TWI651438B - 銅-鎳合金電鍍裝置 - Google Patents
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 224
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 65
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 44
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 34
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 claims description 29
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 28
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 17
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 9
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 claims description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 29
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 8
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 8
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 8
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 6
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- CXIHYTLHIDQMGN-UHFFFAOYSA-L methanesulfonate;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O CXIHYTLHIDQMGN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 4
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229910052920 inorganic sulfate Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N Diethyl disulfide Chemical compound CCSSCC CETBSQOFQKLHHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L copper;disulfamate Chemical compound [Cu+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O ZQLBQWDYEGOYSW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 3
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940124530 sulfonamide Drugs 0.000 description 3
- 150000003456 sulfonamides Chemical class 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- YSQZSPCQDXHJDJ-UHFFFAOYSA-N 1-(pentyldisulfanyl)pentane Chemical compound CCCCCSSCCCCC YSQZSPCQDXHJDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] Chemical compound C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.C(C)(=O)O.[N] XNSPQPOQXWCGKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L copper;methanesulfonate Chemical compound [Cu+2].CS([O-])(=O)=O.CS([O-])(=O)=O BSXVKCJAIJZTAV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 2
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- ALVPFGSHPUPROW-UHFFFAOYSA-N dipropyl disulfide Chemical compound CCCSSCCC ALVPFGSHPUPROW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002019 disulfides Chemical class 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 2
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 2
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229920003170 water-soluble synthetic polymer Polymers 0.000 description 2
- FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N (2,4,5-trichlorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl FTLYMKDSHNWQKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 1-(2,4-dimethylphenyl)propan-1-one Chemical compound CCC(=O)C1=CC=C(C)C=C1C UWFRVQVNYNPBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWIBNGQMJANCCI-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzothiazol-2-yl)ethanethioic s-acid Chemical compound C1=CC=C2SC(CC(=O)S)=NC2=C1 WWIBNGQMJANCCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropane-1-sulfonic acid Chemical compound CC(O)CS(O)(=O)=O HSXUNHYXJWDLDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXSBAOMLHPFLMW-UHFFFAOYSA-N 3-(1,3-benzothiazol-2-ylsulfanyl)propanoic acid Chemical compound C1=CC=C2SC(SCCC(=O)O)=NC2=C1 DXSBAOMLHPFLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(carboxymethyl)amino]propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O UWRBFYBQPCJRRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 7028-40-2 Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O BDDLHHRCDSJVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBZFUFAFFUEMEI-UHFFFAOYSA-M Acesulfame k Chemical compound [K+].CC1=CC(=O)[N-]S(=O)(=O)O1 WBZFUFAFFUEMEI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ADJYOCLYAFKVKH-UHFFFAOYSA-N C(CC)SSCCS(=O)(=O)O.[Na] Chemical compound C(CC)SSCCS(=O)(=O)O.[Na] ADJYOCLYAFKVKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDIPTWFVPPPURJ-UHFFFAOYSA-M Cyclamate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)NC1CCCCC1 UDIPTWFVPPPURJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YPWSLBHSMIKTPR-UHFFFAOYSA-N Cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSSCC(N)C(O)=O YPWSLBHSMIKTPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N D-cystathionine Natural products OC(=O)C(N)CCSCC(N)C(O)=O ILRYLPWNYFXEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N D-cystine Chemical compound OC(=O)[C@H](N)CSSC[C@@H](N)C(O)=O LEVWYRKDKASIDU-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N Glycidol Chemical compound OCC1CO1 CTKINSOISVBQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N L-cystathionine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CCSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O ILRYLPWNYFXEMH-WHFBIAKZSA-N 0.000 description 1
- GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N L-ethionine Chemical compound CCSCC[C@H](N)C(O)=O GGLZPLKKBSSKCX-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N Performic acid Chemical class OOC=O SCKXCAADGDQQCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMQQAJHCBCFQKV-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])C(CCCSSCCCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] Chemical compound [N+](=O)([O-])C(CCCSSCCCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] GMQQAJHCBCFQKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHKIXNSJZTUIDJ-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])C(CCSSCCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] Chemical compound [N+](=O)([O-])C(CCSSCCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] MHKIXNSJZTUIDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIWBDBJGJBLYEM-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])C(CSSCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] Chemical compound [N+](=O)([O-])C(CSSCC([N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-])[N+](=O)[O-] DIWBDBJGJBLYEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000008052 alkyl sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N bishydroxyethyldisulfide Natural products OCCSSCCO KYNFOMQIXZUKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N bromic acid Chemical compound OBr(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N chloric acid Chemical compound OCl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005991 chloric acid Drugs 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077239 chlorous acid Drugs 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229940116318 copper carbonate Drugs 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L copper;carbonate Chemical compound [Cu+2].[O-]C([O-])=O GEZOTWYUIKXWOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SDFNZYMSEOUVIF-UHFFFAOYSA-N copper;methanesulfonic acid Chemical compound [Cu].CS(O)(=O)=O SDFNZYMSEOUVIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- YGSZNSDQUQYJCY-UHFFFAOYSA-L disodium;naphthalene-1,5-disulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].C1=CC=C2C(S(=O)(=O)[O-])=CC=CC2=C1S([O-])(=O)=O YGSZNSDQUQYJCY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 description 1
- OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L potassium sulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S([O-])(=O)=O OTYBMLCTZGSZBG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052939 potassium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011151 potassium sulphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229940085605 saccharin sodium Drugs 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- NJZLKINMWXQCHI-UHFFFAOYSA-N sodium;3-(3-sulfopropyldisulfanyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound [Na].[Na].OS(=O)(=O)CCCSSCCCS(O)(=O)=O NJZLKINMWXQCHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M sodium;3-nitrobenzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-][N+](=O)C1=CC=CC(S([O-])(=O)=O)=C1 LJRGBERXYNQPJI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YHFVDOSLWFPNJU-UHFFFAOYSA-N sodium;4-(4-sulfobutyldisulfanyl)butane-1-sulfonic acid Chemical compound [Na].[Na].OS(=O)(=O)CCCCSSCCCCS(O)(=O)=O YHFVDOSLWFPNJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPDUKHLMYVCLOA-UHFFFAOYSA-M sodium;ethaneperoxoate Chemical compound [Na+].CC(=O)O[O-] SPDUKHLMYVCLOA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DIKJULDDNQFCJG-UHFFFAOYSA-M sodium;prop-2-ene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC=C DIKJULDDNQFCJG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000008054 sulfonate salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPKYOIXTSGVAN-UHFFFAOYSA-K trisodium;naphthalene-1,3,6-trisulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC(S([O-])(=O)=O)=CC2=CC(S(=O)(=O)[O-])=CC=C21 NJPKYOIXTSGVAN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
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- C25D21/14—Controlled addition of electrolyte components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
本發明係提供一種電鍍裝置,其可在被鍍物上安定地形成銅與鎳的均勻組成之電鍍皮膜,同時可以長時間使用電鍍浴。
本發明係有關一種銅-鎳合金電鍍裝置(1),其具有:將被鍍物(5)配置在內部之陰極室(4)、陽極室(6)、配置在該陽極室的內部之陽極(7)、以隔開陰極室與陽極室之方式配置且可進行通電之分隔膜(14)、用以調整陰極室內的電鍍液之氧化還原電位的陰極室氧化還原電位調整槽(8)、用以調整陽極室內的電鍍液之氧化還原電位的陽極室氧化還原電位調整槽(10)、以及使電流在被鍍物及陽極之間流通的電源部(36)。
Description
本發明是有關電鍍裝置,特別是有關一種銅-鎳合金的電鍍裝置。
一般,銅-鎳合金是藉由改變銅與鎳的比例,而呈現有優良的耐食性、展延性、加工性、高溫特性之性質,且具有電阻率.熱阻係數.熱電動勢.熱膨脹係數等具特徵的性質。因此,欲藉由電鍍來獲得如此之藉由銅-鎳合金的特性之研究係自以往進行至今。就以往所嘗試的銅-鎳合金之電鍍浴而言,雖目前研究的有氰化物浴、檸檬酸浴、醋酸浴、酒石酸浴、硫代硫酸浴、氨浴、吡咯啉酸浴等的多種電鍍浴,但到目前為止尚未達到實用化。
就銅-鎳合金電鍍化尚未實用化的理由,可以列舉下列:(1)銅與鎳的析出電位係相差約0.6V,且銅會優先析出;(2)電鍍浴會因不安定而產生氫氧化金屬等之不溶性化合物;
(3)因通電導致電鍍組成發生變化,而無法安定地得到均勻組成的皮膜;(4)電鍍液壽命短;等。
由於上述的問題,在以往的電鍍裝置中,難以在被鍍物上安定地得到銅與鎳之均勻組成的電鍍皮膜。又,難以去長時間使用電鍍浴。
為了解決上述課題,本發明提供一種銅-鎳合金電鍍裝置,其特徵為具有:將被鍍物配置在內部之陰極室、陽極室、配置在該陽極室的內部之陽極、以隔開陰極室與陽極室之方式配置且可進行通電之分隔膜、用以調整陰極室內的電鍍液之氧化還原電位的陰極室氧化還原電位調整槽、用以調整陽極室內的電鍍液之氧化還原電位的陽極室氧化還原電位調整槽、以及使電流在被鍍物及陽極之間流通之電源部。
依據如此方式所構成之本發明,藉由陰極室氧化還原電位調整槽及陽極室氧化還原電位調整槽,來調整陰極室及陽極室的氧化還原電位,故可一面使銅與鎳以任意合金比例析出於被鍍物,一面得到均勻組成的電鍍皮膜。又,由於調整氧化還原電位,故在可以安定地維持浴狀態的同時,即使長時間連續使用電鍍浴(電鍍液)仍可以得到良好的銅-鎳合金電鍍皮膜。
在本發明中,較佳係更具有:使陰極室內及陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液循環之陰極室循環裝置、以及使陽極室內及陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液循環之陽極室循環裝置。
依據如此方式所構成之本發明,由於陰極室與陰極室氧化還原電位調整槽的電鍍液、以及陽極室與陽極室氧化還原電位調整槽的電鍍液藉由循環裝置而被循環,故可以分別均勻地維持陰極側及陽極側的電鍍液,可以得到均勻的電鍍皮膜。
在本發明中,較佳係分隔膜為聚酯、聚丙烯、卡內卡龍(音譯;Kanekalon(商品名)、賽綸(saran)或PTFE製的布、中性分隔膜、或是離子交換膜。
依據如此方式所構成之本發明,可以廉價地構成分隔膜。
在本發明中,較佳係陰極室循環裝置具備:使陰極室內的電鍍液溢流至陰極室氧化還原電位調整槽之陰極室堰部、使陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到陰極室之陰極室移送裝置、以及將藉由該陰極室移送裝置所移送的電鍍液過濾之陰極室過濾裝置。而陽極室循環裝置具備:使陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液溢出至陽極室之陽極室堰部、將陽極室內的電鍍液移送到陽極室氧化還原電位調整槽之陽極室移送裝置、以及將藉由該陽極室移送裝置所移送的電鍍液過濾之陽極室過濾裝置。
依據如此方式所構成之本發明,即可使用陰極室氧化還原電位調整槽及陽極室氧化還原電位調整槽,而容易地維持陰極室及陽極室內的氧化還原電位在適當值。
在本發明中,較佳係陰極室循環裝置具備:將陰極室內的電鍍液移送到陰極室氧化還原電位調整槽之陰極室第1移送裝置、將陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到陰極室之陰極室第2移送裝置、以及將在陰極室與陰極室氧化還原電位調整槽之間進行循環的電鍍液過濾之陰極室過濾裝置,而陽極室循環裝置具備:將陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到陽極室之陽極室第1移送裝置、將陽極室內的電鍍液移送到陽極室氧化還原電位調整槽之陽極室第2移送裝置、以及將在陽極室與陽極室氧化還原電位調整槽之間進行循環的電鍍液過濾之陽極室過濾裝置。
依據如此方式所構成的本發明,即可使用陰極室氧化還原電位調整槽及陽極室氧化還原電位調整槽,而容易地將陰極室及陽極室內的氧化還原電位維持在適當值。又,由於是使用各個移送裝置,而讓電鍍液在陰極室及陰極室氧化還原電位調整槽之間、陽極室與陽極室氧化還原電位調整槽之間進行循環,故可將陰極室氧化還原電位調整槽及陽極室氧化還原電位調整槽配置在任意的位置。
在本發明中,較佳係更具有:測定陰極室內
的電鍍液之氧化還原電位的陰極室電位測定裝置;測定陽極室內的電鍍液之氧化還原電位的陽極室電位測定裝置;在陰極室氧化還原電位調整槽中添加氧化還原電位調整劑之陰極室調整劑添加裝置;在陽極室氧化還原電位調整槽中添加氧化還原電位調整劑之陽極室調整劑添加裝置;以及依據藉由陰極室電位測定裝置所測定的氧化還原電位及藉由陽極室電位測定裝置所測定的氧化還原電位,而控制陰極室調整劑添加裝置及陽極室調整劑添加裝置之控制部。
依據如此方式所構成之本發明,即可正確地維持陰極室及陽極室內的氧化還原電位在適當值。
在本發明中,較佳係更具有容納在陰極室、陽極室、陰極室氧化還原電位調整槽及陽極室氧化還原電位調整槽中的銅-鎳合金電鍍液,且該銅-鎳合金電鍍液含有:(a)銅鹽及鎳鹽、(b)金屬錯合劑、(c)導電性賦予鹽、及(d)含硫有機化合物。
依據如此方式所構成之本發明,即可得到良好的銅-鎳合金電鍍皮膜。
依據本發明的銅-鎳合金電鍍裝置,即可在被電鍍物上安定地形成銅與鎳的均勻組成之電鍍皮膜,同時長時間使用電鍍浴。
1‧‧‧根據本發明的第1實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置
2‧‧‧電鍍槽
4、104‧‧‧陰極室
5、105‧‧‧陰極(被鍍物)
6、106‧‧‧陽極室
7、107‧‧‧陽極
8、108‧‧‧陰極室氧化還原電位調整槽
10、110‧‧‧陽極室氧化還原電位調整槽
12、112、114‧‧‧隔離壁
12a、16a、112a、116a‧‧‧開口部
14、114‧‧‧分隔膜
16、116‧‧‧陰極側遮蔽板
18‧‧‧陰極室堰部
20a、20b、28a、28b‧‧‧區隔壁
22、30‧‧‧折返通路
24、124‧‧‧污泥堤防
26‧‧‧陽極室堰部
32‧‧‧陰極室移送裝置
32a、132a、133a‧‧‧陰極室吸取管
32b、132b、133b‧‧‧陰極室吐出管
32c‧‧‧陰極室過濾裝置
34‧‧‧陽極室移送裝置
34a、134a、135a‧‧‧陽極室吸取管
34b、134b、135b‧‧‧陽極室吐出管
34c、134c‧‧‧陽極室過濾裝置
36、136‧‧‧電源部
38、138‧‧‧陰極室電位測定裝置
40、140‧‧‧陰極室調整劑添加裝置
42、142‧‧‧陽極室電位測定裝置
44、144‧‧‧陽極室調整劑添加裝置
46、146‧‧‧控制部
100‧‧‧根據本發明第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置
102‧‧‧電鍍槽本槽
132‧‧‧陰極室第1移送裝置
133‧‧‧陰極室第2移送裝置
134‧‧‧陽極室第1移送裝置
135‧‧‧陽極室第2移送裝置
147‧‧‧陰極室氧化還原電位調整槽攪拌器
148‧‧‧陽極室氧化還原電位調整槽攪拌器
第1圖係根據本發明的第1實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置的剖面圖
第2圖係根據本發明的第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置的剖面圖。
其次,參照附錄圖式,來說明根據本發明較佳的實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置。第1圖係根據本發明的第1實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置的剖面圖。
如第1圖所示,根據本發明的第1實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置1係具有電鍍槽2,且藉由區隔該電鍍槽2,而在電鍍槽2的內部形成有陰極室4、陽極室6、陰極室氧化還原電位調整槽8、以及陽極室氧化還原電位調整槽10。
又,以浸漬於電鍍液的方式而分別在陰極室4內配置陰極5(被鍍物),在陽極室6內配置陽極7。
在陰極室4及陽極室6之間設置有隔離壁12,分離陰極室4與陽極室6。在隔離壁12設置有開口部12a,在此開口部12a安裝有分隔膜14。
分隔膜14係以將陰極室4與陽極室6區隔成可進行通電的方式而構成。作為分隔膜14者可以使用:聚酯、聚丙烯、Kanekalon(商品名)、賽綸、PTFE等的布,或是作為中性分隔膜之以聚對苯二甲酸乙二酯樹脂基材之聚偏氟乙烯樹脂氧化鈦/蔗糖脂肪酸酯膜材者等,或是作為離子交換膜
之陽離子交換膜。
又,在陰極室4內設置有區隔陰極室4的分隔膜14側與陰極5側之陰極側遮蔽板16。在該陰極側遮蔽板16設置有開口部16a。藉由設置陰極側遮蔽板16,而防止電流向陰極5(被鍍物)的周邊部集中,且均勻之電流會向陰極5各部流動,故可以得到均勻之電鍍膜厚、電鍍組成。
在陰極室4與陰極室氧化還原電位調整槽8之間,設置有區隔此等之陰極室堰部18。藉由此構成,越過陰極室堰部18之陰極室4內的電鍍液將會溢流至陰極室氧化還原電位調整槽8內。
在陰極室氧化還原電位調整槽8內部,設置有2個區隔壁20a、20b。藉由此等區隔壁20a、20b,溢流過陰極室堰部18後之電鍍液向下流過陰極室堰部18與區隔壁20a之間,並在陰極室氧化還原電位調整槽8的底部面折返後,向上流過區隔壁20a與20b之間而抵達陰極室氧化還原電位調整槽8內。亦即,藉由區隔壁20a、20b,在陰極室氧化還原電位調整槽8內形成折返之通路22。藉由此折返通路22,在陰極室氧化還原電位調整槽8內產生適度的電鍍液流動,可使投入於陰極室氧化還原電位調整槽8中的氧化還原電位調整劑被均勻地混合,以順利地進行氧化還原電位的調整。
另一方面,在陽極室6內,於隔離壁12與陽極7之間設置有污泥堤防24。污泥堤防24係由自陽極室6
的底面延伸到既定的高度之壁所構成,防止沉積的污泥往隔離壁12的方向移動。
在陽極室6與陽極室氧化還原電位調整槽10之間,設置有區隔此等之陽極室堰部26。藉由此構成,越過陽極室堰部26之陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液將會溢流至陽極室6內。
在陽極室氧化還原電位調整槽10內部,設置2個區隔壁28a、28b。藉由此等區隔壁28a、28b,陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液,越過區隔壁28a並向下流,在陽極室氧化還原電位調整槽10的底部面折返之後,向上流過區隔壁28b與陽極室堰部26之間並溢流過陽極室堰部26,而流入到陽極室6。亦即,藉由區隔壁28a、28b,在陽極室氧化還原電位調整槽10內形成折返的通路30。藉由此折返通路30,在陽極室氧化還原電位調整槽10內產生電鍍液的適度流動,故可使投入於陽極室氧化還原電位調整槽10中之氧化還原電位調整劑被均勻地混合,以順利地進行氧化還原電位的調整。
又,在陰極室4與陰極室氧化還原電位調整槽8之間,設置有移送電鍍液之陰極室移送裝置32。該陰極室移送裝置32係以藉由幫浦(圖中沒有顯示)而經由在陰極室氧化還原電位調整槽8的底部所開口之陰極室吸取管32a來吸取電鍍液,並經由在陰極室4的底部所開口的陰極室吐出管32b使電鍍液流入到陰極室4的方式而構成。又,在陰極室移送裝置32中內藏有陰極室過濾裝置32c,
並且會將混入於由陰極室移送裝置32所移送的電鍍液中之污泥去除等。
如此,藉由利用陰極室移送裝置32將電鍍液由陰極室氧化還原電位調整槽8移送到陰極室4,使陰極室4內的電鍍液的液位上升。藉此,陰極室4內的電鍍液溢流過陰極室堰部18而迴流到陰極室氧化還原電位調整槽8。如此,藉由組合陰極室堰部18與陰極室移送裝置32,只要將電鍍液由陰極室氧化還原電位調整槽8移送至陰極室4,就可使電鍍液在此等之間進行循環。因此,陰極室移送裝置32及陰極室堰部18係以使陰極室4內及陰極室氧化還原電位調整槽8內的電鍍液循環之陰極室循環裝置的形式發揮功能。
其次,在陽極室6與陽極室氧化還原電位調整槽10之間,設置有移送電鍍液之陽極室移送裝置34。該陽極室移送裝置34係以藉由幫浦(圖中沒有顯示)而經由在陽極室6的底部所開口的陽極室吸取管34a來吸取電鍍液,並經由在陽極室氧化還原電位調整槽10的底部所開口之陽極室吐出管34b使電鍍液流入至陽極室氧化還原電位調整槽10之方式而構成。又,在陽極室移送裝置34中內藏有陽極室過濾裝置34c,並且會將混入於由陽極室移送裝置34所移送的電鍍液中之污泥等去除。
如此,藉由利用陽極室移送裝置34將電鍍液由陽極室6移送到陽極室氧化還原電位調整槽10,使陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液的液位上升。藉此,
陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液係溢流過陽極室堰部26而迴流到陽極室6。如此,藉由組合陽極室堰部26與陽極室移送裝置34,只要將電鍍液由陽極室6移送至陽極室氧化還原電位調整槽10,就可使電鍍液在此等之間進行循環。因此,陽極室移送裝置34及陽極室堰部26係以使陽極室6內及陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液循環之陽極室循環裝置的形式發揮功能。
又,配置在陰極室4內的陰極5(被鍍物)與配置在陽極室6內的陽極7之間,連接有電源部36。藉由驅動該電源部36而通過分隔膜14後,於電鍍液內電流由陽極7流向陰極5,鍍覆被鍍物。
其次,說明用以調整電鍍液的氧化還原電位之結構。
在本實施形態的銅-鎳合金電鍍裝置1中,用以調整氧化還原電位的構成係具備:陰極室電位測定裝置38、陰極室調整劑添加裝置40、陽極室電位測定裝置42、陽極室調整劑添加裝置44、以及連接陰極室調整劑添加裝置40及陽極室調整劑添加裝置44之控制部46。
陰極室電位測定裝置38係以配置在陰極室4內,來測定陰極室4內的電鍍液之氧化還原電位的方式而構成。
陰極室調整劑添加裝置40係以在陰極室氧化還原電位調整槽8內的電鍍液中添加氧化還原電位調整劑之方式而構成。
同樣的,陽極室電位測定裝置42係以配置在陽極室6內,來測定陽極室6內的電鍍液氧化還原電位之方式而構成。
陽極室調整劑添加裝置44係以在陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液中添加氧化還原電位調整劑之方式而構成。
陰極室電位測定裝置38係連接控制部46,且由陰極室電位測定裝置38所測定的氧化還原電位係輸入到控制部46。控制部46係以根據輸入之氧化還原電位使陰極室4內成為既定的氧化還原電位,來控制陰極室調整劑添加裝置40之方式而構成。陰極室調整劑添加裝置40係以根據控制部46的控制信號來投入既定量的氧化還原電位調整劑到陰極室氧化還原電位調整槽8中之方式而構成。
同樣的,陽極室電位測定裝置42係連接控制部46,且由陽極室電位測定裝置42所測定的氧化還原電位係輸入到控制部46。控制部46係以根據所輸入之氧化還原電位使陽極室6內成為既定的氧化還原電位,來控制陽極室調整劑添加裝置44之方式而構成。陽極室調整劑添加裝置44係以根據控制部46的控制信號來投入既定量的氧化還原電位調整劑到陽極室氧化還原電位調整槽10之方式而構成。
藉由該控制部46所致之氧化還原電位的調整,係在銅-鎳合金電鍍裝置1的運作中經常進行。
其次,參照第2圖,來說明根據本發明的第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置。
第2圖係根據本發明的第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置的剖面圖。在上述的第1實施形態中,陰極室4與陰極室氧化還原電位調整槽8、及陽極室6與陽極室氧化還原電位調整槽10係分別鄰接而配置,並藉由溢流而使電鍍液循環,但在本實施形態中,氧化還原電位調整槽係呈現分離,此一點與第1實施形態不同。因此,在此是針對本發明的第2實施形態中與第1實施形態不同之處加以說明,並省略同樣之結構、作用、效果之相關說明。
如第2圖所示,本實施形態的銅-鎳合金電鍍裝置100,係具有電鍍槽本槽102、以及由該電鍍槽本槽102分離之陰極室氧化還原電位調整槽108及陽極室氧化還原電位調整槽110。在此電鍍槽本槽102的內部,形成有陰極室104、陽極室106。
又,以浸漬於電鍍液中之方式而分別在陰極室104內配置陰極105(被鍍物),在陽極室106內配置陽極107。
在陰極室104與陽極室106之間設置有隔離壁112,且陰極室104與陽極室106呈分離。在隔離壁112中設置有開口部112a,且在該開口部112a中安裝有分隔膜114。
又,在陰極室104內,設置有區隔陰極室104的分隔膜114側與陰極105側之陰極側遮蔽板116。在該陰極側遮蔽板116中設置有開口部116a。
另一方面,在陽極室106內,於隔離壁112與陽極107之間設置有污泥堤防124。污泥堤防124係由從陽極室106的底面延伸到既定的高度之壁所構成,防止沉積的污泥往隔離壁112的方向移動。
陰極室氧化還原電位調整槽108係由電鍍槽本槽102分離而設置,並且與陰極室104之間可以循環電鍍液。又,在陰極室氧化還原電位調整槽108中,為了使投入於電鍍液中的氧化還原電位調整劑被均勻地溶解,而設置螺旋槳式的陰極室氧化還原電位調整槽攪拌器147。
陽極室氧化還原電位調整槽110係由電鍍槽本槽102分離而設置,並且與在與陽極室106之間可以循環電鍍液。又,在陽極室氧化還原電位調整槽110中,為了使投入於電鍍液中的氧化還原電位調整劑被均勻地溶解,而設置螺旋槳式的陽極室氧化還原電位調整槽攪拌器148。
在陰極室104與陰極室氧化還原電位調整槽108之間,係以使各個電鍍液可以進行循環的方式來設置配管、循環用幫浦。亦即,在陰極室104與陰極室氧化還原電位調整槽108之間,設置有將陰極室氧化還原電位調整槽108內的電鍍液返回到陰極室104之陰極室第1移送裝置132。該陰極室第1移送裝置132係以藉由幫浦(在圖中沒有顯示)而經由在陰極室氧化還原電位調整槽108的底部所開口之陰極室吸取管132a來吸取電鍍液,並經由在陰極室104的底部所開口的陰極室吐出管132b使電鍍
液流入到陰極室104之方式而構成。又,在陰極室第1移送裝置132中內藏有陰極室過濾裝置132c,並且會將混入在由陰極室第1移送裝置132所移送之電鍍液中的污泥等去除。
又,在陰極室104與陰極室氧化還原電位調整槽108之間,設置有將陰極室104內的電鍍液移送到陰極室氧化還原電位調整槽108之陰極室第2移送裝置133。該陰極室第2移送裝置133係以藉由幫浦(圖1中沒有顯示)而經由在陰極室104的上部所開口之陰極室吸取管133a來吸取電鍍液,並經由在陰極室氧化還原電位調整槽108的上部所開口之陰極室吐出管133b使電鍍液流入到陰極室氧化還原電位調整槽108中之方式而構成。
如此,藉由陰極室第1移送裝置132及陰極室第2移送裝置133,陰極室104內的電鍍液與陰極室氧化還原電位調整槽108內的電鍍液可進行液循環。因此,陰極室第1移送裝置132及陰極室第2移送裝置133係以使陰極室104內及陰極室氧化還原電位調整槽108內的電鍍液循環之陰極室循環裝置的形式發揮功能。
在陽極室106與陽極室氧化還原電位調整槽110之間,個別的電鍍液係以可進行循環的方式來設置配管、循環用幫浦。亦即,在陽極室106與陽極室氧化還原電位調整槽110之間,設置有移送電鍍液之陽極室第1移送裝置134。該陽極室第1移送裝置134係以藉由幫浦(圖中沒有顯示)而經由在陽極室106的底部所開口之陽極室
吸取管134a來吸取電鍍液,並經由在陽極室氧化還原電位調整槽110的底部所開口之陽極室吐出管134b使電鍍液流入至陽極室氧化還原電位調整槽110之方式而構成。又,在陽極室第1移送裝置134中內藏有陽極室過濾裝置134c,並且會將混入至由陽極室第1移送裝置134所移送之電鍍液中的污泥等去除。
又,在陽極室106與陽極室氧化還原電位調整槽110之間,設置有將陽極室氧化還原電位調整槽110內的電鍍液返回到陽極室106之陽極室第2移送裝置135。該陽極室第2移送裝置135係以藉由幫浦(圖中沒有顯示)而經由在陽極室氧化還原電位調整槽110的上部所開口之陽極室吸取管135a吸取電鍍液,並經由在陽極室106的上部所開口之陽極室吐出管135b使電鍍液流入至陽極室106之方式而構成。
如此,藉由陽極室第1移送裝置134及陽極室第2移送裝置135,陽極室106內的電鍍液與陽極室氧化還原電位調整槽110內的電鍍液可進行液循環。因此,陽極室第1移送裝置134及陽極室第2移送裝置135係以使陽極室106內及陽極室氧化還原電位調整槽110內的電鍍液循環之陽極室循環裝置的形式發揮功能。
又,配置在陰極室104內的陰極105(被鍍物)與配置在陽極室106內的陽極107之間,連接有電源部136。藉由驅動該電源部136而通過分隔膜114後,於電鍍液內電流由陽極107流向陰極105,鍍覆被鍍物。
又,即使在本實施形態的銅-鎳合金電鍍裝置100中,用以調整電鍍液的氧化還原電位之構成仍具備:陰極室電位測定裝置138、陰極室調整劑添加裝置140、陽極室電位測定裝置142,、陽極室調整劑添加裝置144、以及連接陰極室調整劑添加裝置140及陽極室調整劑添加裝置144之控制部146。藉由此等電位測定裝置測定陽極室106及陰極室104的氧化還原電位,且控制部146根據此測定值而控制各調整劑添加裝置並調整氧化還原電位之作用,由於與前述之第1實施形態同樣,故而省略說明。
其次,說明根據本發明的第1、第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置中所使用的電鍍浴(電鍍液)。
在本實施形態中所使用的銅-鎳合金電鍍浴,係含有(a)銅鹽及鎳鹽、(b)金屬錯合劑、(c)導電性賦予鹽、(d)含硫有機化合物,及(e)氧化還原電位調整劑。
作為銅鹽可以列舉:硫酸銅、鹵化銅(II),胺基磺酸銅、甲磺酸銅、乙酸銅(II)、鹼性碳酸銅等,但並不侷限於此等。此等的銅鹽可以單獨使用,也可以混合2種以上來使用。作為鎳鹽可以列舉:硫酸鎳、鹵化鎳、鹼性碳酸鎳、胺基磺酸鎳、乙酸鎳、甲磺酸鎳等,但不侷限於此等。此等的鎳鹽可以單獨使用,也可以混合2種以上來使用。銅鹽與
鎳鹽在電鍍浴中之濃度,必須依所需要之電鍍皮膜的組成而作各種選擇,但為銅離子時較佳為0.5至40g/L,更佳為2至30g/L,為鎳離子時較佳為0.25至80g/L,更佳為0.5至50g/L。又,電鍍浴中的銅離子與鎳離子之合計濃度,較佳為0.0125至2.0莫耳/L,更佳為0.04至1.25莫耳/L。
金屬錯合劑係使銅及鎳的金屬安定化。作為金屬錯合劑可以列舉:單羧酸、二羧酸、多元羧酸、羥基羧酸、酮羧酸、胺基酸、胺基羧酸、及此等的鹽等,但不侷限於此等。具體而言可以列舉:丙二酸、馬來酸、琥珀酸、丙三羧酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸、2-磺酸基乙基亞胺基-N,N-二乙酸、亞胺基二乙酸、氮基三乙酸、EDTA、三乙二胺四乙酸、羥基乙基亞胺基二乙酸、麩醯胺酸(glutamine)、天冬胺酸、β-丙胺酸-N,N-二乙酸等。其中,較佳為丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、葡萄糖酸、EDTA、氮基三乙酸、麩醯胺酸。又,作為此等羧酸的鹽可以列舉:鎂鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等,但不侷限於此等。此等的金屬錯合劑可以單獨使用,也可以混合2種以上來使用。金屬錯合劑在電鍍浴中之濃度,較佳為浴中金屬離子濃度(莫耳濃度)的0.6至2倍,更佳為0.7至1.5倍。
導電性賦予鹽是賦予銅-鎳合金電鍍浴有電導性。在
本發明中,作為導電性賦予鹽可以列舉:無機鹵化鹽、無機硫酸鹽、低碳數烷(較佳為C1至4)磺酸鹽,及烷醇(較佳為C1至4)磺酸鹽。
作為無機鹵化鹽可以列舉:鎂、鈉、鉀、銨的氯化鹽、溴化鹽、碘化鹽等,但不侷限於此等。此等的無機鹵化鹽可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。無機鹵化鹽在電鍍浴中的濃度,較佳為0.1至2莫耳/L,更佳為0.2至1莫耳/L。
作為無機硫酸鹽可以列舉:硫酸鎂、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸銨等,但不侷限此等。此等的無機硫酸鹽可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。
作為低碳數烷基磺酸鹽及烷醇磺酸鹽可列舉:鎂鹽、鈉鹽、鉀鹽、銨鹽等,更具體而言可以列舉:甲磺酸、2-羥基丙烷磺酸的鎂、鈉、鉀、銨鹽等,但不侷限於此等。此等的磺酸鹽可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。
硫酸鹽及/或是前述磺酸鹽在電鍍浴中之濃度,較佳為0.25至1.5莫耳/L,更佳為0.5至1.25莫耳/L。
又,當使用互相相異的複數種導電性賦予鹽作為導電性賦予鹽時,更為有效。較佳的導電性賦予鹽係含有無機鹵化鹽與選自由無機硫酸鹽及前述磺酸鹽所成群組之鹽。
作為含硫有機化合物,較佳可以列舉選自由二硫醚化合物、含硫的胺基酸、苯并噻唑基硫代化合物、及此等的
鹽所成群組之化合物。
作為二硫醚化合物可以列舉通式(I)所示的二硫醚化合物等,但不侷限於此等。
A-R1-S-S-R2-A (I)(式中,R1及R2是表示烴基,A是表示SO3Na基、SO3H基、OH基、NH2基或是NO2基。)
式中,較佳的烴基是伸烷基,更佳為碳原子數1至6的伸烷基。作為二硫醚化合物的具體例可以列舉:雙鈉磺酸基乙基二硫醚、雙鈉磺酸基丙基二硫醚、雙鈉磺酸基戊基二硫醚、雙鈉磺酸基己基二硫醚、雙磺酸基乙基二硫醚、雙磺酸基丙基二硫醚、雙磺酸基戊基二硫醚、雙胺基乙基二硫醚、雙胺基丙基二硫醚、雙胺基丁基二硫醚、雙胺基戊基二硫醚、雙羥基乙基二硫醚、雙羥基丙基二硫醚、雙羥基丁基二硫醚、雙羥基戊基二硫醚、雙硝基乙基二硫醚、雙硝基丙基二硫醚、雙硝基丁基二硫醚、鈉磺酸基乙基丙基二硫醚、磺酸基丁基丙基二硫醚等,但不侷限於此等。在此等的二硫醚化合物之中,以雙鈉磺酸基丙基二硫醚、雙鈉磺酸基丁基二硫醚、雙胺基丙基二硫醚為較佳。
作為含硫的胺基酸可以列舉:以通式(II)所示之含硫的胺基酸等,但不侷限於此等。
R-S-(CH2)nCHNHCOOH (II)(式中,R是表示烴基、-H或是-(CH2)nCHNH C OOH,n分別獨立為1至50。)
式中,較佳的烴基為烷基,更佳為碳原子數1至6的
烷基。作為含硫的胺基酸的具體例可以列舉:蛋胺酸、胱胺酸、半胱胺酸、乙硫胺酸、胱胺酸二亞碸、胱硫醚等,但不侷限於此等。
作為苯并噻唑基硫代化合物可以列舉:以通式(III)所示之苯并噻唑基化合物等,但不侷限於此等。
式中,較佳的烴基為烷基,更佳為碳原子數1至6的烷基。又,n=1至5。作為苯并噻唑基硫代化合物的具體例可以列舉:2-苯并噻唑基硫代乙酸、3-(2-苯并噻唑基硫代)丙酸等,但不侷限於此等。又,作為此鹽可以列舉:硫酸鹽、鹵化鹽、甲磺酸鹽、胺基磺酸鹽、乙酸鹽等,但不侷限於此等。
此等的二硫醚化合物、含硫的胺基酸、苯并噻唑基硫代化合物及此等的鹽,可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。選自由二硫醚化合物、含硫的胺基酸、苯并噻唑基硫代化合物及此等的鹽所成群組之化合物在電鍍浴中之濃度,較佳為0.01至10g/L,更佳為0.05至5g/L。
又,作為含硫有機化合物者,當將選自由二硫醚化合物、含硫的胺基酸、苯并噻唑基硫代化合物、及此等的鹽所成群組之化合物,與選自由磺酸化合物、磺醯亞胺化合物、胺基磺酸化合物、磺醯胺、及此等的鹽所成
群組的化合物併用時更為有效。併用選自由磺酸化合物、磺醯亞胺化合物、胺基磺酸化合物、磺醯胺、及此等的鹽所成群組之化合物係使銅-鎳合金電鍍皮膜緻密化。
作為磺酸化合物及其鹽可以列舉:芳香族磺酸、烯烴磺酸、炔烴磺酸、及此等的鹽等,但不侷限於此等。具體而言可以列舉:1,5-萘二磺酸鈉、1,3,6-萘三磺酸鈉、2-丙烯-1-磺酸鈉等,但不侷限於此等。
作為磺醯亞胺化合物及其鹽可以列舉:苯甲酸磺醯亞胺(糖精)及其鹽等,但不侷限於此等。具體而言可以列舉糖精鈉等,但不侷限於此等。
作為胺基磺酸化合物及其鹽可以列舉:乙醯胺基磺酸鉀,N-環己基胺基磺酸鈉等,但不侷限於此等。
作為磺醯胺及其鹽可以列舉:對甲苯磺醯胺等,但不侷限於此等。
此等的磺酸化合物、磺醯亞胺化合物、胺基磺酸化合物、硫醯胺、及此等的鹽,可以單獨使用,也可以將2種以上混合而使用。選自由磺酸化合物、磺醯亞胺化合物、胺基磺酸化合物、硫醯胺、及此等的鹽所成群組化合物在電鍍浴中的濃度,較佳為0.2至5g/L,更佳為0.4至4g/L。
氧化還原電位調整劑較佳為氧化劑,例如無機系或有機系的氧化劑。作為如此之氧化劑可以列舉例如:過氧化氫水、水溶性含氧酸及其鹽。在水溶性含氧酸及其鹽中係
含有無機系及有機系含氧酸。
在陰極(被鍍物)與陽極間通電以進行電鍍之時,2價銅離子藉由還原反應而以金屬銅的形式被析出在陰極,其次析出的金屬銅是藉由溶解反應等生成1價的銅離子。於是,藉由生成如此之1價銅離子,使電鍍浴的氧化還原電位下降。推測ORP調整劑係藉由將1價銅離子氧化而形成2價銅離子,以防止電鍍浴的氧化還原電位之下降的1價銅離子的氧化劑之形式發揮作用。
作為較佳的無機系含氧酸可以列舉:次氯酸、亞氯酸、氯酸、過氯酸、溴酸等的鹵氧酸及此等的鹼金屬鹽、硝酸及其鹼金屬鹽、以及過硫酸及其鹼金屬鹽。
作為較佳的有機系含氧酸及其鹽可以列舉:3-硝基苯磺酸鈉等的芳香族磺酸鹽、過乙酸鈉等的過羧酸鹽。
又作為pH緩衝劑使用的水溶性無機、有機化合物及此等的鹼金屬鹽也可以作為ORP調整劑使用。作為如此之ORP調整劑較佳可以列舉:硼酸、磷酸、碳酸、及此等的鹼金屬鹽等,以及甲酸、乙酸、琥珀酸等的羧酸及此等的鹼金屬鹽等。
如此之ORP調整劑是可以各別單獨使用,也可以混合2種以上而使用。ORP調整劑為氧化劑的情形時,就添加量而言,通常在0.01至5g/L的範圍中使用,較佳係在0.05至2g/L的範圍中使用。又,ORP調整劑為pH緩衝劑的情形時,通常在2至60g/L的範圍中使用,較佳係在5至40g/L的範圍中使用。
在本發明中,銅-鎳合金電鍍浴中的氧化還原電位(ORP),於電鍍作業時,在電鍍浴溫度中必需經常維持在20mV(比較電極(vs.)Ag/AgCl)以上。在進行電鍍期間(通電時),通常氧化還原電位會經時地下降,但此時,氧化還原電位(ORP)仍經常維持在20mV(vs.Ag/AgCl)以上,因而可以適當追加添加氧化還原電位調整劑後而使用。
浴中的氧化還原電位(ORP)成為20mV(vs.Ag/AgCl)以下時,電鍍的析出會變粗糙且成為凹凸的表面。又,雖然浴中的氧化還原電位(ORP)之上限並沒有限制,但在350mV(vs.Ag/AgCl)以上時,會對浴中所含有的有機物,即(b)金屬錯合劑、(d)含硫有機化合物等造成影響,此等的效果會下降故而不佳。
本發明中,藉由使銅-鎳合金電鍍浴中含有界面活性劑,而使電鍍組成的均勻性、電鍍表面的平滑性提高。作為界面活性劑可以列舉:具有環氧乙烷或環氧丙烷的聚合基、或是環氧乙烷與環氧丙烷的共聚合基之水溶性界面活性劑,及水溶性合成高分子。
水溶性界面活性劑係與離子性無關,可以使用陰離子界面活性劑、陽離子界面活性劑、兩性界面活性劑、非離子界面活性劑之中任何一種,惟較佳為非離子界面活性劑。雖然具有環氧乙烷或環氧丙烷的聚合基、或是環氧乙烷與環氧丙烷的共聚合基,但此等的聚合度為5至250,較佳為10至150。此等的水溶性界面活性劑可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。水溶性界面活性劑在電
鍍浴中之濃度,較佳為0.05至5g/L,更佳為0.1至2g/L。
作為水溶性合成高分子可以列舉縮水甘油醚與多元醇的反應生成物。縮水甘油醚與多價醇的反應生成物,使銅-鎳合金電鍍皮膜緻密化,並進一步具有電鍍組成的均勻化之效果。
作為縮水甘油醚與多元醇的反應生成物之反應原料的縮水甘油醚,可以列舉:在分子內含有二個以上的環氧基的縮水甘油醚、及在分子內含有一個以上的羥基與一個以上的環氧基之縮水甘油醚等,但不侷限於此等。具體而言係有:縮水甘油、甘油聚縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇聚縮水甘油醚等。
作為多元醇可以列舉:乙二醇、丙二醇、甘油(glycerin)、聚甘油等,但不侷限於此等。
縮水甘油醚與多元醇的反應生成物,較佳係藉由縮水甘油醚的環氧基與多元醇的羥基之縮合反應而得到的水溶性聚合物。
此等的縮水甘油醚與多元醇的反應生成物,可以單獨使用,也可以混合2種以上而使用。縮水甘油醚與多元醇的反應生成物在電鍍浴中的濃度,較佳為0.05至5g/L,更佳為0.1至2g/L。
在本發明中,銅-鎳合金電鍍浴的pH係無特別限制,但通常為1至13的範圍,較佳係為3至8的範圍。電鍍浴的pH可以藉由硫酸、鹽酸、溴化氫酸、甲磺
酸、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、乙二胺、二乙三胺、三乙四胺等的pH調整劑而調整。進行電鍍之期間,使用前述pH調整劑以維持在一定的方式來維持電鍍浴之pH為較佳。
其次,針對使用根據本發明的第1、第2實施形態所成之銅-鎳合金電鍍裝置之電鍍方法加以說明。在本實施形態中,就可使用電鍍浴進行電鍍之被鍍物可以列舉:銅、鐵、鎳、銀、金、及此等的合金等。又,基體表面經前述金屬或是合金修飾過的基體也可以作為被鍍物使用。作為如此之基體可以列舉:玻璃基體、陶瓷基體、塑膠基體等。
在進行電鍍之際,作為陽極可以使用:碳、鉑、鍍覆有鉑的鈦、被覆氧化銦之鈦等的不溶解性陽極。又,也可以使用銅、鎳、銅-鎳合金、併用銅與鎳之可溶性陽極等。
又,在本實施形態之電鍍中,電鍍槽中的被鍍基板(陰極)與陽極電極是藉由分隔膜14而分離。作為分隔膜14較佳為中性分隔膜或是離子交換膜。作為中性分隔膜可以列舉:於聚對苯二甲酸乙二酯樹脂基材的聚偏二氟乙烯樹脂氧化鈦/蔗糖脂肪酸酯膜材者等。又,作為離子交換膜以陽離子交換膜為合適。
藉由本實施形態中之銅-鎳合金電鍍浴,可以得到析出金屬皮膜的銅/鎳組成比率為5/95至99/1的任意組成之電鍍皮膜,但較佳為20/80至98/2,更佳為40/60至95/5。
在進行電鍍之際,被鍍物是藉由一般方法在
進行前處理後再進行電覆步驟。於前處理步驟中,進行浸漬脫脂、陰極或陽極電解洗浄、酸洗浄、及活性化的至少1個操作。在各操作之間進行水洗。覆鍍後只要將得到的皮膜水洗浄或熱水洗浄並乾燥即可。又,在銅-鎳合金電鍍後也可以實施抗氧化處理,或鍍錫或鍍錫合金等。在本實施形態中,電鍍浴是藉由適當的補給劑使浴成分保持於一定,而不需進行液更新便可以長時期使用。
將依如此的方式所準備的被鍍物(陰極5),浸漬到陰極室4室內的電鍍液之後,驅動電源部36,於陽極7與被鍍物之間進行通電(電解)。又,驅動陰極室移送裝置32,並藉由陰極室過濾裝置32c使陰極室4及陰極室氧化還原電位調整槽8內的電鍍液一面過濾一面循環。同樣的,驅動陽極室移送裝置34,藉由陽極室過濾裝置34c使陽極室6及陽極室氧化還原電位調整槽10內的電鍍液一面過濾一面循環。藉此可以去除電鍍液中的污泥等。
又,陰極室4內的電鍍液之氧化還原電位係藉由陰極室電位測定裝置38所測定,並輸入到控制部46。控制部46驅動陰極室調整劑添加裝置40,並以使陰極室4內的電鍍液之氧化還原電位成為既定的值之方式,將氧化還原電位調整劑投入到陰極室氧化還原電位調整槽8中。同樣的,陽極室6內的電鍍液之氧化還原電位係藉由陽極室電位測定裝置42所測定,並輸入到控制部46。控制部46驅動陽極室調整劑添加裝置44,並以使陽極室6內的電鍍液之氧化還原電位成為既定的值之方式,將氧化還原電
位調整劑投入到陽極室氧化還原電位調整槽10中。藉此,使陰極室4及陽極室6內的電鍍液之氧化還原電位維持在適當的值。
較佳係電鍍浴(電鍍液)藉由適當的補給劑而將浴成分及浴pH維持於一定。又,在本實施形態中,進行電鍍的期間,以陰極室4內液的氧化還原電位(ORP)經常成為20mV(vs.Ag/AgCl)以上之方式,利用陰極室調整劑添加裝置40來投入氧化還原電位調整劑。又,在本實施形態中,有關陽極室6內液的氧化還原電位(ORP),也以經常成為20mV(vs.Ag/AgCl)以上之方式,利用陽極室調整劑添加裝置44來投入氧化還原電位調整劑。作為氧化還原電位調整劑係適量添加(1)由無機系氧化劑及有機系氧化劑所選出的氧化劑及/或(2)具有pH緩衝性之無機系及有機系化合物。
在本實施形態中使用銅-鎳合金電鍍浴進行電鍍之際,於銅-鎳合金電鍍浴中的被鍍基板與陽極7中,作為電鍍電流可以使用直流或是脈衝電流。
陰極電流密度通常為0.01至10A/dm2,較佳為0.1至8.0A/dm2。
電鍍時間雖然取決於所要求之電鍍膜厚、電流條件,但通常為1至1200分鐘的範圍,較佳為15至800分鐘的範圍內。
浴溫通常為15至70℃,較佳為20至60℃。浴的攪拌可以用:空氣、液流、陰極盪動機、槳葉(以上在圖中沒有
顯示)等的機械式液攪拌來進行。膜厚可為廣範圍者,但一般為0.5至100μm,較佳為3至50μm。
依據本實施形態的銅-鎳合金電鍍裝置1,藉由一面調整氧化還原電位一面進行銅-鎳合金電鍍,而一面使銅與鎳以任意的合金比率析出於被鍍物,一面得到均勻組成的電鍍皮膜。又,藉由調整氧化還原電位,在可以安定地維持浴狀態的同時,即使長期間連續使用電鍍浴(電鍍液)仍可以得到良好的銅-鎳合金電鍍皮膜。
其次,藉由實施例來說明本發明,但本發明並不侷限於此等者。能夠在大幅度的電流密度範圍內於前述目標被鍍物得到銅與鎳以任意的合金比率且均勻組成的電鍍皮膜,並且依照可得到浴安定性優良,且可長期間連續使用之銅-鎳合金電鍍的主旨下,可以任意變更電鍍浴的組成、電鍍條件。
在實施例的電鍍評估中,使用0.5×50×50mm之預先使打底鍍氰化物浴銅析出0.3μm之鐵板(SPCC)的單面經鐵氟龍(註冊商標)膠帶密封者作為試驗片。
又,作為評估使用的試驗片之打底鍍銅的膜厚,係與銅-鎳合金電鍍的膜厚相比為極薄,且對銅-鎳合金電鍍的膜厚及合金組成的影響幾乎可以忽視之水準。
其次,將表-1所示的電鍍液
(I)放入在陽極室6與陰極室4之間設置有分隔膜14(聚丙烯製的布)之電鍍槽2中,(2)在陽極室6設置銅板陽極(陽極7),在陰極室4設置上述試驗片(被鍍物),(3)進行陽極室6與陽極室氧化還原電位調整槽10的循環過濾,進一步,(4)進行陰極室4與陰極室氧化還原電位調整槽8的循環過濾,(5)藉由陽極室氧化還原電位調整槽10及陰極室氧化還原電位調整槽8,一面調整氧化還原電位(ORP),一面在陰極與陽極間通電,以在表-2的條件下進行電鍍。將評估得到的電鍍膜厚與合金組成、電鍍表面狀態、及電鍍外觀(包含色調、平滑性及光澤性)的結果在表-3中表示。
又,本實施例中,作為用以調整氧化還原電位(ORP)的藥品,係使用過氧化氫水。
又,電鍍的膜厚與合金組成、電鍍表面狀態、及電鍍外觀之評估是如下述來進行。
(1)電鍍的膜厚係藉由螢光X射線分析裝置而測定。
(2)電鍍的合金組成係將電鍍截面的合金組成以能量分散型X射線分析裝置來測定,而進行電鍍皮膜的均勻性之評估。
(3)電鍍表面狀態係以掃描型電子顯微鏡來觀察,並進行評估。
(4)電鍍外觀係以目視來觀察。
關於比較例,係將在表-4所示之組成的電鍍液(1)放入未分割成陽極室6、陽極室氧化還原電位調整槽10、陰極室4、及陰極室氧化還原電位調整槽8的4個室之單一槽中,(2)在陽極設置銅板,在陰極設置與實施例使用者同樣的上述之試驗片,於陰極與陽極間通電,以在表-5的條件下進行電鍍。將得到的電鍍之膜厚與合金組成、電鍍表面狀態、及電鍍外觀評估(包含色調、平滑性及光澤性)的結果在表-6中表示。
銅鹽種:胺基磺酸銅(II)(實施例1),硫酸銅(II)(實施例4),乙酸銅(II)(實施例2),甲磺酸銅(II)(實施例3)
鎳鹽種:胺基磺酸鎳(實施例1),硫酸鎳(實施例4),乙酸鎳(實施例2),甲磺酸鎳(實施例3)
pH調整劑:氫氧化鈉(實施例1、2、及3),氫氧化鉀(實施例4)
銅鹽種:胺基磺酸銅(II)(比較例1),硫酸銅(II)(比較例4),乙酸銅(II)(比較例2),甲磺酸銅(II)(比較例3)
鎳鹽種:胺基磺酸鎳(比較例1),硫酸鎳(比較例4),乙酸鎳(比較例2),甲磺酸鎳(比較例3)
pH調整劑:氫氧化鈉(比較例1、2、及3),氫氧化鉀(比較例4)
Claims (6)
- 一種電鍍裝置,係銅-鎳合金電鍍裝置,其特徵為具有:將被鍍物配置在內部之陰極室、陽極室、配置在該陽極室的內部之陽極、以隔開上述陰極室與上述陽極室之方式配置且可進行通電之分隔膜、用以在從上述陰極室流入的電鍍液中添加氧化還原電位調整劑而調整上述陰極室內的電鍍液之氧化還原電位的陰極室氧化還原電位調整槽、用以在從上述陽極室流入的電鍍液中添加氧化還原電位調整劑而調整上述陽極室內的電鍍液之氧化還原電位的陽極室氧化還原電位調整槽、使電流在上述被鍍物與上述陽極之間流通之電源部、使上述陰極室內及上述陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液循環之陰極室循環裝置、以及使上述陽極室內及上述陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液循環之陽極室循環裝置。
- 如申請專利範圍第1項所述之電鍍裝置,其中,上述分隔膜為聚酯、聚丙烯、Kanekalon(商品名)、賽綸或PTFE製造的布、中性分隔膜、或是離子交換膜。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之電鍍裝置,其中,上述陰極室循環裝置具備:使上述陰極室內的電鍍液溢流至上述陰極室氧化還原電位調整槽之陰極室堰部、將上述陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到上述陰極室之陰極室移送裝置、以及將由該陰極室移送裝置所移送的電鍍液過濾之陰極室過濾裝置;上述陽極室循環裝置具備:使上述陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液溢流至上述陽極室之陽極室堰部、將上述陽極室內的電鍍液移送到上述陽極室氧化還原電位調整槽之陽極室移送裝置、以及將由該陽極室移送裝置所移送的電鍍液過濾之陽極室過濾裝置。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之電鍍裝置,其中,上述陰極室循環裝置具備:將上述陰極室內的電鍍液移送到上述陰極室氧化還原電位調整槽之陰極室第1移送裝置、將上述陰極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到上述陰極室之陰極室第2移送裝置、以及將在上述陰極室與上述陰極室氧化還原電位調整槽之間進行循環的電鍍液過濾之陰極室過濾裝置;上述陽極室循環裝置具備:將上述陽極室氧化還原電位調整槽內的電鍍液移送到上述陽極室之陽極室第1移送裝置、將上述陽極室內的電鍍液移送到上述陽極室氧化還原電位調整槽之陽極室第2移送裝置、以及將上述陽極室與上述陽極室氧化還原電位調整槽之間進行循環的電鍍液過濾之陽極室過濾裝置。
- 如申請專利範圍第1或2項任一項所述之電鍍裝置,其更具有:測定上述陰極室內的電鍍液之氧化還原電位的陰極室電位測定裝置;測定上述陽極室內的電鍍液之氧化還原電位的陽極室電位測定裝置;在上述陰極室氧化還原電位調整槽中添加上述氧化還原電位調整劑之陰極室調整劑添加裝置;在上述陽極室氧化還原電位調整槽中添加上述氧化還原電位調整劑之陽極室調整劑添加裝置;以及依據藉由上述陰極室電位測定裝置所測定之氧化還原電位及藉由上述陽極室電位測定裝置所測定之氧化還原電位,而控制上述陰極室調整劑添加裝置及上述陽極室調整劑添加裝置之控制部。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之電鍍裝置,其更具有容納在上述陰極室、上述陽極室、上述陰極室氧化還原電位調整槽、及上述陽極室氧化還原電位調整槽的銅-鎳合金電鍍液,且該銅-鎳合金電鍍液含有:(a)銅鹽及鎳鹽、(b)金屬錯合劑、(c)導電性賦予鹽、及(d)含硫有機化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-212524 | 2014-10-17 | ||
JP2014212524A JP6435546B2 (ja) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | 銅−ニッケル合金電気めっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201615900A TW201615900A (zh) | 2016-05-01 |
TWI651438B true TWI651438B (zh) | 2019-02-21 |
Family
ID=55746382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104125581A TWI651438B (zh) | 2014-10-17 | 2015-08-06 | 銅-鎳合金電鍍裝置 |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10538854B2 (zh) |
EP (1) | EP3208364B1 (zh) |
JP (1) | JP6435546B2 (zh) |
KR (1) | KR101916614B1 (zh) |
CN (1) | CN107075713B (zh) |
BR (1) | BR112017007630A2 (zh) |
MX (1) | MX2017004574A (zh) |
MY (1) | MY190427A (zh) |
PH (1) | PH12017500597A1 (zh) |
RU (1) | RU2648811C1 (zh) |
SG (1) | SG11201703049XA (zh) |
TW (1) | TWI651438B (zh) |
WO (1) | WO2016059833A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6834070B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2021-02-24 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品の製造方法 |
KR101872734B1 (ko) * | 2017-07-20 | 2018-06-29 | 주식회사 익스톨 | 니켈 전기 도금액 및 이를 이용한 전기 도금 방법 |
JP2020097764A (ja) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置、及びそれを用いた金属膜の形成方法 |
CN110387573B (zh) * | 2019-07-04 | 2021-01-05 | 广州兴森快捷电路科技有限公司 | 多废液分流方法及电镀生产系统 |
CA3109026A1 (en) * | 2020-02-18 | 2021-08-18 | Magna Exteriors Inc. | Tailgate accessibility |
CN112126953B (zh) * | 2020-09-10 | 2024-07-16 | 深圳市生利科技有限公司 | 一种铜-镍合金电镀工艺 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI281516B (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-21 | Ebara Corp | Plating apparatus and plating method |
TW201402878A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-01-16 | Dipsol Chem | 銅-鎳合金電鍍浴及電鍍方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1019027A1 (ru) * | 1982-02-16 | 1983-05-23 | Проектно-конструкторский технологический институт машиностроения | Ванна дл гальванической обработки деталей |
JPH04198499A (ja) * | 1990-07-20 | 1992-07-17 | Asahi Glass Co Ltd | 電位調節機構を有する銅溶解槽 |
TW473811B (en) | 1998-11-30 | 2002-01-21 | Ebara Corp | Plating apparatus |
KR20020092444A (ko) * | 2001-02-23 | 2002-12-11 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 구리-도금 용액, 도금 방법 및 도금 장치 |
JP2003183898A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Toho Kako Kensetsu Kk | めっき液濃度自動調整装置及び方法 |
US20040007473A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-15 | Applied Materials, Inc. | Electrolyte/organic additive separation in electroplating processes |
IES20030443A2 (en) * | 2003-06-16 | 2004-12-01 | Fraudhalt Ltd | A method and apparatus for determining if an optical disk originated from a valid source |
US8128791B1 (en) | 2006-10-30 | 2012-03-06 | Novellus Systems, Inc. | Control of electrolyte composition in a copper electroplating apparatus |
US8694950B2 (en) * | 2010-07-24 | 2014-04-08 | Cadence Design Systems, Inc. | Methods, systems, and articles of manufacture for implementing electronic circuit designs with electrical awareness |
JP5631775B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2014-11-26 | 新光電気工業株式会社 | 複合めっき液 |
US9518332B2 (en) * | 2011-03-17 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrochemical plating |
JP6047711B2 (ja) * | 2012-02-08 | 2016-12-21 | 石原ケミカル株式会社 | 無電解ニッケル及びニッケル合金メッキ方法、並びに当該メッキ用の前処理液 |
-
2014
- 2014-10-17 JP JP2014212524A patent/JP6435546B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-25 BR BR112017007630-6A patent/BR112017007630A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2015-06-25 MX MX2017004574A patent/MX2017004574A/es unknown
- 2015-06-25 EP EP15849917.8A patent/EP3208364B1/en active Active
- 2015-06-25 KR KR1020177009288A patent/KR101916614B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-25 WO PCT/JP2015/068332 patent/WO2016059833A1/ja active Application Filing
- 2015-06-25 CN CN201580055714.5A patent/CN107075713B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 US US15/519,474 patent/US10538854B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 RU RU2017116979A patent/RU2648811C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-06-25 MY MYPI2017000473A patent/MY190427A/en unknown
- 2015-06-25 SG SG11201703049XA patent/SG11201703049XA/en unknown
- 2015-08-06 TW TW104125581A patent/TWI651438B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-03-31 PH PH12017500597A patent/PH12017500597A1/en unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI281516B (en) * | 2000-03-17 | 2007-05-21 | Ebara Corp | Plating apparatus and plating method |
TW201402878A (zh) * | 2012-04-19 | 2014-01-16 | Dipsol Chem | 銅-鎳合金電鍍浴及電鍍方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016079460A (ja) | 2016-05-16 |
EP3208364B1 (en) | 2019-08-07 |
RU2648811C1 (ru) | 2018-03-28 |
PH12017500597A1 (en) | 2017-08-30 |
BR112017007630A2 (pt) | 2018-01-30 |
US10538854B2 (en) | 2020-01-21 |
KR101916614B1 (ko) | 2018-11-07 |
MY190427A (en) | 2022-04-21 |
US20170241040A1 (en) | 2017-08-24 |
SG11201703049XA (en) | 2017-05-30 |
TW201615900A (zh) | 2016-05-01 |
JP6435546B2 (ja) | 2018-12-12 |
KR20170053675A (ko) | 2017-05-16 |
MX2017004574A (es) | 2017-07-17 |
CN107075713A (zh) | 2017-08-18 |
EP3208364A4 (en) | 2018-05-30 |
CN107075713B (zh) | 2019-09-24 |
EP3208364A1 (en) | 2017-08-23 |
WO2016059833A1 (ja) | 2016-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |