JPH07235524A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH07235524A JPH07235524A JP6052732A JP5273294A JPH07235524A JP H07235524 A JPH07235524 A JP H07235524A JP 6052732 A JP6052732 A JP 6052732A JP 5273294 A JP5273294 A JP 5273294A JP H07235524 A JPH07235524 A JP H07235524A
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- plasma
- electrode
- substrate electrode
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Abstract
(57)【要約】
［目的］ 単位時間当りの基板処理能力の大きいプラズ
マ処理装置を提供すること。 ［構成］ プラズマ・アッシング装置１の真空処理室１
０内にアッシングされるべき基板１７を載置する基板電
極４６と、その上方の平行する位置に、基板電極４６と
電気的に接続された対向電極４７を設けて、基板電極４
６にはＲＦ電源４３を接続する。プラズマ・アッシング
処理中は、基板電極４６と対向電極４７とにＲＦ電力を
印加する。
マ処理装置を提供すること。 ［構成］ プラズマ・アッシング装置１の真空処理室１
０内にアッシングされるべき基板１７を載置する基板電
極４６と、その上方の平行する位置に、基板電極４６と
電気的に接続された対向電極４７を設けて、基板電極４
６にはＲＦ電源４３を接続する。プラズマ・アッシング
処理中は、基板電極４６と対向電極４７とにＲＦ電力を
印加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に関
するものであり、更に詳しくは基板処理能力の大きいプ
ラズマ処理装置に関する。
するものであり、更に詳しくは基板処理能力の大きいプ
ラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】半導体製品のＬＳＩ（大
規模集積回路）やその他の電子部品の製造工程におい
て、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置、プラズマ・
エッチング装置、プラズマ・アッシング装置の如きプラ
ズマ処理装置が広く使用されているが、上記のＬＳＩ等
は量産品であるので、プラズマ処理装置には単位時間当
りの基板処理能力（スループット）の大きいことが望ま
れている。
規模集積回路）やその他の電子部品の製造工程におい
て、プラズマＣＶＤ（化学気相成長）装置、プラズマ・
エッチング装置、プラズマ・アッシング装置の如きプラ
ズマ処理装置が広く使用されているが、上記のＬＳＩ等
は量産品であるので、プラズマ処理装置には単位時間当
りの基板処理能力（スループット）の大きいことが望ま
れている。
【０００３】以下、プラズマ処理装置の例としてプラズ
マ・アッシング装置を取り上げて説明する。図５は従来
例のマイクロ波によるプラズマ・アッシング装置１’の
側断面図であり、概しては、アッシング（レジスト膜の
灰化処理）されるべき基板１７を収容する真空処理室１
０と、アッシングに使用する酸素ガスが供給され、プラ
ズマ化される放電管２０と、放電管２０にマイクロ波を
印加するためのマイクロ波電源３１、及びその導波管３
０とからなっている。
マ・アッシング装置を取り上げて説明する。図５は従来
例のマイクロ波によるプラズマ・アッシング装置１’の
側断面図であり、概しては、アッシング（レジスト膜の
灰化処理）されるべき基板１７を収容する真空処理室１
０と、アッシングに使用する酸素ガスが供給され、プラ
ズマ化される放電管２０と、放電管２０にマイクロ波を
印加するためのマイクロ波電源３１、及びその導波管３
０とからなっている。
【０００４】すなわち、真空処理室１０の内壁に相対す
る突起部１４ａ、１４ｂが設けられ、それらに支持され
てガス整流器１５が設置されている。また、ガス整流器
１５の下方には、金属製の支持台１６が設けられ、基板
１７が載置される。そして、その下方には基板加熱用の
ヒータ１９が配設されている。更には、真空処理室１０
の側壁に放電管２０の端部を挿入するための挿入固定部
１８が設けられ、底壁に設けた排気口１１には真空バル
ブ１２を介して真空ポンプ１３が接続されている。
る突起部１４ａ、１４ｂが設けられ、それらに支持され
てガス整流器１５が設置されている。また、ガス整流器
１５の下方には、金属製の支持台１６が設けられ、基板
１７が載置される。そして、その下方には基板加熱用の
ヒータ１９が配設されている。更には、真空処理室１０
の側壁に放電管２０の端部を挿入するための挿入固定部
１８が設けられ、底壁に設けた排気口１１には真空バル
ブ１２を介して真空ポンプ１３が接続されている。
【０００５】放電管２０は間隙をあけて導波管３０を貫
通しており、前述のように一端を真空処理室１０の挿入
固定部１８に挿入されて、両者の間はＯ−リング２２で
真空シールされ、図では省略されているが他端はガス供
給端に挿入されてプラズマ化するための酸素ガスが導入
される。なお、放電管２０は石英ガラス、サファイヤ、
またはアルミナ等の絶縁体を材料として作製される。
通しており、前述のように一端を真空処理室１０の挿入
固定部１８に挿入されて、両者の間はＯ−リング２２で
真空シールされ、図では省略されているが他端はガス供
給端に挿入されてプラズマ化するための酸素ガスが導入
される。なお、放電管２０は石英ガラス、サファイヤ、
またはアルミナ等の絶縁体を材料として作製される。
【０００６】導波管３０は始端部にマイクロ波電源３１
が接続され、放電管２０の下方には導波管３０を挿通し
てスタブチューナ３２が、また導波管３０の終端部には
終端整合器３３がマイクロ波の整合のために設けられて
いる。更には、放電管２０が貫通する部分において、放
電管２０の周囲に間隙をあけて、導波管３０の側壁から
内部へ向い、ほぼその中央まで延びる円筒状のスリーブ
３５が設けられている。このスリーブ３５はマイクロ波
の電界を放電管２０内の放電部に集中させるために設け
られている。
が接続され、放電管２０の下方には導波管３０を挿通し
てスタブチューナ３２が、また導波管３０の終端部には
終端整合器３３がマイクロ波の整合のために設けられて
いる。更には、放電管２０が貫通する部分において、放
電管２０の周囲に間隙をあけて、導波管３０の側壁から
内部へ向い、ほぼその中央まで延びる円筒状のスリーブ
３５が設けられている。このスリーブ３５はマイクロ波
の電界を放電管２０内の放電部に集中させるために設け
られている。
【０００７】従来例のプラズマ・アッシング装置１’は
以上のように構成されるが、次にその作用について説明
する。
以上のように構成されるが、次にその作用について説明
する。
【０００８】真空処理室１０内の支持台１６には、電子
回路等の微細加工に使用されたレジスト膜が残る基板１
７を載置した後、真空バルブ１２を開とし、真空ポンプ
１３によって真空処理室１０、及びそれに繋がる放電管
２０を真空排気すると共に、ヒータ１９によって基板１
７を所定の温度に加熱する。
回路等の微細加工に使用されたレジスト膜が残る基板１
７を載置した後、真空バルブ１２を開とし、真空ポンプ
１３によって真空処理室１０、及びそれに繋がる放電管
２０を真空排気すると共に、ヒータ１９によって基板１
７を所定の温度に加熱する。
【０００９】一方、図示しないボンベから、ガス供給端
を経て酸素ガスを放電管２０内へ供給しつつ、マイクロ
波電源３１によって周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を放電管２０に印加すると、放電管２０内で放電が起こ
り、酸素ガスはプラズマ化される。放電が生じた後、必
要な場合には、マイクロ波の反射波が小さくなるよう
に、スタブチューナ３２の挿通深さを調整する。
を経て酸素ガスを放電管２０内へ供給しつつ、マイクロ
波電源３１によって周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を放電管２０に印加すると、放電管２０内で放電が起こ
り、酸素ガスはプラズマ化される。放電が生じた後、必
要な場合には、マイクロ波の反射波が小さくなるよう
に、スタブチューナ３２の挿通深さを調整する。
【００１０】以降、供給される酸素ガスは放電プラズマ
領域２１を通過することによってプラズマ化され、活性
の高い中性酸素ラジカルを含むガスとなって、真空処理
室１０へ導入される。そして更に、ガス整流器１５で整
流され、基板１７上に均一に輸送されて、基板１７上の
レジスト膜と反応し、これを除去する。除去されたもの
は真空ポンプ１３によって系外へ排出される。
領域２１を通過することによってプラズマ化され、活性
の高い中性酸素ラジカルを含むガスとなって、真空処理
室１０へ導入される。そして更に、ガス整流器１５で整
流され、基板１７上に均一に輸送されて、基板１７上の
レジスト膜と反応し、これを除去する。除去されたもの
は真空ポンプ１３によって系外へ排出される。
【００１１】従来例のマイクロ波によるプラズマ・アッ
シング装置１’は以上のように構成され作用するが、こ
の装置１’に対し、スループットを向上させることが要
求されている。そして、スループットの向上にはアッシ
ング速度、すなわち、単位時間当りにアッシングされる
レジスト膜厚を大にすることが最も有効である。しか
し、そのために投入するマイクロ波のパワーを増大させ
ることは簡単ではない。
シング装置１’は以上のように構成され作用するが、こ
の装置１’に対し、スループットを向上させることが要
求されている。そして、スループットの向上にはアッシ
ング速度、すなわち、単位時間当りにアッシングされる
レジスト膜厚を大にすることが最も有効である。しか
し、そのために投入するマイクロ波のパワーを増大させ
ることは簡単ではない。
【００１２】すなわち、従来例のプラズマ・アッシング
装置１’では、生成されたプラズマ中に存在するイオン
が基板１７に照射されて、基板１７上の電子回路などの
特性を劣化させることのないように、アッシングを行な
う真空処理室１０内で放電させるのではなく、別に設け
た放電管２０内で放電させて、プラズマ生成個所とアッ
シング個所とを分離した構成としている。この場合に、
投入するマイクロ波のパワーを大にすると放電管２０の
温度が上昇し、Ｏ−リング２２による挿入固定部１８の
真空シール性が損われる。このように、アッシング速度
の向上には問題が多い。
装置１’では、生成されたプラズマ中に存在するイオン
が基板１７に照射されて、基板１７上の電子回路などの
特性を劣化させることのないように、アッシングを行な
う真空処理室１０内で放電させるのではなく、別に設け
た放電管２０内で放電させて、プラズマ生成個所とアッ
シング個所とを分離した構成としている。この場合に、
投入するマイクロ波のパワーを大にすると放電管２０の
温度が上昇し、Ｏ−リング２２による挿入固定部１８の
真空シール性が損われる。このように、アッシング速度
の向上には問題が多い。
【００１３】
【発明が解決しようとする問題点】本発明は上述の問題
に鑑みてなされ、真空シール性を損ったり、放電管の温
度を上昇させることなく、単位時間当りの基板処理能力
の大きいプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
に鑑みてなされ、真空シール性を損ったり、放電管の温
度を上昇させることなく、単位時間当りの基板処理能力
の大きいプラズマ処理装置を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【問題点を解決するための手段】以上の目的は、少なく
とも、プラズマ処理されるべき基板を収容するための真
空処理室と、一端はプラズマ生成用のガスの供給口とさ
れ、他端は前記真空処理室へ挿入された放電管とからな
るプラズマ処理装置において、前記真空処理室内に基板
電極と、該基板電極に平行して対向電極を設けて、これ
ら両電極にＲＦ（高周波）電源を接続し、プラズマ処理
に際しては、前記基板を前記基板電極上、または該基板
電極と前記対向電極との間に保持して、前記基板電極と
前記対向電極とにＲＦ（高周波）電力を印加することを
特徴とするプラズマ処理装置、によって達成される。
とも、プラズマ処理されるべき基板を収容するための真
空処理室と、一端はプラズマ生成用のガスの供給口とさ
れ、他端は前記真空処理室へ挿入された放電管とからな
るプラズマ処理装置において、前記真空処理室内に基板
電極と、該基板電極に平行して対向電極を設けて、これ
ら両電極にＲＦ（高周波）電源を接続し、プラズマ処理
に際しては、前記基板を前記基板電極上、または該基板
電極と前記対向電極との間に保持して、前記基板電極と
前記対向電極とにＲＦ（高周波）電力を印加することを
特徴とするプラズマ処理装置、によって達成される。
【００１５】
【作用】真空処理室内において基板電極、及びこれに平
行して対向電極を設け、プラズマ処理時には基板電極
上、または基板電極と対向電極との間に基板を保持し、
基板電極と対向電極とにＲＦ（高周波）電力を印加する
ことにより、高周波電界下でプラズマは更に励起されプ
ラズマ処理速度が向上する。
行して対向電極を設け、プラズマ処理時には基板電極
上、または基板電極と対向電極との間に基板を保持し、
基板電極と対向電極とにＲＦ（高周波）電力を印加する
ことにより、高周波電界下でプラズマは更に励起されプ
ラズマ処理速度が向上する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例によるプラズマ処理装
置について、図面を参照して説明する。
置について、図面を参照して説明する。
【００１７】図１は従来例と比較するために例示するマ
イクロ波によるプラズマ・アッシング装置１の側断面図
である。なお、従来例と同様な部分については同一の符
号を付し、その詳細な説明は省略する。
イクロ波によるプラズマ・アッシング装置１の側断面図
である。なお、従来例と同様な部分については同一の符
号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００１８】図１において、プラズマ・アッシング装置
１は、概してはアッシングされるべき基板１７を収容す
る真空処理室１０と、アッシングに使用する酸素ガスが
供給されプラズマ化される放電管２０と、放電管２０に
マイクロ波を印加するためのマイクロ波電源３１、及び
その導波管３０とからなっており、これらの構成は従来
例と同様である。
１は、概してはアッシングされるべき基板１７を収容す
る真空処理室１０と、アッシングに使用する酸素ガスが
供給されプラズマ化される放電管２０と、放電管２０に
マイクロ波を印加するためのマイクロ波電源３１、及び
その導波管３０とからなっており、これらの構成は従来
例と同様である。
【００１９】本実施例のプラズマ・アッシング装置１に
おいては、真空処理室１０内における基板１７の保持方
法が従来例と異なる。すなわち、本実施例においては、
図１に示すように、基板電極４６が、その上方の平行す
る位置に配した対向電極４７を導電材である連結棒４５
によって支持しており、両電極４６、４７は電気的に接
続されている。また、基板電極４６にはマッチングボッ
クス４４を介してＲＦ電源４３が接続されており、基板
１７は基板電極４６上に載置される。図２は対向電極４
７の平面図であり、中心開口４８ａに対し同心円状にく
りぬいてガスの通過路４８ｂが設けられ、外周において
径外方向に延びる３本の支持部４９によって連結棒４５
を介し基板電極４６上に固定される。なお、基板電極４
６の下方には基板１７を加熱するためのヒータ１９が設
けられているが、これは基板電極４６とは電気的に絶縁
されている。電極部４７ａの巾ｒ1 は通過路４８ｂの巾
ｒ2 に等しく形成されている。
おいては、真空処理室１０内における基板１７の保持方
法が従来例と異なる。すなわち、本実施例においては、
図１に示すように、基板電極４６が、その上方の平行す
る位置に配した対向電極４７を導電材である連結棒４５
によって支持しており、両電極４６、４７は電気的に接
続されている。また、基板電極４６にはマッチングボッ
クス４４を介してＲＦ電源４３が接続されており、基板
１７は基板電極４６上に載置される。図２は対向電極４
７の平面図であり、中心開口４８ａに対し同心円状にく
りぬいてガスの通過路４８ｂが設けられ、外周において
径外方向に延びる３本の支持部４９によって連結棒４５
を介し基板電極４６上に固定される。なお、基板電極４
６の下方には基板１７を加熱するためのヒータ１９が設
けられているが、これは基板電極４６とは電気的に絶縁
されている。電極部４７ａの巾ｒ1 は通過路４８ｂの巾
ｒ2 に等しく形成されている。
【００２０】本実施例によるプラズマ・アッシング装置
１は以上のように構成されるが、次にその作用について
説明する。
１は以上のように構成されるが、次にその作用について
説明する。
【００２１】真空処理室１０内の基板電極４６上に除去
すべきレジスト膜の存在する面を上にして基板１７を載
置してから、真空バルブ１２を開とし、真空ポンプ１３
によって真空処理室１０、及びこれと一体的な放電管２
０を真空排気する。次いで、ヒータ１９によって基板１
７を所定の温度に加熱すると共に、基板電極４６、及び
これと電気的に接続されている対向電極４７に対し、Ｒ
Ｆ電源４３から、マッチングボックス４４を介し、周波
数１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。
すべきレジスト膜の存在する面を上にして基板１７を載
置してから、真空バルブ１２を開とし、真空ポンプ１３
によって真空処理室１０、及びこれと一体的な放電管２
０を真空排気する。次いで、ヒータ１９によって基板１
７を所定の温度に加熱すると共に、基板電極４６、及び
これと電気的に接続されている対向電極４７に対し、Ｒ
Ｆ電源４３から、マッチングボックス４４を介し、周波
数１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。
【００２２】一方、図示しないボンベからの酸素ガスを
放電管２０内へ供給しつつ、マイクロ波電源３１によっ
て周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を放電管２０に印
加すると、放電が開始され、酸素ガスはプラズマ化され
る。放電が生じた後、必要あれば、マイクロ波の反射波
が小さくなるように、スタブチューナ３２の挿通深さを
調整する。
放電管２０内へ供給しつつ、マイクロ波電源３１によっ
て周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を放電管２０に印
加すると、放電が開始され、酸素ガスはプラズマ化され
る。放電が生じた後、必要あれば、マイクロ波の反射波
が小さくなるように、スタブチューナ３２の挿通深さを
調整する。
【００２３】以降、供給される酸素ガスは放電プラズマ
領域２１を通過することによってプラズマ化され、活性
の高い中性酸素ラジカルを含むガスとなって、真空処理
室１０へ導入される。真空処理室１０において、ガス整
流器１５で整流されたガスは、対向電極４７に設けた通
過路４８を経由して基板１７上に到達し、その面上のレ
ジスト膜と反応して、これを除去する。
領域２１を通過することによってプラズマ化され、活性
の高い中性酸素ラジカルを含むガスとなって、真空処理
室１０へ導入される。真空処理室１０において、ガス整
流器１５で整流されたガスは、対向電極４７に設けた通
過路４８を経由して基板１７上に到達し、その面上のレ
ジスト膜と反応して、これを除去する。
【００２４】本実施例のプラズマ・アッシング装置１が
従来例と異なるところは、アッシングが高周波の電界下
に行なわれるところにある。そして、そのようなアッシ
ングにおいて、アッシング速度が向上したのである。図
３は、従来例によるプラズマ・アッシング装置１’と実
施例によるプラズマ・アッシング装置１とについて、実
施例の装置１には周波数１３．５６ＭＨｚの高周波が基
板電極４６と対向電極４７とに印加されているが、それ
以外は全く同じ条件とした時の、単位時間当りにアッシ
ングされるレジスト膜厚、すなわちアッシング速度を比
較した図である。この図に見られるように、実施例の装
置１においてはアッシング速度は従来例の装置１’の
１．７倍程度になっている。
従来例と異なるところは、アッシングが高周波の電界下
に行なわれるところにある。そして、そのようなアッシ
ングにおいて、アッシング速度が向上したのである。図
３は、従来例によるプラズマ・アッシング装置１’と実
施例によるプラズマ・アッシング装置１とについて、実
施例の装置１には周波数１３．５６ＭＨｚの高周波が基
板電極４６と対向電極４７とに印加されているが、それ
以外は全く同じ条件とした時の、単位時間当りにアッシ
ングされるレジスト膜厚、すなわちアッシング速度を比
較した図である。この図に見られるように、実施例の装
置１においてはアッシング速度は従来例の装置１’の
１．７倍程度になっている。
【００２５】図４は第２実施例を示すもので、第１実施
例の装置１において、基板１７を石英製のホイストピン
で支持し、基板電極４６と対向電極４７との間に保持し
た状態でアッシングを実施している。次に、この具体的
な構成及び作用について図４を参照して説明する。
例の装置１において、基板１７を石英製のホイストピン
で支持し、基板電極４６と対向電極４７との間に保持し
た状態でアッシングを実施している。次に、この具体的
な構成及び作用について図４を参照して説明する。
【００２６】真空処理室１０の下方部にはアルミニウム
で成る基板電極１４６が絶縁ブッシュ１００及び１０１
により、その底壁部に支持されており、これに上方に平
行に対向して対向電極１４７が電極部１４５により結合
されている。絶縁ブッシュ１００は基板電極１４６に絶
縁して埋設されているヒータ１９の両端部を外部に導出
させるために用いられ、また、絶縁ブッシュ１０１は第
１実施例と同様にＲＦ電源４３の電力をマッチングボッ
クス４０を介して基板電極１４６に印加するための導線
を埋設している。基板電極１４６には複数のホイストピ
ン挿通孔１４６ａが形成されており、これに石英で成る
ホイストピン１５０が挿通している。その下端部にステ
ンレスで成る支持リング１０７に固定されている。通常
の図示する状態では、基板１７を基板電極１４６に載置
させているが、支持リング１０７の中心部にはシャフト
１０２が固定されており、これは真空処理室１０の底壁
部に気密に固定されたシャフト挿通部１０３の底壁部に
固定されたシール部材１０４を挿通しており、この下端
部には図示せずともエア・シリンダが固定されており、
これによりシャフト１０２を上下動させるように構成さ
れている。また、図示せずとも第１実施例と同様に、真
空ポンプ１３をがバルブ１２を介して排気するための導
出口が形成されている。
で成る基板電極１４６が絶縁ブッシュ１００及び１０１
により、その底壁部に支持されており、これに上方に平
行に対向して対向電極１４７が電極部１４５により結合
されている。絶縁ブッシュ１００は基板電極１４６に絶
縁して埋設されているヒータ１９の両端部を外部に導出
させるために用いられ、また、絶縁ブッシュ１０１は第
１実施例と同様にＲＦ電源４３の電力をマッチングボッ
クス４０を介して基板電極１４６に印加するための導線
を埋設している。基板電極１４６には複数のホイストピ
ン挿通孔１４６ａが形成されており、これに石英で成る
ホイストピン１５０が挿通している。その下端部にステ
ンレスで成る支持リング１０７に固定されている。通常
の図示する状態では、基板１７を基板電極１４６に載置
させているが、支持リング１０７の中心部にはシャフト
１０２が固定されており、これは真空処理室１０の底壁
部に気密に固定されたシャフト挿通部１０３の底壁部に
固定されたシール部材１０４を挿通しており、この下端
部には図示せずともエア・シリンダが固定されており、
これによりシャフト１０２を上下動させるように構成さ
れている。また、図示せずとも第１実施例と同様に、真
空ポンプ１３をがバルブ１２を介して排気するための導
出口が形成されている。
【００２７】基板１７を処理する時には、図示しないエ
ア・シリンダを作動させて、シャフト１０２を上動させ
て一点鎖線で示すような位置に置く。すなわち中間位置
を取らせ、第１実施例と同様な作用を受ける。なお、ア
ッシング処理を施した後は、やはり図示しない真空処理
室１０に形成された搬入・搬出口を通してロボットハン
ドが真空処理室内に挿入されるのであるが、この時には
シャフト１０２を更に上昇させてロボットハンドで受け
て外部に搬出されるように構成されている。
ア・シリンダを作動させて、シャフト１０２を上動させ
て一点鎖線で示すような位置に置く。すなわち中間位置
を取らせ、第１実施例と同様な作用を受ける。なお、ア
ッシング処理を施した後は、やはり図示しない真空処理
室１０に形成された搬入・搬出口を通してロボットハン
ドが真空処理室内に挿入されるのであるが、この時には
シャフト１０２を更に上昇させてロボットハンドで受け
て外部に搬出されるように構成されている。
【００２８】この実施例においても第１実施例と同様に
アッシング速度は従来より大幅に向上させることができ
た。
アッシング速度は従来より大幅に向上させることができ
た。
【００２９】以上、本発明の各実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
が、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、本発
明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００３０】例えば、本発明のプラズマ処理装置につい
て、本実施例ではプラズマ化した酸素ガスによるレジス
ト膜のアッシングを例示したが、ＣＦ4 ガスをプラズマ
化しての、ＳｉＯ2 を主成分とする膜の除去、すなわ
ち、エッチングにも有効である。換言すれば、本発明の
プラズマ処理装置にはプラズマ・エッチング装置も含ま
れる。
て、本実施例ではプラズマ化した酸素ガスによるレジス
ト膜のアッシングを例示したが、ＣＦ4 ガスをプラズマ
化しての、ＳｉＯ2 を主成分とする膜の除去、すなわ
ち、エッチングにも有効である。換言すれば、本発明の
プラズマ処理装置にはプラズマ・エッチング装置も含ま
れる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のプラズマ処
理装置によれば、単位時間当りの基板処理能力を向上さ
せることができる。
理装置によれば、単位時間当りの基板処理能力を向上さ
せることができる。
【図１】本発明の第１実施例によるプラズマ・アッシン
グ装置の側断面図である。
グ装置の側断面図である。
【図２】同装置に使用される対向電極の平面図である。
【図３】同装置、及び従来例によるプラズマ・アッシン
グ装置のアッシング速度を示す図である。
グ装置のアッシング速度を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例によるプラズマ・アッシン
グ装置の要部の側断面図である。
グ装置の要部の側断面図である。
【図５】従来例によるプラズマ・アッシング装置の側断
面図である。
面図である。
１０ 真空処理室 １３ 真空ポンプ １７ 基板 ２０ 放電管 ３０ 導波管 ３１ マイクロ波電源 ４３ ＲＦ電源 ４４ マッチングボックス ４５ 連結棒 ４６ 基板電極 ４７ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｂ 9014−2Ｇ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも、プラズマ処理されるべき基
板を収容するための真空処理室と、一端はプラズマ生成
用のガスの供給口とされ、他端は前記真空処理室へ挿入
された放電管とからなるプラズマ処理装置において、前
記真空処理室内に基板電極と、該基板電極に平行して対
向電極を設けて、これら両電極にＲＦ（高周波）電源を
接続し、プラズマ処理に際しては、前記基板を前記基板
電極上、または該基板電極と前記対向電極との間に保持
して、前記基板電極と前記対向電極とにＲＦ（高周波）
電力を印加することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 前記対向電極にプラズマ化されたガスの
通過路が設けられている請求項１に記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理装置がプラズマ・アッ
シング装置である請求項１または請求項２に記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6052732A JPH07235524A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6052732A JPH07235524A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235524A true JPH07235524A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12923109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6052732A Pending JPH07235524A (ja) | 1994-02-24 | 1994-02-24 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235524A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018157026A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1994
- 1994-02-24 JP JP6052732A patent/JPH07235524A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018157026A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| CN108630570A (zh) * | 2017-03-16 | 2018-10-09 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
| CN108630570B (zh) * | 2017-03-16 | 2022-11-08 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |