TWI636098B - 用於形成二氧化矽層的組成物、用於製造二氧化矽層的方法、二氧化矽層以及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於形成二氧化矽層的組成物用於製造二氧化矽層的方法、二氧化矽層以及電子裝置。所述用於形成二氧化矽層的組成物包含含矽聚合物和溶劑，其中所述含矽聚合物在1 H-NMR光譜中具有小於或等於12的Si-H積分值的總和。所述Si-H積分值的所述和在說明書中描述的條件下計算。

Description

用於形成二氧化矽層的組成物、用於製造二氧化矽層的方法、二氧化矽層以及電子裝置
本申請要求2015年5月15日在韓國智慧財產權局提交的韓國專利申請第10-2015-0068120號的優先權和權益，其全部內容以引用的方式併入本文中。
本發明涉及一種用於形成二氧化矽層的組成物，一種用於製造二氧化矽層的方法，以及一種根據所述方法製造的二氧化矽層。
平板顯示器使用包含閘極電極、源極電極、汲極電極以及半導體的薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）作為切換裝置，並且配備有傳遞用於控制薄膜電晶體的掃描信號的閘極線和傳遞施加到畫素電極的信號的資料線。另外，在半導體與若干電極之間形成絕緣層以將其隔開。
絕緣層可以通過使用含矽組成物形成。此處，絕緣層可能會在製造過程期間產生大量出氣，因此是高度缺陷性的，並且此缺陷可能會對裝置的良率和可靠性具有令人不滿意的影響。
一個實施例提供一種用於形成二氧化矽層的組成物，其最小化所述層的出氣量。
另一個實施例提供一種使用所述用於形成二氧化矽層的組成物製造二氧化矽層的方法。
又一個實施例提供一種根據所述方法製造的二氧化矽層。
再一個實施例提供一種電子裝置，其包含所述二氧化矽層。
根據一個實施例，提供一種用於形成二氧化矽層的組成物，其包含含矽聚合物和溶劑，並且所述含矽聚合物在1 H-NMR光譜中具有小於或等於12的Si-H積分值的總和。所述Si-H積分值的總和依序通過條件1下的以下步驟S1和步驟S2獲得。 [條件1] S1. 通過添加含矽聚合物到二丁醚（dibutylether，DBE）中以製備固體含量是15重量%±0.1重量%的樣品1，接著將其用CDCl3 （氯仿-d）溶劑稀釋20%，以製備樣品2。 S2. 在300 MHz下測量所述樣品2的1 H-NMR光譜，以根據以下方法計算Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和，重複此計算三次，並且然後將由其獲得的三個和算術平均，以獲得所述Si-H積分值的總和。
（一種計算Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和的方法） 假設二丁醚的積分值是40，分別計算對應於所述含矽聚合物中所存在的所述Si-H1 和Si-H2 的峰（峰B）和對應於所述Si-H3 的峰（峰C）的每個積分值。然後，對所述峰B和峰C求和，並且所述和被視為所述Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的所述積分值的和。
所述Si-H積分值的和可以在5到12範圍內。
具體來說，所述Si-H積分值的和可以在8到11.5範圍內。
所述含矽聚合物可以是聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
所述溶劑可以包含由以下各項中選出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮和其組合。
所述含矽聚合物可以包含由化學式1表示的部分。 [化學式1]在化學式1中，R1 到R3 獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且 “*”表示鍵聯點。
所述含矽聚合物可以更包含由化學式2表示的部分。 [化學式2]化學式2的R4 到R7 獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且 “*”表示鍵聯點。
以所述用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，所述含矽聚合物可以0.1重量%到30重量%的量包含在內。
根據一個實施例，提供一種製造二氧化矽層的方法，其包含將所述用於形成二氧化矽層的組成物塗覆於基底上，乾燥塗覆有所述用於形成二氧化矽層的組成物的所述基底，以及在包含惰性氣體的氛圍下在150℃或高於150℃下固化所述基底。
所述用於形成二氧化矽層的組成物可以使用旋塗方法塗布。
根據又一個實施例，提供一種二氧化矽層，其使用所述組成物製造。
根據再一個實施例，提供一種電子裝置，其包含二氧化矽層。
提供一種用於形成二氧化矽層的組成物，其能夠減少在固化期間產生的出氣的量，獲得具有最小缺陷的二氧化矽層。
本發明的例示性實施例將在下文中進行詳細描述，並且可以容易由具有相關領域中常識的人員執行。然而，本發明可以多種不同形式實施，並且不應解釋為限於本文中所闡述的例示性實施例。
在圖式中，為清楚起見放大層、膜、面板、區域等的厚度。在說明書通篇，相似圖式元件符號表示相似元件。應理解，當如層、膜、區域或基底的元件被稱作｢在」另一個元件｢上」時，其可以直接在另一個元件上或還可以存在插入元件。相比之下，當元件被稱作｢直接在」另一個元件｢上」時，不存在插入元件。
如本文所用，當未另外提供定義時，術語｢經取代」可以指經由以下各項中選出的取代基取代代替化合物的氫原子：鹵素原子（F、Br、Cl或I）、羥基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、疊氮基、脒基、肼基、亞肼基、羰基、氨甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、烷基、C2到C16烯基、C2到C16炔基、芳基、C7到C13芳基烷基、C1到C4氧基烷基、C1到C20雜烷基、C3到C20雜芳基烷基、環烷基、C3到C15環烯基、C6到C15環炔基、雜環烷基和其組合。
如本文所用，當未另外提供定義時，術語｢雜」是指包含1到3個由以下各項中選出的雜原子：N、O、S以及P。
如本文所用，當未另外提供定義時，”*”表示相同或不同原子或化學式的鍵聯點。
在下文中，描述一種根據一個實施例的用於形成二氧化矽層的組成物。
根據一個實施例的用於形成二氧化矽層的組成物包含含矽聚合物和溶劑。
所述含矽聚合物是在結構中包含Si的聚合物，並且可以是例如聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
在本發明的一個實施例中，所述含矽聚合物在1 H-NMR光譜中具有預定Si-H積分值。具體來說，所述含矽聚合物在1 H-NMR光譜中具有小於或等於12的Si-H積分值的總和，並且此處，Si-H積分值的總和是通過1 H-NMR光譜獲得的Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和。
換句話說，Si-H1 的積分值是來源於Si-H1 的峰面積，Si-H2 的積分值是來源於Si-H2 的峰面積，Si-H3 的積分值是來源於Si-H3 的峰面積，並且Si-H積分值的總和是這些峰面積的總和。
Si-H積分值的總和通過條件1中提供的步驟S1和步驟S2獲得。
S1. 通過添加含矽聚合物到二丁醚（DBE）溶劑中以製備固體含量是15重量%±0.1重量%的樣品1，接著將其用CDCl3 （氯仿-d）溶劑稀釋20%，以製備樣品2。
S2. 在300 MHz下測量所述樣品2的1 H-NMR光譜，以根據以下方法計算Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和，重複此計算三次，並且將這三個測量值算術平均，以獲得所述Si-H積分值的總和。
（一種計算Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的方法）
假設二丁醚的積分值是40，分別計算對應於所述含矽聚合物中所存在的Si-H1 和Si-H2 的峰（峰B）和對應於Si-H3 的峰（峰C）的每個積分值。然後，對所述峰B和峰C求和，並且所述和被視為所述Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和。
此處，在以下方法中測量固體含量。
（一種測量固體的方法）
將一克的樣品放在鋁盤上，並且在160℃下在熱盤上烘烤20分鐘，並且然後測量烘烤前後樣品的重量。 *固體含量=(烘烤後的樣品重量-鋁的重量)/(烘烤前的樣品重量)
所述用於形成二氧化矽層的組成物限制性地在1 H-NMR光譜中具有在預定範圍內的Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的總和，並且因此可以最小化由所述用於形成二氧化矽層的組成物形成的層的缺陷的產生。
一般來說，因為含矽聚合物（如聚矽氮烷或聚矽氧氮烷）被製造得具有較高分子量，所以在末端的Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 移為H2 ，產生Si-N鍵。因此，當此含矽聚合物用作半導體的電子材料（例如用於間隙填充的填充材料）時，在固化或後處理期間剩餘的Si-H轉化成H2 ，並且因此不僅可能會產生缺陷（如孔等），而且水分還可能會滲透到其中。
根據一個實施例，用於形成二氧化矽層的組成物經控制以在1 H-NMR光譜中具有小於或等於12的Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和，並且因此可以減少出氣（如H2 ）的產生。因此，在固化期間最小化缺陷的產生，並且因此獲得具有高品質的二氧化矽層。
Si-H積分值的總和可以在5到12範圍內，例如在8到11.5範圍內，但不限於此。
另一個方面，所述用於形成二氧化矽層的組成物中所包含的所述含矽聚合物可以包含氫化聚矽氮烷，其包含由化學式1表示的部分。 [化學式1]在化學式1中，R1 到R3 獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且 “*”表示鍵聯點。
所述氫化聚矽氮烷可以按各種方法，例如以使鹵代矽烷和氨反應的方法製造。
所述用於形成二氧化矽層的組成物的所述含矽聚合物可以是氫化聚矽氮烷，其除了由化學式1表示的部分之外，更包含由化學式2表示的部分。 [化學式2]化學式2的R4 到R7 獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且 “*”表示鍵聯點。
以此方式，當所述組成物包含化學式2的部分時，根據所述實施例的所述氫化聚矽氧氮烷結構上包含除矽-氮（Si-N）鍵結部分以外的矽-氧-矽（Si-O-Si）鍵結部分，並且因此所述矽-氧-矽（Si-O-Si）鍵結部分可以在通過熱處理的固化過程期間減輕應力和減少收縮。
此外，所述用於形成二氧化矽層的組成物中所包含的聚矽氮烷或聚矽氧氮烷可以在末端包含由化學式3表示的部分。 [化學式3]
所述由化學式3表示的部分經氫封端，並且以所述聚矽氮烷或聚矽氧氮烷結構中的Si-H鍵結的總量計，可以15重量%到35重量%的量包含在內。當所述由以上化學式3表示的部分在所述範圍內包含於所述聚矽氮烷或聚矽氧氮烷結構中時，SiH3 部分變成SiH4 ，同時氧化反應在熱處理期間充分進行，並且因此可以防止所述用於形成二氧化矽層的組成物散射和因此防止收縮以及因而防止產生開裂。
以所述用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，所述含矽聚合物可以0.1重量%到50重量%，例如0.1重量%到30重量%的量包含在內。當所述含矽聚合物在所述範圍內包含在內時，所述用於形成二氧化矽層的組成物可以維持適當黏度並且因此形成不具有空隙的平坦並且均勻的層。
所述用於形成二氧化矽層的組成物的所述溶劑非限制性地可以是對於所述含矽聚合物具有可溶性的任何溶劑，並且具體來說可以是由以下各項中選出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮和其組合。
所述用於形成二氧化矽層的組成物可以更包含熱酸產生劑（thermal acid generator，TAG）。
所述熱酸產生劑可以是用以改良開發所述用於形成二氧化矽層的組成物的性質的添加劑。
如果所述熱酸產生劑因熱量而產生酸（H+ ），那麼其可以包含任何化合物而不受特定限制。具體來說，其可以包含在90℃或高於90℃下活化並且產生足夠酸並且還具有低揮發性的化合物。
所述熱酸產生劑可以例如由以下各項中選出：甲苯磺酸硝基苯甲酯、苯磺酸硝基苯甲酯、苯酚磺酸酯和其組合。
以所述用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，所述熱酸產生劑可以0.01重量%到25重量%的量包含在內。在所述範圍內，可以改良塗布性質。
所述用於形成二氧化矽層的組成物可以更包含表面活性劑。
所述表面活性劑不受特定限制，並且可以是例如非離子表面活性劑，如聚氧乙烯烷基醚，如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯硬脂基醚、聚氧乙烯鯨蠟基醚、聚氧乙烯油醇醚等；聚氧乙烯烷基烯丙基醚，如聚氧乙烯壬基酚醚等；聚氧乙烯·聚氧丙烯嵌段共聚物；聚氧乙烯脫水山梨糖醇脂肪酸酯，如脫水山梨糖醇單月桂酸酯、脫水山梨糖醇單棕櫚酸酯、脫水山梨糖醇單硬脂酸酯、脫水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇三硬酯酸酯等；氟類表面活性劑，EFTOP EF301、EF303、EF352（托化工製品株式會社（Tochem Products Co., Ltd.））、MEGAFACE F171、F173（大日本油墨與化學株式會社（Dainippon Ink & Chem., Inc.））、FLUORAD FC430、FC431（住友3M（Sumitomo 3M））、旭硝子guardAG710、Surflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106（旭硝子玻璃株式會社（Asahi Glass Co., Ltd.））等；其它矽酮類表面活性劑，如有機矽氧烷聚合物KP341（信越化學株式會社（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.））等。
以所述用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，所述表面活性劑可以0.001重量%到10重量%的量包含在內。在所述範圍內，可以改良溶液的分散，並且同時改良層的均一厚度。
所述用於形成二氧化矽層的組成物可以是通過將所述含矽聚合物和組分溶解於溶劑中獲得的溶液。
根據本發明的另一個實施例，一種用於製造二氧化矽層的方法包含：將用於形成二氧化矽層的組成物塗布於基底上；乾燥塗布有所述用於形成二氧化矽層的組成物的所述基底；以及在惰性氣體氛圍下在高於或等於150℃下固化所得物。
所述用於形成二氧化矽層的組成物可以使用溶液法，如例如旋塗、狹縫塗布以及噴墨印刷的方法塗布。
所述基底可以是例如裝置基底，如半導體、液晶等，但不限於此。
根據本發明的另一個實施例，提供一種二氧化矽層，其根據所述方法製造。所述二氧化矽層可以是例如絕緣層、分隔膜或硬塗層，但不限於此。
根據本發明的另一個實施例，提供一種電子裝置，其包含根據所述方法製造的所述二氧化矽層。所述電子裝置可以是例如顯示裝置，如LCD或LED；或半導體裝置。
在下文中，參考實例對本發明進行更加詳細的說明。然而，這些實例是例示性的，並且本發明不限於此。製備含矽聚合物 比較例 1
乾燥氮氣取代配備有攪拌器和溫度控制器的2 L反應器內部。接著，向其中添加1500 g的無水吡啶，並且將混合物充分混合，放在反應器中，並且保持溫熱在20℃下。隨後，經一小時向其中緩慢注入100 g的二氯矽烷。接著，經3小時向其中緩慢注入70 g的氨，同時攪拌混合物。隨後，經30分鐘向其中注入乾燥氮氣，並且去除反應器中剩餘的氨。在乾燥氮氣氛圍下，將獲得的白色漿液產物用1 μm鐵氟龍（Teflon）過濾器過濾，獲得1000 g的經過濾的溶液。然後，向其中添加1000 g的無水二甲苯，將混合物的溶劑重複從吡啶取代為二甲苯總計三次，通過使用旋轉蒸發器將其固體濃度調節到20%，並且將來自其的產物用孔隙大小是0.03 μm的鐵氟龍過濾器過濾。
通過所述方法，獲得重量平均分子量是3000的聚矽氮烷，並且此處，重量平均分子量通過使用由沃特斯公司（Waters Co.）製作的GPC（PLC泵1515，RI檢測器2414）測量。實例 1
通過以下方式獲得重量平均分子量是5000的聚矽氮烷：以相對於二甲苯200%的重量比將吡啶注入到根據比較例1合成的二甲苯定相組成物中，增加分子量，同時將混合物在100℃下攪拌3小時，再次向其中添加無水二甲苯，並且然後與比較例1相同地進行。實例 2
通過以下方式獲得重量平均分子量是23,000的聚矽氮烷：以相對於二甲苯200%的重量比將吡啶注入到根據比較例1合成的二甲苯定相組成物中，增加分子量，同時將混合物在100℃下攪拌60小時，再次向其中添加無水二甲苯，並且然後與比較例1相同地進行。實例 3
通過以下方式獲得重量平均分子量是61,000的聚矽氮烷：以相對於二甲苯200%的重量比將吡啶注入到根據比較例1合成的二甲苯定相組成物中，增加分子量，同時將混合物在100℃下攪拌100小時，再次向其中添加無水二甲苯，並且然後與比較例1相同地進行。實例 4
通過以下方式獲得重量平均分子量是100,000的聚矽氮烷：以相對於二甲苯200%的重量比將吡啶注入到根據比較例1合成的二甲苯定相組成物中，增加分子量，同時將混合物在100℃下攪拌120小時，再次向其中添加無水二甲苯，並且然後與比較例1相同地進行。實例 5
通過以下方式獲得重量平均分子量是160,000的聚矽氮烷：以相對於二甲苯200%的重量比將吡啶注入到根據比較例1合成的二甲苯定相組成物中，增加分子量，同時將混合物在100℃下攪拌150小時，再次向其中添加無水二甲苯，並且然後與比較例1相同地進行。評估 1 ：含矽聚合物在 1 H-NMR 光譜中的 Si-H 積分值和
將根據比較例1和實例1到實例5的含矽聚合物分別添加到二丁醚（DBE）中，製備固體含量是15重量%±0.1重量%的每種樣品1，並且隨後，將樣品1用CDCl3 溶劑稀釋20%，製備樣品2。
隨後，在300 MHz下測量樣品2的1 H-NMR光譜，獲得Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值和。參考圖1說明一種具體測量Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的方法。
圖1展示根據所述方法通過使用實例1的含矽聚合物的樣品2的NMR資料。
參考圖1，分別計算含矽聚合物中所存在的對應於Si-H1 和Si-H2 的峰（峰B）的積分值和對應於Si-H3 的峰（峰C）的積分值，其條件是二丁醚的積分值是40（即，對應於圖1中的峰A）。然後，峰B和峰C的和計算為Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值和。
重複測量和計算過程三次，將三個測量值平均，並且此平均值被視為Si-H積分值的總和。
結果提供於表1中。 [表1]
參考表1，當測量其1 H-NMR光譜時，不同於根據比較例1的矽聚合物，根據實例1到實例5的含矽聚合物都具有小於或等於12的Si-H積分值的總和。評估 2 ：出氣產生評估
將根據比較例1和實例1到實例5的含矽聚合物分別添加到二丁醚（DBE）中以製備包含2重量%的固體的每種溶液樣品，將樣品於兩片4英寸晶圓上分別塗布為約500 Å厚，並且在約150℃下在無預烘烤的情況下通過使用石英晶體微天平（quartz crystal microbalance，QCM）測量持續600秒由其產生的出氣的總量。
結果提供於表2中。 [表2]
參考表2，與由根據比較例1的用於形成二氧化矽層的組成物形成的二氧化矽層相比，由包含根據實例1到實例5的含矽聚合物的用於形成二氧化矽層的組成物形成的二氧化矽層展示相對極低量的出氣。
雖然已經結合目前視為實用例示性實施例的內容來描述本發明，但應理解，本發明不限於所公開的實施例，而是相反，本發明旨在涵蓋包含在所附申請專利範圍的精神和範圍內的各種修改和等效配置。
無
圖1是說明計算實例1中的Si-H1 、Si-H2 以及Si-H3 的積分值的和的方法的圖。

Claims (11)

  1. 一種用於形成二氧化矽層的組成物，包括含矽聚合物，和溶劑，其中所述含矽聚合物在1H-NMR光譜中具有小於或等於12的Si-H積分值的總和，並且所述Si-H積分值的總和通過條件1中提供的以下步驟S1和步驟S2計算：[條件1]步驟S1，通過添加所述含矽聚合物到二丁醚溶劑中以製備固體含量是15重量%±0.1重量%的樣品1，然後用CDCl3溶劑將所述樣品1稀釋20%，以製備樣品2，和步驟S2，在300MHz下測量所述樣品2的1H-NMR光譜，以計算Si-H1、Si-H2以及Si-H3的積分值的總和，重複計算所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的積分值的總和三次以獲得三個測量值，將所述三個測量值平均，以獲得所述Si-H積分值的總和，其中計算所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的積分值的總和的方法如下：設定所述二丁醚溶劑的積分值是40，分別計算對應於所述含矽聚合物中所存在的Si-H1和Si-H2的峰的積分值和對應於Si-H3的峰的積分值，並且對對應於Si-H1和Si-H2的峰的積分值和對應於Si-H3的峰的積分值求和，以獲得所述Si-H1、Si-H2以及Si-H3的積分值的總和，其中以所述用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，所述含矽聚合物以0.1重量%到30重量%的量包含在內，以Si-H的總量計，Si-H3以15重量%到35重量%的量包含在內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述Si-H積分值的總和在5到12範圍內。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述Si-H積分值的總和在8到11.5範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物包括聚矽氮烷、聚矽氧氮烷或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述溶劑包括由以下各項中選出的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、茴香醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮和其組合。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物包括由化學式1表示的部分：
    Figure TWI636098B_C0001
    其中，在化學式1中，R1到R3獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且“*”表示鍵聯點。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物更包括由化學式2表示的部分：
    Figure TWI636098B_C0002
    化學式2的R4到R7獨立地是氫、經取代或未經取代的C1到C30烷基、經取代或未經取代的C3到C30環烷基、經取代或未經取代的C6到C30芳基、經取代或未經取代的C7到C30芳基烷基、經取代或未經取代的C1到C30雜烷基、經取代或未經取代的C2到C30雜環烷基、經取代或未經取代的C2到C30烯基、經取代或未經取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，並且“*”表示鍵聯點。
  8. 一種用於製造二氧化矽層的方法，包括：將如申請專利範圍第1項到第7項中任一項所述的用於形成二氧化矽層的組成物塗布於基底上；乾燥塗布有所述用於形成二氧化矽層的組成物的所述基底；以及在惰性氛圍下在高於或等於150℃的溫度下固化所述基底。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的用於製造二氧化矽層的方法，其中所述用於形成二氧化矽層的組成物使用旋塗方法塗布。
  10. 一種二氧化矽層，根據如申請專利範圍第8項所述的用於製造二氧化矽層的方法製造。
  11. 一種電子裝置，包括如申請專利範圍第10項所述的二氧化矽層。
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