TWI639363B - Copper foil for printed circuit boards - Google Patents

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TWI639363B
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篠崎健作
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古河電氣工業股份有限公司
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Abstract

本發明之印刷電路板用銅箔特徵在於：其係由銅或包含銅之合金組成之厚度18μm以下之印刷電路板用銅箔，於400℃以下之領域中，(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax為150℃以上、370℃以下，此時斜率Smax為0.8以上，並且以Tmax加熱處理1小時後抗拉強度為常態之80%以下。
S=(Ts(T-50)-Ts(T))/50 (1)
其中，Ts(T)係以T℃加熱處理1小時後之抗拉強度。

Description

印刷電路板用銅箔
本發明係關於一種印刷電路板用銅箔。
撓性印刷電路板(FPC)係藉由將聚醯亞胺與銅箔黏著，形成FCCL(Flexible Copper Clad Laminates，撓性敷銅層板)後，於FCCL之銅箔面上印刷佈線圖案(光阻塗佈製程)，蝕刻、除去不需要之銅箔(蝕刻製程)而製成。進而，可根據需要，藉由軟蝕刻使銅箔實現薄型化，利用鑽孔器進行開孔加工-填孔電鍍等，經由該等製程製成產品。
FCCL之製造方法包括兩種，即澆鑄法與層壓法。
澆鑄法係於作為支撐體之銅箔上塗佈聚醯亞胺前驅體即聚醯胺酸，並以130℃左右之溫度進行乾燥以揮發溶媒，重複該等製程多次，於銅箔表面均勻地塗佈聚醯胺酸，並以聚醯亞胺之硬化溫度300℃以上之高溫進行加熱處理，使銅箔與聚醯亞胺黏著。
層壓法係於具有熱塑性聚醯亞胺層作為黏著層之聚醯亞胺薄膜上以輥壓層壓法壓接銅箔，以硬化溫度進行加熱處理，藉此，使銅箔與聚醯亞胺薄膜黏著。
近年來，自降低成本、確保製造穩定性之觀點考量，於捲繞卷狀銅箔之同時連續處理一系列製程之卷對卷 (Roll to Roll)製造逐漸成為主流。以卷對卷之澆鑄法製造FCCL時，乃於銅箔被賦予有張力之狀態下，通過多次聚醯胺酸塗佈製程與乾燥製程後，使用硬化爐以高溫進行加熱。
此時，銅箔上施加有輥張力等機械外力及乾燥製程所產生之熱變化。由於該機械外力與加熱，生產線中銅箔會產生皺褶、斷裂。
尤其是卷對卷製程中，若銅箔機械特性相同，則厚度越薄，越易產生皺褶、斷裂。另一方面，隨著圖案精細化及電路厚度之薄型化，軟蝕刻亦不斷簡化，故撓性印刷電路板所使用之銅箔厚度存在變薄之趨勢。目前FCCL或FPC中所使用之銅箔厚度主要為18μm以下，厚度為9μm或6μm之較薄者也逐漸為人們所使用。
又，伴隨薄型顯示器及智慧型手機之普及，電路板之折疊貼裝所要求之水準較高，作為FPC基板要求具有固定之彎折性能。又，於類似折疊式行動電話之驅動部，要求反復彎折之用途中，需要更高之可撓性。
如此，作為FPC用銅箔，要求其即便為18μm以下之薄箔，於卷對卷搬運中亦不會產生斷裂、皺褶，且以聚醯亞胺硬化溫度進行加熱處理後，可充分軟化，發揮高彎折性能及可撓性。
目前，於FPC用途中僅對可撓性作出要求，故使用以聚醯亞胺硬化溫度300℃以上加熱情況下，強度非常低之銅箔。例如，專利文獻1中公開有一種於300℃加熱處理後具有270MPa以下之低強度之銅箔。但是，該發明之銅箔於常態 下強度亦較低，為350MPa以下，於卷對卷搬運中易產生斷裂、皺褶。
另一方面，於作為鋰離子電池之負極集電體等，要求高強度之用途中，使用亦能承受卷對卷搬運之常態下具有高強度之銅箔。例如，專利文獻2中公開有一種常態下具有450MPa以上之強度之電解銅箔之製造方法。然而，基於該發明製造之銅箔於低於預乾燥溫度、約130度左右之溫度下加熱會軟化，且強度降低，故不適用於澆鑄法之卷對卷製造。
又，專利文獻3中公開有一種銅箔，其抗拉強度於常態下為650MPa以上，以300℃加熱後具有450MPa以上之高強度與熱穩定性。然而，由於其於300℃下熱穩定性優異，故於聚醯亞胺硬化溫度下無法充分軟化，無法滿足FPC用途所要求之高可撓性。
【現有技術文獻】
【專利文獻】
專利文獻1：日本專利第4712759號公報(日本專利特開2008-013847號公報)
專利文獻2：日本專利第4349690號公報(日本專利特開2001-11684號公報)
專利文獻3：日本專利特開2013-28848號公報
專利文獻4：日本專利特開平9-306504號公報
專利文獻5：日本專利特開2013-28848號公報
本發明提供一種銅箔，其係FCCL或FPC等印刷電路板(以下，簡稱為印刷電路板)用銅箔所要求之厚度為18μm以下之薄箔，卷對卷搬運中不會產生斷裂、皺褶，以聚醯亞胺硬化溫度進行加熱處理後可充分軟化，發揮高彎折性能及可撓性。
本發明之印刷電路板用銅箔特徵在於，其係由銅或包含銅之合金組成之厚度18μm以下之印刷電路板用銅箔，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax為150℃以上、370℃以下，此時斜率S為0.8以上，並且以溫度Tmax加熱處理1小時後抗拉強度為常態之80%以下。
S=(Ts(T-50)-Ts(T))/50 (1)
其中，Ts(T)係以T℃加熱處理1小時後常溫下之抗拉強度。
另外，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，上述(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax優選為180℃以上、310℃以下。
又，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，以上述(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax加熱處理1小時後，抗拉強度優選為常態之70%下。
本發明之印刷電路板用銅箔之常態抗拉強度優選為500MPa以上、750MPa以下。
又，本發明之印刷電路板用銅箔以加熱處理溫度300℃加熱處理1小時後，抗拉強度優選為450MPa以下。
本發明之印刷電路板用銅箔優選為電解銅箔。
本發明之印刷電路板用銅箔優選於上述銅箔之至少黏貼薄膜之面上，根據需要設置粗化粒子層，再於其上設置以耐熱性、耐化學腐蝕性、防鏽為目的之金屬表面處理層。
上述金屬表面處理層優選將矽(Si)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鉬(Mo)、錫(Sn)或該等之合金中之至少一種設置於上述銅箔表面或上述粗化粒子層上。
本發明之銅箔係作為FCCL或FPC用銅箔，即便為厚度18μm以下之薄箔，於卷對卷搬運中亦不會產生斷裂、皺褶，且以聚醯亞胺硬化溫度進行加熱處理後，可充分軟化，發揮高彎折性能及可撓性之銅箔。
圖1係表示銅箔抗拉強度與加熱溫度之關係之圖表。
銅箔之形態：
使銅箔厚度為18μm以下之目的在於，印刷電路板用銅箔所要求之厚度為18μm以下，並且厚度為18μm以上時，卷對卷搬運中不存在皺褶問題。
為確保卷對卷搬運時不產生皺褶、斷裂，製成敷銅層板(薄 膜)時發揮優異之可撓性，期望銅箔之加熱軟化溫度存在於聚醯亞胺之預乾燥溫度與硬化溫度之間。聚醯亞胺之預乾燥溫度一般為130℃左右。然而，一般銅箔於該溫度下已發生軟化，故需要提高軟化溫度。另一方面，聚醯亞胺之硬化溫度為300℃以上、400℃以下，期望以該溫度軟化銅箔。
亦即，要求銅箔於130℃下不軟化，於130℃以上、400℃以下之領域發生軟化。本發明者等基於上述前提，銳意研究發現，於表示加熱溫度與抗拉強度之關係之圖1之圖表中，若(1)式所表示之抗拉強度之斜率S為0.8以上，最大時之溫度Tmax為150℃以上、370℃以下，則可獲得滿足上述前提條件之銅箔。另外，亦獲得如下認知：若(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax為180℃以上、310℃以下，則可對應更廣之預乾燥、硬化溫度。
S=(Ts(T-50)-Ts(T))/50 (1)
其中，Ts(T)係以T℃加熱處理1小時後之抗拉強度。
本發明中，於表示加熱溫度與抗拉強度之關係之圖1之圖表中，使(1)式所表示之抗拉強度之斜率S為0.8以上原因在於，0.8以下之銅箔沒有明確之軟化溫度，加熱後抗拉強度不會降低，即可撓性不會提高，無法滿足印刷電路板用銅箔所要求之高可撓性。
若溫度T下(1)式所表示之抗拉強度之斜率S為0.8以上且以溫度T加熱處理1小時後抗拉強度為常態之80%以下，則以聚醯亞胺硬化溫度加熱後銅箔之強度充分降低，可 滿足原本撓性基板用途所要求之最低限度彎折性能及可撓性。以溫度T加熱處理1小時後抗拉強度更優選為70%以下。由於彎折性能及可撓性提高，因此亦能應對如折疊式行動電話之活動部等需要反復彎折之用途。
常態〔將於20℃以上、50℃以下之大氣壓下製造後保管1週以上，事先未進行加熱處理等之產品於常溫(=室溫、25℃左右)、大氣壓下測定時稱為常態。〕之抗拉強度優選為500MPa以上，若低於500MPa，則聚醯亞胺黏著線之張力較高時易發生斷裂、皺褶。又，常態之抗拉強度優選為750MPa以下。由於銅箔強度與延伸率之間存在權衡關係，若強度高於750MPa，則延伸率較小，反而易發生斷裂。
以300℃加熱處理1小時後之抗拉強度優選為450MPa以下。如上所述，聚醯亞胺之硬化溫度最低為300℃，若該溫度下抗拉強度為450MPa以下，則無論使用何種聚醯亞胺，均可滿足最低限度之彎折性能及可撓性。
(電解銅箔之製造方法)
本發明若為滿足上述特性之銅箔，則電解銅箔、壓延銅箔等之製造方法等不受限制。
以下，針對使用以硫酸及硫酸銅為主要成分之電解液製造之電解銅箔進行詳細說明。
已知電解銅箔藉由於電解液中使用有機添加劑，可控制常態之強度及熱穩定性。於銅箔中加入膠(glue)、聚乙二醇等含氮之水溶性高分子，藉此可使銅晶粒微細化，提高常態下之強度。又，氯化物離子具有輔助水溶性高分子攝入到 銅箔中之作用。然而，其不具有阻止加熱時再結晶之效果，故存在於銅之軟化溫度即120℃左右之溫度下強度會降低，並且含氯銅箔於常溫下會發生再結晶，製造後隨著時間流逝，強度降低即所謂之“常溫軟化”問題。
另一方面，類似硫脲類添加劑，擁有(化學式1)所示之一個硫及兩個氮與碳配位之結構時，藉由電子之共定域化，可獲得[S=]之結構，於銅之電沉積環境下該[S=]會優先吸附於銅表面，攝入到晶粒界面中可對晶粒界面之移動進行釘扎，從而具有阻礙加熱時再結晶之效果。然而，硫脲類添加劑之分解溫度為130~160℃左右，用於此次這類用途時，在高於上述溫度之溫度下加熱會被分解，損害釘扎效果，會發生與純銅相同程度之軟化。
因此，本發明者等銳意研究，使用有機添加劑A與有機添加劑B，並使用氯濃度低於現有電解液之電解液，製造銅箔，藉此成功地製造出可滿足上述特性之電解銅箔，其中該有機添加劑A具有一個硫及兩個氮與碳配位且形成雜環、例如(化學式2)之結構或(化學式3)之結構，該有機添加劑B係膠、聚乙二醇等含氮之水溶性高分子。
將有機添加劑A攝入到晶粒界面可發揮釘扎效果，阻礙加熱時再結晶。亦即，有機添加劑A擁有一個硫及兩個氮與碳配位之結構，且形成有雜環，故分解溫度較高，即便以高溫進行加熱，亦可發揮釘扎效果。利用該效果及有機添加劑B之提高常態下之強度之效果，並通過以低於現有濃度之氯濃度抑制常態下之再結晶，從而可實現本發明中具有特徵性之150~370℃下之加熱軟化。
表面處理之形態：
於本實施形態中，根據需要，於銅箔之至少黏貼薄膜之面上設置粗化粒子層，再於其上設置金屬表面處理層。另外，粗化粒子層之形成並不需要用特殊方法進行設置，可採用通常所 實施之粗化粒子層形成(粗化處理)方法。
關於粗化處理
至於為提高銅箔與聚醯亞胺薄膜之附著性而於銅箔上設置粗化粒子層之粗化處理方法之一例，列舉有依照粗化電鍍處理1→粗化電鍍處理2之順序進行處理之方法。
粗化電鍍處理1
硫酸銅：20~160g/L
硫酸濃度：30~200g/L
Fe：0.1~10g/L
Mo：0.1~5.0g/L
液溫：20~60℃
電流密度：10~60A/dm2
粗化電鍍處理2
硫酸銅：80~360g/L
硫酸濃度：30~150g/L
液溫：20~65℃
電流密度：5~65A/dm2
於本實施形態中，於粗化粒子層表面或未設置粗化粒子層之銅箔表面設置以耐熱性、耐化學腐蝕性、防鏽為目的之金屬表面處理層。
關於金屬表面處理層，可根據施加在銅箔上之聚醯亞胺種類、用途，電鍍至少一種以上金屬。該金屬可列舉如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鉬(Mo)、錫(Sn)單體或該等之合金、水合物等。以下記 載係上述金屬之電鍍浴與電鍍條件之一例。
鎳電鍍浴
Ni 10~100g/L
H3BO3 1~50g/L
PO2 0~10g/L
浴溫10~70℃
電流密度1~50A/dm2
處理時間1秒~2分鐘
pH 2.0~4.0
Ni-Mo電鍍浴
Ni 10~100g/L
Mo 1~30g/L
檸檬酸三鈉二水合物30~200g/L
浴溫10~70℃
電流密度1~50A/dm2
處理時間1秒~2分鐘
pH 1.0~4.0
Mo-Co電鍍浴
Mo 1~20g/L
Co 1~10g/L
檸檬酸三鈉二水合物30~200g/L
浴溫10~70℃
電流密度1~50A/dm2
處理時間1秒~2分鐘
鋅電鍍浴
Zn 1~30g/L
NaOH 10~300g/L
浴溫5~60℃
電流密度0.1~10A/dm2
處理時間1秒~2分鐘
鉻電鍍浴
Cr 0.5~40g/L
浴溫20~70℃
電流密度0.1~10A/dm2
處理時間1秒~2分鐘
pH 3.0以下
優選於對該等金屬實施電鍍處理後之表面上塗佈矽烷。關於塗佈之矽烷，可列舉通常所使用之胺基類、乙烯基類、環氧類等。
印刷電路板之形態：
並無特別限定，可使用例如層壓法、澆鑄法。
實施例
以下基於實施例，進一步詳細說明本發明，但本發明並不限定於此。
實施例
(銅箔之製造)
實施例1~8使用#2000研磨紙對鈦表面進行研磨，使用由經研磨之鈦構成之陰極，並使用以下記載之電解液，以 浴溫30~75℃、電流密度30~100A/dm2進行通電，製造表1所示厚度之電解銅箔。
(電解液組成)
以硫酸銅200~500g/L、硫酸20~200g/L為基本浴組成，於基本浴中添加表1所記載之添加劑，配製電解液。另外，有機添加劑A分別使用擁有化學式2之結構、以2-巰基-5-苯并咪唑磺酸為代表之添加劑及擁有化學式3之結構、以3(5-巰基-1H-四唑基)苯磺酸鹽為代表之添加劑，但經確認只要為一個硫及兩個氮與碳配位且形成雜環之有機添加劑即可，使用上述以外之有機添加劑亦可獲得相同效果。
實施例1~4、6~8對所製造之銅箔直接實施金屬表面處理。另一方面，實施例5對所製造之銅箔，依照下述粗化處理方法施以粗化粒子層，再於粗化粒子層上施以金屬表面處理層。粗化處理以粗化電鍍處理1→粗化電鍍處理2之順序進行處理。
粗化電鍍處理1
硫酸銅：90g/L
硫酸濃度：150g/L
Fe：3g/L
Mo：0.3g/L
液溫：25℃
電流密度：40A/dm2
粗化電鍍處理2
硫酸銅：240g/L
硫酸濃度：120g/L
液溫：50℃
電流密度：10A/dm2
實施例9係通過鑄造、軋製方法而製造之壓延銅合金箔。利用高頻熔爐熔解銅、鉻(Cr)、錫(Sn)、鋅(Zn)原料，然後以0.5~150℃/秒之冷卻速度進行鑄造，獲得鑄錠。鑄錠含有鉻0.3質量百分比、錫0.3質量百分比、鋅0.1質量百分比之合金成分，剩餘部分為銅與不可避免之雜質所形成之物質。
繼而，以溫度1000℃對所獲得之鑄錠進行均勻化熱處理8小時，然後直接以600~1050℃進行熱軋。其中，熱軋之溫度範圍600~1050℃係自熱軋開始至結束之溫度範圍。加工率為85~97%。
進而，至少於600℃~200℃間以30℃/秒之冷卻速度、以水冷方式進行冷卻，實施加工率為80~99.8%之中間冷軋，以300℃~540℃實施保持4小時之時效熱處理，再以86%之加工率進行最終冷軋，製作箔厚為12μm之壓延銅合金箔。
比較例
比較例1~3使用#2000研磨紙對鈦表面進行研磨，使用由經研磨之鈦構成之陰極，以表2所記載之電解液及電解條件進行製造。
另外，比較例1係基於專利文獻2(日本專利第4349690號公報、日本專利特開2001-11684號公報)之實施例1製作之銅箔，比較例2係基於專利文獻4(日本專利特開平9-306504號公報)之實施例1製作之銅箔，比較例3係基於專利文獻5(日本專利特開2013-28848號公報)之實施例1製作之銅箔。
比較例4係厚度為12μm之市售Cu-0.015~0.03Zr壓延銅合金箔(商品名：HCL(註冊商標)-02Z，日立電線株式會社製)。
(表面處理)
於基於實施例1~4、6~8及比較例1~3而製造之銅箔上，以及基於實施例5而製造之銅箔之粗化處理層上，以鎳、鋅、鉻之順序實施金屬電鍍，其後塗佈市售之環氧矽烷。各金屬電鍍及矽烷之塗佈條件如下所述。
鎳電鍍
Ni 40g/L
H3BO3 5g/L
浴溫20℃
電流密度0.2A/dm2
處理時間10秒
pH 3.6
鋅電鍍
Zn 2.5g/L
NaOH 40g/L
浴溫20℃
電流密度0.3A/dm2
處理時間5秒
鉻電鍍
Cr 5g/L
浴溫30℃
電流密度5A/dm2
處理時間5秒
環氧矽烷塗佈
試劑名稱S510(Chisso(株式會社)製)
濃度0.25wt%
處理時間2秒
(評估)
自常溫至400℃、以10度為單位對各實施例、比較例之銅箔進行加熱處理1小時，測定各溫度下之抗拉強度，計算各溫度下(1)式所表示之斜率S以及S為最大值時之溫度Tmax。抗拉強度基於JISZ2241-1880進行測定。
另外，實施例9、比較例4之壓延銅箔以與軋製方向呈45°之方向進行拉伸試驗，測定抗拉強度。
將以溫度T進行加熱處理時之抗拉強度值除以常態之抗拉強度值，計算抗拉強度比。結果如表3所示。另外，將300℃時之抗拉強度作為參考值，一併記載於表3中。
搬運試驗係於施加0.1N/mm或0.3N/mm之張力之狀態下，以200℃進行加熱處理1小時，判斷有無產生皺褶。0.1N/mm張力下產生皺褶之銅箔無法用於卷對卷方式，故判斷為×；0.1N/mm張力下沒有產生皺褶，0.3N/mm張力下產生皺褶之銅箔可以進行卷對卷搬運，故判斷為○；0.3N/mm張 力下沒有產生皺褶之銅箔，即便提高生產線速度仍可搬運，故判斷為◎。判斷結果如表3所示。
彎曲試驗係使銅箔表面與厚度為50μm之聚醯亞胺薄膜(宇部興產製UPILEX-VT)相接，用2張光滑不鏽鋼板對整體進行夾持，利用20torr之真空壓製機，以300℃或370℃、2kg/cm2之壓力熱壓接合10分鐘，再以50kg/cm2之壓力熱壓接合5分鐘，製作帶薄膜之銅箔(電路板)，進行MIT試驗。此時之曲率(R)以0.8(mm)、荷重500g進行測定。關於彎曲試驗之評估結果，將MIT試驗中折斷前之次數小於200次判斷為×(不合格)，將200次以上、小於450次視為滿足撓性印刷電路板所需要之彎折性能，判斷為○(合格)，將450次以上視為可承受反復彎折、具有優異之可撓性，判斷為◎。評估結果如表3所示。
根據表3可知，所有實施例中(1)式所表示之斜 率S最大值Smax均為0.8以上，S為最大值時之溫度Tmax為150℃以上、370℃以下，且以Tmax加熱處理1小時後抗拉強度為常態(25℃)之80%以下，搬運試驗、彎曲試驗中均顯示可承受實際運用之性能。
尤其是實施例4，所有項目均在優選範圍內，故搬運試驗、彎曲試驗均顯示尤其優異之結果。另外，實施例5於粗化粒子層上設有金屬表面處理層，但搬運試驗、彎曲次數均不遜色於其他實施例，設置粗化處理層並沒有對搬運試驗、彎曲次數產生較大影響。
實施例1、8之抗拉強度之斜率Smax較低，實施例6之常態抗拉強度低於500MPa，提高生產線速度時存在易產生皺褶之趨勢，若將生產線速度設定為較低值，則不存在問題。實施例3、7之常態抗拉強度超過750MPa，故300℃下之可撓性不符合標準，但以370℃加熱時彎曲試驗結果合格，因此，於聚醯亞胺硬化製程之溫度為高溫時可以使用。
實施例2之Tmax與常態之抗拉強度比超過70%，可搬運性及以300℃加熱時之可撓性稍差，但性能仍可承受實際運用。
相對於使用壓延銅箔之實施例9，使用電解銅箔之實施例4，其搬運試驗、彎曲次數均顯示優異之結果。
比較例1之Tmax較低，故搬運試驗中產生皺褶。
比較例2之Smax較小，為0.8以下，搬運試驗中產生皺褶。Smax較小則銅箔沒有明確之軟化點，此係常溫軟化之箔之典型特性。於施加有張力之狀態下，常溫軟化之銅箔 易產生皺褶。
比較例3之抗拉強度比超過80%。此種箔於聚醯亞胺硬化製程中幾乎不會軟化，且在彎曲試驗中會提前折斷。
比較例4之Tmax較高，故於聚醯亞胺硬化製程中不會充分軟化，且在彎曲試驗中會提前折斷。
如上所述，本發明之銅箔係FCCL或FPC等印刷電路板用銅箔所要求之厚度為18μm以下之薄箔，卷對卷搬運中不會產生斷裂、皺褶，以聚醯亞胺硬化溫度進行加熱處理後可充分軟化，發揮高彎折性能及可撓性，作為印刷電路板用銅箔，可發揮優異效果。

Claims (10)

  1. 一種印刷電路板用銅箔，其係由銅或包含銅之合金組成之厚度18μm以下之印刷電路板用銅箔，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax為150℃以上、370℃以下，此時斜率Smax為0.8MPa/℃以上，並且以Tmax加熱處理1小時後抗拉強度為常態之80%以下；S=(Ts(T-50)-Ts(T))/50 (1)其中，Ts(T)係以T℃加熱處理1小時後之抗拉強度。
  2. 根據申請專利範圍第1項之印刷電路板用銅箔，其中，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，利用上述(1)式計算出之斜率S最大值Smax為1.8以上。
  3. 根據申請專利範圍第2項之印刷電路板用銅箔，其中，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，上述(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax為180℃以上、310℃以下。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其中，於加熱處理溫度400℃以下之領域中，以上述(1)式所表示之抗拉強度之斜率S最大時之溫度Tmax加熱處理1小時後抗拉強度為常態之70%以下。
  5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其中，常態之抗拉強度為500MPa以上。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其特徵在於，常態之抗拉強度為750MPa以下。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其中，以300℃加熱處理1小時後抗拉強度為450MPa以下。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其中，上述銅箔為電解銅箔。
  9. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其特徵在於，於上述印刷電路板用銅箔之至少黏貼薄膜之面上設有粗化粒子層。
  10. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之印刷電路板用銅箔，其特徵在於，於上述印刷電路板用銅箔之至少黏貼薄膜之面上，設有矽(Si)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鋅(Zn)、鉬(Mo)、錫(Sn)或該等之合金中之至少一種金屬表面處理層。
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