KR100676411B1 - 반도체 부품 및 이의 제조방법 - Google Patents

반도체 부품 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR100676411B1
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권순기
임현철
강대희
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Abstract

본 발명은 극소형이며 대량 생산에 적합한 X축, Y축, Z축 자기센서의 구현이 가능하도록 한 반도체 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 반도체 칩; 상기 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 리드 단자; 및 상기 리드 단자의 일부분 및 반도체 칩을 몰딩하고 상기 리드 단자의 나머지 부분을 노출시킨 몰딩부를 포함하는 반도체 부품으로서, 상기 몰딩부에는 단차부가 형성되어 상기 몰딩부의 적어도 일측에 제 1수직 외면과 수평 외면 및 제 2수직 외면이 형성되고, 상기 제 1수직 외면 및 제 2 수직 외면으로 상기 리드 단자가 각각 노출된 것이다.

Description

반도체 부품 및 이의 제조방법{Semiconductor component and manufacturing method of the semiconductor component}
도 1의 (a)는 종래 Z축 자기센서의 평면도,
도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 측면도,
도 2는 도 1의 Z축 자기센서를 Y축으로 세웠을 경우의 외관사시도,
도 3의 (a)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 정면도,
도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 평면도,
도 3의 (c)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 사시도,
도 4는 본 발명의 반도체 부품을 활용하여 구성시킨 2축 자기센서의 일예를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 반도체 부품을 활용하여 구성시킨 3축 자기센서의 일예를 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 제조방법을 설명하기 위한 플로우차트,
도 7 내지 도 11은 도 6의 플로우차트 설명에 채용되는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
30 : 다이 패드 32 : 자기센서 칩
34a, 34b, 34c, 34d : 리드 단자 36 : 와이어
38 : 단차부 40 : 몰딩부
41 : 제 1수직 외면 42 : 수평 외면
43 : 제 2수직 외면 50 : 인쇄회로기판
52, 54, 56 : 자기센서 60 : 리드 프레임
본 발명은 반도체 부품 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 극소형의 X축, Y축, Z축 자기센서의 구현이 가능하도록 한 반도체 부품 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, GPS(Global Positioning System) 수신기를 설치한 카 네비게이션 장치 및 네비게이션 기능을 갖는 휴대 단말기에는 주로 지자기를 검출(검지, 센싱, 감자(感磁), 감지)하는 소형의 자기 센서 또는 방위 센서가 장착되어 있다. 여기서, 자기란 특별히 언급하지 않는 한 자계(또는 자장)(H)와 자속 밀도(B)(진공의 투자율(μ)×자계(H))를 의미한다.
이들의 센서는 모두 제어용의 IC 또는 LSI 등과 같은 일체적으로 모듈화되어 있고 많은 종류의 것들이 판매되고 있다.
휴대 단말기는 높은 장소 및 다양한 경사 각도로 사용되기 때문에, 휴대 단말기 내부에 탑재되는 자기 센서는 3차원 방향으로부터의 자기 성분에 대응하게 된다. 통상, 자기 센서는 미약한 지자기의 검출 능력을 필요로 하는 반면에 마이크 및 스피커 등의 자석에 의해서 지자기 이외의 불필요한 자기도 검출하기 때문에 불필요한 자기를 차폐하는 기능이 설치되어 있다.
현재, 자계(H)를 비교적 일정한 감도로 검출할 수 있는 디바이스로서 홀센서 가 대표적이다. 홀센서는 도 1에 도시된 바와 같이, 다이 패드(12)상에 본딩되어 X, Y, Z축중에서 어느 한 축(도면에서는 Z축) 방향의 자계(H)를 검출하기 위한 홀센서 칩(10), 및 다수개의 리드 단자(14)를 구비하고서, 에폭시 등으로 몰딩된다. 도 1에서 참조부호 16은 EMC몰딩부를 나타낸다.
이와 같은 홀센서는 특정 방향의 자계(H)를 감지하는 감지의 지향성(감자 방향)을 갖고, 감자 방향의 자계(H)에 따른 크기의 미약 전압을 출력하는 특성을 갖는다.
그리고, 휴대 단말기내의 수평인 인쇄회로기판상에 도 1과 같은 홀센서의 자기 검출 축들이 상호 직교하도록 배치되면 2차원 방향의 자계(H)를 검출하게 된다. 그리고, 3개의 홀센서를 설치하게 되면 3차원 방향의 자계(H)를 검출할 수 있으며, 3차원 공간을 구성하는 X, Y, Z의 각 방향의 자계 성분을 계측할 수 있게 된다.
또한, 계측된 각 방향의 자계 성분은 자기 센서에 설치된 컨트롤러 IC에서 3방향의 자계 성분으로부터 자계(H)의 강도가 계산된다. 여기에서, 컨트롤러 IC는 홀센서로의 구동 전류의 인가와 홀 효과에 의해 생기는 미약 전압의 검출 및 그 미약 전압의 증폭 처리를 위해서 높은 정밀도가 요구된다. 또한, 3개의 홀센서 및 컨트롤러 IC 등을 근접시켜서 저소비 전력화 및 정밀도 유지를 위해서 홀센서와 컨트롤러 IC가 원칩화되도록 되어 있다. 또한, 자기 센서의 용도 및 제조 방법 등에 따라 칩은 여러 가지의 형상을 취하게 된다.
현재, 3축(X, Y, Z) 홀센서를 구현하고자 할 경우에는 3개의 홀센서를 사용 하게 되는데, 이렇게 사용되는 제품은 크기에 제한이 없는 용도에서 사용하게 된다. 즉, 홀센서 단품을 여러개 조합하여 3차원 홀센서를 제작하는 경우에 크기의 제한이 없다면 쉽게 구성할 수 있지만, 초소형화 및 대량생산을 추구하는 현 실정을 감안하여 보면 작업성이나 생산성의 문제가 발생된다.
다시 말해서, 3개의 홀센서를 조합하는 과정에서 가장 문제가 되는 것은 X축 및 Y축의 홀센서를 세워야 하는 것인데 현재까지의 제조방법으로는 어려움이 있다. 즉, Z축의 홀센서를 X축 또는 Y축으로 세우게 되면 도 2에서와 같이 된다. 도 2는 Y축 방향으로 세워진 홀센서를 도시한 것이다.
그런데, 도 2에서와 같이 Y축 방향으로 세워진 홀센서(20)를 인쇄회로기판(도시 생략)과 연결시킬 때에는, 그 홀센서(20)의 리드 단자(14)가 EMC몰딩부(16)의 좌우측으로 동일 길이 및 동일 수직선상으로 노출되어 있기 때문에 와이어 본딩 기기에 의한 와이어 본딩시 상부에 위치한 리드(14)는 정상적인 와이어 본딩이 될 수 있겠지만, 하부에 위치한 리드(14)는 상부의 리드 때문에 와이어 본딩이 이루어지지 않게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 극소형이며 대량 생산에 적합한 자기센서의 구현이 가능하도록 한 반도체 부품을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 하나의 자기센서 칩으로 배치 방향에 따라 X축, Y축, Z축 자기센서로의 구현이 용이하고 어느 경우에라도 와이어 본딩이 수월하게 이루 어지도록 한 반도체 부품을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 목적들의 반도체 부품을 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 부품은, 반도체 칩; 상기 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 리드 단자; 및 상기 리드 단자의 일부분 및 반도체 칩을 몰딩하고 상기 리드 단자의 나머지 부분을 노출시킨 몰딩부를 포함하는 반도체 부품으로서,
상기 몰딩부에는 단차부가 형성되어 상기 몰딩부의 적어도 일측에 제 1수직 외면과 수평 외면 및 제 2수직 외면이 형성되고, 상기 제 1수직 외면 및 제 2 수직 외면으로 상기 리드 단자가 각각 노출된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 단차부는 상기 몰딩부의 양측에 각각 형성된다.
그리고, 상기 반도체 칩은 다이 패드상에 탑재되어 있고, 상기 다이 패드의 하면이 상기 몰딩부의 몰딩면과 일치된다.
또한, 상기 리드 단자는 상기 다이 패드와 평행하게 배치되고, 상기 리드 단자는 상기 몰딩부의 내부에서 벤딩된다.
또, 상기 제 1수직 외면에 노출된 리드 단자는 상기 수평 외면에 접촉되되, 상기 수평 외면의 폭보다 작거나 같다.
그리고, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품 제조방법은, 다이 패드 및 리드 단자를 갖는 리드 프레임을 성형하는 제 1과정; 반도체 칩을 상기 다이 패드상 에 탑재하는 제 2과정; 상기 반도체 칩과 상기 리드 단자를 전기적으로 상호 연결하는 제 3과정; 상기 리드 단자의 일부분 및 반도체 칩을 몰딩하여 상기 리드 단자의 나머지 부분이 노출되도록 몰딩부를 형성하되, 상기 몰딩부에 단차부를 형성하여 상기 몰딩부의 적어도 일측에 제 1수직 외면과 수평 외면 및 제 2수직 외면을 형성하며, 상기 제 1수직 외면 및 제 2수직 외면으로 상기 리드 단자를 각각 노출시키는 제 4과정; 및 상기 몰딩부의 외부에서 상기 리드 단자들을 절단하되, 상기 제 1수직 외면에 노출된 리드 단자를 상기 수평 외면의 폭보다 작거나 같게 절단하는 제 5과정을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 부품 및 이의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
이하의 설명에서, 자기센서는 청구항에 기재된 반도체 부품의 일예이고, 자기센서 칩은 청구항에 기재된 반도체 칩의 일예이다. 본 발명의 보호범위는 이하에서 설명하는 기술적 사상을 적용할 수 있는 반도체 부품에 미친다. 자기센서라 함은 홀센서가 대표적일 수 있는데, 홀센서 이외로 자기장을 측정하는 센서 또는 자기적 현상을 이용한 센서 예를 들면 플럭스 게이트(flux gate) 센서, SQID(Super Conducting Quantum Interference Device) 센서, 화이버 옵틱(fiber optic) 센서, 마그네토 옵틱(magneto optic) 센서 등이 채용되어도 된다.
도 3의 (a)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 정면도이고, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)의 평면도이며, 도 3의 (c)는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 부품의 사시도이다. 도 3의 반도체 부품은 Y축 방향의 자기를 검출하는 것으로 가정하고 설명한다.
도 3의 반도체 부품(자기센서)은, 다이 패드(30); 상기 다이 패드(30)상에 탑재되는 자기센서 칩(32); 와이어(36)를 통해 상기 자기센서 칩(32)의 양측에 전기적으로 연결되는 두개 이상의 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d); 및 상기 자기센서 칩(32)과 상기 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)들의 일부를 몰딩한 몰딩부(40)를 포함한다.
여기서, 상기 다이 패드(30)는 상기 자기센서 칩(32)이 인쇄회로기판(도시 생략)상에서 Y축 방향을 향하도록 하기 위해 수평상태에서 90도로 세워져서 몰딩된다. 즉, 도 3의 반도체 부품이 인쇄회로기판(도시 생략)상에 설치되면 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)는 Y축 방향으로 향하게 된다.
상기 다이 패드(30)가 세워져서 몰딩됨에 따라 수평 상태의 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)는 상기 자기센서 칩(32)의 좌우 방향으로 늘어져서 배열된다. 그에 따라, 상기 몰딩부(40)의 일측부로는 리드 단자(34a, 34c)가 상호 이격되게 상하로 노출되고, 상기 몰딩부(40)의 타측부(즉, 일측부와 반대되는 부위)로는 리드 단자(34b, 34d)가 상호 이격되게 상하로 노출된다. 상기 리드 단자(34a, 34b)는 상부 리드 단자가 되고, 상기 리드 단자(34c, 34d)는 하부 리드 단자가 된다.
상기 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)는 EMC몰딩까지는 상호 동일한 길이를 갖는다. 그리고, EMC몰딩후에 절단되는데, 절단시 상부 리드 단자(34a, 34b)의 길 이가 하부 리드 단자(34c, 34d)의 길이보다 짧게 절단된다.
그리고, 상기 몰딩부(40)의 양측부 상단 모서리부위에는 소정 깊이의 단차부(38)가 형성된다. 그 단차부(38)가 형성됨에 따라 그 몰딩부(40)의 양측부는 각각 제 1수직 외면(41), 제 2수직 외면(43), 및 하나의 수평 외면(42)을 갖게 된다. 상기 제 1수직 외면(41) 및 수평 외면(42)이 단차부(38)를 형성하게 된다.
그리고, 상기 노출된 상부 리드 단자(34a, 34b)의 저부는 상기 수평 외면(42)에 접촉한다. EMC몰딩하고 나서 리드 단자 절단후에 상기 몰딩부(40)의 양측부로 노출된 상기 상부 리드 단자(34a, 34b)의 노출 길이는 상기 수평 외면(42)의 폭보다 작거나 같게 한다. 이는 상기 수평 외면(42)에 접촉된 리드 단자(34a, 34b)의 길이가 그 수평 외면(42)의 폭을 벗어나게 되면 추후의 그 리드 단자(34a, 34b)와 인쇄회로기판(도시 생략)간의 와이어 본딩시 와이어 본딩기기의 가압력에 의해 휘어져서 본딩 불량이 발생될 수도 있기 때문이다.
도 3에서는 몰딩부(40)의 양측부로 두개씩의 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)가 노출되므로 해당 측부에 하나의 단차부(38)를 형성시킨 것이고, 예를 들어 양측부로 각각 세 개씩의 리드 단자가 노출된다면 두개의 단차부가 형성된다. 그리고, 상기 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)는 정육면체 또는 직육면체로 형성되는데, 추후의 와이어 본딩이 원활하게 될 수 있도록 소정의 폭과 두께를 갖는다.
또한, 상기 몰딩부(40)내에 매설된 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)의 일측부는 소정 각도 벤딩된다. 그 벤딩에 의해 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)의 지지력이 상승된다. 상기 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)가 벤딩됨에 따라 다이 패드(30) 상에 자기센서 칩(32)을 탑재시킬 때 그 자기센서 칩(32)의 위치 선정이 보다 용이하게 된다. 그리고, 그 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)가 벤딩됨에 따라 상기 몰딩부(40)의 양측부로 각각 노출되는 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)는 해당 측부의 중앙부 근처에서 노출된다.
한편, EMC몰딩시 자기센서 칩(32) 및 그 주변을 몰딩하면 되므로, 자기센서 칩(32)이 결합된 다이 패드(30)의 일측면과 반대되는 부분은 실질적으로 필요없는 부분이 된다. 따라서, 소형화를 위해서는 도 3의 (b)와 같이 다이 패드(30)의 하면과 몰딩면이 일치하도록 하면 소형화가 가능하다. 또한, 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)에 대한 벤딩 공정이 있으므로 리드 단자는 몰딩부(40)의 양측부 중앙근처에서 노출되게 되어 신뢰성에도 문제가 없게 된다. 그로 인해 도 3의 자기센서의 사이즈가 작아지게 된다. 이와 같이 하게 되면 도 3의 자기센서의 사이즈(단위는 mm)는 대략 2.5*0.85*0.85가 된다.
상술한 도 3의 반도체 부품에 대한 설명은 Y축으로만 국한되는 것이 아니라 X축, Z축에도 그대로 적용된다. 즉, 도 3과 같이 구성된 자기센서에 의해 X축, Y축, Z축 방향의 자기 검출이 가능하게 되는데, 그 자기센서를 어떠한 방향으로 설치하느냐에 따라 X축, Y축, Z축 방향의 자기 검출이 결정된다. 도 3과 같이 구성된 자기센서를 인쇄회로기판(도시 생략)상에 설치할 때, 그 자기센서내의 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)를 X축 방향으로 향하게 설치하면 X축 방향의 자기 검출을 행하게 되고, 그 자기센서내의 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)를 Y축 방 향으로 향하게 설치하면 Y축 방향의 자기 검출을 행하게 되며, 그 자기센서내의 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)를 Z축 방향으로 향하게 설치하면 Z축 방향의 자기 검출을 행하게 된다.
따라서, 상술한 도 3과 같이 구성되는 자기센서를 인쇄회로기판상에 설치할 경우, 도 4 및 도 5에 예시한 바와 같이 된다.
도 4는 도 3의 단품상태의 자기센서를 활용하여 2축 자기센서를 구현한 것으로서, 두 개의 자기 센서(52, 54)가 인쇄회로기판(50)상에 상호 직교하는 방향으로 설치된다. 즉, 자기센서(52)내의 자기센서 칩은 X축 방향을 향하고, 자기센서(54)내의 자기센서 칩은 Y축 방향을 향하게 된다.
도 5는 도 3의 단품상태의 자기센서를 활용하여 3축 자기센서를 구현한 것으로서, 세 개의 자기 센서(52, 54, 56)가 인쇄회로기판(50)상에 조합된다. 즉, 자기센서(52)내의 자기센서 칩은 X축 방향을 향하고, 자기센서(54)내의 자기센서 칩은 Y축 방향을 향하며, 자기센서(56)내의 자기센서 칩은 Z축 방향을 향하게 된다. 여기서, Z축 방향의 자기검출을 행할 수 있는 자기센서(56)는 당업자라면 익히 알려져 있는 통상적인 구조 및 방법에 의해 제작할 수도 있고 상술한 본 발명의 구조 및 방법에 의해 제작할 수도 있다.
도 5에서, 자기 센서(52, 54, 56)를 각각 정육면체(또는 직육면체)로 하면 배치 방향에 상관없이 지지하는 폭과 높이가 실질적으로 동일해진다. 또한, 마찬가지로 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)의 단면을 정사각형으로 형성하면 자기 센서 (52, 54, 56)의 배치 방향에 상관없이 위에서 봤을 때 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)의 폭이 동일하게 되어 와이어 본딩이 유리해진다.
지금부터는, 도 6의 플로우차트를 참고로 하여 본 발명의 반도체 부품의 제조방법에 대하여 설명한다.
먼저, 대략 0.125 mm 정도의 두께를 지니는 금속판을 이용하여 원하는 형상의 리드 프레임(60; 도 7참조)을 제작한다. 그 리드 프레임(60)은 자기센서 칩(32)이 탑재되는 다이 패드(30) 및 그 다이 패드(30)의 양측부에 각각 형성된 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)를 구비한다. 그 리드 프레임(60)은 스탬핑(stamping) 또는 에칭(etching) 방식에 의해서 성형된다(S10). 통상적으로, 자기센서 칩 하나당 다이패드는 하나이고 리드 단자는 4개로 한다. 물론, 그 리드 단자의 수는 자기센서 칩의 동작방식에 줄여도 된다.
도 7과 같이 원하는 형태의 리드 프레임(60)이 성형되면, 그 리드 프레임(60)에 대하여 세척 및 도금을 행한다. 그 세척은 상기 리드 프레임(60)의 표면의 오염물질 등을 제거하기 위해 행해지는 것이고, 그 도금은 주로 Sn을 이용하여 도금한다. Sn은 세척후 세척액의 신선도를 유지시켜 주며 리드 프레임(60)이 변하거나 부식되는 것을 방지해 준다.
그리고 나서, 그 리드 프레임(60)의 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)의 지지력을 상승시키기 위해 그 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)의 일측부(즉, 다이 패드(30)에 인접한 부위)를 소정 각도로 벤딩한다(S12). 그 벤딩에 의해 상기 리드 단 자(34a, 34c; 34b, 34d)는 도 8 또는 도 3의 (b), (c)와 같이 된다.
이어, 도 9에서와 같이, 수평 상태의 리드 프레임(60)의 다이 패드(33) 상면에 자기센서 칩(32)을 접착체 등을 이용하여 다이(die)본딩한다(S14).
그리고, 도 10에서와 같이 그 리드 프레임(60)의 다이 패드(33)에 다이본딩된 자기센서 칩(32)의 입출력 단자와 그에 인접한 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d) 사이를 와이어(예컨대, 골드 와이어(gold wire))(36)를 이용하여 본딩하여 전기적으로 연결시킨다(S16). 여기서, 상기 자기센서 칩(32)은 자계의 강도에 따른 크기의 미약 전압을 출력하는 것으로서, 상기 자기센서 칩(32)은 인쇄회로기판상에 어떠한 방향으로 설치되느냐에 따라 X축, Y축, Z축 방향중 어느 한 방향으로부터의 자계를 감지한다. 상기 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)에는 감지 정밀도를 향상시키기 위해 요크(자기 수속 요크; 도시 생략)가 설치된다. 그 요크는 대향하고 있는 방향(즉, X, Y, Z축중 어느 한 방향)으로부터의 자속 밀도(B)의 자속을 집속하고 그 집속한 자속을 해당 자기센서 칩(32)의 감자부(도시 생략)로 인도한다.
그리고 나서, 상기 리드 프레임(60)의 자기센서 칩(32)을 몰딩용 금형(도시 생략)에 삽입한 후에 EMC몰딩을 행한다. 이때, 수평 상태의 리드 프레임(60)에서 각 세트내의 자기센서 칩(32) 및 리드 단자(34a, 34c; 34b, 34d)의 벤딩부위까지 EMC몰딩하되, 몰딩된 부위(즉, 몰딩부(40))의 양측부 상단 모서리에 단차부(38)가 형성되도록 몰딩하여 상기 몰딩부(40)의 양측부에 제 1수직 외면(41), 수평 외면(42), 및 제 2수직 외면(43)을 형성시킨다. 상기 몰딩부(40)의 양측부에 노출된 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)중에서 리드 단자(34a, 34b)는 수평 외면(42)에 접촉 된다(S18). 이와 같이 EMC몰딩을 하게 되면 상기 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)가 이미 벤딩되었기 때문에 상기 몰딩부(40)의 양측부로 각각 노출되는 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)는 해당 측부(즉, 제 1수직 외면(41), 제 2수직 외면(43))의 중앙부 근처에서 노출된다.
이와 같은 EMC몰딩을 거치게 되면 도 11과 같이 된다. 도 11의 경우는 노출된 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)를 본 발명에서 원하는 수치로 절단된 상태이다. 그러나, 상술한 EMC몰딩까지의 공정을 거쳤다고 하더라도 후술할 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)에 대한 절단 공정이 남아 있기 때문에, 상기 몰딩부(40)의 양측부로 노출된 리드 단자(34a, 34b, 34c, 34d)의 길이는 상호 동일하면서도 도 3에서의 노출 길이보다 길다.
따라서, EMC몰딩이 완료된 이후에는 리드 절단기를 이용하여 그 EMC몰딩된 부위(즉, 몰딩부(40)의 양측부에 노출된 리드 단자((34a, 34b, 34c, 34d)를 절단한다. 이때, 리드 단자((34a, 34b, 34c, 34d)중에서 리드 단자(34a, 34b)의 노출 길이는 수평 외면(42)의 폭보다 작거나 같게 절단한다(S20).
이와 같이 하게 되면 도 3에서와 같은 단품상태의 X축, Y축, Z축 자기센서가 완성된다. 그리고, 그 단품상태의 X, Y, Z축 자기센서는 인쇄회로기판상에 설치되는데, 앞서 설명한 도 4 또는 도 5에서와 같이 설치된다. 즉, X축, Y축, Z축 자기센서는 해당 자기센서내의 자기센서 칩이 대응되는 방향을 향하도록 놓여진 후에 상부에 위치하는 와이어 본딩기기가 X축, Y축, Z축 자기센서의 리드 단자와 인쇄회 로기판간의 와이어 본딩을 실시한다.
그 X축, Y축, Z축 자기센서의 리드 단자와 인쇄회로기판간의 와이어 본딩시, X축, Y축, Z축 자기센서는 앞서 설명한 도 3에서와 같이 단차부의 형성으로 인해(Z축 자기센서를 종래 방식대로 제작하였다면 단차부가 없을 수도 있음) 몰딩부의 양측부로 노출되는 상부 리드 단자와 하부 리드 단자의 실질적인 노출부위가 상이하게 된다. 따라서, 종래에는 X축 또는 Y축으로 자기센서를 세웠을 경우 와이어 본딩이 이루어지지 않았지만, 본 발명에 의한 X축 및 Y축 자기센서는 상부 리드 단자와 하부 리드 단자의 실질적인 노출부위가 상이하게 되어 리드 단자와 인쇄회로기판간의 와이어 본딩이 정상적으로 이루어지게 된다.
한편, 본 발명에 의한 단품상태의 자기센서를 필요에 따라 조합하여 사용하게 되면 2축 또는 3축 자기센서를 간단하게 구현하게 된다.
이상 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 자기센서 칩을 몰딩할 때 몰딩부위의 양측부에 단차부가 형성되게 몰딩하고, 그 몰딩부위의 양측부로 노출된 리드 단자중 어느 한 리드 단자를 단차부의 수평 외면의 폭을 초과하지 못하는 범위내에서 절단함으로써, 와이어 본딩시 와이어 본딩기기가 노출된 모든 리드 단자로의 접근이 용이하여 리드 단자와 인쇄회로기판과의 결합을 매우 수월하게 행하게 된다.
그리고, 자기센서 칩이 본딩된 다이 패드의 일면과 반대되는 부위는 소형화를 위해 몰딩하지 않지 않아도 되므로 종래의 자기센서의 사이즈에 비해 훨씬 적은 사이즈를 얻게 된다.
또한, 본 발명의 제조방법에 의하면 하나의 자기센서 칩으로 극소형화된 X, Y, Z축 자기센서를 매우 간단하게 구현할 수 있을 뿐만 아니라 그로 인해 대량 생산이 용이하게 된다. 즉, 단일 제조 공정에 의해서 X, Y, Z축 어느 축에나 사용할 수 있는 자기센서를 신속하면서도 대량으로 생산할 수 있게 된다.
또, 종래의 제조방식에 의한 자기센서에 비해 보다 훨씬 적은 사이즈를 갖는 2축 또는 3축 자기센서의 패키지화가 가능하다.
한편, 본 발명은 상술한 실시예로만 한정되는 것이 아니라 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 수정 및 변형하여 실시할 수 있고, 그러한 수정 및 변형이 가해진 기술사상 역시 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 한다.

Claims (10)

  1. 반도체 칩;
    상기 반도체 칩에 전기적으로 연결되는 리드 단자; 및
    상기 리드 단자의 일부분 및 반도체 칩을 몰딩하고 상기 리드 단자의 나머지 부분을 노출시킨 몰딩부를 포함하는 반도체 부품으로서,
    상기 몰딩부에는 단차부가 형성되어 상기 몰딩부의 적어도 일측에 제 1수직 외면과 수평 외면 및 제 2수직 외면이 형성되고, 상기 제 1수직 외면 및 제 2 수직 외면으로 상기 리드 단자가 각각 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 단차부는 상기 몰딩부의 양측에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 다이 패드상에 탑재되어 있고, 상기 다이 패드의 하면이 상기 몰딩부의 몰딩면과 일치된 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 리드 단자는 상기 다이 패드와 평행하게 배치된 것을 특징으로 하는 반 도체 부품.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 리드 단자는 상기 몰딩부의 내부에서 벤딩된 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1수직 외면에 노출된 리드 단자는 상기 수평 외면에 접촉된 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1수직 외면에 노출된 리드 단자는 상기 수평 외면의 폭보다 작거나 같은 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  8. 제 1항 내지 제 7항중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 칩은 자기센서 칩인 것을 특징으로 하는 반도체 부품.
  9. 제 1항 내지 제 7항에 기재된 반도체 부품을 포함하는 반도체 패키지.
  10. 반도체 부품을 제조하는 방법으로서,
    다이 패드 및 리드 단자를 갖는 리드 프레임을 성형하는 제 1과정;
    반도체 칩을 상기 다이 패드상에 탑재하는 제 2과정;
    상기 반도체 칩과 상기 리드 단자를 전기적으로 상호 연결하는 제 3과정;
    상기 리드 단자의 일부분 및 반도체 칩을 몰딩하여 상기 리드 단자의 나머지 부분이 노출되도록 몰딩부를 형성하되, 상기 몰딩부에 단차부를 형성하여 상기 몰딩부의 적어도 일측에 제 1수직 외면과 수평 외면 및 제 2수직 외면을 형성하며, 상기 제 1수직 외면 및 제 2수직 외면으로 상기 리드 단자를 각각 노출시키는 제 4과정; 및
    상기 몰딩부의 외부에서 상기 리드 단자들을 절단하되, 상기 제 1수직 외면에 노출된 리드 단자를 상기 수평 외면의 폭보다 작거나 같게 절단하는 제 5과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품 제조방법.
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