TWI783248B - 用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置 - Google Patents

用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置 Download PDF

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Abstract

提供一種用於形成二氧化矽層的組成物、一種由其製造的二氧化矽層以及一種包含二氧化矽層的電子裝置，組成物包含含矽聚合物和溶劑，其中當將70克的用於形成二氧化矽層的組成物添加到100毫升容器，在40℃下使其靜置28天，且獲得由組成物產生的1毫升的氣體時，1毫升的氣體包含氫氣、矽烷氣體SiH4 以及氨氣，且氫氣、矽烷氣體SiH4 以及氨氣滿足等式1： [等式1] (氫氣量（ppm）)/(矽烷氣體SiH4 的量（ppm） + 氨氣量（ppm）) ≥ 1.5 本申請能使二氧化矽層內部的空隙的數目最小。

Description

用於形成二氧化矽層的組成物、二氧化矽層和電子裝置
本發明是有關於一種用於形成二氧化矽層的組成物、使用所述組成物製造的二氧化矽層以及包含二氧化矽層的電子裝置。
本申請要求2019年8月21日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請第10-2019-0102596號的優先權和權益，所述申請的全部內容以引用的方式併入本文中。
在平板顯示器裝置中，包含閘極電極、源極電極、汲極電極以及半導體的薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)用作開關元件。平板顯示器裝置包含閘極線和數據線，所述閘極線用於傳輸用於控制薄膜電晶體的掃描信號，所述數據線用於傳輸應用於像素電極的信號。另外，用於將其分隔的絕緣層形成於半導體與各種電極之間。
絕緣層通常使用通過將含矽聚合物轉換成二氧化矽形 成的二氧化矽層。此時，在含矽聚合物轉換為二氧化矽層時，可產生氣體，如氫氣、氨氣以及矽烷氣體，且由於所產生氣體而可在二氧化矽層內部產生空隙，所述空隙可不利地影響裝置的良率和可靠性。因此，使二氧化矽層內部的空隙的數目最小化對於改良裝置的良率和可靠性極重要，且在減小空隙的數目的方向上持續進行關於用於形成二氧化矽層的組成物的研究。
實施例提供能夠使二氧化矽層內部的空隙的數目最小化的用於形成二氧化矽層的組成物。
另一實施例提供由用於形成二氧化矽層的組成物製造的二氧化矽層。
另一實施例提供包含二氧化矽層的電子裝置。
根據一實施例，用於形成二氧化矽層的組成物包含含矽聚合物和溶劑，其中當將70克的用於形成二氧化矽層的組成物添加到100毫升容器，在40℃下使其靜置28天，且獲得由組成物產生的1毫升的氣體時，1毫升的氣體包含氫氣(H2)、矽烷氣體(SiH4)以及氨氣(NH3)，且氫氣、矽烷氣體以及氨氣滿足等式1。
Figure 109126188-A0305-02-0004-1
氫氣和氨氣可滿足等式2。
[等式2]
Figure 109126188-A0305-02-0005-2
含矽聚合物可包含聚矽氮烷、聚矽氧烷或其組合。
聚矽氮烷可以是無機聚矽氮烷。
含矽聚合物可具有約4,000克/莫耳到約13,000克/莫耳的重量平均分子量。
溶劑可包含選自以下的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮以及其組合。
可按用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，包含約0.1重量%到約30重量%的量的含矽聚合物。
根據另一實施例，提供上文所描述的由用於形成二氧化矽層的組成物製造的二氧化矽層。
根據另一實施例，提供包含二氧化矽層的電子裝置。
當使用根據實施例的用於形成二氧化矽層的組成物時，可製造具有表面上的最小化空隙的二氧化矽層。
圖1是繪示根據實例和比較例的由用於形成二氧化矽層的組成物獲得的氫氣、矽烷氣體以及氨氣中的每一者的含量的曲線圖。
圖2是由根據實例1的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層的表面的V-SEM圖像。
圖3是由根據比較例1的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層的表面的V-SEM圖像。
本發明的示範性實施例將在下文中進行詳細描述，且可容易由具有相關領域中的常識的人員執行。然而，本公開可以許多不同形式體現，且不應理解為限於本文中所闡述的實例實施例。
在圖式中，為清楚起見放大了層、膜、面板、區等的厚度。貫穿本說明書，相同的圖式元件符號指定相同的元件。應理解，當如層、膜、區或基底的一個元件稱為「在」另一元件「上」時，其可直接在另一元件上，或還可存在介入元件。相反地，當元件稱為「直接在」另一元件「上」時，不存在介入元件。
在本說明書中，當未另外提供定義時，「取代」是指化合物的氫由選自以下的取代基替換：鹵素原子(F、Br、Cl或I)、羥基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、疊氮基、脒基(amidino group)、肼基(hydrazino group)、亞肼基(hydrazono group)、羰基、氨甲醯基、硫醇基、酯基、羧基或其鹽、磺酸基或其鹽、磷酸或其鹽、C1到C20烷基、C2到C20烯基、C2到C20炔基、C6到C30芳基、C7到C30芳烷基、C1到C30烷氧基、C1到C20雜烷基、C2到C20雜芳基、C3到C20雜芳基烷基、C3到C30環烷基、C3到 C15環烯基、C6到C15環炔基、C2到C30雜環烷基以及其組合。另外，在本說明書中，當未另外提供定義時，「雜」指代包含選自N、O、S以及P的1到3個雜原子的一個基團。
另外，如本文中所使用，「*」意指與相同或不同原子或化學式鍵聯的部分。
下文中，描述根據本發明的一實施例的用於形成二氧化矽層的組成物。
根據本發明的一實施例的用於形成二氧化矽層的組成物包含含矽聚合物和溶劑，其中當將70克的用於形成二氧化矽層的組成物添加到100毫升容器，在40℃下使其靜置28天，獲得由組成物產生的1毫升的氣體，且通過氣相色譜法對其進行分析時，1毫升的氣體包含氫氣(H2)、矽烷氣體(SiH4)以及氨氣(NH3)，且氫氣、矽烷氣體以及氨氣滿足等式1。
Figure 109126188-A0305-02-0007-3
當在所述條件下使其靜置的用於形成二氧化矽層的組成物滿足等式1時，其形成的二氧化矽層可在表面上產生的空隙的數目方面最小化。
具體來說，為了使晶圓內部的大量晶片具有相同區域且在低電壓下驅動半導體，如半導體裝置以及類似物的電子裝置的線寬不斷傾向於變得微粒化。特定來說，由DRAM和NAND閃存 表示的記憶體半導體的線寬微粒化使半導體裝置的良率和電可靠性更重要，且為了增大這種良率和電可靠性，需要在STI/ILD絕緣層製造製程中的高溫下固化之後的空隙缺陷現象方面改良的二氧化矽層材料。在空隙缺陷現象方面改良的二氧化矽層材料可增大關於製程的裕量且由此極大地改良性能和質量。
大體來說，通過將包含含矽聚合物和溶劑的用於二氧化矽層的組成物塗布在裝置的預定區中且使所述組成物固化形成二氧化矽層，其中當含矽聚合物轉換成二氧化矽層時，產生氣體，如H2、NH3、SiH4以及類似物，且所述氣體直接造成二氧化矽層的表面上的空隙缺陷現象。
然而，在將70克的用於形成二氧化矽層的組成物放置在100毫升器皿中且在40℃下使其靜置28天之後，當獲得由組成物(條件A)產生的1毫升的氣體且隨後根據氣相色譜法分析進行執行時，氣體可滿足等式1，且最終極大地改良二氧化矽層的表面上的空隙缺陷現象。
換句話說，根據實施例的用於二氧化矽層的組成物呈現在條件A下滿足等式1((氫氣量)/(矽烷氣體量+氨氣量)，其大於或等於1.5(ppm)，例如，大於或等於1.55(ppm))的氣體的色譜法分析結果且由此可在製程期間形成具有小空隙產生但符合要求的間隙填充的層。另外，在以下固化製程中，維持低蝕刻速率以加強物理/化學特性。
根據實施例的用於形成二氧化矽層的組成物在條件A 下滿足等式1的原因最終是構成用於二氧化矽層的組成物的含矽聚合物的結構差異，因為含矽聚合物的結構差異使濕氣深滲透於孔內部且在高溫下的之後固化期間增大二氧化矽的轉換量，且本文中產生的氣體促進除氣且減小深孔的蝕刻速率且由此提供在空隙的產生方面最小化的二氧化矽層。
根據實施例的用於二氧化矽層的組成物在條件A下的氣相色譜法分析結果可通過設計含矽聚合物的結構來滿足等式1且由此引起層表面上的空隙產生最小化。
舉例來說，在條件A下的氣相色譜法分析結果可滿足等式2((氨氣量)/(氫氣量)，其小於或等於0.68，例如，小於或等於0.64(按ppm參考計))，以及等式1。
Figure 109126188-A0305-02-0009-4
當在條件A下的氣相色譜法分析結果同時滿足等式1和等式2時，表面上的空隙的數目最小化，且最終，根據實施例的包含由用於二氧化矽層的組成物形成的二氧化矽層的電子裝置的性能可極大地改良。
舉例來說，在條件A下的氣相色譜法分析結果中，氫氣可具有小於2500ppm的量，矽烷氣體可具有小於30ppm的量，且氨氣可具有小於1000ppm的量。
舉例來說，含矽聚合物可包含聚矽氮烷、聚矽氧烷或其組合。舉例來說，含矽聚合物可具有約4,000克/莫耳到約20,000 克/莫耳的重量平均分子量，但不限於此。當含矽聚合物的重量平均分子量滿足範圍時，在條件A下的氣相色譜法分析結果可容易得多地滿足等式1。
同時，含矽聚合物可包含例如由化學式1表示的部分。
Figure 109126188-A0305-02-0010-5
在化學式1中，R1到R3獨立地是氫、取代或未取代的C1到C30烷基、取代或未取代的C3到C30環烷基、取代或未取代的C6到C30芳基、取代或未取代的C7到C30芳烷基、取代或未取代的C1到C30雜烷基、取代或未取代的C2到C30雜環烷基、取代或未取代的C2到C30烯基、取代或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合，且 「*」指代鍵聯點。
舉例來說，含矽聚合物可以是聚矽氮烷，例如由鹵代矽烷與氨反應產生的無機聚矽氮烷。
舉例來說，除了由化學式1表示的部分之外，用於形成二氧化矽層的組成物中包含的含矽聚合物可更包含由化學式2表示的部分。
[化學式2]
Figure 109126188-A0305-02-0011-6
在化學式2中，R4到R7獨立地是氫、取代或未取代的C1到C30烷基、取代或未取代的C3到C30環烷基、取代或未取代的C6到C30芳基、取代或未取代的C7到C30芳烷基、取代或未取代的C1到C30雜烷基、取代或未取代的C2到C30雜環烷基、取代或未取代的C2到C30烯基、取代或未取代的烷氧基、羧基、醛基、羥基或其組合。
「*」指代鍵聯點。
在這種情況中，除了矽-氮(Si-N)鍵結部分之外，含矽聚合物包含其結構中的矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵結部分，且由此矽-氧-矽(Si-O-Si)鍵結部分可在由熱處理固化期間弱化應力且減少收縮。
舉例來說，含矽聚合物可包含由化學式1表示的部分、由化學式2表示的部分，且可更包含由化學式3表示的部分。
[化學式3]＊－SiH3
由化學式3表示的部分具有其中末端以氫封端的結構，且可按聚矽氮烷或聚矽氧烷結構的Si-H鍵的總量計，包含約15重量%到約35重量%的量的所述部分。當化學式3的部分在所述 範圍內包含於聚矽氮烷或聚矽氧烷結構中時，會防止SiH3部分分散到SiH4中，同時在熱處理期間充分進行氧化反應，且可防止填充劑圖案中的裂紋。
可按用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，包含約0.1重量%到約50重量%，例如約0.1重量%到約30重量%的量的含矽聚合物。當包含所述範圍內的含矽聚合物時，其可維持適當黏度且產生不具有空隙的平坦和均一的層。
用於形成二氧化矽層的組成物的溶劑可以是但不限於其中可溶解含矽聚合物的任何溶劑，且具體來說可包含選自以下的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮以及其組合。
用於形成二氧化矽層的組成物可更包含熱酸產生劑(thermal acid generator；TAG)。
熱酸產生劑可以是用以改良顯影用於形成二氧化矽層的組成物的屬性的添加劑，且由此使組成物的有機矽烷類縮合聚合物在相對低溫度下顯影。
如果所述熱酸產生劑因熱量而產生酸(H+)，那麼其可包含任何化合物而不受特定限制。確切地說，其可包含在90℃或高於90℃下活化且產生足夠酸以及具有低揮發性的化合物。
熱酸產生劑可例如選自甲苯磺酸硝基苯甲酯、苯磺酸硝基苯甲酯、苯酚磺酸酯以及其組合。
可按用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，包含約0.01重量%到約25重量%的量的熱酸產生劑。在所述範圍內，縮合聚合物可在低溫下顯影且同時具有改良的塗布屬性。
用於形成二氧化矽層的組成物可更包含表面活性劑。
表面活性劑不受特定限制，且可以是例如非離子表面活性劑，如聚氧乙烯烷基醚，如聚氧乙烯十二烷基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯十六烷基醚、聚氧乙烯油醇醚以及類似物；聚氧乙烯烷基烯丙基醚，如聚氧乙烯壬基苯酚醚以及類似物；聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物；聚氧乙烯脫水山梨糖醇脂肪酸酯，如脫水山梨糖醇單月桂酸酯、脫水山梨糖醇單棕櫚酸酯、脫水山梨糖醇單硬脂酸酯、脫水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯脫水山梨糖醇三硬酯酸酯以及類似物；伊夫妥(EFTOP)EF301、伊夫妥EF303、伊夫妥EF352的氟類表面活性劑(托化工製品有限公司(Tochem Products Co.,Ltd.))、麥格菲斯(MEGAFACE)F171、麥格菲斯F173(大日本油墨及化學有限公司(Dainippon Ink & Chem.,Inc.))、氟羅拉(FLUORAD)FC430、氟羅拉FC431(住友3M(Sumitomo 3M))、旭防護AG710(Asahi guardAG710)、索龍(Surflon)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭玻璃有限公司(Asahi Glass Co.,Ltd.))以及類似物； 其它矽酮類表面活性劑，如有機矽氧烷聚合物KP341(信越化學有限公司(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.))以及類似物。
可按用於形成二氧化矽層的組成物的總量計，包含約0.001重量%到約10重量%的量的表面活性劑。在所述範圍內，可改良溶液的分散，且同時可改良層的均一厚度。
用於形成二氧化矽層的組成物可以是通過將含矽聚合物和組分溶解於混合溶劑中獲得的溶液。
根據本發明的另一實施例，用於製造二氧化矽層的方法包含將用於形成二氧化矽層的前述組成物塗布在基底上；乾燥塗布有用於形成二氧化矽層的組成物的基底；以及在大於或等於約150℃的惰性氣體氛圍下固化所得物。
舉例來說，用於形成二氧化矽層的組成物可使用如旋塗方法、狹縫塗布、噴墨印刷的溶液法來塗布。
基底可以是例如裝置基底，如半導體、液晶以及類似物，但不限於此。
根據本發明的另一實施例，二氧化矽層包含通過轉換用於二氧化矽層的含矽聚合物獲得的二氧化矽組分。
二氧化矽層可以是例如絕緣層、分隔層或硬塗層，但不限於此。
本發明提供包含二氧化矽層的電子裝置。電子裝置可以是例如顯示裝置，如LCD或LED，或半導體裝置。
以下實例更詳細地說明本發明的實施例。然而，這些實 例是示範性的，且本公開不限於此。
製備含矽聚合物
通過使用由沃特斯公司(Waters Corp.)製造的GPC(PLC泵1515)來測量本說明書中的無機聚矽氮烷的重量平均分子量，且通過使用由安捷倫技術有限公司(Agilent Technologies Inc.)製造的7890A(管柱；瑞斯泰克(Restek)，(10ft×2mm ID×1/8的OD))來執行氣相色譜法分析。
聚合比較例1
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘將60克的二氯矽烷注射到其中。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經4小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍(Teflon)過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的3100克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反 復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合比較例2
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經4小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約100克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的8300克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
無機聚矽氮烷與3重量%的小於100,000的數目平均分子量的三戊胺(tripentylamine)、3重量%的小於100,000的數目平均分子量的三辛胺以及3重量%的小於100,000的數目平均分子量 的甲基呱啶混合以獲得胺類無機聚矽氮烷。
聚合比較例3
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經4小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約100克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的15300克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合比較例4
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注 射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且向其中添加隨後將描述的按氨計10莫耳%的伯胺或仲胺，且隨後老化一小時。隨後歷經4小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的8400克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合實例1
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經8小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛 圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的4100克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合實例2
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經8小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的 12500克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合實例3
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經8小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的8600克/莫耳的重量平均分子量和13%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
聚合實例4
配備有攪拌器和溫度控制器的1升反應器內部用乾燥氮氣替代。隨後，將800克的無水吡啶注射到反應器中，且將反應器冷卻到-1℃。隨後，在200sccm的速度下歷經65分鐘向其中注射60克的二氯矽烷。使獲得的混合物老化一小時，同時攪拌，且歷經8小時向其中緩慢注射37克的氨。使獲得的混合物老化2小時，同時攪拌。隨後，歷時12小時將乾燥氮氣注射到反應器中以去除在反應器中剩餘的氨。用0.1微米鐵氟龍過濾器在乾燥氮氣氛圍下過濾獲得的白色漿料產物以獲得680克的已過濾溶液。隨後，向其中添加800克的無水二甲苯，且通過使用旋轉式蒸發器用二甲苯反復地替換吡啶三次來調整其中的固體以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾。將約200克的無水吡啶添加到獲得的無機聚矽氮烷溶液，且執行聚合以提供在100℃下的8900克/莫耳的重量平均分子量和10%的固體含量。當聚合完成時，通過在70℃下使用旋轉式蒸發器用二丁醚反復地替換溶劑4次來調整固體含量以具有20%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得無機聚矽氮烷。
將無機聚矽氮烷與按無機聚矽氮烷的總量計0.5莫耳%的N,N-二甲基乙醇胺混合以獲得無機聚矽氮烷。
含矽聚合物的GC分析
根據聚合比較例1到聚合比較例4以及聚合實例1到聚合實例4的含矽聚合物分別添加到二丁醚(dibutylether；DBE)溶劑以準備具有18±1重量%的固體含量的每一樣本。隨後，分別 採用70克的樣本，劃分成在100毫升隔膜玻璃瓶中的少量，且隨後，在40℃下靜置28天(4周)。隨後，使用注射器從隔膜玻璃瓶的頂部採樣1毫升的氣體，且執行其氣相色譜法(gas chromatography；GC)分析。
結果繪示於表1和圖1中。
Figure 109126188-A0305-02-0022-7
參考表1和圖1，與根據聚合比較例1到聚合比較例4的含矽聚合物相比，根據聚合實例1到聚合實例4的含矽聚合物呈現大於或等於1.5，具體來說，大於或等於1.55的(氫氣量)/(矽烷氣體量+氨氣量)，小於或等於0.68，具體來說，小於或等於0.64的(氨氣量/氫氣量)，以及4000到13000克/莫耳的重量平均分子量。
製備用於形成二氧化矽層的組成物 實例1到實例4以及比較例1到比較例4
通過在70℃下通過使用旋轉式蒸發器用二丁醚重複替 換溶劑四次來分別調整根據聚合實例1到聚合實例4以及聚合比較例1到聚合比較例4的含矽聚合物以具有15%的固體濃度，且隨後用0.1微米鐵氟龍過濾器過濾以獲得根據實例1到實例4以及比較例1到比較例4的用於形成二氧化矽層的組成物。
評估層表面上的空隙
分別採用3cc的根據實例1到實例4以及比較例1到比較例4的用於形成二氧化矽層的組成物，利用自旋塗布機(MS-A200，三笠有限公司(MIKASA Co.,Ltd.))施配在8英寸矽晶圓的中心中，且在1500rpm下旋轉塗布20秒。隨後，加熱塗布的晶圓且在150℃下在加熱板上乾燥3分鐘，且隨後在600℃下濕式固化30分鐘以形成二氧化矽層。隨後，分別將二氧化矽層浸漬在1重量%稀釋氫氟酸(diluted hydrofluoric acid；DHF)中120秒，且通過V-SEM圖像來檢查層的橫截面。
圖2是由根據實例1的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層的表面的V-SEM圖像，且圖3是由根據比較例1的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層的表面的V-SEM圖像。
參考圖2和圖3，與由根據比較例的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層相比，由根據實例的用於形成二氧化矽層的組成物形成的層呈現層的表面上的在濕式蝕刻製程之後的相對少量的空隙。
雖然已結合當前認為實用的實例實施例的內容描述了本發明，但應理解，本發明不限於所公開的實施例。相反地，預 期涵蓋包含在所附發明申請專利範圍的精神和範圍內的各種修改和等效佈置。

Claims (9)

  1. 一種用於形成二氧化矽層的組成物，包括含矽聚合物和溶劑， 當將70克的用於形成所述二氧化矽層的所述組成物添加到100毫升容器，在40℃下使其靜置28天，且獲得由所述組成物產生的1毫升的氣體時，1毫升的所述氣體包括氫氣、矽烷氣體SiH4 以及氨氣，且氫氣、矽烷氣體SiH4 以及氨氣滿足等式1： [等式1] (氫氣量（ppm）)/(矽烷氣體SiH4 的量（ppm） + 氨氣量（ppm）) ≥ 1.5。
  2. 如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中矽烷氣體SiH4 和氨氣滿足等式2： [等式2] 氨氣量（ppm）/氫氣量（ppm） ≤ 0.68。
  3. 如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物包括聚矽氮烷、聚矽氧烷或其組合。
  4. 如請求項3所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述聚矽氮烷是無機聚矽氮烷。
  5. 如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述含矽聚合物具有4,000克/莫耳到13,000克/莫耳的重量平均分子量。
  6. 如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中所述溶劑包括選自以下的至少一者：苯、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、三甲苯、三乙苯、環己烷、環己烯、十氫萘、二戊烯、戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、乙基環己烷、甲基環己烷、環己烷、環己烯、對薄荷烷、二丙醚、二丁醚、苯甲醚、乙酸丁酯、乙酸戊酯、甲基異丁基酮以及其組合。
  7. 如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物，其中按用於形成所述二氧化矽層的所述組成物的總量計，包含0.1重量%到30重量%的量的所述含矽聚合物。
  8. 一種二氧化矽層，由如請求項1所述的用於形成二氧化矽層的組成物製造。
  9. 一種電子裝置，包括如請求項8所述的二氧化矽層。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102194975B1 (ko) * 2017-10-13 2020-12-24 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
KR102715082B1 (ko) * 2021-08-04 2024-10-07 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201529644A (zh) * 2013-12-09 2015-08-01 Az Electronic Materials Luxembourg Sarl 全氫聚矽氮烷、及含其之組成物、以及使用其之矽石質膜之形成方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008422A (en) * 1985-04-26 1991-04-16 Sri International Polysilazanes and related compositions, processes and uses
JP3226021B2 (ja) * 1997-09-02 2001-11-05 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP5020425B2 (ja) 2000-04-25 2012-09-05 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細溝をシリカ質材料で埋封する方法
JP3479648B2 (ja) 2001-12-27 2003-12-15 クラリアント インターナショナル リミテッド ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法
JP2006054353A (ja) * 2004-08-13 2006-02-23 Az Electronic Materials Kk フラットバンドシフトの少ないシリカ質膜およびその製造法
KR100613685B1 (ko) * 2004-10-20 2006-08-21 한국화학연구원 실리카의 표면 개질 방법
JP4965953B2 (ja) * 2006-09-29 2012-07-04 株式会社東芝 ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法、ポリシラザン溶液、半導体装置の製造方法
BRPI0916208B1 (pt) * 2008-07-14 2019-07-02 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Membrana híbrida orgânica-inorgânica microporosa baseada em sílica, membrana compósita, e, uso de uma membrana
KR101288574B1 (ko) * 2009-12-02 2013-07-22 제일모직주식회사 갭필용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
KR101443758B1 (ko) * 2010-12-22 2014-09-26 제일모직주식회사 실리카층 형성용 조성물, 그 제조방법, 이를 이용한 실리카층 및 실리카층 제조방법
JP2013001721A (ja) 2011-06-13 2013-01-07 Adeka Corp 無機ポリシラザン、これを含有してなるシリカ膜形成用塗布液及びシリカ膜の形成方法
CN103910885A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 第一毛织株式会社 制备间隙填充剂的方法、用其制备的间隙填充剂和使用间隙填充剂制造半导体电容器的方法
WO2014196319A1 (ja) * 2013-06-05 2014-12-11 コニカミノルタ株式会社 光学材料、光学フィルム及び発光デバイス
JP6203625B2 (ja) * 2013-12-16 2017-09-27 株式会社アドマテックス シリカ粒子の製造方法
KR101833800B1 (ko) 2014-12-19 2018-03-02 삼성에스디아이 주식회사 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자
KR20160134290A (ko) 2015-05-15 2016-11-23 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
KR20170014946A (ko) 2015-07-31 2017-02-08 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
KR101895912B1 (ko) * 2015-09-25 2018-09-07 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자
US10316216B2 (en) 2016-08-31 2019-06-11 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, and silica layer
KR102192462B1 (ko) * 2017-12-14 2020-12-17 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막, 및 전자소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201529644A (zh) * 2013-12-09 2015-08-01 Az Electronic Materials Luxembourg Sarl 全氫聚矽氮烷、及含其之組成物、以及使用其之矽石質膜之形成方法

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