述移送機構的動作；所述多個移送機構具備多個吸附部，所述控制部進行如下的控制：在所述多個吸附部吸附有所述半導體封裝體的狀態下，使所述多個移送機構依次動作，將吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體按壓在所述黏貼構件上並解除利用所述吸附部的吸附，而使所述吸附部與所述黏貼構件分離，所述黏貼構件具備具有多個第1開口部的板狀構件，及具有多個第2開口部，並以所述第2開口部對應於所述第1開口部的方式安裝在所述板狀構件上的樹脂片。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的切斷裝置，其中所述多個吸附部的相互的間隔可變，所述控制部進行如下的控制：在所述多個吸附部吸附有所述半導體封裝體的狀態下調整所述多個吸附部的相互的間隔，使所述多個移送機構依次動作，將吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體按壓在所述黏貼構件上並解除利用所述吸附部的吸附，而使所述吸附部與所述黏貼構件分離。
  6. 如申請專利範圍第4項所述的切斷裝置，其中所述第1開口部與所述第2開口部的大小相同、或所述第1開口部的大小比所述第2開口部的大小大。
  7. 如申請專利範圍第4項所述的切斷裝置，其包括使所述黏貼構件排列在黏貼臺上的排列機構或對所述黏貼構件進行定位的定位機構。
  8. 如申請專利範圍第4項所述的切斷裝置，其中所述移送機構具備用以拍攝所述第1開口部或所述第2開口部的第1照相機，且設置用以從下方拍攝吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體的第2照相機。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的切斷裝置，其中所述第1照相機具備紅外光源、紅外線拍攝元件、及用以使從所述紅外光源穿過所述樹脂片而入射至所述板狀構件中的入射光與所述入射光由所述板狀構件反射的反射光變成同軸的光學構件。
  10. 如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的切斷裝置，其中所述半導體封裝體具備樹脂部與多個突起狀的電極。
  11. 一種半導體封裝體的黏貼方法，包括：切斷步驟，將多個半導體晶片經樹脂密封的封裝體基板切斷成多個半導體封裝體；保管步驟，在保管臺上保管所述半導體封裝體；移送步驟，利用設置在多個移送機構上的多個吸附部吸附所述半導體封裝體，並將所述半導體封裝體從所述保管台移送至黏貼構件的上方；以及黏貼步驟，使所述多個移送機構依次動作，將吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體按壓在所述黏貼構件上並解除利用所述吸附部的吸附，而使所述吸附部與所述黏貼構件分離，由此將所述半導體封裝體黏貼在所述黏貼構件上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述的半導體封裝體的黏貼方法，更包括調整吸附有所述半導體封裝體的狀態的所述多個吸附部的相互的間隔的間隔調整步驟，且在所述間隔調整步驟後進行所述黏貼步驟。
  13. 如申請專利範圍第11項所述的半導體封裝體的黏貼方法，其中所述黏貼構件以覆蓋框狀構件的內側的開口的方式安裝有樹脂片，且在所述黏貼步驟中，將所述半導體封裝體黏貼在所述樹脂片上。
  14. 如申請專利範圍第11項所述的半導體封裝體的黏貼方法，其中所述黏貼構件具備具有多個第1開口部的板狀構件，及具有多個第2開口部，並以所述第2開口部對應於所述第1開口部的方式安裝在所述板狀構件上的樹脂片，且在所述黏貼步驟中，將所述半導體封裝體黏貼在配置於所述第2開口部的外周部的所述樹脂片上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的半導體封裝體的黏貼方法，其中在所述移送步驟中利用所述吸附部吸附所述半導體封裝體之後、且在所述黏貼步驟中將所述半導體封裝體黏貼在所述黏貼構件上之前，包括從下方拍攝吸附在所述吸附部上的所述半導體封裝體的第1拍攝步驟、及從上方拍攝所述第1開口部或所述第2開口部的第2拍攝步驟，所述黏貼步驟包括根據所述第1拍攝步驟中所拍攝的所述半導體封裝體的拍攝資料、及所述第2拍攝步驟中所拍攝的所述第1開口部或所述第2開口部的拍攝資料，進行相對於所述第1開口部或所述第2開口部的所述半導體封裝體的對位的步驟。
  16. 如申請專利範圍第11項至第15項中任一項所述的半導體封裝體的黏貼方法，其中所述半導體封裝體具備樹脂部與多個突起狀的電極。
  17. 一種電子零件的製造方法，其在通過如申請專利範圍第11項至第16項中任一項所述的半導體封裝體的黏貼方法而黏貼在所述黏貼構件上的狀態的所述半導體封裝體上形成導電性膜。
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