TWI633295B - 物品的表面特徵偵測及檢查設備 - Google Patents

物品的表面特徵偵測及檢查設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI633295B
TWI633295B TW103119028A TW103119028A TWI633295B TW I633295 B TWI633295 B TW I633295B TW 103119028 A TW103119028 A TW 103119028A TW 103119028 A TW103119028 A TW 103119028A TW I633295 B TWI633295 B TW I633295B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
surface feature
surface features
article
features
photons
Prior art date
Application number
TW103119028A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201514466A (zh
Inventor
喬金 安納
大衛 唐
Original Assignee
希捷科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 希捷科技有限公司 filed Critical 希捷科技有限公司
Publication of TW201514466A publication Critical patent/TW201514466A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI633295B publication Critical patent/TWI633295B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

此處提供一種設備，包含：映射機構，根據對應於從物品的表面特徵散射的光子之光子偵測器訊號，產生物品表面特徵的位置映射；以及表面特徵管理器。表面特徵管理器配置成至少部份地根據表面特徵位置的映射，以定位物品的表面特徵中之預定表面特徵，照射具有第一功率的光子至預定的表面特徵以分析預定的表面特徵，以及照射具有第二功率的光子至預定的表面特徵之位置以移除預定的表面特徵。

Description

物品的表面特徵偵測及檢查設備
本發明係關於表面特徵管理器。
在生產線上製造的物品會被檢測某些特徵，特徵包含可能使物品的性能或是包含物品的系統變差的缺陷。舉例而言，用於硬碟機的硬碟可以在生產線上製造以及被檢測某些表面特徵，表面特徵包含可能使碟片或硬碟機的性能變差的表面缺陷。當偵測到表面缺陷時，無論缺陷多淺，物品都被視為是不可使用的並被廢棄。在某些其它情形中，藉由將物品從生產線移除至分開的移除裝置以將缺陷從物品移除，而搶救被辨識為具有缺陷的物品。但是，利用分開的專用移除裝置是耗時的。亦即，其耗費半天以將缺陷從單一物品移除，而造成淨生產延遲。
此處提供設備，包含映射機構以及表面特徵管理器，映射機構根據對應於物品的表面特徵散射的光子之光子偵 測器訊號，產生物品的表面特徵的位置映射。表面特徵管理器配置成至少部份地根據表面特徵位置的映射而將物品的表面特徵的預定表面特徵定位，將具有第一功率的光子照射至預定表面特徵的位置以分析預定表面特徵，以及，將具有第二功率的光子照射至預定表面特徵的位置以移除預定的表面特徵。
參考下述圖式、說明及後附的申請專利範圍，可以更佳地瞭解此處提供的概念的這些及其它特點及態樣。
100‧‧‧設備
110‧‧‧光子發射器
120‧‧‧光學機構
130‧‧‧相機
140‧‧‧表面特徵管理器
150‧‧‧電腦
160‧‧‧影像
170‧‧‧物品
172‧‧‧表面
180‧‧‧表面特徵
190a‧‧‧光子
190b‧‧‧準直光
202‧‧‧光子偵測器陣列
204‧‧‧像素感測器
604a‧‧‧反射表面
604b‧‧‧反射表面
604c‧‧‧反射表面
圖1顯示根據本實施例的一態樣之設備，配置成用於物品的表面特徵偵測及檢查；圖2顯示根據本實施例的一態樣，顯示光子從物品的表面特徵散射經過光學機構而至光子偵測器陣列。
圖3顯示根據本實施例的一態樣，顯示用於檢查物品的表面特徵之放大的部份映射。
圖4顯示根據本實施例的一態樣，提供圖3中所示的表面特徵映射的一部份的放大影像。
圖5A顯示根據本實施例的態樣，(頂部)提供來自圖4中所示的表面特徵映射之對應的表面特徵的放大影像的實例，以及圖5A(底部)提供表面特徵的光子散射強度分佈。
圖5B顯示根據本實施例的態樣，(頂部)提供圖5A中所示的表面特徵映射之放大的、插入像素之影像，以及圖5B(底部)提供插入像素的表面特徵的光子散射強度分佈。
圖6A顯示根據本實施例的一態樣之表面特徵管理器，表面特徵管理器定位及照射光子至物品的預選取的表面特徵。
圖6B顯示根據本實施例的一態樣之表面特徵管理器。
圖6C顯示根據本實施例的一態樣之表面特徵管理器，表面特徵管理器從物品移除預選的表面特徵。
在更詳細地說明及/或顯示某些特定實施例之前，具有此技藝的一般技術者應瞭解此處提供的特定實施例未限制此處提供的概念，在這些特定實施例中的元件可以變化。同樣地也應瞭解，此處提供的特定實施例具有可以與特定實施例容易分開的元件以及與此處所述及/或顯示的數個其它實施例中的任何實施例中的元件選加地相結合或替代。
具有此技藝的一般技術者也應瞭解，此處使用的術語是為了說明某些特定實施例，術語不應限定此處提供的概念。除非另外指明，否則，序號(例如，第一、第二、第三、等等)是用以區別或辨識元件或步驟群組中的不同元件或步驟，且未供應序號或數字限定。舉例而言，「第一」、「第二」、及「第三」元件或步驟不一定需要依該次序出現，以及，實施例不需要一定受限於三元件或步驟。也應瞭解，除非另外指明，否則，例如「左」、 「右」、「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「順向」、「反向」、「順時針」、「逆時針」、「向上」、「向下」等標示、或地使用例如「上」、「下」、「在後」、「在前」、「垂直」、「水平」、「近端」、「遠端」、等等其它類似詞語，可以為了方便而被使用且非意圖意指例如任何特定的固定位置、配向、或方向、取代地，這些標示用以反射例如相對位置、配向、或方向。也應瞭解，除非內文中清楚地說明，否則，「一(a或an)」及「定冠詞(the)」的單數形式包含複數意思。
除非另外界定，否則，此處使用之所有的技術及科學詞語具有與具有此技藝的一般技術者共同瞭解之相同意義。
在生產線上製造的物品會被檢測某些特徵，特徵包含可能使物品的性能或是包含物品的系統變差的缺陷，例如粒子及污斑污染、刮痕及/或凹穴。須瞭解，不為表面特徵而檢查物品，則例如用於硬碟機的硬碟等物品的完成表面不知不覺地受污染。此外，物品的完成表面的污表導致刮傷資訊、碎屑產生、及/或硬碟與讀寫頭之間的間隔惡化。
傳統上，當物品被辨識出具有例如缺陷等某些特徵時，無論缺陷有多麼淺，物品都會被廢棄。在某些情形中，並非廢棄物品，而是藉由將缺陷從物品的表面移除而搶救物品。但是，用於從物品移除缺陷的習知機構耗時且會造成生產延遲。舉例而言，為了從物品移除缺陷，將物 品移離生產線以及置於專用的移除裝置。為了將物品從生產線轉移至專用的移除裝置，物品會被小心地密封及處理以防止物品進一步污染。然後，專用的移除裝置為了物品整體中的缺陷而分析物品，以移除缺陷。亦即，隨著專用的移除裝置掃描物品及定位缺陷，專用的移除裝置才移除缺陷，而不是直接及個別定位和移除缺陷。如此，可以瞭解，利用獨立的專用移除裝置以移除缺陷耗時且麻煩，這在某些情形中超過搶救物品的利益。結果，很多有缺陷的物品被廢棄而不搶救，因而影響淨物品產量。
如此，在此處所述的某些實施例中，成像設備配置成提供原地解決之道，以便當物品行經生產線時，從物品中定位、分析及移除表面缺陷。舉例而言，此處說明的成像設備配置成成像及產生物品的表面特徵位置的映射。一旦決定位置時，為了進一步分析及/或移除，而選取表面特徵。在此處所述的某些情形中，成像設備包含表面特徵管理器，表面特徵管理器配置成根據來自映射的特徵的位置座標而將選取的特徵定位，然後，將光子照射至選取的表面特徵上以用於進一步特徵分析及特徵分類。依此方式，辨識及校正導致某些型式的表面特徵的製造趨勢，並藉以增加產品品質。此外，在此處所述的某些情形中，表面特徵管理器照射具有足夠功率的光子以將選取的特徵從物品的表面移除。如此，此處說明的成像設備提供機構以利用單一設備而有效地及快速地成像、定位、分析及移除特徵，以搶救其它情形中被廢棄的物品。
圖1顯示根據本實施例的一態樣之設備，配置成用於物品的表面特徵偵測及檢查。於下更詳細地說明，設備100包含但不限於光子發射器110、光學機構120、相機130、表面特徵管理器140、及顯示物品170的影像160之電腦150。須瞭解，此處所述的設備是說明性的而不是要限定發明概念的範圍。
在某些實施例中，藉由將來自光子發射器110的光子導引至物品170的表面上，執行物品170的特徵之偵測及檢查。當光子從諸如物品170的表面特徵180表面特徵的位置散射時，光學機構120偵測散射的光子。物品170由相機130成像，物品170的表面特徵的位置被映射，以及，表面特徵的位置呈現於影像160上。然後，選取例如表面特徵180等表面特徵以用於較深的特徵分析及/或移除，這在圖6A-6C的下述中更詳細地說明。
在進行至進一步說明設備100的各式各樣組件之前，可以瞭解如同所述的物品170可以是但不限於半導體晶圓、磁性記錄媒體(例如，用於硬碟機的硬碟)、玻璃塊體、具有一或更多光學平滑表面的工件、及/或任何製造階段中的工件。
又可瞭解，在物品170的表面上之單一表面特徵180的描述是說明性的，而非要限定此處說明的發明概念之範圍。在某些實施例中，物品未具有表面特徵，以及，在其它實施例中，物品具有一個以上的表面特徵。又可瞭解，表面特徵180的尺寸是說明性的，且非要限定此處所述之 發明的概念之範圍。可瞭解，物品170的表面上的表面特徵的尺寸可為任何尺寸，例如奈米尺寸、微米尺寸、等等。
現在參考光子發射器110，在某些實施例中，光子發射器110配置成發射光子至物品170的整個或部份表面。在某些情形中，光子發射器110可以發射光至物品170的表面以將表面特徵的位置成像及作成映射。舉例而言，光子發射器110發射白光、藍光、UV光、同調光、非同調光、極化光、非極化光、或其某些組合。隨著光子發射器110發射光子及/或光至物品170的表面，光子或光從物品170的表面反射及/或散射，以及，由光學機構120和相機130捕捉。
在某些實施例中，光子發射器110發射光子至如圖1所示的整個表面、或者物品表面的某些預定表面(例如，假使需要時，為了逐件檢查而用於物品的漸變旋轉)。在某些實施例中，可能希望增加從光子發射器110發射之光子的數目(例如，光子通量密度)，以增加用於偵測、作圖、及/或特徵化物品的表面特徵之散射光子。此光子通量密度的增加對於增加的光子功率可以是相對於單位時間，或是相對於單位面積。
又須瞭解，圖1中所示的光子發射器110的角度及位置是說明性的且並非要限定實施例的範圍。須瞭解，光子發射器110可以位於物品170附近的任何位置。又須瞭解，光子發射器110的角度可以調整以發射光子至物品的 表面上以進一步偵測及檢查已知以這些特定角度散射之物品的特定表面特徵。光子發射器110的角度及位置也可以調整以照射物品的整個表面或預定部份。
須瞭解，單一光子發射器的說明是實例，而非要限定此處所述的發明概念之範圍。在某些實施例中，須瞭解，一個以上的光子發射器可以用以照射物品表面。
在某些實施例中，設備100包含光學機構120。在某些實施例中，光學機構120可以配置成操縱自光子發射器110發射的、自物品170的表面反射及/或自物品170的表面特徵(例如表面特徵180)散射的光子。舉例而言，光學機構120包含但不限於透鏡、濾波器、光柵、及鏡(為了簡明起見未顯示)。
舉例而言，光學機構120包含透鏡，透鏡耦合至配置成收集及偵測物品170的表面特徵之影像的光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)。在此情形中，透鏡具有入射光瞳及發射光瞳，以及其它光學組件(例如，其它透鏡、光柵、及鏡)定位於或接近透鏡的入射光瞳、在或接近透鏡的發射光瞳(例如，在透鏡的發射光瞳與光子偵測器陣列之間中)、或其某些組合，以操縱從物品170的表面特徵散射的光子。在某些情形中，透鏡可為物鏡，例如包含物件空間遠心透鏡(例如，在無限遠處的入射光瞳)、影像-空間遠心透鏡(例如，在無限遠處的發射光瞳)、或雙遠心透鏡(例如，在無限遠處的二光瞳)等遠心透鏡。將遠心透鏡耦合至光子偵測器陣列會降 低相對於物品的表面特徵之對映位置的誤差，降低物品的表面特徵之失真，以及/或能夠定量分析物品的表面特徵散射的光子，定量分析包含用於物品的表面特徵之尺寸決定的光子散射強度分佈的整合。須瞭解，光學機構120包含一個以上透鏡。
在某些實施例中，光學機構120包含濾波器(未顯示)，例如波長濾波器、帶通濾波器、偏振濾波器、同調濾波器、週期陣列調諧濾波器、及相位濾波器。須瞭解，這些濾波器中之一或更多可以用以操縱物品170的表面特徵散射的光子以區別不同型式的表面特徵。在某些實施例中，可以配合光子發射器110，使用例如帶通濾波器、週期陣列調諧濾波器、及/或相位濾波器等外部濾波器，以在光子發射器110發射的光子抵達物品170的表面之前操縱它們。舉例而言，配合光子發射器110，使用相位濾波器或是波板，以將光子發射至物品170的表面上，以在已知相對於相位是不同地散射光子的表面特徵之間作區別。在另一實例中，使用波長濾波器以在已知相對於波長是不同地散射光子的表面特徵之間作區別，使用偏振濾波器以在已知相對於偏振是不同地散射光子的表面特徵之間作區別，及/或使用同調濾波器以在已知相對於同調是不同地散射光子的表面特徵之間作區別。
在某些實施例中，光學機構120包含反射表面，例如鏡子。舉例而言，鏡子可以是光學等級的鏡子及/或單向鏡子。在某些實施例中，鏡子可以用以操縱從物品170的 表面反射的光子、從物品170的表面特徵散射的光子、及/或其某組合。在某些實施例中，外部鏡子可以用於設備100中，以操縱從光子發射器110發射的光子。舉例而言，鏡子可以定位在設備100中以將反射離開物品170的表面之光子再引回至物品170的表面上，藉以回收在其它情形會損失給環境的光子且使照射至物品170的表面之光子的強度損失最小。
在某些實施例中，設備包含相機130，相機130耦合至光學機構120以及通訊地耦合(未顯示)至電腦150。在某些實施例中，相機130可以配置成記錄物品170的影像以及將記錄的影像傳送給電腦150以用於處理及儲存。相機130可為互補金屬氧化物半導體(CMOS)相機、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)相機、電荷耦合裝置(CCD)相機、電子倍增CCD(EMCDD)相機、或是配置成用於特徵偵測及識別的相機。
在某些實施例中，相機130包含光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)，光子偵測器陣列配置成收集及偵測從物品170的表面上的特徵散射之光子。光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)包括可為相機130的一部份之互補金屬氧化物半導體(CMOS)、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)、電荷耦合裝置(CCD)、或電子倍增CCD(EMCDD)。
在某些實施例中，取決於包含物品的型式、表面特徵的形式(例如，粒子、污痕、刮痕、穴、等等)等等之因 素，有時希望增加相機130之光子偵測器陣列(例如，圖2之光子偵測器陣列202)，以偵測用於偵測、作圖、及/或特徵化物品的表面特徵之更多光子。在某些實施例中，舉例而言，偵測時間增加以偵測更多光子。在這些實施例中，包含電子倍增EMCCD之CCD為基礎的光子偵測器陣列可以用以進一步偵測更多光子。
在某些實施例中，為了最大接收來自一或更多型式的表面特徵之散射光子，光子偵測器陣列及/或相機130可以配向成以最佳距離及/或最佳角度，收集及偵測物品170的表面特徵散射的光子。此角度可為包含光子偵測器陣列至物品170的表面之中心線軸的光線(例如，光子或光線)與在光線延伸的點之法線(亦即，垂直於物品170的表面之線)之間的角度。最佳化角度可以等於或是包含用於一或更多型式的表面特徵的散射角度，以及，散射角度可以是與反射角度不同的角度，反射角等於入射角。舉例而言，光子偵測器陣列及/或相機130以0°至90°範圍的最佳角度配向。此處，如圖1所示，90°的最佳化角度代表在物品170側之光子偵測器陣列及/或相機130的配向，0°的最佳化角度代表光子偵測器陣列或在物品170正上方之光子偵測器陣列。
雖然圖1顯示設有單一光子偵測器陣列的單一相機，其是說明性的而非意圖限定此處所述的發明概念之範圍。在某些實施例中，設備100包括眾多包含眾多光子偵測器陣列的相機。在其它實施例中，設備100包含眾多相機， 其中，各相機包含單一光子偵測器陣列。在另外的實施例中，設備100包含單一包括眾多光子偵測器陣列的相機。
在某些實施例中，設備100又包含電腦150。電腦150通訊地耦合(為了簡明起見未顯示)至相機130，以儲存相機130記錄的物品170的影像。在某些實施例中，電腦150通訊地耦合(為簡明起見未顯示)至表面特徵管理器140，以傳送特定的表面特徵的地點座標給表面特徵管理器140，以及，又促使表面特徵管理器140照射光子至特定的表面特徵上以用於分析及/或移除。
在某些實施例中，電腦150通訊地耦合(未顯示)至光子發射器110，以控制光子如何發射至物品170的表面。在某些情形中，電腦150配置成將光子發射器110移動至為了檢查一或更多型式的特徵而最佳化的距離及/或角度、開啟及/或關閉光子發射器110、及/或在發射光子與未發射光子之模式之間切換。
電腦150也配置成但未侷限於安裝及未安裝物品170於設備100中，以及藉由維持物品170在設備100中的位置以及/或者選加地包含物品170的漸變旋轉以用於逐件檢查，以將物品170定位成用於照明及檢查。在某些實施例中，電腦150配置成例如使用機械致動器而將光學組件插入於光學機構130中、將光學組件定位以用於檢查、調整光學組件(例如聚焦透鏡)及/或調諧光學組件以用於檢查、以及/或者將光學組件移離光學機構120。
在某些實施例中，電腦150可以進一步配置成辨識例 如碟片缺陷等物品170的特徵。舉例而言，電腦150配置成處理來自散射光子的光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)訊號，包含相對於表面特徵的位置之為了更佳準確度的像素插入(例如，比像素尺寸更佳10x)。在某些實施例中，根據光子發射-光子偵測設計，電腦150配置成使光子發射器110的各光子發射器與光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)的各像素感測器(例如，圖2的像素感測器204)同步。
在某些情形中，電腦150映射自光子偵測器陣列訊號或經過處理的光子偵測器陣列訊號的物品表面特徵的位置。舉例而言，電腦150可操作以準確地及/或精確地決定物品表面上的特徵之光子散射強度分佈(例如，圖5A[底部]及5B[底部])。此光子散射強度分佈可以用以定量地且定性地特徵化物品的表面特徵。
如上所述，在某些情形中，電腦150可以定量地及/或定性地特徵化物品的表面特徵。關於物品的表面特徵之定量特徵化，光子散射強度分佈的數學積分提供物品表面特徵的尺寸(例如，體積)。物品的表面特徵之定量特徵化又包含如此處所述的物品上的表面特徵位置的決定。定量特徵化甚至又包含每一物品的表面特徵之總數、或是每一物品的每一單位面積的表面特徵之數目、以及物品上各型式的表面特徵之數目。萬一這些特徵包含可能使物品的性能變差之表面及/或次表面缺陷，則此特徵化資訊被編成遍及一些物品之目錄以及被用來校正製造趨勢。
關於物品的表面特徵之定性特徵化，定性特徵包含物品的表面特徵之形態、外形、或形狀之決定，包括表面特徵是否為粒子、污痕、刮痕、或穴、等等，藉由但不限於光子散射強度分佈的分析，實施決定。定性特徵又包含已知不同地散射光子之表面特徵的化學特徵，例如但未限於某些氧化物，這些氧化物具有不同地及/或有方向地散射光子之小表面。定性特徵甚至又包含在已知相對於波長、偏振、及/或相位濾波器或波板而不同地散射光子之表面特徵之間作區別。
在某些實施例中，物品的一或更多表面特徵的定性特徵化包含使有效缺乏上述濾波器中之一時的光子散射資訊與使用上述濾波器中之一或更多的光子散射資訊作對比，或者，使在有效缺乏上述濾波器中之一時產生的第一表面特徵映射與使用上述濾波器中之一或更多時產生的第二表面特徵映射(或是一些表面特徵映射)對比。萬一這些特徵包含可能使物品的性能變差之表面及/或次表面缺陷時，伴隨定量特徵資訊，此定性特徵資訊編成遍及一些物品的目錄且被用來校正製造趨勢。
在某些實施例中，電腦150執行特定表面特徵的深特徵分析。舉例而言，為回應表面特徵管理器照射光子至例如表面特徵180等選取的表面特徵上，以及又為了回應光學機構120和相機130傳送對應於自選取的表面特徵散射的光子之光子偵測器訊號，電腦150根據光子-偵測器訊號而執行增加的分析，例如拉曼光譜分析、冷光測量、能 耗譜分析、電子光譜分析。依此方式，電腦150用以進行選取的表面特徵之更詳細及廣大的分析。
須瞭解，電腦150可為配置成儲存及執行影像為基礎的特徵偵測及檢測的桌上型電腦、工作站、可攜式裝置(例如，行動裝置、平板電腦、膝上型電腦、或是智慧型手機)、伺服器或是某計算裝置。
在某些實施例中，設備100又包含表面特徵管理器140。在某些實施例中，圖6A-6C中詳細說明的表面特徵管理器140配置成定位例如表面特徵180等特定的表面特徵，以為了深特徵分析而將光子照射至表面特徵。依此方式，可以辨識及校正導致某些型式的表面特徵之製造趨勢，藉以增加產品品質。此外，在某些實施例中，表面特徵管理器140配置成將表面特徵180從物品170的表面移除。依此方式，在某些實施例中，此處所述的設備100提供機構以搶救具有缺陷的物品，而不是放棄物品，造成比其它物品檢查機構更高的產能。
又須瞭解，此處所述的設備100配置成以大於或等於物品或其工件的生產速率之速率來處理或檢查物品。以大於或等於物品或其工件的生產速率之速率來處理或檢查物品是此處所述的設備100的很多特點之功能，包含但不限於處理或檢查期間無需被移動(例如為了掃描)之光子發射器及/或物品。舉例而言，藉由光子發射器110，例如硬碟機的硬碟等物品在處理或檢查期間無需旋轉。如此，設備100將物品保持不動並發射光子至物品表面，由於物品 能被快速地檢查並維持在靜態位置，因而節省時間。
現在參考圖2，顯示根據本實施例的一態樣，從物品的表面特徵散射而經過光學機構到達光子偵測器的光子圖示。如圖2所示，物品170包括表面172及表面特徵180。雖然圖2顯示具有單一表面特徵的物品，其是要作為實例而非企圖限制發明概念的範圍。須瞭解，物品具有一個以上因特徵偵測、辨識、特徵分析、及/或特徵移除而成像的特徵。
從例如圖1的光子發射器110等光子發射器或是多個光子發射器發射的光子由表面特徵180散射，及由光學機構120結合相機130的光子偵測器陣列202而收集及偵測，光子偵測器陣列是定位在最佳地接收一或更多型式的特徵散射之光子的之距離及/或角度(例如，具有最小背景雜訊的光子最大接收)。
光學機構120包括遠心透鏡，可以收集並將從表面特徵180散射的光子聚焦至光子偵測器陣列202的一或更多像素感測器204上，各像素感測器204包括耦合至放大器的光子偵測器(例如，CMOS/sCMOS為基礎的光子偵測器陣列)。一或更多像素感測器204均對應於物品170的表面172之特定的、固定的面積及物品170的表面特徵的映射中的像素，可以提供一或更多訊號例如圖1中所示的電腦150，用於映射表面特徵180的位置，或者決定表面特徵180的位置。
圖5A(頂部)顯示圖4中提供的表面特徵映射之一部份 的放大影像中特徵的實例，接著是圖3中提供的表面特徵映射之一部份的放大影像的說明實例。例如圖1的電腦150等電腦或均等裝置後續會使用像素插入，圖5A(底部)，以用於映射表面特徵。圖5B提供例如來自圖5A的表面特徵等表面特徵的像素插入影像的說明實例。
雖然圖3-4及圖5A-5B顯示磁性媒體的影像，但是，須瞭解，說明是說明性的而非企圖限定此處所述的發明概念的範圍。須瞭解，如圖3-4及圖5A-5B中所示的像素插入、製作映射、及成像可以在不同的製造階段用於物品。
現在參考圖6A，顯示根據本實施例之一態樣，表面特徵管理器140定位及照射光子190a至預選取的物品表面特徵。在某些實施例中，表面特徵管理器根據電腦150產生的物品170的表面特徵位置映射而定位特定的表面特徵。在某些實施例中，電腦150根據x軸及y軸座標系統而產生物品170的映射。在此舉例說明的實施例中，x軸及y軸分別意指關於物品170的縱向及橫向。
在電腦150產生映射之後，選取表面特徵以用於深特徵分析。在某些實施例中，自動地選取及/或根據使用者選取而選取表面特徵。在此舉例說明的實施例中，選取表面特徵180以用於深特徵分析，以及，電腦150傳送表面特徵180的位置座標(例如，x軸及y軸座標)給表面特徵管理器140。
表面特徵管理器140根據位置座標以將表面特徵180定位，以及，將光子照射至表面特徵180上。在某些實施 例中，表面特徵管理器140包含發射光子的光子源602(圖6B)、以及例如鏡子等反射表面604a-604c，如圖6B所示，反射表面604a-604c將光子源發射的光子導引至表面特徵180。當表面特徵管理器140接收表面特徵180的位置座標時，如圖6A中所示，反射表面604a、604b、及604c傾斜及/或圍繞x軸及/或y軸方向樞轉，以促使發射的光子190a(圖6A)照射表面特徵180。
在某些實施例中，一旦光子190a被導引至表面特徵180上時，表面特徵180可以被進一步分析。在某些情形中，照射至表面特徵180上的光子190a具有足以照射表面特徵180供分析表面特徵180之用的低功率。舉例而言，表面特徵管理器140發射例如雷射光束等準直光至表面特徵180上，而使雷射光束散射離開表面特徵180。如圖1所示，自表面特徵180散射的雷射光束由光學機構120及/或相機130的光子偵測器陣列(例如，圖2的光子偵測器陣列202)捕捉，然後，光子偵測器訊號傳送給電腦150以分析及處理光子偵測器訊號。在此舉例說明的實施例中，根據光子偵測器訊號，電腦150執行表面特徵180的拉曼光譜分析、冷光測量、及/或執行如此處所述的表面特徵180的定性及/或定量特徵化。
在某些實施例中，表面特徵管理器140照射電子束、離子束、及/或X光至表面特徵180上而非照射準直光至表面特徵180上。須瞭解，以上述源照射表面特徵180，表面特徵180對各源不同地反應以及允許表面特徵180不 同型式的分析。亦即，相較於離子束，表面特徵180對照射至其上的電子束不同地反應，以及相對於X光又不同地反應，這顯示不同型式的資訊。根據表面特徵180對特定型式的源之反應，執行不同型式的分析。舉例而言，當電子束照射至表面特徵180上時，電腦150也執行能耗譜分析及/或電子光譜分析。
在某些實施例中，表面特徵管理器140配置成照射準直光、電子束、離子束、及X光的不同組合。在此舉例說明的實施例中，須瞭解，可以根據照射表面特徵180的源型式，執行表面特徵的不同組合分析，例如拉曼光譜分析、冷光測量、能耗譜分析、電子光譜分析、及/或其某些組合。
又瞭解，當物品行經生產線時，表面特徵管理器140、相機130、光學機構120及電腦150的組合允許特定表面特徵之幾乎即時的深分析。也瞭解，設備100藉由執行個別表面特徵的標靶深分析而提供方便性及一定的時間效率，而不用利用分開的專用移除裝置且又不用從生產線移除物品。
現在參考圖6C，顯示根據本實施例的一態樣，表面特徵管理器從物品移除預選取的表面特徵。在某些實施例中，使用表面特徵管理器以藉由照射光子來移除特定的表面特徵而搶救物品，而非廢棄具有例如缺陷等某表面特徵的物品。在表面特徵管理器140接收表面特徵180的位置座標之後(例如圖6A中所述般)，表面特徵管理器140 定位表面特徵180的位置，接著，照射例如雷射光等具有足夠功率的準直光190b(圖6C)，以使表面特徵180蒸發或是切開物品170的表面。須瞭解，相較於習知的檢查設備製造的物品，藉由從物品表面移除缺陷，可以產生更有用的物品。
又須瞭解，由於設備100提供結合的機構以定位、分析、及移除物品的表面特徵，所以，如此處所述地取得一定的效率。舉例而言，設備100允許幾乎即時定辨識及定位物體表面上的缺陷，以及，相對於耗時的及時間加強之習知機構，幾乎即時解決(例如，缺陷的移除)問題。此外，設備100提供機構，以作更多標靶分析及/或個別表面特徵的移除，這增加物品生產效率。
如此，此處提供的設備包含：光子發射器，配置成發射光子至物品的表面；光子偵測器，配置成接收從物品的表面特徵散射的光子；映射機構，根據從光子偵測器接收的資訊，產生物品的表面特徵的位置映射；以及，表面特徵管理器，配置成至少部份地使用表面特徵位置的映射，以定位及特別定照射光子至從映射的表面特徵預選的表面特徵。
在某些實施例中，預選的表面特徵是物品的單一表面特徵。在某些實施例中，表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引照射光子至預選的表面特徵之位置。在某些實施例中，映射機構將預選的表面特徵的位置座標傳送至表面特徵管理器，以及，表面特徵管理器 根據接收自映射機構的位置座標而定位預選的表面特徵。
在某些實施例中，光子偵測器又配置成接收自預選的表面特徵散射的照射光子，以及，映射機構又配置成根據接收自光子偵測器的資訊而分析及分類預選的表面特徵。在某些實施例中，表面特徵管理器又配置成移除預選的表面特徵。在某些實施例中，設備又包含耦合至光子偵測器的遠心透鏡。在某些實施例中，光子偵測器包含互補金屬氧化物半導體(CMOS)、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)、或是電荷耦合裝置(CCD)。
此處也提供設備，其包含：映射機構，根據對應於物品表面特徵散射之光子之光子偵測器訊號，產生物品的表面特徵的位置映射；以及，表面特徵管理器。在某些實施例中，表面特徵管理器配置成：至少部份地根據表面特徵位置的映射，定位物品表面特徵之預定表面特徵，將具有第一功率的光子照射至預定表面特徵的位置以分析預定表面特徵，以及，將具有第二功率的光子照射至預定表面特徵的位置以移除預定的表面特徵。
在某些實施例中，第一及第二功率是不同的。在某些實施例中，表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引照射光子至預選的表面特徵之位置。在某些實施例中，映射機構將預選的表面特徵的位置座標傳送至表面特徵管理器，以及，表面特徵管理器根據接收自映射機構的位置座標而定位預選的表面特徵。在某些實施例中，設備又包含光子偵測器，配置成接收自物品的表面特 徵散射的光子以及傳送光子偵測器訊號至映射機構。
此處也提供設備，其包含：處理機構，配置成從物品表面特徵的表面特徵映射選取用於移除的表面特徵，其中，表面特徵映射包含根據對應於表面特徵散射的光子之光子偵測器訊號之物品的表面特徵的位置座標。在某些實施例中，設備又包含表面特徵管理器，配置成根據從處理機構接收的選取的表面特徵之位置座標，以定位選取的表面特徵，以及，照射光子至選取的表面特徵以將選取的表面特徵從物品移除。
在某些實施例中，表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引照射光子至預選的表面特徵之位置。在某些實施例中，表面特徵管理器配置成照射光子至選取的表面特徵的位置上，以在照射光子以移除選取的表面特徵之前分析選取的表面特徵。在某些實施例中，表面特徵管理器配置成照射具有第一功率的光子至選取的表面特徵之位置上以分析選取的表面特徵，以及，表面特徵管理器照射具有第二功率的光子以移除選取的表面特徵。在某些實施例中，第一及第二光率是不同的。
在某些實施例，設備又包含光子偵測器，配置成接收從物品的表面特徵散射的光子以及傳送光子偵測器訊號給處理機構。在某些實施例中，光子偵測器包含互補金屬氧化物半導體(CMOS)、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)、或是電荷耦合裝置(CCD)。
雖然此處已說明及/或顯示某些特別實施例，且相當 詳細地說明及/或顯示這些特定實施例，但是，申請人並非企圖使這些特定的實施例限定此處所呈現的概念之範圍。對於具有此技藝的一般技術者，容易知道其它適應化及/或修改，廣義而言，這些適應化及/或修改也被涵蓋在內。因此，在不悖離此處提供的概念之範圍之下，可以對上述實施例作改變。此處提供的實施及其它實施是在下述申請專利範圍的範圍之內。

Claims (20)

  1. 一種物品的表面特徵偵測及檢查設備，包括：光子發射器，配置成發射光子至物品的表面；光子偵測器，配置成接收從該物品的表面特徵散射的光子；映射機構，根據從該光子偵測器接收的資訊，產生該物品的表面特徵的位置映射；以及，表面特徵管理器，配置成至少部份地使用該表面特徵位置的映射，以定位及照射光子至從映射的表面特徵預選的表面特徵上。
  2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該預選的表面特徵是該物品的單一表面特徵。
  3. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引該照射光子至該預選的表面特徵之位置。
  4. 如申請專利範圍第1項之設備，其中：該映射機構將該預選的表面特徵的位置座標傳送至該表面特徵管理器；以及，該表面特徵管理器根據接收自該映射機構的該位置座標而定位該預選的表面特徵。
  5. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該光子偵測器又配置成接收自該預選的表面特徵散射的該照射光子；以及，該映射機構又配置成根據接收自該光子偵測器的資訊 而分析及分類該預選的表面特徵。
  6. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該表面特徵管理器又配置成移除該預選的表面特徵。
  7. 如申請專利範圍第1項之設備，又包含耦合至該光子偵測器的遠心透鏡。
  8. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該光子偵測器包含互補金屬氧化物半導體(CMOS)、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)、或是電荷耦合裝置(CCD)。
  9. 一種物品的表面特徵偵測及檢查設備，包括：映射機構，根據對應於物品表面特徵散射之光子的光子偵測器訊號，產生該物品的表面特徵的位置映射；以及，表面特徵管理器，配置成：至少部份地根據該表面特徵位置的映射，定位該物品表面特徵之預定表面特徵，將具有第一功率的光子照射至該預定表面特徵的位置以分析該預定表面特徵，以及，將具有第二功率的光子照射至該預定表面特徵的位置以移除該預定的表面特徵。
  10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中，該第一及第二功率是不同的。
  11. 如申請專利範圍第9項之設備，其中，該表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引該照射光子至該預選的表面特徵之位置。
  12. 如申請專利範圍第9項之設備，其中：該映射機構將該預選的表面特徵的位置座標傳送至該表面特徵管理器；以及，該表面特徵管理器根據接收自該映射機構的該位置座標而定位該預選的表面特徵。
  13. 如申請專利範圍第9項之設備，又包含光子偵測器，配置成接收自該物品的表面特徵散射的光子以及傳送光子偵測器訊號至映射機構。
  14. 一種物品的表面特徵偵測及檢查設備，包含：處理機構，配置成：從物品表面特徵之表面特徵映射選取用於移除的表面特徵，其中，該表面特徵映射包含根據對應於該表面特徵散射的光子之光子偵測器訊號之該物品的表面特徵的位置座標；以及表面特徵管理器，配置成：根據從該處理機構接收的該選取的表面特徵之位置座標，以定位該選取的表面特徵，以及照射光子至該選取的表面特徵上以將該選取的表面特徵從該物品移除。
  15. 如申請專利範圍第14項之設備，其中，該表面特徵管理器包含一或更多反射表面，配置成可控制地導引該照射光子至該預選的表面特徵之位置。
  16. 如申請專利範圍第14項之設備，其中，該表面特徵管理器配置成照射光子至該選取的表面特徵的位置， 以在照射光子以移除該選取的表面特徵之前分析該選取的表面特徵。
  17. 如申請專利範圍第16項之設備，其中：該表面特徵管理器配置成照射具有第一功率的光子至該選取的表面特徵之位置上以分析該選取的表面特徵；以及，該表面特徵管理器照射具有第二功率的光子以移除該選取的表面特徵。
  18. 如申請專利範圍第17項之設備，其中該第一及第二光率是不同的。
  19. 如申請專利範圍第14項之設備，又包括光子偵測器，配置成接收從該物品的表面特徵散射的光子以及傳送光子偵測器訊號給該處理機構。
  20. 如申請專利範圍第19項之設備，其中，該光子偵測器包括互補金屬氧化物半導體(CMOS)、科學互補金屬氧化物半導體(sCMOS)、或是電荷耦合裝置(CCD)。
TW103119028A 2013-05-30 2014-05-30 物品的表面特徵偵測及檢查設備 TWI633295B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361829131P 2013-05-30 2013-05-30
US61/829,131 2013-05-30
US14/194,417 2014-02-28
US14/194,417 US9274064B2 (en) 2013-05-30 2014-02-28 Surface feature manager

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201514466A TW201514466A (zh) 2015-04-16
TWI633295B true TWI633295B (zh) 2018-08-21

Family

ID=51984745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103119028A TWI633295B (zh) 2013-05-30 2014-05-30 物品的表面特徵偵測及檢查設備

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9274064B2 (zh)
CN (1) CN105358961A (zh)
MY (1) MY178540A (zh)
SG (1) SG11201509685WA (zh)
TW (1) TWI633295B (zh)
WO (1) WO2014194177A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2872898A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Seagate Technology Llc Surface features mapping
US9212900B2 (en) 2012-08-11 2015-12-15 Seagate Technology Llc Surface features characterization
US9297751B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Chemical characterization of surface features
US9297759B2 (en) * 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Classification of surface features using fluorescence
US9377394B2 (en) 2012-10-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Distinguishing foreign surface features from native surface features
US9217714B2 (en) 2012-12-06 2015-12-22 Seagate Technology Llc Reflective surfaces for surface features of an article
US9201019B2 (en) * 2013-05-30 2015-12-01 Seagate Technology Llc Article edge inspection
US9217715B2 (en) * 2013-05-30 2015-12-22 Seagate Technology Llc Apparatuses and methods for magnetic features of articles
US9513215B2 (en) * 2013-05-30 2016-12-06 Seagate Technology Llc Surface features by azimuthal angle
JP2016206109A (ja) * 2015-04-27 2016-12-08 株式会社日立ハイテクファインシステムズ 磁気ディスク検査装置及び磁気ディスク検査方法
TWI779357B (zh) * 2020-09-23 2022-10-01 南亞科技股份有限公司 偵測物品表面缺陷的方法及其系統

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201312098A (zh) * 2011-07-12 2013-03-16 Kla Tencor Corp 晶圓檢測

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4207467A (en) 1978-09-05 1980-06-10 Laser Precision Corp. Film measuring apparatus and method
US4806776A (en) 1980-03-10 1989-02-21 Kley Victor B Electrical illumination and detecting apparatus
US4598997A (en) 1982-02-15 1986-07-08 Rca Corporation Apparatus and method for detecting defects and dust on a patterned surface
US4477890A (en) 1982-03-01 1984-10-16 Discovision Associates Mapping disc defect detector
GB2130835A (en) 1982-10-04 1984-06-06 Andrzej Kamil Drukier Apparatus for the diagnosis of body structures into which a gamma-emitting radioactive isotape has been introduced
US4551919A (en) 1982-10-27 1985-11-12 Mitutoyo Mfg. Co., Ltd. Measuring instrument
US4794550A (en) 1986-10-15 1988-12-27 Eastman Kodak Company Extended-range moire contouring
GB8729246D0 (en) 1987-12-15 1988-01-27 Renishaw Plc Opto-electronic scale-reading apparatus
US5131755A (en) 1988-02-19 1992-07-21 Chadwick Curt H Automatic high speed optical inspection system
US5066130A (en) 1988-05-10 1991-11-19 Canon Kabushiki Kaisha Displacement measuring apparatus
US5058178A (en) 1989-12-21 1991-10-15 At&T Bell Laboratories Method and apparatus for inspection of specular, three-dimensional features
DE4222804A1 (de) 1991-07-10 1993-04-01 Raytheon Co Einrichtung und verfahren zur automatischen visuellen pruefung elektrischer und elektronischer baueinheiten
US5168322A (en) 1991-08-19 1992-12-01 Diffracto Ltd. Surface inspection using retro-reflective light field
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
JPH06241758A (ja) 1993-02-15 1994-09-02 Canon Inc 欠陥検査装置
DE69421844T2 (de) 1993-04-23 2000-06-29 Research Development Corp. Of Japan, Kawaguchi Verfahren zur Kontrolle der Schichtdicke und/oder des Brechungsindexes
US5627638A (en) 1993-07-01 1997-05-06 Prolaser Ltd. Method and apparatus for detecting defects in lenses
IL110618A (en) 1994-08-10 1996-12-05 Optomic Techn Corp Ltd Device for testing optical elements
JP3483948B2 (ja) 1994-09-01 2004-01-06 オリンパス株式会社 欠陥検出装置
US5548403A (en) 1994-11-28 1996-08-20 The Regents Of The University Of California Phase shifting diffraction interferometer
JPH08178867A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Aichi Steel Works Ltd 平鋼熱間探傷装置
US5726455A (en) 1995-06-30 1998-03-10 Stormedia, Inc. Disk film optical measurement system
US5778039A (en) 1996-02-21 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for the detection of light elements on the surface of a semiconductor substrate using x-ray fluorescence (XRF)
US5661559A (en) 1996-03-14 1997-08-26 Phase Metrics, Inc. Optical surface detection for magnetic disks
US5781649A (en) 1996-04-15 1998-07-14 Phase Metrics, Inc. Surface inspection of a disk by diffraction pattern sampling
US6556783B1 (en) 1997-01-16 2003-04-29 Janet L. Gelphman Method and apparatus for three dimensional modeling of an object
JP3692685B2 (ja) 1997-02-19 2005-09-07 株式会社ニコン 欠陥検査装置
US5774212A (en) 1997-03-19 1998-06-30 General Electric Co. Method and apparatus for detecting and analyzing directionally reflective surface flaws
US5898491A (en) 1997-03-28 1999-04-27 Hitachi Electronics Engineering Co. Ltd. Surface defect test method and surface defect tester
DE19717488C2 (de) 1997-04-25 2003-05-15 Baumer Optronic Gmbh Vorrichtung zur Inspektion der Oberfläche von Objekten
US5859698A (en) 1997-05-07 1999-01-12 Nikon Corporation Method and apparatus for macro defect detection using scattered light
WO1999027623A1 (en) * 1997-11-25 1999-06-03 Spectra Science Corporation Self-targeting reader system for remote identification
US5973839A (en) 1998-03-05 1999-10-26 Hewlett-Packard Company Optical homogenizer
US20010036588A1 (en) 1998-05-05 2001-11-01 Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh Lithographic imaging of a structure pattern onto one or more fields on a substrate
IL126866A (en) 1998-11-02 2003-02-12 Orbotech Ltd Apparatus and method for fabricating flat workpieces
US6256097B1 (en) 1999-01-08 2001-07-03 Rudolph Technologies, Inc. Ellipsometer and ellipsometry method
DE19909534B4 (de) 1999-03-04 2011-07-07 BYK-Gardner GmbH, 82538 Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Qualität strukturierter Oberflächen
US6529270B1 (en) 1999-03-31 2003-03-04 Ade Optical Systems Corporation Apparatus and method for detecting defects in the surface of a workpiece
EP1116932A3 (de) 2000-01-14 2003-04-16 Leica Microsystems Wetzlar GmbH Messgerät und Verfahren zun Vermessen von Strukturen auf einem Substrat
US6476908B1 (en) 2000-04-10 2002-11-05 Eclipse Optics, Inc. Optical probe
US6483584B1 (en) 2000-04-14 2002-11-19 National Science Council Device for measuring the complex refractive index and thin film thickness of a sample
US7751609B1 (en) 2000-04-20 2010-07-06 Lsi Logic Corporation Determination of film thickness during chemical mechanical polishing
US6392745B1 (en) 2000-06-13 2002-05-21 American Air Liquide, Inc. Method and apparatus for the fast detection of surface characteristics
FR2811761B1 (fr) 2000-07-17 2002-10-11 Production Rech S Appliquees Ellipsometre a haute resolution spatiale fonctionnant dans l'infrarouge
JP2002190444A (ja) 2000-10-10 2002-07-05 Canon Inc パターン露光装置、パターン作製方法、及びこれらを用いて作製したデバイス
AU2002219847A1 (en) 2000-11-15 2002-05-27 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6809809B2 (en) 2000-11-15 2004-10-26 Real Time Metrology, Inc. Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US6515742B1 (en) * 2000-11-28 2003-02-04 Memc Electronic Materials, Inc. Defect classification using scattered light intensities
US6509966B2 (en) 2000-12-27 2003-01-21 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Optical system for detecting surface defect and surface defect tester using the same
US6617603B2 (en) 2001-03-06 2003-09-09 Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. Surface defect tester
US6778273B2 (en) 2001-03-30 2004-08-17 Therma-Wave, Inc. Polarimetric scatterometer for critical dimension measurements of periodic structures
US6617087B1 (en) 2001-06-27 2003-09-09 Advanced Micro Devices, Inc. Use of scatterometry to measure pattern accuracy
JP2003202214A (ja) 2002-01-04 2003-07-18 Mitsubishi Electric Corp 形状計測装置および形状計測方法
JP4102081B2 (ja) 2002-02-28 2008-06-18 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨面の異物検出方法
KR100798320B1 (ko) 2002-03-06 2008-01-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 패널의 검사 장치 및 그 방법
US20040207836A1 (en) 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
EP1576355A2 (en) * 2002-09-30 2005-09-21 Applied Materials Israel Ltd. Illumination system for optical inspection
US6847907B1 (en) * 2002-12-31 2005-01-25 Active Optical Networks, Inc. Defect detection and repair of micro-electro-mechanical systems (MEMS) devices
DE10313038B4 (de) 2003-03-24 2005-02-17 Klingelnberg Gmbh Vorrichtung zur Erfassung der Lage eines Tastelements in einem Mehrkoordinatenmessgerät
US9022037B2 (en) * 2003-08-11 2015-05-05 Raydiance, Inc. Laser ablation method and apparatus having a feedback loop and control unit
US20050067740A1 (en) * 2003-09-29 2005-03-31 Frederick Haubensak Wafer defect reduction by short pulse laser ablation
US7433031B2 (en) 2003-10-29 2008-10-07 Core Tech Optical, Inc. Defect review system with 2D scanning and a ring detector
WO2005100961A2 (en) 2004-04-19 2005-10-27 Phoseon Technology, Inc. Imaging semiconductor strucutures using solid state illumination
DE102004029014B4 (de) 2004-06-16 2006-06-22 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren und System zur Inspektion eines Wafers
US7580126B2 (en) 2004-06-30 2009-08-25 Chemimage Corp. Method and apparatus for producing a streaming Raman image of nucleation, aggregation, and chemical interaction
JP2006030851A (ja) 2004-07-21 2006-02-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc コンタクトレンズ材料
US7489399B1 (en) 2004-08-20 2009-02-10 Kla-Tencor Corporation Spectroscopic multi angle ellipsometry
US7286218B2 (en) 2004-12-19 2007-10-23 Kla-Tencor Technologies Corporation System and method for inspecting a workpiece surface using surface structure spatial frequencies
US20060147814A1 (en) * 2005-01-03 2006-07-06 Ted Liang Methods for repairing an alternating phase-shift mask
CN100427932C (zh) * 2005-07-12 2008-10-22 中国科学院上海光学精密机械研究所 具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
US7463369B2 (en) 2006-03-29 2008-12-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measuring one or more characteristics of patterned features on a specimen
WO2007121208A2 (en) 2006-04-11 2007-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanometer-precision tip-to-substrate control and pattern registration for scanning-probe lithography
US20090122304A1 (en) 2006-05-02 2009-05-14 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
JP4959225B2 (ja) 2006-05-17 2012-06-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光学式検査方法及び光学式検査装置
JP5138268B2 (ja) 2006-06-14 2013-02-06 株式会社タニタ 寸法測定装置
IL184060A0 (en) * 2006-06-26 2008-01-20 Orbotech Ltd Alignment of printed circuit board targets
TWI429896B (zh) 2006-07-27 2014-03-11 Rudolph Technologies Inc 橢圓偏光測定儀器及監控製程之方法
JP4843399B2 (ja) 2006-07-31 2011-12-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置及び検査方法
KR100763942B1 (ko) 2006-09-04 2007-10-05 (주)포씨스 표면검사장치
EP1901190A1 (en) 2006-09-15 2008-03-19 Sony DADC Austria AG Method and system for managing access to add-on data files
US7714996B2 (en) 2007-01-23 2010-05-11 3i Systems Corporation Automatic inspection system for flat panel substrate
KR20100007968A (ko) 2007-05-14 2010-01-22 가부시키가이샤 니콘 표면검사장치 및 표면검사방법
US7636156B2 (en) 2007-06-15 2009-12-22 Qimonda Ag Wafer inspection system and method
JP2009014510A (ja) 2007-07-04 2009-01-22 Hitachi High-Technologies Corp 検査方法及び検査装置
JP2009139248A (ja) 2007-12-07 2009-06-25 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検出光学系および欠陥検出画像処理を搭載した表面欠陥検査装置
KR100913484B1 (ko) 2008-02-19 2009-08-25 에스엔유 프리시젼 주식회사 암시야 검사장치
JP5198189B2 (ja) 2008-08-29 2013-05-15 富士フイルム株式会社 ハードディスク検査装置
JP5341440B2 (ja) 2008-09-10 2013-11-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP5469839B2 (ja) 2008-09-30 2014-04-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 物体表面の欠陥検査装置および方法
JP5027775B2 (ja) 2008-10-03 2012-09-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板表面形状検出方法及びその装置
JP4719284B2 (ja) 2008-10-10 2011-07-06 トヨタ自動車株式会社 表面検査装置
EP2430392B1 (en) * 2009-05-15 2015-07-22 Michigan Aerospace Corporation Range imaging lidar
KR101123638B1 (ko) 2009-08-26 2012-03-20 주식회사 케이엔제이 스크래치 검사장치 및 방법
JP5282002B2 (ja) 2009-09-30 2013-09-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁気ディスクの両面欠陥検査方法及びその装置
JP5321490B2 (ja) 2010-02-08 2013-10-23 新日鐵住金株式会社 微粒子分析方法
JP2012026862A (ja) 2010-07-23 2012-02-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 表面検査装置、表面検査方法
JP2012078140A (ja) 2010-09-30 2012-04-19 Hitachi High-Technologies Corp 基板表面欠陥検査方法およびその装置
JP5721070B2 (ja) 2011-03-08 2015-05-20 国立研究開発法人産業技術総合研究所 光学特性測定装置
US9075934B2 (en) * 2011-09-24 2015-07-07 Globalfoundries Inc. Reticle defect correction by second exposure
JP5875812B2 (ja) 2011-09-27 2016-03-02 オリンパス株式会社 顕微鏡システムおよび照明強度調整方法
CA2872898A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Seagate Technology Llc Surface features mapping
US9212900B2 (en) 2012-08-11 2015-12-15 Seagate Technology Llc Surface features characterization
US9297751B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Chemical characterization of surface features
US9297759B2 (en) 2012-10-05 2016-03-29 Seagate Technology Llc Classification of surface features using fluorescence
US9377394B2 (en) 2012-10-16 2016-06-28 Seagate Technology Llc Distinguishing foreign surface features from native surface features
US20140129179A1 (en) 2012-11-08 2014-05-08 Datacolor, Inc. System and apparatus for multi channel gloss measurements
US9217714B2 (en) 2012-12-06 2015-12-22 Seagate Technology Llc Reflective surfaces for surface features of an article
US9513215B2 (en) 2013-05-30 2016-12-06 Seagate Technology Llc Surface features by azimuthal angle
US9217715B2 (en) 2013-05-30 2015-12-22 Seagate Technology Llc Apparatuses and methods for magnetic features of articles
US9581554B2 (en) 2013-05-30 2017-02-28 Seagate Technology Llc Photon emitter array
US9201019B2 (en) 2013-05-30 2015-12-01 Seagate Technology Llc Article edge inspection

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201312098A (zh) * 2011-07-12 2013-03-16 Kla Tencor Corp 晶圓檢測

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201509685WA (en) 2015-12-30
US20160139060A1 (en) 2016-05-19
US20140354981A1 (en) 2014-12-04
TW201514466A (zh) 2015-04-16
US9488594B2 (en) 2016-11-08
MY178540A (en) 2020-10-15
WO2014194177A1 (en) 2014-12-04
US9274064B2 (en) 2016-03-01
CN105358961A (zh) 2016-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI633295B (zh) 物品的表面特徵偵測及檢查設備
US9810633B2 (en) Classification of surface features using fluoresence
US9952151B2 (en) Surface features by azimuthal angle
US9869639B2 (en) Photon emitter array including photon emitters with different orientations
US9766179B2 (en) Chemical characterization of surface features
JP6214323B2 (ja) 異質な表面特徴と固有の表面特徴とを区別するための装置
US9863876B2 (en) Reflective surfaces for surface features of an article
JP6486515B2 (ja) 表面特徴マッピング
US9201019B2 (en) Article edge inspection
JP2015531068A (ja) 表面特徴の特徴決定
KR20140048831A (ko) 포린 표면 피처들과 네이티브 표면 피처들의 구별

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees