JP2009145319A - 両面統合処理及び感知チップ - Google Patents
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Abstract
【課題】単一チップの一方側面上に統合信号処理回路と、他方側面上に磁気センサ素子とを有する高密度統合処理及び感知チップを提供する。
【解決手段】統合処理及び感知ウェハー100は、基板層106の第一の表面104に近接して配置された信号処理回路又は信号処理層102と、基板層106の反対の表面110上に配置された磁気感知素子108とを有する。信号処理回路102及び磁気感知素子108は、金属層112及びバイア116を通じて電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】統合処理及び感知ウェハー100は、基板層106の第一の表面104に近接して配置された信号処理回路又は信号処理層102と、基板層106の反対の表面110上に配置された磁気感知素子108とを有する。信号処理回路102及び磁気感知素子108は、金属層112及びバイア116を通じて電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
半導体デバイスとも呼ばれる従来の統合処理チップは、一般に、チップの片面に配置された信号処理回路で製造される。最近、信号処理回路は、チップの両面を用いて形成されており、ウェーハ貫通バイア及び裏面相互接続が一方のデバイス又は回路素子から他方への電気的通信を提供する。一部の統合処理チップでは、ウェーハの表側面に感知素子と制御回路とを統合して作製することが開始されている。他の統合処理チップでは、感知素子と信号処理回路とがチップの同じ面上で互いに隣接して配置されている点で、より分離されている。
本発明は、単一チップの一方側面上に統合信号処理回路と他方側面上に磁気センサ素子とを有する高密度統合処理及び感知チップを提供する。1つの実施形態では、統合信号処理回路及び磁気センサは、バイア又は金属トレース素子或いはパッケージ組立体を通って互いに電気的に接続される。
本発明の1つの態様において、統合チップは、基板と、基板の第1の側面上に支持可能に配置された信号処理制御回路と、基板の反対側面上に支持可能に位置付けられた磁気センサ素子とを含む。
本発明の別の態様において、両面統合チップを製造するための方法は、基板の第1の表面上に信号処理制御回路を配置する段階と、基板の反対表面上に磁気センサ素子を配置する段階と、信号処理制御回路を磁気センサ素子と電気的に接続する段階とを含む。
本発明の更に別の態様において、両面統合チップを製造するための方法は、第1のウェーハ上に信号処理制御回路を配置する段階と、第2のウェーハ上に磁気センサ素子を配置する段階と、第1及び第2のウェーハを基板に取り付け、信号処理制御回路が磁気センサ素子とは反対側の基板上に位置付けられようにする段階と、を含む。
本発明の好ましい実施形態及び代替の実施形態が添付図面を参照しながら以下で詳細に説明される。
少なくとも1つの実施形態は、一般に、既知の半導体製造技術を用いてサイズ及び重量の点でできる限り小さくされる統合処理及び感知チップに関する。多くの磁気センサ応用では、単一基板上に統合された小型の磁気感知素子及び信号処理回路を必要とする。基板は、シリコン又はガリウムヒ素、ゲルマニウム、又はリン化インジウム、その他などの等化半導体材料とすることができる。
好ましい実施形態では、統合処理及び感知チップは、高密度の多機能チップであり、基板の片面に磁気センサと基板の反対の面に制御回路とを支持するシリコン基板構造を有する。基板の両面に磁気センサ素子と制御回路とを備えたチップを形成することにより、有利には、チップ全体のサイズが縮小されると共に、チップ全体の機能性の向上が達成される。例えば、出願人は、基板の片面に制御回路と他方の面に磁気センサ素子とを配置することで、チップ全体のサイズが約50%低減できることが本発明の開発中に見いだした。加えて、チップの両面に接続部を形成することによっても、チップ全体のサイズを縮小することの一助とすることができる。統合処理及び感知チップは、処理機能及び感知機能の両方の統合を簡単にし、チップの前面及び裏面が工場の別の区画又は異なる工場ででも製造することができるので、チップの製造時の柔軟性をより高めることを可能にする。その結果、統合処理及び感知チップは、製造、機能性、サイズ、重量、及び経済上の利点を提供することができる。
図1は、本発明の1つの実施形態に従って、基板層106の第1の表面104に近接して配置された信号処理回路又は信号処理層102と、基板層106の反対側の表面110上に配置された磁気感知素子108とを有する統合処理及び感知ウェーハ100の概略断面図を示している。1つの実施形態において、信号処理回路102及び磁気感知素子108は、金属層(112)及びバイア(116)を通じて互いに電気的に接続されている。
図示の実施形態では、信号処理回路102は、第1のオプション層103上に位置付けられ、該第1のオプション層は、基板層106の第1の表面104に隣接して配置されたシリコン層とすることができる。加えて、二酸化ケイ素で作ることができる誘電層112は、信号処理回路102の保護を助け、該信号処理回路102の外部表面114上に少なくとも部分的に配置される。他方、磁気センサ素子108は、基板層106の反対側面110に当接する。層107は、二酸化ケイ素で作ることができる別の誘電層であり、磁気センサ素子108を保護するのを助ける。層107は、基板層106の反対側面110に隣接して配置される。
1つの実施形態において、バイア116は、基板層106を貫通して形成される。アルミニウム合金又は他の導電素子などの金属トレース要素118は、バイア116に隣接して設けられ、回路相互接続層120とセンサ相互接続層122との間の電気通信路を提供する。回路相互接続層120は、回路保護層112を通って延びる中間にある回路接続要素124を用いてトレース要素118に結合することができる。センサ相互接続層122は、該センサ相互接続層122の大半が誘電層107に当接し且つ他の部分126が磁気センサ素子108と直接接触した状態にあるように配置される。
統合処理及び感知ウェーハ100は更に、回路相互接続層120上に配置された第1のスクラッチ傷保護層128と、センサ相互接続層122上に配置された第2のスクラッチ傷保護層130とを含む。スクラッチ傷保護層は、窒化ケイ素又は他の類似の耐スクラッチ性材料とすることができる。加えて、開口132が、ワイヤボンディング又は半田バンプ接続部用に少なくとも第1のスクラッチ傷保護層128にエッチング処理され、第2のスクラッチ傷保護層130内に同様の開口をエッチング処理又は形成してもよい点は理解されるであろう。
例として、ウェーハ100形成に関する幾つかの教示がある。1つの実施形態において、信号処理回路102及び磁気センサ素子108は別個に製造され、次いでその後に、組み合わされてウェーハ100を完成する。例として、信号処理回路102は、第1の層として製造することができ、1又はそれ以上の小型磁気センサ素子を含むことができる磁気センサ素子108は、第2の層として製造することができる。層102と103、及び107と108から構成される組立体は、例えば、接着層又はスピンオングラス層を用いて基板層106にボンディングすることができる。この技術を用いると、信号処理回路102と磁気センサ素子108との間の電気接続部は、外部導電性フレーム(図示せず)に結合されるワイヤボンディング又は半田バンプ接続部を用いて提供することができる。
別の実施形態として、信号処理回路102及び磁気センサ素子108は、単一ユニットとして製造される。この実施形態において、信号処理回路102と磁気センサ素子108との間の電気接続部は、上述のようにバイア116及び金属トレース要素118を提供することができる。
図2は、本発明の別の実施形態に従って、基板層206の第1の表面204に近接して配置された信号処理回路又は信号処理層202と、基板層206の反対側の表面210上に配置された磁気感知素子又は磁気感知層208とを有する統合処理及び感知ウェーハ200の概略断面図を示している。回路相互接続層220は、第1の相互接続層212上に配置され、信号処理回路202と電気的接続を形成する金属充填バイア224を含むことができる。加えて、第1のスクラッチ傷保護層228が、回路相互接続層220上に配置される。第2のスクラッチ傷保護層230が、磁気感知素子208の上で且つ基板層206に隣接して配置される。開口232は、以下で説明するワイヤ接続用に少なくとも第1のスクラッチ傷保護層228に設けられる。
本実施形態200と上述の実施形態100との間の主な差違は、本実施形態200があらゆるバイア(図1)を含まない点である。代わりに、センサ相互接続バンプ240は、磁気感知素子208との直接接触部から第2のスクラッチ傷保護層230を通って延びる。例として、磁気センサ素子108と信号処理層202との間の電気接続は、ワイヤを種々のバンプ位置及び接続要素に配線するためのセンサ相互接続システム108を用いて達成することができる。
図3は、回路層220とセンサ相互接続バンプ240との間の電気接続性がパッケージ242内の統合処理及び感知ウェーハ200を取り付けることによって提供されることを示している。パッケージ242は、信号処理層202(図2)と磁気感知素子層208(図2)との間の電気接続を確立するためのパッケージ導電体又は金属トレース246、248を含む。ワイヤ250は、パッケージ導電体248と回路相互接続層220(図2)との間に電気導電体経路を設けることによって電気接続を完成する。ワイヤ250は、回路相互接続層220(図2)にボンディングされ、第1のスクラッチ傷保護層228(図2)でエッチング処理された開口232(図2)から延びる。
磁気センサ素子108、208は、Hall、異方性磁気抵抗(AMR)、巨大磁気抵抗(GMR)、及び巨大磁気インピーダンス(GMI)など、一般に集積回路製造と適合性の良い薄膜技術である既知の技術を用いて形成することができる。
本発明の好ましい実施形態を図示し説明してきたが、上述のように、本発明の制振及び範囲から逸脱することなく多くの変更を行うことができる。従って、本発明の範囲は、好ましい実施形態の開示により限定されるものでない。代わりに、本発明は、添付の請求項を参照することにより明らかになるであろう。
100 統合処理及び感知ウェーハ
102 信号処理回路又は信号処理層
106 基板層
108 磁気感知素子
112 金属層
116 バイア
102 信号処理回路又は信号処理層
106 基板層
108 磁気感知素子
112 金属層
116 バイア
Claims (3)
- 基板と、
前記基板の第1の側面上に支持可能に配置された信号処理制御回路と、
前記基板の反対側面上に支持可能に位置付けられた磁気センサ素子と、
を備える統合チップ。 - 回路相互接続層上に配置され、電気導電素子を受けるように開口をエッチング処理したスクラッチ傷保護層を更に備える、
請求項1に記載の統合チップ。 - 両面統合チップを製造するための方法であって、
基板の第1の表面上に信号処理制御回路を配置する段階と、
前記基板の反対表面上に磁気センサ素子を配置する段階と、
前記信号処理制御回路を前記磁気センサ素子と電気的に接続する段階と、
を含む方法。
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