JP7311943B2 - 3次元検知を備える集積フラックスゲートデバイス - Google Patents
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Description
Claims (30)
- 集積フラックスゲートデバイスであって、
平坦表面を有するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の平坦表面上に搭載される第1の集積フラックスゲートダイであって、
第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板上に形成される第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成されて前記パッケージ基板の平坦表面に対して平行に向けられる第1の磁気コアと、
を含む、前記第1の集積フラックスゲートダイと、
前記パッケージ基板の平坦表面上に搭載される第2の集積フラックスゲートダイであって、
第2の半導体基板と、
前記第2の半導体基板上に形成される第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成されて前記パッケージ基板の平坦表面に対して直角に向けられる複数のセグメント化された磁気コアと、
を含む、前記第2の集積フラックスゲートダイと、
を含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の集積フラックスゲートダイが、前記第1の集積回路の上に形成される第3の磁気コアであって、前記パッケージ基板の平坦表面に対して平行に、前記複数のセグメント化された磁気コアの各々に対して直角に向けられる、前記第3の磁気コアを更に含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記パッケージ基板の平坦表面上に搭載される第3の集積フラックスゲートダイであって、
第3の半導体基板と、
前記第3の半導体基板上に形成される第3の集積回路と、
前記第3の集積回路の上に形成される第3の磁気コアであって、前記パッケージ基板の平坦表面に対して平行に、前記第1及び第2の集積フラックスゲートダイの前記磁気コアに対して直角に向けられる、前記第3の磁気コアと、
を含む、前記第3の集積フラックスゲートダイ、
を更に含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、垂直エッジと、第1の水平エッジと、前記垂直エッジと前記第1の水平エッジとによって画定される搭載可能表面とを有し、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記搭載可能表面によって前記パッケージ基板に搭載される、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記第1の水平エッジに対して垂直に配置される第2の水平エッジを更に有し、前記第2の水平エッジが、1mm未満の長さと、前記パッケージ基板の平坦表面に対して直角な位置とを有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積回路が、前記垂直エッジに対して直角に、前記第1の水平エッジに対して平行に配置される頂部金属層を含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項4に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、互いに平行に、前記第2の集積フラックスゲートダイの垂直エッジに対して直角に整合される、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアセグメントの各々が、0.7mmに等しいか又は0.7mmよりも小さいセグメント長を有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の磁気コアが連続的なコア長を有し、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、前記連続的なコア長と実質的に同じ集合コア長を有する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項7に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第1の磁気コアが連続的なコア長を有し、
前記複数のセグメント化された磁気コアの各々が、前記連続的なコア長の約3分の1のコア長を有する、集積フラックスゲート。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、電磁気結合が確立されるときに集合磁気コアとして機能する、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記複数のセグメント化された磁気コアの各々のコイルセグメントを取り囲む連続的なコイルを更に含む、集積フラックスゲートデバイス。 - 請求項1に記載の集積フラックスゲートデバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、共に直列に電気的に結合される、集積フラックスゲートデバイス。 - 磁気感知デバイスであって、
平坦表面を有するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に搭載される第1のダイであって、
第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成される第1の磁気コアであって、前記パッケージ基板の平坦表面に対して平行な第1の感知軸を有する、前記第1の磁気コアと、
を含む、前記第1のダイと、
前記パッケージ基板上に搭載される第2のダイであって、
第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成される複数のセグメント化された磁気コアであって、前記パッケージ基板の平坦表面に対して直角な感知軸を有する、前記複数のセグメント化された磁気コアと、
を含む、前記第2のダイと、
を含む、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記第1のダイが、前記第1の集積回路の上に形成される第2の磁気コアを含み、
前記第2の磁気コアが、前記パッケージ基板の平坦表面に対して平行であって、前記第1の感知軸と前記複数のセグメント化された磁気コアの感知軸とに対して直角な第2の感知軸を含む、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記パッケージ基板上に搭載される第3のダイであって、
第3の集積回路と、
前記第3の集積回路の上に形成される第3の磁気コアであって、前記平坦表面に対して平行であって、前記第1の感知軸と前記複数のセグメント化された磁気コアの感知軸とに対して直角な第3の検知軸を有する、前記第3の磁気コアと、
を含む、前記第3のダイ、
を更に含む、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記第1の集積回路が、第1の励振信号を生成するように構成され、
前記第1の磁気コアが、前記第1の励振信号に応答して前記第1の感知軸に沿って第1の磁場を感知するように構成される、磁気感知デバイス。 - 請求項17に記載の磁気感知デバイスであって、
前記第2の集積回路が、第2の励振信号を生成するように構成され、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、前記第2の励振信号に応答して前記複数のセグメント化された磁気コアの感知軸に沿って第2の磁場を感知するように構成される、磁気感知デバイス。 - 請求項17に記載の磁気感知デバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、前記第1の集積回路によって生成される前記第1の励振信号に応答して前記複数のセグメント化された磁気コアの感知軸に沿って磁場を検知するように構成され、
前記第2の集積回路が、前記第1の励振信号に応答して前記感知された磁場を測定するように構成される、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、電磁気結合が確立されるときに集合磁気コアとして機能する、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記第2のダイが、前記複数のセグメント化された磁気コアの各々のコイルセグメントを取り囲む連続的なコイルを更に含む、磁気感知デバイス。 - 請求項14に記載の磁気感知デバイスであって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが共に直列に電気的に結合される、磁気感知デバイス。 - 集積フラックスゲート装置であって、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に搭載される第1の集積フラックスゲートダイであって、
第1の半導体基板と、
前記第1の半導体基板上に形成される第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板に対して平行に方向付けられる第1の磁気コアと、
を含む、前記第1の集積フラックスゲートダイと、
前記パッケージ基板上に搭載される第2の集積フラックスゲートダイであって、
第2の半導体基板と、
前記第2の半導体基板上に形成される第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成され、前記パッケージ基板に対して直角に方向付けられる複数のセグメント化された磁気コアと、
を含む、前記第2の集積フラックスゲートダイと、
を含む、集積フラックスゲート装置。 - 請求項23に記載の集積フラックスゲート装置であって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、電磁気結合が確立されるときに集合磁気コアとして機能する、集積フラックスゲート装置。 - 請求項23に記載の集積フラックスゲート装置であって、
前記第2の集積フラックスゲートダイが、前記複数のセグメント化された磁気コアの各々のコイルセグメントを取り囲む連続的なコイルを更に含む、集積フラックスゲート装置。 - 請求項23に記載の集積フラックスゲート装置であって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが共に直列に電気的に結合される、集積フラックスゲート装置。 - 磁気感知装置であって、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板に搭載される第1のダイであって、
第1の集積回路と、
前記第1の集積回路の上に形成される第1の磁気コアであって、前記パッケージ基板に対して平行な感知軸を有する、前記第1の磁気コアと、
を含む、前記第1のダイと、
前記パッケージ基板に搭載される第2のダイであって、
第2の集積回路と、
前記第2の集積回路の上に形成される複数のセグメント化された磁気コアであって、前記パッケージ基板に対して直角な感知軸を有する、前記複数のセグメント化された磁気コアと、
を含む、前記第2のダイと、
を含む、磁気感知装置。 - 請求項27に記載の磁気感知装置であって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが、電磁気結合が確立されるときに集合磁気コアとして機能する、磁気感知装置。 - 請求項27に記載の磁気感知装置であって、
前記第2のダイが、前記複数のセグメント化された磁気コアの各々のコイルセグメントを取り囲む連続的なコイルを含む、磁気感知装置。 - 請求項27に記載の磁気感知装置であって、
前記複数のセグメント化された磁気コアが共に直列に電気的に結合される、磁気感知装置。
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