TW201508301A

TW201508301A - 電橋及具有電橋的磁性感測器組件

Info

Publication number: TW201508301A
Application number: TW103131833A
Authority: TW
Inventors: Nai-Chung Fu; Wei-Ren Su; Jenn-Yu Lin
Original assignee: Voltafield Technology Corp
Priority date: 2014-09-16
Filing date: 2014-09-16
Publication date: 2015-03-01
Also published as: CN105571618A

Abstract

一種電橋具有四個電阻臂，其中該四個電阻臂中之一第一電阻臂之一主要部件的構成材料為磁性材料且該四個電阻臂中之一第三電阻臂之一主要部件的構成材料係不同於該磁性材料。

Description

電橋及具有電橋的磁性感測器組件

本發明係關於電橋及具有電橋的磁性感測器組件，尤其是包含具有不同材料所構成之電阻臂的電橋及具有此電橋的磁性感測器組件。

磁感測器可感測外部磁場的變化。磁感測器可用以偵測旋轉、角度、開/關狀態、位置、物件的存在與否、物件的遠近等。目前有許多類型的技術被應用於磁感測器如霍爾(Hall)感測器、磁阻感測器、磁感應感測器、質子進動裝置、光學泵等。以磁阻技術作為實例，根據所用之磁阻材料的不同，依照作動的原理及敏感度可將磁感測器分類為異向性磁阻(AMR)感測器、巨磁阻(GMR)感測器及穿隧式磁阻(MTJ)感測器。

許多此類磁阻感測器常會受到溫度變化的影響，因此多被設計成惠斯登電橋的配置，增加靈敏度並消除與溫度相依之非所欲電阻變化所造成的影響。

圖1顯示傳統的磁阻感測器組件，其包含藉著裝封製程如打線接合封裝、覆晶封裝等電連接的第一晶片100(或稱為第一晶粒100)與第二晶片200(或稱為第二晶粒200)。第一晶片100主要具有由磁阻元件所配置成的惠斯登電橋，電橋包含MR1、MR2、MR3與MR4四個電阻臂及電阻臂之間的內連線。電阻臂MR1與MR2係以串聯方式連接在一起構成一串聯電阻，電阻臂MR3與MR4係以串聯方式連接在一起構成另一串聯電阻；兩串聯電阻係位於操作電位Vcc與接地電位之間以並聯方式連接，電阻臂MR1與MR2之間的電位為V+且電耦合至特殊應用積體電路之第一級的操作放大器210的一輸入端，電阻臂MR3與MR4之間的電位為V-且電耦合至特殊應用積體電路之第一級的操作放大器210的另一輸入端；當MR1、MR2、MR3與MR4四個電阻臂的電阻值相同且電橋係處於平衡(balanced)狀態時，電位V+會等於電位V-。下面會參考圖1A詳細說明電阻臂的細節。第二晶片200主要具有針對磁阻感測器之功能所客製化的特殊應用積體電路，其可包含與電橋連接之第一級的操作放大器210、信號供應源、信號讀取電路等；為了簡化圖示，只繪示出與電橋連接之第一級的操作放大器210，並將其餘的上述及其他電路以方塊220表示之。

在傳統之由磁阻元件所配置成的惠斯登電橋(全橋)中，當未加外加磁場時，四個電阻臂為電阻值實質上相同且結構實質上相同的四個磁組元件。此處所指之電阻值”實質上相同”係指在設計時希望其完全相同，但礙於製程的變異可能會導致電阻值有些微的差異。後續會再說明所謂的”結構實質上相同”。

現參考圖1A，其係以異向性磁阻(AMR)感測器為例顯示圖1中之電阻臂MR2的概略結構上視圖。圖1A中之電阻臂MR2包含多個磁阻單元110及串接多個磁阻單元110的內連線104。每個磁阻單元110包含一磁阻材料條101及位於磁阻材料條101之上方或下方並與其實體接觸的多個導電條102。以異向性磁阻(AMR)感測器為例，磁阻材料條101例如是由長條形的坡莫合金(permalloy)所構成，導電條102例如是由長條形的金屬氮化物如氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢等所構成。導電條102又被稱為螺旋杆(barber pole)，其功能在於增加磁阻單元的感測敏感度，且其長度延伸方向與磁阻材料條101的長度延伸方向夾一角度如45度角。電阻臂MR2的一端係藉由內連線105電連接至MR1而另一端係藉由連接結構電連接至接地電位。在此處，內連線105係指半導體後段製程(Back end of line, BEOL)所製造出的金屬導線與金屬插塞等(不論是圖案化鋁金屬所製成或單鑲嵌鎢製程所製成或雙鑲嵌銅製程所製成)，連接結構則可能包含半導體後段製程所製造出的金屬導線與金屬插塞等且更包含晶片最上層的銲墊及/或封裝元件如打線球、錫球、凸塊、導電膠等。應注意，雖然未繪示MR1、MR3及MR4的詳細結構，但MR1、MR3及MR4的結構係實質上與MR2的結構相同，皆為多個磁阻單元及串接多個磁阻單元的內連線所構成；然而不同的是，在MR1、MR3及MR4中導電條相對於磁阻材料條的位向(orientation)即所夾角度可能不同，在本文中將此些MR1、MR2、MR3及MR4的結構定義為”實質上相同”。雖然在圖1A中只顯示了9個磁阻單元，但應瞭解，在真實的異向性磁阻感測器中一個電阻臂可能會使用更多的磁阻單元。

由圖1A中所示的電阻臂結構可知，傳統的磁阻感測器為了達到夠大(或特定)的電阻以符合操作時的電流/電壓需求及訊號需求，必須要串連許多的磁阻單元。由於每一磁阻單元都會佔據一定的晶片面積且磁阻單元與磁阻單元之間也必須要保留一定的距離(可能是製程要求或設計要求)，所以每一電阻臂所用的磁組單元愈多則晶片(晶粒)的面積愈大。由於磁阻感測器組件包含了電橋晶片(晶粒)及特殊應用積體電路晶片(晶粒)，大面積的電橋晶片會撐大兩晶片封裝後所獲得之磁阻感測器組件的面積，對於日益普及的行動裝置及消費電子應用而言，此等感測器組件並不符合輕薄短小的驅勢。因此，業界需要一種具有較小晶粒佔據面積的感測器組件。

本發明之目的在於提供一種電橋及磁性感測器組件，其能提供與傳統組件相同的感測與電路功能及效能，並能大幅縮減封裝後的組件面積。

本發明提供一種具有四個電阻臂的電橋，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂之一主要部件的一第一構成材料為磁性材料且該四個電阻臂中的一第三電阻臂之一主要部件的一第三構成材料係不同於該磁性材料。

本發明更提供一種具有四個電阻臂的電橋，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂係設置於一第一晶片中且該四個電阻臂中的一第三電阻臂係設置於一第二晶片中。

本發明更提供一種磁性感測器組件，此組件包含具有四個電阻臂的電橋，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂之一主要部件的一第一構成材料為磁性材料且該四個電阻臂中的一第三電阻臂之一主要部件的一第三構成材料係不同於該磁性材料。

100‧‧‧第一晶片

200‧‧‧第二晶片

210‧‧‧操作放大器

220‧‧‧特殊應用積體電路

101‧‧‧磁性材料條

102‧‧‧導電條

103‧‧‧連接結構

104‧‧‧內連線

105‧‧‧內連線

110‧‧‧磁性單元

1000‧‧‧第一晶片

1001‧‧‧基板

1050‧‧‧導線結構

1051‧‧‧內連線

1060‧‧‧銲墊

1500‧‧‧凸塊

2000‧‧‧第二晶片

2001‧‧‧基板

2010‧‧‧操作放大器

2020‧‧‧特殊應用積體電路

2030‧‧‧絕緣結構

2040‧‧‧層間介電層

2041‧‧‧矽化物

2050‧‧‧導線結構

2051‧‧‧內連線

2052‧‧‧內連線

2060‧‧‧銲墊

2065‧‧‧銲墊

2070‧‧‧打線球

3000‧‧‧單一晶片

3001‧‧‧基板

3010‧‧‧操作放大器

3020‧‧‧特殊應用積體電路

3030‧‧‧絕緣結構

3040‧‧‧層間介電層

3050‧‧‧導線結構

3050’‧‧‧導線結構

3051‧‧‧內連線

3051’‧‧‧內連線

3052‧‧‧內連線

3060‧‧‧銲墊

3070‧‧‧打線球

MR1‧‧‧電阻臂

MR2‧‧‧電阻臂

R3‧‧‧電阻臂

R4‧‧‧電阻臂

T‧‧‧電晶體

圖1顯示傳統之磁性感測器組件的方塊圖。

圖1A以異向性磁阻感測器為例顯示圖1中之電阻臂MR2的概略結構上視圖。

圖2顯示根據本發明第一實施例之磁性感測器組件的方塊圖。

圖2A顯示根據本發明第一實施例之磁性感測器組件之一實例的概略橫剖面圖。

圖3顯示根據本發明第二實施例之磁性感測器組件的方塊圖。

圖3A顯示根據本發明第二實施例之磁性感測器組件之一實例的概略橫剖面圖。

下面將詳細地說明本發明的較佳實施例，舉凡本中所述的元件、元件子部、結構、材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例，此些實施例當屬本發明之範疇。

本發明的實施例及圖示眾多，為了避免混淆，類似的元件係以相同或相似的標號示之；為避免畫面過度複雜及混亂，重覆的元件僅標示一處，他處則以此類推。

在本申請書的文義下，「磁阻單元(xMR unit)」一詞不限於異向性磁阻(AMR)單元，更可包含所有已知的磁阻單元如巨磁阻(GMR)單元、穿隧式磁阻(MTJ)單元、超巨磁阻(CMR, colossal magnetoresistive)單元、異常磁阻(EMR, extraordinary magnetoresistive)單元等。由於感應機制之不同，不同的磁阻單元可能會由不同材料所構成且材料可能會有不同的結構如材料的單層、多層、位向等，本發明的「磁阻單元」意在包含所有此類具有不同材料及/或不同結構的磁阻單元。

請參考圖2，圖2顯示根據本發明第一實施例之磁性感測器組件的方塊圖。以電路功能的角度來看，圖2之磁性感測器組件係類似於圖1之磁性感測器組件，包含一惠斯登電橋及針對磁性感測器之功能所客製化的特殊應用積體電路。以封裝結構來看，磁性感測器組件包含藉著裝封製程如打線接合封裝、覆晶封裝等電連接的第一晶片1000(或稱為第一晶粒1000)與第二晶片2000(或稱為第二晶粒2000)。第一晶片1000主要具有由磁阻單元所配置成的半個惠斯登電橋，這半個電橋包含以串聯方式連接在一起的MR1與MR2兩個電阻臂及電阻臂之間的內連線。第二晶片2000主要具有非由磁阻單元所配置成的另外半個惠斯登電橋及針對磁性感測器之功能所客製化的特殊應用積體電路2020，這另外半個電橋包含以串聯方式連接在一起的R3與R4兩個電阻臂，而晶片2000中的特殊應用積體電路2020係與圖1中的特殊應用積體電路220具有相同的功能故不再贅述。R3與R4係非由磁阻單元所配置成的兩個電阻器，用以取代圖1中由磁阻元件所配置成的兩個電阻臂MR3與MR4，故圖2中MR1、MR2、R3、R4與操作放大器2010之間的連接關係係與圖1中MR1、MR2、MR3、MR4與操作放大器210之間的電連接關係相同故不再贅述。在此第一實施例中，MR1、MR2、R3與R4四個電阻臂的電阻值可以相同或者不同，較佳地MR1與MR2具有相同的第一電阻值而R3與R4具有相同的第二電阻值但第一電阻值不等於第二電阻值，或更較佳地MR1、MR2、R3與R4具有相同的第三電阻值。又，可將電阻臂R4選擇性地配置為一可變電阻器(如圖2中所示)，以補償電橋的偏差。以下將配合圖2A說明其優點。

在傳統的磁組感測器組件中，由於主要由磁阻元件(許多串聯之磁阻單元)所構成的電橋極佔晶片(晶粒)面積，在實務應用上為了維持磁阻元件之感測特性，這些磁阻元件很難利用製程微縮技術讓體積變小，相對地特殊應用積體電路所需的晶片(晶粒)面積卻可以透過製程微縮技術微小化，以致於組件的大小最終將取決於電橋晶片(晶粒)的大小。在傳統的組件中，若以包含四個電阻臂的電橋晶片(晶粒)100為例，電橋晶片100的大小至少為四個電阻臂的大小；然而，在本發明的第一實施例中電橋晶片(晶粒)1000只包含了兩個電阻臂而另外兩個電阻臂係設置於特殊應用積體電路晶片(晶粒)2000中，故電橋晶片1000的大小至少為兩個電阻臂的大小且特殊應用積體電路晶片2000的大小也至少為兩個電阻臂的大小，晶片1000與晶片2000堆疊起來的面積會明顯地小於傳統晶片100與晶片200堆疊起來的面積。

請參考圖2A，圖2A顯示圖2之磁性感測器組件之一實例的概略橫剖面圖，其中R3與R4係由非磁阻單元所構成。在此實例中晶片1000與晶片2000係以覆晶方式封裝在一起。例如，可如圖2A中所示，晶片1000略小於晶片2000，利用複數凸塊1500將晶片1000之複數銲墊1060與晶片2000之複數銲墊2060耦合在一起，再由晶片2000預留之焊墊2065藉由例如打線球2070與外部之電路板電性連接。在實務上晶片1000與晶片2000亦可採傳統之打線方式電性連接(圖中未顯示)。在此實例中，晶片1000包含：一基板1001如玻璃基板、複合物基板、矽基板、矽鍺基板或絕緣層上覆矽基板；電阻臂MR1及MR2(圖2A中只顯示其中一者作為代表)，位於基板1001上(雖然圖未繪示，但電阻臂主要由上述的磁阻單元(參考圖1-1A之說明)所構成，其與基板之間可配置絕緣材料)與絕緣層(未標示)中；由後段製程所製作的導線結構1050，位於電阻臂MR1及MR2上，包含所有的金屬間介電層、鋁或鎢或銅之金屬內連線如將電阻臂MR1或MR2電連接至銲墊1060的內連線1051；銲墊1060，位於導線結構1050上，可選擇性地被具有開口的保護層(未繪示)所覆蓋，用以與另一晶片或另一封裝結構如凸塊1500或錫球等電連接。在實務上，亦可於電阻臂MR1及MR2形成之前，便於基板1001與電阻臂MR1及MR2之間形成介電層並在介電層中形成部分的導線結構，待電阻臂MR1及MR2完成後再以較少的導線結構將電阻臂MR1及MR2電連接至銲墊1060。

在圖2A的實例中，晶片2000包含：一基板2001如矽基板、矽鍺基板或絕緣層上覆矽基板；絕緣結構2030，位於基板2001中且用以使電阻臂R3或R4與基板和其他元件絕緣；一層間介電層2040，其包含例如二氧化矽、摻雜硼及/或磷之玻璃、無摻雜玻璃、氮化矽、或上述者之任意組合；電晶體T，部分位於層間介電層2040中且部分位於基板2001中(未繪示)且代表構成特殊應用積體電路2200之眾多P型及N型電晶體，電晶體T之閘電極上可形成矽化物2041降低接觸電阻並形成歐姆接觸；電阻臂R3及R4(圖2A中只顯示其中一者作為代表)，位於絕緣結構2030上與層間介電層2040中，由電晶體T之閘電極的矽層所構成，可包含摻雜多晶矽、無摻雜多晶矽、單晶矽、非晶矽中的一或多者，在電阻臂R3或R4的兩端點處(圖2A只例示性地顯示一端)可設置矽化物2041降低接觸電阻並形成歐姆接觸；由後段製程所製作的導電結構2050，位於層間介電層2040上，包含所有的金屬間介電層、鋁或鎢或銅之金屬內連線如將電晶體電連接至銲墊2060的內連線2051及將電阻臂R3或R4電連接至銲墊2060的內連線2052、選擇性存在的電容或電感結構等；銲墊2060，位於導線結構2050上，可選擇性地被具有開口的保護層(未繪示)所覆蓋，用以與另一晶片或另一封裝結構如凸塊1500或錫球等電連接。應瞭解，在半導體積體電路製程中尚有許多的材料如金屬內連線之阻障材料如金屬氮化物TiN、TaN、WN、RuN等可用以作為電阻臂R3或R4之主要部件的構成材料，本發明之範疇包含所有此類材料。

在圖2A的實例中，以異向性磁性感測器組件為例說明時，電阻臂R3及R4之主要部件(不包含矽化物之電阻部分)的構成材料為摻雜多晶矽、無摻雜多晶矽、單晶矽及/或非晶矽而電阻臂MR1及MR2係由異向性磁阻單元所構成，異向性磁阻單元之主要部件(見圖1A)為磁性材料條101。由於磁性材料條101之異向性磁阻材料坡莫合金的電阻率(約略為數個10^-7 Ω‧m的數量級)遠小於矽材的電阻率(視其摻雜與否，約略介於數個10⁴ 至數個10^-3 Ω‧m之間)，故欲形成相同之電阻值時，電阻臂MR1及MR2所佔的面積會遠大於電阻臂R3及R4所佔的面積。應瞭解，本發明之磁性感測器組件可以是巨磁阻感測器組件、穿隧式磁阻感測器組件等，因此磁阻單元之主要部件的構成材料可以是鐵磁材料(ferromagnet)、反鐵磁材料(antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料(tunneling oxide)之一或其組合。

請參考圖3，圖3顯示根據本發明第二實施例之磁性感測器組件的方塊圖，其中R3與R4係由非磁阻單元所構成。由於在此實施例中電阻臂MR1 MR2、R3與R4的功能、特殊應用積體電路3020的功能以及兩者之間的電連接關係(如圖2中所示)係類似於第一實施例，在此便不再贅述。此實施例與第一實施例的差異點在於，本實施例中的整個電橋(包含電阻臂MR1、MR2、R3與R4)及與其搭配的特殊應用積體電路3020(包含與電橋電耦合之第一級操作放大器3010)皆設置於單一晶片3000。

請參考圖3A，圖3A顯示圖3之磁性感測器組件之一實例的概略橫剖面圖，其中R3與R4係由非磁阻單元所構成。圖3A中的特殊應用積體電路3020係類似於圖2A中的特殊應用積體電路2020：基板3001與基板2001相同；絕緣結構3030與絕緣結構2030相同；層間介電層3040與層間介電層2040相同；電晶體T與圖2A中的電晶體T相同；電阻臂R3及R4與圖2A中的電阻臂R3及R4相同；由後段製程所製作的導電結構3050與圖2A中的導電結構2050相似，位於層間介電層3040上，包含部分的金屬間介電層、鋁或鎢或銅之金屬內連線如將電晶體電連接至更上層的內連線3051及將電阻臂R3或R4電連接至MR1或MR2的內連線3052、選擇性存在的電容或電感結構等。在特殊應用積體電路3020上更形成：由後段製程所製作之導線結構3050’，其可包含金屬間介電層、鋁或鎢或銅之金屬內連線如將電晶體(內連線3051)電連接至銲墊3060的內連線3051’、將電阻臂MR1或MR2連接至電阻臂R3或R4(內連線3052)的3052’及將電阻臂MR1或MR2電連接至銲墊3060的內連線(未顯示)等；電阻臂MR1及MR2(圖3A中只顯示其中一者作為代表，雖然未顯示其細節，但電阻臂主要由參考圖1-1A所述的磁阻單元所構成)，位於導線結構3050’中；銲墊3060，位於導線結構3050’上，可選擇性地被具有開口的保護層(未繪示)所覆蓋，用以與另一晶片或另一封裝結構如打線球3070或凸塊等電連接。在本發明之一實施例中，大部分或全部的導線結構如內連線等係於電阻臂MR1及MR2之前完成，故導線結構及其製程不會受到電阻臂MR1及MR2的材料及/或製程污染且電阻臂MR1及MR2的效能也不會因為導線結構的製程高溫而劣化。本結構亦方便於導入晶片級封裝(Wafer Level CSP) 技術，進一步降低製造成本。

在圖3-3A所示的第二實施例中，由於電阻臂R3與R4可以設置在電阻臂MR1與MR2的下方且電阻臂R3與R4的面積總和遠小於電阻臂MR1與MR2的面積總和(理由係與第一實施例所討論到的電阻率相同)，故晶片3000的面積可縮減為圖1所示之晶片100之面積的一半。

又，在磁性感測器組件中常需要設置設定/重設定電路及/或補償電路，一般而言，這兩種電路常具有線圈的佈局圖案，很佔面積。在本發明中(無論是在第一實施例或第二實施例中)，由於電阻臂R3與R4和電阻臂MR1與MR2係以上下交疊的方式設置，故可將電阻臂R3與R4和電阻臂MR1與MR2分別設置在設定/重設定電路及/或補償電路的兩側而簡化設定/重設定電路及/或補償電路的佈局圖案，減少兩種電路所佔的面積。是以，設定/重設定電路及/或補償電路可具有非線圈佈局圖案。例如，在第一實施例中，設定/重設定電路及/或補償電路可與特殊應用積體電路設置在同一顆晶片中。又例如，在第二實施例中，設定/重設定電路及/或補償電路可設置在導線結構3050或3050’中。又例如，設定/重設定電路及補償電路可設置在RDL或封裝結構中或設置於不同的晶片中。

除此節省面積外，本發明亦能達到低功率消耗；茲以圖1之先前技術(假設MR1、MR2、MR3與MR4皆相同)與圖2之第二實施例(假設MR1與MR2與圖1之MR1與MR2相同)的條件1與條件2為例，參考下面的表1說明之。

表1：

如參考圖2-2A所討論的，由於相較於構成MR1與MR2的磁阻材料，構成R3與R4的矽材具有遠遠較高的電阻率，故即便大幅提昇R3與R4的電阻值也不會影響到兩晶片堆疊後的面積。又，大幅提昇了R3與R4的電阻值後，可降低Vcc處的電流I，減少功率消耗。

本發明之實施例提供一種惠斯登電橋及包含此種惠斯登電橋的磁性感測器組件。本發明之組件能提供與傳統組件相同的感測與電路功能及效能，並能大幅縮減封裝後的組件面積。由於本發明之組件與傳統組件具有相同的全橋電路組態，故能消除與溫度相依之非所欲電阻變化所造成的影響。又，雖然在圖2-2A與3-3A中皆只有畫出一組電橋(一維感測)，但應瞭解，本發明之原理可分別應用至兩組電橋(二維感測如X軸與Y軸感測)的每一組或其中一組及三組電橋(三維感測如X軸、Y軸與Z軸感測)的每一組或其中一組。又，雖然在圖示中MR1與MR2係耦合至操作放大器之V+而R3與R4係耦合至操作放大器之V-，但其連接方式可相反。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

1000‧‧‧第一晶片

2000‧‧‧第二晶片

2010‧‧‧操作放大器

2020‧‧‧特殊應用積體電路

MR1‧‧‧磁阻元件

MR2‧‧‧磁阻元件

R3‧‧‧電阻器

R4‧‧‧電阻器

Claims

【第1項】

一種電橋，包含：
四個電阻臂，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂之一主要部件的一第一構成材料為磁性材料且該四個電阻臂中的一第三電阻臂之一主要部件的一第三構成材料係不同於該磁性材料。
【第2項】

如申請專利範圍第1項之不對稱電橋，其中該第一構成材料為異向性磁阻(AMR)材料、鐵磁材料(ferromagnet)、反鐵磁材料(antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料(tunneling oxide)之一或其組合。
【第3項】

如申請專利範圍第1項之電橋，其中該第三構成材料為矽材。
【第4項】

如申請專利範圍第1項之電橋，其中該第三構成材料為金屬氮化物。
【第5項】

如申請專利範圍第1項之電橋，其中該第一電阻臂與該第三電阻臂係位於相同晶片中。
【第6項】

如申請專利範圍第1項之電橋，其中該第一電阻臂與該第三電阻臂係位於不同晶片中。
【第7項】

如申請專利範圍第6項之電橋，其中該第三電阻臂係與一特殊應用積體電路位於相同晶片中且該特殊應用積體電路係與該電橋搭配使用。
【第8項】

一種電橋，包含：
四個電阻臂，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂係設置於一第一晶片中且該四個電阻臂中的一第三電阻臂係設置於一第二晶片中。
【第9項】

如申請專利範圍第8項之電橋，其中該第一電阻臂之一主要部件的一第一構成材料為磁性材料，且該第三電阻臂之一主要部件的一第三構成材料係不同於該磁性材料。
【第10項】

如申請專利範圍第8項之電橋，其中該第一構成材料為異向性磁阻(AMR)材料、鐵磁材料(ferromagnet)、反鐵磁材料(antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料(tunneling oxide)之一或其組合。
【第11項】

如申請專利範圍第8項之電橋，其中該第三構成材料為矽材。
【第12項】

如申請專利範圍第8項之電橋，其中該第二晶片更包含一特殊應用積體電路。
【第13項】

一種磁性感測器組件，包含：
一電橋，此電橋包含：
四個電阻臂，其中該四個電阻臂中的一第一電阻臂之一主要部件的構成材料為磁性材料且該四個電阻臂中的一第三電阻臂之一主要部件的構成材料係不同於該磁性材料；及
一特殊應用積體電路，係與該電橋電性耦合。
【第14項】

如申請專利範圍第13項之磁性感測器組件，其中該第一構成材料為異向性磁阻(AMR)材料、鐵磁材料(ferromagnet)、反鐵磁材料(antiferromagnet)、非鐵磁性金屬材料、穿隧氧化物材料(tunneling oxide)之一或其組合。
【第15項】

如申請專利範圍第13項之磁性感測器組件，其中該第三構成材料為矽材。
【第16項】

如申請專利範圍第13項之磁性感測器組件，其中該第一電阻臂與該第三電阻臂係位於相同晶片中。
【第17項】

如申請專利範圍第13項之磁性感測器組件，其中該第一電阻臂與該第三電阻臂係位於不同晶片中。
【第18項】

如申請專利範圍第13項之磁性感測器組件，其中該第三電阻臂係與該特殊應用積體電路位於相同晶片中。
【第19項】

如申請專利範圍第18項之磁性感測器組件，其中該晶片更包含具有非為線圈形狀的一設定/重設定電路。
【第20項】

如申請專利範圍第18之磁性感測器組件，其中該晶片更包含具有非為線圈形狀的補償電路。