TWI649780B - 基板處理裝置及基板處理裝置之配管洗淨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，即使其複數的洗淨單元中的任一單元產生細菌，亦可繼續進行基板的處理。
本發明之基板處理裝置，其特徵為包含：第一洗淨路徑，其包含將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第一洗淨單元52、54；第二洗淨路徑，其包含將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第二洗淨單元60、62；第一純水供給配管120，將純水供給至第一洗淨路徑；及第二純水供給配管180，將純水供給至第二洗淨路徑。

Description

基板處理裝置及基板處理裝置之配管洗淨方法
本發明係關於一種將洗淨液(例如純水或藥液)供給至晶圓等的基板，以處理基板的基板處理裝置，以及該基板處理裝置之配管洗淨方法。
近幾年，隨著半導體元件的高積體化，電路的配線正邁向細微化，配線間的距離亦變得更窄。半導體元件的製造，係於晶圓等的基板上反覆地將多種材料形成膜狀，以形成積層結構。為了形成該積層結構，使基板表面平坦的技術變得重要。進行化學機械研磨(CMP)的基板處理裝置，已被廣泛使用為這種使基板表面平坦化的裝置。
基板處理裝置一般包含：安裝有研磨墊的研磨平台；保持晶圓的研磨頭；及將研磨液供給至研磨墊上的研磨液噴嘴。接著，將研磨液從研磨液噴嘴供給至研磨墊上，同時藉由研磨頭將晶圓壓附於研磨墊，更進一步，分別使研磨頭與研磨平台旋轉，藉此研磨晶圓。
經研磨之晶圓上存在不要的殘渣。因此，基板處理裝置包含：複數的洗淨單元，其為了將這種殘渣從晶圓去除而洗淨晶圓；及複數的乾燥單元，使經洗淨之晶圓乾燥。第十二圖係顯示配置於以往之基板處 理裝置之洗淨單元與乾燥單元的配置的示意圖。如第十二圖所示，該基板處理裝置設有兩個洗淨路徑，亦即上段洗淨路徑與下段洗淨路徑。上段洗淨路徑係依照上側洗淨單元152、上側洗淨單元154及上側乾燥單元156的順序運送晶圓，下段洗淨路徑係依照下側洗淨單元160、下側洗淨單元162及下側乾燥單元164的順序運送晶圓。上段洗淨路徑及下段洗淨路徑，並列地對兩片晶圓進行洗淨及乾燥。
上側洗淨單元152、上側洗淨單元154、下側洗淨單元160及下側洗淨單元162，一邊將藥液供給至晶圓的表面及背面，一邊使由毛刷及海綿等所構成之洗淨構件摩擦晶圓，藉此洗淨晶圓，之後以純水沖洗晶圓。上側乾燥單元156及下側乾燥單元164，在以純水沖洗晶圓的表面後，將IPA蒸氣(異丙醇與氮氣的混合氣體)供給至晶圓的表面，以使晶圓乾燥。
如此，為了進行晶圓處理而將純水供給至洗淨單元152、154、160、162及乾燥單元156、164。因此，如第十二圖所示，洗淨單元152、154、160、162及乾燥單元156、164，分別與從工廠設備之一的工廠純水線延伸的純水供給配管300連接。純水源閥301配置於該純水供給配管300上。
該等洗淨單元152、154、160、162及乾燥單元156、164中，具有產生細菌的可能性。產生之細菌及其殘骸，與純水一同被運送至晶圓上，而成為污染晶圓的原因。因此，在產生細菌的情況下，將雙氧水注入純水供給配管300內，以使該細菌滅亡，之後，使純水流入純水供給配管300，以對純水供給配管300的內部進行洗淨(沖洗)。
從1條純水供給配管300將純水分配至洗淨單元152、154、160、162及乾燥單元156、164。這種純水供給系統中，若單元152、154、 156、160、162、164中的任一單元產生細菌，則需將雙氧水導入全部的純水供給配管300。結果，上段洗淨路徑及下段洗淨路徑兩者皆無法用於洗淨晶圓。完成使用雙氧水之洗淨，亦具有需花費幾小時的情況，而具有停止處理晶圓的停機時間變長的問題。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
[專利文獻1]日本特開2010-50436號公報
因此，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置，即使其複數洗淨單元中的任一單元產生細菌，亦可繼續進行基板的處理。又，本發明之目的在於提供一種該基板處理裝置之配管洗淨方法。
用以解決上述課題的本發明之一態樣，係一種基板處理裝置，其特徵為包含：第一洗淨路徑，其包含將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第一洗淨單元；第二洗淨路徑，其包含將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第二洗淨單元；第一純水供給配管，將該純水供給至該第一洗淨路徑；及第二純水供給配管，將該純水供給至該第二洗淨路徑。
較佳之態樣，其特徵為更包含：第一導入口及第二導入口，用以分別將雙氧水導入該第一純水供給配管及該第二純水供給配管。
較佳之態樣，其特徵係該第一洗淨單元具備：將純水供給至基板的第一純水供給噴嘴，及將純水與藥液的混合液體供給至基板的第一藥液供給 噴嘴；該第一純水供給配管具有與該第一純水供給噴嘴連接的第一純水供給線，以及與該第一藥液供給噴嘴連接的第一純水混合線。
較佳之態樣，其特徵為：該第一純水混合線，經由用以將該純水與該藥液進行混合的混合機，而延伸至該第一藥液供給噴嘴。
較佳之態樣，其特徵係該第二洗淨單元具備：將純水供給至基板的第二純水供給噴嘴，及將純水與藥液的混合液體供給至基板的第二藥液供給噴嘴；該第二純水供給配管具有與該第二純水供給噴嘴連接的第二純水供給線，以及與該第二藥液供給噴嘴連接的第二純水混合線。
較佳之態樣，其特徵為：該第二純水混合線，經由用以將該純水與該藥液進行混合的混合機，而延伸至該第二藥液供給噴嘴。
較佳之態樣，其特徵係該第一洗淨路徑更包含：第一乾燥單元，將該純水供給至該基板之後，使該基板乾燥；該第二洗淨路徑更包含：第二乾燥單元，將該純水供給至該基板之後，使該基板乾燥。
本發明之另一態樣，係一種配管洗淨方法，其係包含下述單元之基板處理裝置的配管洗淨方法：第一洗淨路徑，其具有將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第一洗淨單元；第二洗淨路徑，其具有將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第二洗淨單元；第一純水供給配管，將該純水供給至該第一洗淨路徑；及第二純水供給配管，將該純水供給至該第二洗淨路徑；該配管洗淨方法的特徵為：將雙氧水供給至該第一純水供給配管內，以雙氧水填滿該第一純水供給配管；將以雙氧水填滿之該第一純水供給配管放置既定時間；之後，將純水供給至該第一純水供給配管內，以洗淨該第一純水供給配管；在將該第一純水供給配管放置該既定時間期 間，以該第二洗淨路徑洗淨基板。
較佳之態樣，其特徵為：洗淨該第一純水供給配管時的該純水的流量，大於洗淨該基板時的該純水的流量。
較佳之態樣，其特徵為：該雙氧水所包含之過氧化氫的濃度為5~6%。
較佳之態樣，其特徵為：該既定時間為4小時以上。
較佳之態樣，其特徵為：將純水供給至該第一純水供給配管以洗淨該第一純水供給配管之內部的時間為1小時以上。
較佳之態樣，其特徵為：將純水供給至該第一純水供給配管以洗淨該第一純水供給配管之內部後；將雙氧水供給至該第二純水供給配管內，而以雙氧水填滿該第二純水供給配管；將以雙氧水填滿之該第二純水供給配管放置既定時間；之後，將純水供給至該第二純水供給配管內，以洗淨該第二純水供給配管；在將該第二純水供給配管放置該既定時間期間，以該第一洗淨路徑洗淨基板。
根據本發明，其設有第一純水供給配管與第二純水供給配管兩個系統。該第一純水供給配管及第二純水供給配管，分別與第一洗淨路徑及第二洗淨路徑連接，而獨立地將純水供給至第一洗淨路徑及第二洗淨路徑。因此，在第一洗淨路徑或第二洗淨路徑中的任一單元產生細菌時，僅將雙氧水供給至該產生細菌之洗淨路徑的純水供給配管即可。結果，未產生細菌的洗淨路徑，可繼續進行基板的處理。
1‧‧‧研磨部
1A‧‧‧第一研磨單元
1B‧‧‧第二研磨單元
1C‧‧‧第三研磨單元
1D‧‧‧第四研磨單元
2‧‧‧殼體
2a‧‧‧分隔壁
2b‧‧‧分隔壁
6‧‧‧加載/卸載部
8‧‧‧洗淨部
10‧‧‧動作控制部
12‧‧‧裝載埠
14‧‧‧移動機構
16‧‧‧運送機械手臂
20‧‧‧研磨墊
20a‧‧‧研磨面
22A‧‧‧第一研磨平台
22B‧‧‧第二研磨平台
22C‧‧‧第三研磨平台
22D‧‧‧第四研磨平台
23‧‧‧平台軸
24A‧‧‧第一研磨頭
24B‧‧‧第二研磨頭
24C‧‧‧第三研磨頭
24D‧‧‧第四研磨頭
25‧‧‧平台馬達
26A‧‧‧第一研磨液供給噴嘴
26B‧‧‧第二研磨液供給噴嘴
26C‧‧‧第三研磨液供給噴嘴
26D‧‧‧第四研磨液供給噴嘴
27‧‧‧研磨頭軸
28A‧‧‧第一修飾單元
28B‧‧‧第二修飾單元
28C‧‧‧第三修飾單元
28D‧‧‧第四修飾單元
30A‧‧‧第一噴霧器
30B‧‧‧第二噴霧器
30C‧‧‧第三噴霧器
30D‧‧‧第四噴霧器
31‧‧‧研磨頭臂部
40‧‧‧第一線性輸送帶
42‧‧‧第二線性輸送帶
44‧‧‧升降機
46‧‧‧擺動輸送帶
48‧‧‧暫置平台
50‧‧‧第一運送機械手臂
52‧‧‧上側洗淨單元
54‧‧‧上側洗淨單元
56‧‧‧上側乾燥單元
58‧‧‧第二運送機械手臂
60‧‧‧下側洗淨單元
62‧‧‧下側洗淨單元
64‧‧‧下側乾燥單元
71‧‧‧保持滾軸(基板保持部)
72‧‧‧保持滾軸(基板保持部)
73‧‧‧保持滾軸(基板保持部)
74‧‧‧保持滾軸(基板保持部)
77‧‧‧滾筒海綿(洗淨工具)
78‧‧‧滾筒海綿(洗淨工具)
80‧‧‧旋轉機構
81‧‧‧旋轉機構
82‧‧‧升降驅動機構
85‧‧‧上側純水供給噴嘴
86‧‧‧上側純水供給噴嘴
87‧‧‧上側藥液供給噴嘴
88‧‧‧上側藥液供給噴嘴
89‧‧‧導引滑軌
91‧‧‧基板保持部
92‧‧‧筆狀海綿
94‧‧‧臂部
95‧‧‧夾頭
96‧‧‧純水供給噴嘴
97‧‧‧藥液供給噴嘴
98‧‧‧馬達
100‧‧‧旋轉軸
101‧‧‧馬達
120‧‧‧第一純水供給配管
121‧‧‧第一純水源閥
122‧‧‧分支點
123‧‧‧第一壓力調整閥
124‧‧‧第一純水供給線
125‧‧‧第一純水混合線
125A‧‧‧純水混合線
125B‧‧‧純水混合線
130‧‧‧第一導入口
131‧‧‧開閉閥
152‧‧‧上側洗淨單元
154‧‧‧上側洗淨單元
156‧‧‧上側乾燥單元
160‧‧‧下側洗淨單元
162‧‧‧下側洗淨單元
164‧‧‧下側乾燥單元
180‧‧‧第二純水供給配管
181‧‧‧第二純水源閥
182‧‧‧分支點
183‧‧‧第二壓力調整閥
184‧‧‧第二調壓純水配管
185‧‧‧第二純水混合配管
185A‧‧‧純水混合線
185B‧‧‧純水混合線
190‧‧‧一次洗淨室
191‧‧‧第一運送室
192‧‧‧二次洗淨室
193‧‧‧第二運送室
194‧‧‧乾操室
200‧‧‧第二導入口
201‧‧‧開閉閥
201‧‧‧基台
202‧‧‧基板支持構件
203‧‧‧暫置平台
206‧‧‧旋轉軸
207‧‧‧過濾風扇單元
211‧‧‧支持軸
212‧‧‧支持軸
215‧‧‧馬達
221‧‧‧第一藥液供給線
221A‧‧‧藥液供給線
221B‧‧‧藥液供給線
222‧‧‧第二藥液供給線
222A‧‧‧藥液供給線
222B‧‧‧藥液供給線
230‧‧‧第一藥液投入口
231‧‧‧合流點
232‧‧‧混合機
234‧‧‧合流點
235‧‧‧混合機
240‧‧‧第二藥液投入口
241‧‧‧合流點
242‧‧‧混合機
244‧‧‧合流點
245‧‧‧混合機
254‧‧‧上側純水供給噴嘴
260‧‧‧噴嘴
261‧‧‧噴嘴
300‧‧‧純水供給配管
301‧‧‧純水源閥
TP1‧‧‧第一運送位置
TP2‧‧‧第二運送位置
TP3‧‧‧第三運送位置
TP4‧‧‧第四運送位置
TP5‧‧‧第五運送位置
TP6‧‧‧第六運送位置
TP7‧‧‧第七運送位置
W‧‧‧晶圓
第一圖係顯示具備研磨單元、洗淨單元及乾燥單元的本發明 之一實施形態之基板處理裝置的圖。
第二圖係顯示第一研磨單元的立體圖。
第三(a)圖係顯示洗淨部的俯視圖，第三(b)圖係顯示洗淨部的側視圖。
第四圖係顯示上段洗淨路徑及下段洗淨路徑的示意圖。
第五圖係顯示洗淨單元的立體圖。
第六圖係顯示筆狀海綿型之洗淨機的立體圖。
第七圖係顯示乾燥單元的縱剖面圖。
第八圖係顯示將純水供給至洗淨單元及乾燥單元的純水供給系統之一例的圖。
第九圖係顯示純水供給系統之詳細內容的圖。
第十圖係顯示以往之基板處理裝置中上段洗淨路徑及下段洗淨路徑之流量的圖表。
第十一圖係顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置中上段洗淨路徑及下段洗淨路徑之流量的圖表。
第十二圖係顯示配置於以往之基板處理裝置之洗淨單元與乾燥單元的配置的示意圖。
以下參照圖式說明本發明之實施形態。
第一圖係顯示具備研磨單元、洗淨單元及乾燥單元的本發明之一實施形態之基板處理裝置的圖。該基板處理裝置係可將作為基板之一例的晶圓進行研磨、洗淨、乾燥之一系列步驟的裝置。如第一圖所示，基板處理裝置具備略呈矩形的殼體2，藉由分隔壁2a、2b將殼體2的內部劃分為加載/卸 載部6、研磨部1及洗淨部8。基板處理裝置具有控制晶圓處理動作的動作控制部10。
加載/卸載部6具備複數載置晶圓匣盒的裝載埠12，該晶圓匣盒存放有多片晶圓W。該加載/卸載部6中，沿著裝載埠12的並列方向鋪設有移動機構14，該移動機構14上設置有運送機械手臂(裝載機構)16，該運送機械手臂16可沿著晶圓匣盒的排列方向移動。運送機械手臂16在移動機構14上移動，藉此可收送裝載於裝載埠12之晶圓匣盒。
研磨部1係進行晶圓W之研磨的區域，其具備第一研磨單元1A、第二研磨單元1B、第三研磨單元1C、第四研磨單元1D。第一研磨單元1A包含：第一研磨平台22A，安裝有具有研磨面的研磨墊20；第一研磨頭24A，用以保持晶圓W且將晶圓W壓附於第一研磨平台22A上的研磨墊20，同時進行研磨；第一研磨液供給噴嘴26A，用以將研磨液(例如漿液)及修飾(dressing)液(例如純水)供給至研磨墊20；第一修飾(dressing)單元28A，用以進行研磨墊20之研磨面的上漿；及第一噴霧器30A，使液體(例如純水)與氣體(例如氮氣)的混合流體、或液體(例如純水)成為霧狀並噴射至研磨面。
同樣地，第二研磨單元1B包含安裝有研磨墊20的第二研磨平台22B、第二研磨頭24B、第二研磨液供給噴嘴26B、第二修飾單元28B及第二噴霧器30B，第三研磨單元1C包含安裝有研磨墊20的第三研磨平台22C、第三研磨頭24C、第三研磨液供給噴嘴26C、第三修飾單元28C及第三噴霧器30C，第四研磨單元1D包含安裝有研磨墊20的第四研磨平台22D、第四研磨頭24D、第四研磨液供給噴嘴26D、第四修飾單元28D及第四噴霧器30D。
第一線性輸送帶40，與第一研磨單元1A及第二研磨單元1B鄰接配置。該第一線性輸送帶40，係在四個運送位置(第一運送位置TP1、第二運送位置TP2、第三運送位置TP3、第四運送位置TP4)之間運送晶圓W的機構。又，第二線性輸送帶42，與第三研磨單元1C及第四研磨單元1D鄰接配置。該第二線性輸送帶42係在3個運送位置(第五運送位置TP5、第六運送位置TP6、第七運送位置TP7)之間運送晶圓W的機構。
升降機44與第一運送位置TP1鄰接配置，其用以從運送機械手臂16接收晶圓W。透過該升降機44，將晶圓W從運送機械手臂16傳遞至第一線性輸送帶40。位於升降機44與運送機械手臂16之間，在分隔壁2a上設有閘門(圖中未顯示)，在運送晶圓W時打開閘門，以將晶圓W從運送機械手臂16傳遞至升降機44。
藉由運送機械手臂16將晶圓W傳遞至升降機44，更將其從升降機44傳遞至第一線性輸送帶40，接著藉由第一線性輸送帶40運送至研磨單元1A、1B。第一研磨單元1A的研磨頭24A，藉由其擺動的動作在第一研磨平台22A的上方位置與第二運送位置TP2之間移動。因此，係在第二運送位置TP2，將晶圓W往研磨頭24A傳遞。
同樣地，第二研磨單元1B的研磨頭24B在研磨平台22B的上方位置與第三運送位置TP3之間移動，而在第三運送位置TP3，將晶圓W往研磨頭24B傳遞。第三研磨單元1C的研磨頭24C在研磨平台22C的上方位置與第六運送位置TP6之間移動，而在第六運送位置TP6，將晶圓W往研磨頭24C傳遞。第四研磨單元1D的研磨頭24D在研磨平台22D的上方位置與第七運送位置TP7之間移動，而在第七運送位置TP7，將晶圓W往研磨頭24D傳 遞。
在第一線性輸送帶40、第二線性輸送帶42及洗淨部8之間配置有擺動輸送帶46。藉由擺動輸送帶46將晶圓W從第一線性輸送帶40運送至第二線性輸送帶42。再者，藉由第二線性輸送帶42將晶圓W運送至第三研磨單元1C及/或第四研磨單元1D。
擺動輸送帶46的側面，配置有晶圓W的暫置平台48，其設置於圖中未顯示的支架。如第一圖所示，該暫置平台48，與第一線性輸送帶40鄰接配置，其位於第一線性輸送帶40與洗淨部8之間。擺動輸送帶46在第四運送位置TP4、第五運送位置TP5及暫置平台48之間運送晶圓W。
藉由洗淨部8的第一運送機械手臂50，將載置於暫置平台48的晶圓W運送至洗淨部8。洗淨部8包含：上段洗淨路徑，其具備上側洗淨單元52、上側洗淨單元54及上側乾燥單元56；及下段洗淨路徑，其具備下側洗淨單元60、下側洗淨62及下側乾燥單元64。上段洗淨路徑與下段洗淨路徑的詳細構成如下所述。洗淨單元52、60及洗淨單元54、62，以洗淨液(純水及藥液)將經研磨之晶圓W進行洗淨。乾燥單元56、64，將經洗淨之晶圓W進行乾燥。
第一運送機械手臂50，以「將晶圓W從暫置平台48運送至上側洗淨單元52(或下側洗淨單元60)，更將其從上側洗淨單元52(或下側洗淨單元60)運送至上側洗淨單元54(或下側洗淨單元62)」的方式進行運作。在洗淨單元54、62與乾燥單元56、64之間，配置有第二運送機械手臂58。該第二運送機械手臂58，係以將晶圓W從上側洗淨單元54(或下側洗淨單元62)運送至上側乾燥單元56(或下側乾燥單元64)的方式進行運作。
藉由運送機械手臂16，將經乾燥之晶圓W從上側乾燥單元56(或下側乾燥單元64)取出，並送回晶圓匣盒。如此，對晶圓W進行包含研磨、洗淨及乾燥的一系列處理。
第一研磨單元1A、第二研磨單元1B、第三研磨單元1C及第四研磨單元1D互相具有同樣的構成。因此，以下對第一研磨單元1A進行說明。第二圖係顯示第一研磨單元1A的立體圖。如第二圖所示，第一研磨單元1A包含：研磨平台22A，支持研磨墊20；研磨頭24A，將晶圓W壓附於研磨墊20；及研磨液供給噴嘴26A，用以將研磨液(漿液)供給至研磨墊20。在第二圖中，省略第一修飾單元28A與第一噴霧器30A。
研磨平台22A，透過平台軸23與配置於其下方的平台馬達25連接，研磨平台22A藉由該平台馬達25，依照箭頭所示的方向旋轉。研磨墊20貼附於研磨平台22A的頂面，研磨墊20的頂面構成研磨晶圓W的研磨面20a。研磨頭24A固定於研磨頭軸27的下端。研磨頭24A，構成可藉由真空吸附將晶圓W保持於其底面的態樣。研磨頭軸27，與設置於研磨頭臂部31內的旋轉機構(圖中未顯示)連接，研磨頭24A藉由該旋轉機構，通過研磨頭軸27而進行旋轉驅動。
以下述方式進行晶圓W之表面的研磨。使研磨頭24A及研磨平台22A分別依照箭頭所示的方向旋轉，並從研磨液供給噴嘴26A將研磨液(漿液)供給至研磨墊20上。在此狀態下，藉由研磨頭24A將晶圓W壓附於研磨墊20的研磨面20a上。藉由研磨液所包含之研磨粒的機械作用與研磨液所包含之化學成分的化學作用，研磨晶圓W的表面。
第三(a)圖係顯示洗淨部8的俯視圖，第三(b)圖係顯示洗淨部 8的側視圖。如第三(a)圖及第三(b)圖所示，洗淨部8被劃分為一次洗淨室190、第一運送室191、二次洗淨室192、第二運送室193及乾燥室194。一次洗淨室190內配置有上側洗淨單元52及下側洗淨單元60。上側洗淨單元52配置於下側洗淨單元60的上方。同樣地，二次洗淨室192內配置有上側洗淨單元54及下側洗淨單元62。上側洗淨單元54配置於下側洗淨單元62的上方。洗淨單元52、54、60、62，係使用藥液及純水等洗淨液洗淨晶圓W的洗淨機。洗淨單元52、60及洗淨單元54、62，係沿著垂直方向排列，故具有佔地面積小的優點。
在上側洗淨單元54與下側洗淨單元62之間，設有晶圓W的暫置平台203。上側乾燥單元56及下側乾燥單元64配置於乾燥室194內。上側乾燥單元56配置於下側乾燥單元64的上方。上側乾燥單元56及下側乾燥單元64的上部，設有過濾風扇單元207、207，其分別將潔淨的空氣供給至乾燥單元56、64內。透過螺栓等，將上側洗淨單元52、下側洗淨單元60、上側洗淨單元54、下側洗淨單元62、暫置平台203、上側乾燥單元56及下側乾燥單元64固定於圖中未顯示的支架。
第一運送機械手臂50配置於第一運送室191內，該第一運送機械手臂50係以可上下移動的方式所構成。第二運送機械手臂58配置於第二運送室193內，該第二運送機械手臂58係以可上下移動的方式所構成。第一運送機械手臂50及第二運送機械手臂58，分別以自由移動的方式支持於在縱向上延伸的支持軸211、212。第一運送機械手臂50及第二運送機械手臂58，其內部具有馬達等的驅動機構，而可沿著支持軸211、212上下自由移動。第一運送機械手臂50具有上下兩段機械手臂。第一運送機械手臂50， 如第三(a)圖的虛線所示，其下側的機械手臂配置於可存放於上述暫置平台48的位置。在將第一運送機械手臂50之下側的機械手臂存放於暫置平台48時，設於分隔壁2b的閘門(圖中未顯示)開啟。
第一運送機械手臂50，係以在暫置平台48、上側洗淨單元52、下側洗淨單元60、暫置平台203、上側洗淨單元54、下側洗淨單元62之間運送晶圓W的方式進行運作。在搬送洗淨前之晶圓W(附著漿液之晶圓W)時，第一運送機械手臂50係使用下側的機械手臂，在運送洗淨後之晶圓W時，係使用上側的機械手臂。第二運送機械手臂58，係以在上側洗淨單元54、下側洗淨單元62、暫置平台203、上側乾燥單元56、下側乾燥單元64之間運送晶圓W的方式進行運作。第二運送機械手臂58，僅運送經洗淨之晶圓W，故僅具備一個機械手臂。
如第四圖所示，洗淨部8包含與複數的晶圓W並列以進行洗淨的上段洗淨路徑及下段洗淨路徑。所謂「洗淨路徑」，係指由用以洗淨晶圓W的複數洗淨單元所構成的處理系統。上段洗淨路徑係第一洗淨路徑及第二洗淨路徑中的任一方，下段洗淨路徑係第一洗淨路徑及第二洗淨路徑中的另一方。上段洗淨路徑係由上側洗淨單元52、上側洗淨單元54及上側乾燥單元56所構成。下段洗淨路徑係由下側洗淨單元60、下側洗淨單元62及下側乾燥單元64所構成。
上段洗淨路徑，係依照第一運送機械手臂50、上側洗淨單元52、第一運送機械手臂50、上側洗淨單元54、第二運送機械手臂58、接著上側乾燥單元56的順序運送一片晶圓W。下段洗淨路徑，係依照第一運送機械手臂50、下側洗淨單元60、第一運送機械手臂50、下側洗淨單元62、 第二運送機械手臂58、接著下側乾燥單元64的順序運送另一片晶圓W。如此，藉由兩個並列的洗淨路徑，可同時將複數(一般為2片)的晶圓W進行洗淨及乾燥。各洗淨路徑包含2個洗淨單元，但亦可包含3個以上的洗淨單元。
本實施形態中，洗淨單元52、60及洗淨單元54、62，係滾筒海綿型的洗淨機。洗淨單元52、60及洗淨單元54、62具有相同的構成，故以下對上側洗淨單元52進行說明。
第五圖係顯示上側洗淨單元52的立體圖。如第五圖所示，上側洗淨單元52包含：四個保持滾軸(基板保持部)71、72、73、74，水平地保持晶圓W並使其旋轉；滾筒海綿(洗淨工具)77、78，與晶圓W的頂面及底面接觸；旋轉機構80、81，使該等滾筒海綿77、78旋轉；上側純水供給噴嘴85、86，將純水供給至晶圓W的頂面；及上側藥液供給噴嘴87、88，將藥液及純水的混合液體供給至晶圓W的頂面。雖圖中未顯示，其亦設有下述構件：下側純水供給噴嘴，將純水供給至晶圓W的底面；及下側藥液供給噴嘴，將藥液及純水的混合液體供給至晶圓W的底面。上側純水供給噴嘴85、86、下側純水供給噴嘴、上側藥液供給噴嘴87、88及下側藥液供給噴嘴，與下述純水供給配管連接。
保持滾軸71、72、73、74，可藉由圖中未顯示的驅動機構(例如氣缸)，在接近及離開晶圓W的方向上移動。使上側之滾筒海綿77旋轉的旋轉機構80，安裝於引導其上下方向之動作的導引滑軌89上。又，該旋轉機構80由升降驅動機構82所支持，且旋轉機構80及上側的滾筒海綿77，可藉由升降驅動機構82在上下方向上移動。此外，雖圖中未顯示，使下側的滾筒海綿78旋轉的旋轉機構81，亦由導引滑軌所支持，且旋轉機構81及下 側的滾筒海綿78，藉由升降驅動機構上下移動。使用例如具有滾珠螺桿的馬達驅動機構或氣缸，作為升降驅動機構。洗淨晶圓W時，滾筒海綿77、78在互相接近的方向上移動並接觸晶圓W的頂面及底面。
接著，對洗淨晶圓W的步驟進行說明。首先，使晶圓W繞著其軸心旋轉。接著，將藥液及純水的混合液體從上側藥液供給噴嘴87、88及圖中未顯示的下側藥液供給噴嘴，供給至晶圓W的頂面及底面。在此狀態下，滾筒海綿77、78繞著在其水平上延伸的軸心旋轉，並且與晶圓W的頂面及底面滑動接觸，藉此擦洗晶圓W的頂面及底面。
擦洗後，將純水從上側純水供給噴嘴85、86及下側純水供給噴嘴，供給至旋轉之晶圓W，藉此進行晶圓W的沖洗。可在使滾筒海綿77、78滑動接觸晶圓W的頂面及底面時同時進行晶圓W的沖洗，亦可在使滾筒海綿77、78從晶圓W的頂面及底面離間的狀態下進行晶圓W的沖洗。
洗淨單元52、60及/或洗淨單元54、62，亦可為如第六圖所示的筆狀海綿型的洗淨機。例如，亦可使用滾筒海綿型的洗淨機作為洗淨單元52、60，並使用筆狀海綿型的洗淨機作為洗淨單元54、62。
第六圖係顯示筆狀海綿型之洗淨機的立體圖。如第六圖所示，該類型的洗淨機包含：基板保持部91，保持晶圓W並使其旋轉；筆狀海綿92；臂部94，保持筆狀海綿92；純水供給噴嘴96，將純水供給至晶圓W的頂面；及藥液供給噴嘴97，將藥液及純水的混合液體供給至晶圓W的頂面。筆狀海綿92與配置於臂部94內的旋轉機構(圖中未顯示)連接，且筆狀海綿92可繞著在垂直方向上延伸的中心軸線旋轉。純水供給噴嘴96及藥液供給噴嘴97，與下述純水供給配管連接。
基板保持部91具備複數保持晶圓W之邊緣部的夾頭95(第六圖中為四個)，以該等夾頭95使晶圓W保持水平。夾頭95與馬達98連接，保持於夾頭95的晶圓W，藉由馬達98繞著其軸心旋轉。
臂部94配置於晶圓W的上方。臂部94的一端與筆狀海綿92連接，臂部94的另一端與旋轉軸100連接。該旋轉軸100與馬達101連接，以作為使臂部94旋轉的臂部旋轉機構。臂部旋轉機構，除了馬達101以外，亦可具備減速齒輪等。馬達101，藉由僅使旋轉軸100旋轉既定角度，來使臂部94在與晶圓W平行的平面內旋轉。藉由臂部94的旋轉，可使由其支持的筆狀海綿92移動至晶圓W的半徑方向。
筆狀海綿型的洗淨機中，係以下述方式洗淨晶圓W。首先，使晶圓W繞著其軸心旋轉。接著，將藥液及純水的混合液體從藥液供給噴嘴97供給至晶圓W的頂面。在此狀態下，筆狀海綿92一方面繞著垂直延伸的其軸心旋轉，一方面與晶圓W的頂面滑動接觸，並進一步沿著晶圓W的半徑方向擺動。在藥液的存在下，筆狀海綿92與晶圓W的頂面滑動接觸，藉此來擦洗晶圓W。
擦洗後，為了將藥液從晶圓W洗去，將純水從純水供給噴嘴96供給至旋轉之晶圓W的頂面，以沖洗晶圓W。可在使筆狀海綿92滑動接觸晶圓W的同時進行晶圓W的沖洗，亦可在使筆狀海綿92從晶圓W離間的狀態下進行晶圓W的沖洗。
接著，對上側乾燥單元56及下側乾燥單元64的構成進行說明。上側乾燥單元56及下側乾燥單元64，皆係進行Rotagoni乾燥的乾燥機。上側乾燥單元56及下側乾燥單元64具有相同的構成，故以下對上側乾燥單 元56進行說明。第七圖係顯示上側乾燥單元56的縱剖面圖。上側乾燥單元56包含：基台201；及四個基板支持構件202，由該基台201所支持。將基台201固定於旋轉軸206的上端。該旋轉軸206與馬達215連接，藉由使馬達215驅動，基台201可以其軸心為中心進行旋轉。
將純水供給至晶圓W表面的上側純水供給噴嘴254，配置於晶圓W的上方，該晶圓W透過基板支持構件202被保持於基台201。純水供給噴嘴254係朝向晶圓W的中心而配置。該上側純水供給噴嘴254，與下述純水供給配管連接，通過上側純水供給噴嘴254，可將純水供給至晶圓W表面的中心。又，將用以實行Rotagoni乾燥的兩個噴嘴260、261並列配置於晶圓W的上方。噴嘴260，係用以將IPA蒸氣(異丙醇與氮氣的混合氣體)供給至晶圓W之表面的構件。噴嘴261，係為了防止晶圓W表面的乾燥而供給純水的構件，其與下述純水供給配管連接。該等噴嘴260、261，係以可沿著晶圓W的直徑方向移動的方式所構成。
圖中未顯示的下側純水供給噴嘴與圖中仍未顯示的氣體噴嘴，配置於旋轉軸206的內部。下側純水供給噴嘴與上述純水供給配管連接，通過下側純水供給噴嘴，將純水供給至晶圓W的背面。又，氣體噴嘴，與氮氣或乾燥空氣等乾燥氣體的供給線連接，通過氣體噴嘴，將乾燥氣體供給至晶圓W的背面。
接著，對以上述方式所構成的上側乾燥單元56的運作進行說明。首先，藉由馬達215使晶圓W旋轉。在此狀態下，將純水從上側純水供給噴嘴254及下側純水供給噴嘴(圖中未顯示)供給至晶圓W的表面及背面，以純水沖洗晶圓W的整個表面。供給至晶圓W的純水，因離心力而擴散至晶 圓W的整個表面及背面，藉此沖洗晶圓W的整體。在沖洗處理晶圓W的期間，兩個噴嘴260、261位於遠離晶圓W的既定待機位置。
接著，停止從純水供給噴嘴254的純水供給，使純水供給噴嘴254移動至遠離晶圓W的既定待機位置，同時使兩個噴嘴260、261移動至晶圓W上方的作業位置。接著，一方面以30~150min-1的速度使晶圓W低速旋轉，一方面從噴嘴260朝向晶圓W的表面供給IPA蒸氣，從噴嘴261供給純水。此時，亦將純水從下側純水供給噴嘴供給至晶圓W的背面。接著，使兩個噴嘴260、261同時沿著晶圓W的直徑方向移動。藉此，使晶圓W的表面乾燥。
之後，使兩個噴嘴260、261移動至既定的待機位置，並停止從下側純水供給噴嘴的純水供給。接著，以1000~1500min-1的速度使晶圓W高速旋轉，以振動去除附著於晶圓W之背面的純水。此時，從氣體噴嘴吹附乾燥氣體至晶圓W的背面。以此方式使晶圓W的背面乾燥。藉由第一圖所示之運送機械手臂16，將經乾燥之晶圓W從上側乾燥單元56取出，並送回晶圓匣盒。
如以上所說明，在上側洗淨單元52、上側洗淨單元54、上側乾燥單元56、下側洗淨單元60、下側洗淨單元62及下側乾燥單元64的所有單元中使用純水。因此，該等單元52、54、56、60、62、64，與純水供給系統連接。
第八圖係顯示將純水供給至洗淨單元及乾燥單元的純水供給系統之一例的圖。如第八圖所示，具有上側洗淨單元52、54及上側乾燥單元56的上段洗淨路徑，與第一純水供給配管120連接，具有下側洗淨單元 60、62及下側乾燥單元64的下段洗淨路徑，與第二純水供給配管180連接。第一純水供給配管120及第二純水供給配管180，分別與工廠的設備之一的工廠純水線連接。
上段洗淨路徑所使用的純水與下段洗淨路徑所使用的純水，分別係從第一純水供給配管120及第二純水供給配管180進行供給。上段洗淨路徑為第一洗淨路徑及第二洗淨路徑中的任一方，下段洗淨路徑為第一洗淨路徑及第二洗淨路徑中的另一方。
第一純水源閥121配置於第一純水供給配管120上。開啟第一純水源閥121，則純水從工廠純水線被供給至第一純水供給配管120，關閉第一純水源閥121，則停止從工廠純水線往第一純水供給配管120的純水供給。第二純水源閥181配置於第二純水供給配管180上。開啟第二純水源閥181，則純水從工廠純水線被供給至第二純水供給配管180，關閉第二純水源閥181，則停止從工廠純水線對第二純水供給配管180的純水供給。
如第八圖可知，往上段洗淨路徑的純水供給與往下段洗淨路徑的純水供給，係互相獨立進行。在上段洗淨路徑及下段洗淨路徑中的任一方發生細菌的產生等問題的情況下，停止該洗淨路徑的運轉，以進行殺菌等的修復。即使在這種情況下，另一方的洗淨路徑亦可繼續進行晶圓的洗淨及乾燥。因此，基板處理裝置，可繼續進行包含晶圓的研磨、洗淨及乾燥的一系列處理。
第九圖係顯示第八圖所示之純水供給系統之詳細內容的圖。第一純水源閥121的二次側安裝有第一導入口130，其用以將雙氧水導入第一純水供給配管120。第一導入口130安裝有開閉閥131。該開閉閥131， 在將雙氧水導入第一純水供給配管120時以外，基本上為關閉狀態。
以分支點122將第一純水供給配管120分支為第一純水供給線124與第一純水混合線125。分支點122位於第一導入口130的下游側。第一純水供給線124延伸至上側洗淨單元52、上側洗淨單元54及上側乾燥單元56，並與上述純水供給噴嘴85、86、254、261連接。在使用第六圖所示之筆狀海綿型的洗淨機作為洗淨單元52、54的情況下，第一純水供給線124與第六圖所示之純水供給噴嘴96連接。
第一純水供給線124構成第一純水供給配管120的一部分。第一壓力調整閥123配置於第一純水供給線124上。第一壓力調整閥123，發揮作為定壓閥的功能，其使該第一壓力調整閥123之二次側的純水壓力保持為定值。因此，即使第一壓力調整閥123的一次側純水壓力變動，往上側洗淨單元52、上側洗淨單元54及上側乾燥單元56流動之純水的壓力亦可保持定值。
第一純水混合線125構成第一純水供給配管120的一部分。將第一純水混合線125分支為純水混合線125A與純水混合線125B。純水混合線125A，經由合流點231及混合機232而與上側洗淨單元52的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)連接。純水混合線125B，經由合流點234及混合機235而與上側洗淨單元54的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)連接。在使用第六圖所示之筆狀海綿型的洗淨機作為洗淨單元52、54的情況下，純水混合線125A及純水混合線125B，與第六圖所示之藥液供給噴嘴97連接。
將藥液從第一藥液投入口230注入第一藥液供給線221。將第一藥液供給線221分支為藥液供給線221A與藥液供給線221B。藥液供給線 221A，在藥液及純水的合流點231與純水混合線125A連接。藥液供給線221B，在藥液及純水的合流點234與純水混合線125B連接。
流經藥液供給線221A的藥液，在合流點231與流經純水混合線125A的純水合流。進一步使藥液及純水流經純水混合線125A以將其導入混合機232，以混合機232進行攪拌混合。進一步使藥液與純水的混合液體流經純水混合線125A，以將其供給至上側洗淨單元52的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)或藥液供給噴嘴97(參照第六圖)。
流經藥液供給線221B的藥液，在合流點234與流經純水混合線125B的純水合流。進一步使藥液及純水流經純水混合線125B以將其導入混合機235，以混合機235進行攪拌混合。進一步使藥液與純水的混合液體流經純水混合線125B，以將其供給至上側洗淨單元54的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)或藥液供給噴嘴97(參照第六圖)。
第二純水供給配管180，實質上具有與第一純水供給配管120相同的構成。第二純水源閥181的二次側安裝有第二導入口200，其用以將雙氧水導入第二純水供給配管180。第二導入口200安裝有開閉閥201。該開閉閥201，除了在將雙氧水導入第二純水供給配管180時以外，基本上為關閉狀態。
以分支點182將第二純水供給配管180分支為第二純水供給線184與第二純水混合線185。分支點182位於第二導入口200的下游側。第二純水供給線184延伸至下側洗淨單元60、下側洗淨單元62及下側乾燥單元64，並與上述純水供給噴嘴85、86、254、261連接。在使用第六圖所示之筆狀海綿型的洗淨機作為洗淨單元60、62的情況下，第二純水供給線184， 與第六圖所示之純水供給噴嘴96連接。
第二純水供給線184構成第二純水供給配管180的一部分。第二壓力調整閥183配置於第二純水供給線184上。第二壓力調整閥183，發揮作為定壓閥的功能，其將該第二壓力調整閥183的二次側的純水壓力保持為定值。因此，即使第二壓力調整閥183的一次側純水壓力變動，往下側洗淨單元60、下側洗淨單元62及下側乾燥單元64流動之純水的壓力亦可保持定值。
第二純水混合線185構成第二純水供給配管180的一部分。將第二純水混合線185分支為純水混合線185A與純水混合線185B。純水混合線185A，經由合流點241及混合機242而與下側洗淨單元60的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)連接。純水混合線185B，經由合流點244及混合機245而與下側洗淨單元62的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)連接。在使用第六圖所示之筆狀海綿型的洗淨機作為洗淨單元60、62的情況下，純水混合線185A及純水混合線185B，與第六圖所示之藥液供給噴嘴97連接。
將藥液從第二藥液投入口240注入第二藥液供給線222。將第二藥液供給線222分支為藥液供給線222A與藥液供給線222B。藥液供給線222A，在藥液及純水的合流點241與純水混合線185A連接。藥液供給線222B，在藥液及純水的合流點244與純水混合線185B連接。
流經藥液供給線222A的藥液，在合流點241與流經純水混合線185A的純水合流。進一步使藥液及純水流經純水混合線185A以將其導入混合機242，以混合機242進行攪拌混合。進一步使藥液與純水的混合液體流經純水混合線185A，以將其供給至下側洗淨單元60的藥液供給噴嘴87、 88(參照第五圖)或藥液供給噴嘴97(參照第六圖)。
流經藥液供給線222B的藥液，在合流點244與流經純水混合線185B的純水合流。進一步使藥液及純水流經純水混合線185B以將其導入混合機245，以混合機245進行攪拌混合。進一步使藥液與純水的混合液體流經純水混合線185B，以將其供給至下側洗淨單元62的藥液供給噴嘴87、88(參照第五圖)或藥液供給噴嘴97(參照第六圖)。
對以基板處理裝置進行研磨、洗淨及乾燥之一系列處理的晶圓W，定期進行使用顯微鏡之檢査。若純水中產生細菌，則在進行該檢査時，可在晶圓W上發現細菌或其殘骸。基板處理裝置中保存有附著細菌之晶圓W通過上段洗淨路徑或下段洗淨路徑中任一方的處理履歷。因此，可指定洗淨附著細菌之晶圓W所使用的洗淨路徑。產生細菌一方的洗淨路徑，必須使用雙氧水進行洗淨。以下，使用從以上段洗淨路徑進行處理之晶圓W發現細菌的例子，說明基板處理裝置之配管洗淨方法。
從以上段洗淨路徑進行處理之晶圓W發現細菌，故將第一純水供給配管120進行洗淨。首先，使純水流經第一純水供給配管120約10分鐘，以將第一純水供給配管120內的純水及藥液取代為新的純水。如先前所述，第一純水供給配管120包含第一純水供給線124及第一純水混合線125。特別是，第一純水混合線125內不僅存在純水，亦存在藥液。以新的純水取代存在於第一純水供給配管120、洗淨單元52、54及上側乾燥單元56內的所有純水及藥液。
接著，關閉第一純水源閥121，使第一純水供給配管120從工廠純水線斷開。存在流動雙氧水的工廠設備(工廠雙氧水線)的情況下，將該 工廠雙氧水線與第一導入口130連接。不存在工廠雙氧水線的情況下，亦可準備儲存雙氧水的容器(金屬罐)，並將該容器與第一導入口130連接。
接著，開啟開閉閥131，通過第一導入口130將雙氧水供給至第一純水供給配管120內約15分鐘，以雙氧水取代第一純水供給配管120內的純水。之後，關閉開閉閥131以停止雙氧水的供給，以雙氧水填滿第一純水供給配管120。
在以雙氧水填滿第一純水供給配管120的狀態下，直接將第一純水供給配管120放置既定時間。經過既定時間後，開啟第一純水源閥121，藉此將純水供給至第一純水供給配管120內，以純水洗淨第一純水供給配管120的內部。為了確實地將第一純水供給配管120內的雙氧水取代為純水，及確實地將細菌的殘骸從第一純水供給配管120去除，純水宜供給1小時以上。再者，從同樣的觀點來看，洗淨第一純水供給配管120時流經第一純水供給配管120的純水的流量，宜大於洗淨晶圓時流經第一純水供給配管120的純水的流量。
使用於洗淨第一純水供給配管120的雙氧水，其包含之過氧化氫的濃度為5~6%。在以雙氧水填滿的狀態下，將第一純水供給配管120放置的上述既定時間，宜為4小時以上。已知細菌只要在2%左右的雙氧水中浸漬數秒則滅亡。因此，只要使細菌與5~6%的雙氧水接觸4小時以上，則可確實地使第一純水供給配管120內的細菌滅亡。
在洗淨第一純水供給配管120期間，下段洗淨路徑可進行晶圓W的洗淨與乾燥。下段洗淨路徑產生細菌的情況下，以同樣的方法，洗淨第二純水供給配管180，而上段洗淨路徑可進行晶圓W的洗淨與乾燥。本 實施形態中，第一純水供給配管120與第二純水供給配管180，分別與上段洗淨路徑及下段洗淨路徑連接，以將純水供給至單元52、54、56、60、62、64。因此，在上段洗淨路徑或下段洗淨路徑中的任一方產生細菌的情況下，僅將雙氧水導入該產生細菌的洗淨路徑的純水供給配管即可。結果，未產生細菌的洗淨路徑，可繼續進行晶圓W的處理。
再者，藉由設置第一純水供給配管120及第二純水供給配管180，亦可從實驗確認以下所說明之效果。以往的純水供給系統中，如第十二圖所示，從1條純水供給配管300將純水分配至上段洗淨路徑與下段洗淨路徑。該以往之純水供給系統的情況中，若在上段洗淨路徑使用純水時，下段洗淨路徑開始使用純水，則如第十圖所示，上段洗淨路徑之純水的流量稍微降低。第十圖係顯示上段洗淨路徑與下段洗淨路徑之流量的圖表。
相對於此，上述實施形態之純水供給系統，如第十一圖所示，即使在上段洗淨路徑使用純水時，下段洗淨路徑開始使用純水，上段洗淨路徑的純水的流量亦不會降低。第十一圖係顯示上述實施形態之純水供給系統中上段洗淨路徑與下段洗淨路徑之流量的圖表。由第十一圖可知，在另一方的洗淨路徑使用純水，並不影響純水的流量。因此，上述洗淨單元52、54、60、62及乾燥單元56、64，在洗淨晶圓時可將均勻流量的純水供給至晶圓上。
以上對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不限於上述實施形態，而可在申請專利範圍及說明書與圖式所記載之技術思想的範圍內進行各種變形。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為包含：研磨部，具有用以研磨基板的複數個研磨單元；洗淨部，具有：第一洗淨路徑，其具有將純水供給至被該研磨部研磨之基板，以洗淨該基板的複數第一洗淨單元；第二洗淨路徑，其具有將純水供給至被該研磨部研磨之基板，以洗淨該基板的複數第二洗淨單元；及搬送機械手臂，將被研磨之該基板從該研磨部搬送至該第一洗淨路徑或該第二洗淨路徑，其中該第一洗淨路徑及該第二洗淨路徑係並列以洗淨複數個該基板；第一純水供給配管，將該純水供給至該第一洗淨路徑；第二純水供給配管，將該純水供給至該第二洗淨路徑；第一壓力調整閥，配置於該第一純水供給配管；第二壓力調整閥，配置於該第二純水供給配管；以及其中，將該純水供給至該第一洗淨路徑、以及將該純水供給至該第二洗淨路徑，係彼此獨立地進行。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中更包含：第一導入口及第二導入口，用以分別將雙氧水導入該第一純水供給配管及該第二純水供給配管。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該第一洗淨單元具備：將純水供給至基板的第一純水供給噴嘴，及將純水與藥液的混合液體供給至基板的第一藥液供給噴嘴；該第一純水供給配管具有與該第一純水供給噴嘴連接的第一純水供給線，及與該第一藥液供給噴嘴連接的第一純水混合線。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該第一純水混合線，經由用以將該純水與該藥液進行混合的混合機，而延伸至該第一藥液供給噴嘴。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該第二洗淨單元具備將純水供給至基板的第二純水供給噴嘴，及將純水與藥液的混合液體供給至基板的第二藥液供給噴嘴；該第二純水供給配管具有與該第二純水供給噴嘴連接的第二純水供給線，及與該第二藥液供給噴嘴連接的第二純水混合線。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該第二純水混合線，經由用以將該純水與該藥液進行混合的混合機，而延伸至該第二藥液供給噴嘴。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之基板處理裝置，其中，該第一洗淨路徑更包含：第一乾燥單元，將該純水供給至該基板，之後使該基板乾燥；該第二洗淨路徑更包含：第二乾燥單元，將該純水供給至該基板，之後使該基板乾燥。
  8. 一種配管洗淨方法，其係包含下述單元之基板處理裝置的配管洗淨方法：第一洗淨路徑，其具有將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第一洗淨單元；第二洗淨路徑，其具有將純水供給至基板以洗淨該基板的複數第二洗淨單元；第一純水供給配管，將該純水供給至該第一洗淨路徑；及第二純水供給配管，將該純水供給至該第二洗淨路徑；該配管洗淨方法的特徵為：將雙氧水供給至該第一純水供給配管內，以雙氧水填滿該第一純水供給配管；將以雙氧水填滿之該第一純水供給配管放置既定時間；之後，將純水供給至該第一純水供給配管內，以洗淨該第一純水供給配管；在將該第一純水供給配管放置該既定時間的期間，以該第二洗淨路徑洗淨基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之配管洗淨方法，其中，洗淨該第一純水供給配管時的該純水的流量，大於洗淨該基板時的該純水的流量。
  10. 如申請專利範圍第9項之配管洗淨方法，其中，該雙氧水所包含之過氧化氫的濃度為5~6%。
  11. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之配管洗淨方法，其中，該既定時間為4小時以上。
  12. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之配管洗淨方法，其中，將純水供給至該第一純水供給配管以洗淨該第一純水供給配管之內部的時間為1小時以上。
  13. 如申請專利範圍第8至10項中任一項之配管洗淨方法，其中，將純水供給至該第一純水供給配管以洗淨該第一純水供給配管之內部後；將雙氧水供給至該第二純水供給配管內，而以雙氧水填滿該第二純水供給配管；將以雙氧水填滿之該第二純水供給配管放置既定時間；之後，將純水供給至該第二純水供給配管內，以洗淨該第二純水供給配管；在將該第二純水供給配管放置該既定時間的期間，以該第一洗淨路徑洗淨基板。
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