TWI637906B - 形成多層結構之方法 - Google Patents
形成多層結構之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI637906B TWI637906B TW107109946A TW107109946A TWI637906B TW I637906 B TWI637906 B TW I637906B TW 107109946 A TW107109946 A TW 107109946A TW 107109946 A TW107109946 A TW 107109946A TW I637906 B TWI637906 B TW I637906B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- group
- polycyclic aromatic
- aromatic moiety
- graphite carbon
- independently selected
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 138
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 67
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 35
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 34
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 claims description 33
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 32
- -1 substituted Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 27
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 2
- ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N binaphthyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZDZHCHYQNPQSGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 24
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 16
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Chemical group 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical group [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Chemical group 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSYQPWIOAFNQLP-UHFFFAOYSA-N 3-naphthalen-2-ylsulfonylpropanoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S(=O)(=O)CCC(=O)O)=CC=C21 OSYQPWIOAFNQLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJODDQYOYNXWMQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-ethoxynaphthalen-1-yl)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(OCC)=CC=C(C(=O)CCC(O)=O)C2=C1 LJODDQYOYNXWMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZUBXUKRWLMPIO-UHFFFAOYSA-N 4-methylhexan-2-ol Chemical compound CCC(C)CC(C)O KZUBXUKRWLMPIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPGLTXGUKFKBMP-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=C2C=CC=C(C2=CC=C1)C(C(=O)O)CC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=C2C=CC=C(C2=CC=C1)C(C(=O)O)CC JPGLTXGUKFKBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N butyl benzoate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1 XSIFPSYPOVKYCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRPINYUDVPFIRX-UHFFFAOYSA-N 1-naphthaleneacetic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC(=O)O)=CC=CC2=C1 PRPINYUDVPFIRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005971 1-naphthylacetic acid Substances 0.000 description 1
- OGXVFCMBJLXMMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethyl-3-naphthalen-1-ylpropanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC(C)(C)C(O)=O)=CC=CC2=C1 OGXVFCMBJLXMMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLNMQYHQWUWCPG-UHFFFAOYSA-N 2-anthracen-9-ylethanol Chemical compound C1=CC=C2C(CCO)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 KLNMQYHQWUWCPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XULHFMYCBKQGEE-UHFFFAOYSA-N 2-hexyl-1-Decanol Chemical compound CCCCCCCCC(CO)CCCCCC XULHFMYCBKQGEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OREYBNSOYMNZSG-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-naphthalen-1-ylbutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCC(C)C(O)=O)=CC=CC2=C1 OREYBNSOYMNZSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRLKVVMRQFFIOQ-UHFFFAOYSA-N 3-naphthalen-1-ylpropanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 PRLKVVMRQFFIOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVEGKOYDSVJIIX-UHFFFAOYSA-N 4-(9H-fluoren-1-yl)butanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCc1cccc-2c1Cc1ccccc-21 QVEGKOYDSVJIIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNAKMECLHEQH-UHFFFAOYSA-N 4-anthracen-2-yl-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC(C(=O)CCC(=O)O)=CC=C3C=C21 LZMNAKMECLHEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 5-cyclopenta-2,4-dien-1-ylcyclopenta-1,3-diene Chemical group C1=CC=CC1C1C=CC=C1 IZSHZLKNFQAAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQKYEMHWZYHWBL-UHFFFAOYSA-N 9h-fluoren-1-ylmethanol Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(CO)=CC=C2 OQKYEMHWZYHWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCGORAJGRKNBSY-UHFFFAOYSA-N 9h-fluorene-1-sulfonic acid Chemical compound C1C2=CC=CC=C2C2=C1C(S(=O)(=O)O)=CC=C2 SCGORAJGRKNBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCZKQSIXSNCRHA-UHFFFAOYSA-N C(CCC)O[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC.[Zr] Chemical compound C(CCC)O[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC.[Zr] CCZKQSIXSNCRHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N Methyl-2-hydoxyisobutyric acid Chemical compound COC(=O)C(C)(C)O XYVQFUJDGOBPQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000002998 adhesive polymer Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2C(CO)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002872 contrast media Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/18—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/20—Graphite
- C01B32/205—Preparation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/20—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes for coatings strippable as coherent films, e.g. temporary coatings strippable as coherent films
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/22—Electrodes
- H01G11/30—Electrodes characterised by their material
- H01G11/32—Carbon-based
- H01G11/44—Raw materials therefor, e.g. resins or coal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
- H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
- H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/133—Electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
- H01M4/139—Processes of manufacture
- H01M4/1393—Processes of manufacture of electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
- H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/663—Selection of materials containing carbon or carbonaceous materials as conductive part, e.g. graphite, carbon fibres
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
包括液體載劑及某些MX/石墨碳前驅體之組合物可用於形成多層結構,所述多層結構具有設置在基板上之MX層及石墨碳層,其中,在多層結構中MX層介於基板與石墨碳層之間。
Description
本發明係關於傳導材料領域。更具體而言,本發明係關於石墨烯領域及其在電子產品應用中之使用。
自2004年使用膠帶成功地將石墨烯自石墨中分離出來以來,已經觀察到石墨烯具有某些非常有前景之特性。例如,IBM之研究人員觀察到,石墨烯有助於構建最大截止頻率為155 GHz之電晶體,遠遠超過與習知矽基電晶體相關之40 GHz之最大截止頻率。
石墨烯材料能夠表現出廣泛特性。單層石墨烯結構之導熱性及導電性比銅高。雙層石墨烯表現出之帶隙使其能夠具有像半導體一樣的行為。已經證明,根據氧化程度,氧化石墨烯材料表現出帶隙可調性。亦即,完全氧化之石墨烯將為絕緣體,而部分氧化之石墨烯將根據其碳/氧比(C/O)而具有像半導體或導體一樣的行為。
已經觀察到,使用氧化石墨烯片之電容器之電容比純石墨烯對應物高出數倍。此結果歸因於官能化氧化石墨烯片表現出之增加之電子密度。考慮到石墨烯片之超薄性質,使用多層石墨烯之並聯片狀電容器可提供具有極高電容/體積比之設備,即超級電容器。然而,迄今為止,習知超級電容器所表現出之儲存容量嚴重限制其在需要功率密度及長生命週期之商業應用中之採用。儘管如此,電容器與電池相比具有許多顯著優勢,包括保存限期。相應地,能量密度增加而功率密度或循環壽命不降低之電容器,將在各種應用中具有許多優於電池之優點。因此,需要獲得循環壽命長之高能量密度/高功率密度電容器。
Liu等人(美國專利第8,835,046號)揭示石墨烯及金屬氧化物材料之自組裝多層奈米複合物。具體而言,Liu等人揭示一種電極,其包括具有至少兩層之奈米複合物材料,每一層包括直接化學鍵合於至少一層石墨烯之金屬氧化物層,其中,石墨烯層之厚度約為0.5 nm至50 nm,金屬氧化物層及石墨烯層交替位於所述至少兩層中,從而在奈米複合物材料中形成一系列有序之層。
2015年9月29日申請之共同轉讓之國際專利申請案序列號PCT/CN15/091039(Wang等人)揭示一種溶液運載方法,其中使用某些石墨碳前驅體來形成包括石墨碳層之多層結構。儘管此類方法對於形成多層結構而言有效,但仍然需要相對較廉價之石墨碳前驅體,所述石墨碳前驅體在所用溶劑中具有相對提高之溶解度,且具有相對較高之多環芳族部分含量。
這裏亦持續需要製作石墨多層結構之方法,其中,所述石墨多層結構包括交替之MX材料層(例如金屬氧化物)及石墨碳材料層,用於各種應用,包括在鋰離子電池及多層超級電容器中作為電極結構。
本發明提供一種組合物,其包括:液體載劑;及一或多種式(1)之MX/石墨碳前驅體,
(1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C
1-10烴基組成之群;各R
1為-C
2-6伸烷基-X-基團;
z為0至5;
n為1至15;各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20有機殘基、-C(O)-C
1-20烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;各Y
1及Y
2獨立地選自由-C(O)-及-S(O)
2-組成之群;各L
1及L
2獨立地為C
1-10烴基;
a=0或1;
b=0或1;
c=0或1;且
d=0或1;條件為當
c=0時
d=0;其中,當Y
1=-C(O)-時或者當
a=
c=0時,
b及
d中之至少一個等於1;且其中,MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。本發明亦提供一種包括此類多層結構之電子設備。
本發明進一步提供一種形成多層結構之方法,其包括:提供基板;提供塗層組合物,所述塗層組合物包括:液體載劑及一或多種具有式(1)之MX/石墨碳前驅體,
(1) 其中,各M選自由Ti、Hf及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C
1-10烴基組成之群;各R
1為-C
2-6伸烷基-X-基團;
z為0至5;
n為1至15;各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20有機殘基、-C(O)-C
1-20烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;各Y
1及Y
2獨立地選自由-C(O)-及-S(O)
2-組成之群;各L
1及L
2獨立地為C
1-10烴基;
a=0或1;
b=0或1;
c=0或1;且
d=0或1;條件為當
c=0時
d=0;其中,當Y
1=-C(O)-時或者當
a=
c=0時,
b及
d中之至少一個等於1;且其中,MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;將塗層組合物設置在基板上以形成複合物;視情況,烘烤複合物;在還原氛圍下對複合物進行退火;藉此將複合物轉化為設置在基板上之MX層及石墨碳層,從而提供多層結構;其中,在多層結構中MX層介於基板與石墨碳層之間。
本發明亦提供一種製作獨立式石墨碳片之方法,其包括:提供基板;提供塗層組合物,所述塗層組合物包括:液體載劑及一或多種具有式(1)之MX/石墨碳前驅體,
(1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C
1-10烴基組成之群;各R
1為-C
2-6伸烷基-X-基團;
z為0至5;
n為1至15;各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20有機殘基、-C(O)-C
1-20烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;各Y
1及Y
2獨立地選自由-C(O)-及-S(O)
2-組成之群;各L
1及L
2獨立地為C
1-10烴基;
a=0或1;
b=0或1;
c=0或1;且
d=0或1;條件為當
c=0時
d=0;其中,當Y
1=-C(O)-時或者當
a=
c=0時,
b及
d中之至少一個等於1;且其中,MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;將塗層組合物設置在基板上以形成複合物;視情況,烘烤複合物;在還原氛圍下對複合物進行退火;藉此將複合物轉化為設置在基板上之MX層及石墨碳層,從而提供多層結構;其中,在多層結構中MX層介於基板與石墨碳層之間;將多層結構暴露於酸;且回收石墨碳層,即為獨立式石墨碳片。
應瞭解,當元件稱為與另一個元件「相鄰」或「在」另一個元件「上」時,所述元件可直接與另一個元件相鄰或在另一個元件上,或者二者之間可能存在中間元件。相反,當元件稱為與另一個元件「直接鄰近」或「直接在」另一個元件「上」時,則不存在中間元件。應瞭解,儘管可使用術語第一、第二、第三等來描述各種元件、組件、區域、層及/或部分,但是此等元件、組件、區域、層及/或部分不應受到此等術語之限制。此等術語僅用來區分一個元件、組件、區域、層或部分與另一個元件、組件、區域、層或部分。因此,在不脫離本發明教示之情況下,下面討論之第一元件、組件、區域、層或部分可稱為第二元件、組件、區域、層或部分。
如在整個說明書中所使用,除非上下文另有明確說明,否則下列縮寫應具有下列含義:℃=攝氏度;g=公克;ppm=重量百萬分率(除非另有註明);cm=公分;mm=micron=微米;mm=毫米;Å=埃;L=公升;mL=毫升;sec.==秒;min.=分鐘;hr.=小時;以及Da=道爾頓。除非另外註明,否則所有量均為重量百分數,且所有比例均為莫耳比。所有數值範圍均具有包含性且能夠以任何順序組合,除非明確表明此類數值範圍限制為加在一起達100%。除非另外註明,否則「重量%」係指以參考組合物之總重量計之重量百分比。冠詞「一」、「一種」及「所述」係指單數及複數。如本文所使用,術語「及/或」包括一或多個相關所列項目之任何及所有組合。M
w係指重均分子量,且藉由使用聚苯乙烯標準物之凝膠滲透層析法(GPC)測定。
如整個說明書所使用,術語「烷基」包括直鏈、支鏈及環狀烷基。術語「烷基」係指烷烴基,且包括烷烴單基、雙基(伸烷基)及更高級別之基團。術語「伸烷基」包括「亞烷基」。若未指出任何烷基或雜烷基之碳數,則預期具有1至12個碳。術語「雜烷基」係指在基團內(例如,在醚或硫醚中)由一或多個雜原子(諸如氮、氧、硫、磷)取代一或多個碳原子之烷基。除非另外規定,否則術語「伸烯基」係指直鏈、支鏈及環狀二價鏈烯基。「有機殘基」係指任何有機部分之基團,其除碳及氫之外,亦可視情況含有一或多個雜原子,諸如氧、氮、矽、磷以及鹵素。有機殘基可含有一或多個芳基或非芳基環或者芳基及非芳基環兩者。術語「烴基」係指任何烴之基團,其可為脂族、環狀、芳族或其組合,且其除碳及氫之外,可視情況含有一或多個雜原子,諸如氧、氮、矽、磷以及鹵素。烴基可含有芳基或非芳基環或者芳基及非芳基環兩者,諸如一或多個脂環,或者芳族環或者脂環及芳族環兩者。當烴基含有兩個或更多個脂環時,此類脂環可為獨立、稠合或者螺環。脂環烴基包括單脂環,諸如環戊基及環己基,以及雙環,諸如二環戊二烯基、降冰片基以及降冰片烯基。當烴基含有兩個或更多個芳族環時,此等環可為獨立或者稠合。如本文所使用,術語「氫」亦包括氫之同位素,諸如氘及氚。
本發明之組合物可用於形成包括交替之MX層及石墨碳層之多層結構。此等多層結構可為具有改進之效能特性之能量儲存設備提供某些關鍵組件,其中,所述多層結構在多層超級電容器中提供高效/高容量能量儲存,且在超級電容器及下一代電池設計中提供低電阻高容量電極結構。本發明組合物亦可用於製作獨立式石墨碳片。如本文所使用,術語「MX層」或「一層MX」係指包括MX部分之層,其中,M為鈦、鉿或鋯中之一或多種,且X為氮、硫、硒或氧中之一或多種,且較佳為氧。
本發明組合物包括液體載劑。本領域技術人員很容易確定合適之液體載劑。較佳地,液體載劑為有機溶劑或有機溶劑之混合物。合適之有機溶劑包括,但不限於,脂族烴(例如,十二烷、十四烷);芳族烴(例如,苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、苯甲酸丁酯、十二烷基苯);酮類(例如,甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮);酯類(例如,2-羥基異丁酸甲酯、γ-丁內酯、乳酸乙酯);醚類(例如,四氫呋喃、1,4-二噁烷以及四氫呋喃,1,3-二氧戊環);二醇醚類(例如,二丙二醇二甲醚);醇類(例如,2-甲基-1-丁醇、4-乙基-2-五醇、2-甲氧基-乙醇、2-丁氧基乙醇、甲醇、乙醇、異丙醇、α-萜品醇、苄醇、2-己基癸醇);二醇類(例如,乙二醇)及其混合物。較佳之液體載劑包括甲苯、二甲苯、三甲苯、烷基萘、2-甲基-1-丁醇、4-乙基-2-五醇、γ-丁內酯、乳酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、丙二醇甲醚乙酸酯以及丙二醇甲醚。較佳地,液體載劑含有小於10,000 ppm之水。更佳地,用於本發明方法中之塗層組合物中之液體載劑,含有小於5000 ppm之水。最佳地,用於本發明方法中之塗層組合物中之液體載劑,含有小於2500 ppm之水。
本發明組合物亦包括一或多種式(1)之MX/石墨碳前驅體,
(1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C
1-10烴基組成之群;各R
1為-C
2-6伸烷基-X-基團;
z為0至5;
n為1至15;各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20有機殘基、-C(O)-C
1-20烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;各Y
1及Y
2獨立地選自由-C(O)-及-S(O)
2-組成之群;各L
1及L
2獨立地為C
1-10烴基;
a=0或1;
b=0或1;
c=0或1;且
d=0或1;條件為當
c=0時
d=0;其中,當Y
1=-C(O)-時或者當
a=
c=0時,
b及
d中之至少一個等於1;且其中,MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b -(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。在一個較佳實施例中,式(1)之MX/石墨碳前驅體包括選自由Ti、Hf以及Zr組成之群中之兩種或更多種的混合物。在另一個實施例中,各M較佳相同。各M較佳選自Hf及Zr,且更佳地,各M=Zr。較佳地,各X獨立地選自N、S以及O;更佳地選自S及O;且最佳地各X為O。n較佳為2至12,更佳為2至8,且最佳為2至4。較佳地,
z為0至4,更佳為0至2,且最佳地
z=0。各R較佳獨立地為H或-C
1-8烴基,且更佳為H或-C
1-6烴基。各R
1較佳為-C
2-4伸烷基-X基團;更佳為-C
2-4伸烷基-O基團。較佳地,各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-10有機殘基、-C(O)-C
1-10烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。更佳地,各R
2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-10烷基、-C
1-10伸烷基-C(O)-O-C
1-6烷基、-C(O)-C
1-10烷基、β-二酮殘基、β-羥基酮殘基、-C(O)-C
6-10烷基芳基、經取代之-C(O)-C
6-10芳基烷基、-C(O)-C
6芳基、經取代之-C(O)-C
6芳基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。Y
1較佳為-C(O)-。L
1及L
2中之每一個較佳選自由以下組成之群:化學鍵(亦即,分別當
b=0或
d=0時)、-C
1-10伸烷基、經取代之-C
1-10伸烷基、-C
2-10-伸烯基、經取代之-C
2-10-伸烯基、伸苯基(-C
6H
4-)、-C(R
4)
2-C
6H
4-、-C
2(R
4)
4-C
6H
4-、-C(R
4)
2-C
6H
4-C(R
4)
2-以及-C
2(R
4)
5-C
6H
4- C
2(R
4)
4-;其中,各R
4獨立地選自H及C
1-4-烷基。較佳地,各R
4選自H或甲基,且更佳為H。較佳地,L
1為化學鍵(亦即,
b=0)、-C
1-6-伸烷基、-C
2-6-伸烯基或經取代之-C
2-6-伸烯基。L
2較佳為化學鍵(亦即,
d=0)或-C
1-6-伸烷基,且更佳為化學鍵。「經取代之-C
1-10伸烷基」係指其一或多個氫經一或多個取代基取代之-C
1-10伸烷基,其中所述取代基選自由以下組成之群:鹵素、氰基以及-C
1-10-烷氧基。同樣,術語「經取代之-C
1-10-伸烯基」係指其一或多個氫經一或多個取代基取代之-C
1-10-伸烯基,其中所述取代基選自由以下組成之群:鹵素、氰基以及-C
1-10-烷氧基。在式(1)中,
a+
b+
c+
d=1至4。當Y
1=-C(O)-時,
b=1。當Y
1=-S(O)
2-時,
b=0或1。較佳地,
a、
b以及
c中之一個等於1,亦即,
a+
b+
c=1至3。較佳
b=1。較佳地,
d=0。更佳地,
b=1且
d=0。較佳地,當
a=0時,
b=1,
c=0且
d=0。更佳地,當
a=0時,
b=1,
c=0,
d=0,且L
1=-C
1-6-伸烷基。當
a=0時,較佳
c=0。當
a、
b、
c以及
d中之任一個等於0時,則推斷出單個共價化學鍵。更佳地,本發明MX/石墨碳前驅體具有根據式(I)之化學結構,其中,10 mol%至95 mol%,更佳25 mol%至90 mol%,且仍更佳30 mol%至85 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。
式(1)之各MX/石墨碳前驅體可具有單個R
2基團,但是通常將具有多個R
2基團,且較佳具有多個R
2基團,條件為至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。式(1)之較佳MX/石墨碳前驅體具有兩個或更多個不同R
2基團,更佳地三個或更多個不同R
2基團之混合物,其中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。式(1)之各MX/石墨碳前驅體較佳具有兩個或更多個,較佳三個或更多個不同R
2基團,所述R
2基團選自由以下組成之群:氫、-C
1-20有機殘基、-C(O)-C
1-20烴基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分,條件為至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。合適之-C
1-20有機殘基為-C
1-20烷基及-C
1-10-伸烷基-C(O)-O-C
1-10烷基,較佳-C
1-10烷基及-C
1-6-伸烷基-C(O)-O-C
1-6烷基,更佳-C
1-6烷基及-C
1-4-伸烷基-C(O)-O-C
1-4烷基,亦更佳-C
4烷基及-C
2-伸烷基-C(O)-O-C
2H
5。示例性之C
1-20有機殘基包括,但不限於,乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、癸基以及乙基2-基-丙酸酯(乳酸乙酯)。合適之-C(O)-C
1-20烴基為-C(O)-C
1-20烷基,較佳-C(O)-C
1-10基團,更佳-C(O)-C
4-10烷基,亦更佳-C(O)-C
6-10烷基,仍更佳為-C(O)-C
7烷基。示例性之-C(O)-C
1-20烷基包括,但不限於,己醯基、辛醯基、癸醯基以及十二烷醯基。較佳地,10 mol%至95 mol%,更佳25 mol%至90 mol%,亦更佳30 mol%至85 mol%之式(1)中之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。更佳地,至少20 mol%,甚至更佳至少25 mol%,亦更佳至少30 mol%之式(1)中之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。較佳至少20 mol%(更佳至少25 mol%,亦更佳至少30 mol%)之式(1)中之R
2基團為氫或C
1-20有機殘基,且較佳選自氫、-C
1-20烷基以及-C
1-10-伸烷基-C(O)-O-C
1-10烷基。較佳20 mol%至75 mol%(更佳25 mol%至70 mol%,且亦更佳30 mol%至70 mol%)之式(1)中之R
2基團為氫或-C
1-20有機殘基。較佳地,至少30 mol%(更佳至少40 mol%,仍更佳至少45 mol%)之式(1)中之R
2基團為-C(O)-C
1-20烴基,且更佳為-C(O)-C
1-20烷基。更佳30 mol%至70 mol%,亦更佳40 mol%至70 mol%,且甚至更佳45 mol%至70 mol%之R
2基團為-C(O)-C
1-20烴基。式(1)之較佳MX/石墨碳前驅體為其中至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分,至少20 mol%之R
2基團為氫或-C
1-2-有機殘基,且至少45 mol%之R
2基團為-C(O)-C
1-10烷基之MX/石墨碳前驅體。式(1)之更佳MX/石墨碳前驅體為其中至少20 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳香族部分,至少25 mol%之R
2基團為氫或-C
1-2-有機殘基,且至少45 mol%之R
2基團為-C(O)-C
1-10烷基的MX/石墨碳前驅體。
多種C
10-60多環芳族部分可適當地用於式(1)之MX/石墨碳前驅體中之R
2。「多環芳族」部分或基團係指具有兩個或更多個稠合芳環之任何芳族部分或基團。此類C
10-60多環芳族部分之選擇在本領域技術人員之能力範圍內,且包括未取代之C
10-60多環芳族部分及經取代之C
10-60多環芳族部分。「經取代之C
10-60多環芳族部分」係指其一或多個芳族氫經一或多個取代基取代之C
10-60多環芳族部分,所述取代基選自由以下組成之群:-C
6-30-芳基、-C
1-10-烷基、-C
1-10-烷氧基、羥基-C
1-10-烷基、氰基、鹵素、羥基以及-N(R
5)
2;其中,各R
5獨立地選自H、-C
1-10-烷基、-C
6芳基以及-C
7-10芳烷基。各R
5較佳獨立地選自H及-C
1-10-烷基。較佳地,經取代之C
10-60多環芳族部分之一或多個芳族氫經一或多個取代基取代,所述取代基選自由以下組成之群:-C
6-30-芳基、-C
1-10-烷基、-C
1-10-烷氧基、羥基-C
1-10-烷基、氰基以及鹵素;且更佳地,其一或多個芳族氫經一或多個取代基取代,所述取代基選自由以下組成之群:-C
6-12-芳基(諸如,苯基、萘基以及聯苯基)、-C
1-8-烷基;以及-C
1-8-烷氧基。合適之未取代及經取代之C10-60多環芳族部分包括,但不限於:萘基、甲氧基萘基、乙氧基萘基、苯基-萘基、蒽基、芘基、并四苯基、苝基、蒄基、并五苯基、三伸苯基、四苯基、苯并并四苯基以及聯萘基,其中各均可視情況如上所述經取代。
式-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分之示例性R
2基團為式(2a)至(2q)之基團,其中「*」表示連接點。
(2a)
(2b)
(2c)
(2d)
(2e)
(2f)
(2g)
(2h)
(2i)
(2j)
(2k)
(2l)
(2m)
(2n)
(2o)
(2p)
(2q)
可用於形成式(1)中之式-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳香族部分之R
2基團的C
10-60多環芳族化合物包括,但不限於:γ-側氧基-1-芘丁酸;γ-側氧基-1-芘丁酸;γ-側氧基-1-芘丁酸;4-蒽-9-基-4-側氧基-丁酸;3-(萘-2-磺醯基)-丙酸;1-萘乙酸;2-(5-苯基-1-萘基)丁酸;4-(4-乙氧基-1-萘基)-4-側氧基丁酸;3-萘-1-基-丙酸;2,2-二甲基-3-(1-萘基)丙酸;2-甲基-4-萘-1-基-丁酸;1-芘磺酸;4-蒽-2-基-4-側氧基-丁酸;2-(9-蒽基)乙醇;9-蒽甲醇;1-芘甲醇;1-芘丁醇;以及其混合物。
式(1)之較佳MX/石墨碳前驅體為如下MX/石墨碳前驅體,其中各M為Hf或Zr;各X為O;
n為1至15(較佳2至12;更佳2至8;最佳2至4);各R
1為C
2-6伸烷基-O基團(較佳地,R
1為-C
2-4伸烷基-O基團),
z為0至5(較佳0至4;更佳0至2;最佳0);各R
2基團獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20烷基、-C(O)-C
2-30烷基、-C(O)-C
6-10烷基芳基、-C(O)-C
6-10芳基烷基、-C(O)-C
6芳基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60環芳族部分;其中,MX/石墨碳前驅體材料中之至少10 mol%(較佳10 mol%至95 mol%,更佳25 mol%至90 mol%,甚至更佳30 mol%至85 mol%)之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分。更佳地,MX/石墨碳前驅體材料中之R
2基團選自由式(2a)至(2q)組成之群,更佳(2a)或(2d)。更佳地,各M為Zr。甚至更佳地,各M為Zr且
z=0。
式(1)之其他較佳MX/石墨碳前驅體為如下MX/石墨碳前驅體,其中各M為Hf或Zr;各X為O;
n為1至15(較佳2至12;更佳2至8;最佳2至4);各R
1為-C
2-6伸烷基-O基團(較佳地,R
1為-C
2-4伸烷基-O基團);
z=0;各R
2基團獨立地選自由以下組成之群:氫、-C
1-20烷基、-C(O)-C
2-30烷基、-C(O)-C
6-10烷基芳基、-C(O)-C
6-10芳基烷基、-C(O)-C
6芳基以及-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分;其中,至少10 mol%之R
2基團為-(Y
1)
a -(L
1)
b —(Y
2)
c -(L
2)
d -C
10-60多環芳族部分,至少20 mol%之R
2基團為-C
1-10-烷基,且至少45 mol%之R
2基團為-C(O)-C
1-10烷基。
本發明塗層組合物包括:液體載劑;及如上所述之一或多種式(1)之MX/石墨碳前驅體。較佳地,塗層組合物包括1重量%至25重量%之MX/石墨碳前驅體。更佳地,本發明塗層組合物包括1重量%至20重量%%,且甚至更佳1重量%至16重量%之MX/石墨碳前驅體材料。在本發明塗層組合物中,組合物中其餘為液體載劑。
本發明塗層組合物可進一步包括一或多種視情況選用之添加劑,諸如,但不限於,固化催化劑、抗氧化劑、染料、造影劑、黏合劑聚合物、流變改質劑以及表面調平劑。此等視情況選用之添加劑之量的選擇在本領域技術人員之能力範圍內,但通常在0重量%至20重量%之範圍內,且較佳在0.1重量%至15重量%之範圍內。根據應用,可能需要向本發明組合物添加一或多種固化催化劑,以輔助基質前驅體材料及/或氧金屬前驅體材料之固化。示例性固化催化劑包括熱生酸劑(TAG)及光生酸劑(PAG)。熱生酸劑及其用途為本領域中熟知的。熱生酸劑之示例包括由King Industries(Norwalk, Connecticut, USA)以NACURE™、CDX™以及K-PURE™名稱銷售之熱生酸劑。光生酸劑及其用途為本領域中熟知的,且在暴露於合適波長之光時或者在暴露於電子束(e-beam)時經激活而產生酸。合適之光生酸劑可自各種來源獲得,諸如來自巴斯夫(BASF)(Ludwigshafen, Germany)之商標為Irgacure™之品牌。可使用各種各樣之黏合劑聚合物,諸如在基板上提供改進之塗層品質或調平性,特別是當基質前驅體材料為有機金屬材料時。合適之黏合劑聚合物已在美國專利申請案序列號13/776496中揭示。
式(1)之MX/石墨碳前驅體材料可藉由本領域已知之各種方法輕鬆製備,諸如美國專利第8,795,774號、第8,927,439號;以及第9,171720號所揭示之方法。通常,式M
+mX
m之起始金屬化合物之間發生配位體交換反應,其中X為待交換之配位體,諸如C
1-
6烷氧基或C
5-
20b-二酮酸鹽。在一般程序中,首先藉由使起始金屬化合物在合適溫度下(諸如室溫至80℃)在有機溶劑中與一定量之水反應一段合適時間(諸如2小時),使起始金屬化合物部分縮合。在此部分縮合步驟之後,若有機溶劑具有活性官能基(諸如羥基),則一部分起始配位體可水解且經-OH基團及/或有機溶劑之殘基取代。接著,在燒瓶中將部分縮合物與一或多種所需配位體及合適有機溶劑組合。然後加熱混合物一段時間,通常自室溫至80℃或更高,以進行所需之配位體交換。在此程序之後,起始金屬化合物上之1個、2個或全部3個C
1-6烷氧基或C
5-
20b-二酮酸鹽起始配位體可與相應數量之所需配位體交換。本領域技術人員將理解,經取代之C
1-6烷氧基或C
5-20b-二酮酸鹽起始配位體之數量將視特定起始配位體之空間位阻、使用之所需新配位體之空間位阻以及混合物之加熱時間長度而定,時間長度增加產生更大配位體交換。
本發明塗層組合物可藉由以任何順序組合液體載劑及一或多種式(1)之MX/石墨碳前驅體材料來製備。塗層組合物可原樣使用,或者可在使用前進行純化。例如,此類塗層組合物可於設置在基板上之前,諸如經聚四氟乙烯膜過濾,或者與離子交換樹脂接觸,或經聚四氟乙烯膜過濾且與離子交換樹脂接觸。此類純化技術為本領域中熟知的。
本發明塗層組合物可藉由任何合適方式,諸如旋塗、擠壓式塗佈、刮塗、幕塗、輥塗、噴塗、浸塗及其類似方式,設置在任何合適之基板上,以形成複合物。較佳為旋塗及擠壓式塗佈。在典型旋塗方法中,將本發明組合物塗覆至以500 rpm至4000 rpm之速率旋轉之基板上達15至90秒之時間。本領域技術人員將瞭解,藉由改變旋轉速度及組合物中固體之百分比,可調節沈積層之總高度。
本發明可使用各種基板,只要此類基板可承受所用之退火溫度,例如,900℃至1000℃即可。這種基板可為導電之或不導電的。合適之電子設備基板包括,但不限於:封裝基板,諸如多晶片模組;平板顯示器基板;半導體晶圓;多晶矽基板;等等。此類基板通常由矽、多晶矽、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽鍺、砷化鎵、鋁、藍寶石、鎢、鈦、鈦-鎢、鎳、銅、金、玻璃或有機或無機塗層玻璃組成。合適之基板可呈晶圓形式。此類基板可為任何合適之尺寸。較佳之晶圓基板直徑為200 mm至300 mm,不過可適當地採用具有更小及更大直徑之晶圓。
在將本發明組合物層塗佈在基板上形成複合物之後,視情況對塗層進行烘烤。較佳地,對複合物進行烘烤。複合物可在塗層組合物沈積在基板期間或之後進行烘烤。更佳地,在將塗層組合物置於基板上形成複合物之後,對複合物進行烘烤。較佳地,製作本發明之多層結構之方法進一步包括:於大氣壓下在空氣中對複合物進行烘烤。較佳地,在≤125℃之烘烤溫度下對複合物進行烘烤。更佳地,在60℃至125℃之烘烤溫度下對複合物進行烘烤。最佳地,在90℃至115℃之烘烤溫度下對複合物進行烘烤。較佳地,將複合物烘烤10秒至10分鐘。更佳地,將複合物烘烤30秒至5分鐘。最佳地,將複合物烘烤6秒至180秒。較佳地,當基板為半導體晶圓時,可藉由在加熱板上或者在烘箱中加熱半導體晶圓來進行烘烤。
在還原性氛圍下對複合物進行退火。一般而言,在≥150℃之溫度下對複合物進行退火。更佳地,在450℃至1500℃之退火溫度下對複合物進行退火。最佳地,在700℃至1000℃之退火溫度下對複合物進行退火。較佳地,在退火溫度下對複合物進行退火,退火時間為10秒至2小時。更佳地,在退火溫度下對複合物進行退火,退火時間為1至60分鐘。最佳地,在退火溫度下對複合物進行退火,退火時間為10至45分鐘。此類退火在還原氛圍下進行,諸如在合成氣體氛圍下進行。較佳地,合成氣體氛圍包括惰性氣體中之氫氣。較佳地,合成氣體氛圍為在氮氣、氬氣以及氦氣中之至少一種中含有氫氣。更佳地,合成氣體氛圍為在氮氣、氬氣及氦氣中之至少一種中含有2 vol%至5.5 vol%之氫氣。最佳地,合成氣體氛圍為在氮氣中含有5 vol%之氫氣。
在製作本發明之多層結構之過程中,所提供之多層結構為設置在基板上之MX層及石墨碳層,其中,在多層結構中MX層介於基板與石墨碳層之間。更佳地,所提供之多層結構為設置在基板上之金屬氧化物層及石墨碳層,其中,在多層結構中金屬氧化物層介於基板與石墨碳層之間。較佳地,石墨碳層為石墨烯層或氧化石墨烯層,且更佳為氧化石墨烯層。較佳地,石墨碳層為碳/氧(C/O)莫耳比為1:10之氧化石墨烯層。
在另一個較佳實施例中,製作本發明之多層結構之本發明方法進一步包括:將塗層組合物設置在先前提供之多層結構之頂部,其中,多個MX層(較佳地,金屬氧化物層)及石墨碳層交替設置在基板上。此產生具有固化MX層(較佳地,金屬氧化物層)及石墨碳層交替之結構的固化結構。此過程可重複任意次數,以構造所需之此類交替之疊層。
本發明亦提供一種製作獨立式石墨碳片之方法。為獲得獨立式石墨碳片,諸如藉由將多層結構浸入酸浴中,將上述多層結構暴露於酸(諸如礦物酸,且較佳氫氟酸)。接著,回收獨立式石墨碳片。本領域普通技術人員將知道如何在多層結構暴露於酸後回收石墨碳片。最佳地,製作本發明之獨立式石墨碳片之方法包括:將多層結構暴露於酸浴(較佳無機酸浴;更佳氫氟酸浴),其中,將多層結構浸入酸浴中,藉此蝕刻掉MX層(較佳金屬氧化物層),且其中,石墨碳層漂浮至酸浴表面且自酸浴表面回收,即為獨立式石墨碳片。
藉由本發明之方法生產之多層結構可用於各種應用,包括作為電子設備、電能儲存系統中之組件(例如,作為超級電容器之能量儲存組件;作為鋰離子電池中之電極);以及作為阻礙水及/或氧氣滲透之阻擋層。本發明之式(1)之MX/石墨碳前驅體材料對本領域中用於沈積塗層組合物之各種溶劑具有良好之溶解性。此良好之溶解性亦減少組合物旋塗期間之塗層缺陷,諸如條痕。藉由本發明之方法生產之獨立式石墨碳片可用於各種各樣之應用。例如,獨立式石墨碳片可在包括顯示器、電路、太陽能電池以及電能儲存系統在內之各種裝置應用中,作為電極或電極組件使用(例如,作為鋰離子電池中之電極之一部分;或者作為電容器中之組件)。
實例1-組合物1. 向100 mL之2頸圓底燒瓶中添加30.067 g乳酸乙酯、14.298 g含80%四丁氧基鋯之丁醇、3.631 g含10重量%水之乳酸乙酯溶液。攪拌混合物,同時將燒瓶加熱至60℃。繼續攪拌2小時,同時將溫度保持在60℃。接著,向反應溶液中添加6.906 g辛酸及4.839 g ɤ-氧基-1-芘丁酸。在攪拌下將反應溫度再次保持在60℃ 2小時。在此反應之後,在溶液中觀察到一些混濁,因此將24.847 g乳酸乙酯添加至反應溶液中以稀釋材料。經0.2 μm聚四氟乙烯(PTFE)過濾器過濾後,獲得良好之深棕色溶液。使用減重法,發現此組合物含有17.7%固體。基於添加之配位體,產物塗層組合物中所含金屬氧化物/石墨碳前驅體材料符合下式
其中,
n為平均重複單元數,約為3;其中,60 mol%之R基團(或者每個低聚物4.8個基團)為-C(O)-C
7烷基(衍生自辛酸);其中,20 mol%之R基團(或者每個低聚物1.6個基團)衍生自ɤ-氧基-1-芘丁酸;且其中,20 mol%之R基團(或者每個低聚物1.6個基團)為-OC
4H
9或衍生自乳酸乙酯或者其組合。整個反應在反應流程1中示出。 反應流程1
減重法
:將約0.1 g組合物稱取至配衡之鋁盤中。將約0.5 g用於形成組合物之液體載劑(溶劑,乳酸乙酯)添加至鋁盤中稀釋測試溶液,以使其更均勻地覆蓋鋁盤。在約110℃之熱烘箱中加熱鋁盤15分鐘。鋁盤冷卻至室溫後,測定具有乾燥固體膜之鋁盤之重量,且計算出固體內含物百分比。
實例2. 將來自實例1之經過濾組合物(1.045 g)與4.932 g乳酸乙酯混合。在經稀釋之溶液經0.2 μm PTFE注射器式過濾器多次過濾後,將塗層組合物以1500 rpm之速率旋塗在200 mm矽晶圓上,以形成632 Å薄膜。在90℃下烘烤薄膜60秒。所述薄膜具有優良塗層品質。
實例3. 將來自實例1之經過濾組合物(0.535 g)與5.513 g乳酸乙酯混合。在經稀釋之溶液經0.2 μm PTFE注射器式過濾器多次過濾後,將塗層組合物以1500 rpm之速率旋塗在200 mm矽晶圓上,以形成292 Å薄膜。在90℃下烘烤薄膜60秒。所述薄膜具有優良塗層品質。
實例4. 將實例1之塗層組合物經0.2 μm PTFE注射器式過濾器過濾四次,然後以1500 rpm之速率旋塗在裸矽晶圓上。旋塗後,在100℃下烘烤塗層60秒。然後將經塗覆之氧化矽晶圓切割成約3.8 cm×3.8 cm晶圓試片。然後將試片置於真空退火烘箱中。使用以下溫度斜變曲線,將晶圓試片在900℃減壓合成氣體(N
2中含5 vol% H
2)中退火20分鐘: 斜線上升:在176分鐘內自室溫上升至900℃ 浸泡:在900℃保持20分鐘 斜線下降:在略超過176分鐘內自900℃下降至室溫。 退火後晶圓試片之塗覆表面預期具有光亮之金屬外觀,且預期包括具有原位形成之金屬氧化物薄膜之多層結構,所述金屬氧化物薄膜直接位於介於晶圓試片表面與上覆石墨碳層之間的晶圓試片之表面上。石墨碳層之拉曼光譜預期與文獻中單層以及5層氧化石墨烯薄膜之氧化石墨烯光譜相匹配。
實例5-組合物2. 重複實例1之一般程序,不同之處在於使用當量莫耳量之4-(蒽-9-基)-4-側氧基丁酸替換ɤ-1-氧基-1-芘丁酸,得到類似之預期結果。
實例6. 使用來自實例5之組合物2重複實例2之一般程序,得到類似之預期結果。
實例7-組合物3. 重複實例1之程序,不同之處在於使用當量莫耳量之四丁氧基鉿替換四丁氧基鋯,得到類似之預期結果。
實例8. 使用來自實例7之組合物3重複實例2之一般程序,得到類似之預期結果。
實例9-組合物4-11. 重複實例1之一般程序,不同之處在於四丁氧基鋯(起始金屬化合物)及/或ɤ-氧基-1-芘丁酸(多環芳族配位體)替換為表1報導之材料,得到類似之預期結果。表1中使用以下縮寫:Zr(Bu)
4=四丁氧基鋯;Hf(Bu)
4=四丁氧基鉿;及Ti(Bu)
4=四丁氧基鈦。 表1
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td><b>組合物</b></td><td><b>起始金屬化合物</b></td><td><b>多環芳族配位體</b></td></tr><tr><td> 4 </td><td> Zr(Bu)<sub>4</sub></td><td> 3-(萘-2-基磺醯基)丙酸 </td></tr><tr><td> 5 </td><td> Zr(Bu)<sub>4</sub></td><td> 芘-1-磺酸 </td></tr><tr><td> 6 </td><td> Hf(Bu)<sub>4</sub></td><td> 4-(芘-1-基)丁酸 </td></tr><tr><td> 7 </td><td> Hf(Bu)<sub>4</sub></td><td> 4-(4-乙氧基萘-1-基)-4-側氧基丁酸 </td></tr><tr><td> 8 </td><td> Zr(Bu)<sub>4</sub></td><td> 2-(芘-4-基)乙-1-醇 </td></tr><tr><td> 9 </td><td> Hf(Bu)<sub>4</sub></td><td> 4-(蒽-2-基)-4-側氧基丁酸 </td></tr><tr><td> 10 </td><td> Ti(Bu)<sub>4</sub></td><td> ɤ-氧基-1-芘丁酸 </td></tr><tr><td> 11 </td><td> Zr(Bu)<sub>4</sub></td><td> 2-(5-苯基萘-1-基)丁酸 </td></tr></TBODY></TABLE>
實例10. 使用4探針電阻率量測工具評估使用根據實例2之塗層組合物獲得的經塗佈之晶圓試片,以量測沈積之多層結構之導電率。沈積之石墨碳層之碳/氧(C/O)比以使用表面XPS分析進行測定。
實例11. 使用來自實例1之5重量%固體塗層組合物製備經塗佈之晶圓試片。將經塗佈之晶圓浸入氫氟酸中。浸入氫氟酸後,石墨碳層預期自多層沈積膜結構中升起且分離。獨立式石墨碳膜預期具有透明性及可撓性。藉由x射線繞射光譜對獨立式石墨碳膜進行分析。
無
無
Claims (11)
- 一種組合物,其包括:液體載劑;及一或多種式(1)之MX/石墨碳前驅體, (1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C 1-10烴基組成之群;各R 1為-C 2-6伸烷基-X-基團; z為0至5; n為1至15;各R 2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C 1-20有機殘基、-C(O)-C 1-20烴基以及-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分;各Y 1及Y 2獨立地選自由-C(O)-及-S(O) 2-組成之群;各L 1及L 2獨立地為C 1-10烴基; a=0或1; b=0或1; c=0或1;且 d=0或1;條件為當 c=0時 d=0;其中,當Y 1=-C(O)-時或者當 a= c=0時, b及 d中之至少一個等於1;且其中,所述MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之所述R 2基團為-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之組合物,其中,M為Hf或Zr。
- 如申請專利範圍第1項所述之組合物,其中,所述MX/石墨碳前驅體材料中25 mol%至90 mol%之所述R 2基團為-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之組合物,其中,R 2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C 1-10烷基、-C 1-10伸烷基-C(O)-O-C 1-6烷基、-C(O)-C 1-10烷基、β-二酮殘基、β-羥基酮殘基、-C(O)-C 6-10烷基芳基、經取代之C(O)-C 6-10芳基烷基、-C(O)-C 6芳基、經取代之-C(O)-C 6芳基以及-(Y 1) a -(L 1) b —(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分。
- 如申請專利範圍第1項所述之組合物,其中,所述C 10-60多環芳族部分選自由以下組成之群:萘基、甲氧基萘基、乙氧基萘基、苯基-萘基、蒽基、芘基、并四苯基、苝基、蒄基、并五苯基、三伸苯基、四苯基、苯并并四苯基以及聯萘基,其中各均可視情況經取代。
- 一種形成多層結構之方法,其包括:提供基板;提供塗層組合物,所述塗層組合物包括:液體載劑及一或多種具有式(1)之MX/石墨碳前驅體, (1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C 1-10烴基組成之群;各R 1為-C 2-6伸烷基-X-基團; z為0至5; n為1至15;各R 2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C 1-20有機殘基、-C(O)-C 1-20烴基以及-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分;各Y 1及Y 2獨立地選自由-C(O)-及-S(O) 2-組成之群;各L 1及L 2獨立地為C 1-10烴基; a=0或1; b=0或1; c=0或1;且 d=0或1;條件為當 c=0時 d=0;其中,當Y 1=-C(O)-時或者當 a= c=0時, b及 d中之至少一個等於1;且其中,所述MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之所述R 2基團為-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分;將所述塗層組合物設置在所述基板上以形成複合物;視情況,烘烤所述複合物;在還原氛圍下對所述複合物進行退火;藉此將所述複合物轉化為設置在所述基板上之MX層及石墨碳層,從而提供所述多層結構;其中,在所述多層結構中所述MX層介於所述基板與所述石墨碳層之間。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中,M為Hf或Zr。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中,所述MX/石墨碳前驅體材料中25 mol%至90 mol%之所述R 2基團為-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中,R 2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C 1-10烷基、-C 1-10伸烷基-C(O)-O-C 1-6烷基、-C(O)-C 1-10烷基、β-二酮殘基、β-羥基酮殘基、-C(O)-C 6-10烷基芳基、經取代之C(O)-C 6-10芳基烷基、-C(O)-C 6芳基、經取代之-C(O)-C 6芳基以及-(Y 1) a -(L 1) b —(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法,其中,所述C 10-60多環芳族部分選自由以下組成之群:萘基、甲氧基萘基、乙氧基萘基、苯基-萘基、蒽基、芘基、并四苯基、苝基、蒄基、并五苯基、三伸苯基、四苯基、苯并四苯基以及聯萘基,其中各均可視情況經取代。
- 一種製作獨立式石墨碳片之方法,其包括:提供基板;提供塗層組合物,所述塗層組合物包括:液體載劑及一或多種具有式(1)之MX/石墨碳前驅體, (1) 其中,各M選自由Ti、Hf以及Zr組成之群;各X獨立地選自由N(R)、S、Se以及O組成之群;各R選自由H及-C 1-10烴基組成之群;各R 1為-C 2-6伸烷基-X-基團; z為0至5; n為1至15;各R 2獨立地選自由以下組成之群:氫、-C 1-20有機殘基、-C(O)-C 1-20烴基以及-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分;各Y 1及Y 2獨立地選自由-C(O)-及-S(O) 2-組成之群;各L 1及L 2獨立地為C 1-10烴基; a=0或1; b=0或1; c=0或1;且 d=0或1;條件為當 c=0時 d=0;其中,當Y 1=-C(O)-時或者當 a= c=0時, b及 d中之至少一個等於1;且其中,所述MX/石墨碳前驅體材料中至少10 mol%之所述R 2基團為-(Y 1) a -(L 1) b -(Y 2) c -(L 2) d -C 10-60多環芳族部分;將所述塗層組合物設置在所述基板上以形成複合物;視情況,烘烤所述複合物;在還原氛圍下對所述複合物進行退火,藉此將所述複合物轉化為設置在所述基板上之MX層及石墨碳層,從而提供多層結構;其中,在所述多層結構中所述MX層介於所述基板與所述石墨碳層之間;將所述多層結構暴露於酸;且回收所述石墨碳層,即為所述獨立式石墨碳片。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762477468P | 2017-03-28 | 2017-03-28 | |
US62/477468 | 2017-03-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI637906B true TWI637906B (zh) | 2018-10-11 |
TW201836975A TW201836975A (zh) | 2018-10-16 |
Family
ID=63672180
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107109946A TWI637906B (zh) | 2017-03-28 | 2018-03-23 | 形成多層結構之方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180282165A1 (zh) |
JP (1) | JP2018172661A (zh) |
KR (1) | KR102031560B1 (zh) |
CN (1) | CN108666150A (zh) |
TW (1) | TWI637906B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110033746A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Jun Liu | Self assembled multi-layer nanocomposite of graphene and metal oxide materials |
US20110045347A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Jun Liu | Self Assembled Multi-Layer Nanocomposite of Graphene and Metal Oxide Materials |
US20140141581A1 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-22 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing graphene nanomesh and method of manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101223720B1 (ko) * | 2006-06-05 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 고분자 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
KR101585294B1 (ko) * | 2013-04-01 | 2016-01-13 | 제일모직주식회사 | 다공성 그래핀/카본 복합체 및 그 제조방법 |
US20140183415A1 (en) * | 2012-12-31 | 2014-07-03 | Cheil Industries Inc. | Graphene-Based Composite and Method of Preparing the Same |
US9171720B2 (en) * | 2013-01-19 | 2015-10-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Hardmask surface treatment |
US9296922B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-03-29 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Stable metal compounds as hardmasks and filling materials, their compositions and methods of use |
US20180273388A1 (en) * | 2015-09-29 | 2018-09-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | A method of making a graphitic carbon sheet |
CN108055840A (zh) * | 2015-09-29 | 2018-05-18 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 制备复合多层结构的方法 |
JP2018538231A (ja) * | 2015-09-29 | 2018-12-27 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 多層構造を作製する方法 |
-
2018
- 2018-03-06 US US15/912,832 patent/US20180282165A1/en not_active Abandoned
- 2018-03-23 CN CN201810244940.3A patent/CN108666150A/zh active Pending
- 2018-03-23 TW TW107109946A patent/TWI637906B/zh not_active IP Right Cessation
- 2018-03-27 KR KR1020180034829A patent/KR102031560B1/ko active IP Right Grant
- 2018-03-27 JP JP2018059526A patent/JP2018172661A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110033746A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Jun Liu | Self assembled multi-layer nanocomposite of graphene and metal oxide materials |
US20110045347A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Jun Liu | Self Assembled Multi-Layer Nanocomposite of Graphene and Metal Oxide Materials |
US20140141581A1 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-22 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing graphene nanomesh and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180109737A (ko) | 2018-10-08 |
KR102031560B1 (ko) | 2019-10-14 |
CN108666150A (zh) | 2018-10-16 |
US20180282165A1 (en) | 2018-10-04 |
JP2018172661A (ja) | 2018-11-08 |
TW201836975A (zh) | 2018-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI628184B (zh) | Surface modification agent for metal electrode, surface modified metal electrode, and surface-modified metal electrode manufacturing method | |
TWI676595B (zh) | 製造石墨碳片之方法 | |
KR102082145B1 (ko) | 다층 구조체의 제조 방법 | |
TWI637906B (zh) | 形成多層結構之方法 | |
JPWO2011108512A1 (ja) | 新規アゾメチンオリゴマー | |
TWI592515B (zh) | 製造複合多層結構之方法 | |
KR101484850B1 (ko) | 2차원 판상 구조 탄소 소재와 그 제조 방법 | |
JPH067589B2 (ja) | フタロシアニン誘導体薄膜を半導体層とするmsmまたはmis型素子及びその製造方法 | |
JP2002226485A (ja) | 3,6−ジ(3′,5′−ビス(フルオロアルキル)フェニル)−ピロメリト酸二無水物、及びその製造方法 | |
JP2012236777A (ja) | インドロカルバゾール含有イミド化合物及び合成中間体、これらの製造方法、有機半導体組成物、ならびに有機太陽電池素子 | |
KR102064394B1 (ko) | 결정질 2차원 공액중합체, 이를 이용한 박막 및 이의 제조방법 | |
JP2007211138A (ja) | 脂環式ポリエーテル、その製造方法及びその用途 | |
JP4730724B2 (ja) | ボラジン系樹脂の製造方法 | |
CN113841265B (zh) | 有机发光器件 | |
KR102319333B1 (ko) | 결정질 2차원 공액중합체, 이를 이용한 박막 및 이의 제조방법 | |
JP2009088028A (ja) | 有機絶縁膜及び半導体装置 | |
JP4730723B2 (ja) | ボラジン系樹脂の製造方法 | |
JP5550118B2 (ja) | ボラジン系樹脂組成物、絶縁被膜及びその形成方法 | |
TWI390782B (zh) | 有機電子材料以及電變色元件 | |
KR20040084526A (ko) | 저유전성 폴리실세스퀴옥산 공중합체 및 저유전성나노기공을 가진 절연막, 및 이들의 제조방법 | |
JP2006137716A (ja) | 有機膜および半導体装置 | |
KR20140126873A (ko) | 신규한 폴리이미드 중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 유기절연막 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |