TWI651919B

TWI651919B - 用於馬達之驅動組件及用於馬達激磁之半導體封裝結構

Info

Publication number: TWI651919B
Application number: TW106123008A
Authority: TW
Inventors: 洪銀樹; 林長佑; 呂立洋
Original assignee: 建準電機工業股份有限公司
Priority date: 2017-07-10
Filing date: 2017-07-10
Publication date: 2019-02-21
Also published as: TW201909519A; CN109245443A

Abstract

本發明係有關用於馬達之驅動組件及用於馬達激磁之半導體封裝結構。本發明用於馬達激磁之該半導體封裝結構包括一線圈組件及封裝材料。該線圈組件係以半導體製程製作。該線圈組件具有複數個線圈單元，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點。該至少一線圈層包括複數個線圈，且該至少一線圈層設置於該至少一中介單元。相鄰線圈單元以該等連接點電性連接。該封裝材料封裝該線圈組件。本發明之該半導體封裝結構利用相鄰線圈單元之該等連接點電性連接，可達到相鄰線圈單元之相對應線圈之串聯或並聯連接，可依據實際之應用彈性地調整。再者，線圈組件之線圈單元數量可依據實際之應用彈性地增減，以符合實際應用之各種需求。

Description

用於馬達之驅動組件及用於馬達激磁之半導體封裝結構

本發明係有關於一種用於馬達之驅動組件及用於馬達激磁之半導體封裝結構。

習知馬達之激磁元件係於空間上繞製線圈製作，故習知激磁元件之體積較大，佔用較大空間。並且，習知馬達之激磁元件及驅動元件並非以半導體製程製作，其尺寸都不會很小，再經組裝各元件為一定子，造成習知馬達之定子尺寸難以進一步降低，且因以並非以半導體製程製作各元件，使得習知馬達之定子製程複雜且成本提高。

本發明提供用於馬達激磁之半導體封裝結構。在一實施例中，用於馬達激磁之該半導體封裝結構包括一線圈組件及封裝材料。該線圈組件係以半導體製程製作。該線圈組件具有複數個線圈單元，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點。該至少一線圈層包括複數個線圈，且該至少一線圈層設置於該至少一中介單元。相鄰線圈單元以該等連接點電性連接。該封裝材料封裝該線圈組件。

本發明提供用於馬達之驅動組件。在一實施例中，用於馬達之驅動組件包括一線圈組件、一馬達驅動單元及封裝材料。該線圈組件係以半導體製程製作。該線圈組件具有複數個線圈單元，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點。該至少一線圈層包括複數個線圈，且該至少一線圈層設置於該至少一中介單元。相鄰線圈單元以該等連接點電性連接。該馬達驅動單元電性連接該線圈組件。該封裝材料封裝該線圈組件。

本發明之該半導體封裝結構利用相鄰線圈單元之該等連接點電性連接，可達到相鄰線圈單元之相對應線圈之串聯或並聯連接，可依據實際之應用彈性地調整。再者，線圈組件之線圈單元數量可依據實際之應用彈性地增減，以符合實際應用之各種需求。

圖1顯示本發明用於馬達激磁之半導體封裝結構之一實施例之示意圖。參考圖1，本發明之半導體封裝結構1係應用於馬達之激磁元件。在一實施例中，該半導體封裝結構1包括一線圈組件10及封裝材料21。該線圈組件10係以半導體製程製作，故該半導體封裝結構1係以半導體製程製作。半導體製程包括：薄膜成長、微影曝光、蝕刻成型、封裝等其中部分製程，亦可以半導體製程為基礎延伸至微機電製程，可再包括異方性蝕刻、電鑄、微光刻電鑄造模等其中部分製程。但本發明之半導體製程不限於上述之製程。

該線圈組件10具有複數個線圈單元11、12，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點。該至少一線圈層包括複數個線圈，且該至少一線圈層設置於該至少一中介單元。在一實施例中，該線圈單元11包括一第一線圈層111、一第二線圈層112、一中介單元113及複數個連接點114、115。該第一線圈層111包括複數個線圈1111、1112，且該第二線圈層112包括複數個線圈1121、1122。

在一實施例中，該中介單元113包括一絕緣層1131及至少一導電柱1132，該至少一導電柱1132電性連接該第一線圈層111及該第二線圈層112。在一實施例中，該至少一導電柱1132係以電鑄製程製作。在一實施例中，該第一線圈層111設置於該絕緣層1131。在一實施例中，該中介單元可為一基板。

在一實施例中，該線圈單元12包括一線圈層121、一中介單元123及複數個連接點124、125。該線圈層121設置於該中介單元123之一表面。該線圈層121包括複數個線圈1211、1212。該線圈1211包括一中心端點1216及一外端點1217。該線圈1211之該中心端點1216可為該線圈單元12之其中一連接點124。

相鄰線圈單元11、12以該等連接點114、115、124、125電性連接。在一實施例中，該半導體封裝結構1另包括複數個導電件22、23，設置於該等連接點114、115，以電性連接相鄰線圈單元11、12之該等連接點114、115、124、125。

該封裝材料21封裝該線圈組件10。在一實施例中，封裝材料21可填充於該等線圈單元11、12之間。在一實施例中，該半導體封裝結構1另包括複數個電性連接埠24、25，電性連接該線圈組件10，且顯露於封裝材料21外，用以與外界之元件電性連接。該等電性連接埠24、25可為錫球或接腳。該等電性連接埠24、25可包括輸出入埠（I/O port）或電源端、接地端等。

在一實施例中，該半導體封裝結構1另包括一載板26，該線圈組件10設置於該載板26。該載板26可為基板。在一實施例中，該半導體封裝結構1另包括一中心孔27，設置該半導體封裝結構1之一中央位置。該中心孔27為貫孔。該半導體封裝結構1係呈環形，在一實施例中，該半導體封裝結構1可為圓環形、三角環形或多角環形等形狀。利用該中心孔27，本發明用於馬達激磁之該該半導體封裝結構1可與馬達之其他元件結合。

圖2顯示本發明線圈單元設置於載板之示意圖。配合參考圖1及2，在製作該半導體封裝結構1上，可於該載板26上製作該線圈單元11，例如：先於該載板26形成該第一線圈層111，再形成該絕緣層1131及該至少一導電柱1132，接著，再形成該第二線圈層112於該絕緣層1131上。或者，可先製作該線圈單元11，再將該線圈單元11設置於該載板26上。

圖3顯示本發明之線圈單元之示意圖。配合參考圖1至3，該線圈單元12可單獨製作。接著，將該線圈單元12與該線圈單元11電性連接，在一實施例中，利用該等導電件22、23，設置於該等連接點114、115，以電性連接相鄰線圈單元11、12之該等連接點114、115、124、125。該等導電件22、23可為錫球。接著，利用封裝材料21封裝該線圈組件10，以製作得該半導體封裝結構1。

圖4顯示圖2之線圈單元之線圈層之示意圖，配合參考圖2及圖4，在一實施例中，該第一線圈層111之該等線圈1111、1112係設置於同一平面高度，且該第二線圈層112之該等線圈1121、1122、1123係設置於同一平面高度。在一實施例中，每一線圈係以螺旋狀由一中心端點朝外延伸至一外端點。該線圈係以該中心端點或該外端點與其他線圈電性連接。該螺旋狀可為圓形螺旋狀、三角形螺旋狀、方形螺旋狀或其他形狀之螺旋狀。在一實施例中，該線圈1121包括一中心端點1126及一外端點1127，該線圈1121係以螺旋狀由該中心端點1126朝外延伸至該外端點1127。該線圈1121係以該外端點1127與該線圈1123電性連接。在一實施例中，該線圈1121係與該線圈1122串聯，而為單相之線圈連接。在其他實施例中，若為三相之線圈連接，同一線圈層之該等線圈可不電性連接。在一實施例中，該線圈1121之該中心端點1126可為該線圈單元11之其中一連接點114。

配合參考圖1及圖4，在一實施例中，導電件22電性連接線圈單元11之該連接點114（即為該線圈1121之該中心端點1126）及該線圈單元12之該連接點124（即為該線圈1211之該中心端點1216），使該線圈1121之該中心端點1126與該線圈1211之該中心端點1216電性連接，故該線圈1121與該線圈1211為串聯，可達到電路上二線圈串聯之效果。

因本發明之該半導體封裝結構係以半導體製程製作，該線圈之線徑可以縮小，且線圈內導線之間隙可以縮小，為使整體線圈具有足夠承載能力，可利用上述實施例之相鄰線圈單元之該等連接點電性連接，以達到相鄰線圈單元之相對應線圈之串聯連接，或者可彈性地增減線圈組件之線圈單元數量，使得線圈的串聯數量可增加，以符合實際應用之需求。

圖5顯示本發明用於馬達激磁之半導體封裝結構之一實施例之示意圖。參考圖5，在一實施例中，一半導體封裝結構3包括一線圈組件30及封裝材料41。該線圈組件30具有複數個線圈單元31、32。在一實施例中，該線圈單元31包括一第一線圈層311、一第二線圈層312、一中介單元313及複數個連接點314、315。該第二線圈層312包括複數個線圈3121、3122。在一實施例中，該線圈3121包括一中心端點3126及一外端點3127。該線圈3121之該中心端點3126及該外端點3127可為該線圈單元31之該等連接點314、315。

在一實施例中，該線圈單元32包括一第一線圈層321、一第二線圈層322、一中介單元323及複數個連接點324、325。該第二線圈層321包括複數個線圈3211、3212。在一實施例中，該線圈3111包括一中心端點3216及一外端點3217。該線圈3211之該中心端點3216及該外端點3217可為該線圈單元32之該等連接點324、325。

在一實施例中，該中介單元323具有一絕緣層3231、至少一導電柱3232、一第一表面3233及一第二表面3234。該第一線圈層321設置於該第一表面3233，該第二線圈層322設置於該第二表面3234。

相鄰線圈單元31、32以該等連接點314、315、324、325電性連接。在一實施例中，該半導體封裝結構3另包括複數個導電件42、43，設置於該等連接點314、315，以電性連接相鄰線圈單元31、32之該等連接點314、315、324、325。在一實施例中，導電件42電性連接線圈單元31之該連接點314及該線圈單元32之該連接點324，且導電件43電性連接線圈單元31之該連接點315及該線圈單元32之該連接點325，使該線圈3121之該外端點3127與該線圈3211之該外端點3217電性連接，且該線圈3121之該中心端點3126與該線圈3211之該中心端點3216電性連接，故該線圈3121與該線圈3211為並聯，可達到電路上二線圈並聯之效果。

利用本發明之該半導體封裝結構，因利用半導體製程製作線圈層之線圈，使得線圈層之線圈厚度受到限制，為使整體線圈具有足夠承載能力，可利用上述實施例之相鄰線圈單元之該等連接點電性連接，以達到相鄰線圈單元之相對應線圈之並聯連接，或者可彈性地增減線圈組件之線圈單元數量，使得線圈的並聯數量可增加，以符合實際應用之需求。

因此，本發明之該半導體封裝結構利用相鄰線圈單元之該等連接點電性連接，可達到相鄰線圈單元之相對應線圈之串聯或並聯連接，可依據實際之應用彈性地調整。再者，線圈組件之線圈單元數量可依據實際之應用彈性地增減，以符合實際應用之各種需求。本發明之該半導體封裝結構可廣泛應用於馬達之激磁元件。

圖6顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖。參考圖6，本發明之該驅動組件5係應用於馬達，可控制及驅動馬達。在一實施例中，該驅動組件5包括一線圈組件10、一馬達驅動單元51及封裝材料21。該線圈組件10及該馬達驅動單元51係以半導體製程製作，故該驅動組件5係以半導體製程製作。半導體製程包括：薄膜成長、微影曝光、蝕刻成型、封裝等其中部分製程，亦可以半導體製程為基礎延伸至微機電製程，可再包括異方性蝕刻、電鑄、微光刻電鑄造模等其中部分製程。但本發明之半導體製程不限於上述之製程。

相較於圖1之實施例，在圖6之實施例中相同之元件則予以相同元件編號。該馬達驅動單元51電性連接該線圈組件10。在一實施例中，該馬達驅動單元51設置於該絕緣層1131，且該線圈組件10及該馬達驅動單元51設置於該載板26。在一實施例中，該馬達驅動單元51可為一馬達驅動晶粒（die），亦即為未經封裝之晶粒（die）；或該馬達驅動單元51可為一馬達驅動晶片封裝體，亦即為已封裝之晶片（chip）。該馬達驅動單元51可包括感測元件、驅動電路及控制電路等。

在一實施例中，該線圈組件10及該馬達驅動單元51設置於一第一設置高度H1及一第二設置高度H2之間，該第一設置高度H1為該線圈組件10之一最低位置高度，該第二設置高度H2為該線圈組件10之一最高位置高度，該第二設置高度H2大於該第一設置高度H1。

該線圈組件10包括一底部線圈層111及一頂部線圈層122，該底部線圈層111設置於該線圈組件10之一底部位置，該頂部線圈層122設置於該線圈組件10之一頂部位置。該第一設置高度H1係為該底部線圈層111之一最低設置高度，該第二設置高度H2係為該頂部線圈層122之一最高設置高度。

利用本發明之該驅動組件5，不僅具有可依據實際之應用彈性地調整對應線圈之串聯或並聯連接，且可依據實際之應用彈性地增減線圈組件之線圈單元數量。再者，因該線圈組件10及該馬達驅動單元51均設置於該第二設置高度H2及該第一設置高度H1之間，故可使本發明之該驅動組件5之整體高度降低，有助於馬達之微小化。且該線圈組件10及該馬達驅動單元51係以半導體製程一起製作，不需利用其他不同之製程分開製作，及額外的組裝步驟，故可簡化製程及相關成本。

圖7顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖。參考圖7，在一實施例中，該驅動組件6包括一線圈組件30、一馬達驅動單元61及封裝材料41。相較於圖5之實施例，在圖7之實施例中相同之元件則予以相同元件編號。該馬達驅動單元61電性連接該線圈組件30。在一實施例中，封裝材料41填充於該等線圈單元31、32之間，且該馬達驅動單元61設置於相鄰線圈單元31、32之間，由相鄰線圈單元31、32間之封裝材料41包覆封裝。

在一實施例中，該驅動組件6另包括一中心孔47，設置該半導體封裝結構6之一中央位置。該中心孔47為盲孔，亦即該載板46沒有穿孔。利用該中心孔47，本發明用於馬達之驅動組件6可與馬達之其他元件結合。

圖8顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖。參考圖8，在一實施例中，該驅動組件7包括一線圈組件10、一馬達驅動單元71及封裝材料21。相較於圖1之實施例，在圖8之實施例中相同之元件則予以相同元件編號。在一實施例中，該馬達驅動單元71設置於該等電性連接埠24、25上，使得該馬達驅動單元71電性連接該線圈組件10。配合參考圖1及圖8，在製造該驅動組件7上，可先製作如圖1之用於馬達激磁之半導體封裝結構1，該馬達驅動單元71可為一馬達驅動晶片封裝體，亦即為已封裝之晶片（chip）。用於馬達激磁之半導體封裝結構1與該馬達驅動單元71不需一起製作，可分開製作後，再結合為該驅動組件7，以提高製作之彈性，因應實際製作之需求。

本發明之該半導體封裝結構利用相鄰線圈單元以該等連接點電性連接，可達到相鄰線圈單元之相對應線圈之串聯或並聯，以依據實際之應用彈性地調整。再者，線圈組件之線圈單元數量可依據實際之應用彈性地增減，以符合實際應用之各種需求。

上述實施例僅為說明本發明之原理及其功效，而非限制本發明。習於此技術之人士對上述實施例所做之修改及變化仍不違背本發明之精神。本發明之權利範圍應如後述之申請專利範圍所列。

1‧‧‧半導體封裝結構

3‧‧‧半導體封裝結構

5‧‧‧驅動組件

6‧‧‧驅動組件

7‧‧‧驅動組件

10‧‧‧線圈組件

11、12‧‧‧線圈單元

21‧‧‧封裝材料

22、23‧‧‧導電件

24、25‧‧‧電性連接埠

26‧‧‧載板

27‧‧‧中心孔

30‧‧‧線圈組件

31、32‧‧‧線圈單元

41‧‧‧封裝材料

42、43‧‧‧導電件

46‧‧‧載板

47‧‧‧中心孔

51‧‧‧馬達驅動單元

61‧‧‧馬達驅動單元

71‧‧‧馬達驅動單元

111‧‧‧第一線圈層（底部線圈層）

112‧‧‧第二線圈層

113‧‧‧中介單元

114、115‧‧‧連接點

121‧‧‧線圈層

122‧‧‧頂部線圈層

123‧‧‧中介單元

124、125‧‧‧連接點

311‧‧‧第一線圈層

312‧‧‧第二線圈層

313‧‧‧中介單元

314、315‧‧‧連接點

321‧‧‧第一線圈層

322‧‧‧第二線圈層

323‧‧‧中介單元

324、325‧‧‧連接點

1111、1112‧‧‧線圈

1121、1122、1123‧‧‧線圈

1126‧‧‧中心端點

1127‧‧‧外端點

1131‧‧‧絕緣層

1132‧‧‧導電柱

1211、1212‧‧‧線圈

1216‧‧‧中心端點

1217‧‧‧外端點

3121、3122‧‧‧線圈

3126‧‧‧中心端點

3127‧‧‧外端點

3211、3212‧‧‧線圈

3216‧‧‧中心端點

3217‧‧‧外端點

3231‧‧‧絕緣層

3232‧‧‧導電柱

3233‧‧‧第一表面

3234‧‧‧第二表面

H1‧‧‧第一設置高度

H2‧‧‧第二設置高度

圖1顯示本發明用於馬達激磁之半導體封裝結構之一實施例之示意圖；

圖2顯示本發明線圈單元設置於載板之示意圖；

圖3顯示本發明之線圈單元之示意圖；

圖4顯示圖2之線圈單元之線圈層之示意圖；

圖5顯示本發明用於馬達激磁之半導體封裝結構之一實施例之示意圖；

圖6顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖；

圖7顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖；及

圖8顯示本發明用於馬達之驅動組件之一實施例之示意圖。

Claims

一種用於馬達之驅動組件，包括：一線圈組件，係以半導體製程製作，具有複數個線圈單元，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點，該至少一線圈層包括複數個線圈，該至少一線圈層設置於該至少一中介單元，相鄰線圈單元以該等連接點電性連接；一馬達驅動單元，電性連接該線圈組件；及封裝材料，封裝該線圈組件。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該線圈單元包括一第一線圈層、一第二線圈層、一中介單元及複數個連接點。
如請求項第2項之用於馬達之驅動組件，其中該中介單元另包括一絕緣層及至少一導電柱，該至少一導電柱電性連接該第一線圈層及該第二線圈層。
如請求項第3項之用於馬達之驅動組件，其中該至少一導電柱係以電鑄製程製作。
如請求項第3項之用於馬達之驅動組件，其中該馬達驅動單元設置於該絕緣層。
如請求項第3項之用於馬達之驅動組件，其中該第一線圈層設置於該絕緣層。
如請求項第2項之用於馬達之驅動組件，其中該中介單元具有一第一表面及一第二表面，該第一線圈層設置於該第一表面，該第二線圈層設置於該第二表面。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該線圈包括一中心端點及一外端點。
如請求項第8項之用於馬達之驅動組件，另包括複數個導電件，設置於該等連接點，該線圈之該中心端點或該外端點為其中之一連接點，該等導電件電性連接相鄰線圈單元之該等線圈之該中心端點或該外端點其中之一。
如請求項第8項之用於馬達之驅動組件，另包括複數個導電件，設置於該等連接點，該線圈之該中心端點及該外端點為該等連接點，該等導電件電性連接相鄰線圈單元之該等線圈之該中心端點及該外端點。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該中介單元為一基板。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，另包括一中心孔，設置該驅動組件之一中央位置。
如請求項第12項之用於馬達之驅動組件，其中該中心孔為貫孔。
如請求項第12項之用於馬達之驅動組件，其中該中心孔為盲孔。
如請求項第12項之用於馬達之驅動組件，其中該驅動組件係呈環形。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，另包括一載板，該線圈組件及該馬達驅動單元設置於該載板。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該馬達驅動單元為一馬達驅動晶粒。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該馬達驅動單元為一馬達驅動晶片封裝體。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中封裝材料填充於該等線圈單元之間。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該馬達驅動單元設置於該等線圈單元之間。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，另包括複數個電性連接埠，電性連接該線圈組件或該馬達驅動單元，且顯露於封裝材料外。
如請求項第21項之用於馬達之驅動組件，其中該馬達驅動單元設置於該等電性連接埠上。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中每一線圈層之該等線圈設置於同一平面高度。
如請求項第1項之用於馬達之驅動組件，其中該線圈組件及該馬達驅動單元設置於一第一設置高度及一第二設置高度之間，該第一設置高度為該線圈組件之一最低位置高度，該第二設置高度為該線圈組件之一最高位置高度，該第二設置高度大於該第一設置高度。
如請求項第24項之用於馬達之驅動組件，其中該線圈組件包括一底部線圈層及一頂部線圈層，該底部線圈層設置於該線圈組件之一底部位置，該頂部線圈層設置於該線圈組件之一頂部位置。
如請求項第25項之用於馬達之驅動組件，其中該第一設置高度係為該底部線圈層之一最低設置高度，該第二設置高度係為該頂部線圈層之一最高設置高度。
一種用於馬達激磁之半導體封裝結構，包括：一線圈組件，係以半導體製程製作，具有複數個線圈單元，每一線圈單元包括至少一線圈層、至少一中介單元及複數個連接點，該至少一線圈層包括複數個線圈，該至少一線圈層設置於該至少一中介單元，相鄰線圈單元以該等連接點電性連接；及封裝材料，封裝該線圈組件。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該線圈單元包括一第一線圈層、一第二線圈層、一中介單元及複數個連接點。
如請求項第28項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該中介單元另包括一絕緣層及至少一導電柱，該至少一導電柱電性連接該第一線圈層及該第二線圈層。
如請求項第29項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該至少一導電柱係以電鑄製程製作。
如請求項第29項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該第一線圈層設置於該絕緣層。
如請求項第28項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該中介單元具有一第一表面及一第二表面，該第一線圈層設置於該第一表面，該第二線圈層設置於該第二表面。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該線圈包括一中心端點及一外端點。
如請求項第33項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，另包括複數個導電件，設置於該等連接點，該線圈之該中心端點或該外端點為其中之一連接點，該等導電件電性連接相鄰線圈單元之該等線圈之該中心端點或該外端點其中之一。
如請求項第33項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，另包括複數個導電件，設置於該等連接點，該線圈之該中心端點及該外端點為該等連接點，該等導電件電性連接相鄰線圈單元之該等線圈之該中心端點及該外端點。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該中介單元為一基板。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，另包括一中心孔，設置該半導體封裝結構之一中央位置。
如請求項第37項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該中心孔為貫孔。
如請求項第37項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該中心孔為盲孔。
如請求項第37項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中該半導體封裝結構係呈環形。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，另包括一載板，該線圈組件設置於該載板。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中封裝材料填充於該等線圈單元之間。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，另包括複數個電性連接埠，電性連接該線圈組件，且顯露於封裝材料外。
如請求項第27項之用於馬達激磁之半導體封裝結構，其中每一線圈層之該等線圈設置於同一平面高度。