TWI653675B - Processing device and wafer processing method - Google Patents

Abstract

本發明之課題為有效率地進行用於避免在晶圓的下表面和工作台的上表面之間夾入廢屑的清掃。解決手段為一種加工裝置，因為其具備在直到搬入組件將晶圓搬入到加工台為止的期間，對晶圓的下表面吹送空氣以洗淨下表面的第1洗淨組件，和在以加工台保持藉由搬入組件所搬入的晶圓之前，對加工台之上表面吹送空氣以洗淨上表面的第2洗淨組件，因此可以在直到將晶圓載置到加工台上之前，將晶圓的下表面和加工台的上表面洗淨，而不會有在加工台和晶圓之間夾入廢屑之情形。據此，可以對晶圓進行所期望的加工。

Description

加工裝置及晶圓之加工方法 發明領域

本發明是有關於加工晶圓之加工裝置及在加工裝置上加工晶圓之方法。

發明背景

作為對被加工物之晶圓施行所期望之加工的裝置，所使用的有例如雷射加工裝置。雷射加工裝置至少具備有保持晶圓之加工台，和對保持於加工台上之晶圓照射雷射光之雷射光照射頭，並從保持於加工台上之晶圓的上方或下方照射雷射光來對晶圓進行雷射加工(例如燒蝕加工)。雷射加工時，因為在照射雷射光的區域中會產生碎屑，因此會在例如晶圓的表面上事先被覆保護膜，以防止碎屑附著在元件上。

又，進行雷射加工時，如果加工台上附著有灰塵等之廢屑時，保持於加工台上之晶圓的高度就會依位置而不同，並變得無法將雷射光的聚光點定位在所期望的深度位置上。因此，已有具備將附著於加工台上之廢屑除去之清掃裝置的雷射加工裝置的技術方案被提出(參照例如下述的專利文獻1)。此清掃裝置具備有被支撐成可在相對於 加工台的上表面為垂直之方向上移動的滾輪支撐框體、可旋轉地被支撐在滾輪支撐框體上的第1黏著滾輪，以及與第1黏著滾輪相接觸而配置並且可旋轉地被支撐在滾輪支撐框體上的第2黏著滾輪。並且，此清掃裝置是形成為以下之構成：使附著在加工台上的廢屑黏著在第1黏著滾輪的外周面上，再將黏著在第1黏著滾輪上的廢屑黏著並轉移至第2黏著滾輪的外周面上。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2008-147505號公報

發明概要

然而，即使已使用如上所述之清掃裝置清掃過加工台的上表面，因為最終是以第2黏著滾輪將工作台上的廢屑除去，因此至少必須進行第2黏著滾輪的清掃或第2黏著滾輪的更換，作業上較麻煩。又，因為是使黏著滾輪接觸工作台的上表面來進行清掃，因此無法高速地進行加工台的清掃而導致作業效率較低。

本發明是有鑒於上述之情況而作成的發明，目的在於有效率地進行用於避免在晶圓的下表面和工作台的上表面之間夾入廢屑的清掃。

第一發明是具備保持板狀之晶圓的加工台、使該 加工台行走的加工進給組件、對保持於該加工台上之晶圓施行預定之加工的加工組件，以及將晶圓保持以搬入該加工台的搬入組件的加工裝置，其特徵在於具備：在直到該搬入組件將晶圓搬入到該加工台為止的期間，吹送空氣來洗淨晶圓之下表面的第1洗淨組件；以及在以該加工台保持藉由該搬入組件所搬入的晶圓之前，吹送空氣來洗淨該加工台之上表面的第2洗淨組件。

該搬入組件還具備在與該加工台之上表面平行的方向上動作的搬送機構，和朝接近及離開該加工台之上表面的方向動作的昇降機構。

該第1洗淨組件具備相對於該搬入組件所保持之晶圓的下表面為平行且在相對於該搬送機構之移動方向為交叉的方向上延伸的第1洗淨管、配置在該第1洗淨管之延伸方向上的複數個第1噴射口，以及連通該第1噴射口和空氣供給源的連通管。

該第2洗淨組件具備相對於該加工台的上表面為平行且在相對於該加工進給組件之加工進給方向為交叉的方向上延伸的第2洗淨管、配置在該第2洗淨管之延伸方向上的複數個第2噴射口，以及連通該第2噴射口和空氣供給源的連通管。

且以該第2洗淨組件洗淨該加工台之上表面，並以第1洗淨組件洗淨晶圓之下表面。

較理想的是，上述加工裝置是使前述加工進給組件的加工進給方向和前述搬入組件之前述搬送機構的移動 方向為相同方向，且使前述第1洗淨管和前述第2洗淨管一體化而構成。

較理想的是，上述加工裝置還具備調整由前述第1噴射口朝向晶圓噴射之空氣的噴射方向的角度的第1角度調整機構，和調整由前述第2噴射口朝向前述加工台噴射之空氣的噴射方向的角度的第2角度調整機構。

又，較理想的是，上述加工裝置具備調整由前述第1噴射口所噴射的空氣之流量的第1流量調整組件、調整該第1噴射口和晶圓的下表面之距離的第1高度調整組件、調整由前述第2噴射口所噴射的空氣之流量的第2流量調整組件，以及調整該第2噴射口和前述加工台的上表面之距離的第2高度調整組件。

此外，較理想的是，上述加工裝置具備以前述加工台之中心為軸心使該加工台旋轉的工作台旋轉機構，且在該工作台旋轉機構使該加工台旋轉時，藉由前述第2洗淨組件洗淨該加工台的上表面。

第二發明是使用了上述任一個加工裝置的晶圓之加工方法，其包含：晶圓洗淨步驟，在直到藉由前述搬入組件將晶圓搬入到前述加工台並使該加工台保持晶圓為止的期間，由前述第1噴射口朝向晶圓的下表面吹送空氣以洗淨晶圓之下表面；加工台洗淨步驟，由前述第2噴射口朝該加工台的上表面吹送空氣以洗淨該加工台之上表面；以及 加工步驟，在已實施該晶圓洗淨步驟和該加工台洗淨步驟後，藉由前述加工組件對該加工台所保持之晶圓進行預定之加工。

第一發明之加工裝置，因為具備在直到搬入組件將晶圓搬入到加工台為止之期間，對搬入組件所保持之晶圓的下表面噴射空氣而進行洗淨的第1洗淨組件，和在以加工台保持被搬入組件搬入的晶圓之前，對加工台的上表面噴射空氣而進行洗淨的第2洗淨組件，因此可以在直到以搬入組件將晶圓載置到加工台之前，將晶圓的下表面和加工台的上表面洗淨。藉此，因為可以將已洗淨的晶圓搬入已洗淨的加工台，因此不會有在加工台和晶圓之間夾入廢屑之情形，而可以使作業效率變好。並且，在藉由加工組件對晶圓進行加工時，由於不會有以加工台保持之晶圓的高度改變的情形，因此可以對晶圓進行所期望的加工。

當上述加工裝置將上述第1洗淨管和第2洗淨管做成一體而形成時，可以在不將裝置大型化的情形下，在直到以搬入組件將晶圓載置在加工台上之前，將晶圓的下表面和加工台的上表面洗淨。

當上述加工裝置具備調整由上述第1噴射口朝向晶圓噴射之空氣的噴射方向的角度的第1角度調整機構，和調整由上述第2噴射口朝向上述加工台噴射之空氣的噴射方向的角度的第2角度調整機構時，不但可以將對晶圓之下表面及加工台之上表面的空氣噴射方向調整到最佳的方向， 還可以進行晶圓的下表面及加工台的上表面的洗淨。

又，當上述加工裝置具備調整由上述第1噴射口所噴射的空氣之流量的第1流量調整組件、調整該第1噴射口和晶圓的下表面之距離的第1高度調整組件、調整由上述第2噴射口所噴射之空氣的流量的第2流量調整組件，以及調整該第2噴射口和上述加工台的上表面之距離的第2高度調整組件時，可以因應由第1噴射口所噴射之空氣的流量來將第1噴射口和晶圓的下表面的距離調整成所期望的距離，並可以因應第1洗淨管的高度來調節由第1噴射口所噴射之空氣的流量。又，可以因應由第2噴射口所噴射之空氣的流量來將第2噴射口和加工台的上表面的距離調整成所期望的距離，並可以因應第2洗淨管的高度來調節由第2噴射口所噴射之空氣的流量。

此外，當上述加工裝置具備以上述加工台之中心為軸心旋轉的工作台旋轉機構時，就可以一邊使加工台旋轉，一邊由第2洗淨組件的第2噴射口朝向加工台的上表面噴射空氣，而能夠有效地洗淨加工台的上表面。

第二發明因為是使用上述之任一個加工裝置，在直到藉由上述搬入組件將晶圓搬入到加工台並使該加工台保持晶圓為止的期間，實施晶圓洗淨步驟、加工台洗淨步驟，因此可以對晶圓的下表面及加工台的上表面噴射空氣來除去附著在晶圓的下表面及加工台的上表面的廢屑。其後，因為是以洗淨後的加工台保持洗淨後之晶圓來實施加工步驟，因此可以在不會受到廢屑之不良影響的情形下， 正確地進行所期望的加工。

1、1a、1b、1c、2‧‧‧加工裝置

10、10a‧‧‧搬入組件

100‧‧‧保持部

101‧‧‧保持面

102‧‧‧臂部

103‧‧‧軸部

11‧‧‧搬送機構

110‧‧‧導軌

111‧‧‧移動部

12‧‧‧昇降機構

120‧‧‧支撐部

13‧‧‧洗淨區域

14‧‧‧搬送組件

15‧‧‧中心軸

16‧‧‧工作台旋轉機構

2a‧‧‧裝置基座

20、20a、20b‧‧‧第1洗淨組件

21‧‧‧第1洗淨管

21a、26a‧‧‧導管

21b、26b‧‧‧窗部

22、42、72‧‧‧第1噴射口

23‧‧‧第1連通管

24‧‧‧第1閥

25、25a、25b‧‧‧第2洗淨組件

26‧‧‧第2洗淨管

27、43、73‧‧‧第2噴射口

28‧‧‧第2連通管

29‧‧‧第2閥

3‧‧‧晶圓盒

30‧‧‧空氣供給源

4‧‧‧暫置區域

40、70‧‧‧洗淨組件

41、71‧‧‧洗淨管

44‧‧‧連通管

45‧‧‧閥

5‧‧‧搬出入部

50‧‧‧第1流量調整組件

51‧‧‧第1流量調整閥

52‧‧‧第1控制部

53‧‧‧第2流量調整組件

54‧‧‧第2流量調整閥

55‧‧‧第2控制部

6、6a‧‧‧加工台

60‧‧‧第1高度調整組件

61、64‧‧‧調整部

62、65‧‧‧支撐柱

63‧‧‧第2高度調整組件

7‧‧‧加工台的上表面(保持面)

8、8a‧‧‧加工進給組件

9、9a‧‧‧加工組件

A‧‧‧箭頭

W‧‧‧晶圓

Wa‧‧‧晶圓的上表面

Wb‧‧‧晶圓的下表面

+X、-X、+Y、-Y、+Z、-Z‧‧‧方向

圖1是顯示加工裝置之第1例的構成的剖面圖。

圖2是顯示使用加工裝置之第1例來實施晶圓洗淨步驟及加工台洗淨步驟之狀態的剖面圖。

圖3是顯示加工裝置之第2例的構成的剖面圖。

圖4是顯示洗淨組件的角度調整機構之一例的立體圖。

圖5是顯示使用加工裝置之第2例來實施晶圓洗淨步驟及加工台洗淨步驟之狀態的剖面圖。

圖6是顯示加工裝置之第3例的構成的剖面圖。

圖7是顯示加工裝置之第4例的構成的剖面圖。

圖8是顯示加工裝置之第5例的構成的立體圖。

圖9是顯示使用加工裝置之第5例來實施晶圓洗淨步驟之狀態的剖面圖。

圖10是顯示使用加工裝置之第5例來實施加工台洗淨步驟之狀態的剖面圖。

用以實施發明之形態

1 加工裝置之第1例

圖1所示之加工裝置1，是對板狀的晶圓施行預定之加工的加工裝置之一例，並具備有具有用於保持晶圓之保持面7的加工台6、使加工台6水平地行走的加工進給組件8、對保持於加工台6之上表面7之晶圓施行雷射加工的加工組 件9，以及保持晶圓以對加工台6搬入晶圓的搬入組件10。

加工台6上連接有圖未示之吸引源。加工台6具備有以其中心軸15為中心使其朝預定方向旋轉之工作台旋轉機構16。工作台旋轉機構16至少具有馬達，而可以用預定之旋轉速度使加工台6旋轉。

搬入組件10具備保持部100，該保持部100具有用於保持晶圓之保持面101。又，搬入組件10具備在與加工台6之上表面7成為平行之方向(X軸方向)上動作之搬送機構11，和對加工台6朝相對於上表面7接近及離開之方向(Z軸方向)動作的昇降機構12。搬送機構11具備在X軸方向上延伸之導軌110，和使保持部100沿著導軌110在X軸方向上來回移動的移動部111。昇降機構12與移動部111連結，並具有支撐保持部100之支撐部120。並且，藉由作動搬送機構11、使移動部111在X軸方向上移動，可以使保持部100在X軸方向上移動。

加工裝置1具備有在直到搬入組件10將晶圓搬入加工台6為止的期間，對晶圓的下表面吹送空氣來洗淨下表面的第1洗淨組件20，和對加工台6的上表面7吹送空氣來洗淨上表面7的第2洗淨組件25。

第1洗淨組件20具備有相對於搬入組件10所保持之晶圓的下表面為平行，且在相對於搬送機構11之移動方向為交叉的方向上延伸的第1洗淨管21、沿著第1洗淨管21之延伸方向形成的複數個第1噴射口22，以及透過第1閥24連通第1噴射口22和空氣供給源30的第1連通管23。此第1洗 淨組件20可藉由將第1閥24打開，而通過第1連通管23從第1噴射口22噴射出空氣。

第2洗淨組件25是配置於第1洗淨組件20的附近。第2洗淨組件25具備有相對於加工台6的上表面7為平行，且在相對於由加工進給組件8所形成之加工台6的加工進給方向為交叉的方向上延伸的第2洗淨管26、沿著第2洗淨管26之延伸方向形成的複數個第2噴射口27，以及透過第2閥29連通第2噴射口27和空氣供給源30的第2連通管28。可以藉由將此第2閥29打開，而通過第2連通管28從第2噴射口27噴射出空氣。上述延伸方向中的第1洗淨管21及第2洗淨管26的全長為例如比以加工裝置1所加工之晶圓的直徑略長，在晶圓的直徑為300mm時，可為例如380mm。

第1洗淨組件20具備有調整由第1噴射口22朝向晶圓所噴射之空氣的噴射方向的角度的第1角度調整機構。第1角度調整機構具備有例如，將第1洗淨管21支撐為可在內周側旋轉的導管21a、貫通導管21a之側面而使第1噴射口22突出的窗部21b，以及固定第1洗淨管21和導管21a之圖未示的螺絲。要調整第1噴射口22的角度時，是在導管21a內以手動方式轉動第1洗淨管21以使第1噴射口22朝向所期望的方向，再以螺絲固定第1洗淨管21。

又，關於第2洗淨組件25，其也具備有調整由第2噴射口27朝向加工台6的上表面7噴射之空氣的噴射方向的角度的第2角度調整機構。第2角度調整機構也具備有例如，將第2洗淨管26支撐為可在內周側旋轉的導管26a、貫通導 管26a之側面而使第2噴射口27突出的窗部26b，以及固定第2洗淨管26和導管26a之圖未示的螺絲。要調整第2噴射口27的角度時，是在導管26a內以手動方式轉動第2洗淨管26以使第2噴射口27朝向所期望的方向，再以螺絲固定第2洗淨管26。

其次，說明使用加工裝置1加工晶圓W的方法。晶圓W是被加工物之一例，且為未特別限定材質等的被加工物。晶圓W是將以搬入組件10之保持部100所保持之面形成為上表面Wa，並將其相反側之面形成為被第1洗淨組件20洗淨的下表面Wb。

(1)晶圓洗淨步驟

如圖2所示，在直到以搬入組件10將晶圓W搬入到加工台6並使加工台6保持晶圓W為止的期間，以第1洗淨組件20將加工前之晶圓W的下表面Wb洗淨。具體來說，是藉由昇降機構12使保持加工前之晶圓W的保持部100，朝接近加工台6的方向(-Z方向)僅下降預定的距離。接著以搬送機構11使保持部100和移動部111一起往-X方向移動並使其通過第1洗淨組件20的上方。再者，以搬送機構11所形成之晶圓W的進給速度宜設定為例如250mm/sec。

此時，第1洗淨組件20會打開第1閥24以通過第1連通管23來連通空氣供給源30和第1噴射口22。在使保持晶圓W的保持部100往-X方向移動時，第1洗淨組件20會由第1噴射口22噴射空氣以對晶圓W之整個下表面Wb吹送空氣。並且，藉由空氣的壓力將附著在晶圓W之下表面Wb上的廢 屑除去。此廢屑為例如因為之前的步驟中的晶圓W之加工而產生的加工屑等。再者，由第1噴射口22所噴射之空氣的流量是設成例如100L/min。

此處，在實施晶圓洗淨步驟時，是藉由例如以昇降機構12調整保持部100的高度，來調整保持部100所保持之晶圓W之下表面Wb和第1噴射口22之間的距離。又，較理想的是，因應晶圓W之下表面Wb和第1噴射口22之間的距離，而使用上述之第1角度調整機構先將第1噴射口22的朝向調整為對晶圓W之下表面Wb最適宜的角度。第1噴射口22是藉由比+Z方向更倒向+X側，而以相對於晶圓W之-X方向的移動朝斜向方向噴射空氣，藉此可以有效地除去附著在晶圓W的下表面Wb之廢屑。

(2)加工台洗淨步驟

在加工台6保持以搬入組件10所搬入之晶圓W之前，以第2洗淨組件25洗淨加工台6的上表面7。具體來說，如圖2所示，是以加工進給組件8使加工台6例如朝-X方向移動，並使其通過第2洗淨組件25的下方。加工台6的進給速度是設定為例如1000mm/sec。此加工台洗淨步驟也可以和晶圓洗淨步驟同時進行。

此時，第2洗淨組件25會打開第2閥29以通過第2連通管28來連通空氣供給源30和第2噴射口27。在使加工台6往-X方向移動時，第2洗淨組件25會由第2噴射口27噴射空氣以對加工台6之整個上表面7吹送空氣。如此地進行以藉由所噴射之空氣的壓力將附著在加工台6之上表面7的廢 屑除去。此廢屑是因為例如在加工裝置1中以加工台6所保持而之前已被加工過之晶圓的加工所產生的加工屑等。再者，由第1噴射口22所噴射之空氣的流量是設成例如100L/min。作為由第2噴射口27所噴射之空氣的流量，宜以例如100L/min來進行。

較理想的是，在加工台洗淨步驟中，一邊作動工作台旋轉機構16，並以中心軸15為中心使加工台6例如朝箭頭A方向旋轉，一邊洗淨加工台6的上表面7。藉此，可以將上表面7無遺漏地全部洗淨，並且可以利用以加工台6之旋轉所產生的離心力來提升洗淨效果。再者，工作台旋轉機構16，除了使加工台6往一個方向旋轉外，也可以用反覆正轉逆轉的方式使加工台6旋轉。

又，較理想的是，在實施加工台洗淨步驟時，使加工台6之上表面和第2噴射口27之間的距離形成所期望的距離，例如設置使加工台6於上下方向上昇降的昇降機構來調整加工台6的高度亦可。較理想的是，因應加工台6之上表面和第2噴射口27之間的距離，而使用上述之第2角度調整機構先將第2噴射口27的朝向調整為對加工台6之上表面7最適宜的角度。第2噴射口27是藉由比-Z方向更倒向+X側，而以相對於加工台6之-X方向的移動朝斜向方向噴射空氣，藉此可以有效地除去附著在上表面7之廢屑。

(3)加工步驟

實施晶圓洗淨步驟和加工台洗淨步驟之後，使加工台6及保持晶圓W的搬入組件10移動至例如二點鏈線所示之位 置，並將晶圓W載置於加工台6上。其次，以圖未示之吸引源將晶圓W吸引保持在加工台6之上表面7之後，藉由圖1所示之加工組件9進行預定之雷射加工。具體來說，是藉由加工進給組件8使保持晶圓W的加工台6移動到加工組件9的下方。加工組件9是藉由例如沿著晶圓W的切割道照射對晶圓W具有穿透性之波長的雷射光線而在晶圓W的內部形成改質層。之後，藉由例如破斷裝置而以改質層為起點分割晶圓W。又，利用加工組件9沿著晶圓W的切割道照射對晶圓W具有吸收性之波長的雷射光線以將晶圓W全切(full cut)來進行分割亦可。

像這樣，由於加工裝置1具備有在直到搬入組件10將晶圓W搬入到加工台6為止的期間，對搬入組件10所保持之晶圓W的下表面Wb噴射空氣以進行洗淨的第1洗淨組件20，和在以加工台6保持藉由搬入組件10所搬入之晶圓W之前，對加工台6之上表面7噴射空氣以進行洗淨的第2洗淨組件25，因此可以在直到藉由搬入組件10將晶圓W載置到加工台6上之前，對晶圓W的下表面Wb及加工台6的上表面7噴射空氣以進行洗淨，並且可以防止在加工台6和晶圓W之間夾入廢屑之情形。

2 加工裝置之第2例

圖3所示之加工裝置1a具備有在直到搬入組件10將晶圓搬入到加工台6為止之期間，對晶圓W的下表面Wb吹送空氣以洗淨下表面Wb，並且對加工台6的上表面7吹送空氣以洗淨上表面7的洗淨組件40。加工裝置1a，除了具備洗淨 組件40這一點以外，是形成為和加工裝置1同樣的構成，因此對同樣地被構成的構成部分會附加相同的符號，並省略其說明。

洗淨組件40具備有具有已將上述第1洗淨管21和上述第2洗淨管26做成一體化之構造且在與搬送機構11及加工進給組件8所形成之移動方向(X軸方向)為交叉的方向上延伸的洗淨管41、沿著洗淨管41之延伸方向形成並朝向搬入組件10所保持之晶圓W的下表面Wb噴射空氣之複數個第1噴射口42、沿著洗淨管41之延伸方向形成並朝向加工台6的上表面7噴射空氣之複數個第2噴射口43，以及透過閥45使第1噴射口42及第2噴射口43和空氣供給源30連通的連通管44。洗淨管41的延伸方向中的全長為例如比以加工裝置1a所加工之晶圓的直徑略長，在晶圓的直徑為300mm時，可為例如380mm。藉由使洗淨管41旋轉，可以使第1噴射口42及第2噴射口43旋轉以調整空氣之噴射方向的角度。此時，是將調整由第1噴射口42朝向晶圓噴射之空氣的噴射方向的角度的第1角度調整機構，和調整由第2噴射口43朝向加工台6噴射之空氣的噴射方向的角度的第2角度調整機構形成共通的構成。又，例如將洗淨管41做成雙重構造等而使第1噴射口42和第2噴射口構成為各自獨立來旋轉，而做成可以個別地調整來自第1噴射口42之空氣的噴射角度和來自第2噴射口之空氣的噴射角度亦可。針對空氣的流量調整，在圖3之例中，雖然是形成為以閥45來調整由第1噴射口42所噴射之空氣的量和由第2噴射口43所噴射之空氣的量之 構成，但是也可以做成對第1噴射口42和第2噴射口43各自連接不同的閥，並個別地調整空氣的流量。

其次，說明使用加工裝置1a加工晶圓W的方法。針對在加工裝置1a上，同時實施晶圓洗淨步驟和加工台洗淨步驟的情形進行說明。

如圖5所示，以搬入組件10將晶圓W搬入加工台6，並在直到加工台6保持晶圓W為止的期間，以洗淨組件40洗淨加工前之晶圓W的下表面Wb，並且洗淨加工台6的上表面7。具體來說，是藉由昇降機構12，使保持晶圓W的保持部100，朝接近加工台6的方向(-Z方向)僅下降預定的距離，並且藉由搬送機構11，使保持部100往-X方向移動並使其通過洗淨組件40的上方側。又，以加工進給組件8，使加工台6朝例如-X方向移動並使其通過洗淨組件40的下方側。

此時，洗淨組件40是藉由打開閥45，以通過連通管44來連通空氣供給源30和第1噴射口42。接著，一邊使保持晶圓W的保持部100及加工台6朝-X方向移動，一邊洗淨組件40會由第1噴射口42噴射空氣以對晶圓W的整個下表面Wb吹送空氣，並且由第2噴射口43噴射空氣以對加工台6的等個上表面7吹送空氣。如此進行，以藉由從各噴射口所噴射之空氣的壓力將附著在晶圓W的下表面Wb及加工台6的上表面7的廢屑除去。再者，由第1噴射口42及第2噴射口43所噴射之空氣的流量是設成例如100L/min。

已實施晶圓洗淨步驟和加工台洗淨步驟之後，與上述之加工裝置1同樣地實施加工步驟。亦即，使加工台6 及保持晶圓W的搬入組件10移動至例如二點鏈線所示之位置，將晶圓W搬入至加工台6並以加工台6保持後，以圖3所示之加工組件9對晶圓W進行預定之雷射加工。

3 加工裝置之第3例

圖6所示之加工裝置1b具備有在直到搬入組件10將晶圓搬入到加工台6為止的期間，對晶圓W的下表面Wb吹送空氣以洗淨下表面Wb，並且對加工台6的上表面7吹送空氣以洗淨上表面7的洗淨組件70。加工裝置1b，除了洗淨組件70之構成以外，是和加工裝置1a同樣地被構成，因此對同樣地被構成的構成部分會附加相同的符號，並省略其說明。

洗淨組件70具備有具有已將上述加工裝置1中的第1洗淨管21和第2洗淨管26做成一體化之構造且在與搬送機構11及加工進給組件8所形成之移動方向(X軸方向)為交叉的方向上延伸的洗淨管71、沿著洗淨管71之延伸方向形成並朝向搬入組件10所保持之晶圓W的下表面Wb噴射空氣之複數個第1噴射口72、沿著洗淨管71之延伸方向形成並朝向加工台6的上表面7噴射空氣之複數個第2噴射口73，以及透過閥45使第1噴射口72及第2噴射口73和空氣供給源30連通的連通管44。第1噴射口72和第2噴射口73是以洗淨管71的中心為基準朝向相反方向形成開口。洗淨管71的延伸方向中的全長為例如比以加工裝置1b所加工之晶圓的直徑略長，在晶圓的直徑為300mm時，可為例如380mm。

如圖6所示，在直到搬入組件10將晶圓W搬入到 加工台6並使加工台6保持晶圓W為止的期間，會以洗淨組件70洗淨加工前之晶圓W的下表面Wb，並且洗淨加工台6的上表面7。具體來說，是藉由昇降機構12，使保持晶圓W的保持部100，朝接近加工台6的方向(-Z方向)僅下降預定的距離，並且藉由搬送機構11，使保持部100往+X方向移動並使其通過洗淨組件40的上方側。又，以加工進給組件8，使加工台6朝例如-X方向移動並使其通過洗淨組件40的下方側。

第1噴射口72會朝向晶圓W之下表面Wb，第2噴射口73會朝向加工台6之上表面7，且藉由搬送機構11使保持部100朝X方向移動，並藉由加工進給組件8而使加工台6朝-X方向移動。並且，洗淨組件70會打開閥45，由第1噴射口72朝向晶圓W的下表面Wb噴射空氣，並且由第2噴射口73朝向加工台6的上表面7噴射空氣。如此進行，搬入組件10就可以因應加工台6的移動方向，而朝向晶圓W的下表面Wb及加工台6的上表面7噴射空氣以進行洗淨。

像這樣，因為加工裝置1b具備有洗淨組件70，且該洗淨組件70具有已將第1洗淨管21和第2洗淨管26做成一體的構造之洗淨管71，因此可以在不將裝置大型化的情形下，在直到將晶圓W載置到加工台6上之前，有效率地將晶圓W的下表面Wb和加工台6的上表面7洗淨。

4 加工裝置之第4例

圖7所示之加工裝置1c具備有調整由第1洗淨管21之第1噴射口22所噴射之空氣的流量的第1流量調整組件50、進 行高度調整以使第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb形成預定之距離的第1高度調整組件60、調整由第2洗淨管26之第2噴射口27所噴射之空氣的流量的第2流量調整組件53，以及調整第2噴射口27和加工台6a的上表面7之距離的第2高度調整組件63。再者，對和上述之加工裝置1同樣地被構成的部分會附加相同的符號，並省略其說明。

第1流量調整組件50是由配置於第1連通管23上之第1流量調整閥51，和調整第1流量調整閥51中的空氣流量的第1控制部52所構成。第1控制部52至少具備有CPU及記憶體，且可以根據設定在第1控制部52上之控制資訊控制第1流量調整閥51以調整使其從第1噴射口22噴射之空氣的流量。又，第2流量調整組件53是由配置於第2連通管28上之第2流量調整閥54，和對第2流量調整閥54調整空氣流量的第2控制部55所構成。關於第2控制部55，其至少具備有CPU及記憶體，且可以根據設定在第2控制部55上之控制資訊控制第2流量調整閥54以調整使其從第2噴射口27噴射之空氣的流量。

第1高度調整組件60具備有支撐第1洗淨管21並調整其高度位置的調整部61，和將調整部61支撐成可昇降的支撐柱62。藉由使調整部61沿著支撐柱62昇降移動，可以調整第1洗淨管21的高度，並將第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb之間的距離調整為所期望的距離。另一方面，第2高度調整組件63具備有支撐第2洗淨管26並調整其高度位置的調整部64，和將調整部64支撐成可昇降的支撐柱65。 藉由使調整部64沿著支撐柱65昇降移動，可以調整第2洗淨管26的高度，並將第2噴射口27和加工台6的上表面7之間的距離調整為所期望的距離。

其次，說明使用加工裝置1c加工晶圓W的方法。在加工裝置1c上，可以藉由與加工裝置1同樣的動作，實施晶圓洗淨步驟、加工台洗淨步驟及加工步驟。再者，在第1控制部52及2控制部55上，可因應要加工之晶圓的種類(例如，晶圓的材質等)、第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb之間的距離及第2噴射口27和加工台6的上表面7之間的距離等，事先設定必要的空氣的流量。

在晶圓洗淨步驟中，第1流量調整組件50會根據設定在第1控制部52上的控制資訊，由第1洗淨組件20a之第1噴射口22朝向晶圓W的下表面Wb噴射預定流量的空氣。又，第1流量調整組件50會因應第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb之間的距離，控制第1流量調整閥51以增減空氣的流量。另一方面，第1高度調整組件60會因應由第1噴射口22所噴射之空氣的流量，而使調整部61沿著支撐柱62朝+Z方向上昇以使第1洗淨管21朝晶圓W的下表面Wb接近，或使調整部61沿著支撐柱62朝-Z方向下降以使第1洗淨管21遠離晶圓W的下表面Wb，而將第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb之間的距離調整成所期望的距離。

在加工台洗淨步驟中，第2流量調整組件53會根據設定在第2控制部55上的控制資訊，由第2洗淨組件25a之第2噴射口27朝向加工台6的上表面7噴射預定流量的空氣。 又，第2流量調整組件53會因應第2噴射口27和加工台6的上表面7之間的距離，控制第2流量調整閥54以增減空氣的流量。另一方面，第2高度調整組件63會因應第2噴射口27所噴射之空氣的流量，而使調整部64沿著支撐柱65朝+Z方向上昇以使第2洗淨管26遠離加工台6的上表面7，或使調整部64沿著支撐柱65朝-Z方向下降以使第2洗淨管26朝加工台6的上表面7接近，而將第2噴射口27和加工台6的上表面7之間的距離調整成所期望的距離。

已實施過晶圓洗淨步驟和加工台洗淨步驟之後，實施和加工裝置1同樣的加工步驟。亦即，在已將晶圓W搬入加工台6並以加工台6保持之後，藉由加工組件9對晶圓W進行預定之雷射加工。

像這樣，因為加工裝置1c具備有調整由第1噴射口22所噴射之空氣的流量的第1流量調整組件50、進行高度調整以使第1噴射口22和晶圓W的下表面Wb形成預定之距離的第1高度調整組件60、調整由第2噴射口27所噴射之空氣的流量的第2流量調整組件53，以及調整第2噴射口27和加工台6a的上表面7之距離的第2高度調整組件63，因此可以配合由第1噴射口22、第2噴射口27所噴射的空氣的流量，來調整第1洗淨管21，第2洗淨管26的高度。又，也可以因應第1洗淨管21、第2洗淨管26的高度來調節由第1噴射口22、第2噴射口27所噴射之空氣的流量。據此，可以更有效地對晶圓W的下表面Wb及加工台6的上表面7進行藉由空氣形成的洗淨。

5 加工裝置之第5例

圖8所示之加工裝置2具有裝置基座2a，且在裝置基座2a的前部配置有可收容複數片晶圓W的晶圓盒3。裝置基座2a的之上表面具備有暫時放置晶圓W之暫置區域4、對晶圓盒3將加工前之晶圓W搬出並將加工後之晶圓W搬入的搬出入部5、具有保持晶圓W之上表面7的加工台6a、使加工台6a在X軸方向上行走的加工進給組件8a、對保持在加工台6a的上表面7之晶圓W施行雷射加工的加工組件9a、保持晶圓W以由暫置區域4將晶圓W搬入加工台6a的搬入組件10a、進行已藉由加工組件9a加工過之晶圓W的洗淨的洗淨區域13、將晶圓由加工台6a搬送至洗淨區域13的搬送組件14、在直到搬入組件10a將晶圓W由暫置區域4搬入到加工台6a為止的期間對晶圓W之下表面Wb吹送空氣以洗淨下表面Wb的第1洗淨組件20b，以及對加工台6a的上表面7吹送空氣以洗淨上表面7的第2洗淨組件25b。

搬入組件10a具備有保持晶圓W的保持部100、可在與加工台6a的上表面7平行的方向上旋繞的臂部102，以及連接在臂部102之一端的軸部103。搬入組件10a是藉由使軸部103昇降，而可以使保持部100朝相對於加工台6a的上表面7接近及離開的方向昇降。又，藉由使軸部103旋轉，可以使保持部100在暫置區域4和加工台6a之間水平地移動。

第1洗淨組件20b，是在晶圓盒3和暫置區域4之間於X軸方向上延伸而配置。第1洗淨組件20b是形成為與上述 之第1洗淨組件20同樣的構成。又，第1洗淨組件20b的配置位置，並不限定於圖8所示的位置，只要配置於搬入組件10a之保持部100的移動路徑的下方即可。第2洗淨組件25b，是在加工台6b之移動路徑的上方於Y軸方向上延伸而配置。第2洗淨組件25b是形成為與上述之第2洗淨組件25同樣的構成。

其次，說明使用加工裝置2加工晶圓W的方法。首先，搬出入部5會從晶圓盒3中將加工前的晶圓W朝-Y方向拉出而暫時放置在暫置區域4中。搬出入組件10a會以保持部100將暫時放置於暫置區域4的晶圓W保持並且搬出。

接著，藉由使軸部103旋轉以使臂部102旋繞，並藉由使保持晶圓W的保持部100由暫置區域4移動至加工台6a的上方側，以在使保持部100通過第1洗淨組件20b之上方側時，實施晶圓洗淨步驟。如圖9所示，第1洗淨組件20b會打開第1閥24而使空氣供給源30和第1噴射口22連通。一邊使保持晶圓W的保持部100旋轉移動，一邊第1洗淨組件20b會由第1噴射口22噴射空氣以對晶圓W之整個下表面Wb吹送空氣，並藉由空氣的壓力除去附著在晶圓W之下表面Wb的廢屑。

又，如圖10所示，在加工台6a保持以搬入組件10a所搬入的晶圓W之前，會實施加工台洗淨步驟。具體來說，是以加工進給組件8a，使加工台6a朝例如-X方向移動，並使其通過第2洗淨組件25b的下方。此時，第2洗淨組件25b會打開第2閥29以通過第2連通管28來連通空氣供給源30和 第2噴射口27。在使加工台6a朝-X方向移動時，第2洗淨組件25b會由第2噴射口27噴射空氣以對加工台6之整個上表面7吹送空氣，並藉由空氣的壓力除去附著在加工台6的上表面7的廢屑。加工台洗淨步驟也可以和晶圓洗淨步驟同時進行，也可以在晶圓洗淨步驟之前進行。

實施晶圓洗淨步驟和加工台洗淨步驟之後，可實施加工步驟。具體來說，是使加工台6a移動到例如二點鏈線所示之位置，再將搬入組件10a移動至加工台6a之上方側，並在加工台6a上載置洗淨後之晶圓W而保持了晶圓W之後，以圖8所示的加工組件9a對晶圓W進行預定之雷射加工。像這樣，即使在加工裝置2中，還是可以在直到將晶圓W載置到加工台6a上之前，有效率地將晶圓W的下表面Wb及加工台6a的上表面7洗淨。

再者，在上述實施形態中，雖然說明了適用於對第1洗淨組件20、20a及20b和第2洗淨組件25、25a及25b進行雷射加工的加工裝置1、1a、1b、2之例，但是並不限定於此構成，也可適用於例如切削裝置。

Claims (7)

1. 一種加工裝置，是具備有保持板狀之晶圓的加工台、使該加工台行走的加工進給組件、對保持於該加工台上之晶圓施行預定之加工的加工組件，以及將晶圓保持以搬入該加工台的搬入組件的加工裝置，其特徵在於具備：在直到該搬入組件將晶圓搬入到該加工台為止的期間，吹送空氣以洗淨晶圓之下表面的第1洗淨組件；以及在以該加工台保持藉由該搬入組件所搬入的晶圓之前，吹送空氣以洗淨該加工台之上表面的第2洗淨組件，該搬入組件具備在與該加工台之上表面平行的方向上動作的搬送機構，和朝該加工台之上表面接近及離開的方向動作的昇降機構，該第1洗淨組件具備相對於該搬入組件所保持之晶圓的下表面為平行且在相對於該搬送機構之移動方向為交叉的方向上延伸的第1洗淨管、配置在該第1洗淨管之延伸方向上的複數個第1噴射口、以及連通該第1噴射口和空氣供給源的連通管，該第2洗淨組件具備相對於該加工台的上表面為平行且在相對於該加工進給組件之加工進給方向為交叉的方向上延伸的第2洗淨管、配置在該第2洗淨管之延伸方向上的複數個第2噴射口、以及連通該第2噴射口和空 氣供給源的連通管，且以該第2洗淨組件洗淨該加工台之上表面，並以第1洗淨組件洗淨晶圓之下表面。
2. 如請求項1之加工裝置，其中，使前述加工進給組件的加工進給方向和前述搬入組件之前述搬送機構的移動方向為相同方向，且使前述第1洗淨管和前述第2洗淨管一體化而構成。
3. 如請求項1或2之加工裝置，其具備：調整由前述第1噴射口朝向晶圓噴射之空氣的噴射方向的角度的第1角度調整機構；以及調整由前述第2噴射口朝向前述加工台噴射之空氣的噴射方向的角度的第2角度調整機構。
4. 如請求項1之加工裝置，其具備：調整由前述第1噴射口所噴射的空氣之流量的第1流量調整組件；調整該第1噴射口和晶圓的下表面之距離的第1高度調整組件；調整由前述第2噴射口所噴射的空氣之流量的第2流量調整組件；以及調整該第2噴射口和前述加工台的上表面之距離的第2高度調整組件。
5. 如請求項3之加工裝置，其具備：調整由前述第1噴射口所噴射的空氣之流量的第1流量調整組件； 調整該第1噴射口和晶圓的下表面之距離的第1高度調整組件；調整由前述第2噴射口所噴射的空氣之流量的第2流量調整組件；以及調整該第2噴射口和前述加工台的上表面之距離的第2高度調整組件。
6. 如請求項1或2之加工裝置，其具備以前述加工台之中心為軸心使該加工台旋轉的工作台旋轉機構，且在該工作台旋轉機構使該加工台旋轉時，藉由前述第2洗淨組件洗淨該加工台的上表面。
7. 一種晶圓之加工方法，是使用請求項1或2之加工裝置的晶圓之加工方法，其包含：晶圓洗淨步驟，在直到藉由前述搬入組件將晶圓搬入到前述加工台並使該加工台保持晶圓為止的期間，由前述第1噴射口朝向晶圓的下表面吹送空氣以洗淨晶圓之下表面；加工台洗淨步驟，由前述第2噴射口朝該加工台的上表面吹送空氣以洗淨該加工台之上表面；以及加工步驟，在已實施該晶圓洗淨步驟和該加工台洗淨步驟後，藉由前述加工組件對該加工台所保持之晶圓進行預定之加工。