TWI645462B - 舉離方法 - Google Patents

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TWI645462B
TWI645462B TW104111790A TW104111790A TWI645462B TW I645462 B TWI645462 B TW I645462B TW 104111790 A TW104111790 A TW 104111790A TW 104111790 A TW104111790 A TW 104111790A TW I645462 B TWI645462 B TW I645462B
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武田昇
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日商迪思科股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種即使在無法充分破壞緩衝層的狀況下，亦能順利地將磊晶基板剝離的舉離方法。解決手段是將在磊晶基板的表面上透過緩衝層而形成有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上的舉離方法，其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在已實施過緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。且光元件層移設步驟是對複合基板賦予超音波振動而實施。

Description

舉離方法 發明領域
本發明是有關於一種將在藍寶石基板或碳化矽等之磊晶基板表面透過緩衝層而積層有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上的舉離方法。
發明背景
在光元件的製程中，會在大致呈圓板狀之藍寶石(sapphire)基板或碳化矽等之磊晶基板的表面上透過緩衝層形成以GaN(氮化鎵)等構成之n型半導體層以及p型半導體層的光元件層，並在光元件層上以形成為格子狀的複數條切割道(street)所劃分出的複數個區域中形成發光二極體、雷射二極體等光元件而構成光元件晶圓。然後，沿著切割道分割光元件晶圓，以製造出一個個的光元件(參照例如專利文獻1)。
又，作為提升光元件之輝度的技術，已有被稱為舉離(lift)的製造方法被揭示在下述專利文獻2中，其為：將透過緩衝層而積層於構成光元件晶圓之藍寶石基板或碳化矽等磊晶基板表面上的n型半導體層以及p型半導體層所形成之光元件層，透過AuSn(金錫)等之接合材料接合到鉬 (Mo)、銅(Cu)或矽(Si)等的移設基板上，且從磊晶基板之背面側照射可穿透磊晶基板並可被緩衝層吸收之波長的雷射光線以破壞緩衝層，並將磊晶基板從光元件層剝離，藉此將光元件層移換到移設基板上。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平10-305420號公報
專利文獻2：日本專利特開2004-72052號公報
發明概要
然而，從磊晶基板之背面側將聚光點定位於緩衝層並照射雷射光線以破壞緩衝層時，會有無法充分破壞緩衝層的情況，而有無法順利地剝離磊晶基板的問題。
又，為了提升光元件的品質而在磊晶基板表面形成有複數個微細的凹凸時，即使藉由雷射光線的照射而破壞緩衝層，還是有因形成於磊晶基板表面之複數個微細的凹凸而導致磊晶基板的剝離變得困難之問題。
本發明是有鑒於上述事實而作成的發明，其主要之技術課題在於提供一種即使在無法充分地破壞緩衝層的情況下也能順利地剝離磊晶基板的舉離方法。
為了解決上述主要技術課題，依據本發明所提供的舉離方法，是將在磊晶基板的表面上透過緩衝層而形成 有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上的舉離方法，特徵在於其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在已實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上；且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板或移設基板的任一者之面賦予超音波振動，朝磊晶基板與移設基板之作為邊界部的緩衝層插入楔子，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板或移設基板的任一者之面賦予第1超音波振動，朝磊晶基板與移設基板之作為邊界部的緩衝層插入楔子並且對該楔子賦予第2超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述第1超音波振動與該第2超音波振動是設定為不同的頻率。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板與移設基板之作為邊界部的緩衝層插入楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板與移設基板之作為邊界部的緩衝層插入可從形成於前端之細孔噴出空氣的楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板與移設基板之作為邊界部的緩衝層插入可從形成於前端之細孔噴出水的楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是將複合基板浸漬於水中並賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是將複合基板加熱並且對磊晶基板或移設基板的任一者之面賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述光元件層移設步驟，是對形成複合基板之磊晶基板賦予第1超音波振動並且對移設基板賦予第2超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
上述第1超音波振動與該第2超音波振動是設定為不同 的頻率。
根據本發明的舉離方法，由於包含移設基板接合步驟、緩衝層破壞步驟及光元件層移設步驟，且該移設基板接合步驟是透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；該緩衝層破壞步驟是從構成複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；該光元件層移設步驟是在已實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上；且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，因此即使在緩衝層破壞步驟中未充分破壞緩衝層的情況中，也能輕易地將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
又，由於光元件層移設步驟是對複合基板賦予超音波振動而實施，因此即使是在為了提升光元件的品質而在磊晶基板的表面形成複數個微細的凹凸的情況中，也能輕易地將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
2‧‧‧光元件晶圓
21‧‧‧磊晶基板
21a、22a、3a‧‧‧表面
21b‧‧‧背面
22‧‧‧光元件層
23‧‧‧緩衝層
200‧‧‧複合基板
221‧‧‧n型氮化鎵半導體層
222‧‧‧p型氮化鎵半導體層
223‧‧‧切割道
224‧‧‧光元件
3‧‧‧移設基板
4‧‧‧接合材料層
5‧‧‧雷射加工裝置
51‧‧‧工作夾台
52‧‧‧雷射光線照射機構
521‧‧‧套管
522‧‧‧聚光器
6、91‧‧‧保持台
7‧‧‧吸引墊
8‧‧‧楔子
81‧‧‧細孔
9‧‧‧水槽
90‧‧‧水
圖1(a)、(b)為形成有光元件層之光元件晶圓的立體圖以及主要部位放大剖面圖。
圖2(a)~(c)為顯示移設基板接合步驟之說明圖。
圖3為用以實施緩衝層破壞步驟之雷射加工裝置的立體圖。
圖4(a)~(c)為顯示緩衝層破壞步驟之說明圖。
圖5(a)~(c)為顯示光元件層移設步驟之第1實施形態的說明圖。
圖6(a)~(c)為顯示光元件層移設步驟之第2實施形態的說明圖。
圖7為顯示光元件層移設步驟之第3實施形態的說明圖。
圖8為顯示光元件層移設步驟之第4實施形態的說明圖。
圖9為顯示光元件層移設步驟之第5實施形態的說明圖。
圖10為顯示光元件層移設步驟之第6實施形態的說明圖。
圖11為顯示光元件層移設步驟之第7實施形態的說明圖。
圖12為顯示光元件層移設步驟之第8實施形態的說明圖。
圖13為顯示光元件層移設步驟之第9實施形態的說明圖。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明之舉離方法的較佳實施形態， 參照附加圖式詳細地說明。
在圖1(a)及(b)中所示為形成有光元件層的光元件晶圓之立體圖及主要部位放大剖面圖，其中該光元件層是藉由本發明之舉離方法而被移換到移設基板上。
圖1(a)及(b)所示之光元件晶圓2，是在直徑為50mm且厚度為600μm之圓板形狀的藍寶石基板所構成之磊晶基板21的表面21a上，藉由磊晶成長法形成由n型氮化鎵半導體層221及p型氮化鎵半導體層222所構成之光元件層22。再者，在磊晶基板21的表面藉由磊晶成長法積層由n型氮化鎵半導體層221及p型氮化鎵半導體層222所構成之光元件層22時，會在磊晶基板21之表面21a與形成光元件層22之n型氮化鎵半導體層221之間，形成由氮化鎵(GaN)所構成之厚度為例如1μm的緩衝層23。如此構成之光元件晶圓2，在本實施形態中，是將光元件層22之厚度形成為例如10μm。再者，在光元件層22中，如圖1(a)所示，在形成為格子狀之複數條切割道223所劃分出的複數個區域中形成有光元件224。
如上所述，為了將光元件晶圓2之磊晶基板21從光元件層22剝離而移換到移設基板上，會實施在光元件層22之表面22a接合移設基板的移設基板接合步驟。亦即，如圖2(a)、(b)及(c)所示，可在構成光元件晶圓2之磊晶基板21的表面21a上所形成之光元件層22的表面22a，透過由金錫(AuSn)所形成之接合材料層4接合上厚度為1mm之銅基板等構成的移設基板3。再者，可使用鉬(Mo)、銅(Cu)、矽(Si)等作為移設基板3，又，可使用AuSn(金錫)、金(Au)、鉑(Pt)、 鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等作為接合材料層4。該移設基板接合步驟是藉由在形成於磊晶基板21的表面21a之光元件層22的表面22a或移設基板3之表面3a上蒸鍍上述接合材料以形成厚度為3μm左右的接合材料層4，且使該接合材料層4與移設基板3之表面3a或光元件層22之表面22a相面對而壓合，以透過接合材料層4將移設基板3之表面3a接合到光元件晶圓2之光元件層22的表面22a而形成複合基板200。
如上所述，透過接合材料層4將移設基板3的表面3a接合到光元件晶圓2之光元件層22的表面22a而形成複合基板200後，即可實施緩衝層破壞步驟，從磊晶基板21的背面側對緩衝層23照射對磊晶基板21具有穿透性且對緩衝層23具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，以破壞緩衝層。該緩衝層破壞步驟是使用圖3所示之雷射加工裝置5來實施。圖3所示之雷射加工裝置5具備有保持被加工物之工作夾台51，與將雷射光線照射在保持於該工作夾台51上之被加工物上的雷射光線照射機構52。工作夾台51是構成為可吸引保持被加工物，且形成為可藉由圖未示之加工進給機構使其在圖3中於箭頭X所示的加工進給方向上移動，並且藉由圖未示之分度進給機構使其在圖3中於箭頭Y所示的分度進給方向上移動。
上述雷射光線照射機構52包含有實質上呈水平配置之圓筒形狀的套管521。在套管521內配置有具備圖未示之脈衝雷射光線振盪器及重複頻率設定機構的脈衝雷射光線振盪機構。在上述套管521的前端部裝設有用以將脈衝 雷射光線振盪機構發射之脈衝雷射光線聚光的聚光器522。再者，雷射光線照射機構52具備有用以調整以聚光器522聚光之脈衝雷射光線的聚光點位置的聚光點位置調整機構(圖未示)。
使用上述雷射加工裝置5以實施緩衝層破壞步驟時，是如圖3所示，將上述複合基板200的移設基板3側載置於工作夾台51的上表面(保持面)。然後，藉由圖未示之吸引機構，將複合基板200吸附保持於工作夾台51上(晶圓保持步驟)。因此，被保持於工作夾台51上之複合基板200會形成構成光元件晶圓2之磊晶基板21的背面21b為上側。像這樣將複合基板200吸引保持於工作夾台51上之後，即可作動圖未示之加工進給機構，將工作夾台51移動到雷射光線照射機構52之聚光器522所在的雷射光線照射區域，將一端(圖4(a)的左端)定位於雷射光線照射機構52之聚光器522的正下方。然後，如圖4(b)所示，將由聚光器522照射出之脈衝雷射光線的散焦(defocus)狀態的光點(S)對準於緩衝層23。接著，作動雷射光線照射機構52，以在從聚光器522照射出脈衝雷射光線時，以預定之加工進給速度使工作夾台51於圖4(a)中朝箭頭X1所示的方向移動。然後，如圖4(c)所示，當雷射光線照射機構52之聚光器522的照射位置到達磊晶基板21之另一端(圖4(c)的右端)時，即停止脈衝雷射光線之照射，並且停止工作夾台51之移動。將這個雷射光線照射步驟在對應於整個緩衝層23之區域中實施。
再者，上述緩衝層破壞步驟也可以藉由將聚光器522定 位於磊晶基板21之最外周，且於旋轉工作夾台51時使聚光器522朝向中心移動，來對整個緩衝層23照射脈衝雷射光線。
上述緩衝層破壞步驟是在例如以下之加工條件下實施。
光源：YAG雷射
波長：257nm
重複頻率：50kHz
平均輸出功率：0.12W
脈衝寬度：100ps
光點點徑：70μm
散焦：1.0(在已將雷射光線之聚光點定位在磊晶基板21之背面的狀態下，將聚光器522朝磊晶基板21靠近1mm。)
加工進給速度：600mm/秒
實施過上述緩衝層破壞步驟之後，即可實施光元件層移設步驟，將磊晶基板21從光元件層22剝離而將光元件層22移設到移設基板3上。
參照圖5來說明光元件層移設步驟之第1實施形態。將已實施緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置於保持台上，藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台6上。因此，被吸引保持在保持台6上之複合基板200會形成磊晶基板21之背面21b為上側。接著， 如圖5(b)所示，將吸引墊7之下表面的吸引面載置在被吸引保持於保持台6上之構成複合基板200的磊晶基板21的背面21b，並且藉由作動圖未示之吸引機構，將磊晶基板21的背面21b吸引於吸引墊7之下表面的吸引面上。然後，作動配置於保持台6上之圖未示的超音波振動機構以對移設基板3的背面賦予超音波振動，並且作動配置於吸引墊7之圖未示的超音波振動機構以使其對磊晶基板21的背面21b賦予超音波振動。接著，如圖5(c)所示，將吸引墊7朝離開保持台6的方向提高。再者，是將對移設基板3之背面以及磊晶基板21之背面所賦予的超音波振動設定在例如20kHz。如此，由於是對複合基板200賦予超音波振動來將吸引墊7朝離開保持台6的方向提高，所以即使在上述的緩衝層破壞步驟中於緩衝層23並未被充分地破壞的狀況下，也能如圖5(c)所示，輕易地將磊晶基板21從光元件層22剝離而將光元件層22移設到移設基板3。再者，在上述之第1實施形態中，雖然是顯示對移設基板3之背面以及磊晶基板21之背面賦予超音波振動之例，但是對其中任一方之面賦予亦可。
接著，參照圖6來說明光元件層移設步驟之第2實施形態。在第2實施形態中，與上述第1實施形態相同，如圖6(a)所示，將已實施過上述之緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置於保持台6上，藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台6上。接著，如圖6(b)所示，將吸引墊7之下表面的吸引面載置在被吸引保持於保持台6上之構成複合基板200的磊晶基板21的背面 21b，並且藉由作動圖未示之吸引機構，將磊晶基板21的背面21b吸引於吸引墊7之下表面的吸引面上。然後，作動配置於保持台6上之圖未示的超音波振動機構以對移設基板3的背面賦予超音波振動，並且作動配置於吸引墊7之圖未示的超音波振動機構以使其對磊晶基板21的背面21b賦予超音波振動。接著，如圖6(b)所示，將楔子8朝磊晶基板21與移設基板3之作為邊界部的緩衝層23插入，並且將吸引墊7朝離開保持台6的方向提高。再者，是將對移設基板3之背面以及磊晶基板21之背面所賦予的超音波振動設定在例如20kHz。如此，由於是對複合基板200賦予超音波振動並且在將楔子8插入磊晶基板21與移設基板3之作為邊界部的緩衝層23時將吸引墊7朝向離開保持台6的方向提高，所以即使在上述之緩衝層破壞步驟中於緩衝層23並未被充分破壞的狀況下，也能如圖6(c)所示，輕易地將磊晶基板21從光元件層22剝離而將光元件層22移設到移設基板3。再者，在上述之第2實施形態中，雖然是顯示對移設基板3之背面以及磊晶基板21之背面賦予超音波振動之例，但是對其中任一方之面賦予亦可。
接著，參照圖7來說明光元件層移設步驟之第3實施形態。圖7所示之第3實施形態，是將已實施過緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置於保持台6上，藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台6上。接著，將吸引墊7之下表面的吸引面載置在被吸引保持於保持台6上之構成複合基板200的磊晶基板21的 背面21b，並且藉由作動圖未示之吸引機構，將磊晶基板21的背面21b吸引於吸引墊7之下表面的吸引面上。並且，其為對朝磊晶基板21與移設基板3之作為邊界部的緩衝層23插入的楔子8賦予了超音波振動的形態，可獲得更進一步的磊晶基板21的剝離效果。
接著，參照圖8來說明光元件層移設步驟之第4實施形態。圖8所示之第4實施形態，是對圖7所示之第3實施形態的移設基板3的背面及/或磊晶基板21的背面賦予第1超音波振動，並且對朝磊晶基板21與移設基板3之作為邊界部的緩衝層23插入的楔子8賦予了第2超音波振動的形態。再者，賦予於移設基板3的背面及/或磊晶基板21的背面之第1超音波振動，與賦予於楔子8之第2超音波振動宜為不同的頻率。例如，賦予於移設基板3的背面及/或磊晶基板21的背面之第1超音波振動的頻率是設定在20kHz，賦予於楔子8之第2超音波振動的頻率是設定在32kHz。如此，藉由將賦予於移設基板3的背面及/或磊晶基板21的背面之第1超音波振動，與賦予於楔子8之第2超音波振動的頻率設定為不同頻率，可得到更進一步的磊晶基板21的剝離效果。
接著，參照圖9來說明光元件層移設步驟之第5實施形態。圖9所示之第5實施形態，是做成在圖7所示之第3實施形態的楔子8前端設置形成開口之細孔81，並從該細孔81對緩衝層23噴出空氣的形態。
接著，參照圖10來說明光元件層移設步驟之第6實施形態。圖10所示之第6實施形態，是做成從圖9所示之 第5實施形態的設置於楔子8上之細孔81對緩衝層23噴出水的形態。
接著，參照圖11來說明光元件層移設步驟之第7實施形態。圖11所示之第7實施形態，是將已實施過緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置在配置於水槽9之保持台91上，並藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台91上。因此，被吸引保持在保持台91上之複合基板200會形成磊晶基板21之背面21b位於上側。接著，在水槽9中充滿水90並且作動配置於保持台91上之圖未示的超音波振動機構以對移設基板3的背面賦予超音波振動。然後，使用上述之吸引墊7等之剝離機構將磊晶基板21從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板3上。
接著，參照圖12來說明光元件層移設步驟之第8實施形態。圖12所示之第8實施形態，是將已實施過緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置在保持台6上，並藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台6上。接著，將吸引墊7之下表面的吸引面載置在被吸引保持於保持台6上之構成複合基板200的磊晶基板21的背面上，並且藉由作動圖未示之吸引機構，將磊晶基板21的背面吸引於吸引墊7之下表面的吸引面。然後，作動配置於保持台6上之圖未示的加熱機構以將複合基板200加熱，並且作動配置於吸引墊7之圖未示的超音波振動機構以使其對磊晶基板21之背面21b賦予超音波振動。接著，藉由如上述地將吸引墊7朝向離開保持台6的方向提高，可輕易地 將磊晶基板21從光元件層22剝離而將光元件層22移設到移設基板3上。再者，在上述之實施形態中，雖然是顯示對磊晶基板21之背面賦予超音波振動之例，但是也可對移設基板3賦予超音波振動。
接著，參照圖13來說明光元件層移設步驟之第9實施形態。圖13所示之第9實施形態，是將已實施過緩衝層破壞步驟之複合基板200的移設基板3側載置在保持台6上，並藉由作動圖未示之吸引機構以將複合基板200吸引保持在保持台6上。接著，將吸引墊7之下表面的吸引面載置在被吸引保持於保持台6上之構成複合基板200的磊晶基板21的背面上，並且藉由作動圖未示之吸引機構，將磊晶基板21的背面吸引於吸引墊7之下表面的吸引面上。然後，作動配置於吸引墊7上之圖未示的超音波振動機構以對磊晶基板21之背面21b賦予第1超音波振動，並且作動配置於保持台6上之圖未示的超音波振動機構以使其對移設基板3的背面賦予第2超音波振動。再者，賦予於磊晶基板21之背面的第1超音波振動，與賦予於移設基板3之背面的第2超音波振動為不同的頻率。例如，賦予於移設基板3的背面之第1超音波振動的頻率是設定為20kHz，賦予於磊晶基板21之背面的第2超音波振動的頻率是設定為32kHz。接著，藉由如上述地將吸引墊7朝向離開保持台6的方向提高，可輕易地將磊晶基板21從光元件層22剝離而將光元件層22移設到移設基板3上。如此，藉由將賦予於移設基板3的背面之第1超音波振動的頻率，與賦予於磊晶基板21之背面之第2超音波振 動的頻率設定為不同頻率，可得到更進一步的磊晶基板21的剝離效果。

Claims (8)

  1. 一種舉離方法，是將在磊晶基板的表面上隔著緩衝層而形成有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上，該舉離方法的特徵在於其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對形成複合基板之磊晶基板或移設基板的任一者之面賦予超音波振動，並朝作為磊晶基板與移設基板之邊界部的緩衝層插入楔子，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  2. 一種舉離方法，是將在磊晶基板的表面上隔著緩衝層而形成有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上，該舉離方法的特徵在於其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對形成複合基板之磊晶基板或移設基板的任一者之面賦予第1超音波振動，朝作為磊晶基板與移設基板之邊界部的緩衝層插入楔子並且對該楔子賦予第2超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  3. 如請求項2之舉離方法，其中，該第1超音波振動與該第2超音波振動是設定為不同的頻率。
  4. 一種舉離方法，是將在磊晶基板的表面上隔著緩衝層而形成有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上，該舉離方法的特徵在於其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對作為形成複合基板之磊晶基板與移設基板之邊界部的緩衝層插入楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  5. 一種舉離方法，移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對作為形成複合基板之磊晶基板與移設基板之邊界部的緩衝層插入可從形成於前端之細孔噴出空氣的楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  6. 一種舉離方法，是將在磊晶基板的表面上隔著緩衝層而形成有光元件層之光元件晶圓的光元件層移換到移設基板上，該舉離方法的特徵在於其包含：移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對作為形成複合基板之磊晶基板與移設基板之邊界部的緩衝層插入可從形成於前端之細孔噴出水的楔子並且對該楔子賦予超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  7. 一種舉離方法，移設基板接合步驟，透過接合材料在光元件晶圓的光元件層之表面上接合移設基板以形成複合基板；緩衝層破壞步驟，從構成該複合基板之光元件晶圓的磊晶基板的背面側對緩衝層照射對磊晶基板具有穿透性且對緩衝層具有吸收性之波長的脈衝雷射光線，破壞緩衝層；及光元件層移設步驟，在實施該緩衝層破壞步驟之後，將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板上，且該光元件層移設步驟是一邊對複合基板賦予超音波振動一邊實施，該光元件層移設步驟是對形成複合基板之磊晶基板賦予第1超音波振動並且對移設基板賦予第2超音波振動，並將磊晶基板從光元件層剝離而將光元件層移設到移設基板。
  8. 如請求項7之舉離方法，其中，該第1超音波振動與該第2超音波振動是設定為不同的頻率。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105047589B (zh) * 2015-07-08 2018-05-29 浙江中纳晶微电子科技有限公司 晶圆解键合装置
JP2017103405A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US10384433B2 (en) * 2015-12-11 2019-08-20 Suma Consulting and Investments, Inc. Apparatus and method to extract an object from a base surface using vibration
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
JP2017163009A (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 東芝メモリ株式会社 半導体装置の製造方法
CN107818938B (zh) * 2016-09-13 2021-07-30 台湾积体电路制造股份有限公司 运送系统及运送加工元件的方法
JP6976828B2 (ja) * 2017-11-24 2021-12-08 株式会社ディスコ 剥離装置
JP7034683B2 (ja) * 2017-11-29 2022-03-14 株式会社ディスコ 剥離装置
JP6991673B2 (ja) 2018-02-27 2022-01-12 株式会社ディスコ 剥離方法
JP7027215B2 (ja) * 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
CN108461438A (zh) * 2018-04-03 2018-08-28 泉州市盛维电子科技有限公司 一种微型发光二极管的巨量转移装置及转移方法
CN109671651B (zh) * 2018-12-20 2019-11-05 广东工业大学 一种超声释放式Micro-LED巨量转移方法
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112000A (ja) * 2004-01-13 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
TW201349321A (zh) * 2012-04-26 2013-12-01 Disco Corp 舉離方法（二）

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (ja) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
JP2002050749A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 複合部材の分離方法及び装置
JP2003077940A (ja) 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US20090053845A1 (en) 2005-11-14 2009-02-26 Palo Alto Research Center Incorporated Method For Controlling The Structure And Surface Qualities Of A Thin Film And Product Produced Thereby
JP5054933B2 (ja) 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5467238B2 (ja) 2006-06-21 2014-04-09 株式会社ハイテック・システムズ 半導体の熱処理方法
JP2011040564A (ja) 2009-08-11 2011-02-24 Toshiba Corp 半導体素子の製造方法および製造装置
JP5345507B2 (ja) 2009-11-10 2013-11-20 株式会社ソフ．エンジニアリング リフトオフ装置およびリフトオフ処理方法
US9123671B2 (en) 2010-12-30 2015-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Silicon wafer strength enhancement
JP2011093803A (ja) 2011-02-02 2011-05-12 Jx Nippon Mining & Metals Corp 窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の製造方法
JP5766530B2 (ja) * 2011-07-13 2015-08-19 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP6098028B2 (ja) 2011-09-14 2017-03-22 株式会社リコー 窒化ガリウム結晶、１３族窒化物結晶、１３族窒化物結晶基板および製造方法
AU2013222069A1 (en) * 2012-02-26 2014-10-16 Solexel, Inc. Systems and methods for laser splitting and device layer transfer
JP5992696B2 (ja) 2012-02-29 2016-09-14 株式会社ディスコ リフトオフ装置
JP6349175B2 (ja) * 2014-07-14 2018-06-27 株式会社ディスコ リフトオフ方法及び超音波ホーン

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004112000A (ja) * 2004-01-13 2004-04-08 Toshiba Corp 半導体発光素子の製造方法
TW201349321A (zh) * 2012-04-26 2013-12-01 Disco Corp 舉離方法（二）

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