TWI652228B

TWI652228B - 防垢方法及防垢劑

Info

Publication number: TWI652228B
Application number: TW103110509A
Authority: TW
Inventors: 西田育子
Original assignee: 日商栗田工業股份有限公司
Priority date: 2013-03-22
Filing date: 2014-03-20
Publication date: 2019-03-01
Also published as: TW201446659A; CN105050966A; JP6146075B2; KR20150132571A; KR102040143B1; WO2014148462A1; JP2014184365A; US20160046515A1

Abstract

本發明提供一種防垢方法，該方法可於含有氟的水系中，在不使磷濃度增加的情況下，抑制氟化鈣垢的生成。

本發明提供一種防垢方法，其是於含有氟的水系中添加順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。該不含磷的共聚物較佳為使包含順丁烯二酸60mol%以上、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得，較佳為重量平均分子量為500~5000。

Description

防垢方法及防垢劑

本發明是有關於一種防垢方法及防垢劑。更詳細而言，是有關於一種抑制含有氟的水系中的氟化鈣垢(scale)的生成的防垢方法及防垢劑。

冷卻水系、鍋爐(boiler)水系、膜處理或地熱發電站的還原井中，會在與水接觸的傳熱面、配管或膜面產生垢障礙。就節源．節能的觀點而言，於進行高濃縮運轉時、以及膜處理的情況下提高回收率時，溶解於水中的鹽類被濃縮，成為難溶性的鹽而垢化。

並且，例如於熱交換部生成的垢會導致傳熱阻礙，附著於配管的垢會導致流量降低，附著於膜的垢會導致通量(flux)降低。另外，若所生成的垢發生剝離，則會於系內循環，引起泵(pump)、配管及熱交換部的堵塞，進而隨著該些堵塞而促進於配管及熱交換部的垢化。同樣的現象亦可能產生於地熱發電站的還原井。

該些水系中所生成的垢種有碳酸鈣、硫酸鈣、亞硫酸鈣、磷酸鈣、矽酸鈣、矽酸鎂、氫氧化鎂、磷酸鋅、氫氧化鋅及鹼性碳酸鋅等。

另外，針對鈣系垢的防垢劑通常使用六偏磷酸鈉及三聚磷酸鈉等無機聚磷酸類，胺基甲基膦酸、羥基亞乙基二膦酸及膦酸基丁烷三羧酸等膦酸類，以及根據對象水質對順丁烯二酸、丙烯酸及衣康酸等含羧基的原材料視需要組合具有磺酸基的乙烯系單體(vinyl monomer)或丙烯醯胺等非離子性乙烯系單體而成的共聚物(copolymer)。

上述用作防垢劑的無機聚磷酸類及膦酸類含有磷，但近年來，隨著排水中的磷濃度受到限制而期望不含磷的防垢劑。在此種背景下，自先前以來業界一直在研究不含磷的防碳酸鈣垢的用劑(例如參照專利文獻1~專利文獻3)。

例如，專利文獻1中記載的方法中，使用順丁烯二酸與烯丙基磺酸的共聚物作為防垢劑。另外，專利文獻2中記載的處理方法中，使用為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及苯乙烯的三元共聚物且質量平均分子量為600~10000的共聚物作為防垢劑。進而，專利文獻3中記載的水系處理用組成物中，組合使用質量平均分子量為400~800的聚順丁烯二酸與分子量為800~9500的丙烯酸系共聚物。

另一方面，專利文獻4中提出有於含有氟化物離子的半導體製造步驟回收水中添加六偏磷酸鈉、三聚磷酸鈉或膦酸系化合物後，進行逆滲透膜分離處理的半導體製造步驟回收水的處理方法。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平2-75396號公報

[專利文獻2]日本專利特開平2-115384號公報

[專利文獻3]日本專利特開平4-222697號公報

[專利文獻4]日本專利特開2000-202445號公報

近年來，為了有效利用水資源，而利用逆滲透膜將排水回收使用的情況不斷增多。例如，於包含半導體洗淨水的半導體或太陽光發電用基板等利用矽化合物的工廠中，在利用氟化氫對矽化合物進行處理的情況下，有排水中含有氟的情況。並且，在使用RO膜回收含有氟及鈣的排水的情況下，除碳酸鈣垢以外亦容易生成氟化鈣垢的情況不斷增多。

另外，如上所述，隨著排水的磷濃度的限制而期望不含磷的防垢劑。

因此，本發明的主要目的在於提供一種可於含有氟的水系中，在不使排水中的磷濃度增加的情況下，抑制氟化鈣垢的生成的防垢方法及防垢劑。

本發明者鑒於排水中含有氟而於該水系中除碳酸鈣垢以外亦容易生成氟化鈣垢的情況不斷增加的情況，針對抑制該些垢的生成進行了努力研究。其結果，本發明者發現，藉由對含有氟的水系添加順丁烯二酸/丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯三元共聚物，可有效地抑制氟化鈣垢及碳酸鈣垢的生成，從而完成了本發明。

即，本發明提供一種防垢方法，其是於含有氟的水系中添加順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。

於本發明中，將不含磷的共聚物添加至含有氟的水系中，因此可在不使該水系中的排水中的磷濃度增加的情況下抑制氟化鈣垢的生成。

上述共聚物可使用使包含順丁烯二酸60mol%以上、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得的共聚物。另外，上述共聚物可使用重量平均分子量在500~5000的範圍內的共聚物。

該防垢方法中，較佳為於含有氟的逆滲透膜處理水系中添加上述共聚物。例如，在使用逆滲透膜回收含有氟及鈣的排水的情況下，可應用本發明的防垢方法。

另外，本發明提供一種防垢劑，其為添加至含有氟的水系中的順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。

根據本發明，可提供一種可於含有氟的水系中，在不使排水中的磷濃度增加的情況下，抑制氟化鈣垢的生成的防垢方法及防垢劑。

以下，對用以實施本發明的實施方式進行詳細說明。此外，本發明並不限定於以下說明的實施方式。

<防垢劑>

首先，對本揭示的防垢劑進行說明。

本揭示的防垢劑是添加至含有氟的水系中，其主成分為不含磷的共聚物。並且，該共聚物較佳為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的三元共聚物(terpolymer)，為實質上不含磷的共聚物。

本揭示的防垢劑所適用的對象水系只要為含有氟的水系(以下亦稱為「含氟水系」)，則並無特別限定，但較佳為含有氟及鈣兩者的水系。對象水系例如可列舉可能含有氟的冷卻水系、鍋爐水系、膜處理水系、及集塵水系等。

另外，於包含半導體洗淨水的半導體及太陽光發電用基板等利用矽化合物的工廠中，在利用氟化氫對矽化合物進行處理的情況下，有於排水中含有氟的情況。因此，本揭示的防垢劑可較佳地用於自利用矽化合物的工廠等的設施回收的被處理水(例如，來自半導體製造步驟或基板製造步驟等的排水或回收水)。

本揭示的防垢劑較佳為用於膜處理水系，更佳為用於逆滲透膜處理水系，進而較佳為用於使用逆滲透膜(Reverse Osmosis Membrane：RO膜)回收含有氟及鈣的排水的情況。

本揭示的防垢劑中所使用的上述共聚物是使包含順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得。因此，該共聚物可謂具有源自順丁烯二酸的結構單元、源自丙烯酸乙酯的結構單元、及源自乙酸乙烯酯的結構單元。

構成該共聚物的單體成分中的各成分的含量(使用量)並無特別限定，但順丁烯二酸較佳為於單體成分中含有60mol%以上。

構成上述共聚物的單體成分較佳為包含順丁烯二酸60mol%~98mol%、丙烯酸乙酯1mol%~39mol%、及乙酸乙烯酯1mol%~39mol%。

另外，構成上述共聚物的單體成分更佳為包含順丁烯二酸64mol%~90mol%、丙烯酸乙酯3mol%~33mol%、及乙酸乙烯酯3mol%~33mol%。

於合成上述共聚物時，藉由在上述使用量範圍內使用各成分，而容易獲得可有效地抑制氟化鈣垢的防垢劑。

上述共聚物可較佳地使用重量平均分子量為500~5000的共聚物。就獲得容易抑制垢的生成的防垢劑的觀點而言，共聚物的重量平均分子量較佳為1700~4000，更佳為1800~3000，進而較佳為1900~2500。

此外，於本揭示中，「重量平均分子量」是使用聚丙烯酸鈉作為標準物質，藉由凝膠滲透層析法(gel permeation chromatography)所測定的重量平均分子量。

上述共聚物只要為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物即可，較佳為具有源自該些單體成分的結構單元的三元共聚物，但只要為不阻礙本揭示的目的之範圍，則亦可為四元以上的共聚物。

上述共聚物的製造方法及聚合方法並無特別限定。例如可分別使用規定量的順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯，藉由溶液聚合、懸浮聚合、乳化聚合、及塊狀聚合等聚合方法，合成上述共聚物。

該共聚物的聚合中所使用的起始劑可適當選擇使用公知的過氧化物起始劑。具體而言，可使用過氧化二苯甲醯、過氧化苯甲酸第三丁酯、過氧化二枯酯、氫過氧化第三丁酯、及過氧化第三丁酯等。該情況的聚合形式可為批次式及連續式的任一種，聚合時間可於例如2小時~5小時的範圍內進行，聚合溫度可於例如40℃~100℃的範圍內進行。

另外，上述共聚物亦可藉由在水性介質中進行合成的水性聚合而獲得。於水性聚合中，例如只要製備包含構成上述共聚物的各單體成分的水溶液或水分散液，視需要進行pH值的調整，藉由惰性氣體對環境進行置換後，加熱至50℃~100℃，添加水溶性聚合起始劑即可。此時所使用的水溶性聚合起始劑例如可使用2,2'-偶氮雙(2-脒基(amidino)丙烷)二鹽酸鹽、偶氮雙-N,N'-二亞甲基異丁基脒二鹽酸鹽及4,4'-偶氮雙(4-氰基戊酸)-2-鈉等偶氮化合物，過硫酸銨、過硫酸鈉及過硫酸鉀等過硫酸鹽，以及過氧化氫及過碘酸鈉等過氧化物。

另外，水性聚合時的聚合條件並無特別限定，例如可藉由聚合2小時~6小時後放置冷卻而獲得聚合物水溶液或水分散液。此外，上述共聚物的聚合並不限於水性介質中，亦可藉由通常的有機溶劑中的溶液聚合、懸浮聚合及乳化聚合等而進行。

本揭示的防垢劑中，除上述順丁烯二酸/丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯的共聚物以外，亦可於不阻礙本揭示的目的之範圍內含有其他添加劑。該其他添加劑例如可列舉：黏泥控制劑(slime control agent)、酵素、殺菌劑、著色劑、香料、水溶性有機溶劑及消泡劑等。

黏泥控制劑例如可使用烷基二甲基苄基氯化銨等四級銨鹽、氯甲基三噻唑啉、氯甲基異噻唑啉、甲基異噻唑啉、乙基胺基異丙基胺基甲硫基三嗪、次亞氯酸、次亞溴酸、及次亞氯酸與胺基磺酸(sulphamic acid)的混合物等。

如以上詳述般，本揭示的防垢劑是以不含磷的順丁烯二酸/丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯的共聚物作為有效成分。因此，本揭示的防垢劑可於不使含氟水系中的排水中的磷濃度增加的情況下，抑制氟化鈣垢及碳酸鈣垢的析出。

可認為，本揭示的防垢劑藉由具有丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯的共聚物單元，可提高含氟水系中所生成的垢粒子的分散效果。並且，可認為，由於其分散效果高，故而可將所生成的垢粒子的尺寸(size)維持得小。因此，可認為，在使用RO膜回收含有氟的排水等被處理水的情況下，可防止RO膜的膜面的堵塞。

另外，重量平均分子量在1700~4000(較佳為1800~3000)的範圍內的上述共聚物可更有效地抑制氟化鈣及碳酸鈣的析出，且不易凝膠化，因此可認為其作為RO膜處理中的防垢劑較佳。

<防垢方法>

其次，對本揭示的防垢方法進行說明。

本揭示的防垢方法是於含有氟的水系中添加作為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物的防垢劑。藉由將該防垢劑添加至含氟水系中，可抑制有於該含氟水系中生成之虞的氟化鈣垢及碳酸鈣垢的產生。此外，本揭示的防垢方法中所使用的不含磷的共聚物如上文於本揭示的防垢劑的說明中所述。

於本揭示的防垢方法中，防垢劑的添加方法並無特別限定，只要於欲防止垢的附著的位置或其正前等添加即可。另外，防垢劑的添加量亦無特別限定，可根據水系的水質而適當選擇。

例如，較佳為以上述共聚物的濃度成為0.01mg/L~100mg/L的方式添加本揭示的防垢劑。於使用RO膜回收含有氟的排水的情況等的RO膜處理水系中，就防止RO膜等的膜面的堵塞的觀點而言，更佳為以上述共聚物的濃度成為0.1mg/L~10mg/L的方式添加本揭示的防垢劑。

本揭示的防垢方法中，對含氟水系，除添加上述共聚物以外，亦可視需要添加其他防垢劑。關於其他防垢劑的添加方法，可混合至上述共聚物中來添加，亦可分別添加。

與本揭示的防垢劑併用的其他防垢劑例如可列舉：聚順丁烯二酸、聚(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸/(甲基)丙烯酸共聚物、順丁烯二酸/異丁烯共聚物、順丁烯二酸/磺酸共聚物、(甲基)丙烯酸/磺酸共聚物、(甲基)丙烯酸/含非離子基的單體共聚物、及丙烯酸/磺酸/含非離子基的單體三元共聚物等。此外，於本揭示中，「(甲基)丙烯酸」意指包含丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。

可用作上述其他防垢劑的共聚物中的「磺酸」可列舉：乙烯基磺酸、烯丙基磺酸、苯乙烯磺酸、異戊二烯磺酸、3-烯丙氧基-2-羥基丙磺酸、2-丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、2-甲基丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、甲基丙烯酸4-磺基丁酯、烯丙氧基苯磺酸、及甲基烯丙氧基苯磺酸、以及該些的金屬鹽等。

另外，可用作上述其他防垢劑的共聚物中的「含非離子基的單體」例如可列舉：碳數1~5的烷基醯胺、甲基丙烯酸羥基乙酯、加成莫耳數為1~30的(聚)環氧乙烷/環氧丙烷的單(甲基)丙烯酸酯、及加成莫耳數為1~30的單乙烯醚環氧乙烷/環氧丙烷等。

如上所述，於本揭示的防垢方法中，將上述的以不含磷的共聚物為主成分的防垢劑添加至含氟水系中，因此可於不使含氟水系中的排水中的磷濃度增加的情況下，抑制氟化鈣垢及碳酸鈣垢的析出。

可認為，本揭示的防垢方法藉由使所使用的防垢劑具有丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯的共聚合結構單元，而可提高含氟水系中所生成的垢粒子的分散效果。並且，可認為，由於其分散效果高，故而可使所生成的垢粒子的尺寸維持得小，可防止回收含氟水系中的排水的情況下所使用的RO膜等的膜面的堵塞。

另外，本揭示的防垢方法由於用作防垢劑的上述共聚物的重量平均分子量在1700~4000(較佳為1800~3000)的範圍內，不易凝膠化，故而可較佳地用於RO膜處理水系。

亦可將本揭示的防垢方法作為程式(program)儲存於包含用以管理對象水系的處理等的裝置(例如，個人電腦(personal computer)等)的中央處理單元(Central Processing Unit，CPU)等的控制部及具備記錄媒體(非揮發性記憶體(Non-volatile memory)(通用串列匯流排(Universal Serial Bus，USB)記憶體等)、硬碟驅動器(Hard Disk Drive，HDD)、光碟(Compact Disc，CD)等)等的硬體(hardware)資源中，藉由控制部而實現。

此外，關於本揭示的防垢劑及防垢方法所適用的水系，該水系的水質條件及運轉條件並無特別限定。

本揭示的防垢方法及防垢劑亦可呈如下構成。

[1]一種防垢方法，其是於含有氟的水系中添加順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。

[2]如上述[1]所述的防垢方法，其中上述不含磷的共聚物為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的三元共聚物。

[3]如上述[1]或[2]所述的防垢方法，其中上述不含磷的共聚物是使包含順丁烯二酸60mol%以上、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得。

[4]如上述[1]至[3]中任一項所述的防垢方法，其中上述不含磷的共聚物是使包含順丁烯二酸60mol%~98mol%、丙烯酸乙酯1mol%~39mol%、及乙酸乙烯酯1mol%~39mol%的單體成分共聚合而獲得。

[5]如上述[1]至[4]中任一項所述的防垢方法，其中上述不含磷的共聚物的重量平均分子量為500~5000。此處，上述不含磷的共聚物的重量平均分子量較佳為1700~4000，更佳為1800~3000，進而較佳為1900~2500。

[6]如上述[1]至[5]中任一項所述的防垢方法，其是於含有氟的逆滲透膜處理水系中添加上述不含磷的共聚物。

[7]一種防垢劑，其為添加至含有氟的水系中的順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。

[8]如上述[7]所述的防垢劑，其中上述不含磷的共聚物為順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的三元共聚物。

[9]如上述[7]或[8]所述的防垢劑，其中上述不含磷的共聚物是使包含順丁烯二酸60mol%以上、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得。

[10]如上述[7]至[9]中任一項所述的防垢劑，其中上述不含磷的共聚物是使包含順丁烯二酸60mol%~98mol%、丙烯酸乙酯1mol%~39mol%、及乙酸乙烯酯1mol%~39mol%的單體成分共聚合而獲得。

[11]如上述[7]至[10]中任一項所述的防垢劑，其中上述不含磷的共聚物的重量平均分子量為500~5000。此處，不含磷的共聚物的重量平均分子量較佳為1700~4000，更佳為1800~3000，進而較佳為1900~2500。

[12]如上述[7]至[11]中任一項所述的防垢劑，其中上述不含磷的共聚物是添加至含有氟的逆滲透膜處理水系中。

[13]一種防垢系統，包括以於含有氟的水系中添加順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物的方式控制上述水系的控制部。

[實施例]

以下列舉實施例及比較例，對本揭示的防垢方法及防垢劑的效果進行具體說明。

針對實施例1~實施例3及比較例1~比較例5的防垢劑，假定生成氟化鈣垢的情況、及生成氟化鈣垢及碳酸鈣垢兩者的情況，進行以下說明的試驗。

<氟化鈣析出抑制試驗>

於500ml的錐形燒杯(conical beaker)中加入超純水500ml，向其中添加氯化鈣500mg^CaCO3/L、後述實施例1~實施例3及比較例1~比較例5的各例中所用的防垢劑1mg/L、以及氟化鈉50mg^F/L後，利用少量的氫氧化鈉水溶液與硫酸水溶液將pH值調整為7，密栓後，於30℃的恆溫槽中攪拌3小時。其後，使用孔徑 0.1μm的濾紙，藉由乙二胺四乙酸(Ethylene Diamine Tetraacetic Acid，EDTA)法對濾液的鈣硬度進行定量。

該試驗中的水質條件是鈣硬度500mg^CaCO3/L、氟濃度50mg/L、及pH值7。

<氟化鈣及碳酸鈣的同時生成時的析出抑制試驗>

於500ml的錐形燒杯中加入超純水500ml，向其中添加氯化鈣500mg^CaCO3/L、後述實施例1~實施例3及比較例1~比較例5的各例中所使用的防垢劑2mg/L、氟化鈉50mg^F/L、以及碳酸氫鈉500mg^CaCO3/L後，利用少量的氫氧化鈉水溶液與硫酸水溶液將pH值調整為8.5，密栓後，於30℃的恆溫槽中攪拌3小時。其後，使用孔徑0.1μm的濾紙，藉由EDTA法對濾液的鈣硬度進行定量。

該試驗中的水質條件是鈣硬度500mg^CaCO3/L、氟濃度50mg/L、M鹼度500mg/L、及pH值8.5。

於實施例1~實施例3及比較例1~比較例3的各例中，使用使表1及表2中記載的單體成分(組成)以該表中記載的莫耳比聚合而獲得的防垢劑。將該些防垢劑的重量平均分子量M_w示於表1及表2。另外，於比較例4及比較例5中，使用單體作為防垢劑。將使用實施例及比較例的各防垢劑藉由上述的析出抑制試驗所定量的鈣硬度的結果匯總示於表1及表2。

此外，「氟化鈣析出抑制試驗」的結果是示於表中的「氟化鈣」的欄，「氟化鈣及碳酸鈣的同時生成時的析出抑制試驗」的結果是示於表中的「氟化鈣+碳酸鈣」的欄。

另外，於表1及表2中，MA表示順丁烯二酸，EA表示丙烯酸乙酯，VA表示乙酸乙烯酯，AA表示丙烯酸，SA表示磺酸，SHMP表示六偏磷酸鈉，HEDP表示羥基亞乙基膦酸(1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸)。

對於實施例1~實施例3的防垢劑確認到，於「氟化鈣析出抑制試驗」及「氟化鈣及碳酸鈣的同時生成時的析出抑制試驗」的兩試驗結果中，濾液的鈣硬度成為490mg^CaCO3/L以上，可維持初期的鈣硬度。

因此，藉由將實施例1~實施例3的防垢劑添加至含有氟及鈣的水系中，可抑制氟化鈣垢及碳酸鈣垢的生成。因此，在使用RO膜回收含有氟及鈣的排水的情況下，可有效地防止氟化鈣垢及碳酸鈣垢對RO膜的附著。

對於比較例1及比較例2的防垢劑確認到，於「氟化鈣析出抑制試驗」及「氟化鈣及碳酸鈣的同時生成時的析出抑制試驗」的兩試驗結果中，濾液的鈣硬度小於490mg^CaCO3/L，無法抑制氟化鈣的析出。可認為，比較例1及比較例2的防垢劑由於不含順丁烯二酸，故而無法抑制氟化鈣垢的析出。

對於比較例3~比較例5的防垢劑確認到，於「氟化鈣及碳酸鈣的同時生成時的析出抑制試驗」中，濾液的鈣硬度小於490mg^CaCO3/L，在氟化鈣與碳酸鈣同時析出的情況下，無法抑制該些垢的析出。

根據以上結果可知，包含順丁烯二酸60mol%以上的分子量500~5000的順丁烯二酸/丙烯酸乙酯/乙酸乙烯酯三元共聚物可抑制氟化鈣及碳酸鈣的垢的生成。因此，例如在使用RO膜回收含有氟及鈣的排水的情況下等，可有效地抑制氟化鈣垢及碳酸鈣垢附著於RO膜，從而可使RO膜穩定地運轉。

Claims

一種防垢方法，其是於含有氟的水系中添加順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。
如申請專利範圍第1項所述的防垢方法，其中上述共聚物是使包含順丁烯二酸60mol%以上、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的單體成分共聚合而獲得。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的防垢方法，其中上述共聚物的重量平均分子量為500~5000。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的防垢方法，其是於含有氟的逆滲透膜處理水系中添加上述共聚物。
如申請專利範圍第3項所述的防垢方法，其是於含有氟的逆滲透膜處理水系中添加上述共聚物。
一種防垢劑，其為添加至含有氟的水系中的順丁烯二酸、丙烯酸乙酯、及乙酸乙烯酯的不含磷的共聚物。