TW201523767A - 光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 - Google Patents

光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201523767A
TW201523767A TW103129714A TW103129714A TW201523767A TW 201523767 A TW201523767 A TW 201523767A TW 103129714 A TW103129714 A TW 103129714A TW 103129714 A TW103129714 A TW 103129714A TW 201523767 A TW201523767 A TW 201523767A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
light
light irradiation
unit
cavity
Prior art date
Application number
TW103129714A
Other languages
English (en)
Inventor
Futoshi Shimai
Akihiko Sato
Hiroshi Hosoda
Masaki Chiba
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Publication of TW201523767A publication Critical patent/TW201523767A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Abstract

一種光照射裝置，係具備有：具有特定面，並可收容基板之腔；和被設置於前述特定面處，並能夠進行前述基板之搬入以及搬出之基板搬入搬出口；和以使通過前述基板搬入搬出口而被搬入至前述腔之內部的前述基板通過前述基板搬入搬出口而被搬出至前述腔之外部的方式來在前述腔之內部使前述基板移動之基板移動部；和對於在前述腔之內部移動的前述基板照射既定之波長之光之光照射部。

Description

光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法
本發明，係有關於光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
本申請案，係基於2013年8月30日於日本所申請之特願2013-180667號以及2014年6月27日於日本所申請之特願2014-132560號而主張優先權，並於此援用全部內容。
在構成液晶顯示器等之顯示面板的玻璃基板上，係被形成有配線圖案或電極圖案等之微細的圖案。一般而言，此種圖案，例如係藉由光微影法等之手法來形成。在光微影法中，係進行有：將光阻膜塗布在玻璃基板上之工程、和使光阻膜曝光之工程、和使曝光後之光阻膜顯像之工程、以及對於顯像後之光阻膜而照射紫外線等之光之工程(硬化工程)。
硬化工程，係藉由對於基板而照射光之光照 射裝置來進行(例如，參考專利文獻1)。在藉由光微影法而形成圖案的既存之基板處理裝置中，係有著並未搭載用以進行硬化工程之光照射裝置的情形。於此情況，為了進行硬化工程，係需要在既存之基板處理裝置處另外安裝光照射裝置。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平4-97515號公報
然而，先前技術之光照射裝置，由於係身為使基板水平地移動之構成，因此係有必要確保用以使基板移動之空間。因此，當安裝在既存之基板處理裝置處的情況時，於設置面積的觀點上係存在有問題。
有鑑於上述之事態，本發明，係以提供一種設置面積為小之光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法一事，作為目的。
本發明之第1形態之光照射裝置，係具備有：具有特定面，並可收容基板之腔；和被設置於前述特定面處，並能夠進行前述基板之搬入以及搬出之基板搬入搬出口；和以使通過前述基板搬入搬出口而被搬入至前述腔之內部的前述基板通過前述基板搬入搬出口而被搬出至前述腔之外部的方式來在前述腔之內部使前述基板移動之基板移動部；和對於在前述腔之內部移動的前述基板照射 既定之波長之光之光照射部。
若依據此構成，則由於能夠進行基板之搬入以及搬出之基板搬入搬出口係被設置在特定面處，並以使通過此基板搬入搬出口而被搬入至腔之內部的基板通過基板搬入搬出口而被搬出至腔之外部的方式來在腔之內部使基板移動，因此，基板之搬入以及搬出係成為在腔之同一面側(特定面側)而進行。藉由此，由於係成為能夠節省在對於與既存之裝置間而進行基板之授受時所必要的空間，因此係能夠提供設置面積為小之光照射裝置。
在上述之光照射裝置中，前述特定面，係沿著與水平面相垂直之面而形成。
若依據此構成，則由於係成為在與水平面相垂直之面而進行基板之搬入以及搬出，因此在進行與既存之裝置間之基板之授受時，係僅需要配置將基板水平地作搬送之搬送部即可。藉由此，由於係成為能夠節省所需要的空間，因此係能夠提供設置面積為小之光照射裝置。
在上述之光照射裝置中，前述基板移動部，係具備有將前述基板在沿著水平方向之第1方向上而進行搬送之基板搬送路徑。
若依據此構成，則由於基板移動部係具備有將基板在沿著水平方向之第1方向上而進行搬送之基板搬送路徑，因此係能夠安定地搬送基板。
在上述之光照射裝置中，係亦可構成為：前述光照射部，係以能夠對於在前述基板搬送路徑上移動之 前述基板照射前述光並且能夠在沿著前述基板搬送路徑之方向上作移動的方式，來作設置。
若依據此構成，則由於係能夠自由地改變光照射部和基板之間的相對速度，因此係能夠以更多樣化的形態來進行光照射。
在上述之光照射裝置中，係亦可構成為：前述光照射部，係一面相對於前述基板之搬送方向而朝向順方向移動，一面照射前述光。
若依據此構成，則係能夠使光照射部和基板之間的相對速度降低。故而，相較於並不使光照射部作移動的情況，係能夠使對於基板之每單位時間的光照射量增加。又，亦能夠在確保同等之光照射量的情況下，而使基板搬送速度上升，或者是使光照射強度降低。
在上述之光照射裝置中，係亦可構成為：前述光照射部，係一面相對於前述基板之搬送方向而朝向逆方向移動，一面照射前述光。
若依據此構成，則係能夠使光照射部和基板之間的相對速度上升。故而，相較於並不使光照射部作移動的情況，係能夠使對於基板之光照射時間(tact time)縮短。
在上述之光照射裝置中，前述基板搬送路徑，係在與前述水平方向相正交之第2方向上被作複數段配置。
若依據此構成，則由於基板搬送路徑係在與水平方向相正交之第2方向上被作複數段配置，因此就算是在將複 數之基板收容於腔中的情況時，亦能夠有效率地進行搬送。
在上述之光照射裝置中，前述光照射部，係以能夠對於在複數之前述基板搬送路徑中的被配置於前述第2方向之端部處之前述基板搬送路徑上移動之前述基板照射前述光的方式，來作設置。
若依據此構成，則由於光照射部係以能夠對於在複數之基板搬送路徑中的被配置於第2方向之端部處之基板搬送路徑上移動之基板照射光的方式來作設置，因此係能夠使光照射部以及基板搬送路徑之配置變得簡單。
在上述之光照射裝置中，在複數之前述基板搬送路徑中之至少一者處，係被設置有對於前述基板之溫度作調整之溫度調整部。
若依據此構成，則由於在複數之基板搬送路徑中之至少一者處，係被設置有對於基板之溫度作調整之溫度調整部，因此係能夠對於在接受光之照射時的基板之溫度作調整。
在上述之光照射裝置中，前述基板搬入搬出口，係在前述基板搬送路徑之每一者處被作設置。
若依據此構成，則由於基板搬入搬出口係在基板搬送路徑之每一者處被作設置，因此係能夠有效率地進行基板之搬入搬出。
在上述之光照射裝置中，前述基板搬入搬出口，係在前述第2方向上並排配置。
若依據此構成，則由於基板搬入搬出口係在第2方向上被並排配置，因此，當在從外部而對於腔將基板搬入時以及將基板搬出時而於複數之基板搬入搬出口之間進行基板之授受的情況時，係只要對於第2方向之位置作區別即可。藉由此，係能夠容易地進行基板之授受的控制。
在上述之光照射裝置中，基板移動部，係具備有保持前述基板並能夠在前述基板搬送路徑上移動之基板保持部。
若依據此構成，則係能夠在將基板保持在基板保持部上的狀態下而於基板搬送路徑上移動。
上述之光照射裝置，係更進而具備有：被配置在前述腔之內部，並接收從前述基板搬入搬出口所搬入的前述基板之基板接收部。
若依據此構成，則由於從基板搬入搬出口所搬入之基板係被基板接收部所支持，因此係能夠在腔內而使基板之姿勢安定化。
在上述之光照射裝置中，前述基板接收部，係能夠在與前述水平方向相正交之第2方向上移動。
若依據此構成，則由於基板接收部係能夠在第2方向上移動，因此係能夠在使基板之姿勢安定化的狀態下而進行搬送。
在上述之光照射裝置中，前述基板接收部，係具備有對於前述基板之溫度作調整之第2溫度調整部。
若依據此構成，則由於基板接收部係具備有對於基板 之溫度作調整之第2溫度調整部，因此係成為能夠對於基板之溫度更確實地作調整。
在上述之光照射裝置中，前述腔，係被配置在外部腔之上面。
若依據此構成，則由於腔係被配置在外部腔之上面，因此在安裝於既存之裝置處的情況時，係能夠幾乎不需要耗費設置面積地而作安裝。
在上述之光照射裝置中，前述腔，係具備有能夠與前述外部腔相連接之連接部。
若依據此構成，則由於腔係具備有能夠與外部腔相連接之連接部，因此腔和外部腔之間係成為被更確實地作連接。
上述之光照射裝置，係更進而具備有：對於腔之內部供給惰性氣體之氣體供給部、和將前述腔之內部排氣之排氣部。
若依據此構成，則係能夠在腔之內部使惰性氣體循環。藉由此，係能夠將腔內部之氛圍維持為清淨。
上述之光照射裝置，係更進而具備有：將被供給至前述腔之內部的前述惰性氣體加熱之氣體加熱部。
若依據此構成，則係能夠藉由以加熱部而作了加熱的惰性氣體而將被收容在腔內部之基板加熱。
本發明之第2形態之基板處理裝置，其特徵為，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理 之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及前述光照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置，係更進而具備有：被配置在前述顯像裝置或前述關連裝置之上面，並對於顯像後之前述處理膜進行光照射處理之光照射裝置；和在前述基板搬送線和前述光照射裝置之間進行前述基板的授受之基板搬送裝置，作為前述光照射裝置，係使用第1形態之光照射裝置。
若依據此構成，則由於係使用設置面積為小之光照射裝置，因此係可提供一種能夠對於裝置全體之大型化作抑制的基板處理裝置。
本發明之第3形態之基板處理裝置之製造方法，該基板處理裝置，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及前述光照射處理的關聯處理之關連裝置，並且形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置之製造方法，其特徵為：係具備有將對於顯像後之前述處理膜進行光照射處理之光照射裝置配置在前述顯像裝置或前述關連裝置的上面之工程，作為前述光照射裝置，係使用本發明之第1形態之光照射裝置。
若依據此構成，則藉由在顯像裝置或關連裝 置之上面配置光照射裝置，係能夠容易地安裝光照射裝置。
若依據本發明，則係可提供一種設置面積為小之光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法。
SPA‧‧‧基板處理裝置
G‧‧‧基板
LP‧‧‧光處理單元
80‧‧‧腔
80f‧‧‧特定面
80a‧‧‧基板搬入搬出口
82‧‧‧第1平台(基板移動部)
83‧‧‧第1搬送部(基板移動部)
84‧‧‧第2平台(基板移動部)
85‧‧‧第2搬送部(基板移動部)
81‧‧‧光照射部
〔圖1〕對於第1實施形態的基板處理裝置SPA作展示之平面圖。
〔圖2〕對於當在+Y方向上對於光處理單元LP作了觀察時的構成作展示之圖。
〔圖3〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖4〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖5〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖6〕對於第2實施形態之光處理單元LP2的構成作展示之圖。
〔圖7〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖8〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖9〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖10〕對於第3實施形態之光處理單元LP3的構成作展示之圖。
〔圖11〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖12〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖13〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖14〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
〔圖15〕對於光處理單元LP之動作作展示之圖。
以下，參考圖面，針對本發明之實施形態作說明。於以下之說明中，係設定XYZ正交座標系，並參考此XYZ正交座標系來針對各構件之位置關係作說明。將水平面內之既定方向作為X軸方向，將在水平面內與X軸方向相正交之方向作為Y軸方向，並將與X軸方向以及Y軸方向之各者相正交的方向(亦即是鉛直方向)作為Z軸方向。又，將X軸、Y軸以及Z軸周圍之旋轉(傾斜)方向，分別作為θ X、θ Y以及θ Z方向。
圖1，係為對於本實施形態的基板處理裝置SPA作展示之平面圖。
基板處理裝置SPA，例如係具備有在X方向上而配置成一列之裝載、卸載機LU、和塗布顯像處理部CD、和介面部IF、以及控制部CONT。基板處理裝置SPA，係成為藉由裝載、卸載機LU和介面部IF來包夾塗布顯像處理部CD地而作了配置之構成。控制部CONT，係對於基板處理裝置SPA之各部作統籌性處理。
(裝載、卸載機)
裝載、卸載機LU，係為進行收容複數之基板G的卡 匣C之搬入以及搬出的部份。裝載、卸載機LU，係具備有卡匣待機部10以及搬送機構11。
卡匣待機部10，例如係被配置在基板處理裝置SPA之-X側的端部處，並收容複數之卡匣C。被收容於卡匣待機部10中之卡匣C，例如係成為在Y方向上被作配列。卡匣待機部10，係於-X側處被形成有未圖示之開口部，並成為經由該開口部而在其與基板處理裝置SPA之外部間進行卡匣C的授受。
搬送機構11，係被配置在卡匣待機部10之+X側處，並在卡匣C和塗布顯像處理部CD之間進行基板G之搬送。搬送機構11，例如係沿著Y方向而被配置有2個，該2個的搬送機構11，例如係成為相同之構成。被配置在-Y側處之搬送機構11a，係將基板G從裝載、卸載機LU而搬送至塗布顯像處理部CD處。被配置在+Y側處之搬送機構11b，係將基板G從塗布顯像處理部CD而搬送至裝載、卸載機LU處。
搬送機構11，係具備有搬送臂12(12a、12b)。搬送臂12，係具備有保持玻璃基板之保持部，並被設置為例如可朝向一方向而伸縮。搬送臂12，係被構成為可在θ Z方向上旋轉。搬送臂12，例如係藉由θ Z方向上旋轉，而成為能夠朝向卡匣待機部10和塗布顯像處理部CD之各者的方向。搬送臂12，係藉由使搬送臂12伸縮，而成為能夠對於卡匣待機部10和塗布顯像處理部CD之各者進行存取。
(塗布顯像處理部)
塗布顯像處理部CD，係為對於基板G而施加包含有光阻塗布以及顯像的一連串之處理之部分。塗布顯像處理部CD，係具備有洗滌單元SR、脫水烘烤單元DH、塗布單元CT、預烘烤單元PR、介面部IF、顯像單元DV、光處理單元LP以及後烘烤單元PB。
塗布顯像處理部CD，係成為在Y方向上被作了分割的構成，在-Y側之部分處，係成為將從裝載、卸載機LU而來之基板G朝向介面部IF而朝+X方向作搬送。在+Y側之部分處，係成為將從介面部IF而來之基板G朝向裝載、卸載機LU而朝-X方向作搬送。
洗滌單元SR，係被連接於裝載、卸載機LU之下游處，並為進行基板G之洗淨的單元。洗滌單元SR，係具備有乾洗淨裝置41、濕洗淨裝置42以及氣刀裝置43。在乾洗淨裝置41之-X側以及氣刀裝置43之+X側處，係分別被設置有輸送帶機構CV1、CV2。在輸送帶機構CV1、CV2處，係被設置有搬送基板G之未圖示之皮帶機構。
乾洗淨裝置41，例如係藉由對於基板G照射準分子雷射等之紫外線，而將基板G上之有機物除去。濕洗淨裝置42，例如係具備有未圖示之刮洗刷。濕洗淨裝置42，係使用洗淨液以及該刮洗刷來將基板G洗淨。氣刀裝置43，例如係具備有未圖示之氣刀噴射機構。氣刀 裝置43，係使用氣刀噴射機構來在基板G上形成氣刀，並將基板G上之雜質除去。
脫水烘烤單元DH，係被連接於洗滌單元SR之下游處，並為將基板G上脫水之單元。脫水烘烤單元DH，係具備有加熱裝置44、HMDS裝置46以及冷卻裝置45。加熱裝置44以及HMDS裝置46，係以在Z方向上而作了重疊的狀態來作配置。在以Z方向作觀察時而與加熱裝置44以及HMDS裝置46相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV3，在以Z方向作觀察時而與冷卻裝置45相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV4。在加熱裝置44和HMDS裝置46以及冷卻裝置45之間，係被設置有搬送基板G之搬送機構TR1。針對搬送機構TR1，例如係可採用與被設置在裝載、卸載機LU處之搬送機構11相同的構成。
加熱裝置44，例如係成為在能夠收容基板G之腔內而具備有加熱器的構成。加熱裝置44，係在Z方向上而例如被作複數段之配置。加熱裝置44，係將基板G以既定之溫度加熱。HMDS裝置46，係為使HMDS氣體作用於基板G而施加疏水化處理並使在塗布單元CT處所塗布在基板G上之光阻膜和基板G之間的密著性提昇之裝置。冷卻裝置45，例如係成為在能夠收容基板G之腔內而具備有調溫機構，並將基板G冷卻至既定之溫度。
塗布單元CT，係被連接於脫水烘烤單元DH之下游處，並在基板G上之既定的區域處形成光阻膜。塗 布單元CT，係具備有塗布裝置47、減壓乾燥裝置48、周緣部除去裝置49。塗布裝置47，係為在基板G上塗布光阻膜之裝置。作為塗布裝置47，例如係使用旋轉式塗布裝置、無旋轉式塗布裝置、細縫噴嘴塗布裝置等。亦可採用能夠對於此些之各種的塗布裝置作交換的構成。減壓乾燥裝置48，係使塗布了光阻膜後之基板G的表面乾燥。周緣部除去裝置49，係為將被塗布在基板G之周緣部處的光阻膜除去並對於光阻膜之形狀作整理的裝置。
預烘烤單元PR，係被連接於塗布單元CT之下游處，並為對於基板G進行預烘烤處理之單元。預烘烤單元PR，係具備有加熱裝置50以及冷卻裝置51。在與加熱裝置50相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV5。在與冷卻裝置51相重疊之位置處，係被設置有輸送帶機構CV6。加熱裝置50和冷卻裝置51，係以包夾著搬送機構TR2的方式來沿著Y方向作配置。
顯像單元DV，係被連接於預烘烤單元PR之冷卻裝置51之-X側處，並進行曝光後之基板G的顯像處理。顯像單元DV，係具備有顯像裝置55、沖洗裝置56以及氣刀裝置57。顯像裝置55，係對於基板G供給顯像液並進行顯像處理。沖洗裝置56，係對於顯像後之基板G供給沖洗液並將基板G洗淨。氣刀裝置57，係在基板G上形成氣刀，而使基板G上乾燥。在顯像裝置55之+X側處，係被設置有輸送帶機構CV9，在氣刀裝置57之-X側處，係被設置有搬送機構TR4。
光處理單元LP，係被連接於搬送機構TR4之+Y側(基板G之搬送線的側方向)。光處理單元LP，係對於顯像後之基板G例如照射特定波長之光。搬送機構TR4，係將從氣刀裝置57而來之基板G搬送至光處理單元LP處，並將從光處理單元LP而來之基板G搬送至後烘烤單元PB處。搬送機構TR4，係具備有能夠一面保持基板G一面在Z方向上進行升降的機器臂。
後烘烤單元PB，係被連接於搬送機構TR4之下游側，並對光處理後之基板G進行烘烤。後烘烤單元PB，係具備有加熱裝置59以及冷卻裝置60。在加熱裝置59和冷卻裝置60之間，係被設置有搬送機構TR5。搬送機構TR5，係將基板G從加熱裝置59而搬送至冷卻裝置60處。加熱裝置59，係對於顯像後之基板G進行後烘烤。冷卻裝置60，係將後烘烤後之基板G冷卻。
介面部IF，係為被與曝光裝置EX作連接的部份。介面部IF，係具備有緩衝裝置52、搬送機構TR3、輸送帶機構CV7、CV8以及周邊曝光裝置EE。緩衝裝置52，係被配置在預烘烤單元PR之搬送機構TR2的+X側處。在緩衝裝置52之+X側處，係被設置有搬送機構TR3。
緩衝裝置52，係為用以使基板G暫時性地待機之裝置。在緩衝裝置52處，係被設置有收容基板G之未圖示之腔、和對於該腔內之溫度作調整之調溫裝置、和對於被收容於腔內之基板G的θ Z方向之位置作調整的旋 轉控制裝置等。在緩衝裝置52之腔內，係成為能夠將基板G之溫度保持於特定之溫度。輸送帶機構CV7、CV8，係以在X方向上而將預烘烤單元PR之冷卻裝置51作包夾的方式，而被作配置。
(光照射裝置)
圖2，係為對於當在+Y方向上對於光處理單元LP作了觀察時的構成作展示之圖。
如圖2中所示一般，光處理單元LP，係具備有腔80、和光照射部81、和第1平台82、和第1搬送部83、和第2平台84、以及第2搬送部85。腔80，係被形成為直方體之箱狀。腔80，係被配置在顯像單元DV之上面(+Z側之面)。
在腔80之-X側之面(特定面)80f處，係被設置有基板搬入搬出口80a。基板搬入搬出口80a，係對於腔80而進行基板G之搬入以及搬出。又，在腔80之面80f處，係被設置有用以連接顯像單元DV之連接部80c。連接部80c，係將腔80物理性地連接於顯像單元DV側，並且藉由使腔80之電性配線等作連接，來亦將腔80和顯像單元DV作電性連接。
光照射部81，係被安裝在腔80之+Z側之面上。光照射部81，係具備有射出300nm以上之波長之光的光射出部81a。光射出部81a，係具備有與-X方向相平行地而射出光L之光源。作為此種光源，例如係可列舉出 金屬鹵素燈等。光射出部81a，係設置有將從光源所射出之光中的波長為較300nm更低之成分作截除的濾鏡81b。光射出部81a，由於係隔著此濾鏡而射出光，因此從光射出部81a所射出之光L的波長係成為300nm以上。藉由如此這般地將光L之波長設為300nm以上，係能夠防止起因於光L之照射而導致基板G之溫度過度上升的情形。光照射部81，係以使+Z側之端部突出於腔80之外部的方式來作配置。
第1平台82，係被設置在腔80之內部。第1平台82，係將被搬入至腔80之內部的基板G作支持。第1平台82，係被配置在基板搬入搬出口80a之+X側處，並能夠支持從基板搬入搬出口80a所搬入之基板G。第1平台82，係具備有將基板G在X方向上作搬送之未圖示之搬送機構。又，第1平台82，係能夠在Z方向上進行升降。第1平台82，係能夠在與第1搬送部83相等之高度位置(Z方向上之位置)和與第2搬送部85相等之高度位置之間作移動。第1平台82，在與第2搬送部85相等之高度位置處，係能夠將從第2搬送部85而來之基板G作支持。又，第1平台82，係能夠以將基板G作了支持的狀態下而進行升降。
第1搬送部83，係將從第1平台82所搬送而來之基板G作搬送。第1搬送部83，係具備有搬送機構83a以及加熱機構83b。搬送機構83a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝 向+X方向作搬送。在使搬送機構83a之動作停止了的狀態下，係成為能夠在將基板G之姿勢作了保持的狀態下而支持基板G。加熱機構83b，係以使之後會接受光L之照射的基板G之溫度成為適溫的方式，來調整基板G之溫度。例如，加熱機構83b，係將基板G之溫度維持於100℃程度。
第2平台84，係被設置在腔80之內部的+X側之端部處。第2平台84，係將從第1搬送部83所搬送而來之基板G作支持。第2平台84，係具備有將基板G在X方向上作搬送之未圖示之搬送機構。又，第2平台84，係能夠在Z方向上進行升降。第2平台84，係能夠在與第1搬送部83相等之高度位置(Z方向上之位置)和與第2搬送部85相等之高度位置之間作移動。又，第2平台84，係能夠以將基板G作了支持的狀態下而進行升降。第2平台84，當被配置在與第2搬送部85相等之高度位置處的情況時，係能夠對於第2搬送部85而送出基板G。
第2搬送部85，係將從第2平台84所搬送而來之基板G作搬送。第2搬送部85，係被配置在第1搬送部83之+Z側處。第2搬送部85，係與光照射部81相對向地而被配置。第2搬送部85，係具備有搬送機構85a以及加熱機構85b。搬送機構85a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝向-X方向作搬送。在使搬送機構85a之動作停止了的狀態下， 係成為能夠在將基板G之姿勢作了保持的狀態下而支持基板G。加熱機構85b，係在Z方向上而被配置在將基板G包夾在加熱機構85b和光照射部81之間的位置處。加熱機構85b，係將藉由光照射部81而接受光的照射之基板G從-Z側起來進行加熱。加熱機構85b，係對於被搬送機構85a所支持了的基板G進行加熱。搬送機構85a，當在第2搬送部85之-X側處被設置有第1平台82的情況時，係能夠將基板G搬送至第1平台82處。
從基板搬入搬出口80a所搬入之基板G，係經由第1平台82以及第1搬送部83而在+X方向上搬送至第2平台84處。如此這般，在腔80內，係形成有將基板G朝向一方向(+X方向)作搬送之第1基板搬送路徑R1。被支持於第2平台84上之基板G，係經由該第2平台84以及第2搬送部85而朝向-X方向來搬送至第1平台82處。如此這般，在腔80內，係形成有將基板G朝向一方向(-X方向)作搬送之第2基板搬送路徑R2。第2基板搬送路徑R2，係相對於第1基板搬送路徑R1而在+Z方向上並排作配置。
在本實施形態中，光照射部81，係亦可構成為能夠沿著被照射光之基板G之搬送路徑(第2基板搬送路徑R2)來移動。亦即是，光照射部81，係可設為能夠在圖2中之與X軸相平行之方向D1以及方向D2上移動。例如，在腔80處，係可設置使光照射部81作水平移動之水平移動機構。藉由採用此種構成，能夠一面使光照 射部81在方向D1或方向D2上移動一面對於基板G照射光。藉由此，係能夠自由地變更在第2搬送部85上而被朝向-X方向作搬送之基板G、和光照射部81，此兩者間的相對速度。其結果，係能夠自由地設定對於基板G之光照射量或工時(tact time)。
具體而言，藉由一面使光照射部81朝向與基板G相同方向(方向D1)移動一面進行光照射，由於相對於基板G之光照射部81的相對速度係降低，因此就算是並不提昇光射出部81a之輸出，也能夠使對於基板G之光照射量增大。針對此事，從其他觀點來看，由於係成為就算是使搬送速度上升也能夠將對於基板G之光照射量維持為同等之光照射量，因此，係能夠使在裝置內之基板G的搬送速度上升，而亦能夠使產率提昇。
另一方面，藉由一面使光照射部81朝向與基板G之相反方向(方向D2)移動一面進行光照射，由於基板G和光照射部81之間的相對速度係上升，因此在對於基板G之光照射中所需要的時間(tact time)係縮短。藉由此，當光照射工程會成為瓶頸的情況時，係能夠謀求產率之提升。又，藉由變更光照射部81之移動速度，並不需要對於基板G之搬送速度或光射出部81a之輸出作變更，便能夠調整對於基板G之光照射量。當使光照射部81朝向方向D2移動的情況時，將對於基板G之光照射量降低的方向之調整係成為容易。
另外，光照射部81之移動方向和在第2搬送 部85處之基板搬送方向，係只要概略為平行即可。具體而言，光照射部81之移動方向和在第2搬送部85處之基板搬送方向之間所成的角度，係只要為30度以下即可。
(基板處理裝置之製造方法)
上述基板處理裝置SPA，係能夠藉由將包含有腔80之光處理單元LP連接於搬送機構TR4之側部處，而容易地製造出來。於此情況，藉由將腔80之連接部80c連接於搬送機構TR4側，係成為能夠將光處理單元LP和搬送機構TR4側之間作物理性連接並且作電性連接。
(基板處理方法、紫外線照射方法)
針對使用有如同上述一般所構成之基板處理裝置SPA的基板處理方法作說明。
首先，將被收容有基板G之卡匣C，裝載於裝載、卸載機LU之卡匣待機部10中。卡匣C內之基板G，係經由搬送機構11來搬送至洗滌單元SR處。
被搬送至洗滌單元SR處之基板G，係經由輸送帶機構CV1來搬送至乾洗淨裝置41處。此基板G，係依序被乾洗淨裝置41、濕洗淨裝置42以及氣刀裝置43所處理。從氣刀裝置43而被搬出之基板G，係經由輸送帶機構CV2來搬送至脫水烘烤單元DH處。
在脫水烘烤單元DH處，首先係藉由加熱裝置44來進行基板G之加熱處理。加熱後之基板G，例如係 被朝向Z方向作搬送，並在HMDS裝置46處被進行由HMDS氣體所致的處理。HMDS處理後之基板G，係藉由搬送機構TR1而被搬送至冷卻裝置45處，並被進行冷卻處理。冷卻處理後之基板G，係藉由輸送帶機構CV4而被搬送至塗布單元CT處。
之後，基板G係在塗布單元CT處而被進行光阻膜之塗布處理。塗布處理後之基板G，係被搬送至預烘烤單元PR處，並在加熱裝置50處被進行預烘烤處理，且在冷卻裝置51處被進行冷卻處理。結束了在預烘烤單元PR處之處理的基板G，係藉由搬送機構TR2而被搬送至介面部IF處。
在介面部IF中，例如係於緩衝裝置52處而被進行溫度調整，之後在周邊曝光裝置EE處被進行周邊曝光。在周邊曝光之後，基板G，係藉由搬送機構TR3而被搬送至曝光裝置EX處，並被進行曝光處理。曝光處理後之基板G，係在被進行加熱處理以及冷卻處理之後，被搬送至顯像單元DV處。
在顯像單元DV處，對於基板G係依序進行顯像處理、沖洗處理以及乾燥處理。在乾燥處理之後，藉由搬送機構TR4之機器臂，基板G係被搬送至光處理單元LP處。以下，在光處理單元LP中，當被搬入有複數之基板G的情況時，係將複數之基板依據被搬入之順序而標記為G1、G2、G3…。
控制部CONT，係使保持基板G之機器臂朝 向+Z方向移動，並如圖3(a)中所示一般，將基板G1從基板搬入搬出口80a來搬入至腔80之內部。在光處理單元LP中，係預先將第1平台82配置在與第1搬送部83相等之高度位置處。藉由此，被搬入至腔80中之基板G1係被載置在第1平台82上。
接著，控制部CONT，係如圖3(b)中所示一般，將被載置在第1平台82上之基板G1朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部83處。控制部CONT，係在將基板G1搬送至第1搬送部83之X方向的略中央部處之後，使搬送機構83a暫時停止，並使加熱機構83b動作。藉由此動作，被搬送機構83a所支持的基板G1，係藉由加熱機構83b而被調整為所期望之溫度。
在將基板G1以一定時間而預備性地作了加熱之後，控制部CONT，係如圖3(c)中所示一般，藉由搬送機構83a來將基板G1朝向+X方向搬送。基板G1，係從第1搬送部83而被遞交至第2平台84處。又，控制部CONT，係將從顯像單元DV所搬送而來之其他之基板G2搬入至腔80中。控制部CONT，係使搬送機構TR4之機器臂一直移動至基板搬入搬出口80a處，而將基板G2從基板搬入搬出口80a來搬入至腔80之內部。被搬入至腔80之內部的基板G2，係被載置在第1平台82上。
接著，控制部CONT，係如圖4(a)中所示一般，使支持有基板G1之狀態下的第2平台84朝向+Z側移動，而使其與第2搬送部85之高度位置相合致。又 ，控制部CONT，係將被載置在第1平台82上之基板G2朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部83處。控制部CONT，係在將基板G2搬送至第1搬送部83之X方向的略中央部處之後，使搬送機構83a暫時停止，並使加熱機構83b動作。藉由此動作，被搬送機構83a所支持的基板G2，係藉由加熱機構83b而被調整為所期望之溫度。
接著，控制部CONT，係如圖4(b)中所示一般，使第1平台82朝向+Z方向移動，而預先使其與第2搬送部85之高度位置相合致。又，控制部CONT，係將被載置在第2平台84上之基板G1朝向-X方向搬送，而使其移動至第2搬送部85處。控制部CONT，係對於被搬送至第2搬送部85處之基板G1，而進行由光照射部81所致之光L的照射。控制部CONT，係使搬送機構85a動作而使基板G1朝向-X方向移動，並且使加熱機構85b動作，而將基板G1之溫度維持於100℃程度。在此狀態下，控制部CONT，係從光照射部81而使光L射出。從光照射部81所射出之光L，係被照射至基板G1處。藉由此動作，對於藉由搬送機構85a而在水平面上移動之基板G1，係照射有300nm以上之波長的光L。光L之照射，係一直進行，直到基板G1之全體於-X方向上而通過了光照射部81為止。藉由第2搬送部85而被朝向-X方向作了搬送的基板G1，係如同圖4(c)中所示一般，被載置於預先作了配置的第1平台82上。控制部CONT，係在將基板G1載置在第1平台82上之後，使第1平台82朝 向-Z方向移動，並使其之高度位置與第1搬送部83相合致。
接著，控制部CONT，係如圖5(a)中所示一般，使用第1平台82以及搬送機構TR4之機器臂，來將第1平台82上之基板G1搬出。又，控制部CONT，係使在第1搬送部83處而被進行有預備性之加熱的基板G2朝向+X方向移動，並載置在第2平台84上。
接著，控制部CONT，係如圖5(b)中所示一般，使支持有基板G2之狀態下的第2平台84朝向+Z側移動，而使其與第2搬送部85之高度位置相合致。又，控制部CONT，係將被載置在第1平台82上之基板G3朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部83處。控制部CONT，係在將基板G3搬送至第1搬送部83之X方向的略中央部處之後，使搬送機構83a暫時停止，並對基板G3進行預備性加熱。
之後，控制部CONT，係與上述相同地而對於基板G2、基板G3依序進行光L之照射，並經由基板搬入搬出口80a來從腔80搬出。又，係經由基板搬入搬出口80a來將新的基板搬入至腔80中，並進行光L之照射。從腔80而被搬出之基板G1~G3，係經由搬送機構TR4來搬送至後烘烤單元PB處。藉由反覆進行以上之動作，係能夠對於經過顯像單元DV後之基板G而進行光照射處理(硬化處理)。
接著，基板G係在加熱裝置59處被進行後烘 烤處理，且在冷卻裝置60處被冷卻。冷卻處理後，基板G係藉由搬送機構11來收容於卡匣C中。如此這般，係成為對於基板G而進行塗布處理、曝光處理以及顯像處理之一連串的處理。
如同上述一般，若依據本實施形態，則由於能夠進行基板G之搬入以及搬出之基板搬入搬出口80a係被設置在特定面80f處，並以使通過此基板搬入搬出口80a而被搬入至腔80之內部的基板G通過基板搬入搬出口80a而被搬出至腔80之外部的方式來在腔80之內部使基板G移動，因此，基板G之搬入以及搬出係成為在腔80之同一面側(特定面側)而進行。藉由此，由於係成為能夠節省在對於與既存之裝置間而進行基板G之授受時所必要的空間，因此係能夠提供設置面積為小之光照射部81。
另外，在圖4(b)所示之光照射工程中，控制部CONT，係亦可一面使光照射部81朝向方向D1或方向D2移動一面對於基板G1照射光。例如，當一面使光照射部81朝向方向D1移動一面對於基板G1進行光照射的情況時，控制部CONT，係在將光照射部81配置在既定之移動開始位置處的狀態下，將基板G1從第2平台84而搬入至第2搬送部85處，並當基板G1之前端到達了上述移動開始位置時，使光照射部81開始方向D1之移動，並且開始對於基板G1之光照射。控制部CONT，係亦可一面使光照射部81以較基板G1更慢之速度來移動，一面 照射光。控制部CONT，係在較基板G1而更慢地移動之光照射部81到達了基板G1之後端的位置處，使光照射部81之移動停止。之後，控制部CONT，係使光照射部81朝向方向D2移動，並回到上述移動開始位置。
〔第2實施形態〕
接下來，針對本發明之第2實施形態作說明。
圖6，係為對於本實施形態之光處理單元LP2的構成作展示之圖。
如圖6中所示一般，光處理單元LP2，係具備有腔280、和光照射部281、和基板接收部282、和基板加熱部283、和第1平台284、和第1搬送部285、和第2平台286、和第2搬送部287、以及第3平台288。腔280，係被形成為直方體之箱狀。腔280，係被配置在顯像單元DV之上面(+Z側之面)。
腔280，係被形成為直方體之箱狀，並將長邊形成於X方向上。在腔280之-X側處，係被設置有基板搬入搬出口280a以及基板搬入搬出口280b。在本實施形態中，基板G之搬入以及搬出，係成為在此基板搬入搬出口280a以及基板搬入搬出口280b處進行。
光照射部281，係被安裝在腔280之+Z側之面上。光照射部281，係具備有射出300nm以上之波長之光的光射出部281a。光射出部281a，係具備有與-X方向相平行地而射出光L之光源。在光射出部281a處，係具 備有將從光源所射出之光中的波長為較300nm更低之成分作截除的濾鏡281b。光照射部281，係以使+Z側之端部突出於腔280之外部的方式來作配置。光照射部281，係亦可構成為能夠沿著被照射光之基板G之搬送路徑(第1基板搬送路徑R3)來移動。亦即是，光照射部281，係可設為能夠在圖6中之與X軸相平行之方向D1以及方向D2上移動。例如，在腔280處，係可設置使光照射部281作水平移動之水平移動機構。
另外，光照射部281之移動方向和在第1搬送部285處之基板搬送方向，係只要概略為平行即可。具體而言，光照射部281之移動方向和在第1搬送部285處之基板搬送方向之間所成的角度，係只要為30度以下即可。
基板接收部282，係將基板G之X方向兩側之端邊作保持。藉由此，基板G係成為在被基板加熱部283而作了加熱的狀態下，並不朝向-Z方向移動(落下)地而被作支持。基板加熱部283，係被形成為矩形之板狀，於內部係被設置有電熱線等之加熱機構。基板加熱部283，係對於被收容在腔280中之基板G的溫度作調整。
第1平台284，係將經由基板接收部282而來之基板G作載置。第1平台284，係具備有加熱機構284a。藉由此，在第1平台284處，亦能夠對於基板G而進行預備性的加熱。第1平台284，係具備有將基板G朝向+X方向作搬送之未圖示之搬送機構。
第1搬送部285，係將從第1平台284所搬送而來之基板G作搬送。第1搬送部285，係與光照射部281相對向地而被配置。第1搬送部285，係具備有搬送機構285a以及加熱機構285b。搬送機構285a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝向-X方向作搬送。加熱機構285b，係在Z方向上而被配置在將基板G包夾在加熱機構285b和光照射部281之間的位置處。加熱機構285b，係將藉由光照射部281而接受光的照射之基板G從-Z側起來進行加熱。
第2平台286，係將從第1搬送部285所搬送而來之基板G作支持。第2平台286，係具備有將基板G在X方向上作搬送之未圖示之搬送機構。又，第2平台286，係能夠在Z方向上進行升降。第2平台286，係能夠在與第1搬送部285相等之高度位置(Z方向上之位置)和與第2搬送部287相等之高度位置之間作移動。又，第2平台286，係能夠以將基板G作了支持的狀態下而進行升降。
第2搬送部287，係將從第2平台286所搬送而來之基板G作搬送。第2搬送部287，係被配置在第1搬送部285之-Z側處。第2搬送部287，係具備有搬送機構287a。搬送機構287a，係在將基板G之姿勢保持為與水平面(XY平面)相平行的狀態下，而朝向-X方向作搬送。
第3平台288，係將從第2搬送部287所搬送 而來之基板G作支持。第3平台288，係具備有將基板G朝向-X方向作搬送之未圖示之搬送機構。
從基板搬入搬出口280a所搬入之基板G，係經由第1平台284以及第1搬送部285而朝向+X方向來搬送至第2平台286處。如此這般，在腔280內，係形成有將基板G朝向一方向(+X方向)作搬送之第1基板搬送路徑R3。被支持於第2平台286上之基板G，係經由該第2平台286以及第2搬送部287而朝向-X方向來搬送至第3平台288處。如此這般，在腔280內，係形成有將基板G朝向一方向(-X方向)作搬送之第2基板搬送路徑R4。第2基板搬送路徑R4，係相對於第1基板搬送路徑R3而在-Z方向上並排作配置。又，在本實施形態中，基板搬入搬出口280a、280b，係在基板搬送路徑R3、R4之每一者處被作設置。
接下來，對如上述一般而被構成之光處理單元LP2的動作作說明。
控制部CONT，係使保持基板G1之機器臂朝向+Z方向移動，並如圖7(a)中所示一般，將基板G1從+Z側之基板搬入搬出口280a來搬入至腔280之內部。在光處理單元LP2中，被搬入至腔280中之基板G1係被基板接收部282所支持。藉由此，基板G1係藉由基板加熱部283而被調整為所期望之溫度。
接著，控制部CONT，係如圖7(b)中所示一般，將由基板接收部282所致之支持解除，並將基板 G1載置在第1平台284上。又，控制部CONT，係使第1平台284之加熱機構284a動作。藉由此，基板G1係成為在第1平台284上而被加熱。
接著，控制部CONT，係如圖7(c)中所示一般，將被載置在第1平台284上之基板G1朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部285處。控制部CONT，係對於被搬送至第1搬送部285處之基板G1，而進行由光照射部281所致之光L的照射。控制部CONT，係使搬送機構285a動作而使基板G1朝向+X方向移動，並且使加熱機構285b動作，而將基板G1之溫度維持於100℃程度。
在此狀態下，控制部CONT，係從光照射部281而使光L射出。從光照射部281所射出之光L，係被照射至基板G1處。藉由此動作，對於藉由搬送機構285a而在水平面上移動之基板G1，係照射有300nm以上之波長的光L。光L之照射，係一直進行，直到基板G1之全體於+X方向上而通過了光照射部281為止。藉由第2搬送部287而被朝向+X方向作了搬送的基板G1，係如同圖8(a)中所示一般，被載置於第2平台286上。
又，控制部CONT，係將從顯像單元DV所搬送而來之其他之基板G2搬入至腔280中。控制部CONT，係使搬送機構TR4之機器臂一直移動至基板搬入搬出口280a處，而將新的基板G2從基板搬入搬出口280a來搬入至腔280之內部。被搬入至腔280中之基板 G2，係被基板接收部282所支持。
接著，如圖8(b)中所示一般，控制部CONT，係在將基板G1載置在第2平台286上之後，使第2平台286朝向-Z方向移動，並使其之高度位置與第2搬送部287相合致。又，控制部CONT，係將由基板接收部282所致之支持解除，並將基板G2載置在第1平台284上。又，控制部CONT，係使第1平台284之加熱機構284a動作。藉由此，基板G2係成為在第1平台284上而被加熱。
接著，如同圖8(c)中所示一般，控制部CONT，係將基板G1從第2平台286來朝向-X方向而搬送至第2搬送部287處。又，控制部CONT，係將被載置在第1平台284上之基板G2朝向+X方向搬送，而使其移動至第1搬送部285處。控制部CONT，係對於被搬送至第1搬送部285處之基板G2，而進行由光照射部281所致之光L的照射。控制部CONT，係與基板G1之情況相同地，使搬送機構285a動作而使基板G2朝向+X方向移動，並且使加熱機構285b動作，而將基板G2之溫度維持於100℃程度。藉由第2搬送部287而被朝向+X方向作了搬送的基板G2，係如同圖9中所示一般，被載置於第2平台286上。
在此狀態下，控制部CONT，係從光照射部281而使光L射出。從光照射部281所射出之光L，係被照射至基板G2處。藉由此動作，對於藉由搬送機構285a 而在水平面上移動之基板G2，係照射有300nm以上之波長的光L。光L之照射，係一直進行，直到基板G2之全體於+X方向上而通過了光照射部281為止。
接著，控制部CONT，係如圖9中所示一般，將基板G1從第2搬送部287來朝向-X方向而搬送至第3平台288處，並且使用搬送機構TR4之機器臂，來將被載置在第3平台288上之基板G1從基板搬入搬出口280b而搬出至腔280之外部。又，控制部CONT，係使搬送機構TR4之機器臂一直移動至基板搬入搬出口280a處，而將新的基板G3從基板搬入搬出口280a來搬入至腔280之內部。被搬入至腔280中之基板G3，係被基板接收部282所支持。藉由反覆進行以上之動作，係能夠對於經過顯像單元DV後之基板G而進行光照射處理(硬化處理)。
如此這般，若依據本實施形態，則由於係在腔280之特定面280f處設置有基板搬入搬出口280a以及基板搬入搬出口280b，因此，係能夠從基板搬入搬出口280a而將基板G搬入，並從基板搬入搬出口280b而將基板G搬出。如此這般，由於基板搬入搬出口280a、280b係在基板搬送路徑R3、R4之每一者處被作設置，因此係能夠使腔280內之基板G的流動成為順暢。
另外，在圖7(c)以及圖8(c)所示之光照射工程中，控制部CONT，係亦可一面使光照射部281朝向方向D1或方向D2移動一面對於基板G1或基板G2照射光。光照射部281之移動動作，雖係與第1實施形態相 同，但是，在本實施形態中，由於在第1搬送部285處之基板G1以及基板G2之移動方向係為+X方向，因此當使光照射部281朝向與基板G1或基板G2相同之方向移動的情況時，係使光照射部281朝向方向D2移動。
〔第3實施形態〕
接下來，針對本發明之第3實施形態作說明。
圖10(a)，係為對於當在+Y方向上而對本實施形態之光處理單元LP3作了觀察時的構成作展示之圖。圖10(b)，係為對於當在+Z方向上對於光處理單元LP3作了觀察時的構成作展示之圖。
如圖10(a)中所示一般，光處理單元LP3，係具備有腔380、和光照射部381、和基板支持構件(基板保持部)382、和托盤支持構件383、和第1平台384、和第2平台385、和第3平台386、和氣體供給部387、以及排氣部388。
腔380，係被形成為直方體之箱狀，並將長邊形成於X方向上。在腔380之-X側處，係被設置有基板搬入口380a以及基板搬出口380b。在本實施形態中，基板G之搬入，係成為在基板搬入口380a處進行，基板G之搬出，係成為在基板搬出口380b處進行。
光照射部381，係被安裝在腔380之+Z側之面上，並具備有射出300nm以上之波長之光的光射出部381a。光射出部381a處，係為與-X方向相平行地而射出 光者，並具備有將從光源所射出之光中的波長為較300nm更低之成分作截除的濾鏡381b。光射出部381a，由於係隔著此濾鏡而射出光，因此從光射出部381a所射出之光L的波長係成為300nm以上。藉由如此這般地將光L之波長設為300nm以上，係能夠防止起因於光L之照射而導致基板G之溫度過度上升的情形。
光照射部381，係亦可構成為能夠沿著被照射光之基板G之搬送路徑來移動。亦即是，光照射部381，係可設為能夠在圖10(a)中之與X軸相平行之方向D1以及方向D2上移動。例如，在腔380處，係可設置使光照射部381作水平移動之水平移動機構。當基板G被光所照射時之搬送路徑，係為從第2平台385而將基板G遞交至第3平台386之路徑。
另外，光照射部381之移動方向和基板G之搬送方向，係只要概略為平行即可。具體而言，光照射部381之移動方向和基板G之搬送方向之間所成的角度，係只要為30度以下即可。
基板支持構件382，係為了接收從基板搬入口380a所搬入之基板G，而將該基板G作保持，並且為了遞交被從基板搬出口380b所搬出之基板G，而將該基板G作保持。基板支持構件382，係具備有複數(例如6根)的支持銷382a。支持銷382a，係朝向Z方向延伸，並將基板G之-Z側的基板面作支持。基板支持構件382，係被設置為可藉由未圖示之驅動裝置來在Z方向上移動 (可升降)。或者是，支持銷382a係被設置為可藉由未圖示之驅動裝置來在Z方向上伸縮。在上述構成中，藉由在使支持銷382a將基板G作了支持的狀態下來使基板支持構件382在Z方向上移動，基板G係在Z方向上被作搬送。或者是，藉由使支持銷382a在將基板G作了支持的狀態下來於Z方向上伸縮，基板G係在Z方向上被作搬送。於以下之說明中，雖係列舉出藉由使支持銷382a在Z方向上伸縮一事來將基板G在Z方向上作搬送的例子，但是係亦可藉由使基板支持構件382在Z方向上移動(升降)來將基板G在Z方向上作搬送。
在圖10(a)中，於第1平台384上係被配置有托盤T。托盤T，係將被搬入至腔380之內部的基板G作收容。托盤T，係於在+Z方向作觀察時被形成為矩形狀，並具備有載置所收容了的基板G之載置面。托盤T之該載置面，係與XY平面相平行地而被形成。在本實施形態中，於腔380內，係以將基板G收容於托盤T處的狀態下，來使托盤T被作搬送。托盤T，係具備有使上述之支持銷382a通過的未圖示之貫通孔。另外，當該托盤T為具備有貫通孔的情況時，係亦可採用設置有將該貫通孔可開閉地作閉塞之蓋部之構成。若依據此構成，則當支持銷382a通過貫通孔的情況時，蓋部係能夠將貫通孔開啟，當支持銷382a並不通過貫通孔的情況時，蓋部係能夠將貫通孔關閉。藉由此，係能夠對於托盤T之溫度分布作調整。托盤T，例如係使用鋁等之熱傳導性為高之金屬 來形成。
托盤支持構件383，係為了使托盤T從第3平台386來移動至第1平台384，而將托盤T作保持。托盤支持構件383，係具備有複數(例如8根)的支持銷383a。支持銷383a，係朝向Z方向延伸，並將托盤T之-Z側的面作支持。支持銷383a，係被設置為可藉由未圖示之驅動裝置來在Z方向上移動(可升降)。或者是，支持銷383a係被設置為可藉由未圖示之驅動裝置來在Z方向上伸縮。在上述構成中，藉由在使支持銷383a將托盤T作了支持的狀態下來使托盤支持構件383在Z方向上移動，托盤T係在Z方向上被作搬送。或者是，藉由使支持銷383a在將托盤T作了支持的狀態下來於Z方向上伸縮，托盤T係在Z方向上被作搬送。於以下之說明中，雖係列舉出藉由使支持銷383a在Z方向上伸縮一事來將托盤T在Z方向上作搬送的例子，但是係亦可藉由使托盤支持構件383在Z方向上移動(升降)來將托盤T在Z方向上作搬送。
第1平台384，係將托盤T作載置。第1平台384，係於在+Z方向作觀察時被形成為矩形狀，並具備有複數之滾輪384r。滾輪384r，係沿著第1平台384之+Y側之邊以及-Y側之邊的各者而分別並排成一列地作配置。各滾輪384r，係以將托盤T朝向X方向作搬送的方式，而在沿著Y方向之中心軸的軸線周圍作旋轉。第1平台384，係具備有加熱機構389。作為加熱機構389，例 如係使用熱板等。藉由加熱機構389，托盤T係成為在第1平台384上而被加熱。藉由使托盤T被加熱，被支持於托盤T上之基板G係被加熱。
第2平台385，係相對於第1平台384而被配置在+X側。在本實施形態中，於X方向上作並排之平台，係為第1平台384(或者是第3平台386)和第2平台385之2個。故而，相較於上述之實施形態之腔，係能夠將腔380之X方向的尺寸縮小。第2平台385，係將從第1平台384所搬送而來之托盤T作支持。又，第2平台385，係設置為能夠在將托盤T作了支持的狀態下而於Z方向上進行升降。第2平台385，係能夠在身為與第1平台384相等之高度位置(Z方向上之位置)的第1位置385A和身為與第3平台386相等之高度位置的第2位置385B之間作移動。第2平台385，係藉由未圖示之升降機構，而一面將被保持在托盤T上之基板G調整為會成為沿著XY平面之姿勢，一面進行升降。第2平台385，在被配置於第2位置385B處的狀態下，係成為與光照射部381相對向。
第2平台385，係於在+Z方向作觀察時被形成為矩形狀。第2平台385，係具備有將托盤T在X方向上作搬送之複數之滾輪385r。滾輪385r，係沿著第2平台385之+Y側之邊以及-Y側之邊的各者而分別並排成一列地作配置。各滾輪385r，係以將托盤T朝向X方向作搬送的方式，而在沿著Y方向之中心軸的軸線周圍作旋 轉。藉由此，在第1位置385A處，係成為能夠將從第1平台384而來之托盤T朝向+X方向作搬送直到到達特定之待機位置處為止。又，在第2位置385B處，係成為能夠將托盤T朝向-X方向來搬送至第3平台386側處。
第3平台386，係將從第2平台385所搬送而來之托盤T作支持。第3平台386，係具備有沿著X方向而配置成2列之複數之滾輪386r。被配置在+Y側之列處之滾輪386r，係藉由第1滾輪支持構件386a而被作支持。被配置在-Y側之列處之滾輪386r，係藉由第2滾輪支持構件386b而被作支持。
第1滾輪支持構件386a以及第2滾輪支持構件386b，係如同圖10(b)中所示一般，被設置為在從Z方向作觀察時能夠分別朝向腔380之外側作移動。係配置為藉由此第1滾輪支持構件386a以及第2滾輪支持構件386b之移動，而使滾輪386r被切換至搬送位置P1以及退避位置P2之其中一者的位置處。搬送位置P1，係為將滾輪386r以會成為較托盤T之Y方向之尺寸而更小之間隔的方式來作配置的位置。因此，當滾輪386r被配置在搬送位置P1處的情況時，在第3平台386處，托盤T係藉由滾輪386r而被支持。
另一方面，退避位置P2，係為將滾輪386r以會成為較托盤T之Y方向之尺寸而更大之間隔的方式來作配置的位置。因此，當滾輪386r被配置在退避位置P2處的情況時，在第3平台386處，托盤T係成為不會被滾 輪386r所支持。當滾輪386r為被配置在退避位置P2處的情況時，於藉由托盤支持構件383而將托盤T作了支持的狀態下，係成為能夠將該托盤T從第3平台386來移動至第1平台384。
又，如圖10(a)中所示一般，氣體供給部387，係對於腔380內供給氮氣等之惰性氣體或其他的氣體。氣體供給部387，係具備有氣體供給源387a、和管路387b、以及氣體加熱部387c。管路387b，係與被配置在第2位置385B處之第2平台385相對向地而被配置。氣體加熱部387c，係將從管路387b所噴出至腔380內的氣體加熱。藉由設置有氣體加熱部387c，從管路387b係成為噴出有被作了加熱的氣體。因此，當托盤T以及基板G為被配置在與管路387b相對向之位置處的情況時，係成為能夠將基板G加熱。
排氣部388，係將腔380內之氣體排出至腔380之外部。藉由一面以氣體供給部387來對於腔380內供給氣體，一面從排氣部388而將腔380內之氣體排氣，係成為能夠在腔380內而使清淨之氣體循環。另外，係亦可採用將從排氣部388所排氣了的氣體清淨化並再度送回至氣體供給部387處之構成。
接下來，對如上述一般而被構成之光處理單元LP3的動作作說明。
控制部CONT，係使保持基板G之機器臂朝向+Z方向移動，並從基板搬入口380a來搬入至腔380之內部。 在腔380之內部，控制部CONT，係如圖11(a)中所示一般，以使支持銷382a之+Z側之前端支持基板G之底面(-Z側之面)的方式，來使基板支持構件382朝向+Z方向移動。藉由此，基板G係被支持銷382a所支持。另外，控制部CONT，係如圖11(a)中所示一般，將第2平台385預先配置在第1位置385A處。又，控制部CONT，係藉由一面以氣體供給部387來對於腔380內供給氣體，一面從排氣部388而將氣體排氣，來在腔380內使氣體循環。
接著，如同圖11(b)中所示一般，控制部CONT，係使基板支持構件382朝向-Z側移動，而使支持銷382a之+Z側的前端從托盤T而沒入。藉由此動作，基板G係被載置在托盤T上。控制部CONT，係亦可在將基板G載置在托盤T上之前，先藉由加熱機構389來預先將托盤T加熱。又，係亦可在將基板G載置在托盤T上之後，再藉由加熱機構389來將托盤T以及基板G加熱。藉由加熱機構389之加熱，托盤T之溫度係上升，經由托盤T，基板G係被加熱。
接著，如圖12(a)中所示一般，控制部CONT，係藉由使第1平台384之滾輪384r旋轉，而使托盤T朝向+X方向移動。藉由此，托盤T係從第1平台384而移動至第2平台385處。又，控制部CONT，係藉由使第2平台385之滾輪385r旋轉，而將托盤T配置在第2平台385之X方向之特定位置處。托盤T，在移動至 第2平台385處之後，其溫度係逐漸降低，但是，係能夠藉由餘熱來持續加熱基板G。
接著，如圖12(b)中所示一般，控制部CONT，係在將托盤T配置在第2平台385上之後，一面維持基板G之姿勢，一面使第2平台385朝向+Z方向而一直移動至第2位置385B處。藉由使第2平台385移動至第2位置385B處，托盤T以及基板G係被與管路387b作對向配置。控制部CONT，係藉由氣體供給部387之氣體加熱部387c，而將從管路387b所供給之氣體加熱。藉由此，係從管路387b而朝向托盤T以及基板G吹出被作了加熱的氣體。藉由將被作了加熱的氣體吹出至托盤T處，托盤T係被加熱。藉由此托盤T之加熱，經由托盤T，基板G係被加熱。又，藉由將被作了加熱的氣體g直接吹出至基板G處，基板G係被加熱。
接著，如圖13(a)中所示一般，控制部CONT，係一面藉由從管路387b而來之氣體g來加熱基板G，一面使第2平台385之滾輪385r以及第3平台386之滾輪386r旋轉，而使托盤T朝向-X方向移動。在此狀態下，控制部CONT，係從光照射部381而使光L射出。光L，係為從光射出部381a所射出的光中之通過了濾鏡381b後之波長300nm以上的成分。藉由此動作，對於在水平面上移動之基板G，係照射有300nm以上之波長的光L。光L之照射，係一直進行，直到基板G之全體於+X方向上而通過了光照射部381為止。如圖13(b)中所示 一般，托盤T，係在朝向-X方向而通過了光照射部381之後，被載置於第3平台386上。
接著，如同圖14(a)中所示一般，控制部CONT，係使基板支持構件382之支持銷382a朝向+Z方向移動，而將被載置於第3平台386上之托盤T處的基板G舉升。之後，控制部CONT，係使用搬送機構TR4之機器臂，來將被基板支持構件382所支持之基板G從基板搬出口380b來搬出至腔380之外部。
接著，如同圖14(b)中所示一般，控制部CONT，係使基板支持構件382之支持銷382a朝向-Z側移動，而回到特定之待機位置處。又，控制部CONT，係使托盤支持構件383之支持銷383a朝向+Z方向移動，而將第3平台386上之托盤T舉升。藉由此，托盤T係成為相對於滾輪386r而浮起了的狀態。
接著，如圖15(a)中所示一般，控制部CONT，係藉由使第1滾輪支持構件386a以及第2滾輪支持構件386b移動至Y方向之外側，而使滾輪386r移動至退避位置處。藉由此，由於將托盤T作支持之滾輪386r係作退避，因此托盤T係成為能夠朝向第1平台384而朝-Z方向移動。
接著，如同圖15(b)中所示一般，控制部CONT，係使托盤支持構件383之支持銷383a朝向-Z方向移動。藉由此，托盤T係在-Z方向上通過第3平台386而朝向第1平台384側移動。之後，控制部CONT，係將 托盤T載置在第1平台384上。之後，控制部CONT，係將新的基板從基板搬入口380a來搬入至腔380之內部，並反覆進行上述之動作。
如此這般，若依據本實施形態，則於X方向上作並排之平台，由於係為第1平台384(或者是第3平台386)和第2平台385之2個，因此，相較於上述實施形態之腔，係能夠將腔380之X方向的尺寸縮小。
另外，在圖13(a)所示之光照射工程中，控制部CONT，係亦可一面使光照射部381朝向方向D1或方向D2移動一面對於基板G照射光。光照射部381之移動動作，係與第1實施形態相同。
本發明之技術範圍，係並不被限定於上述之實施形態，在不脫離本發明之要旨的範圍內，係可適宜施加變更。
例如，在上述實施形態中，雖係列舉出將光L之波長設為300nm以上、將基板G之溫度設為100℃程度，來進行光L之照射的情況，而作了說明，但是，相對於此，例如，係亦可進而追加將在照射光L時之基板G之周圍的水分濃度設為露點-47度程度的條件。藉由此，係能夠使被塗布在基板G上之光阻的狀態成為更加良好。
又，在上述實施形態中，雖係列舉出在進行顯像單元DV以及後烘烤單元PB之間之基板G之授受的搬送機構TR4之側方(亦即是，基板G之搬送線的側方)處而連接包含有腔80之光處理單元LP的情況為例， 來作了說明，但是，本發明係並不被限定於此。例如，係亦可將光處理單元LP配置在顯像單元DV之上面。又，光處理單元LP，係並不僅是可配置在顯像單元DV之上面，例如，係亦可配置在塗布單元CT或後烘烤單元等之其他的單元(關連裝置)之上面。
如此這般地將光處理單元LP配置在顯像單元DV或者是其他單元之上面處的基板處理裝置，係可藉由在具備有既存之生產線的裝置中之顯像單元DV或者是其他單元的上面，將包含有腔80之光處理單元LP作連接，而容易地製造出來。於此情況，藉由將腔80之連接部80c連接於顯像單元DV或者是其他單元側，係成為能夠將光處理單元LP和顯像單元DV或者是其他單元側之間作物理性連接並且作電性連接。
又，在上述第3實施形態中，雖係列舉出在氣體供給部387之內部設置有氣體加熱部387c的構成為例來作了說明，但是係並不被限定於此。例如，係亦可採用將氣體加熱部387c與氣體供給部387相互獨立地作設置之構成。就算是此種構成，亦能夠對於腔380內部之托盤T以及基板G進行加熱。
又，在上述第3實施形態中，雖係針對配置有1個托盤T之構成來作了說明，但是係並不被限定於此。例如，亦可採用在第2平台385或第3平台386處配置與托盤T相同構成之托盤，並對於複數之基板G而交互使用2個托盤來進行搬送之構成。又，於此情況，係亦 可構成為在將最初之基板G搬入至腔380內之前，對於複數之托盤進行加熱，而預先使該些上升之特定之溫度。例如，係可列舉出以使複數之托盤在從第1平台384而經過第3平台386並回到第1平台384的路徑中進行循環的方式來將該托盤作搬送之構成。
以上，雖係對本發明之理想實施例作了說明，但是，本發明，係並不被限定為於此些之實施例。在不脫離本發明之要旨的範圍內，係可進行構成之附加、省略、置換以及其他之變更。本發明，係並不被前述之說明所限定，而僅被所添附之申請專利範圍所限定。
56‧‧‧沖洗裝置
57‧‧‧氣刀裝置
80‧‧‧腔
80a‧‧‧基板搬入搬出口
80c‧‧‧連接部
80f‧‧‧特定面
81‧‧‧光照射部
81a‧‧‧光射出部
81b‧‧‧濾鏡
82‧‧‧第1平台(基板移動部)
83‧‧‧第1搬送部(基板移動部)
83a‧‧‧搬送機構
83b‧‧‧加熱機構
84‧‧‧第2平台(基板移動部)
85‧‧‧第2搬送部(基板移動部)
85a‧‧‧搬送機構
85b‧‧‧加熱機構
LP‧‧‧光處理單元
R1‧‧‧第1基板搬送路徑
R2‧‧‧第2基板搬送路徑
G‧‧‧基板
L‧‧‧光
DV‧‧‧顯像單元

Claims (21)

  1. 一種光照射裝置，其特徵為，具備有：具有特定面，並可收容基板之腔；和被設置於前述特定面處，並能夠進行前述基板之搬入以及搬出之基板搬入搬出口；和以使通過前述基板搬入搬出口而被搬入至前述腔之內部的前述基板通過前述基板搬入搬出口而被搬出至前述腔之外部的方式來在前述腔之內部使前述基板移動之基板移動部；和對於在前述腔之內部移動的前述基板照射既定之波長之光之光照射部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，前述特定面，係沿著與水平面相垂直之面而形成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光照射裝置，其中，前述基板移動部，係具備有將前述基板在沿著水平方向之第1方向上而進行搬送之基板搬送路徑。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之光照射裝置，其中，前述光照射部，係以能夠對於在前述基板搬送路徑上移動之前述基板照射前述光並且能夠在沿著前述基板搬送路徑之方向上作移動的方式，來作設置。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之光照射裝置，其中，前述光照射部，係一面相對於前述基板之搬送方向而朝向順方向移動，一面照射前述光。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之光照射裝置，其 中，前述光照射部，係一面相對於前述基板之搬送方向而朝向逆方向移動，一面照射前述光。
  7. 如申請專利範圍第3項所記載之光照射裝置，其中，前述基板搬送路徑，係在與前述水平方向相正交之第2方向上被作複數段配置。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之光照射裝置，其中，前述光照射部，係以能夠對於在複數之前述基板搬送路徑中的被配置於前述第2方向之端部處之前述基板搬送路徑上移動之前述基板照射前述光的方式，來作設置。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所記載之光照射裝置，其中，在複數之前述基板搬送路徑中之至少一者處，係被設置有對於前述基板之溫度作調整之溫度調整部。
  10. 如申請專利範圍第3項所記載之光照射裝置，其中，前述基板搬入搬出口，係在前述基板搬送路徑之每一者處被作設置。
  11. 如申請專利範圍第10項所記載之光照射裝置，其中，前述基板搬入搬出口，係在前述第2方向上並排配置。
  12. 如申請專利範圍第3項所記載之光照射裝置，其中，前述基板移動部，係具備有保持前述基板並能夠在前述基板搬送路徑上移動之基板保持部。
  13. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，係更進而具備有：被配置在前述腔之內部，並接收從 前述基板搬入搬出口所搬入的前述基板之基板接收部。
  14. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，前述基板接收部，係能夠在與前述水平方向相正交之第2方向上移動。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之光照射裝置，其中，前述基板接收部，係具備有對於前述基板之溫度作調整之第2溫度調整部。
  16. 如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置，其中，前述腔，係被配置在外部腔之上面。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之光照射裝置，其中，前述腔，係具備有能夠與前述外部腔相連接之連接部。
  18. 如申請專利範圍第1~17項中之任一項所記載之光照射裝置，其中，係更進而具備有：對於前述腔之內部供給惰性氣體之氣體供給部、和將前述腔之內部排氣之排氣部。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之光照射裝置，其中，係更進而具備有：將被供給至前述腔之內部的前述惰性氣體加熱之氣體加熱部。
  20. 一種基板處理裝置，其特徵為，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及前述光照射處 理的關聯處理之關連裝置，並且，係形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置，係更進而具備有：被配置在前述顯像裝置或前述關連裝置之上面，並對於顯像後之前述處理膜進行光照射處理之光照射裝置；和在前述基板搬送線和前述光照射裝置之間進行前述基板的授受之基板搬送裝置，作為前述光照射裝置，係使用如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置。
  21. 一種基板處理裝置之製造方法，該基板處理裝置，係具備有：對於基板進行處理膜之塗布處理之塗布裝置；和進行被塗布在前述基板上之前述處理膜的顯像處理之顯像裝置；和進行前述塗布處理、前述顯像處理以及前述光照射處理的關聯處理之關連裝置，並且，係形成有在前述塗布裝置、前述顯像裝置以及前述關連裝置之間而串聯性地搬送前述基板之基板搬送線，該基板處理裝置之製造方法，其特徵為：係具備有將對於顯像後之前述處理膜進行光照射處理之光照射裝置配置在前述顯像裝置或前述關連裝置的上面 之工程，作為前述光照射裝置，係使用如申請專利範圍第1項所記載之光照射裝置。
TW103129714A 2013-08-30 2014-08-28 光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法 TW201523767A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013180667 2013-08-30
JP2014132560 2014-06-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201523767A true TW201523767A (zh) 2015-06-16

Family

ID=53022644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103129714A TW201523767A (zh) 2013-08-30 2014-08-28 光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2016027588A (zh)
KR (1) KR20150026944A (zh)
TW (1) TW201523767A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557841B (zh) * 2016-02-01 2016-11-11 亞智科技股份有限公司 輸送處理裝置與輸送處理方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6543064B2 (ja) 2015-03-25 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP6495707B2 (ja) 2015-03-25 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置および基板処理装置
JP6455396B2 (ja) * 2015-10-30 2019-01-23 東芝ライテック株式会社 光配向用偏光光照射装置
US10901328B2 (en) * 2018-09-28 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Method for fast loading substrates in a flat panel tool
JP7405884B2 (ja) 2022-02-18 2023-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557841B (zh) * 2016-02-01 2016-11-11 亞智科技股份有限公司 輸送處理裝置與輸送處理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016027588A (ja) 2016-02-18
KR20150026944A (ko) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201523767A (zh) 光照射裝置、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法
JP4563191B2 (ja) 基板処理装置
JP5060517B2 (ja) インプリントシステム
WO2010150741A1 (ja) インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体
KR101996678B1 (ko) 자외선 조사 장치 및 기판 처리 장치
TWI748313B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
TWI731529B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
JP2000323370A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20090030231A (ko) 상압 건조 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20090031271A (ko) 상압 건조 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW201130572A (en) Substrate processing device
JP2011104910A (ja) テンプレート処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、テンプレート処理装置及びインプリントシステム
JP4541396B2 (ja) 塗布膜形成装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6418932B2 (ja) 紫外線照射装置、紫外線照射方法、基板処理装置、及び基板処理装置の製造方法
JP5149244B2 (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2020107686A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020107747A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5285514B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5492527B2 (ja) 紫外線照射装置、紫外線照射方法及び基板処理装置
TWI644340B (zh) 紫外線照射裝置、紫外線照射方法、基板處理裝置及基板處理裝置之製造方法
JP2014123769A (ja) 紫外線照射装置および紫外線照射方法
JP5108834B2 (ja) テンプレート処理装置、インプリントシステム、離型剤処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR102385847B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20150026852A (ko) 광 조사 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
CN116804827B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法