TWI650538B - 具有保護層之感應器 - Google Patents

具有保護層之感應器 Download PDF

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TWI650538B
TWI650538B TW103119688A TW103119688A TWI650538B TW I650538 B TWI650538 B TW I650538B TW 103119688 A TW103119688 A TW 103119688A TW 103119688 A TW103119688 A TW 103119688A TW I650538 B TWI650538 B TW I650538B
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理查Ａ 庫克
喬治 科內拉
文聖仁
查理斯Ｗ 艾克斯查德
約翰Ｅ 皮萊恩
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美商恩特葛瑞斯股份有限公司
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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    • G01L19/06—Means for preventing overload or deleterious influence of the measured medium on the measuring device or vice versa
    • G01L19/0627—Protection against aggressive medium in general
    • G01L19/0645—Protection against aggressive medium in general using isolation membranes, specially adapted for protection
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
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Abstract

本發明係關於一種感應器，其包含：一感應層，其包含一陶瓷材料；及一黏著層，其包含鉻，該黏著層黏附至該感應層的一面向液體之表面的一或多個部分；及一隔離膜，其包含一聚合物，該隔離膜覆疊該黏著層的一面向液體之表面。該隔離膜可用以保護該感應器免受腐蝕及高溫流體，例如，保護該感應器以免長期曝露於85℃與100℃之間的熱水。

Description

具有保護層之感應器 【相關申請案】
本申請案主張2013年6月7日申請之美國臨時申請案第61/832,382號的權利；且主張2013年6月18日申請之美國臨時申請案第61/836,390號的權利；且主張2013年8月23日申請之美國臨時申請案第61/869,417號的權利。以上申請案之完整教示以引用的方式併入本文中。
本發明係關於一種感應器，其包含：一感應層，其包含一陶瓷材料；一黏著層，其包含鉻，該黏著層黏附至該感應層的一面向液體之表面的一或多個部分；及一隔離膜，其包含一聚合物，該隔離膜覆疊該黏著層的一面向液體之表面。該隔離膜可用以保護該感應器免受腐蝕及高溫流體，例如，保護該感應器以免長期曝露於85℃與100℃之間的熱水。
壓力感應器廣泛地用於半導體製造中以量測液體化學品之壓力及流量。舉例而言，整合式流量控制器(Integrated Flow Controller；IFC)具有兩個此類感應器。此等感應器常常必須與液體化學品隔離，以保護感應器免受腐蝕且保護化學品免受污染。在過去，藉由將疏鬆氟聚合物膜置放於感應器與化學品之間來實現感應器隔離。隨著時間推移，曝露於熱及真空可引起隔離膜之永久變形，此情形又影響感應器效能。
亦使用黏著劑來將隔離膜緊固至感應器。然而，已觀測到，當隔離膜在延長之時間週期內曝露於熱去離子水時，可在隔離膜下方形成氣泡或水泡且可發生膜與感應器之分層。
持續需要用以保護感應器免受腐蝕及高溫流體(例如，長期曝露於85℃與100℃之間的熱水)之隔離膜。
在本發明之一版本中，提供一種感應器，其包含：一感應層，其包含一陶瓷材料；一黏著層，其包含鉻，該黏著層黏附至該感應層的一面向液體之表面的一或多個部分；及一隔離膜，其包含一聚合物，該隔離膜之一或多個部分結合至該黏著層的一面向液體之表面。
在其他相關版本中，該黏著層可包含一鉻合金及氧化鉻中之至少一者。該黏著層可包含一鉻鉑合金。該黏著層可包含具有至少99.9%之一純度的鉻。該黏著層可包含在約10奈米(nm)與約2微米之間的一厚度；諸如在約30奈米(nm)與約60奈米(nm)之間的一厚度。該黏著層可包含一用物理氣相沈積法沈積之層。該黏著層可為以下情形中之至少一者：貼附及結合至該感應層的該面向液體之表面。該陶瓷材料可包含氧化鋁，諸如在約93%與約96%之間的氧化鋁，或在約96%之氧化鋁與約99.8%之氧化鋁之間的氧化鋁。該隔離膜可包含氟聚合物；諸如以下各者中之至少一者中的至少一者：全氟烷氧基物(perfluoroalkoxy；PFA)、氟化乙烯丙烯(fluorinated ethylene propylene；FEP)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene；PTFE)，及聚三氟氯乙烯(polychlorotrifluoroethylene；PCTFE)。該隔離膜可包含以下各者中之至少一者：經層壓之氟聚合物膜、經射出模製之氟聚合 物膜，及經噴塗及燒結之氟聚合物膜。該隔離膜可包含在約0.001吋與約0.005吋之間的一厚度，諸如小於約0.001吋之一厚度。
在其他相關版本中，該感應器可包含一液壓感應器、一流量感應器及一黏度感應器中之至少一者；且可包含用於在約85℃與約100℃之間的一溫度下之去離子水的一感應器。該隔離膜與該黏著層之間的該結合的特徵可在於：在將密封於一外殼中之該感應器曝露於在85℃與100℃之間的一溫度下之熱去離子水歷時至少3週之後，無可見水泡形成於該隔離膜與該黏著層之間。可藉由(諸如)在大於約300 C之一溫度下歷時至少約10分鐘的熱層壓將該隔離膜之一或多個部分結合至該黏著層。可藉由熱層壓後接續至少約30分鐘之冷卻將該隔離膜之一或多個部分結合至該黏著層。
在其他相關版本中，該隔離膜之至少一部分可滲入至該黏著層之一表面中的微結構開口中。該隔離膜之一或多個部分可藉由雷射熔接而結合至該黏著層。該感應層可進一步包含在該隔離膜與該黏著層之間的一多孔聚合材料。該感應器可進一步包含將該隔離膜結合至該多孔聚合材料之一黏著劑。該感應器可進一步包括排放來自該感應器之氣體或蒸汽的一或多個排氣通路；且可包括在該隔離膜與該黏著層之間的一或多個排氣通路。在塗覆該隔離膜之前，該黏著層可包含大於約0.7微米之粗糙度平均值(roughness average；Ra)且大於約0.8微米之粗糙度均方根(root mean squared；rms)的一表面粗糙度。
雖然已展示體現本發明之態樣的若干例示性物件、組成物、設備及方法，但當然將理解，本發明不限於此等版本。熟習此項技術者可 尤其鑒於前述教示而作出修改。舉例而言，一版本之組件及特徵可取代另一版本之對應組件及特徵。另外，本發明可包括此等版本之各種態樣的任何組合或子組合。
1‧‧‧隔離膜
2‧‧‧陶瓷感應層
3‧‧‧黏著層
10‧‧‧測試裝備
12‧‧‧貯槽
14‧‧‧封閉環通管線
16‧‧‧封閉環通管線
18‧‧‧封閉環通管線
20‧‧‧測試單元
22‧‧‧測試單元
24‧‧‧測試組件
26‧‧‧泵
28‧‧‧閥
200‧‧‧感應器結構
201‧‧‧非多孔聚合隔離膜
202‧‧‧陶瓷感應層
203‧‧‧黏著層
204‧‧‧多孔聚合材料
205‧‧‧液體
206‧‧‧蒸汽
300‧‧‧感應器結構
301‧‧‧非多孔聚合隔離膜
302‧‧‧陶瓷感應層
303‧‧‧通道
305‧‧‧液體
307‧‧‧通道
308‧‧‧結合部分
309‧‧‧非結合部分
400‧‧‧感應器結構
401‧‧‧非多孔聚合隔離膜
402‧‧‧陶瓷感應層
403‧‧‧黏著層
407‧‧‧通道
410‧‧‧互連通道
411‧‧‧O形環
412‧‧‧雷射熔接部分
500‧‧‧感應器
501‧‧‧聚合隔離膜
601‧‧‧氟聚合物隔離膜
602‧‧‧黏著層
603‧‧‧黏著層
614‧‧‧加熱壓板
615‧‧‧順應層
616‧‧‧陶瓷平板
617‧‧‧順應層
618‧‧‧鋁箔層
619‧‧‧矽或石英複製晶圓
620‧‧‧陶瓷平板
621‧‧‧加熱壓板
701‧‧‧隔離膜
702‧‧‧感應器
703‧‧‧感應器
714‧‧‧加熱壓板
721‧‧‧加熱壓板
722‧‧‧非固著材料
723‧‧‧石英平板
801‧‧‧隔離膜
802‧‧‧感應面
803‧‧‧感應面
824‧‧‧非固著膜
825‧‧‧第二非固著膜
826‧‧‧玻璃塊
827‧‧‧聚矽氧層
828‧‧‧雷射
929‧‧‧PFA膜
1030‧‧‧感應器
1031‧‧‧感應器
1032‧‧‧感應器
Fa至Ff‧‧‧快速冷卻跡線
M‧‧‧中等速度冷卻跡線
Pa至Pc‧‧‧緩慢冷卻跡線
將自如在隨附圖式(其中同樣參考字元貫穿不同視圖指相同零件)中說明的本發明之實例具體實例之以下更特定描述而顯而易見前述內容。圖式未必按比例繪製，而是著重說明本發明之具體實例。
圖1為根據本發明之版本的感應器之圖。
圖2為根據本發明之版本的包括多孔材料之感應器結構的側視圖。
圖3為根據本發明之版本的包括具有通道之黏著層的感應器結構的側視圖。
圖4A及圖4B(分別)為根據本發明之版本的感應器結構之側視圖及俯視圖，該感應器結構包括互連通道及可用以將感應器密封於外殼中之O形環。
圖5為根據本發明之版本的使用聚合隔離膜至底層黏著層之點結合的感應器之俯視圖。
圖6為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻黏著層的方法之圖。
圖7為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻黏著層的另一方法之示意圖，其中使用單一感應器電阻加熱系統。
圖8為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻 黏著層的另一方法之示意圖，其中使用雷射層壓。
圖9為根據本發明之版本的層壓於Al2O3/Cr感應器表面上之PFA膜的掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)橫截面影像。
圖10為說明根據本發明之版本的在實驗中的製程時間及溫度與通過熱水測試(在85℃水中未分層)之關係曲線的曲線圖。
圖11為根據本發明之版本的感應器之所量測表面粗糙度的曲線圖。
圖12為根據本發明之版本的可用於感應器之熱DI水測試的測試裝備之示意圖。
圖式中之元件符號的簡要描述
圖1中之元件符號
1：隔離膜
2：感應層
3：黏著層
圖2中之元件符號
200：感應器結構
201：隔離膜
202：感應層
203：黏著層
204：多孔材料
205：液體
206：蒸汽
圖3中之元件符號
300：感應器結構
301：隔離膜
302：感應層
303：通道
305：液體
306：排氣
307：通道
308：結合部分
309：非結合部分
圖4A及圖4B中之元件符號
400：感應器結構
401：隔離膜
402：感應層
403：黏著層
407：通道
410.互連通道
411.O形環
412：雷射熔接部分
圖5中之元件符號
501：隔離膜
513：點結合
圖6中之元件符號
601：隔離膜
602/603：黏著層
614：加熱壓板
615：順應層
616：陶瓷平板
617：順應層
618：鋁箔層
619：複製晶圓
620：陶瓷平板
621：加熱壓板
圖7中之元件符號
701：隔離膜
702/703：感應器
714：加熱壓板
721：加熱壓板
722：非固著材料
723：石英平板
圖8中之元件符號
801：隔離膜
802/803：感應面
824：非固著膜
825：非固著膜
826：玻璃塊
827：聚矽氧層
828：雷射
圖9中之元件符號
929：PFA膜
圖10中之元件符號
1030：快速冷卻
1031：中等速度冷卻
1032：緩慢冷卻
Fa至Ff：快速冷卻跡線
M：中等速度冷卻跡線
Pa至Pc：緩慢冷卻跡線
圖11中之元件符號
無
圖12中之元件符號
10：測試裝備
12：貯槽
14：管線
16：管線
18：管線
20：測試單元
22：測試單元
24：測試組件
26：泵
28：閥
雖然已參考本發明之實例具體實例特定展示及描述本發明，但熟習此項技術者應理解，在不脫離由隨附申請專利範圍涵蓋的本發明之範疇之情況下，可在其中進行形式及細節之各種改變。
雖然描述各種組成物及方法，但應理解，本發明不限於所描述之特定分子、組成物、設計、方法或協定，因為其可能變化。亦應理解，在描述中使用之術語僅係為了描述一或多個特定版本之目的，且並不意欲限制本發明之範疇，本發明之範疇將僅由隨附申請專利範圍限制。
亦必須注意，如在本文中及在隨附申請專利範圍中所使用，除非上下文另有清晰指示，否則單數形式「一」及「該」包括複數參考。因此，例如，對「氟聚合物」之參考為對熟習此項技術者所已知之一或多個氟聚合物及其等效物等的參考。除非另外界定，否則本文中所使用之所有技術及科學術語具有與一般熟習此項技術者通常所理解的意義相同的意義。在實踐或測試本發明之版本時可使用類似或等效於本文中所描述之方法及材料的方法及材料。本文中所提及之所有公開案以其全文引用之方式併入本文中。不應將本文中之任何內容解釋為承認本發明無權先於根據先前發明之此揭示內容。「可選」或「視情況」意謂隨後描述之事件或情況可 能發生或可能不發生，且該描述包括事件發生之例子及事件不會發生之例子。無論是否明確指示，本文中之所有數值均可由術語「約」修飾。術語「約」大體上係指熟習此項技術者將視為與所敍述值等效(亦即，具有相同功能或結果)之數字範圍。在一些版本中，術語「約」係指所陳述值之±10%，在其他版本中，術語「約」係指所陳述值之±2%。雖然依據「包含」各種組份或步驟(解譯為意謂「包括(但不限於)」)來描述組成物及方法，但組成物及方法亦可「基本上由各種組份及步驟組成」或「由各種組份及步驟組成」，此術語應被解譯為基本上界定封閉成員群組。
在不希望受理論約束之情況下，認為在85℃與100℃之間的熱水滲透穿過氧化鋁感應器上之隔離膜，且侵蝕(水解)氧化鋁感應器之表面，藉此弱化隔離膜與氧化鋁感應器表面之間的黏著力，且藉此引起隔離膜之分層。咸信，此故障模式亦可在可大體上用於感應器之其他陶瓷基板的情況下發生。
防止在延長時間內曝露於85℃與100℃之間的熱水期間結合至陶瓷感應器之聚合隔離膜之分層及/或變形的本發明之一版本為具有在陶瓷感應器的面向液體之表面與在陶瓷感應器的面向液體之表面頂上的聚合隔離物之間的黏著層的感應器。防止在延長時間內曝露於85℃與100℃之間的熱水期間結合至陶瓷感應器之聚合隔離膜之分層及/或變形的本發明之另一版本為具有結合至陶瓷感應器的面向液體之表面的聚合隔離物之感應器，該感應器具有一或多個通路以供所滲透蒸汽自陶瓷感應器與經結合之隔離膜之間通氣。在防止在延長時間內曝露於85℃與100℃之間的熱水期間結合至陶瓷感應器之聚合隔離膜之分層及或變形的本發明之再其他版本 中，提供一種感應器，其具有在陶瓷感應器的面向液體之表面與在陶瓷感應器的面向液體之表面頂上的聚合隔離物之間的黏著層，且包括一或多個通路以供所滲透蒸汽自陶瓷感應器與經結合之隔離膜之間通氣。
根據本發明之版本，氧化鋁感應器上的用物理氣相沈積法沈積之鉻塗層與覆疊之經層壓之氟聚合物膜(諸如，FEP、PTFE、PCTFE或PFA)的組合為壓力感應器提供穩定、持久的低金屬含量障壁。
圖1為根據本發明之版本的感應器之圖。包含陶瓷材料之感應層2塗佈有包含鉻之黏著層3。鉻黏著層3為對水之有效障壁及用於隔離膜1之黏著促進劑。包含聚合物之隔離膜1(其可為氟聚合物膜(諸如(但不限於)FEP、PTFE、PCTFE或PFA))覆疊黏著層3的面向液體之表面。舉例而言，隔離膜1可直接層壓至黏著層3之接觸液體面，或藉由本文中所教示的包括黏著劑結合之其他技術而結合。隔離膜1之厚度可(例如)在約0.001吋與約0.005吋之間，詳言之，厚度小於約0.001吋。隔離膜1可具有小於約2微米之粗糙度。感應層2可為陶瓷材料。舉例而言，陶瓷感應層2可由氧化鋁或藍寶石以及類似二氧化鈦、氧化銥、SnO2、鈣鈦礦、氧化釔及SrTiO3之陶瓷組成。感應器可為陶瓷感應器，諸如低氧化鋁含量感應器，例如，具有在約93%與約96%之間的氧化鋁的感應器，或諸如高氧化鋁含量感應器，例如，具有在約96%之氧化鋁與約99.8%之氧化鋁之間的氧化鋁的感應器。感應器可供(諸如)在約85℃與100℃之間的熱去離子水使用，且可供半導體製造液使用；用作液壓感應器；用作流量感應器；及/或用作黏度感應器。
在一版本中，鉻黏著層3可包括鉻，諸如具有至少約99.9% 之純度的鉻，及/或可包括(諸如)在表面層中之氧化鉻，及/或可包括鉻合金(諸如，鉻鉑合金)。鉻黏著層3之厚度可(例如)在約100埃(10奈米)與約2微米之間。舉例而言，鉻黏著層3可包含在約30奈米(nm)與約60奈米(nm)之間的厚度。鉻黏著層3黏附至感應器的面向液體之表面，且可貼附或結合至感應器的面向液體之表面。
在一版本中，隔離膜1結合至黏著層3的面向液體之表面，隔離膜1與黏著層3之間的結合之特徵在於：在將感應器曝露於在85℃與100℃之間的熱去離子水歷時至少3週之後，無可見水泡形成於隔離膜1與黏著層3之間；及/或隔離膜1在此等條件下在至少3週內保持透明。
在感應器之一版本中，聚合隔離膜1直接結合至陶瓷感應層2，或替代地直接結合至黏著層3。可使用雷射達成結合。隔離膜1之多個部分可保持未結合以產生供排放蒸汽之通路。多孔材料可定位於聚合隔離膜1與陶瓷感應器之間，且結合至任一者或兩者。
在本發明之一版本中，多孔材料定位於非多孔或緻密聚合隔離膜1與覆疊陶瓷感應層2的面向液體之側面的黏著層3之間。多孔材料可提供一或多個通路(例如，孔隙)，其允許蒸汽滲透穿過聚合隔離膜1以排放至感應器外殼中之管或排水孔。多孔材料可為諸如微孔聚合隔膜之多孔聚合材料。非多孔膜及多孔膜至彼此及至黏著層之選擇性結合亦可用以提供通氣路徑以供化學品滲透，從而逃逸。
圖2為根據本發明之版本的包括多孔材料之感應器結構200的側視圖。非多孔聚合隔離膜201結合至多孔聚合材料204；多孔聚合材料204結合至覆疊陶瓷感應層202的面向液體之表面的黏著層203(未展示通 道)。液體205經說明為滲透非多孔聚合膜，且液體蒸汽206可經由通路(孔隙)穿過多孔聚合材料204而自感應器200排放至排水孔或其他孔道，且自感應器外殼(圖中未示)而移除。在一些版本中，亦可圖案化黏著層203(例如，參見圖3及圖4)。在其他版本中，多孔材料204結合至黏著層203之一或多個部分以形成通路，從而自感應器排放蒸汽或氣體。用於多孔材料層204(以及用於隔離膜201)之聚合物可為用於半導體流體處置及過濾裝置中之彼等聚合物。舉例而言，一或多個聚合物可為氟聚合物、聚醚醚酮(polyether ether ketone；PEEK)、聚醚酮(polyether ketone；PEK)、聚醚碸、超高分子量聚乙烯或此等聚合物之組合。多孔材料204可為微孔隔膜、非編織物或網狀物；諸如聚合微孔隔膜或聚合網狀物。
圖3為根據本發明之版本的包括具有通道303之黏著層的感應器結構300的側視圖。非多孔聚合隔離膜301結合至覆疊陶瓷感應層302的面向液體之表面的黏著層之部分308(亦展示通道上之非結合部分309)。滲透穿過非多孔聚合膜301之液體305可經由通道307自感應器300排放(306)至感應器外殼中之排水孔或其他孔道(圖中未示外殼及排水孔)。通道307可為獨立的或互連的。通道307可蝕刻至黏著層303中，或亦可藉由在初始扁平黏著層頂上沈積圖案化層來形成。
圖4A及圖4B(分別)為根據本發明之版本的感應器結構400之側視圖及俯視圖，該感應器結構包括互連通道410及可用以將感應器400密封於外殼中之O形環411。圖4A及圖4B亦說明感應器結構400之版本，其中非多孔聚合隔離膜401結合至覆疊陶瓷感應層402的面向液體之表面的黏著層403之數個部分。滲透穿過非多孔聚合膜之液體可經由通道407 自感應器排放至感應器外殼中之排水孔或其他孔道(圖中未示外殼及排水孔)。在非限制性實例中，將通道407展示為互連的(410)。通道407可蝕刻至黏著層403中，或亦可藉由在初始扁平黏著層403頂上沈積圖案化層來形成。在此說明中，通道407經圖案化至陶瓷感應層402之表面。O形環411可用以將感應器400密封於外殼中。O形環411在密封外殼期間之壓縮並不會完全封閉隔離膜401下方之通路，且蒸汽仍可自感應器400而移除。可調整隔離膜401下方之通路的形狀、大小、敞開面積及數目以准許排放蒸汽以用於不同應用及密封條件。在一版本中，隔離膜401之數個部分412經雷射熔接以將隔離膜401之彼等部分412結合至底層圖案化之黏著層403。在另一版本中，聚合隔離膜401直接結合至陶瓷感應層402之一或多個部分，黏著層403不存在，且形成用於排放滲透聚合隔離物401之蒸汽的通路。
圖5為根據本發明之版本的使用聚合隔離膜501至底層黏著層(圖中未示)之點結合的感應器500之俯視圖。在一版本中，聚合隔離膜501直接點結合(513)至陶瓷感應層。在本發明之替代版本中，可遮蔽黏著層以在陶瓷感應層之數個部分上形成結合襯墊(圖中未示)。可使用雷射在聚合隔離膜501與黏著層結合襯墊之間進行點結合(513)；且聚合隔離膜501之未結合部分形成陶瓷感應層與聚合隔離物501之間的通路(在此狀況下為排氣通道)。
在本發明之一版本中，一種製造方法包含首先預處理感應器元件。舉例而言，可用丙酮及異丙醇對陶瓷感應器進行超聲波清洗。將零件裝載至磁控濺鍍工具中。在一實例中，將系統泵抽至1e-6托，且使用13.56 RF功率、10毫托氬氣、600V DC偏移電壓在氬氣中濺鍍蝕刻零件歷時10分鐘。接著使用磁控濺鍍將零件沈積於具有30至60奈米(nm)之99.9%鉻的一面上。舉例而言，可使用5毫托氬氣及1200瓦特DC功率。可使用其他預處理技術，諸如熱處理、離子轟擊及紫外線處理。又，可使用其他沈積方法，諸如RF二極體濺鍍或任何物理氣相沈積方法，包括蒸鍍。隨後，將氟聚合物或其他類型之隔離膜層化於鉻黏著層之上，該層化可藉由本文中所教示之若干技術中之任一者來執行。舉例而言，在一版本中，將氟聚合物隔離膜噴塗及燒結至鉻黏著層上。將氟聚合物粒子之分散液噴塗至黏著層上且接著將其燒結。每一燒結層之厚度可為約0.5密耳(0.0005吋)，且可重複每一燒結層直至形成厚度為約5密耳(0.005吋)之氟聚合物膜為止。替代地，可使用隔離膜之射出模製、層壓、雷射結合及/或黏著劑結合。
圖6為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻黏著層的方法之圖。在一版本中，可使用Carver壓機，如圖6中所展示。舉例而言，可以三角形或六邊形圖案來一次製備3至5個樣本。可每零件使用每平方吋200磅(PSI)之壓力(600至1000 lbs之柱塞壓力)。舉例而言，可如下使用加熱循環：針對PCTFE之212℃；針對FEP之295℃；及針對PFA之385℃。可使用30分鐘浸泡，其中緩慢冷卻至室溫。如圖6中所展示，堆疊包括(自上而下)加熱壓板614、順應層615、陶瓷平板616、順應層617、鋁箔層618、矽或石英複製晶圓619、氟聚合物隔離膜601(諸如，FEP、PFA、PTFE或PCTFE)、具有黏著層602/603之感應器、陶瓷平板620及加熱壓板621。加熱壓板614及621分別為Carver壓機之頂部及底部壓板。順應層615包含有助於分散負載之石墨填料或陶瓷紙。陶瓷平板 616及620為(例如)6吋直徑之氧化鋁板以提供扁平的均勻裝載表面。順應層617可為用於負載分散之石墨填料或陶瓷紙。鋁箔層618為防止固著之脫模層。矽或石英複製晶圓619為塗佈有Frecote脫模劑之扁平且經拋光圓片。經拋光表面使層壓膜保持光滑且扁平。舉例而言，氟聚合物隔離膜601之厚度可為約0.001吋或小於0.001吋。
圖7為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻黏著層的另一方法之示意圖式，其中使用單一感應器電阻加熱系統。該方法比圖6之方法稍簡單，此係因為層壓系統可使用彈簧均勻地分散力且因此無需使用順應層。在圖7之方法中，在壓縮堆疊中自上而下使用以下組件，其中在堆疊之頂部施加壓縮力：加熱壓板714、感應器702/703、隔離膜701、非固著材料722(諸如，由Delaware,U.S.A.之E.I.du Pont de Nemours and Company出售的Kapton®膜，或由Dusseldorf,Germany之Henkel AG & Company,KGaA出售的Frekote 55-NC)、石英平板723及加熱壓板721。
然而，藉由壓縮模製壓機層壓可存在缺陷，如在圖6及圖7之版本中。此製程為需要將整個感應器加熱至氟聚合物之熔融溫度(其可超過300℃)的緩慢製程。將感應器基板加熱至此等高溫可損害焊料及安裝於感應器的與面向液體之表面對置的側面上的感應器之電子組件。
因此，在本發明之另一版本中，將聚合膜雷射熔接至陶瓷基板或陶瓷基板頂上之黏著層允許聚合隔離膜在感應器表面附近局部地熔融，但不會對整個感應器加熱。雷射熔接亦允許將聚合隔離膜之數個部分結合至底層陶瓷或黏著層，而其他部分可保持未結合。部分地結合聚合隔離膜允許在聚合隔離物下方形成排氣通道，其可允許滲透蒸汽(例如，水 蒸汽)自隔離物下方通氣或清除。
圖8為根據本發明之版本的將隔離膜層壓至感應器上之鉻黏著層的另一方法之示意圖式，其中使用雷射層壓。諸如Kapton®膜之非固著膜824、825用於層壓堆疊中。將一非固著膜824置放於玻璃塊826與感應面802/803上方的隔離膜801(諸如，PFA澄明膜)之間，且將第二非固著膜825置放於陶瓷感應器之底部與聚矽氧層827之間，該聚矽氧層構成層壓堆疊之基礎層。玻璃塊826用以分散力且，連同壓機一起在隔離膜801與由雷射828加熱的感應器之面802/803之間提供層壓壓力。
在本發明之一版本中，非多孔或緻密聚合膜結合至覆疊陶瓷感應層的面向液體之表面的黏著層。聚合物隔離膜可藉由雷射熔接來結合。雷射熔接可用以將實質上整個聚合膜結合至黏著層，或在一些具體實例中，雷射熔接可用以結合聚合膜之數個部分，而其他部分未結合。聚合膜之未結合部分可形成黏著層之表面與聚合隔離膜之底側之間的排氣通道。
用以結合非多孔或緻密聚合膜之雷射束可具有大的射束光點或窄的射束光點。較大射束光點可用以均勻地加熱聚合物膜上之所關注區域。或者，較窄射束光點雷射可跨越聚合膜而光柵化以結合該膜，且可進一步使加熱最小化並提供熔接協定之靈活性。
在製造塗佈有聚合物膜之感應器之方法的一些版本中，可使用由(例如)氟聚合物聚合膜更強地吸收的特定波長之雷射；或可將光吸收體(諸如，碳黑)添加至氟聚合物以使得其更強地吸收。
在一些版本中，可在感應器的面向液體之側面上遮蔽黏著 層，以使得陶瓷感應器之一些部分塗佈有黏著層且陶瓷感應器之一些部分未經塗佈。在本發明之一版本中，可使用光柵化雷射將覆疊之非多孔或緻密聚合膜僅結合至存在黏著層的陶瓷感應器之彼等部分，且在不存在黏著層之部分處保持未結合(例如，藉由關閉雷射)。聚合隔離膜之未結合部分可提供一或多個通路(在此狀況下為通道)，其允許蒸汽滲透穿過聚合膜層以排放至管或排水孔且自含有感應器之外殼移除蒸汽。
在本發明之一些版本中，光柵型雷射熔接技術可用以在感應器之整個表面上熔融結合非多孔氟聚合物膜，且亦可用以將膜之一部分選擇性地熔接至感應器表面。此部分熔接之膜提供通氣路徑以供化學品滲透，從而逃逸。可使通氣路徑或通道圖案變化以平衡氣體及蒸汽之黏著力、隔離物變形及間質流量。
在不希望受物理理論約束之情況下，咸信，藉由流動至陶瓷表面之微結構中的熔融之隔離膜(諸如，PFA)以機械方式發生隔離膜(諸如，PFA膜)至塗佈有黏著層之陶瓷感應器(諸如，Al2O3/Cr)的層壓。因此，在一版本中，隔離膜之至少一部分滲入至黏著層之表面中的微結構開口中。圖9為根據本發明之版本的層壓於Al2O3/Cr感應器表面上之PFA膜929的掃描電子顯微鏡(SEM)橫截面影像。此掃描電子顯微鏡影像可用以判定隔離膜是否已滲入至黏著層之表面中的微結構開口中。另外，咸信，此滲入係藉由薄隔離膜來促進，尤其為具有小於約0.001吋之最終膜厚度的隔離膜。因此，在一版本中，隔離膜包含小於約0.001吋之厚度。隔離膜(諸如，PFA)流動「濕化」基板之能力取決於溫度、壓力及時間。因此，咸信，在使用較長製程時間及較高溫度時，達成隔離膜至黏著層之結合的較大成 功率。咸信，製程溫度與水泡形成(隔離膜結合之故障)成反比，其中所需之最低溫度大於用於隔離膜之聚合物的熔點(例如，對於PFA聚合物為約300 C)。咸信，製程時間與水泡形成成反比，其中在高於隔離膜聚合物之熔點之情況下的最少加熱時間大於10分鐘。因此，在一版本中，隔離膜之一或多個部分係藉由在大於約300 C之溫度下歷時至少約10分鐘的熱層壓而結合至黏著層。另外，咸信，水泡形成與表面粗糙度(Ra或rms)成反比，此係由於咸信：因為隔離膜可更容易流動至較粗糙表面上之表面特徵中，所以較粗糙表面產生增加之效能。因此，在一版本中，在塗覆隔離膜之前，黏著層包含大於約0.7微米之粗糙度平均值(Ra)且大於約0.8微米之粗糙度均方根(rms)的表面粗糙度；例如，在約0.7微米與約0.9微米Ra之間或在約0.8微米與約1.2微米rms之間。另外，咸信，在熱層壓之後的較長冷卻時間減少水泡形成。因此，在一版本中，隔離膜之一或多個部分係藉由熱層壓後接續至少約30分鐘之冷卻而結合至黏著層。
在另一版本中，黏著劑可用以將包括隔離膜及多孔隔膜之複合結構結合至陶瓷結構之底層鉻黏著層。舉例而言，軟性黏著劑可用以防止隔離膜之分層或水泡化。可使用諸如氰基丙烯酸酯型黏著劑、聚矽氧黏著劑及環氧樹脂黏著劑之黏著劑。可使用(例如)小於約0.002吋之厚度的隔離膜(諸如，PFA膜)；及(例如)小於約0.002吋之厚度的多孔隔膜(諸如，PTFE隔膜)；其中此等黏著劑中之一或多者將多孔隔膜結合至隔離膜且結合至底層陶瓷結構之黏著層。
一般實驗
一般裝備：如圖6及圖7中所展示之層壓裝備用於熱層壓， 且，如圖8中所展示之裝備用於雷射層壓。
感應器：兩種類型之感應器用於試驗中：一種類型係由Moorpark,CA,U.S.A.之Kavlico感應器實現，且另一種類型係由Greenwood,IN,U.S.A.之Endress+Hauser,Inc.(此處，「E&H」)製造。兩個感應器表面係由Al2O3製成。E&H感應器在Al2O3純度上具有兩種變化：96.0%及99.0%。藉由氣相沈積對所有感應器塗佈大約1500至3000埃之Cr(5分鐘)。Cr用以保護Al2O3免於降級。
隔離物：全氟烷氧基物(PFA)，其為在~305C/586F下熔融之氟聚合物。大部分層壓樣本使用購自American Durafilm之.005"厚(初始厚度)、(等級350)的PFA。使少數樣本具有.001"及.020" PFA初始厚度。
第1實驗
在根據圖6之版本的製程序列中，首先用丙酮/IPA對感應器進行超聲波清洗。以比感應器大約0.125吋之圓來切割膜。用Frecote來處理複製晶圓。將三個(或另一數目個)感應器裝載於如圖6中所展示之堆疊中。施加500 lbs之柱塞壓力。在大約2小時內將溫度斜坡上升至浸泡溫度(其中壓力上升至600 lbs)。將層壓件浸泡30分鐘，在此時間期間壓力可歸因於水壓加熱而上升至1100 lbs。斷開加熱器，且允許層壓件緩慢冷卻 歷時約5小時。用刮刀自邊緣修整去除過量膜。用酸(例如，用稀硝酸)清洗聚合物。
以此方式處理之感應器已經受在85℃去離子水中之長時間浸泡，而在至少3週之後無明顯分層。如本文中所使用，此等結果經指示為通過「熱DI水測試」。
第2實驗
使用Kavlico感應器提供一系列樣本。此等測試係在相對較低溫度(華氏610度)下進行，且經設計以理解加熱時間對功能之影響。斜坡下降率亦在加熱之後變化。此情形係藉由在加熱結束時逐步降低溫度而非斷開控制器來實現。圖10為說明製程時間及溫度與通過熱水測試(在85℃水中不分層)之關係曲線的曲線圖。在「快速冷卻」之情況下(參見跡線Fa至Ff)，感應器1030大體上未通過熱DI水測試；在「中等速度冷卻」之情況下(參見跡線M)，感應器1031為邊限情形；且在「緩慢冷卻」之情況下(參見跡線Pa至Pc)，感應器1032大體上通過測試。此情形證明較長製程時間(諸如，大於約30分鐘之冷卻時間)改良通過熱水測試之機率。
第3實驗
針對E&H 99%氧化鋁感應器及Kavlico感應器(兩者均具有鉻黏著層)中之每一者的兩個樣本集合判定表面粗糙度。圖11展示此等感應器之表面粗糙度量測結果。E&H 99%感應器具有小於約0.7微米之表面粗糙度平均值(Ra)，而Kavlico感應器具有大於0.7微米之Ra表面粗糙度。E&H 99%感應器具有小於約0.8微米之均方根(Root Mean Square；RMS)表 面粗糙度，而Kavlico感應器具有大於約0.8微米之RMS表面粗糙度。
第4實驗
表2為展示根據上文所描述之一般實驗裝備的實驗之處理溫度及時間資料的表格。
資料展示：相比於99% E&H感應器而言，Kavlico及96% E&H感應器可在較低溫度下及較短時間內成功地進行層壓。結合第3實驗之表面粗糙度量測結果來看，此情形暗示表面粗糙度為影響通過熱DI水測試之能力的因素，此係因為相比於表面較粗糙之Kavlico及E&H 96%感應器而言，具有較光滑表面之E&H 99%感應器需要較多時間/較高溫度。
第5實驗
在根據圖8之具體實例的製程序列中，將由Greenwood,IN,U.S.A.之Endress+Hauser,Inc.出售的氧化鋁感應器與覆疊感應器之鉻層上的PFA膜進行層壓。使用0.005吋(127微米)厚之澄明PFA膜來層壓感應器。 層壓堆疊係藉由玻璃塊及Kapton®形成於PFA膜上方，其中施加每平方吋25磅(PSI)之夾持壓力，且接著藉由980奈米雷射照射穿過玻璃塊及Kapton®膜歷時63秒且接著保持擱置歷時5秒。接著在夾持壓力持續之情況下照射堆疊歷時45秒且保持擱置歷時30秒。在此30秒之後，允許堆疊在夾持壓力移除之情況下進一步冷卻歷時60秒，且接著自堆疊移除感應器。
以此方式處理之感應器已經受在85℃去離子水中之長時間浸泡，而在至少3週之後無明顯分層。
第6實驗
表3提供測試根據本發明之版本的感應器之實驗的結果。圖表之多個欄自左向右表示：感應器序號；層壓類型(參看上述圖6至圖8)；將感應器置入熱水測試中之日期；自熱水測試移除感應器之日期；材料、厚度及其他事項；在熱水測試之後的檢查事項；在層壓之後及在熱水測試之前的最終膜厚度；及估計未通過時間(以天為單位)。自前三列可見，在雷射層壓之情況下，在小於約0.001吋之膜厚度的情況下獲得較好結果。同樣，自第四列及第五列可見，在根據圖6及圖7之熱層壓之情況下，在小於約0.001吋之膜厚度的情況下獲得可接受結果。
第7實驗
在評估黏著劑之使用的實驗中，製成兩種類型之感應器總成，兩者均使用厚度為約0.002吋之PFA膜及厚度為約0.002吋之多孔PTFE隔膜。在每一類型中，黏著劑用以將多孔隔膜結合至隔離膜及結合至底層陶瓷結構之黏著層。在一類型中，使用聚矽氧黏著劑，且在另一類型中，使用氰基丙烯酸酯黏著劑(由Dusseldorf,Germany之Henkel AG & Company,KGaA出售的Loctite® 380TM)。在兩種類型中，該組合在處於熱水中達兩個月以上之後及在處於36% HCl、30% NH4OH及30% H2O2中達一個月以上之後並不展示任何水泡或故障。
第8實驗
執行實驗以間接判定是否在黏著結合之隔離膜與多孔隔膜(此處為「複合」結構)中發現敞開通道(其可准許排氣)。歸因於多孔隔膜中存在敞開孔隙，因此複合結構最初為白色的。然而，若藉由異丙醇(IPA)濕化複合物，則整個隔離物變為幾乎透明的。在測試中，將黏著結合之複合結構置放於測試總成中，以使得可看見隔離物表面。最初，隔離物表面為白色的。接著用IPA填充測試總成。隔離物表面改變為透明的，且可看見底層塗佈鉻之黏著層。在另一測試中，在上述第7實驗的氰基丙烯酸酯黏著劑型感應器總成中，發現複合隔離膜結構甚至在熱水測試之後仍呈現為白色的，且因此咸信敞開通道仍存在於多孔隔膜中。
圖12為可用於熱DI水測試之測試裝備10的示意圖。在圖12中，一或多個感應器安裝於插入至測試單元20/22內之測試組件24中的 外殼(圖中未示)中，且水自水加熱器再循環，該水加熱器包括在通過感應器之封閉環通管線14/16/18(在85℃下)中的貯槽12及泵26。每週移除感應器一次，且在視覺上檢查該等感應器以查看分層。可重新裝設感應器及測試感應器之故障。閥28有助於自系統排放氣泡。
儘管已關於一或多個實施展示及描述了本發明，但其他熟習此項技術者基於閱讀及理解本說明書及附帶圖式將想到等效更改及修改。本發明包括所有此等修改及更改且僅由以下申請專利範圍之範疇限制。另外，雖然可能僅關於若干實施中之一者來揭示本發明之特定特徵或態樣，但此特徵或態樣可與對於任何給定或特定應用而言可為所要的及有利的其他實施之一或多個其他特徵或態樣組合。此外，就實施方式或申請專利範圍中使用術語「包括」、「具有(having、has、with)」或其變化而言，此等術語意欲以類似於術語「包含」之方式而為包括性的。又，術語「例示性」僅意欲意謂實例，而非最佳的。亦應瞭解，出於簡單性及易於理解之目的，本文中所描繪之特徵及/或元件係以相對於彼此之特定尺寸及/或定向來說明，且實際尺寸及/或定向可能實質上與本文所說明之尺寸及/或定向不同。
儘管已參考本發明之某些版本相當詳細地描述了本發明，但其他版本係可能的。因此，隨附申請專利範圍之精神及範疇不應限於本說明書內所含有之描述及版本。
本文中所引用之所有專利、公開申請案及參考案之教示以其全文引用的方式併入本文中。

Claims (28)

  1. 一種具有隔離膜的感應器，其包含：感應層，其包含陶瓷材料；黏著層，其包含鉻，該黏著層黏附至該感應層的面向液體之表面的一或多個部分；隔離膜，其包含聚合物，該隔離膜之一或多個部分結合至該黏著層的面向液體之表面；及在該隔離膜與該黏著層之間的多孔聚合材料。
  2. 如請求項1之感應器，其包含用於在約85℃與約100℃之間的溫度下之去離子水的感應器。
  3. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含以下各項中之至少一者：鉻合金及氧化鉻。
  4. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含鉻鉑合金。
  5. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含具有至少99.9%之純度的鉻。
  6. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含在約10奈米(nm)與約2微米之間的厚度。
  7. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含在約30奈米(nm)與約60奈米(nm)之間的厚度。
  8. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層包含經物理氣相沈積法沈積之層。
  9. 如請求項1或2之感應器，其中該黏著層為以下情形中之至少一者： 貼附及結合至該感應層的該面向液體之表面。
  10. 如請求項1或2之感應器，其中該陶瓷材料包含氧化鋁。
  11. 如請求項1或2之感應器，其中該感應層包含在約93%與約96%之間的氧化鋁。
  12. 如請求項1或2之感應器，其中該感應層包含在約96%氧化鋁與約99.8%氧化鋁之間的氧化鋁。
  13. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜包含氟聚合物。
  14. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜包含以下各項中之至少一者：全氟烷氧基物(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)、聚四氟乙烯(PTFE)，及聚三氟氯乙烯(PCTFE)。
  15. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜包含以下各項中之至少一者：經層壓之氟聚合物膜、經射出模製之氟聚合物膜，及經噴塗及經燒結之氟聚合物膜。
  16. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜包含在約0.001吋與約0.005吋之間的厚度。
  17. 如請求項1或2之感應器，其包含液壓感應器、流量感應器及黏度感應器中之至少一者。
  18. 如請求項1之感應器，其中該隔離膜之一或多個部分係藉由熱層壓而結合至該黏著層。
  19. 如請求項1之感應器，其中該隔離膜之一或多個部分係藉由在大於約300℃之溫度下至少約10分鐘的熱層壓而結合至該黏著層。
  20. 如請求項1之感應器，其中該隔離膜之一或多個部分係藉由熱層壓後 接續至少約30分鐘之冷卻而結合至該黏著層。
  21. 如請求項18至20中任一項之感應器，其中在將密封於外殼中之該感應器曝露於在85℃與100℃之間的溫度下之熱去離子水至少3週之後，無可見水泡形成於該隔離膜與該黏著層之間。
  22. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜包含小於約0.001吋之厚度。
  23. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜之至少一部分滲入至該黏著層之表面中的微結構開口中。
  24. 如請求項1或2之感應器，其中該隔離膜之一或多個部分係藉由雷射熔接而結合至該黏著層。
  25. 如請求項1或2之感應器，其進一步包含將該隔離膜結合至該多孔聚合材料之黏著劑。
  26. 如請求項1或2之感應器，其進一步包括排放來自該感應器之氣體或蒸汽的一或多個排氣通路。
  27. 如請求項1或2之感應器，其進一步包括在該隔離膜與該黏著層之間的一或多個排氣通路。
  28. 如請求項1或2之感應器，其中在施加該隔離膜之前，該黏著層包含大於約0.7微米之粗糙度平均值(Ra)且大於約0.8微米之粗糙度均方根(rms)的表面粗糙度。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112014002730T5 (de) 2013-06-07 2016-03-03 Entegris, Inc. Sensor mit Schutzschicht

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137435A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Nabtesco Corp 圧力検出装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63307347A (ja) 1987-06-09 1988-12-15 Nok Corp 絶対湿度センサ
JPH0663895B2 (ja) 1991-10-23 1994-08-22 株式会社東海理化電機製作所 セラミック圧力センサ及びその製造方法
DE4415984A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bosch Gmbh Robert Halbleitersensor mit Schutzschicht
US5869766A (en) 1995-10-03 1999-02-09 Nt International, Inc. Non-contaminating pressure transducer module
US5693887A (en) 1995-10-03 1997-12-02 Nt International, Inc. Pressure sensor module having non-contaminating body and isolation member
JP2000180250A (ja) 1998-10-09 2000-06-30 Ngk Insulators Ltd 質量センサ及び質量検出方法
US6357278B1 (en) 1999-08-09 2002-03-19 General Electric Company Polymer coatings for chemical sensors
JP3410711B2 (ja) 2000-07-10 2003-05-26 株式会社テムテック研究所 耐腐食性のダイヤフラム圧力センサ
US6612175B1 (en) 2000-07-20 2003-09-02 Nt International, Inc. Sensor usable in ultra pure and highly corrosive environments
JP2003114210A (ja) * 2001-07-31 2003-04-18 Denso Corp ガスセンサ
JP4846140B2 (ja) 2001-08-24 2011-12-28 サーパス工業株式会社 圧力センサ
DE10163567A1 (de) 2001-12-21 2003-07-17 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Drucksensor mit hydrophober Beschichtung
DE10200780A1 (de) 2002-01-10 2003-07-24 Endress & Hauser Gmbh & Co Kg Relativdrucksensor
JP2004191137A (ja) 2002-12-10 2004-07-08 Fujikura Ltd 静電容量型圧力センサ
KR100515438B1 (ko) * 2003-01-17 2005-09-15 주식회사 올메디쿠스 전기화학적 센서 및 그 제조 방법
DE10308820B4 (de) * 2003-02-27 2006-10-12 Ifm Electronic Gmbh Sensor, Meßzelle zur Verwendung in einem Sensor und Verfahren zur Herstellung einer Meßzelle
JP4202853B2 (ja) 2003-07-07 2008-12-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ溶接方法
TW200534331A (en) 2004-02-20 2005-10-16 Mykrolis Corp Non-porous adherent inert coatings and methods of making
JP2006105859A (ja) 2004-10-07 2006-04-20 Tem-Tech Kenkyusho:Kk フッ素樹脂薄膜ダイヤフラム圧力センサおよびその製造方法
US7538401B2 (en) * 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US20070013014A1 (en) * 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
JP2007109825A (ja) 2005-10-12 2007-04-26 Nec Corp 多層配線基板、多層配線基板を用いた半導体装置及びそれらの製造方法
WO2007085022A2 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Akrion Technologies, Inc. System, apparatus and methods for processing substrates using acoustic energy
JP2008008712A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Nissan Motor Co Ltd 圧力検出装置
DE102006062552B4 (de) 2006-12-29 2009-12-24 Bartels Mikrotechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Durchflussmessung
JP2010284897A (ja) * 2009-06-12 2010-12-24 Konica Minolta Holdings Inc 素子及びその製造方法
KR20110132903A (ko) * 2010-06-03 2011-12-09 (주)삼원에스티 터치패널센서의 제조방법 및 터치패널센서
DE112014002730T5 (de) 2013-06-07 2016-03-03 Entegris, Inc. Sensor mit Schutzschicht

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012137435A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Nabtesco Corp 圧力検出装置

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