KR20100007968A - 표면검사장치 및 표면검사방법 - Google Patents

표면검사장치 및 표면검사방법 Download PDF

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KR20100007968A
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나오시 사카구치
다카시 와타나베
다이사쿠 모치다
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

검사 대상의 기판이 경사진 엣지 부분을 상기 엣지 부분의 법선 방향으로부터 소정의 각도만큼 어긋나게 한 방향으로부터 조명하는 조명부와, 엣지 부분으로부터의 회절광을 결상시키는 결상 광학계와, 결상 광학계에 의해서 얻어진 상을 촬상하는 촬상부와, 촬상부에 의해서 얻어진 엣지 부분에 대응하는 화상에 선형상의 상이 나타나는지의 여부에 기초하여, 결함의 유무를 검출하는 검출 수단을 구비한다.

Description

표면검사장치 및 표면검사방법{SURFACE TESTER AND SURFACE TESTING METHOD}
본 발명은, 집적회로 제조에 이용되는 반도체 웨이퍼의 엣지 부분(Edge part)의 표면검사장치 및 표면검사방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 한다) 상의 집적회로가 형성되는 영역에 대해서는, 다양한 표면 검사 수법이 제안되고 있으며, 또한, 표면 전체를 개관하는 매크로 검사장치 및 웨이퍼의 일부 영역에 대하여 미세한 검사가 가능한 마이크로 검사장치 등이 실현되어 있다. 이들 자동 검사장치는, 경면 마무리된 평면의 결함을 검사하는 것을 전제로 하여 구성되어 있다.
이에 대해서, 웨이퍼의 엣지 부분은, 원반 형상의 웨이퍼의 바깥가장자리 부분에 해당하는 둥근 고리 형상의 부분으로서, 웨이퍼의 평탄한 표면에 대해서 경사져 있는 경사 부분(이하, 베벨부(Bevel part)라 한다)과 웨이퍼 표면과 거의 수직인 단면부(이하, 아펙스부(Apex part)라 한다)로 이루어져 있으며, 또한, 상술한 베벨부의 경사각이 주변부를 향함에 따라 증대하여 아펙스부로 연결되어 있는 등의 특징을 가지고 있다.
또한, 경면 마무리가 실시된 후, 여러 다양한 공정에서 레지스트막이나 보호막이 정밀한 관리하에서 실시되는 집적회로 형성 영역에 대해서, 엣지 부분에서는, 가공이 비교적 조잡하고, 또한, 리소그래피 공정 등에서의 레지스트막 등에 관한 도포 관리도 엣지 부분에는 미치지 않았다.
이 때문에, 엣지 부분에는, 집적회로 형성 영역에 영향을 미칠 우려가 있는 결함이 있거나, 이러한 결함 부분이 여러 공정에서의 처리중 혹은 반송중에 붕괴되어 발생한 파티클이 부착하거나 할 가능성이 있다. 또한, 여러가지 막의 박리나 막내의 기포의 유무, 막의 피착 등이, 후속 공정에 악영향을 미치는 경우도 있다.
이러한 결함을 검출하기 위한 엣지 부분의 검사 수법으로서는, 예를 들면, 레이저광 등의 조사에 의한 산란광에서의 이물질 검지 수법이나, 확산광에 의해서 엣지 부분을 조명했을 때의 명암도로부터 미소 결함 등의 요철을 검출하는 수법(특허문헌 1 참조) 등이 제안되고 있다.
특허문헌 1 :일본 공개특허공보2003-139523호
[발명의 개시]
[발명이 해결하고자 하는 과제]
그런데, 근래에는, 엣지 부분에 부착하고 있는 미세한 파티클 등이, 반송중 등에 집적회로가 형성되는 영역으로 이동하여 레지스트막의 도포나 노광 처리 등에 영향을 주거나 타흔(打痕) 등의 미소 결함이 여러가지 공정중에 집적회로 형성 영역에까지 미치는 파손으로 이어지거나 하는 것을 알 수 있다.
이 때문에, 이 엣지 부분을 연마하여, 치명적인 파손에 이르기 전에 타흔 등의 미소 결함을 제거하고, 또한, 파티클의 발생이나 부착을 방지하는 수법이 제안되어 있다.
이러한 수법을 채용한 경우에는, 연마에 의해서 미소 결함이 제거되는 한편, 연마하는 것에 의해서 엣지 부분에 연마 자국이 남을 가능성이 있기 때문에, 연마된 엣지 부분의 표면을 검사하여 연마 자국이 남아 있는지의 여부를 판별하는 기술이 필요하다.
연마에 의해서 형성되는 연마 자국은, 깊이가 1마이크론 이하로 극히 미세하기 때문에, 이러한 연마 자국을 관찰하는 방법으로서는, 종래에는, 주사형 전자현미경(SEM) 등의 고배율의 현미경을 이용할 필요가 있었다. 그러나, 그러기 위해서는, 웨이퍼의 일부를 시료로서 절단하는 등의 파괴적인 처리가 필요하고, 집적회로 제조 과정에서의 웨이퍼의 검사로서 적용할 수 없었다.
본 발명은, 웨이퍼의 엣지 부분의 연마 자국을 포함한 미세한 결함을 검출하는 표면검사장치 및 표면검사방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
상술한 목적은, 검사 대상인 기판이 경사진 엣지 부분을 엣지 부분의 법선 방향으로부터 소정의 각도만큼 어긋나게 한 방향으로부터 조명하는 조명부와, 엣지 부분으로부터의 회절광을 결상시키는 결상 광학계(Imaging optical system)와, 결상 광학계에 의해서 얻어진 상을 촬상하는 촬상부(Imaging part)와, 촬상부에 의해서 얻어진 엣지 부분에 대응하는 화상에 선형상의 상이 나타나는지의 여부에 대하여, 결함의 유무를 검출하는 검출부를 구비한 표면검사장치에 의해서 달성된다.
또한, 상술한 목적은, 상술한 표면검사장치에서, 조명부에, 백색광을 방사하는 백색광원을 구비하여 구성되는 표면검사장치에 의해서 달성할 수도 있다.
마찬가지로, 상술한 목적은, 상술한 표면검사장치에서, 검사 대상의 기판의 중심 부근을 회전축으로 하여 기판과 조명부 및 결상 광학계를 상대적으로 회전시키는 회전 기구와, 회전 기구와 촬상부를 연휴(連携)시키는 것에 의해, 기판의 전체둘레의 엣지 부분에 대응하는 화상을 취득하는 연휴 제어부를 구비한 표면검사장치에 의해서 달성할 수도 있다.
또한, 상술한 목적은, 상술한 표면검사장치에 구비되는 조명부에, 엣지 부분을 조명하는 각도를 조정하는 조정부를 구비한 구성의 표면검사장치에 의해서도 달성된다.
또한, 상술한 목적은, 상술한 표면검사장치에 구비되는 조명부에서, 소정의 각도는, 40도 내지 70도인 구성의 표면검사장치에 의해서도 달성된다.
또한, 상술한 목적은, 검사 대상의 기판의 경사진 엣지 부분을 엣지 부분의 법선 방향으로부터 소정의 각도만큼 어긋나게 한 방향으로부터 조명하고, 엣지 부분으로부터의 회절광을 결상시켜, 결상 광학계에 의해서 얻어진 상을 촬상하고, 얻어진 엣지 부분에 대응하는 화상에 선형상의 상이 나타나는지의 여부에 기초하여, 결함의 유무를 검출하는 표면검사방법에 의해 달성할 수 있다.
[도 1] 본 발명에 따른 표면검사장치의 실시형태를 도시한 도면이다.
[도 2] 관찰 화상의 예(손상이 있는 경우)를 도시한 도면이다.
[도 3] 관찰 화상의 예(손상이 없는 경우)를 도시한 도면이다.
[도 4] 조명부의 배치에 관한 실험을 설명하는 도면이다.
[도 5] 대물렌즈 및 조명부의 배치의 예를 도시한 도면이다.
[도 6] 본 발명에 따른 표면검사장치의 다른 실시형태를 도시한 도면이다.
[도 7] 촬상 영역을 설명하는 도면이다.
[도 8] 본 발명에 따른 표면검사장치의 다른 실시형태를 도시한 도면이다.
[도 9] 본 발명에 따른 표면검사장치의 다른 실시형태를 도시한 도면이다.
[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]
이하, 도면에 기초하여, 본 발명의 실시형태에 대하여 상세하게 설명한다.
(실시형태 1)
도 1에, 본 발명에 따른 표면검사장치의 실시형태를 도시한다.
도 1에 도시한 표면검사장치에서, 조명부(11)는, 반도체 웨이퍼(기판)의 엣지 부분의 일부인 베벨부를 백색광원으로부터 방사되는 광속을 이용하여 집광조명한다. 이 조명부(11)의 광축은, 검사 대상의 베벨부의 법선 L(도 1에서 파선으로 도시한다)과 소정의 각 θ를 이루도록 배치되어 있다.
또한, 도 1에서, 대물렌즈(12)는, 예를 들면, 검사 대상의 반도체 웨이퍼(기판)의 표면에 세운 법선에 평행하고 상술한 조명부(11)의 광축과 교차하는 직선에 광축을 일치시켜 배치되어 있으며, 조명부(11)에 의해서 조명되고 있는 베벨부의 촬상 영역으로부터의 회절광을 촬상 소자(13) 위에 결상시킨다. 이 대물렌즈(12)로서는, 예를 들면, 배율 4배의 텔레센트릭형(Telecentric) 대물렌즈를 이용할 수 있 다.
베벨부의 표면에서의 정반사에 의한 0차광을 대물렌즈(12)에 입사시키지 않고, 베벨부에 의한 회절광을 선택적으로 대물렌즈(12)에 입사시켜, 촬상 소자(13)위에 이 회절광에 의한 상을 맺게 한다.
도 1에 도시한 촬상 소자(13)에 의해서 얻어진 화상 신호를, 화상 신호 처리부(14)를 통하여 표시부(15)에 의한 표시 처리에 제공하는 것에 의해, 이 표시부 (15)에 의한 표시 화상으로서, 상술한 베벨부의 촬상 영역에 대응하는 회절상을 관찰할 수 있다.
도 2 및 도 3에, 도 1에 도시한 표면검사장치에 의해서, 본 출원인이 실험적으로 반도체 웨이퍼의 베벨부를 관찰했을 때에 얻어진 관찰 화상의 모식도를 도시한다.
베벨부에 연마 자국 등의 홈 형상의 결함이 존재하는 경우에는, 각각의 홈 형상의 결함에 의해서 조명광이 회절되어, 1차의 회절광 혹은 2차 이상의 고차의 회절광이 대물렌즈(12)에 입사하고, 도 2에 도시하는 바와 같이, 어두운 시야에 가느다란 선형상의 회절상이 촬상 소자(13) 위에 형성된다.
한편, 베벨부에 결함이 존재하지 않는 경우에는, 조명광은 베벨부의 표면에서 전반사되기 때문에, 촬상 소자(13)상에 회절상은 형성되지 않고, 도 3에 도시하는 바와 같이, 베벨부는, 일정한 어두운 영역으로서 관찰된다.
따라서, 도 1에 도시한 표면검사장치에 의하면, 표시부(15)에 의한 표시 화상에 도 2에 도시한 바와 같은 휘선이 나타나는지의 여부에 의해서, 베벨부에 연마 자국 등이 미세한 결함이 있는지의 여부를 직감적으로 판단할 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시한 관찰 화상으로부터, 검사 대상의 반도체 웨이퍼의 베벨부에는, 여러가지 다양한 길이의 연마 자국이 남아 있는 것을 알 수 있다.
또한, 출원인은, 도 1에 도시한 대물렌즈(12)를 반도체 웨이퍼 표면에 세운 법선 방향으로 광축을 평행하게 하여 고정한 상태에서, 조명부(11)의 광축의 방향을 바꾸어, 회절상의 관찰에 적합한 조건을 탐색하는 실험을 시도하고 있다.
이 실험에서, 출원인은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 표면을 포함한 수평면으로부터 시계회전 방향을 양, 반시계회전 방향을 음으로 하여 측정한 조명부(11)의 광축의 각도 Ø가, ±30도, ±50도, ±70도, ±80도인 경우에 대하여, 상술한 바와 같이 하여 회절상을 관찰하였다.
이 실험의 결과로부터, 조명부(11)가 반도체 웨이퍼의 중앙 근방에 배치되고, 각도 Ø가 50도 이하의 얕은 각도로 베벨부를 조명하는 배치에서는, 회절상이 관찰되지 않고, 또한, 조명부(11)가 반도체 웨이퍼의 바깥가장자리부보다 바깥측에 배치되어 있는 경우(각도 Ø가 음인 경우)에는, 모든 경우에 정반사광이 대물렌즈 (12)에 입사하기 때문에 회절상의 유무를 판별하는 것이 곤란하다는 것을 알 수 있다.
그리고, 조명부(11)를 반도체 웨이퍼의 중앙 근방에 배치하고, 각도 Ø가 50도로부터 80도의 범위에서 베벨부를 조명했을 때에, 베벨부의 연마 자국의 회절상을 관찰할 수 있고, 특히, 각도 Ø가 70도에서 80도의 범위에서는 회절상이 비교적 밝게 관찰되는 것을 알 수 있다.
이들로부터, 조명부(11)의 광축과 반도체 웨이퍼 표면의 각이 상술한 범위가 되도록, 조명부(11)를 대물렌즈(12)보다도 반도체 웨이퍼의 중앙 근방에 배치하고, 조명부(11)의 광축을 대물렌즈(12)의 광축으로부터 10도 내지 20도 기울여 위치 결정한 배치가 회절상의 관찰에 적합하다고 할 수 있다.
여기서, 베벨부는 웨이퍼 표면에 대해서 -30도 기울어져 있으며, 베벨부의 법선을 기준으로 보면, 관찰용 대물렌즈(12)의 광축은 30도 기울어져 있다. 또한, 조명부(11)로부터의 조명광은 베벨부의 법선을 기준으로 보면 대물렌즈(12)와 동일한 방향으로 40∼70도 기울여 조명하는 것이 바람직하고, 40∼50도 기울여 조명하는 것이 특히 바람직하다고 할 수 있다.
한편, 도 5(a)에 도시하는 바와 같이, 대물렌즈(12)를 반도체 웨이퍼의 이면에 세운 법선에 광축을 일치시켜 배치하고, 또한, 조명부(11)의 광축과 반도체 웨이퍼 이면의 각이 상술한 범위가 되도록, 조명부(11)를 대물렌즈(12)보다 반도체 웨이퍼의 중앙 근방에 배치하고, 조명부(11)의 광축을 대물렌즈(12)의 광축으로부터 10도 내지 20도 기울여 위치 결정하는 것에 의해, 도 1에 도시한 조명부(11)에 의해서 조명되고 있는 베벨부에 대향하는 아래쪽의 베벨부에 관한 회절상을 관찰할 수 있다.
또한, 도 5(b)에 도시하는 바와 같이, 대물렌즈(12)를 아펙스부의 정점에 세운 법선에 광축을 일치시켜 배치하고, 또한, 조명부(11)의 광축과 아펙스부의 정점에 세운 법선에 수직인 평면과의 각이 상술한 범위가 되도록, 아펙스부의 관찰 대상 영역에 맞추어, 조명부(11)의 광축을 대물렌즈(12)의 광축으로부터 40도 내지 50도 기울여 실선의 위치 혹은 파선으로 도시한 위치로 위치 결정하는 것에 의해, 아펙스부에 관한 회절상을 관찰할 수 있다.
또한, 도 1에 도시한 조명부(11)의 광원으로서 백색광원을 이용한 경우에는, 폭넓은 파장 영역의 빛에 의해서 관찰 대상의 베벨부(혹은 아펙스부)가 조명되게 되므로, 촬상 영역의 베벨부(혹은 아펙스부)에 존재하는 홈 형상의 결함으로부터의 회절광이 대물렌즈(12)에 입사하기 위한 조건을 만족하는 파장의 빛이 포함되어 있을 가능성이 높아진다. 이 때문에, 여러가지 폭이나 깊이의 결함으로부터의 회절광이 대물렌즈에 입사하여, 여러가지 색의 휘선으로서 나타난다. 즉, 백색광원을 이용한 구성에서는, 여러가지 폭이나 깊이의 결함에 대응하는 회절상을 일괄하여 관찰할 수 있다.
한편, 조명부(11)에 구비하는 광원은 나트륨 램프 등의 단색 광원을 이용하는 것도 가능하다.
(실시형태 2)
도 6에, 본 발명에 따른 표면검사장치의 다른 실시형태를 도시한다.
한편, 도 6에 도시한 구성요소중에서, 도 1에 도시한 각 부와 동등한 것에 대해서는, 도 1에 나타낸 부호를 부여하여 도시하고, 그 설명을 생략한다.
도 6에 도시한 반도체 웨이퍼는, 회전 스테이지(16)의 회전축에 회전 중심을 일치시켜 위치 결정되고 있으며, 이 회전 스테이지(16)의 회전 동작은, 검사 제어부(17)에 의해서 제어되고 있다.
또한, 도 6에 도시한 화상 메모리(18)는, 검사 제어부(17)로부터의 지시에 따라, 화상 신호 처리부(14)에 의해서 얻어진 화상 데이터를 유지한다.
예를 들면, 도 7에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 중심을 회전 중심으로 하여 반도체 웨이퍼 혹은 조명부(11), 대물렌즈(12) 및 촬상 소자(13)를 상대적으로 회전시켜, 촬상 영역을 이동시켜서 나가며, 적절히 결정된 관찰 위치에서 얻어진 화상 데이터를 화상 메모리(18)에 유지하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼의 엣지 부분을 전체둘레에 걸쳐 표시부(15)를 통하여 관찰하는 동시에, 엣지 부분의 전체둘레에 대응하는 화상 데이터를 화상 메모리(18)에 축적하는 것이 가능하다.
도 6에 도시한 화상 합성 처리부(19)는, 검사 제어부(17)로부터의 지시에 따라, 이렇게 해서 화상 메모리(18)에 축적된 화상 데이터를 합성하는 것에 의해, 둥근 고리 형상의 엣지 부분의 전체를 나타내는 화상 데이터를 생성하고, 이 화상 데이터를 표시부(15)에 의한 표시 처리에 제공한다.
이렇게 해서, 둥근 고리 형상의 엣지 부분의 전체를 나타내는 화상 데이터를 자동적으로 생성하고, 이 화상 데이터에 기초하여 엣지 부분 전체의 화상을 일괄적으로 이용자에게 제공하는 것에 의해, 엣지 부분의 전체둘레에 걸쳐서 빠짐없이 연마 자국의 유무를 검사할 수 있다.
또한, 미리 결정된 관찰 위치에서 얻어진 화상 데이터를 표시부(15)에 의한 표시 처리를 통하여 이용자에 의한 시각 관찰에 제공하는 동시에, 이 때 화상 메모리(18)에 유지된 화상 데이터에 대해서, 도 2에 도시한 바와 같은, 선형상의 회절상을 검출하는 처리를 행하는 것에 의해, 검사의 자동화를 도모하는 것도 가능하다.
한편, 도 6에 도시한 회전 스테이지(16)를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 그 중심의 둘레에 회전시키는 대신에, 조명부(11), 대물렌즈(12) 및 촬상 소자(13)가 위치 결정된 구조물을 반도체 웨이퍼의 중심을 회전 중심으로 하여 회전시키는 회전 기구를 구비하는 것에 의해서, 상술한 바와 같은 상대적인 회전을 실현할 수도 있다.
(실시형태 3)
도 8에, 본 발명에 따른 표면검사장치의 다른 실시형태를 도시한다.
한편, 도 8에 도시한 구성요소중에서, 도 1에 도시한 각부와 동등한 것에 대해서는, 도 1에 나타낸 부호를 부여하여 도시하고, 그 설명을 생략한다.
도 8에 도시한 표면검사장치는, 조명부(11)의 광축 방향을 조정하는 각도 조정부(21)를 구비하고 있다.
이 각도 조정부(21)에 의해, 예를 들면, 대물렌즈(12)의 광축과 조명부(11)의 광축이 이루는 각이 10도 내지 20도가 되는 범위를 포함한 소정의 범위에서, 대물렌즈의 광축과 베벨부의 교점 부근을 회전 중심으로 하여 조명부(11)를 회전이동시키면서, 베벨부로부터의 회절상을 관찰하는 것에 의해, 검사 대상의 반도체 웨이퍼의 베벨부로부터의 회절상의 관찰에 가장 적합한 조명 각도를 찾아내어, 적절한 관찰 조건하에서 표면 검사를 행할 수 있다.
또한, 마찬가지로 하여, 아펙스부로부터의 회절상의 관찰에 가장 적합한 조명 각도를 찾아내는 것도 가능하다.
이에 따라, 검사 대상의 반도체 웨이퍼의 베벨부 및 아펙스부의 경사에 관계 없이, 베벨부 및 아펙스부에 대하여 연마 자국 등의 미세한 결함을 빠짐없이 검출하는 것이 가능해진다.
도 8에 도시한 각도 조정부(21)를 설치하는 대신에, 도 9에 도시하는 바와 같이, 고NA조명부(22)를 구비하여 표면검사장치를 구성할 수도 있다.
도 9에 도시한 고NA조명부(22)는, 여러가지 각도로 베벨부를 조명할 수 있으므로, 베벨부에서의 다양한 차수의 회절광이 대물렌즈(12)에 입사하고, 이들 회절광에 의한 회절상을 얻을 수 있다. 이렇게 해서 얻어지는 회절상중에는, 도 8에 도시한 각도 조정부(21)에 의해서 조명부(11)의 광축의 각도를 최적인 각도로 조정했을 때에 얻어지는 회절상도 포함되어 있다.
따라서, 각도 조정부(21)를 구비한 표면검사장치와 같이, 검사 대상의 반도체 웨이퍼의 베벨부 및 아펙스부의 경사에 관계없이, 베벨부 및 아펙스부에 대하여 연마 자국 등의 미세한 결함을 빠짐없이 검출하는 것이 가능해진다.
또한, 웨이퍼의 엣지 부분의 처리가 고정밀화하는 등, 검출하자 하는 선 자국이 미세화하는 것이 예상된다. 이러한 경우는, 검출하고자 하는 선 자국의 정도에 맞추어 조명 각도를 적절히 설정하는 것에 의해 검출 정밀도를 유지할 수 있다.
한편, 촬상 소자로서 CCO나 CMOS와 같은 2차원 증폭형 고체 촬상 소자를 이용할 수 있지만, 기판을 회전시키는 제2 실시형태의 경우는, 라인 이미지 센서를 이용하여도 좋다.
상술한 바와 같이 구성된 표면검사장치 및 표면검사방법에 의하면, 반도체 웨이퍼의 바깥가장자리부의 베벨부 및 아펙스부로 이루어진 엣지 부분에 남겨진 연마 자국을 포함한 극히 미세한 홈 형상의 결함의 유무를, 회절상의 유무로서 비교적 저배율의 결상 광학계를 이용하여 가시화할 수 있다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼의 엣지 부분의 미세한 결함을 빠짐없이 검출하여, 반도체 웨이퍼의 엣지 부분의 연마 상태의 양호불량의 검사에 제공하는 것이 가능하다.
상술한 구성의 표면검사장치의 특징은, 반도체 웨이퍼로부터 검사용 시료를 잘라내는 등의 파괴적인 처리가 일체 불필요한 점에 있다.
따라서, 비파괴 검사가 전제가 되는 집적회로 제조의 과정에서의 반도체 웨이퍼의 전수 검사 등에 적용이 가능하므로, 반도체 제조 분야에서 극히 유용하다.

Claims (6)

  1. 검사 대상의 기판의 경사진 엣지 부분을 상기 엣지 부분의 법선 방향으로부터 소정의 각도만큼 어긋난 방향으로부터 조명하는 조명부와,
    상기 엣지 부분으로부터의 회절광을 결상시키는 결상 광학계와,
    상기 결상 광학계에 의해서 얻어진 상을 촬상하는 촬상부와,
    상기 촬상부에 의해서 얻어진 상기 엣지 부분에 대응하는 화상에 선형상의 상이 나타나는지의 여부에 기초하여, 결함의 유무를 검출하는 검출부를 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 조명부는, 백색광을 방사하는 백색광원을 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 검사 대상의 기판의 중심 부근을 회전축으로 하여, 상기 기판과 상기 조명부 및 상기 결상 광학계를 상대적으로 회전시키는 회전 기구와,
    상기 회전 기구와 상기 촬상부를 연휴시키는 것에 의해, 상기 기판의 전체둘레의 엣지 부분에 대응하는 화상을 취득하는 연휴 제어부를 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 조명부는, 상기 엣지 부분을 조명하는 각도를 조정하는 조정부를 구비한 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정의 각도는 40도 내지 70도인 것을 특징으로 하는 표면검사장치.
  6. 검사 대상의 기판의 경사진 엣지 부분을 상기 엣지 부분의 법선 방향으로부터 소정의 각도만큼 어긋나게 한 방향으로부터 조명하고,
    상기 엣지 부분으로부터의 회절광을 결상시켜 촬상하고,
    얻어진 상기 엣지 부분에 대응하는 화상에 선형상의 상이 나타나는지의 여부에 기초하여, 결함의 유무를 검출하는 것을 특징으로 하는 표면검사방법.
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