TWI658494B - 基板處理裝置 - Google Patents

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TWI658494B
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田中裕二
松尾友宏
石井丈晴
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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

基板處理裝置具備處理容器、銷、密封外殼、密封構件及排氣埠。處理容器具有開口。銷通過開口跨及處理容器之內部及處理容器之外部而配置，且於銷之軸心方向往復移動。密封外殼配置於處理容器之外部，於開口之周圍與處理容器密接，並且收容銷之一部分。密封構件與密封外殼之內周面密接，且可對銷滑動地與銷之外周面密接。排氣埠與密封外殼連通連接。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。基板係半導體晶圓、光罩用基板、液晶顯示用基板、電漿顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence，電致發光)用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、太陽電池用基板等。
日本專利特開2014-22570號公報係揭示對基板進行熱處理之基板處理裝置。基板處理裝置具備板及蓋。基板係載置於板。板係將板上之基板加熱。板之上方之空間係處理基板之處理空間。蓋可移動至上方位置及下方位置。於蓋位於上方位置時，處理空間開放。於蓋位於下方位置時，處理空間密閉。
板包含貫通孔、凹部及密封構件。貫通孔形成於板內。凹部形成於貫通孔之上端。密封構件安裝於凹部。密封構件例如為O型環。
基板處理裝置具備支持銷及支持銷升降機構。支持銷配置於貫通孔。支持銷具有前端部。前端部具有圓板形狀。支持銷具有位於板之下方之基端部。支持銷升降機構與支持銷之基端部連接。支持銷升降機構使支持銷移動至上方位置及下方位置。於支持銷位於上方位置時，支持銷之前 端部位於較板更靠上方。於支持銷位於上方位置時，支持銷支持基板。於支持銷位於下方位置時，支持銷之前端部收容於凹部。於支持銷位於下方位置時，支持銷之前端部介隔密封構件而與凹部密接。藉由支持銷之前端部與密封構件之密接，支持銷之前端部將處理空間與貫通孔分隔。處理空間與貫通孔被遮斷。
基板處理裝置具備導入口及排氣孔。導入孔對處理空間導入溶劑及惰性氣體。排氣孔將處理空間之氣體排出。
進行基板處理裝置之熱處理之順序係如下所述。首先，將基板搬入至處理空間。具體而言，蓋移動至上方位置。藉此，將處理空間開放。支持銷移動至上方位置，自外部搬送機構接收基板。其後，支持銷移動至下方位置。藉此，將基板載置於板上。支持銷介隔密封構件而與凹部密接。處理空間與貫通孔被遮斷。其後，蓋移動至下方位置。藉此，將處理空間密閉。
繼而，對基板進行熱處理。具體而言，導入孔對處理空間供給溶劑，且板將基板加熱。板加熱基板之溫度於常溫以上且250度以下之範圍內調整。進而，排氣孔將氣體自處理空間排出。藉此，處理空間之氣體之壓力成為負壓。
於開始熱處理後經過特定時間之後，將處理空間之溶劑置換為惰性氣體。具體而言，導入孔停止溶劑之供給，且對處理空間供給惰性氣體。
繼而，將基板自處理空間搬出。具體而言，排氣孔停止氣體之排出。藉此，處理空間之氣體壓力恢復為常壓。其後，蓋移動至上方位置。藉此，將處理空間開放。支持銷一邊支持基板一邊朝上方位置移動。外部搬送機構自支持銷接收基板。
於先前例之基板處理裝置中，存在於處理條件嚴苛之情形時處理空間之氣密性下降之虞。
例如，於以更高之溫度將基板加熱之情形時，存在處理空間之氣密性下降之虞。具體而言，於板以更高之溫度將基板加熱之情形時，密封構件成為過度高溫。若密封構件成為過度高溫，則密封構件劣化。若密封構件劣化，則支持銷之前端部無法適當地與凹部密接。即，若密封構件劣化，則處理空間之氣密性下降。
例如，於降低處理空間之氣體壓力之情形時，存在處理空間之氣密性下降之虞。具體而言，於降低處理空間之氣體壓力之情形時，貫通孔之氣體壓力相較處理空間之氣體壓力變得相對較高。因處理空間與貫通孔之間之壓力差，向上之力作用於支持銷之前端部。處理空間與貫通孔之間之壓力差越大，作用於支持銷之前端部之向上之力變得越大。若作用於支持銷之前端部之向上之力變大，則存在支持銷之前端部自密封構件升起之虞。若支持銷之前端部自密封構件升起，則處理空間與貫通孔連通。若處理空間與貫通孔連通，則處理空間之氣密性下降。
本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可提昇處理容器之氣密性之基板處理裝置。
本發明為了達成此種目的而採取如下構成。
即，本發明係基板處理裝置，其具備：處理容器，其具有第1開口，且對基板進行處理；第1軸構件，其通過上述第1開口，跨及上述處理容器 之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第1軸構件之軸心方向往復移動；第1密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第1開口之周圍，與上述處理容器密接，且收容上述第1軸構件之一部分；第1密封構件，其與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第1軸構件滑動地與上述第1軸構件之外周面密接；及第1排氣埠，其與上述第1密封外殼連通連接，用以排出上述第1密封外殼內之氣體。
第1密封外殼收容第1軸構件之一部分。第1密封外殼於第1開口之周圍與處理容器密接。進而，第1密封外殼與第1密封構件密接。第1密封構件與第1軸構件密接。因此，處理容器之第1開口藉由第1密封外殼及第1密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第1軸構件相對於第1密封構件滑動，仍維持第1軸構件與第1密封構件之密接。因此，即便第1軸構件往復移動，仍可較佳地維持處理容器之氣密性。
因第1密封外殼配置於處理容器之外部，故第1密封構件亦配置於處理容器之外部。因第1密封構件配置於處理容器之外部，故第1密封構件不直接地接收處理容器內之熱。即，可較佳地保護第1密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第1密封構件之劣化。即，可較佳地維持第1密封構件之密封功能。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
如上所述，根據本基板處理裝置，可提昇處理容器之氣密性。
進而，第1密封外殼與第1排氣埠連通連接。第1密封外殼內之氣體通過第1排氣埠排出至第1密封外殼之外部。因此，可防止塵埃或外部氣體等異物通過第1開口流入處理容器內。因此，可較佳地管理處理容器內之氛圍。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封構件為金屬製。因第1密封構件為金屬製，故第1密封構件具有較高之耐熱性。因此，第1密封構件可進一步較佳地維持密封功能。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述處理容器與上述第1密封外殼經由上述第1開口而連通。處理容器之內部與第1密封外殼之內部連通。因此，可通過排氣埠排出處理容器內之氣體。因此，可進一步容易地對處理容器之內部減壓。進而，可進一步較佳地管理處理容器內之氛圍。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述基板處理裝置具備配置於上述處理容器之內部且將基板加熱之加熱部，上述加熱部具有形成於上述加熱部之內部之貫通孔，且上述第1軸構件配置於上述貫通孔。因第1軸構件配置於加熱部之貫通孔，故第1軸構件直接地接收加熱部之熱。然而，因第1密封構件配置於處理容器之外部，故第1密封構件不直接地接收加熱部之熱。即，可較佳地保護第1密封構件免受加熱部之熱。因此，即便第1軸構件為相對高溫，第1密封構件亦可不劣化而適當地密接於第1軸構件。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。如此一來，於第1軸構件配置於加熱部之貫通孔之情形時，本基板處理裝置之有用性尤其高。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封外殼與上述貫通孔連通。貫通孔與第1密封外殼之內部連通。因此，可通過排氣埠排出貫通孔之氣體。因此，可較佳地管理貫通孔之氣體。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備第2軸構件，該第2軸構件係通過上述第2開口跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸 心方向往復移動，上述第1密封外殼係於上述第2開口之周圍，與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分，上述基板處理裝置具備第2密封構件，該第2密封構件與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接。
第1密封外殼收容第2軸構件之一部分。第1密封外殼於第2開口之周圍，與處理容器密接。進而，第1密封外殼與第2密封構件密接。第2密封構件與第2軸構件密接。因此，處理容器之第1開口及第2開口藉由第1密封外殼、第1密封構件及第2密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第2軸構件相對於第2密封構件滑動，亦維持第2軸構件與第2密封構件之密接。因此，即便第2軸構件往復移動，亦可較佳地維持處理容器之氣密性。
1個第1密封外殼收容2個軸構件(即，第1軸構件與第2軸構件)。1個第1密封外殼與2個密封構件(即，第1密封構件及第2密封構件)密接。因此，於1個第1密封外殼內，可進行2個軸封(即，第1軸構件之密封與第2軸構件之密封)。因此，可簡化基板處理裝置之構造。
因第1密封外殼配置於處理容器之外部，故第2密封構件亦配置於處理容器之外部。因第2密封構件配置於處理容器之外部，故可較佳地保護第2密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
第1密封外殼內之氣體通過第1排氣埠排出至第1密封外殼之外部。因此，可防止塵埃或外部氣體等異物通過第1開口及第2開口中之至少任一開口流入處理容器內。因此，可較佳地管理處理容器內之氛圍。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封外殼具備：集合部， 其於上述第1開口之周圍及上述第2開口之周圍，與上述處理容器密接；第1筒部，其與上述集合部連通連接；及第2筒部，其與上述集合部連通連接；上述第1軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第1筒部，上述第2軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第2筒部，上述第1密封構件與上述第1筒部之內周面密接，上述第2密封構件與上述第2筒部之內周面密接，且上述第1排氣埠與上述集合部連通連接。
因第1密封外殼具備第1筒部，故可將第1密封構件適當地設置於第1筒部內。因第1密封外殼具備第2筒部，故可將第2密封構件適當地設置於第2筒部內。因第1密封外殼具備集合部，故可使集合部之內部、第1筒部之內部及第2筒部之內部較佳地連通。因排氣埠與集合部連通連接，故可通過1個第1排氣埠將集合部內之氣體、第1筒部內之氣體及第2筒部內之氣體排出。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1筒部可自上述集合部分離，且上述第2筒部可自上述集合部分離。因第1筒部可自集合部分離，故可將第1筒部、第1密封構件及第1軸構件一體地自集合部分離。因此，可不將第1密封構件自第1筒部及第1軸構件分離而進行基板處理裝置之維護。因此，可降低第1密封構件之更換頻率。同樣地，因第2筒部可自集合部分離，故可將第2筒部、第2密封構件及第2軸構件一體地自集合部分離。因此，可不將第2密封構件自第2筒部及第2軸構件分離而進行基板處理裝置之維護。因此，可降低第2密封構件之更換頻率。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述集合部具有第1管部，該第1管部係跨及上述第1軸構件與上述第2軸構件之間而於與上述第1軸構件之上述軸心方向大致正交之方向延伸。因第1管部於與第1軸構件之軸心方向 大致正交之方向延伸，故可使第1管部之長度相對較短。因此，可簡化集合部之構造。
於上述基板處理裝置中，較佳為，具備配置於上述第1密封外殼之附近之冷卻部。冷卻部將第1密封外殼冷卻。因第1密封外殼與第1密封構件密接，故冷卻部亦可將第1密封構件冷卻。即，可抑制第1密封構件之溫度過度地成為高溫。因此，可較佳地防止第1密封構件之劣化。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
本發明係基板處理裝置，其具備：處理容器，其具有第1開口，對基板進行處理；第1軸構件，其通過上述第1開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第1軸構件之軸心方向往復移動；密封機構，其一邊容許上述第1軸構件之往復移動，一邊將上述第1開口密閉；及冷卻部，其配置於上述密封機構之附近；上述密封機構具備：第1密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第1開口之周圍，與上述處理容器密接，且收容上述第1軸構件之一部分；及第1密封構件，其與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第1軸構件滑動地與上述第1軸構件之外周面密接。
第1密封外殼收容第1軸構件之一部分。第1密封外殼於第1開口之周圍與處理容器密接。進而，第1密封外殼與第1密封構件密接。第1密封構件與第1軸構件密接。因此，處理容器之第1開口藉由第1密封外殼及第1密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第1軸構件相對於第1密封構件滑動，亦維持第1軸構件與第1密封構件之密接。因此，即便第1軸構件往復移動，亦可較佳地維持處理容器之氣密性。
因第1密封外殼配置於處理容器之外部，故第1密封構件亦配置於處理容器之外部。因第1密封構件配置於處理容器之外部，故第1密封構件不直接地接收處理容器內之熱。即，可較佳地保護第1密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第1密封構件之劣化。即，可較佳地維持第1密封構件之密封功能。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
因冷卻部配置於密封機構之附近，故而冷卻部可較佳地將第1密封外殼及第1密封構件冷卻。即，可抑制第1密封構件之溫度過度地成為高溫。因此，可較佳地防止第1密封構件之劣化。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
如上所述，根據本基板處理裝置，可提昇處理容器之氣密性。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述冷卻部以包圍上述第1密封外殼之方式配置。因冷卻部包圍上述第1密封外殼，故而冷卻部可將第1密封外殼於較大之區域中冷卻。因此，冷卻部可有效地將第1密封外殼冷卻。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述冷卻部包含供冷卻水流動之冷卻流路。因冷卻部包含冷卻流路，故而第1密封外殼之熱高效率地傳遞至冷卻水。因此，冷卻部可有效地將第1密封外殼冷卻。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封外殼為金屬製。因第1密封外殼為金屬製，故而冷卻部可有效地將第1密封外殼冷卻。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封構件為金屬製。因第1密封構件為金屬製，故而冷卻部可有效地將第1密封構件冷卻。進而，因第1密封構件為金屬製，故而第1密封構件具有較高之耐熱性。因此，第1密封構件可進一步較佳地維持密封功能。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述基板處理裝置具備配置於上述處理容器之內部且將基板加熱之加熱部，上述加熱部具有形成於上述加熱部之內部之貫通孔，且上述第1軸構件配置於上述貫通孔。因第1軸構件配置於加熱部之貫通孔，故而第1軸構件直接地接收加熱部之熱。然而，因第1密封構件配置於處理容器之外部，故而第1密封構件不直接地接收加熱部之熱。即，可較佳地保護第1密封構件免受加熱部之熱。因此，即便第1軸構件之溫度為相對高溫，第1密封構件亦可不劣化而適當地密接於第1軸構件。進而，冷卻部抑制第1密封構件與第1軸構件之密接部之溫度過度地成為高溫。因此，可較佳地防止第1密封構件之劣化。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。如此一來，於第1軸構件配置於加熱部之貫通孔之情形時，本基板處理裝置之有用性尤其高。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備第2軸構件，該第2軸構件係通過上述第2開口跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸心方向往復移動，且上述第1密封外殼於上述第2開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分，上述密封機構具備第2密封構件，該第2密封構件與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接。
第1密封外殼收容第2軸構件之一部分。第1密封外殼於第2開口之周圍與處理容器密接。進而，第1密封外殼與第2密封構件密接。第2密封構件與第2軸構件密接。因此，處理容器之第1開口及第2開口藉由第1密封外殼、第1密封構件及第2密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第2軸構件相對於第2密封構件滑動，亦維持第2軸 構件與第2密封構件之密接。因此，即便第2軸構件往復移動，亦可較佳地維持處理容器之氣密性。
1個第1密封外殼收容2個軸構件(即，第1軸構件與第2軸構件)。1個第1密封外殼與2個密封構件(即，第1密封構件及第2密封構件)密接。因此，於1個第1密封外殼內，可進行2個軸封(即，第1軸構件之密封與第2軸構件之密封)。因此，可簡化密封機構之構造。
因第1密封外殼配置於處理容器之外部，故而第2密封構件亦配置於處理容器之外部。因第2密封構件配置於處理容器之外部，故而可較佳地保護第2密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
因冷卻部配置於密封機構之附近，故而冷卻部可較佳地冷卻第2密封構件。即，可抑制第2密封構件之溫度過度地成為高溫。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1密封外殼具備：集合部，其於上述第1開口之周圍及上述第2開口之周圍，與上述處理容器密接；第1筒部，其與上述集合部連通連接；及第2筒部，其與上述集合部連通連接；上述第1軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第1筒部，上述第2軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第2筒部，上述第1密封構件與上述第1筒部之內周面密接，上述第2密封構件與上述第2筒部之內周面密接，且上述冷卻部配置於上述集合部之附近。
因第1密封外殼具備第1筒部，故而可將第1密封構件適當地設置於第1筒部內。因第1密封外殼具備第2筒部，故而可將第2密封構件適當地設 置於第2筒部內。因第1密封外殼具備集合部，故而可使集合部之內部、第1筒部之內部及第2筒部之內部較佳地連通。冷卻部因配置於集合部之附近，故而可較佳地將集合部、第1筒部及第2筒部冷卻。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述第1筒部可自上述集合部分離，且上述第2筒部可自上述集合部分離。因第1筒部可自集合部分離，故而可將第1筒部、第1密封構件及第1軸構件一體地自集合部分離。因此，不將第1密封構件自第1筒部及第1軸構件分離，便可進行基板處理裝置之維護。因此，可降低第1密封構件之更換頻率。同樣地，因第2筒部可自集合部分離，故而可將第2筒部、第2密封構件及第2軸構件一體地自集合部分離。因此，不將第2密封構件自第2筒部及第2軸構件分離，便可進行基板處理裝置之維護。因此，可降低第2密封構件之更換頻率。
於上述基板處理裝置中，較佳為，上述集合部具有第1管部，該第1管部係跨及上述第1軸構件與上述第2軸構件之間而於與上述第1軸構件之上述軸心方向大致正交之方向延伸。因第1管部於與第1軸構件之軸心方向大致正交之方向延伸，故而可使第1管部之長度相對較短。因此，可簡化集合部之構造。
再者，本說明書亦揭示如下基板處理裝置之發明。
(1)一種基板處理裝置，其特徵在於：上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備：第2軸構件，其通過上述第2開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸心方向往復移動；第2密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第2開口之 周圍，與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分；第2密封構件，其與上述第2密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接；及第2排氣埠，其與上述第2密封外殼連通連接，用以排出上述第2密封外殼內之氣體。
根據上述(1)記載之基板處理裝置，第2密封外殼收容第2軸構件之一部分。第2密封外殼於第2開口之周圍與處理容器密接。進而，第2密封外殼與第2密封構件密接。第2密封構件與第2軸構件密接。因此，處理容器之第2開口藉由第2密封外殼及第2密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第2軸構件相對於第2密封構件滑動，亦維持第2軸構件與第2密封構件之密接。因此，即便第2軸構件往復移動，亦可較佳地維持處理容器之氣密性。
進而，第1密封外殼與1個密封構件(即，第1密封構件)密接。因此，可簡化第1密封外殼之構造。第2密封外殼與1個密封構件(即，第2密封構件)密接。因此，可簡化第2密封外殼之構造。
因第2密封外殼配置於處理容器之外部，故而第2密封構件亦配置於處理容器之外部。因第2密封構件配置於處理容器之外部，故而可較佳地保護第2密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
第2密封外殼內之氣體係通過第2排氣埠排出至第2密封外殼之外部。因此，可防止塵埃或外部氣體等異物通過第2開口流入處理容器內。因此，可較佳地管理處理容器內之氛圍。
(2)一種基板處理裝置，其特徵在於： 上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備第2軸構件，該第2軸構件通過上述第2開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸心方向往復移動，上述密封機構具備：第2密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第2開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分；及第2密封構件，其與上述第2密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接。
根據上述(2)記載之基板處理裝置，第2密封外殼收容第2軸構件之一部分。第2密封外殼與處理容器密接。進而，第2密封外殼與第2密封構件密接。第2密封構件與第2軸構件密接。因此，處理容器之第2開口藉由第2密封外殼及第2密封構件而密閉。因此，可較佳地提昇處理容器之氣密性。進而，即便第2軸構件相對於第2密封構件滑動，亦維持第2軸構件與第2密封構件之密接。因此，即便第2軸構件往復移動，亦可較佳地維持處理容器之氣密性。
進而，第1密封外殼與1個密封構件(即，第1密封構件)密接。因此，可簡化第1密封外殼之構造。第2密封外殼與1個密封構件(即，第2密封構件)密接。因此，可簡化第2密封外殼之構造。
因第2密封外殼配置於處理容器之外部，故而第2密封構件亦配置於處理容器之外部。因第2密封構件配置於處理容器之外部，故而可較佳地保護第2密封構件免受處理容器內之熱。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可較佳地維持處理容器之氣密性。
因冷卻部配置於密封機構之附近，故而冷卻部可將第2密封外殼及第2密封構件冷卻。即，可抑制第2密封構件之溫度過度地成為高溫。因此，可較佳地防止第2密封構件之劣化。因此，可進一步較佳地維持處理容器之氣密性。
1‧‧‧基板處理裝置
3‧‧‧處理容器
4‧‧‧殼體
4b‧‧‧底面
5‧‧‧擋板
6‧‧‧蓋部
7‧‧‧收容部
8‧‧‧底板
9‧‧‧開口(第1開口、第2開口)
9a‧‧‧開口(第1開口、第2開口)
9b‧‧‧開口(第1開口、第2開口)
9c‧‧‧開口(第1開口、第2開口)
11‧‧‧加熱部
11a‧‧‧加熱部之上表面
12‧‧‧銷孔(貫通孔)
12a‧‧‧銷孔(貫通孔)
12b‧‧‧銷孔(貫通孔)
12c‧‧‧銷孔(貫通孔)
14‧‧‧氣體流通孔
15‧‧‧密封構件
15A‧‧‧密封構件
15B‧‧‧密封構件
15C‧‧‧密封構件
15D‧‧‧密封構件
16‧‧‧冷卻部
16A‧‧‧冷卻部
16A1‧‧‧第1端
16A2‧‧‧第2端
16B‧‧‧冷卻部
16C‧‧‧冷卻部
16D‧‧‧冷卻部
16D1‧‧‧第1端
16D2‧‧‧第2端
21‧‧‧擋板驅動機構
23‧‧‧基板移動機構
24‧‧‧銷(第1軸構件、第2軸構件)
24a‧‧‧銷(第1軸構件、第2軸構件)
24b‧‧‧銷(第1軸構件、第2軸構件)
24c‧‧‧銷(第1軸構件、第2軸構件)
25‧‧‧銷驅動機構
31‧‧‧密封機構
32‧‧‧歧管
33‧‧‧集合部
33a‧‧‧集合部之上表面
34a‧‧‧開口
34b‧‧‧開口
34c‧‧‧開口
35‧‧‧管部(第1管部)
35a‧‧‧管部(第1管部)
35b‧‧‧管部(第1管部)
35c‧‧‧管部(第1管部)
36a‧‧‧接頭
36b‧‧‧接頭
36c‧‧‧接頭
37a‧‧‧軸封部
37b‧‧‧軸封部
37c‧‧‧軸封部
38‧‧‧筒部(第1筒部、第2筒部)
38a‧‧‧筒部(第1筒部、第2筒部)
38b‧‧‧筒部(第1筒部、第2筒部)
38c‧‧‧筒部(第1筒部、第2筒部)
39a‧‧‧接頭
39b‧‧‧接頭
39c‧‧‧接頭
40‧‧‧密封外殼(第1密封外殼40)
40a‧‧‧密封外殼(第1密封外殼、第2密封外殼)
40b‧‧‧密封外殼(第1密封外殼、第2密封外殼)
40c‧‧‧密封外殼(第1密封外殼、第2密封外殼)
43‧‧‧密封構件(第1密封構件、第2密封構件)
43a‧‧‧密封構件(第1密封構件、第2密封構件)
43b‧‧‧密封構件(第1密封構件、第2密封構件)
43c‧‧‧密封構件(第1密封構件、第2密封構件)
45a‧‧‧密封構件
45b‧‧‧密封構件
45c‧‧‧密封構件
46a‧‧‧密封構件
46b‧‧‧密封構件
46c‧‧‧密封構件
47‧‧‧冷卻部
47a‧‧‧冷卻部
47b‧‧‧冷卻部
47c‧‧‧冷卻部
51‧‧‧上部供給部
52‧‧‧配管
53‧‧‧供給埠
54‧‧‧開閉閥
55‧‧‧流量調整部
56‧‧‧整流板
56a‧‧‧小孔
61‧‧‧下部供給部
62‧‧‧配管
63‧‧‧埠
64‧‧‧開閉閥
65‧‧‧流量調整部
69‧‧‧非氧化性氣體供給源
71‧‧‧側部排出部
72‧‧‧排氣管道
73‧‧‧排氣管
74‧‧‧開閉閥
75‧‧‧排氣機構
81‧‧‧下部排出部
82‧‧‧配管
83‧‧‧排氣埠(第1排氣埠)
83a‧‧‧排氣埠(第1排氣埠、第2排氣埠)
83b‧‧‧排氣埠(第1排氣埠、第2排氣埠)
83c‧‧‧排氣埠(第1排氣埠、第2排氣埠)
84‧‧‧開閉閥
85‧‧‧排氣機構
91‧‧‧壓力感測器
93‧‧‧氧濃度感測器
95‧‧‧控制部
101a‧‧‧安裝口
101b‧‧‧安裝口
101c‧‧‧安裝口
A‧‧‧搬送口
B‧‧‧上部開口
C‧‧‧下部開口
Ca‧‧‧軸心
Cb‧‧‧軸心
Cc‧‧‧軸心
D‧‧‧側部排出口
E‧‧‧空間
Fa‧‧‧空間
Fb‧‧‧空間
Fc‧‧‧空間
Ga‧‧‧空間
Gb‧‧‧空間
Gc‧‧‧空間
PC‧‧‧冷卻位置
PH‧‧‧加熱位置
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S7‧‧‧步驟
Sp1‧‧‧導入室
Sp2‧‧‧處理室
W‧‧‧基板
為說明發明而圖示目前認為較佳之若干形態，但應理解並不限定於如圖示發明之構成及策略。
圖1係表示基板處理裝置之概略構成之圖。
圖2係處理容器之一部分之分解立體圖。
圖3係處理容器之一部分之分解立體圖。
圖4係處理容器內之俯視圖。
圖5係沿著圖4中之V-V線之剖視圖。
圖6係加熱部、底板、密封機構及銷之分解立體圖。
圖7係歧管之立體圖。
圖8係歧管及冷卻部之立體圖。
圖9係表示基板處理裝置之動作例之順序之流程圖。
圖10係模式性表示基板處理裝置之主要部分之圖。
圖11係例示置換製程、加熱製程及冷卻製程之順序之時序圖。
圖12係表示基板之溫度及處理容器內之氧濃度之時間性變化的曲線圖。
圖13係表示變化實施例之基板處理裝置之主要部分之概略構成的圖。
圖14係表示變化實施例之基板處理裝置之主要部分之概略構成的 圖。
參照圖式，對實施例之基板處理裝置進行說明。
1.基板處理裝置之構成
圖1係表示基板處理裝置之概略構成之圖。本實施例之基板處理裝置1係對基板(例如半導體晶圓)W進行處理。基板處理裝置1所進行之處理係熱處理。熱處理包含對基板W加熱之處理、及將基板W冷卻之處理。以下，對基板處理裝置1之各部分之構成進行說明。
1-1.處理容器及加熱部
基板處理裝置1具備對基板W進行處理之處理容器3。處理容器3收容1片基板W。處理容器3係於其內部對基板W進行熱處理。
參照圖1~圖3。圖2係處理容器3之一部分之分解立體圖。圖2係自上方觀察所得之立體圖。圖3係處理容器3之一部分之分解立體圖。圖3係自下方觀察所得之立體圖。
處理容器3具備殼體4。殼體4具有扁平之大致箱形狀。殼體4具有搬送口A(參照圖2)。搬送口A形成於殼體4之前表面。搬送口A係用以將基板W搬入至處理容器3內、及用以將基板W自處理容器3內搬出之開口。搬送口A具有橫向上較長之形狀。
處理容器3具備擋板5。擋板5將搬送口A開啟及關閉。擋板5可對於殼體4之前部拆裝。藉由將擋板5安裝於殼體4而將搬送口A閉合。藉由使擋板5自殼體4脫離而將搬送口A開放。
殼體4具有上部開口B(參照圖2)。上部開口B形成於殼體4之上表面。上部開口B例如具有大致圓形狀。
處理容器3具備蓋部6。蓋部6將上部開口B開啟及關閉。蓋部6可對於殼體4之上部拆裝。藉由將蓋部6安裝於殼體4而將上部開口B閉合。藉由使蓋部6自殼體4脫離而將上部開口B開放。
處理容器3具備收容部7。收容部7連接於殼體4。具體而言，收容部7連接於殼體4之下表面。收容部7例如具有大致圓筒形狀。收容部7之內部對於殼體4之內部開放。即，收容部7之內部與殼體4之內部連通。收容部7自殼體4之下表面延伸至下方。收容部7之下端開放。收容部7於其下表面具有下部開口C(參照圖3)。下部開口C例如具有大致圓形狀。
處理容器3具備底板8。底板8將下部開口C開啟及關閉。底板8具有大致水平之板形狀。底板8可對於收容部7之下端拆裝。藉由將底板8安裝於收容部7而將下部開口C閉合。藉由將底板8自收容部7卸除而將下部開口C開放。
基板處理裝置1具備加熱部11。加熱部11對基板W加熱。加熱部11能夠以相對較高之溫度加熱基板W。加熱部11可例如以300度以上加熱基板W。進而，加熱部11調整對基板W加熱之溫度。
加熱部11配置於處理容器3內。加熱部11載置於底板8上。加熱部11配置於收容部7之內部。加熱部11具有大致圓盤形狀。加熱部11之外徑略微小於收容部7之內徑。因此，收容部7與加熱部11之間隙充分小。
加熱部11具有大致平坦之上表面11a。加熱部11之上表面11a位於與殼體4之內部之底面4b大致相同之高度位置(參照圖1)。
加熱部11例如具備調溫部及板(均未圖示)。調溫部產生熱。進而，調溫部調整對基板W加熱之溫度。調溫部例如為加熱器。調溫部係安裝於板。調溫部例如配置於板之上部或板之內部。板載置基板W。板將調溫部 所產生之熱傳遞至板上之基板W。板例如為金屬製。
殼體4具有側部排出口D(參照圖3)。側部排出口D形成於殼體4之背面。側部排出口D係用以排出處理容器3內之氣體之開口。側部排出口D具有橫向上較長之形狀。
基板處理裝置1具備排氣管道72。排氣管道72與側部排出口D連通。排氣管道72可對於殼體4之後部拆裝。藉由將排氣管道72安裝於殼體4，殼體4通過側部排出口D而與排氣管道72連通連接。藉由使排氣管道72自殼體4脫離而將側部排出口D開放。
1-2.密封構件
參照圖1。基板處理裝置1具備密封構件15A、15B、15C、15D。密封構件15A係用於將搬送口A密閉。密封構件15B係用於將上部開口B密閉。密封構件15C係用於將下部開口C密閉。密封構件15D係用於將排氣管道72氣密地連接於側部排出口D。以下具體地進行說明。
密封構件15A配置於殼體4與擋板5之間。密封構件15A配置於搬送口A之周圍。擋板5介隔密封構件15A而與殼體4密接。藉由擋板5密接於殼體4，而將搬送口A密閉。
密封構件15B配置於殼體4與蓋部6之間。密封構件15B配置於上部開口B之周圍。蓋部6介隔密封構件15B而與殼體4密接。藉由蓋部6密接於殼體4，而將上部開口B密閉。
密封構件15C配置於收容部7與底板8之間。密封構件15C配置於下部開口C之周圍。底板8介隔密封構件15C而與收容部7密接。藉由底板8密接於收容部7，而將下部開口C密閉。
密封構件15D配置於殼體4與排氣管道72之間。密封構件15D配置於 側部排出口D之周圍。排氣管道72介隔密封構件15D而與殼體4密接。藉由排氣管道72密接於殼體4，排氣管道72與側部排出口D氣密地連通連接。
以下，於不特別區分之情形時，將密封構件15A~15D適當地稱為「密封構件15」。密封構件15具有環形狀。密封構件15例如為合成樹脂製。密封構件15例如為O型環。
密封構件15A較佳為配置於形成於殼體4或擋板5之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件15A脫落。密封構件15B較佳為配置於形成於殼體4或蓋部6之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件15B脫落。密封構件15C較佳為配置於形成於收容部7或底板8之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件15C脫落。密封構件15D較佳為配置於形成於殼體4或排氣管道72之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件15D脫落。
1-3.冷卻部
基板處理裝置1具備冷卻部16A、16B、16C、16D。冷卻部16A、16B、16C、16D分別將密封構件15A、15B、15C、15D冷卻。
冷卻部16A係用以流通冷卻水之通路。以下，將冷卻部16A適當地稱為「冷卻流路16A」。冷卻流路16A配置於密封構件15A之附近。冷卻流路16A配置於搬送口A之周圍。例如，冷卻流路16A形成於殼體4之壁之內部。冷卻流路16A配置於殼體4之前部。冷卻流路16A介隔殼體4而與密封構件15A熱連接。密封構件15A之熱傳遞至冷卻流路16A中流動之冷卻水。藉此，將密封構件15A冷卻。即，抑制密封構件15A之溫度過度地成為高溫。
冷卻部16B係用以供冷卻水流動之配管。以下，將冷卻部16B適當地稱為「冷卻管16B」。冷卻管16B配置於密封構件15B之附近。冷卻管16B配置於上部開口B之周圍。例如，冷卻管16B配置於殼體4之上部之附近。例如，冷卻管16B介隔殼體4而與密封構件15B熱連接。密封構件15B之熱傳遞至冷卻管16B內流動之冷卻水。藉此，將密封構件15B冷卻。
冷卻部16C係用以供冷卻水流動之配管。以下，將冷卻部16C適當地稱為「冷卻管16C」。冷卻管16C配置於密封構件15C之附近。冷卻管16C配置於下部開口C之周圍。例如，冷卻管16C配置於收容部7之下端之附近。例如，冷卻管16C介隔收容部7而與密封構件15C熱連接。密封構件15C之熱傳遞至冷卻管16C內流動之冷卻水。藉此，將密封構件15C冷卻。
冷卻部16D係用以供冷卻水流動之通路。以下，將冷卻部16D適當地稱為「冷卻流路16D」。冷卻流路16D配置於密封構件15D之附近。冷卻流路16D配置於側部排出口D之周圍。例如，冷卻流路16D形成於殼體4之壁之內部。冷卻流路16D配置於殼體4之後部。冷卻流路16D介隔殼體4而與密封構件15D熱連接。密封構件15D之熱傳遞至冷卻流路16D內流動之冷卻水。藉此，將密封構件15D冷卻。
參照圖2。冷卻流路16A具有第1端16A1及第2端16A2。第1端16A1及第2端16A2分別形成於殼體4。第1端16A1與冷卻水供給部(未圖示)連接。冷卻水供給部對冷卻流路16A供給冷卻水。第2端16A2與未圖示之冷卻水排出部連接。冷卻水排出部接收自冷卻流路16A排出之冷卻水。
冷卻流路16D具有第1端16D1及第2端16D2。第1端16D1及第2端16D2分別形成於殼體4。第1端16D1與冷卻水供給部(未圖示)連接。冷卻 水供給部對冷卻流路16D供給冷卻水。第2端16D2與未圖示之冷卻水排出部連接。冷卻水排出部接收自冷卻流路16D排出之冷卻水。
1-4.擋板驅動機構
參照圖1。基板處理裝置1具備擋板驅動機構21。擋板驅動機構21藉由使擋板5移動，而使擋板5對於殼體4拆裝。擋板驅動機構21配置於處理容器3之外部。擋板驅動機構21例如包含氣缸。
1-5.基板移動機構
基板處理裝置1具備基板移動機構23。基板移動機構23使基板W跨及加熱位置PH及冷卻位置PC而移動。
圖1係以實線表示位於加熱位置PH之基板W。圖1係以虛線表示位於冷卻位置PC之基板W。加熱位置PH係與加熱部11接觸之基板W之位置。具體而言，加熱位置PH係載置於加熱部11上之基板W之位置。於基板W位於加熱位置PH時，基板W之下表面與加熱部11之上表面11a接觸。冷卻位置PC係較加熱位置PH距加熱部11更遠之基板W之位置。具體而言，冷卻位置PC係加熱位置PH之上方之位置。於基板W位於冷卻位置PC時，基板W不與加熱部11接觸。再者，加熱位置PH及冷卻位置PC均為處理容器3內之基板W之位置。於基板W位於加熱位置PH及冷卻位置PC中之任一者時，基板W均為大致水平姿勢。
參照圖1、圖4。圖4係處理容器3內之俯視圖。基板移動機構23具備銷24a、24b、24c。圖1省略銷24c之圖示。銷24a、24b、24c與1片基板W之下表面接觸。藉此，銷24a、24b、24c支持1片基板W。
於不區分銷24a、24b、24c之情形時，將其等稱為「銷24」。銷24具有細長之棒形狀。具體而言，銷具有圓柱形狀。銷24具有直線地延伸之形 狀。
參照圖5。圖5係沿著圖4中之V-V線之剖視圖。銷24將處理容器3貫通。處理容器3具有開口9a、9b、9c。於不區分開口9a、9b、9c之情形時，將其等稱為「開口9」。各開口9形成於底板8。銷24a配置於開口9a。銷24b配置於開口9b。銷24c配置於開口9c。各銷24分別通過各開口9，跨及處理容器3之內部及處理容器3之外部而配置。各銷24具有位於處理容器3之內部之前端部。各銷24具有位於處理容器3之外部之基端部。各銷24之基端部位於處理容器3之下方(參照圖1)。
銷24分別以沿大致鉛直方向延伸之方式配置。銷24a、24b、24c之軸心Ca、Cb、Cc相互平行。於不區分軸心Ca、Cb、Cc之情形時，將其等稱為「軸心C」。銷24之軸心C與大致鉛直方向平行。
於開口9與配置於開口9之銷24之間形成間隙。具體而言，於開口9a與銷24a之間、開口9b與銷24b之間、及開口9c與銷24c之間分別形成間隙。間隙由開口9之內周面及銷24之外周面劃分。間隙具有環形狀。
銷24將加熱部11貫通。加熱部11具有銷孔12a、12b、12c。於不區分銷孔12a、12b、12c之情形時，將其等稱為「銷孔12」。銷孔12形成於加熱部11之內部。銷孔12自加熱部11之下表面跨及加熱部11之上表面11a而形成。銷孔12a、12b、12c分別與開口9a、9b、9c連通。銷孔12對加熱部11之上方開放。銷24a配置於銷孔12a。銷24b配置於銷孔12b。銷24c配置於銷孔12c。
於銷孔12與配置於該銷孔12之銷24之間形成間隙。間隙由銷孔12之內周面及銷24之外周面劃分。間隙具有環形狀。銷孔12與銷24之間隙和開口9與銷24之間隙連通。
開口9a、9b、9C之一個為本發明中之第1開口之例。開口9a、9b、9c之另一個為本發明中之第2開口之例。銷孔12係本發明中之貫通孔之例。銷24a、24b、24c之一個為本發明中之第1軸構件之例。銷24a、24b、24c之另一個為本發明中之第2軸構件之例。
參照圖1。基板移動機構23具備銷驅動機構25。銷驅動機構25配置於處理容器3之外部。銷驅動機構25與各銷24之基端部連接。銷驅動機構25使銷24升降。銷驅動機構25例如包含氣缸。
藉由銷驅動機構25，銷24於銷24之軸心C之方向往復移動。銷24於上方位置與下方位置之間移動。
於銷24位於上方位置時，銷24之前端部配置於較加熱部11之上表面11a更高之位置。於銷24位於上方位置時，銷24之前端部與基板W之下表面接觸。於銷24位於上方位置時，銷24於冷卻位置PC支持基板W。
於銷24位於下方位置時，銷24之前端部配置於與加熱部11之上表面11a相同之高度位置、或較加熱部11之上表面11a更低之位置。於銷24位於下方位置時，銷24之前端部與基板W既可接觸，亦可不接觸。於銷24位於下方位置時，基板W位於加熱位置PH。
藉由銷24於上方位置與下方位置之間移動，基板W於冷卻位置PC與加熱位置PH之間移動。
1-6.密封機構
基板處理裝置1具備密封機構31。密封機構31一邊容許各銷24之往復移動，一邊將各開口9密閉。嚴格而言，密封機構31將開口9a與銷24a之間隙、開口9b與銷24b之間隙、及開口9c與銷24c之間隙分別密閉。
密封機構31配置於處理容器3之外部。密封機構31配置於處理容器3 之下方。密封機構31配置於較銷24之基端部更高之位置。
參照圖6。圖6係加熱部11、底板8、密封機構31及銷24之分解立體圖。加熱部11載置於底板8之上表面。密封機構31連接於底板8之下表面。銷24將密封機構31、底板8及加熱部11貫通。
密封機構31具備歧管32及軸封部37a、37b、37c。於不區分軸封部37a、37b、37c之情形時，將其等稱為「軸封部37」。歧管32連接於底板8。軸封部37連接於歧管32。
歧管32可自底板8分離。軸封部37可自歧管32分離。歧管32及軸封部37分別為金屬製。
圖7係歧管32之立體圖。歧管32具有集合部33。集合部33於俯視下具有大致環形狀。更具體而言，集合部33於俯視下具有大致三角環形狀。
集合部33具有開口34a、34b、34c。於不區分開口34a、34b、34c之情形時，將其等稱為「開口34」。開口34形成於集合部33之上表面33a。集合部33之上表面33a為大致平坦。開口34a、34b、34c配置於俯視下與開口9a、9b、9c相同之位置。銷24a配置於開口34a。銷24b配置於開口34b。銷24c配置於開口34c。
參照圖5。集合部33於其內部具有1個空間E。空間E與開口34連通。
參照圖7。集合部33具有管部35a、35b、35c。管部35a、35b、35相互環狀地連通連接。於不區分管部35a、35b、35c之情形時，將其等稱為「管部35」。管部35直線地延伸。管部35例如為方管。
管部35a跨及開口34a與開口34b之間而延伸。即，管部35a跨及銷24a與銷24b之間而延伸。同樣地，管部35b跨及開口34b與開口34c之間而延伸。即，管部35b跨及銷24b與銷24c之間而延伸。管部35c跨及開口34c與 開口34a之間而延伸。即，管部35c跨及銷24c與銷24a之間而延伸。管部35分別沿大致水平方向延伸。即，管部35沿與銷24之軸心C大致正交之方向延伸。
歧管32具有接頭36a、36b、36c。接頭36a、36b、36c分別與軸封部37a、37b、37c接合。於不區分接頭36a、36b、36c之情形時，將其等稱為「接頭36」。接頭36例如具有凸緣形狀。接頭36與集合部33連通連接。接頭36連接於集合部33之下表面。接頭36自集合部33延伸至下方。
參照圖5。軸封部37a具備1個筒部38a、1個接頭39a及密封構件43a。軸封部37b具備1個筒部38b、1個接頭39b及密封構件43b。軸封部37c具備1個筒部38c、1個接頭39c及密封構件43c。
於不區分筒部38a、38b、38c之情形時，將其等稱為「筒部38」。筒部38具有大致圓筒形狀。筒部38具有形成於筒部38之一端之開口、及形成於筒部38之另一端之開口。
於不區分接頭39a、39b、39c之情形時，將其等稱為「接頭39」。接頭39連接於筒部38之上端。接頭39例如具有凸緣形狀。
於不區分密封構件43a、43b、43c之情形時，將其等稱為「密封構件43」。
密封構件43為金屬製。密封構件43具有圓環形狀。密封構件43與筒部38之內周面密接。具體而言，密封構件43之外周緣與筒部38之內周面氣密地接觸。密封構件43於中央具有開口。於密封構件43a之開口配置銷24a。於密封構件43b之開口配置銷24b。於密封構件43c之開口配置銷24c。
密封構件43可對銷24滑動地與銷24之外周面密接。具體而言，密封 構件43之內周緣與銷24之外周面氣密地接觸。銷24之外周面可相對於密封構件43滑動。於銷24於軸心C之方向往復移動時，銷24相對於密封構件43滑動。即便銷24相對於密封構件43滑動，亦維持密封構件43與銷24之密接。即，可於銷24與密封構件43密接之狀態下，銷24相對於密封構件43移動。
如上所述，密封構件43a、43b、43c分別將銷24a、24b、24c密封。其結果，密封構件43a將軸封部37a之內部分隔為空間Fa、Ga。空間Fa係密封構件43a之上方之空間。空間Ga係密封構件43a之下方之空間。空間Fa與空間Ga不相互連通。同樣地，密封構件43b將軸封部37b之內部分隔為空間Fb、Gb。空間Fb與空間Gb不相互連通。密封構件43c將軸封部37c之內部分隔為空間Fc、Gc。空間Fc與空間Gc不相互連通。
空間Ga、Gb、Gc分別向處理容器3及密封機構31之外部開放。於空間Ga、Gb、Gc存在外部氣體。空間Fa、Fb、Fc均與外部氣體遮斷。
密封機構31具備密封構件45a、45b、45c。密封構件45a、45b、45c係用於使處理容器3與歧管32密接。具體而言，密封構件45a、45b、45c係用於使底板8之下表面與集合部33之上表面33a密接。
於不區分密封構件45a、45b、45c之情形時，將其等稱為「密封構件45」。密封構件45具有環形狀。密封構件45例如為合成樹脂製。密封構件45例如為O型環。
密封構件45配置於底板8之下表面與集合部33之上表面33a之間。密封構件45a配置於開口9a之周圍。密封構件45b配置於開口9b之周圍。密封構件45c配置於開口9c之周圍。集合部33介隔密封構件45a、45b、45c而與底板8密接。集合部33於開口9a之周圍、開口9b之周圍、及開口9c之 周圍，與底板8密接。更詳細而言，集合部33與開口9a之周圍之底板8之部位、開口9b之周圍之底板8之部位、及開口9c之周圍之底板8之部位密接。
密封構件45較佳為配置於形成於底板8或集合部33之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件45脫落。
藉由集合部33與底板8之密接，開口9a、9b、9c分別與開口34a、34b、34c連通。藉此，開口9與集合部33之內部(即，空間E)連通。銷孔12通過開口9而與空間E連通。即，處理容器3之內部與空間E連通。
密封機構31具備密封構件46a、46b、46c。密封構件46a係用於使歧管32與軸封部37a密接。密封構件46b係用於使歧管32與軸封部37b密接。密封構件46c係用於使歧管32與軸封部37c密接。
於不區分密封構件46a、46b、46c之情形時，將其等稱為「密封構件46」。密封構件46具有環形狀。密封構件46例如為合成樹脂製。密封構件46例如為O型環。
密封構件46a配置於接頭36a與接頭39a之間。接頭36a介隔密封構件46a而與接頭39a密接。藉此，筒部38a與集合部33連通連接。密封構件46b配置於接頭36b與接頭39b之間。接頭36b介隔密封構件46b而與接頭39b密接。藉此，筒部38b與集合部33連通連接。密封構件46c配置於接頭36c與接頭39c之間。接頭36c介隔密封構件46c而與接頭39c密接。藉此，筒部38c與集合部33連通連接。該等之結果，空間E與空間Fa、Fb、Fc連通。
密封構件46較佳為配置於形成於接頭36或接頭39之槽(例如鳩尾槽)。藉此，可較佳地防止密封構件46脫落。
此處，將歧管32之全部與軸封部37之一部分(即，筒部38與接頭39)稱為「密封外殼40」。空間E、Fa、Fb、Fc之整體相當於密封外殼40之內部。密封外殼40於開口9之周圍，與處理容器3密接，且收容銷24之一部分。
嚴格而言，集合部33、接頭36a、筒部38a及接頭39a收容銷24a之一部分。集合部33、接頭36b、筒部38b及接頭39b收容銷24b之一部分。集合部33、接頭36c、筒部38c及接頭39c收容銷24c之一部分。
如上所述，開口9與空間E連通。空間E與空間Fa、Fb、Fc連通。空間Fa、Fb、Fc均與外部氣體遮斷。因此，空間E及開口9亦與外部氣體遮斷。即，開口9被密閉。
管部35a、35b、35c中之一個為本發明中之第1管部之例。筒部38a、38b、38c中之一個為本發明中之第1筒部之例。筒部38a、38b、38中之另一個為本發明中之第2筒部之例。密封外殼40係本發明中之第1密封外殼之例。密封構件43a、43b、43c中之一個為本發明中之第1密封構件之例。密封構件43a、43b、43c中之另一個為本發明中之第2密封構件之例。
1-7.密封機構31之冷卻
參照圖1。基板處理裝置1具備冷卻部47。冷卻部47係用以供冷卻水流動之配管。以下，將冷卻部47適當地稱為「冷卻管47」。冷卻管47具有供冷卻水流動之冷卻流路。冷卻流路形成於冷卻管47之內部。
冷卻管47配置於密封機構31之附近。冷卻管47配置於密封機構31之側方。冷卻管47以包圍密封機構31之方式配置。
冷卻管47配置於密封外殼40之附近。冷卻管47配置於密封外殼40之 側方。冷卻管47以包圍密封外殼40之方式配置。
圖8係歧管32及冷卻部47之立體圖。冷卻管47配置於集合部33之附近。冷卻管47配置於集合部33之側方。冷卻管47以包圍集合部33之方式配置。冷卻管47配置於管部35之附近。冷卻管47沿著管部35而配置。
密封機構31之熱傳遞至冷卻管47內之冷卻水。即，冷卻管47將密封機構31冷卻。密封機構31與銷24密接。因此，銷24之熱通過密封機構31傳遞至冷卻管47內之冷卻水。即，冷卻管47亦將銷24冷卻。
冷卻部47係本發明中之冷卻部之例。
1-8.上部供給部51
參照圖1。基板處理裝置1具備上部供給部51。上部供給部51將非氧化性氣體供給至處理容器3內。上部供給部51自較冷卻位置PC更高之位置吹送非氧化性氣體。非氧化性氣體例如為惰性氣體。惰性氣體例如為氮氣或氬氣。
上部供給部51具備配管52、供給埠53、開閉閥54及流量調整部55。配管52之一端連接於非氧化性氣體供給源69。非氧化性氣體供給源69供給非氧化性氣體。配管52之另一端連接於供給埠53。供給埠53安裝於蓋部6。供給埠53與處理容器3之內部連通。開閉閥54及流量調整部55分別設置於配管52上。開閉閥54將配管52內之流路開啟及關閉。流量調整部55調整配管52中流動之非氧化性氣體之流量。流量調整部55例如包含針閥或質量流量計之至少任一種。
上部供給部51具備整流板56。整流板56配置於處理容器3內。整流板56配置於上部開口B。整流板56配置於蓋部6之下方。整流板56配置於冷卻位置PC之上方。整流板56具有大致水平之板形狀。整流板56具有複數 個小孔56a。小孔56a於鉛直方向上貫通整流板56。小孔56a係本發明中之上部供給口之例。
此處，將由蓋部6及整流板56劃分之空間稱為「導入室Sp1」。將由殼體4、擋板5、整流板56及加熱部11劃分之空間稱為「處理室Sp2」。導入室Sp1位於整流板56之上方。處理室Sp2位於整流板56之下方。導入室Sp1與處理室Sp2通過小孔56a而相互連通。再者，導入室Sp1及處理室Sp2均為處理容器3內之空間。導入室Sp1及處理室Sp2為處理容器3之內部之一部分。
藉由開閉閥54開啟，非氧化性氣體自非氧化性氣體供給源69通過配管52及供給埠53而流入導入室Sp1。進而，非氧化性氣體自導入室Sp1通過整流板56之小孔56a而流入處理室Sp2。小孔56a將非氧化性氣體向下方吹送。流量調整部55調整通過供給埠53供給至處理容器3之非氧化性氣體之供給量。藉由開閉閥54關閉，上部供給部51停止非氧化性氣體之供給。藉由開閉閥54關閉而將供給埠53密閉。
1-9.下部供給部61
基板處理裝置1具備下部供給部61。下部供給部61將非氧化性氣體供給至處理容器3內。下部供給部61自較冷卻位置PC更低之位置吹送非氧化性氣體。
下部供給部61具備配管62、埠63、開閉閥64及流量調整部65。配管62之一端連接於非氧化性氣體供給源69。配管62之另一端連接於埠63。埠63安裝於底板8。埠63與處理容器3之內部連通。開閉閥64及流量調整部65分別設置於配管62上。開閉閥64將配管62內之流路進行開啟及關閉。流量調整部65調整配管62中流動之非氧化性氣體之流量。流量調整 部65例如包含針閥或質量流量計之至少任一種。
埠63與氣體流通孔14連通。氣體流通孔14係形成於加熱部11之內部之貫通孔。氣體流通孔14到達加熱部11之上表面11a。氣體流通孔14向加熱部11之上方開放。
藉由開閉閥64開啟，非氧化性氣體自非氧化性氣體供給源69通過配管62及埠63而流入處理容器3內。進而，非氧化性氣體通過氣體流通孔14流入處理室Sp2。氣體流通孔14將非氧化性氣體向上方吹送。流量調整部65調整通過埠63供給至處理容器3之非氧化性氣體之供給量。藉由開閉閥64關閉，下部供給部61停止非氧化性氣體之供給。藉由開閉閥64關閉而將埠63密閉。
1-10.側部排出部71
基板處理裝置1具備側部排出部71。側部排出部71將處理容器3內之氣體排出至處理容器3之外部。側部排出部71通過冷卻位置PC之側方之位置，排出氣體。
側部排出部71具備上述排氣管道72。排氣管道72與側部排出口D氣密地連通。側部排出部71更具備排氣管73、開閉閥74及排氣機構75。排氣管73具有與排氣管道72連通連接之第1端。開閉閥74設置於排氣管73上。排氣管73具有與排氣機構75連通連接之第2端。排氣機構75將氣體抽吸及排出。排氣機構75可調整氣體之排出量。更具體而言，排氣機構75可藉由調整氣體之流量或氣體之抽吸壓力而調整氣體之排出量。排氣機構75例如為真空泵、排氣吹風器或噴射器。
藉由開閉閥74開放，且排氣機構75驅動，處理容器3內之氣體通過側部排出口D排出至處理容器3之外部。藉此，將處理室Sp2之氣體順利地排 出。進而，排氣機構75調整通過側部排出口D自處理容器3排出之氣體之排出量。藉由排氣機構75之驅動停止，側部排出部71停止氣體之排出。藉由開閉閥74關閉而將側部排出口D密閉。
1-11.下部排出部81
基板處理裝置1具備下部排出部81。下部排出部81將密封外殼40內之氣體排出。下部排出部81進而經由密封外殼40而排出處理容器3內之氣體。下部排出部81將氣體通過較冷卻位置PC更低之位置自處理容器3排出。
下部排出部81具備配管82、排氣埠83、開閉閥84及排氣機構85。配管82之一端連接於排氣埠83。
參照圖1、7。排氣埠83與密封外殼40連通連接。具體而言，排氣埠83與集合部33連通連接。更具體而言，排氣埠83與管部35a連通連接。
參照圖5。排氣埠83與密封外殼40之內部(即，空間E、Fa、Fb、Fc)連通。排氣埠83進而與開口9及銷孔12連通。即，排氣埠83與處理容器3之內部連通。再者，為了圖示之方便起見，圖5中之排氣埠83之位置與其他圖中之排氣埠83之位置不同。
參照圖1。開閉閥84設置於配管82上。開閉閥84將配管82內之流路開啟及關閉。排氣機構85與配管82之另一端連通連接。排氣機構85將氣體抽吸及排出。排氣機構85可調整氣體之排出量。更具體而言，排氣機構85可藉由調整氣體之流量或氣體之抽吸壓力而調整氣體之排出量。排氣機構85例如為真空泵、排氣吹風器或噴射器。
藉由開閉閥84開放，且排氣機構85驅動，而將密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體排出。具體而言，空間Fa、Fb、Fc之氣體流入空間 E。處理容器3內之氣體通過銷孔12及開口9流入空間E。空間E之氣體通過排氣埠83流入配管82。藉此，密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體排出至密封外殼40及處理容器3之外部。排氣機構85調整通過排氣埠83自密封外殼40及處理容器3排出之氣體之排出量。若排氣機構85之驅動停止，則下部排出部81停止氣體之排出。若開閉閥84關閉，則將排氣埠83密閉。
排氣埠83係本發明中之第1排氣埠之例。
1-12.感測器91、93
基板處理裝置1具備壓力感測器91及氧濃度感測器93。壓力感測器91檢測處理容器3內之氣體之壓力。氧濃度感測器93檢測處理容器3內之氧濃度。氧濃度感測器93例如為賈法尼電池式氧感測器或氧化鋯式氧感測器。
1-13.控制部95
基板處理裝置1具備控制部95。控制部95與加熱部11、擋板驅動機構21、銷驅動機構25、開閉閥54、64、74、84、流量調整部55、65、排氣機構75、85、壓力感測器91及氧濃度感測器93可通信地連接。控制部95接收壓力感測器91之檢測結果及氧濃度感測器93之檢測結果。控制部95控制加熱部11、擋板驅動機構21、銷驅動機構25、開閉閥54、64、74、84、流量調整部55、65及排氣機構75、85。控制部95藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory，隨機存取記憶體)、固定磁碟等記憶媒體等而實現。於記憶媒體中，記憶有用以處理基板W之處理配方(處理程式)、或氧濃度之基準值等各種資訊。
2.動作
其次，對實施例之基板處理裝置1之動作例進行說明。
於本動作例中，基板處理裝置1對塗佈有自組織材料之基板W進行熱處理。基板處理裝置1藉由加熱基板W而使自組織材料進行相分離。相分離後之自組織材料具有規則性較高之構造。進而，基板處理裝置1藉由將基板W冷卻，而保護相分離後之自組織材料之構造不致劣化或崩解。
圖9係表示基板處理裝置1之動作例之順序之流程圖。基板處理裝置1之動作例包括搬入製程(步驟S1)、密閉製程(步驟S2)、置換製程(步驟S3)、加熱製程(步驟S4)、冷卻製程(步驟S5)、開放製程(步驟S6)及搬出製程(步驟S7)。
下部排出部81在自搬入製程至搬出製程為止之整個期間，執行排出氣體之動作。進而，冷卻水在自搬入製程至搬出製程為止之整個期間，於冷卻部16A-16D、47中流動。
以下，對各製程進行說明。於以下動作例中，各構件按照控制部95之控制動作。
<步驟S1>搬入製程
擋板驅動機構21係使擋板5自殼體4脫離。藉此，將搬送口A開放。未圖示之基板搬送機構將基板W搬入至處理容器3內。具體而言，基板搬送機構將基板W以水平姿勢保持，通過搬送口A進入處理容器3之內部。藉此，將基板W通過搬送口A搬入至處理容器3內。於基板W上已塗佈有自組織材料。銷驅動機構25使銷24朝上方位置移動。銷24自基板搬送機構接收基板W。於銷24接收基板W後，基板移動機構退出至處理容器3之外部。銷24於冷卻位置PC支持基板W。
於銷24朝上方位置移動時，銷24沿銷24之軸心C之方向上升。於銷24上升時，銷24相對於密封構件43滑動。即便於銷24相對於密封構件43滑動時，亦維持密封構件43與銷24之密接。
如上所述，於搬入製程中，下部排出部81將氣體自密封外殼40及處理容器3排出。
圖10係模式性表示基板處理裝置之主要部分之圖。於圖10中，以單點鏈線模式性地表示密封外殼40內及處理容器3內之氣體之流動。空間Fa、Fb、Fc之氣體各自流入空間E。處理室Sp2之氣體通過銷孔12及開口9流入空間E。嚴格而言，處理室Sp2之氣體通過銷孔12與銷24之間隙及開口9與銷24之間隙而流入空間E。於空間E中，氣體流向排氣埠83。進而，氣體自空間E通過排氣埠83流入配管82。如此一來，密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體通過排氣埠83排出。
於假設因銷24a與密封構件43a之滑動而導致空間Fa中產生塵埃之情形時，塵埃會自空間Fa通過空間E而流入排氣埠83。即，空間Fa之塵埃亦通過排氣埠83排出。因此，可確實地防止塵埃進入處理容器3。進而，於開口9中，氣體自處理容器3(銷孔12)流向密封外殼40(空間E)。此種氣體之流動較佳地阻止塵埃自密封外殼40流入處理容器3。因此，可進一步確實地防止塵埃進入處理容器3。同樣地，於假設空間Fb、Fc中產生塵埃之情形時，塵埃亦通過排氣埠83排出而不會流入處理容器3。
於假設外部氣體通過銷24與密封構件43a之密接部而流入空間Fa之情形時，外部氣體會自空間Fa通過空間E流入排氣埠83。即，流入空間Fa之外部氣體亦通過排氣埠83排出。因此，可確實地防止外部氣體進入處理容器3。進而，於開口9中，氣體自處理容器3(銷孔12)流向密封外殼40(空間 E)。此種氣體之流動較佳地阻止外部氣體自密封外殼40流入處理容器3。因此，可進一步確實地防止外部氣體進入處理容器3。同樣地，於假設外部氣體流入空間Fb、Fc之情形時，外部氣體亦通過排氣埠83排出而不會流入處理容器3。
如上所述，藉由將密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體通過排氣埠83排出，可較佳地防止塵埃或外部氣體等異物進入處理容器3。
<步驟S2>密閉製程
擋板驅動機構21係將擋板5安裝於殼體4。擋板5介隔密封構件15A而與殼體4密接。藉此，將搬送口A密閉。即，將處理容器3大致密閉。再者，於密閉製程中，銷24位於上方位置，基板W於冷卻位置PC靜止。又，於密閉製程中，下部排出部81將氣體自密封外殼40及處理容器3排出。
<步驟S3>置換製程
置換製程係將處理容器3內之氣體置換為非氧化性氣體。具體而言，將非氧化性氣體供給至處理容器3內，且將處理容器3內之氣體排出。於置換製程中，隨著時間經過，處理容器3內之氧濃度下降。再者，於置換製程中，銷24位於上方位置，基板W於冷卻位置PC靜止。
圖11係例示置換製程、加熱製程及冷卻製程之順序之時序圖。如圖11所示，置換製程係於自時刻t0至時刻t3為止之期間執行。置換製程包括第1製程、第2製程及第3製程。第1製程係於自時刻t0至時刻t1為止之期間執行。第2製程係於自時刻t1至時刻t2為止之期間執行。第3製程係於自時刻t2至時刻t3為止之期間執行。
第1製程係將處理容器3內抽真空。具體而言，於第1製程中，上部供 給部51及下部供給部61不向處理容器3內供給非氧化性氣體，側部排出部71將處理容器3內之氣體排出，下部排出部81將密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體排出。側部排出部71通過側部排出口D，將處理容器3內之氣體排出。側部排出部71以相對較大之排出量QEH排出氣體。下部排出部81通過排氣埠83，將密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體排出。於第1製程中，處理容器3內之壓力急速降低。時刻t1中之處理容器3內之氣體之壓力p1例如為-30[kPa]。再者，於本說明書中，以將大氣壓作為基準之表壓記載壓力。
此處，開口9由密封機構31密閉，故而可容易地提昇處理容器3內之真空度。進而，因不僅通過側部排出口D，而且通過排氣埠83排出處理容器3內之氣體，故而可容易地降低處理容器3內之氣體之壓力。
於第2製程中，上部供給部51向處理容器3內供給非氧化性氣體，下部供給部61不向處理容器3內供給非氧化性氣體，側部排出部71將氣體自處理容器3排出，下部排出部81將氣體自密封外殼40及處理容器3排出。上部供給部51通過整流板56之小孔56a吹送非氧化性氣體。上部供給部51以相對較大之供給量QSH供給非氧化性氣體。側部排出部71以排出量QEH排出氣體。於第2製程中，處理容器3內之壓力高於壓力p1。但，於第2製程中，處理容器3內之壓力依然為負壓(即，低於大氣壓)。時刻t2中之處理容器3內之壓力p2例如為-10[kPa]。
於第3製程中，上部供給部51向處理容器3內供給非氧化性氣體，下部供給部61不向處理容器3內供給非氧化性氣體，側部排出部71不排出處理容器3內之氣體，下部排出部81排出密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體。上部供給部51以供給量QSH供給非氧化性氣體。於第3製程 中，處理容器3內之壓力高於壓力p2。於第3製程中，處理容器3內之壓力為正壓(即，高於大氣壓)。
圖12係表示基板W之溫度及處理容器3內之氧濃度之時間性變化的曲線圖。如圖所示，於置換製程之結束時(即，時刻t3)，處理容器3內之氧濃度降低至基準值R以下。於本說明書中，處理容器3內之氧濃度為基準值R以下之情況與處理容器3內為非氧化性氣體氛圍之情況為同義。
此處，氧濃度之基準值R例如為10ppm至10000ppm之範圍內之值。再者，所謂氧濃度係處理容器3內之氣體之體積與處理容器3內之氧氣之體積之比。
<步驟S4>加熱製程
參照圖11。加熱製程係於自時刻t3至時刻t4為止之期間執行。加熱製程將處理容器3內保持為非氧化性氣體氛圍。進而，於加熱製程中，上部供給部51將非氧化性氣體供給至處理容器3內，側部排出部71將氣體自處理容器3排出，下部排出部81將氣體自密封外殼40及處理容器3排出。上部供給部51以較供給量QSH更低之供給量QSL供給非氧化性氣體。側部排出部71以較排出量QEH更低之排出量QEL排出氣體。於加熱製程中，處理容器3內之壓力為正壓。
加熱製程係使基板W位於加熱位置PH。具體而言，於加熱製程開始時(時刻t3)，銷驅動機構25使銷24自上方位置朝下方位置移動。藉此，基板W自冷卻位置PC下降至加熱位置PH。基板W載置於加熱部11之上表面11a。
於銷24自上方位置向下方位置移動時，銷24沿銷24之軸心C之方向下降。於銷24下降時，銷24相對於密封構件43滑動。即便於銷24相對於 密封構件43滑動時，亦維持密封構件43與銷24之密接。
進而，僅於基板W自冷卻位置PC向加熱位置PH移動之期間，下部供給部61向處理容器3內供給非氧化性氣體。下部供給部61通過加熱部11之氣體流通孔14吹送非氧化性氣體。藉此，確實地防止氧滯留於基板W與加熱部11之間隙。
於基板W到達加熱位置PH後，基板W於加熱位置PH靜止直至加熱製程結束。加熱部11將位於加熱位置PH之基板W加熱。藉由基板W之加熱而使基板W上之自組織材料相分離。
參照圖12。於加熱製程中，處理容器3內之氧濃度保持於基準值R以下。即，加熱製程係於非氧化性氣體氛圍中將基板W加熱。加熱製程以溫度T1將基板W加熱。溫度T1相對較高。溫度T1例如為300度以上。溫度T1例如為自組織材料之玻璃轉移點以上。再者，玻璃轉移點亦稱為玻璃轉移溫度。於本實施例中，溫度T1例如為340度至360度之範圍內之值。
<步驟S5>冷卻製程
參照圖11。冷卻製程係於自時刻t4至時刻t5為止之期間執行。冷卻製程亦將處理容器3內保持為非氧化性氣體氛圍。進而，於冷卻製程中，上部供給部51及下部供給部61將非氧化性氣體供給至處理容器3內，側部排出部71將處理容器3內之氣體排出，下部排出部81將密封外殼40內之氣體及處理容器3內之氣體排出。上部供給部51以供給量QSH供給非氧化性氣體。側部排出部71以排出量QEH排出氣體。於冷卻製程中，處理容器3內之壓力為負壓。
冷卻製程係使基板W位於冷卻位置PC。具體而言，於冷卻製程開始時(即，時刻t4)，銷驅動機構25使銷24自下方位置朝上方位置移動。藉 此，基板W自加熱位置PH上升至冷卻位置PC。於基板W到達冷卻位置PC後，基板W於冷卻位置PC靜止直至冷卻製程結束。
參照圖12。於冷卻製程中，處理容器3內之氧濃度亦保持於基準值R以下。即，冷卻製程係於非氧化性氣體氛圍中將基板W冷卻。
冷卻製程使基板W之溫度降低至溫度T2以下。溫度T2低於溫度T1。溫度T2例如較佳為即便基板W與具有與大氣之氧濃度相同程度之氧濃度之氣體接觸，相分離後之自組織材料之構造亦不實質性地劣化或崩解之基板W之溫度。溫度T2例如較佳為與自組織材料之玻璃轉移點相同之溫度以下。溫度T2例如較佳為與自組織材料中所包含之聚合物之玻璃轉移點相同之溫度以下。再者，亦可藉由文獻值而特定出玻璃轉移點。或者，亦可藉由示差操作熱量計(DSC)而特定出玻璃轉移點。於本實施例中，溫度T2例如為240度至260度之範圍內之值。
<步驟S6>開放製程
參照圖1。擋板驅動機構21使擋板5自殼體4脫離。藉此，將搬送口A開放。即，將處理容器3開放。
<步驟S7>搬出製程
未圖示之基板搬送機構將基板W自處理容器3搬出。具體而言，基板搬送機構通過搬送口A進入處理容器3之內部。銷驅動機構25使銷24自上方位置下降。基板搬送機構自銷24接收基板W。其後，基板移動機構退出至處理容器3之外部。
3.實施例之效果
根據實施例之基板處理裝置1，發揮以下效果。
基板處理裝置1具備密封外殼40及密封構件43。密封外殼40於開口9 之周圍，與處理容器3密接，且收容銷24之一部分。密封構件43與密封外殼40之內周面密接，且與銷24之外周面密接。因此，可將開口9較佳地密閉。因此，可較佳地提昇處理容器3之氣密性。
密封構件43可相對於銷24滑動地與銷24密接。即，即便銷24相對於密封構件43滑動，亦維持密封構件43與銷24之密接。因此，即便銷24往復移動，亦可較佳地維持處理容器3之氣密性。
因密封外殼40配置於處理容器3之外部，故而密封構件43亦配置於處理容器3之外部。因密封構件43配置於處理容器3之外部，故而密封構件43不直接地接收處理容器3內之熱。即，可較佳地保護密封構件43免受處理容器3內之熱。因此，可較佳地防止密封構件43劣化。即，可較佳地維持密封構件43之密封功能。因此，可較佳地維持處理容器3之氣密性。
如上所述，可較佳地提昇處理容器3之氣密性，故而可較佳地管理處理容器3內之氛圍。例如，可如置換製程般，充分提昇處理容器3內之非氧化性氣體之濃度。換言之，可充分降低對非氧化性氣體而言之雜質(例如氧或微粒)之濃度。例如，可如加熱製程及冷卻製程般，將處理容器3內容易地維持為非氧化性氣體氛圍。
進而，因可較佳地提昇處理容器3之氣密性，故而可較佳地管理處理容器3內之氣體之壓力。例如，可如置換製程之第3製程或加熱製程般，容易地將處理容器3內之氣體之壓力設為正壓。例如，可如置換製程之第1製程、第2製程或冷卻製程般，容易地將處理容器3內之氣體之壓力設為負壓。例如，可如置換製程之第1製程般，容易地提昇處理容器3內之真空度。例如，可將處理容器3內之氣體之壓力精度較佳地調整為預先決定之值。
如上所述，可較佳地管理處理容器3內之氛圍，且可較佳地管理處理容器3內之氣體之壓力，故而可較佳地提昇基板處理裝置1對基板W進行之處理之品質。
因銷24配置於加熱部11之銷孔12，故而銷24直接地接收加熱部11之熱。然而，因密封構件43配置於處理容器3之外部，故而密封構件43不直接地接收加熱部11之熱。因此，即便銷24為相對高溫，密封構件43亦可不劣化地與銷24適當地密接。因此，可較佳地維持處理容器3之氣密性。如此一來，於銷24貫通加熱部11之情形時，密封機構31之有用性尤其高。
因密封構件43為金屬製，故而密封構件43具有較高之耐熱性。因此，密封構件43可進一步較佳地維持密封功能。因此，可進一步較佳地維持處理容器3之氣密性。
密封外殼40於開口9a之周圍，與處理容器3密接，於開口9b之周圍密接，且於開口9c之周圍，與處理容器3密接。密封外殼40收容銷24a之一部分、銷24b之一部分、及銷24c之一部分。進而，密封外殼40與密封構件43a、43b、43c密接。密封構件43a、43b、43c分別與銷24a、24b、24c密接。根據此種構成，可分別將開口9a、9b、9c較佳地密閉。尤其是，於1個密封外殼40內，可進行3個軸封(即，銷24a、24b、24c之密封)。因此，可簡化密封機構31之構造。
因密封外殼40具備筒部38，故而可適當地設置密封構件43。
因密封外殼40具備集合部33，故而可使筒部38a之內部、筒部38b之內部、及筒部38b之內部較佳地連通。即，集合部33可使空間Fa、Fb、Fc較佳地連通。
集合部33具有管部35a，管部35a跨及銷24a與銷24b之間，於與銷24之軸心C之方向大致正交之方向延伸。因此，可使管部35a之長度相對較短。因此，可簡化集合部33之構造。同樣地，集合部33具有管部35b，管部35b跨及銷24b與銷24c之間，於與銷24之軸心C之方向大致正交之方向延伸。集合部33具有管部35c，管部35c跨及銷24c與銷24a之間，於與銷24之軸心C之方向大致正交之方向延伸。因此，可進一步簡化集合部33之構造。
集合部33具有平坦之上表面33a。因此，集合部33可與處理容器3較佳地密接。
密封機構31具備密封構件45。因此，集合部33可介隔密封構件45而與處理容器3較佳地密接。
筒部38可自集合部33分離。具體而言，軸封部37可自歧管32分離。因此，可將筒部38、密封構件43及銷24一體地自集合部33分離。換言之，可於筒部38、密封構件43及銷24相互密接之狀態下，將筒部38、密封構件43及銷24自集合部33分離。因此，可不將密封構件43自銷24及筒部38分離，而維護基板處理裝置1。因此，可降低密封構件43之更換頻率。再者，因密封構件43為金屬製，故而一旦使密封構件43自銷24或筒部38分離，則必須更換密封構件43。
歧管32具備接頭36，軸封部37具備接頭39。因此，可容易地將軸封部37對於歧管32進行拆裝。即，可容易地將筒部38對於集合部33進行拆裝。進而，可將歧管32與軸封部37氣密地連通連接。
基板處理裝置1具備用以排出密封外殼40內之氣體之排氣埠83。排氣埠83與密封外殼40連通連接。因此，可將密封外殼40內之氣體通過排氣 埠83排出至密封外殼40之外部。因此，可較佳地防止塵埃或外部氣體等異物流入處理容器3內。因此，可進一步較佳地管理處理容器3內之氛圍。
排氣埠83與集合部33連通連接。因此，可將空間E、Fa、Fb、Fc之氣體通過1個第1排氣埠83高效率地排出。
處理容器3與密封外殼40經由開口9而連通。因此，可通過排氣埠83，將處理容器3內之氣體排出。因此，可進一步容易地將處理容器3內減壓。
於開口9中，氣體自處理容器3流向密封外殼40。因此，可較佳地阻止塵埃或外部氣體等異物自密封外殼40流入處理容器3。因此，可進一步較佳地管理處理容器3內之氛圍。
密封外殼40進一步與銷孔12連通。因此，可通過排氣埠83排出銷孔12之氣體。因此，可進一步較佳地管理銷孔12之氣體。
銷孔12向加熱部11之上方開放。因此，可通過銷孔12，將加熱部11之上方之氣體容易地排出。因此，可進一步較佳地管理加熱部11之上方之氣體。
冷卻部47配置於密封機構31之附近。因此，冷卻部47可較佳地將密封外殼40及密封構件43冷卻。即，可抑制密封構件43過度地成為高溫。因此，可較佳地防止密封構件43劣化。因此，可進一步較佳地維持處理容器3之氣密性。
冷卻部47配置於密封機構31之附近，且密封機構31與銷24密接。因此，冷卻部47可進一步將銷24冷卻。藉此，可抑制銷24過度地成為高溫。因此，可較佳地防止銷24損傷，從而可較佳地防止銷24之形狀變形。其結果，銷24可適當地支持基板W。
冷卻部47配置於密封外殼40之附近。因此，冷卻部47可較佳地將密封外殼40及密封構件43冷卻。
冷卻部47以包圍密封外殼40之方式配置。因此，冷卻部47可將密封外殼40於較大之區域中冷卻。因此，冷卻部47可有效地將密封外殼40冷卻。
冷卻部47配置於集合部33之附近。因此，冷卻部47可較佳地將集合部33冷卻。進而，集合部33與筒部38連接。因此，冷卻部47可分別較佳地將各筒部38冷卻。
冷卻部47包含供冷卻水流動之冷卻流路。因此，密封外殼40之熱高效率地傳遞至冷卻水。因此，冷卻部47可有效地將密封外殼40冷卻。
密封外殼40為金屬製。因此，密封外殼40之熱導率相對較高。因此，冷卻部47可有效地將密封外殼40冷卻。
密封構件43為金屬製。因此，密封構件43之熱導率相對較高。因此，冷卻部47可有效地將密封構件43冷卻。
冷卻部16A配置於密封構件15A之附近。因此，冷卻部16A可將密封構件15A冷卻。即，可抑制密封構件15A過度地成為高溫。因此，可較佳地防止密封構件15A劣化。因此，可將搬送口A較佳地密閉。
冷卻部16B配置於密封構件15B之附近。因此，冷卻部16B可將密封構件15B冷卻。因此，可較佳地防止密封構件15B之劣化。因此，可將上部開口B較佳地密閉。
冷卻部16C配置於密封構件15C之附近。因此，冷卻部16C可將密封構件15C冷卻。因此，可較佳地防止密封構件15C劣化。因此，可將下部開口C較佳地密閉。
冷卻部16D配置於密封構件15D之附近。因此，冷卻部16D可將密封構件15D冷卻。因此，可較佳地防止密封構件15D劣化。因此，可較佳地使側部排出口D與排氣管道72氣密地連通。
本發明並不限於上述實施形態，能夠以如下方式變化實施。
(1)於上述實施例中，歧管32具備接頭36，但並不限於此。例如，亦可省略接頭36。例如，集合部33亦可直接與軸封部37連接。於本變化實施例之情形時，集合部33、筒部38及接頭39構成密封外殼40。
(2)於上述實施例中，軸封部37具備接頭39，但並不限於此。例如，亦可省略接頭39。例如，筒部38亦可直接與歧管32連接。於本變化實施例之情形時，集合部33、接頭36及筒部38構成密封外殼40。
(3)於上述實施例中，集合部33間接地與筒部38連接，但並不限於此。即，集合部33亦可直接地與筒部38連接。例如，亦可省略接頭36、39。於本變化實施例之情形時，集合部33及筒部38構成密封外殼40。
(4)於上述實施例中，密封機構31具備歧管32，但並不限於此。例如，亦可省略歧管32。例如，軸封部37亦可直接連接於處理容器3。
圖13係表示變化實施例之基板處理裝置1之主要部分之概略構成的圖。再者，對於與實施例相同之構成，標註相同符號，藉此省略詳細之說明。
軸封部37a於開口9a之周圍，與處理容器3密接。具體而言，接頭39a介隔密封構件45a而與底板8密接。軸封部37b於開口9b之周圍，與處理容器3密接。具體而言，接頭39b介隔密封構件45b而與底板8密接。軸封部37c於開口9c之周圍，與處理容器3密接。具體而言，接頭39c介隔密封構件45c而與底板8密接。
於本變化實施例中，筒部38a及接頭39a構成密封外殼40a。空間Fa相當於密封外殼40a之內部。密封外殼40a收容銷24a之一部分。密封外殼40a及密封構件43a將銷24a密封。密封外殼40a及密封構件43a將開口9a密閉。
筒部38b及接頭39b構成密封外殼40b。空間Fb相當於密封外殼40b之內部。密封外殼40b收容銷24b之一部分。密封外殼40b及密封構件43b將銷24b密封。密封外殼40b及密封構件43b將開口9b密閉。
筒部38c及接頭39c構成密封外殼40c。空間Fc相當於密封外殼40c之內部。密封外殼40c收容銷24c之一部分。密封外殼40c及密封構件43c將銷24c密封。密封外殼40c及密封構件43c將開口9c密閉。
基板處理裝置1具備冷卻部47a、47b、47c。冷卻部47a配置於筒部38a之附近。冷卻部47a將筒部38a、密封構件43a及銷24a冷卻。冷卻部47b配置於筒部38b之附近。冷卻部47b將筒部38b、密封構件43b及銷24b冷卻。冷卻部47c配置於筒部38c之附近。冷卻部47c將筒部38c、密封構件43c及銷24c冷卻。
基板處理裝置1具備排氣埠83a、83b、83c。排氣埠83a與筒部38a連通連接。密封外殼40a內之氣體(即，空間Fa之氣體)通過排氣埠83a排出。排氣埠83b與筒部38b連通連接。密封外殼40b內之氣體(即，空間Fb之氣體)通過排氣埠83b排出。排氣埠83c與筒部38c連通連接。密封外殼40c內之氣體(即，空間Fc之氣體)通過排氣埠83c排出。
藉由本變化實施例，亦可與實施例相同地提昇處理容器3之氣密性。
進而，密封外殼40a與1個密封構件43a密接。因此，可簡化密封外殼40a之構造。具體而言，可簡化密封外殼40a之內部之形狀。同樣地，密封 外殼40b與1個密封構件43b密接。因此，可簡化密封外殼40b之構造。密封外殼40c與1個密封構件43c密接。因此，可簡化密封外殼40c之構造。
如上所述，密封外殼40a之內部之形狀較為簡單。因此，可通過排氣埠83a，將密封外殼40a內之氣體均一地排出。同樣地，可通過排氣埠83b，將密封外殼40b內之氣體均一地排出。同樣地，可通過排氣埠83c，將密封外殼40c內之氣體均一地排出。
冷卻部47a配置於筒部38a之附近。因此，冷卻部47a可有效地將密封構件43a及銷24a冷卻。同樣地，冷卻部47b可有效地將密封構件43b及銷24b冷卻。冷卻部47c可有效地將密封構件43c及銷24c冷卻。
密封外殼40a、40b、40c中之一個為本發明中之第1密封外殼之例。密封外殼40a、40b、40c中之另一個為本發明中之第2密封外殼之例。排氣埠83a、83b、83c中之一個為本發明中之第1排氣埠之例。排氣埠83a、83b、83c中之另一個為本發明中之第2排氣埠之例。冷卻部47a、47b、47c為本發明中之冷卻部之例。
(5)於上述實施例中，密封機構31具備軸封部37，但並不限於此。例如，亦可省略軸封部37。例如，密封構件43亦可直接地密接於集合部33。
圖14係表示變化實施例之基板處理裝置1之主要部分之概略構成的圖。再者，對於與實施例相同之構成，標註相同符號，藉此省略詳細之說明。
密封構件43a、43b、43c分別密接於集合部33。具體而言，集合部33於其下表面具有3個安裝口101a、101b、101c。密封構件43a、43b、43c分別密接於安裝口101a、101b、101c之內周面。
於本變化實施例中，集合部33構成密封外殼40。空間E相當於密封外殼40之內部。密封外殼40(即，集合部33)及密封構件43a、43b、43c將銷24a、24b、24c密封。密封外殼40(即，集合部33)及密封構件43a、43b、43c將開口9a、9b、9c密閉。
藉由本變化實施例，亦可與實施例同樣地提昇處理容器3之氣密性。
(6)於上述實施例中，集合部33直接地與處理容器3連接，但並不限於此。即，集合部33亦可間接地與處理容器3連接。例如，歧管32亦可具備用以與處理容器3密接之接頭。接頭與集合部33連通連接，且與處理容器3密接。
(7)於上述實施例中，軸封部37可自歧管32分離，但並不限於此。即，軸封部37亦可無法自歧管32分離。藉由本變化實施例，可使銷24、軸封部37及歧管32一體地自處理容器3脫離。因此，不將密封構件43自銷24及筒部38分離，便可維護基板處理裝置1。因此，可降低密封構件43之更換頻率。
(8)於上述實施例中，排氣埠83與集合部33連通連接，但並不限於此。例如，亦可使排氣埠83與軸封部37連通連接。
(9)於上述實施例中，排氣埠83之數量為1個，但並不限於此。排氣埠83之數量亦可為複數個。
(10)於上述實施例中，基板處理裝置1具備排氣埠83，但並不限於此。例如，亦可省略排氣埠83。
(11)於上述實施例中，冷卻部47配置於集合部33之附近，但並不限於此。亦可適當地變更冷卻部47之配置。例如，亦可將冷卻部47配置於筒部38之附近。或者，亦可將冷卻部47配置於密封外殼40之內部。
(12)於上述實施例中，冷卻部47為冷卻管，但並不限於此。例如，冷卻部47亦可為冷卻板。例如，冷卻部47亦可為形成於集合部33之壁內之冷卻流路。例如，冷卻部47亦可為形成於筒部38之壁內之冷卻流路。例如，冷卻部47亦可為安裝於集合部33之外壁之冷卻套。例如，冷卻部47亦可為安裝於筒部38之外周面之冷卻套。
(13)於上述實施例中，冷卻部47使用冷卻水，但並不限於此。即，冷卻部47亦可使用除水以外之熱介質。
(14)於上述實施例中，基板處理裝置1具備冷卻部47，但並不限於此。例如，亦可省略冷卻部47。
(15)於上述實施例中，銷24係用以支持基板W之構件，但並不限於此。例如，亦可將銷24變更為用以支持加熱部11或整流板56之軸構件。例如，亦可將銷24變更為用以供給氣體及液體中之至少任一者之軸構件。例如，亦可將銷24變更為用以吸附保持基板W之軸構件。
(16)於上述實施例中，銷24於其內部不具有中空部，但並不限於此。銷24亦可於其內部具有中空部。例如，銷24亦可為2層管或3層管。
(17)於上述實施例中，銷24之數量為3個，但並不限於此。例如，銷24之數量亦可為1根、2根、或4根以上。進而，亦可根據銷24之數量，變更開口9之數量、銷孔12之數量、開口34之數量、軸封部37之數量等。
(18)於上述實施例中，銷24可移動至2個位置(上方位置及下方位置)，但並不限於此。例如，銷24亦可能夠移動至3個以上之位置。
(19)於上述實施例中，基板處理裝置1所進行之熱處理包含將基板W加熱之處理、及將基板W冷卻之處理，但並不限於此。例如，基板處理裝置1所進行之熱處理亦可僅包含將基板W加熱之處理及將基板W冷卻之處 理中之任一者。
(20)於上述實施例中，基板處理裝置1所進行之處理為熱處理，但並不限於此。例如，基板處理裝置1亦可進行除熱處理以外之處理。於上述實施例中，於基板處理裝置1所進行之處理中，未使用處理液，但並不限於此。例如，於基板處理裝置1所進行之處理中，亦可使用處理液(例如溶劑或疏水化處理劑等)。
(21)於上述實施例中，例示了冷卻部16，但亦可適當地變更冷卻部16之構造及配置。例如，冷卻部16A亦可為形成於擋板5之內部之冷卻流路。冷卻部16A亦可為用以供冷卻水流動之配管。冷卻部16A亦可介隔擋板5而與密封構件15A熱連接。亦可同樣地適當變更冷卻部16B~16D。
(22)於上述實施例中，基板處理裝置1將塗佈有自組織材料之基板W進行熱處理，但並不限於此。基板處理裝置1亦可將形成有抗蝕膜或抗反射膜之基板W進行處理。例如，基板處理裝置1亦可將形成有下層膜之基板W進行處理。下層膜例如為SOC(Spin-on-Carbon，旋塗碳)膜或SOG(Spin On Glass，旋塗玻璃)膜。
(23)對於上述各實施例及上述(1)至(22)中所說明之各變化實施例，亦可將各構成以與其他變化實施例之構成置換或組合等之方式適當地變更。
本發明可不脫離其思想或本質而以其他具體之形態實施，因此，作為表示發明之範圍者，不應參照以上說明，而應參照所附加之申請專利範圍。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：處理容器，其具有第1開口，對基板進行處理；第1軸構件，其通過上述第1開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第1軸構件之軸心方向往復移動；第1密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第1開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第1軸構件之一部分；第1密封構件，其與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第1軸構件滑動地與上述第1軸構件之外周面密接；及第1排氣埠，其與上述第1密封外殼連通連接，用以排出上述第1密封外殼內之氣體。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述第1密封構件為金屬製。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理容器與上述第1密封外殼經由上述第1開口而連通。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置具備配置於上述處理容器之內部且將基板加熱之加熱部，上述加熱部具有形成於上述加熱部之內部之貫通孔，且上述第1軸構件配置於上述貫通孔。
  5. 如請求項4之基板處理裝置，其中上述第1密封外殼與上述貫通孔連通。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備第2軸構件，該第2軸構件係通過上述第2開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸心方向往復移動，上述第1密封外殼於上述第2開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分，上述基板處理裝置具備第2密封構件，該第2密封構件與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述第1密封外殼具備：集合部，其於上述第1開口之周圍及上述第2開口之周圍，與上述處理容器密接；第1筒部，其與上述集合部連通連接；及第2筒部，其與上述集合部連通連接；上述第1軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第1筒部，上述第2軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第2筒部，上述第1密封構件與上述第1筒部之內周面密接，上述第2密封構件與上述第2筒部之內周面密接，且上述第1排氣埠與上述集合部連通連接。
  8. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述第1筒部可自上述集合部分離，且上述第2筒部可自上述集合部分離。
  9. 如請求項7之基板處理裝置，其中上述集合部具有第1管部，該第1管部係跨及上述第1軸構件與上述第2軸構件之間而於與上述第1軸構件之上述軸心方向大致正交之方向延伸。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其具備配置於上述第1密封外殼之附近之冷卻部。
  11. 一種基板處理裝置，其具備：處理容器，其具有第1開口，且對基板進行處理；第1軸構件，其通過上述第1開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第1軸構件之軸心方向往復移動；密封機構，其一邊容許上述第1軸構件之往復移動，一邊將上述第1開口密閉；及冷卻部，其配置於上述密封機構之附近；上述密封機構具備：第1密封外殼，其配置於上述處理容器之外部，於上述第1開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第1軸構件之一部分；及第1密封構件，其與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第1軸構件滑動地與上述第1軸構件之外周面密接。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述冷卻部以包圍上述第1密封外殼之方式配置。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述冷卻部包含供冷卻水流動之冷卻流路。
  14. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1密封外殼為金屬製。
  15. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述第1密封構件為金屬製。
  16. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置具備配置於上述處理容器之內部且將基板加熱之加熱部，上述加熱部具有形成於上述加熱部之內部之貫通孔，且上述第1軸構件配置於上述貫通孔。
  17. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述處理容器具有第2開口，上述基板處理裝置具備第2軸構件，該第2軸構件係通過上述第2開口，跨及上述處理容器之內部及上述處理容器之外部而配置，且於上述第2軸構件之軸心方向往復移動，上述第1密封外殼於上述第2開口之周圍與上述處理容器密接，且收容上述第2軸構件之一部分，上述密封機構具備第2密封構件，該第2密封構件與上述第1密封外殼之內周面密接，且可對上述第2軸構件滑動地與上述第2軸構件之外周面密接。
  18. 如請求項17之基板處理裝置，其中上述第1密封外殼具備：集合部，其於上述第1開口之周圍及上述第2開口之周圍與上述處理容器密接；第1筒部，其與上述集合部連通連接；及第2筒部，其與上述集合部連通連接；上述第1軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第1筒部，上述第2軸構件之一部分收容於上述集合部及上述第2筒部，上述第1密封構件與上述第1筒部之內周面密接，上述第2密封構件與上述第2筒部之內周面密接，且上述冷卻部配置於上述集合部之附近。
  19. 如請求項18之基板處理裝置，其中上述第1筒部可自上述集合部分離，且上述第2筒部可自上述集合部分離。
  20. 如請求項18之基板處理裝置，其中上述集合部具有第1管部，該第1管部係跨及上述第1軸構件與上述第2軸構件之間而於與上述第1軸構件之上述軸心方向大致正交之方向延伸。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN206573826U (zh) * 2017-03-23 2017-10-20 惠科股份有限公司 一种顶升装置及配向紫外线照射机
JP7413164B2 (ja) 2020-06-26 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理ユニット、基板処理装置、熱処理方法、及び記憶媒体
CN114678296B (zh) * 2022-03-11 2023-03-31 苏州智程半导体科技股份有限公司 一种晶圆加热装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060219178A1 (en) * 2003-04-21 2006-10-05 Tokyo Electron Limited Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
US20070040041A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Le Hien-Minh H Substrate temperature regulating support pins
US20080210680A1 (en) * 2007-01-31 2008-09-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20140022521A1 (en) * 2012-07-18 2014-01-23 Masahiko Harumoto Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20150318146A1 (en) * 2014-04-30 2015-11-05 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55139559A (en) * 1979-04-12 1980-10-31 Nok Corp Sealing-up device
JPS58149191A (ja) * 1982-03-03 1983-09-05 日本電信電話株式会社 試料移動装置
US5060354A (en) * 1990-07-02 1991-10-29 George Chizinsky Heated plate rapid thermal processor
JP3106172B2 (ja) * 1991-02-26 2000-11-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の封止構造
JPH07231028A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Ebara Corp 搬送装置および搬送方法
JPH07235524A (ja) * 1994-02-24 1995-09-05 Ulvac Japan Ltd プラズマ処理装置
JP3556804B2 (ja) 1997-05-20 2004-08-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JPH1140492A (ja) * 1997-07-18 1999-02-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6042623A (en) * 1998-01-12 2000-03-28 Tokyo Electron Limited Two-wafer loadlock wafer processing apparatus and loading and unloading method therefor
JP2000068259A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2001141068A (ja) * 1999-11-10 2001-05-25 Mitsubishi Cable Ind Ltd シール構造
JP4275427B2 (ja) * 2003-02-28 2009-06-10 東京エレクトロン株式会社 回転軸シール機構および液処理装置
JP4559137B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-06 キヤノン株式会社 真空機器の製造装置及び製造方法
JP2007158077A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP4712614B2 (ja) * 2006-05-29 2011-06-29 株式会社アルバック 真空処理装置
JP4951536B2 (ja) * 2007-03-27 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 基板載置台及び基板処理装置
KR100983606B1 (ko) * 2008-04-11 2010-09-24 에이피시스템 주식회사 진공 챔버용 기밀 유지 장치와 이를 갖는 기판 접합 장치
JP4645696B2 (ja) 2008-08-01 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構及びロードロック室
KR102385718B1 (ko) * 2010-12-29 2022-04-12 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법
US8801352B2 (en) * 2011-08-11 2014-08-12 International Business Machines Corporation Pick and place tape release for thin semiconductor dies
KR102050820B1 (ko) * 2012-12-06 2019-12-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6432507B2 (ja) * 2013-04-30 2018-12-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6199638B2 (ja) * 2013-07-16 2017-09-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR101773749B1 (ko) * 2015-01-20 2017-08-31 엔지케이 인슐레이터 엘티디 샤프트 단부 부착 구조
JP5916909B1 (ja) * 2015-02-06 2016-05-11 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060219178A1 (en) * 2003-04-21 2006-10-05 Tokyo Electron Limited Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
US20070040041A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Le Hien-Minh H Substrate temperature regulating support pins
US20080210680A1 (en) * 2007-01-31 2008-09-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20140022521A1 (en) * 2012-07-18 2014-01-23 Masahiko Harumoto Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20150318146A1 (en) * 2014-04-30 2015-11-05 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate

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