TWI644340B - 紫外線照射裝置、紫外線照射方法、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 448
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 title 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims abstract description 69
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 47
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 46
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 121
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 43
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 30
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 9
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 5
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Toxicology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
提供一種能夠對於基板而均勻地照射紫外線之
紫外線照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
本發明之紫外線照射裝置，係具備有：基
板搬送部，係將基板沿著第1方向進行搬送；和照射部，係包含有對於藉由基板搬送部而在第1方向上移動的基板照射紫外線之光照射面；和集光構件，係被設置在照射部之光照射面側，並將紫外線集光於基板，光照射面，係成為使沿著與第1方向相交叉之第2方向的長邊之寬幅與基板之前述第2方向之寬幅相互對應的矩形狀，集光構件，係由使開口面積隨著從光照射面起朝向基板而擴大的筒狀所成，並至少在第2方向之端部處被設置有反射紫外線之反射板。
Description
本發明，係有關於紫外線照射裝置、紫外線照射方法、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
在構成液晶顯示器等之顯示面板的玻璃基板上，係被形成有配線圖案或電極圖案等之微細的圖案。一般而言，此種圖案，例如係藉由光微影法等之手法來形成。在光微影法中，係進行有：將光阻膜塗布在玻璃基板上之工程、和使光阻膜曝光之工程、和使曝光後之光阻膜顯像之工程、以及對於顯像後之光阻膜而照射紫外線等之光之工程(硬化工程)。
在上述之硬化工程中，係使用有對於基板而照射紫外線之紫外線照射裝置。作為此種紫外線照射裝置，係要求對於基板而均勻地照射紫外線。例如，在下述之專利文獻1中，係揭示有：藉由使反射紫外線之反射板
作上下移動或者是將反射面之角度作適宜之變更，來配合於基板之大小而調整紫外線之照射方向的技術。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-114848號公報
相對於此，雖然亦可考慮使用具備有與基板之搬送方向同等的寬幅之形狀的燈管，並一面搬送基板一面進行紫外線處理的形態，但是，於此情況，由於燈管係在寬幅方向上延伸，因此會在紫外線之照度中產生有分布。因此，在使用有具備有與基板之寬幅方向相同之寬幅的細長形狀之燈管的情況時，係期望能夠提供一種可將在基板之寬幅方向上所產生的紫外線之照度分布差消除的嶄新之技術。
本發明，係為有鑑於此種課題所進行者，其目的，係在於提供一種能夠對於基板而均勻地照射紫外線之紫外線照射裝置、紫外線照射方法、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
為了達成上述目的，本發明之第1形態之紫外線照射裝置，其特徵為，係具備有：基板搬送部，係將基板沿著第1方向進行搬送；和照射部，係包含有對於藉由前述基板搬送部而在前述第1方向上移動的基板照射紫外線之光照射面；和集光構件，係被設置在前述照射部之前述光照射面側，並將前述紫外線集光於前述基板，前述光照射面，係為使沿著與前述第1方向相交叉之第2方向的長邊之寬幅與前述基板之前述第2方向之寬幅相互對應的矩形狀，前述集光構件，係由使開口面積隨著從前述光照射面起朝向前述基板而擴大的筒狀所成，並具備有在前述第1方向上以相互成為平行的方式而被作對向配置並且反射前述紫外線之第1反射板以及第2反射板、和以被挾持於前述第1反射板以及第2反射板之間的方式而被作配置並且反射前述紫外線之第3反射板以及第4反射板、和驅動部、和檢測部、以及控制部，前述第3反射板以及前述第4反射板，係藉由使前述光照射面側之側端部分別被前述第1反射板以及第2反射板作軸支撐，而被設為可作轉動，前述驅動部，係相對於前述第1反射板以及前述第2反射板而使前述第3反射板以及前述第4反射板轉動，前述控制部，係基於藉由前述集光構件所集光了的前述紫外線之由前述檢測部所得到的檢測結果，來對由前述驅動部所致之前述第3反射板以及前述第4反射板的轉動動作作控制。
從矩形狀之紫外線照射面所照射的紫外線，
係起因於在第2方向上之擴散而會被照射至基板外。因此，在第2方向上，會於照射至基板上之紫外線的照度中產生有分布。故而，若是採用本發明，則係能夠將在第2方向上擴散之紫外線反射並照射至基板上。因此，在第2方向上，係能夠將照射至基板上之紫外線的照度分布均勻化。
又，在上述紫外線照射裝置中，較理想，前述反射板，係具備有將前述紫外線作鏡面反射之反射面。
若依據此構成，則係能夠將紫外線有效率地朝向基板反射。
又，在上述紫外線照射裝置中，較理想，前述集光構件，係包含有對於前述反射板之安裝角度作調整的角度調整機構。
若依據此構成，則係能夠對於紫外線之反射方向作調整。故而，係能夠因應於照明部(光照射面)之大小，來將以各種之角度而射入至反射板處的紫外線朝向基板反射。
又，在上述紫外線照射裝置中，較理想，係更進而具備有：檢測部，係能夠檢測出藉由前述集光構件所集光的前述紫外線；和控制部，係對於前述角度調整機構之驅動作控制。
檢測部，係檢測出藉由集光構件所集光的紫外線之照度分布。若依據本發明，則係能夠基於檢測部之檢測結果(照度分布)，來以使照度分布均一化的方式而對於反射板之安裝角度進行調整。
本發明之第2形態之紫外線照射方法，其特徵為：係具備有對於在第1方向上移動之基板照射紫外線之紫外線照射步驟，在前述紫外線照射步驟中，係使用有上述第1形態之紫外線照射裝置。
若依據本形態之紫外線照射方法，則由於係能夠對於基板而均勻地照射紫外線，因此係能夠以良好的精確度來進行紫外線照射處理。
本發明之第3形態之基板處理裝置，其特徵為，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及紫外線照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置，係更進而具備有：紫外線處理裝置，係從前述基板搬送線之側方，而被連接於配置在較前述顯像裝置而更下游側處之前述關連裝置的一部分處，並對於顯像後之前述處理膜進行紫外線照射處理；和基板搬送裝置，係在前述基板搬送線和前述紫外線照射裝置之間進行前述基板的授受，作為前述紫外線處理裝置，係使用有上述第1形態之紫外線照射裝置。
若依據本形態之構成，則由於係使用有能夠對於基板而均勻地照射紫外線之紫外線照射裝置，因此係能夠提供一種可進行信賴性為高之處理的基板處理裝置。
本發明之第4形態之基板處理裝置之製造方法，其特徵為：該基板處理裝置，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及紫外線照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置之製造方法，係具備有：將對於顯像後之前述處理膜進行紫外線照射處理之紫外線照射裝置，從前述基板搬送線之側方或上方來對於配置在較前述顯像裝置而更下游側處之前述關連裝置的一部分作連接之工程，作為前述紫外線照射裝置，係使用有上述第1形態之紫外線照射裝置。
若依據本形態之構成，則由於係從基板搬送線之側方來將紫外線處理裝置連接於被配置在較顯像裝置而更下游側的關聯裝置之一部分處，因此係能夠容易地安裝紫外線處理裝置。故而，係能夠簡單地製造出一種可進行信賴性為高之處理的基板處理裝置。
若依據本發明，則係能夠對於基板而均勻地照射紫外線。
SPA‧‧‧基板處理裝置
G‧‧‧基板
E2‧‧‧紫外線有效照射寬幅
UV、UV1‧‧‧紫外線處理單元
K、K1‧‧‧開口部
DV‧‧‧顯像單元
47‧‧‧塗布裝置
86、186‧‧‧光照射部
86a、186a‧‧‧照射部
86b、186b‧‧‧集光構件
86b1‧‧‧反射板
86a1、186a1‧‧‧光照射面
89‧‧‧搬送機構(基板搬送部)
101a、102a、103a、104a‧‧‧反射板
115‧‧‧驅動部(角度調整機構)
116‧‧‧檢測部
117‧‧‧控制部
[圖1]對於第1實施形態的基板處理裝置SPA作展示之平面圖。
[圖2]對於當從+Z方向來對於第1實施形態之紫外線處理單元UV作觀察時的構成作展示之圖。
[圖3]對於第1實施形態之紫外線處理單元UV的動作作展示之圖。
[圖4]對於第1實施形態之紫外線處理單元UV的動作作展示之圖。
[圖5]對於第1實施形態之紫外線處理單元UV的重要部分構成作展示之圖。
[圖6]對於第1實施形態之紫外線處理單元UV的重要部分構成作展示之圖。
[圖7]用以對於從光照射面86a1而來之紫外線的擴散作說明之圖。
[圖8]對於由集光構件86b所致的效果作展示之圖表。
[圖9]對於第2實施形態之照射單元186的構成作展示之圖。
[圖10]係為第3實施形態之紫外線處理單元UV1的構成圖。
[圖11]對於第3實施形態之紫外線處理單元UV1的動作作展示之圖。
[圖12]對於第3實施形態之紫外線處理單元UV1的
動作作展示之圖。
[圖13]對於第3實施形態之紫外線處理單元UV1的動作作展示之圖。
以下，參考圖面，針對本發明之實施形態作說明。於以下之說明中，係設定XYZ正交座標系，並參考此XYZ正交座標系來針對各構件之位置關係作說明。將水平面內之既定方向作為X軸方向，將在水平面內與X軸方向相正交之方向作為Y軸方向，並將與X軸方向以及Y軸方向之各者相正交的方向(亦即是鉛直方向)作為Z軸方向。又，將X軸、Y軸以及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向，分別作為θ X、θ Y以及θ Z方向。
(第1實施形態)
圖1，係為對於本實施形態的基板處理裝置SPA作展示之平面圖。
基板處理裝置SPA，例如係具備有在X方向上而配置成一列之裝載、卸載機LU、和塗布顯像處理部CD、和介面部IF、以及控制部CONT。基板處理裝置SPA，係成為藉由裝載、卸載機LU和介面部IF來包夾塗布顯像處理部CD地而作了配置之構成。控制部CONT，係對於基板處理裝置SPA之各部作統籌性處理。
(裝載、卸載機)
裝載、卸載機LU，係為進行收容複數之基板G的卡匣C之搬入以及搬出的部份。裝載、卸載機LU，係具備有卡匣待機部10以及搬送機構11。
卡匣待機部10，例如係被配置在基板處理裝置SPA之-X側的端部處，並收容複數之卡匣C。被收容於卡匣待機部10中之卡匣C，例如係成為在Y方向上被作配列。卡匣待機部10，係於-X側處被形成有未圖示之開口部，並成為經由該開口部而在其與基板處理裝置SPA之外部間進行卡匣C的授受。
搬送機構11，係被配置在卡匣待機部10之+X側處，並在卡匣C和塗布顯像處理部CD之間進行基板G之搬送。搬送機構11，例如係沿著Y方向而被配置有2個，該2個的搬送機構11，例如係成為相同之構成。被配置在-Y側處之搬送機構11a，係將基板G從裝載、卸載機LU而搬送至塗布顯像處理部CD處。被配置在+Y側處之搬送機構11b，係將基板G從塗布顯像處理部CD而搬送至裝載、卸載機LU處。
搬送機構11，係具備有搬送臂12(12a、12b)。搬送臂12，係具備有保持玻璃基板之保持部，並被設置為例如可朝向一方向而伸縮。搬送臂12，係被構成為可在θ Z方向上旋轉。搬送臂12，例如係藉由θ Z方向上旋轉，而成為能夠朝向卡匣待機部10和塗布顯像處理部CD之各者的方向。搬送臂12，係藉由使搬送臂12伸
縮，而成為能夠對於卡匣待機部10和塗布顯像處理部CD之各者進行存取。
(塗布顯像處理部)
塗布顯像處理部CD，係為對於基板G而施加包含有光阻塗布以及顯像的一連串之處理之部分。塗布顯像處理部CD，係具備有洗滌單元SR、脫水烘烤單元DH、塗布單元CT、預烘烤單元PR、介面部IF、顯像單元DV、紫外線處理單元UV以及後烘烤單元PB。
塗布顯像處理部CD，係成為在Y方向上被作了分割的構成，在-Y側之部分處，係成為將從裝載、卸載機LU而來之基板G朝向介面部IF而朝+X方向作搬送。在+Y側之部分處，係成為將從介面部IF而來之基板G朝向裝載、卸載機LU而朝-X方向作搬送。
洗滌單元SR，係被連接於裝載、卸載機LU之下游處，並為進行基板G之洗淨的單元。洗滌單元SR，係具備有乾洗淨裝置41、濕洗淨裝置42以及氣刀裝置43。在乾洗淨裝置41之-X側以及氣刀裝置43之+X側處，係分別被設置有輸送帶機構CV1、CV2。在輸送帶機構CV1、CV2處，係被設置有搬送基板G之未圖示之皮帶機構。
乾洗淨裝置41，例如係藉由對於基板G照射準分子雷射等之紫外線，而將基板G上之有機物除去。濕洗淨裝置42，例如係具備有未圖示之刮刷。濕洗淨裝置
42，係使用洗淨液以及該刮刷來將基板G洗淨。氣刀裝置43，例如係具備有未圖示之氣刀噴射機構。氣刀裝置43，係使用氣刀噴射機構來在基板G上形成氣刀，並將基板G上之雜質除去。
脫水烘烤單元DH，係被連接於洗滌單元SR之下游處，並為將基板G上脫水之單元。脫水烘烤單元DH，係具備有加熱裝置44、HMDS裝置46以及冷卻裝置45。加熱裝置44以及HMDS裝置46，係以在Z方向上而作了重疊的狀態來作配置。在以Z方向作觀察時而與加熱裝置44以及HMDS裝置46相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV3，在以Z方向作觀察時而與冷卻裝置45相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV4。在加熱裝置44和HMDS裝置46以及冷卻裝置45之間，係被設置有搬送基板G之搬送機構TR1。針對搬送機構TR1，例如係可採用與被設置在裝載、卸載機LU處之搬送機構11相同的構成。
加熱裝置44，例如係成為在能夠收容基板G之腔內而具備有加熱器的構成。加熱裝置44，係在Z方向上而例如被作複數段之配置。加熱裝置44，係將基板G以既定之溫度加熱。HMDS裝置46，係為使HMDS氣體作用於基板G而施加疏水化處理並使在塗布單元CT處所塗布在基板G上之光阻膜和基板G之間的密著性提昇之裝置。冷卻裝置45，例如係成為在能夠收容基板G之腔內而具備有調溫機構，並將基板G冷卻至既定之溫度。
塗布單元CT，係被連接於脫水烘烤單元DH之下游處，並在基板G上之既定的區域處形成光阻膜。塗布單元CT，係具備有塗布裝置47、減壓乾燥裝置48、周緣部除去裝置49。塗布裝置47，係為在基板G上塗布光阻膜之裝置。作為塗布裝置47，例如係使用旋轉式塗布裝置、無旋轉式塗布裝置、細縫噴嘴塗布裝置等。亦可採用能夠對於此些之各種的塗布裝置作交換的構成。減壓乾燥裝置48，係使塗布了光阻膜後之基板G的表面乾燥。周緣部除去裝置49，係為將被塗布在基板G之周緣部處的光阻膜除去並對於光阻膜之形狀作整理的裝置。
預烘烤單元PR，係被連接於塗布單元CT之下游處，並為對於基板G進行預烘烤處理之單元。預烘烤單元PR，係具備有加熱裝置50以及冷卻裝置51。在與加熱裝置50相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV5。在與冷卻裝置51相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV6。加熱裝置50和冷卻裝置51，係以包夾著搬送機構TR2的方式來沿著Y方向作配置。
顯像單元DV，係被連接於預烘烤單元PR之冷卻裝置51之-X側處，並進行曝光後之基板G的顯像處理。顯像單元DV，係具備有顯像裝置55、沖洗裝置56以及氣刀裝置57。顯像裝置55，係對於基板G供給顯像液並進行顯像處理。沖洗裝置56，係對於顯像後之基板G供給沖洗液並將基板G洗淨。氣刀裝置57，係在基板G上形成氣刀，並使基板G上乾燥。在顯像裝置55之+X
側處，係被設置有輸送帶機構CV9，在氣刀裝置57之-X側處，係被設置有搬送機構TR4。
紫外線處理單元UV，係被配置在顯像單元DV之+Z側，並被連接於搬送機構TR4之+X側處。紫外線處理單元UV，係對於顯像後之基板G例如照射特定波長之光。搬送機構TR4，係將從氣刀裝置57而來之基板G搬送至紫外線處理單元UV處，並將從紫外線處理單元UV而來之基板G搬送至後烘烤單元PB處。搬送機構TR4，係具備有能夠一面保持基板G一面在Z方向上進行升降的機器臂。
後烘烤單元PB，係被連接於搬送機構TR4之下游側，並對光處理後之基板G進行烘烤。後烘烤單元PB，係具備有加熱裝置59以及冷卻裝置60。在加熱裝置59和冷卻裝置60之間，係被設置有搬送機構TR5。搬送機構TR5，係將基板G從加熱裝置59而搬送至冷卻裝置60處。加熱裝置59，係對於顯像後之基板G進行後烘烤。冷卻裝置60，係將後烘烤後之基板G冷卻。
介面部IF，係為被與曝光裝置EX作連接的部份。介面部IF，係具備有緩衝裝置52、搬送機構TR3、輸送帶機構CV7、CV8以及周邊曝光裝置EE。緩衝裝置52，係被配置在預烘烤單元PR之搬送機構TR2的+X側處。在緩衝裝置52之+X側處，係被設置有搬送機構TR3。
緩衝裝置52，係為用以使基板G暫時性地待
機之裝置。在緩衝裝置52處，係被設置有收容基板G之未圖示之腔、和對於該腔內之溫度作調整之調溫裝置、和對於被收容於腔內之基板G的θ Z方向之位置作調整的旋轉控制裝置等。在緩衝裝置52之腔內，係成為能夠將基板G之溫度保持於特定之溫度。輸送帶機構CV7、CV8，係以在X方向上而將預烘烤單元PR之冷卻裝置51作包夾的方式，而被作配置。
(紫外線處理單元)
圖2，係為對於當在-Z方向上對於紫外線處理單元UV作了觀察時的構成作展示之圖。圖3(a)以及圖3(b)，係為對於當在+Y方向上對於紫外線處理單元UV作了觀察時的構成作展示之圖。圖4(a)、(b)，係為對於當在+X方向上對於紫外線處理單元UV作了觀察時的構成作展示之圖。圖5，係為對於身為紫外線處理單元UV之重要部分的集光構件之構成作展示之圖。另外，在圖2~圖5中，為了容易對圖面作判別，係分別將一部分之構成作省略而展示之。
如同圖2、圖3中所示一般，紫外線處理單元UV，係具備有預備裝置80以及紫外線照射裝置81。
預備裝置80，係具備有腔82、減壓機構83以及升降機構84。預備裝置80，例如係作為將搬送至紫外線照射裝置81處的基板G作暫時性收容之預備室而設置之。當然的，亦可為其他的用途。預備裝置80，例如係在+Y側
處具備有基板搬入搬出口80a。在預備裝置80處，係成為能夠在藉由減壓機構83來將腔82內作了減壓的狀態下而收容基板G。作為減壓機構83，例如係使用幫浦機構等。
升降機構84，係設置為可在Z方向上移動。在升降機構84之+Z側處，例如係被設置有複數之支持銷84a。複數之支持銷84a的+Z側之端部，例如係被設置於與XY平面相平行之同一平面內。因此，藉由複數之支持銷84a，基板G係成為與XY平面相平行地而被支持。升降機構84，係成為一面支持被收容於腔82內之基板G，一面將該基板G朝向腔82內之Z方向作搬送。
紫外線照射裝置81，係被與預備裝置80作連接，並為對於基板G進行紫外線之照射的裝置。紫外線照射裝置81，係具備有腔85、照射單元86、平台87、遞交機構88、搬送機構(基板搬送部)89、加熱機構90以及吸引機構91。紫外線照射裝置81，例如係在+X側處具備有基板搬入搬出口81a。
該基板搬入搬出口81a，係被連接於預備裝置80之-X側處，並對於預備裝置80而進行基板G之搬入以及搬出。又，在腔82之+X側之面處，係被設置有用以連接顯像單元DV之連接部80b。連接部80b，係將腔82物理性地連接於顯像單元DV側，並且藉由使腔82之電性配線等作連接，來亦將腔82和顯像單元DV作電性連接。
腔85，係將被進行紫外線之照射處理的基板G作收容。腔85，係被形成為當平面觀察時會成矩形並且例如使其中一方向成為長邊的方式來形成。在腔85之頂板部85a處，係被設置有紫外線照射用之開口部85b。開口部85b，係被設置在當平面觀察時會與腔85中之照射單元86相對應的位置處。又，在腔85之頂板部85a處，係被設置有蓋部85c。蓋部85c，係被設置在複數場所、例如當平面觀察時沿著腔85之長邊方向而被設置在3個場所處。蓋部85c，係被設置在腔85之頂板部85a中的從開口部85b而離開的位置處。
在腔85內，係於包夾開口部85b之位置處被設置有遮光構件85d。遮光構件85d，例如係被安裝於腔85之頂板部85a處，並身為將從照射單元86而來之紫外線作遮光的板狀構件。遮光構件85d，例如係被形成在將腔85內作區隔的位置處。以下，將腔85中之藉由遮光構件85d而被作了區隔的部份，分別標記為第1基板搬送部85F、處理部85P以及第2基板搬送部85S。第1基板搬送部85F，係為腔85內之預備裝置80側的部份。處理部85P，係為被形成有開口部85b之部分。第2基板搬送部85S，係為距離預備裝置80而最遠的部份。
照射單元86，係被安裝在腔85之開口部85b處。照射單元86，係具備有射出紫外線(例如i線等)之照射部86a、和將從該照射部86a所射出的紫外線集光於基板G上之集光構件86b。照射部86a，例如係由金屬鹵素
燈等所構成。
於此，針對集光構件86b之構成，參考圖5來作說明。圖5(a)，係為對於在從+Z方向來對於集光構件86b作了觀察的狀態下之形狀(以下，稱作平面形狀)作展示之圖，圖5(b)係為對於在從-Y方向而對於集光構件86b作了觀察的狀態下之形狀(以下，稱作側面形狀)作展示之圖，圖5(c)係為對於在從+X方向而對於集光構件86b作了觀察的狀態下之形狀(以下，稱作正面形狀)作展示之圖。
如同圖5(a)、(b)、(c)中所示一般，集光構件86b，其之側面形狀以及正面形狀係為略梯形，平面形狀係為矩形。
圖6，係為對於照射單元86之剖面構成作展示之圖，圖6(a)，係為對於在從+X方向來對於照射單元86作了觀察的狀態下之正面側剖面圖，圖6(b)，係為對於在從-Y方向來對於照射單元86作了觀察的狀態下之側面側剖面圖。
如同圖6(a)中所示一般，照射部86a，係在下面(-Z方向側)側而形成有將紫外線以輻射狀來進行照射的光照射面86a1。另外，在光照射面86a1處，係亦可設置將波長為較300nm更低之成分作截除的濾鏡。若依據此，則照射部86a，由於係隔著此濾鏡而射出光，因此從照射部86a所射出之紫外線的波長係成為300nm以上。藉由如此這般地將紫外線之波長設為300nm以上，係能夠
防止起因於紫外線之照射而導致基板G之溫度過度上升的情形。
如同圖5中所示一般，集光構件86b，係為具備有從光照射面86a1而朝向基板G的開口部K之筒狀的構件。開口部K，係為形成使從光照射面86a1而朝向基板側之紫外線通過的空間者，並隨著從光照射面86a1起朝向基板G接近而使開口面積擴大。
如圖6(a)、(b)中所示一般，集光構件86b，係於其之內側面處，設置有反射紫外線L之反射板86b1。反射板86b1，例如，係由SUS、鋁等之金屬構件所構成，並為將紫外線L作鏡面反射之反射鏡。
光照射面86a1之平面形狀，係為使沿著與身為由搬送機構89所致之基板G的搬送方向之X方向(第1方向)相交叉的Y方向(第2方向)之長邊的寬幅會和基板G之Y方向的寬幅(以下，稱作基板寬幅方向)相互對應的矩形。又，光照射面86a1之X方向的尺寸，係較基板G更小。亦即是，光照射面86a1係呈現在Y方向上為細長之形狀。
因此，照射單元86，係並不使照射部86a進行掃描地(並不進行移動地)而對於基板寬幅方向之全區域照射紫外線，並成為藉由使照射部86a在X方向上進行掃描而對於基板G之X方向的全部區域照射紫外線。
圖7，係為用以對於從光照射面86a1而來之紫外線的擴散作說明之圖。
光照射面86a1，係以輻射狀來照射紫外線。因此，如同圖7中所示一般，當在光照射面86a1和基板G之間並未被配置有集光構件86b的情況時，從光照射面86a1所射出之紫外線L係會在基板寬幅方向上而擴散至基板G之外側。
起因於此，從在基板寬幅方向上成為細長形狀之光照射面86a1所照射至基板G上之紫外線L，係會在基板寬幅方向上，產生相較於中央部而兩端部之照度相對性而言會變得較低的照度分布差。起因於此，係並無法均勻地對於基板G進行紫外線處理。
相對於此，本實施形態之照射單元86，係在光照射面86a1側具備有集光構件86b。因此，如同圖6(a)中所示一般，從光照射面86a1而以輻射狀擴散的紫外線L之一部分，係會在被形成於集光構件86b之內面處的反射板86b1處反射並被照射至基板G上。
故而，集光構件86b，係能夠藉由將在先前技術中會擴散至基板G之外部的紫外線作反射，來導入至基板G上。故而，在基板G之Y方向上，係能夠將紫外線L的照度均勻化。
圖8，係為對於由集光構件86b所致的效果(實施例)作展示之圖表。在圖8中，係亦對於並未具備集光構件86b的情況(比較例)作了展示。另外，在圖8中，橫軸係為基板G之寬幅方向上的座標(單位：mm)，縱軸係為基板上之紫外線照度(單位：mW/cm2)。另外，所謂橫
軸0mm之座標位置，係代表基板G之寬幅方向的中心座標，並將相對於該中心座標之其中一側規定為+座標，且將另外一側規定為-座標。
若依據圖8，則可以確認到，在並未設置集光構件86b的情況時之照度，係為89mW/cm2(平均值)，相對於此，在設置有集光構件86b的情況時之照度，係成為142mW/cm2(平均值)。亦即是，可以確認到，藉由集光構件86b，紫外線照度係提昇。此係因為，藉由以集光構件86b來將紫外線集光於基板G上，照度係提昇之故。
又，若依據圖8之比較例，則可以確認到，在並未設置集光構件86b的情況時，能夠得到所期望之照度(89mW/cm2以上)的基板寬幅方向上之座標範圍(以下，稱作紫外線有效照射寬幅)E1，係為-100mm~100mm之範圍，相對於此，在設置有集光構件86b的情況時，能夠得到所期望之照度(142mW/cm2以上)的紫外線有效照射寬幅E2，係成為-125mm~125mm之範圍。
亦即是，可以確認到，藉由集光構件86b，紫外線有效照射寬幅E2係擴大。此係因為，藉由以集光構件86b來將擴散至基板外部之紫外線成分作反射並照射至基板端部，係使在基板寬幅方向上所產生的紫外線照度之參差(相較於基板中央部而基板兩端部的照度相對性而言為較低之狀態)更為和緩之故。
如同以上所述一般，在本實施形態中，從照射部86a而來之紫外線，係藉由集光構件86b而在使照度
分布作了均勻化的狀態下被照射至處理部85P處。被照射至處理部85P處之紫外線，係成為被遮光構件85d所遮光。故而，從照射單元86而來之照度為均勻的紫外線，係成為並不會被照射至第1基板搬送部85F以及第2基板搬送部85S地而僅被照射至處理部85P處。
平台87，係被收容於腔85內，並為沿著腔85之長邊方向而形成的板狀構件。平台87，係遍佈於第1基板搬送部85F、處理部85P以及第2基板搬送部85S地而被作配置。平台87，係具備有第1開口部87a、第2開口部87b。第1開口部87a，係形成於被配置在第1基板搬送部85F處的部份。第2開口部87b，係涵蓋平台87之略全面地而被形成。第2開口部87b，例如係被與未圖示之空氣供給機構以及吸引機構作連接。因此，從第2開口部87b係成為噴出有空氣，並成為藉由該空氣而在平台87之全面上形成有空氣之層。作為此吸引機構，例如係亦可為使吸引機構91作了連接的構成。
授受機構88，係具備有基板保持構件88a、傳導構件88b、驅動機構88c以及升降機構88d。授受機構88，係設置為可在預備裝置80和紫外線照射裝置81之雙方的裝置間移動。
基板保持構件88a，係具備有梳齒狀部100以及移動部101。梳齒狀部100，例如係在Y方向上以使梳齒部分相對向的方式而作設置。在梳齒狀部100處，係成為保持有基板G。梳齒狀部100之根部部分，係被與移動
部101作連接。移動部101，係以貫通腔85之+Y側以及-Y側之壁部的方式而被作設置。移動部101，係在腔85之+Y側以及-Y側處具備有固定機構102。移動部101，係經由固定機構102而被固定在上述傳導構件88b處。
67]作為傳導構件88b，例如係使用金屬線等之線狀構件。傳導構件88b，係以至少與腔85之+Y側以及-Y側之側部相接的方式而被形成為環狀。傳導構件88b，在該腔85之+Y側以及-Y側處，係沿著X方向而被作設置。
如同圖2以及圖4(b)中所示一般，傳導構件88b，係在腔85之-X側的角部處，分別藉由滑輪部88f、88g而被朝向Y方向作拉繞。如同圖4(b)中所示一般，在腔85之-X側端面上，係被設置有複數之滑輪部88h。傳導構件88b，係在腔85之-X側端面處，經由該滑輪部88h而被與驅動機構88c作連接。又，傳導構件88b之+X側，係如同圖2以及圖3(b)中所示一般，被勾掛在設置於腔85之+X側之角部處的滑輪部88i、88j上。
驅動機構88c，係被設置在腔85之外部的該腔85之-Z側處。驅動機構88c，係具備有未圖示之馬達，並成為藉由使該馬達旋轉來驅動傳導構件88b之構成。圖3中所示之升降機構88d，係被設置在第1基板搬送部85F之-Z側處，並設置為能夠藉由未圖示之致動器
來在Z方向上移動。升降機構88d，係具備有複數的支持銷88e。支持銷88e，係被配置在當從Z方向作觀察時會與被設置在平台87處之第1開口部87a相重疊的位置處。藉由使升降機構88d在Z方向上移動，支持銷88e係成為相對於第1開口部87a而在平台87上出沒。
授受機構88，係成為藉由以被設置在腔85之外部的驅動機構88c來驅動傳導構件88b，而經由該傳導機構88b來使基板保持構件88a在X方向上移動。如此這般，藉由被設置在腔85之外部的驅動機構88c之驅動，係成為能夠使基板保持構件88a在腔85之內部移動。又，在授受機構88處，係藉由使升降機構88d在Z方向上移動，而成為能夠接收被保持在梳齒狀部100處之基板G。
搬送機構89，係具備有基板保持構件89a、傳導構件89b以及驅動機構89c。例如如同在圖4(a)等中所示一般，搬送機構89，係被設置在授受機構88之-Z側處。
基板保持構件89a，係當從Z方向作觀察時被形成為L字型，並在與基板G之角度相對應的位置處各被配置有1個，而總計配置有4個。基板保持構件89a，係成為能夠將基板G之角部作保持。更具體而言，基板保持構件89a，係成為將基板G之角部中的X側以及Y側之面(側面)和-Z側之面(底面)作保持。4個的基板保持構件89a，係被固定在支持用金屬線105上。支持用金屬線
105，係藉由沿著X方向所設置的2根之金屬線、沿著Y方向所設置的4根之金屬線之總計6根的金屬線所構成。支持用金屬線105，係成為全部被施加有張力之狀態。
沿著X方向而被作設置之2根的金屬線105X，係將4個的基板保持構件89a中之沿著X方向所配置的基板保持構件89a彼此作連接。沿著Y方向所設置的4根之金屬線105Y，係在Y方向上貫通腔85地而被設置。4根的金屬線105Y中之最靠+X側的金屬線105Y，係經由支持構件106而被與+X側之2個的基板保持構件89a作連接。最靠-X側的金屬線105Y，係經由支持構件107而被與-X側之2個的基板保持構件89a作連接。
在腔85之+Y側處，係設置有被固定在傳導構件89b處之2個的固定機構108。金屬線105Y之+Y側端部，係分別被與該2個的固定機構108作連接。在腔85之-Y側處，係設置有被固定在傳導構件89b處之2個的固定機構109，金屬線105Y之-Y側端部，係分別被與該些固定機構109作連接。
作為傳導構件89b，例如係使用金屬線等之線狀構件。傳導構件89b，例如係被設置有2根。上述之2個的固定機構108以及固定機構109，係於各傳導構件89b處而各被固定有1個。故而，2個的傳導構件89b中之其中一根，係被與-X側之2個的基板保持構件89a作連接，傳導構件89b之另外一根，係被與+X側之2個的基板保持構件89a作連接。
各傳導構件89b，例如係在腔85之側部處，沿著X方向而被作設置。又，各傳導構件89b，係以至少與腔85之+Y側以及-Y側之側部相接的方式而被形成為環狀。各傳導構件89b，在該腔85之+Y側以及-Y側處，係沿著X方向而被作設置。
如同圖2以及圖4(b)中所示一般，各傳導構件89b，係在腔85之-X側的角部處，分別藉由滑輪部89f、89g而被朝向Y方向作拉繞。如同圖4(b)中所示一般，在腔85之-X側端面上，係被設置有複數之滑輪部89h。各傳導構件89b，係在腔85之-X側端面處，經由該滑輪部89h而被與驅動機構89c作連接。藉由滑輪部89f、89g以及89h，2根的傳導構件89b係並不會相互交纏地而成為能夠獨立進行移動。
另外，滑輪部88f、89f、88g、89g、88h、89h的配置，只要是身為能夠使上述傳導構件88b以及2根的傳導構件89b不會相互交纏地而獨立進行移動的形態，則係並不被限定於在本實施形態中所揭示之配置，當然的，亦可採用其他的配置。
作為傳導構件89b，例如係與傳導構件88b同樣的，使用例如金屬線等之線狀構件。如同在圖3(b)中所示一般，被設置在搬送機構89處之傳導構件89b，係相對於被設置在授受機構88處之傳導構件88b而被配置在-Z側處。
又，如同圖2等中所示一般，傳導構件88b
和傳導構件89b中之例如沿著腔85所設置的各別之部分，係以在從Z方向作觀察時會相互重疊的方式而被作配置。故而，與傳導構件88b同樣的，傳導構件89b，例如係在腔85之側部處，沿著X方向而被作設置。
如同圖2以及圖4(b)中所示一般，各傳導構件89b，係在腔85之-X側的角部處，分別藉由滑輪部89f、89g而被朝向Y方向作拉繞。如同圖4(b)中所示一般，在腔85之-X側端面上，係被設置有複數之滑輪部89h。
各傳導構件89b，係在腔85之-X側端面處，經由該滑輪部89h而被與驅動機構89c作連接。又，各傳導構件89b之+X側，係如同圖2以及圖3(b)中所示一般，被勾掛在設置於腔85之+X側之角部處的滑輪部89i、89j上。
驅動機構89c，係被設置在腔85之外部的該腔85之-Z側處。驅動機構89c，係具備有未圖示之馬達，並成為藉由使該馬達旋轉來驅動傳導構件89b之構成。驅動機構89c，係針對2個的傳導構件89b處，而分別各設置有1個。藉由對於驅動機構89c例如進行同步控制，係成為能夠使4個的基板保持構件89a以相等的速度來移動。
搬送機構89，係成為藉由以驅動機構89c來驅動傳導構件89b，而經由該傳導機構89b來使基板保持構件89a在X方向上移動。如此這般，藉由被設置在腔
85之外部的驅動機構89c之驅動，係成為能夠使基板保持構件89a在腔85之內部移動。
加熱機構90，例如係被設置在腔85之處理部85P的底部處。加熱機構90，係於內部具備有例如電熱線等之加熱部和對於該加熱部之加熱溫度進行調整的溫度控制部等。吸引機構91，係對腔85內作吸引。作為吸引機構91，例如係使用幫浦機構等。
(基板處理裝置之製造方法)
上述基板處理裝置SPA，係能夠藉由將紫外線處理單元UV連接於搬送機構TR4之側部處，而容易地製造出來。於此情況，藉由將腔82之連接部80b連接於搬送機構TR4側，係成為能夠將紫外線處理單元UV和搬送機構TR4側之間作物理性連接並且作電性連接。
(基板處理方法、紫外線照射方法)
針對使用有如同上述一般所構成之基板處理裝置SPA的基板處理方法作說明。
首先，將被收容有基板G之卡匣C，裝載於裝載、卸載機LU之卡匣待機部10中。卡匣C內之基板G，係經由搬送機構11來搬送至洗滌單元SR處。
被搬送至洗滌單元SR處之基板G，係經由輸送帶機構CV1來搬送至乾洗淨裝置41處。此基板G，係依序被乾洗淨裝置41、濕洗淨裝置42以及氣刀裝置43
所處理。從氣刀裝置43而被搬出之基板G，係經由輸送帶機構CV2來搬送至脫水烘烤單元DH處。
在脫水烘烤單元DH處，首先係藉由加熱裝置44來進行基板G之加熱處理。加熱後之基板G，例如係被朝向Z方向作搬送，並在HMDS裝置46處被進行由HMDS氣體所致的處理。HMDS處理後之基板G，係藉由搬送機構TR1而被搬送至冷卻裝置45處，並被進行冷卻處理。冷卻處理後之基板G，係藉由輸送帶機構CV4而被搬送至塗布單元CT處。
之後，基板G係在塗布單元CT處而被進行光阻膜之塗布處理。塗布處理後之基板G，係被搬送至預烘烤單元PR處，並在加熱裝置50處被進行預烘烤處理，且在冷卻裝置51處被進行冷卻處理。結束了在預烘烤單元PR處之處理的基板G，係藉由搬送機構TR2而被搬送至介面部IF處。
在介面部IF中，例如係於緩衝裝置52處而被進行溫度調整，之後在周邊曝光裝置EE處被進行周邊曝光。在周邊曝光之後，基板G，係藉由搬送機構TR3而被搬送至曝光裝置EX處，並被進行曝光處理。曝光處理後之基板G，係在被進行加熱處理以及冷卻處理之後，被搬送至顯像單元DV處。
在顯像單元DV處，對於基板G係依序進行顯像處理、沖洗處理以及乾燥處理。在乾燥處理之後，藉由輸送帶機構CV10，基板G係被搬送至紫外線處理單元
UV處。
在紫外線處理單元UV處，基板G首先係被搬送至預備裝置80之腔82內。在經由基板搬入搬出口80a而將基板G搬送至腔82內之後，將基板搬入搬出口80a閉塞而將腔82密閉，並使減壓機構83動作，而進行減壓處理。在減壓處理之後，使升降機構84朝向+Z側移動，並成為藉由支持銷84a來將基板G舉升之狀態。此時，係將基板G一直舉升至較授受機構88之基板保持構件88a的高度而更高之位置(+Z側之位置)處。
在將基板G舉升之後，使基板保持構件88a之梳齒狀部100插入至腔82內，並將梳齒狀部100配置在基板G之-Z側處。在配置了梳齒狀部100之後，使升降機構84朝向-Z側移動，並使被作了舉升的基板G朝向-Z側移動。在基板G之-Z側處，由於係被配置有梳齒狀部100，因此，基板G係被從支持銷84a而遞交至梳齒狀部100處。
在接收了基板G之後，藉由驅動機構88c之驅動來經由傳導構件88b而使基板保持構件88a朝向-X側移動，並將基板G搬入至腔85內。在基板G之搬入後，將腔85內密閉，並使吸引機構91動作而將腔85內減壓。又，一面將腔85內減壓，一面更進而使驅動機構88c進行驅動，而以當在Z方向上作觀察時會與第1基板搬送部85F之第1開口部87a相重疊的方式，來配置基板G。
在配置了基板G之後，使升降機構88d朝向+Z側移動，並使支持銷88e從第1開口部87a而突出。在支持銷88e之+Z側處，由於係被配置有基板G，因此，基板G係成為被從基板保持構件88a而遞交至支持銷88e處。在基板G被作了遞交之後，使驅動機構89c驅動，並使基板保持構件89a朝向基板G之-Z側移動。此時，係以使4個的基板保持構件89a分別在從Z方向作觀察時會與基板G之4個的角部相互重疊的方式，來使驅動機構89c進行驅動。
在配置了基板保持構件89a之後，使升降機構88d朝向-Z側移動，並使基板G朝向-Z側移動。在基板G之-Z側處，由於係被配置有基板保持構件89a，因此，基板G係被從支持銷88e而遞交至基板保持構件89a處。在此基板G被作遞交時，係例如使未圖示之空氣供給部動作，並在第2開口部87b處以特定之噴出量以及吸引量來將空氣作噴出以及吸引，而在平台87上預先形成空氣之層。在基板G被作遞交時，由於在基板G和平台87之間係被形成有空氣層，因此，基板G係成為藉由空氣層和基板保持構件89a而被作保持。故而，就算是身為使基板保持部構件89a僅將基板G之角部作保持的構成，基板G亦係成為不會產生撓折或碎裂地而被安定的作保持。
在基板G被保持於基板保持構件89a處之後，使驅動機構89c驅動，並將基板G搬送至處理部85P
處。由於基板G係浮上於空氣層之上而被作搬送，因此係能夠以更少的驅動力來搬送基板G。因此，係成為能夠使傳導構件89b之負擔縮小。在基板G被搬送至處理部85P處之後，一面將該基板G在處理部85P內而朝向-X側搬送，一面使照射單元86以及加熱機構90動作。藉由此動作，在處理部85P處，係成為在將基板G作了搬送並且作了加熱的狀態下，來從照射單元86而對於基板G之表面照射紫外線。在處理部85P之+X側以及-X側處，由於係被設置有遮光構件85d，因此，紫外線係成為不會從處理部85P而漏出地來進行處理。
在處理部85P處，由於係一面搬送基板G一面照射紫外線，因此，基板G係從紫外線照射已結束了的部份起而逐漸地被朝向第2基板搬送部85S搬出。當對於基板G之全部而結束了紫外線照射的情況時，基板G之全部係成為被收容在第2基板搬送部85S中。在紫外線照射結束之後，使照射單元86以及加熱機構90之動作停止，並將基板G搬送至第1基板搬送部85F處。
被搬送至第1基板搬送部85F處之基板G，係從搬送機構89而被遞交至基板授受機構88處，並經由基板授受機構88而被從腔85來搬送至腔82處。在腔82中，基板G係從基板授受機構88而被遞交至升降機構84處，之後，藉由未圖示之搬送機構，基板G係經由基板搬入搬出口80a而被從腔82內朝向紫外線處理單元UV之外部搬出。
接著，基板G係在加熱裝置59處被進行後烘烤處理，且在冷卻裝置60處被冷卻。冷卻處理後，基板G係藉由搬送機構11來收容於卡匣C中。如此這般，係成為對於基板G而進行塗布處理、曝光處理以及顯像處理之一連串的處理。
如同上述一般，若依據本實施形態，則在紫外線處理單元UV處，就算是當從寬幅為與基板寬幅方向之寬幅相同的照射部86a來照射紫外線的情況時，亦能夠藉由集光構件86b而將在基板寬幅方向上而擴散的紫外線集光並照射於基板G上。藉由此，係能夠將在基板寬幅方向上而被照射至基板G上之紫外線的照度分布均勻化。
[第2實施形態]
接著，針對本發明之第2實施形態作說明。
本實施形態與上述實施形態間之差異，係在於照射單元之構造。因此，以下，係以光照射部之構成為主體來作說明，針對與上述實施形態相同或共通之構成，則係附加相同之元件符號，並省略其之詳細說明。
圖9，係為對於本實施形態之照射單元的構成作展示之圖。圖9(a)，係為對於照射單元186之構成作展示之立體圖，圖9(b)，係為對於在從+X方向來對於照射單元186作了觀察的狀態下之正面側剖面圖，圖9(c)，係為對於在從-Y方向來對於照射單元186作了觀察的狀態下之側面側剖面圖。
如同圖9(a)中所示一般，本實施形態之照射單元186，係具備有照射部186a、和集光構件186b。照射部186a，例如係由金屬鹵素燈等所構成。
本實施形態之集光構件186b，係包含有正面板部111、和背面板部112、和右側面板部113、和左側面板部114、和驅動部115、和檢測部116、以及控制部117。正面板部111以及背面板部112，其之平面形狀係分別為略矩形狀，並以相互成為平行的方式來作對向配置。右側面板部113以及左側面板部114，其之平面形狀係分別為矩形狀，並以被包夾在正面板部111以及背面板部112之間的方式而被作配置。右側面板部113以及左側面板部114，係成為密著於正面板部111以及背面板部112之內面處的狀態。
另外，正面板部111以及背面板部112之平面形狀，只要是能夠將右側面板部113以及左側面板部114以密著於內面處的狀態來作保持者，則並未特別作限定，例如，亦可為梯形狀。
集光構件186b，係藉由將正面板部111、背面板部112、右側面板部113以及左側面板部114作組合，而構成具備有從照射部186a之光照射面186a1起朝向基板G的開口部K1之筒狀的構件。開口部K1，係為形成使從光照射面186a1而朝向基板G之紫外線通過的空間者，並隨著從光照射面186a1起朝向基板G接近而使開口面積擴大。
在本實施形態中，右側面板部113以及左側面板部114，係以如同上述一般地而使開口部K1之開口面積擴大的方式，而被安裝在正面板部111以及背面板部112處。
如圖9(b)、(c)中所示一般，正面板部111以及背面板部112，係於其之內面側處，分別被形成有反射紫外線之反射板101a、102a。又，右側面板部(反射板)103以及左側面板部(反射板)104，係於其之內面側處，分別被形成有反射紫外線之反射板103a、104a。反射板101a、102a、103a、104a，例如，係由SUS、鋁等之金屬構件所構成，並為將紫外線作鏡面反射之反射鏡。
右側面板部113以及左側面板部114，係藉由使光照射面186a1側之側端部113a、114a被軸支持於正面板部111以及背面板部112處，而構成為可作轉動。驅動部115，係藉由使右側面板部113以及左側面板部114以側端部113a、114a為中心來進行轉動，而能夠對相對於正面板部111以及背面板部112之右側面板部113以及左側面板部114的安裝角度進行調整。
亦即是，驅動部115，係構成對於作為反射板而起作用之右側面板部113以及左側面板部114的安裝角度進行調整之角度調整機構。
檢測部116，係為檢測出藉由集光構件186b所集光的紫外線L之感測器。檢測部116，係被與控制部117作電性連接，並將檢測結果送訊至控制部117處。控
制部117，係基於從檢測部116所送訊而來之檢測結果，來對於驅動部115之驅動進行控制。另外，控制部117，係亦可由對於基板處理裝置SPA之各部作統籌性處理的控制部CONT之一部分來構成之。
檢測部116，當並不進行紫外線L之檢測的情況時，係在從集光構件186b之下方而作了退避的位置處而待機。藉由此，係能夠防止在紫外線處理時而紫外線被檢測部116所遮蔽的情形。
基於此種構成，集光構件186b，係藉由在圖9中所示之YZ平面內而使右側面板部113以及左側面板部114進行轉動，來將右側面板部113以及左側面板部114的安裝角度設定為特定值。藉由此，係能夠對於在基板G之寬幅方向上而擴散的紫外線之反射角度(集光程度)作調整。
於此，右側面板部113以及左側面板部114之安裝角度，係因應於照射部186a之特性(大小、形狀、個體差異等)而改變。因此，右側面板部113以及左側面板部114之安裝角度，係以因應於照射部186a之特性而作最佳化為理想。
本實施形態之照射單元186，係預先對於當將安裝角度作了各種之設定的情況時之紫外線的照度分別進行計測，並基於該結果，來以會成為能夠將紫外線之照度最為均勻化之右側面板部113以及左側面板部114之安裝角度的方式，而使驅動部115進行驅動。若依據此，則由
於係能夠對於在基板G之寬幅方向上而擴散的紫外線之反射方向作任意的調整，因此，係能夠並不依存於照射部186a之特性地而將在基板G之寬幅方向上的紫外線的照度分布均勻化。
在本實施形態中，亦同樣的，照射單元186，係能夠並不使照射部186a進行掃描地(並不進行移動地)而對於基板寬幅方向之全區域照射紫外線L。另一方面，照射單元186，係藉由使照射部186a在X方向上進行掃描而對於基板G之X方向的全部區域照射紫外線L。
在本實施形態中，照射單元186，由於正面板部111以及背面板部112之安裝角度係並不會變化，因此在X方向上係並無法變更紫外線L之照射方向。照射單元186，係藉由使照射部186a在X方向上進行掃描而對於基板G之X方向的全部區域照射紫外線L。因此，基板G，由於在X方向上係使紫外線L作重疊照射，故而係能夠抑制照度參差之發生。
(第3實施形態)
接著，針對本發明之第3實施形態作說明。
本實施形態與上述實施形態間之差異，係在於紫外線處理單元之構造。因此，以下，係以紫外線處理單元之構成為主體來作說明，針對與上述實施形態相同或共通之構成，則係附加相同之元件符號，並省略其之詳細說明。
圖10，係為對於當在+Y方向上對於本實施
形態之紫外線處理單元UV1作了觀察時的構成作展示之圖。如圖10中所示一般，紫外線處理單元UV1，係具備有腔180、和照射單元86、和第1平台182、和第1搬送部183、和第2平台184、以及第2搬送部185。腔180，係被形成為直方體之箱狀。腔180，係被配置在顯像單元DV之側面(+Y側之面)。另外，在本實施形態中，紫外線處理單元UV1，係使腔180被配置在顯像單元DV之上面(+Z側之面)。
在腔180之-X側之面(特定面)180f處，係被設置有基板搬入搬出口180a。基板搬入搬出口180a，係對於腔180而進行基板G之搬入以及搬出。又，在腔180之特定面180f處，係被設置有用以連接顯像單元DV之連接部180b。連接部180b，係將腔180物理性地連接於顯像單元DV側，並且藉由使腔180之電性配線等作連接，來亦將腔180和顯像單元DV作電性連接。
在本實施形態中，照射單元86，係被安裝在腔180之+Z側之面上，並以使+Z側之端部突出於腔180之外部的方式來作配置。
第1平台182，係被設置在腔180之內部。第1平台182，係將被搬入至腔180之內部的基板G作支持。第1平台182，係被配置在基板搬入搬出口180a之+X側處，並能夠支持從基板搬入搬出口180a所搬入之基板G。第1平台182，係具備有將基板G在X方向上作搬送之未圖示之搬送機構。又，第1平台182，係能夠在
Z方向上進行升降。第1平台182，係能夠在與第1搬送部183相等之高度位置(Z方向上之位置)和與第2搬送部185相等之高度位置之間作移動。第1平台182，在與第2搬送部185相等之高度位置處，係能夠將從第2搬送部185而來之基板G作支持。又，第1平台182，係能夠以將基板G作了支持的狀態下而進行升降。
第1搬送部183，係將從第1平台182所搬送而來之基板G作搬送。第1搬送部183，係具備有搬送機構183a以及加熱機構183b。搬送機構183a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝向+X方向作搬送。在使搬送機構183a之動作停止了的狀態下，係成為能夠在將基板G之姿勢作了保持的狀態下而支持基板G。加熱機構183b，係以使之後會接受紫外線之照射的基板G之溫度成為適溫的方式，來調整基板G之溫度。例如，加熱機構183b，係將基板G之溫度維持於100℃程度。
第2平台184，係被設置在腔180之內部的+X側之端部處。第2平台184，係將從第1搬送部183所搬送而來之基板G作支持。第2平台184，係具備有將基板G在X方向上作搬送之未圖示之搬送機構。又，第2平台184，係能夠在Z方向上進行升降。第2平台184，係能夠在與第1搬送部183相等之高度位置(Z方向上之位置)和與第2搬送部185相等之高度位置之間作移動。又，第2平台184，係能夠在將基板G作了支持的狀態下
而進行升降。第2平台184，當被配置在與第2搬送部185相等之高度位置處的情況時，係能夠對於第2搬送部185而送出基板G。
第2搬送部185，係將從第2平台184所搬送而來之基板G作搬送。第2搬送部185，係被配置在第1搬送部183之+Z側處。第2搬送部185，係與照射單元86相對向地而被配置。第2搬送部185，係具備有搬送機構185a以及加熱機構185b。搬送機構185a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝向-X方向作搬送。在使搬送機構185a之動作停止了的狀態下，係成為能夠在將基板G之姿勢作了保持的狀態下而支持基板G。加熱機構185b，係在Z方向上而被配置在將基板G包夾在加熱機構185b和照射單元86之間的位置處。加熱機構185b，係將藉由照射單元86而接受光的照射之基板G從-Z側起來進行加熱。加熱機構185b，係對於被搬送機構185a所支持了的基板G進行加熱。搬送機構185a，當在第2搬送部185之-X側處被設置有第1平台182的情況時，係能夠將基板G搬送至第1平台182處。
從基板搬入搬出口180a所搬入之基板G，係經由第1平台182以及第1搬送部183而朝向+X方向來搬送至第2平台184處。如此這般，在腔180內，係形成有將基板G朝向一方向(+X方向)作搬送之第1基板搬送路徑R1。被支持於第2平台184上之基板G，係經由該
第2平台184以及第2搬送部185而朝向-X方向來搬送至第1平台182處。如此這般，在腔180內，係形成有將基板G朝向一方向(-X方向)作搬送之第2基板搬送路徑R2。第2基板搬送路徑R2，係相對於第1基板搬送路徑R1而在+Z方向上並排作配置。
在本實施形態中，照射單元86，係亦可構成為能夠沿著被照射光之基板G之搬送路徑(第2基板搬送路徑R2)來移動。亦即是，照射單元86，係可設為能夠在圖10中之與X軸相平行之方向D1以及方向D2上移動。例如，在腔180處，係可設置使照射單元86作水平移動之水平移動機構。藉由採用此種構成，能夠一面使照射單元86在方向D1或方向D2上移動一面對於基板G照射光。藉由此，係能夠自由地變更在第2搬送部185上而被朝向-X方向作搬送之基板G、和照射單元86，此兩者間的相對速度。其結果，係能夠自由地設定對於基板G之光照射量或工時(tact time)。
具體而言，藉由一面使照射單元86與基板G朝向相同方向(方向D1)移動一面進行光照射，由於相對於基板G之照射單元86的相對速度係降低，因此就算是並不提昇照射部86a之輸出，也能夠使對於基板G之光照射量增大。針對此事，從其他觀點來看，由於係成為就算是使搬送速度上升也能夠將對於基板G之光照射量維持為同等之光照射量，因此，係能夠使在裝置內之基板G的搬送速度上升，而亦能夠使產率提昇。
另一方面，藉由一面使照射單元86與基板G朝向相反方向(方向D2)移動一面進行光照射，由於基板G和照射單元86之間的相對速度係上升，因此在對於基板G之光照射中所需要的時間(tact time)係縮短。藉由此，當光照射工程會成為瓶頸的情況時，係能夠謀求產率之提升。又，藉由變更照射單元86之移動速度，並不需要對於基板G之搬送速度或照射部86a之輸出作變更，便能夠調整對於基板G之光照射量。當使照射單元86朝向方向D2移動的情況時，將對於基板G之光照射量降低的方向之調整係成為容易。
另外，照射單元86之移動方向和在第2搬送部185處之基板搬送方向，係只要概略為平行即可。具體而言，照射單元86之移動方向和在第2搬送部185處之基板搬送方向之間所成的角度，係只要為30度以下即可。
接著，針對在本實施形態之紫外線處理單元UV1處的紫外線照射處理作說明。
圖11~圖13，係為紫外線處理單元UV1的動作說明圖。以下，在紫外線處理單元UV1中，當被搬入有複數之基板G的情況時，係將複數之基板依據被搬入之順序而標記為G1、G2、G3...。
控制部CONT，係使保持基板G之機器臂朝向+Z方向移動，並如圖11(a)中所示一般，將基板G1從基板搬入搬出口180a來搬入至腔180之內部。在紫外線
處理單元UV1中，係預先將第1平台182配置在與第1搬送部183相等之高度位置處。藉由此，被搬入至腔180中之基板G1係被載置在第1平台182上。
接著，控制部CONT，係如圖11(b)中所示一般，將被載置在第1平台182上之基板G1朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部183處。控制部CONT，係在將基板G1搬送至第1搬送部183之X方向的略中央部處之後，使搬送機構183a暫時停止，並使加熱機構183b動作。藉由此動作，被搬送機構183a所支持的基板G1，係藉由加熱機構183b而被調整為所期望之溫度。
在將基板G1以一定時間而預備性地作了加熱之後，控制部CONT，係如圖11(c)中所示一般，藉由搬送機構183a來將基板G1朝向+X方向搬送。基板G1，係從第1搬送部183而被遞交至第2平台184處。
又，控制部CONT，係將從顯像單元DV所搬送而來之其他之基板G2搬入至腔180中。控制部CONT，係使搬送機構TR4之機器臂一直移動至基板搬入搬出口180a處，而將基板G2從基板搬入搬出口180a來搬入至腔180之內部。被搬入至腔180之內部的基板G2，係被載置在第1平台182上。
接著，控制部CONT，係如圖12(a)中所示一般，使支持有基板G1之狀態下的第2平台184朝向+Z側移動，而使其與第2搬送部185之高度位置相合致。又，控制部CONT，係將被載置在第1平台182上之基板
G2朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部183處。控制部CONT，係在將基板G2搬送至第1搬送部183之X方向的略中央部處之後，使搬送機構183a暫時停止，並使加熱機構183b動作。藉由此動作，被搬送機構183a所支持的基板G2，係藉由加熱機構183b而被調整為所期望之溫度。
接著，控制部CONT，係如圖12(b)中所示一般，使第1平台182朝向+Z方向移動，而預先使其與第2搬送部185之高度位置相合致。又，控制部CONT，係將被載置在第2平台184上之基板G1朝向-X方向搬送，而使其移動至第2搬送部185處。控制部CONT，係對於被搬送至第2搬送部185處之基板G1，而進行由照射單元86所致之紫外線照射。控制部CONT，係使搬送機構185a動作而使基板G1朝向-X方向移動，並且使加熱機構185b動作，而將基板G1之溫度維持於100℃程度。
在此狀態下，控制部CONT，係從照射單元86而使紫外線射出。從照射單元86所射出之紫外線，係被照射至基板G1處。藉由此動作，對於藉由搬送機構185a而在水平面上移動之基板G1，係照射有紫外線。紫外線之照射，係一直進行，直到基板G1之全體於-X方向上而通過了照射單元86為止。藉由第2搬送部185而被朝向-X方向作了搬送的基板G1，係如同圖12(c)中所示一般，被載置於預先作了配置的第1平台182上。控制
部CONT，係在將基板G1載置在第1平台182上之後，使第1平台182朝向-Z方向移動，並使其之高度位置與第1搬送部183相合致。
接著，控制部CONT，係如圖13(a)中所示一般，使用第1平台182以及搬送機構TR4之機器臂，來將第1平台182上之基板G1搬出。又，控制部CONT，係使在第1搬送部183處而被進行有預備性之加熱的基板G2朝向+X方向移動，並載置在第2平台184上。
接著，控制部CONT，係如圖13(b)中所示一般，使支持有基板G2之狀態下的第2平台184朝向+Z側移動，而使其與第2搬送部185之高度位置相合致。又，控制部CONT，係將被載置在第1平台182上之基板G3朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部183處。控制部CONT，係在將基板G3搬送至第1搬送部183之X方向的略中央部處之後，使搬送機構183a暫時停止，並對基板G3進行預備性加熱。
之後，控制部CONT，係與上述相同的而對於基板G2、基板G3依序進行紫外線之照射，並經由基板搬入搬出口180a來從腔180搬出。又，係經由基板搬入搬出口180a來將新的基板搬入至腔180中，並進行紫外線L之照射。從腔180而被搬出之基板G1~G3，係經由搬送機構TR4來搬送至後烘烤單元PB處。藉由反覆進行以上之動作，係能夠對於經過顯像單元DV後之基板G而進行光照射處理(硬化處理)。
如同上述一般，若依據本實施形態，則由於能夠進行基板G之搬入以及搬出之基板搬入搬出口180a係被設置在特定面180f處，並以使通過此基板搬入搬出口180a而被搬入至腔180之內部的基板G通過基板搬入搬出口180a而被搬出至腔180之外部的方式來在腔180之內部使基板G移動，因此，基板G之搬入以及搬出係成為在腔180之同一面側(特定面側)而進行。藉由此，由於係成為能夠節省在對於與既存之裝置間而進行基板G之授受時所必要的空間，因此係能夠提供設置面積為小之照射單元86。
又，在本實施形態之紫外線處理單元UV1處，就算是當從寬幅為與基板寬幅方向之寬幅相同的照射部86a來照射紫外線的情況時，亦能夠將在基板寬幅方向上而被照射至基板G處的紫外線之照度分布均勻化。
另外，在圖13(b)所示之光照射工程中，控制部CONT，係亦可一面使照射單元86朝向方向D1或方向D2移動一面對於基板G1照射光。例如，當一面使照射單元86朝向方向D1移動一面對於基板G1進行光照射的情況時，控制部CONT，係在將照射單元86配置在既定之移動開始位置處的狀態下，將基板G1從第2平台184而搬入至第2搬送部185處，並當基板G1之前端到達了上述移動開始位置時，使照射單元86開始方向D1之移動，並且開始對於基板G1之光照射。控制部CONT，係亦可一面使照射單元86以較基板G1更慢之速度來移動，一面
照射光。控制部CONT，係在較基板G1而更慢地移動之照射單元86到達了基板G1之後端的位置處，使照射單元86之移動停止。之後，控制部CONT，係使照射單元86朝向方向D2移動，並回到上述移動開始位置。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明係不被上述實施形態之內容所限定，在不脫離發明之主旨的範圍內，係可適宜作變更。
例如，在上述第1實施形態中，雖係列舉出在進行顯像單元DV以及後烘烤單元PB之間之基板G之授受的搬送機構TR4之側方(亦即是，基板G之搬送線的側方)處而連接紫外線處理單元UV的情況為例，來作了說明，但是，本發明係並不被限定於此。例如，係亦可將紫外線處理單元UV如同第3實施形態一般地來配置在顯像單元DV之上面。又，係亦可將第3實施形態之紫外線處理單元UV1如同第1實施形態一般地來連接於搬送機構TR4之側方。
又，紫外線處理單元UV、UV1，係並不僅是可配置在顯像單元DV之上面，例如，係亦可配置在塗布單元CT或後烘烤單元等之其他的單元(關連裝置)之上面。如此這般地將紫外線處理單元UV、UV1配置在顯像單元DV或者是其他單元之上面處的基板處理裝置，係可藉由在具備有既存之生產線的裝置中之顯像單元DV或者是其他單元的上面，將紫外線處理單元UV、UV1作連接，而容易地製造出來。於此情況，藉由將腔82之連接
部80b或者是腔180之連接部180b連接於顯像單元DV或者是其他單元側，係成為能夠將紫外線處理單元UV、UV1和顯像單元DV或者是其他單元側之間作物理性連接並且作電性連接。
又，係亦可針對第3實施形態之紫外線處理單元，而適用第2實施形態之照射單元。
Claims (5)
- 一種紫外線照射裝置，其特徵為，係具備有：基板搬送部，係將基板沿著第1方向進行搬送；和照射部，係包含有對於藉由前述基板搬送部而在前述第1方向上移動的基板照射紫外線之光照射面；和集光構件，係被設置在前述照射部之前述光照射面側，並將前述紫外線集光於前述基板，前述光照射面之平面形狀，係為使沿著與前述第1方向相交叉之第2方向的長邊之寬幅與前述基板之前述第2方向之寬幅相互對應的矩形，前述集光構件，係由使開口面積隨著從前述光照射面起朝向前述基板而擴大的筒狀所成，並具備有在前述第1方向上以相互成為平行的方式而被作對向配置並且反射前述紫外線之第1反射板以及第2反射板、和以被挾持於前述第1反射板以及第2反射板之間的方式而被作配置並且反射前述紫外線之第3反射板以及第4反射板、和驅動部、和檢測部、以及控制部，前述第3反射板以及前述第4反射板，係藉由使前述光照射面側之側端部分別被前述第1反射板以及第2反射板作軸支撐，而被設為可作轉動，前述驅動部，係相對於前述第1反射板以及前述第2反射板而使前述第3反射板以及前述第4反射板轉動，前述控制部，係基於藉由前述集光構件所集光了的前述紫外線之由前述檢測部所得到的檢測結果，來對由前述 驅動部所致之前述第3反射板以及前述第4反射板的轉動動作作控制。
- 如申請專利範圍第1項所記載之紫外線照射裝置，其中，前述第1反射板、前述第2反射板、前述第3反射板以及前述第4反射板，係將前述紫外線作鏡面反射。
- 一種紫外線照射方法，其特徵為：係具備有對於在第1方向上移動之基板照射紫外線之紫外線照射步驟，在前述紫外線照射步驟中，係使用有如申請專利範圍第1項或第2項所記載之紫外線照射裝置。
- 一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及紫外線照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置，係更進而具備有：紫外線照射裝置，係從前述基板搬送線之側方，而被連接於配置在較前述顯像裝置而更下游側處之前述關連裝置的一部分處，並對於顯像後之前述處理膜進行紫外線照射處理；和 基板搬送裝置，係在前述基板搬送線和前述紫外線照射裝置之間進行前述基板的授受，作為前述紫外線照射裝置，係使用如申請專利範圍第1項或第2項所記載之紫外線照射裝置。
- 一種基板處理裝置之製造方法，其特徵為：該基板處理裝置，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及紫外線照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置之製造方法，係具備有：將對於顯像後之前述處理膜進行紫外線照射處理之紫外線處理裝置，從前述基板搬送線之側方或上方來對於配置在較前述顯像裝置而更下游側處之前述關連裝置的一部分作連接之工程，作為前述紫外線處理裝置，係使用如申請專利範圍第1項或第2項所記載之紫外線照射裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014183205A JP6349208B2 (ja) | 2014-09-09 | 2014-09-09 | 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法 |
| JP2014-183205 | 2014-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201628057A TW201628057A (zh) | 2016-08-01 |
| TWI644340B true TWI644340B (zh) | 2018-12-11 |
Family
ID=55651645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104119417A TWI644340B (zh) | 2014-09-09 | 2015-06-16 | 紫外線照射裝置、紫外線照射方法、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6349208B2 (zh) |
| KR (1) | KR102341442B1 (zh) |
| TW (1) | TWI644340B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7232586B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
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-
2014
- 2014-09-09 JP JP2014183205A patent/JP6349208B2/ja active Active
-
2015
- 2015-06-16 TW TW104119417A patent/TWI644340B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-07-28 KR KR1020150106383A patent/KR102341442B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102341442B1 (ko) | 2021-12-20 |
| JP6349208B2 (ja) | 2018-06-27 |
| TW201628057A (zh) | 2016-08-01 |
| JP2016058524A (ja) | 2016-04-21 |
| KR20160030357A (ko) | 2016-03-17 |
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