JP2009014510A - 検査方法及び検査装置 - Google Patents
検査方法及び検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009014510A JP2009014510A JP2007176590A JP2007176590A JP2009014510A JP 2009014510 A JP2009014510 A JP 2009014510A JP 2007176590 A JP2007176590 A JP 2007176590A JP 2007176590 A JP2007176590 A JP 2007176590A JP 2009014510 A JP2009014510 A JP 2009014510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scattered light
- defect
- inspection
- inspected
- inelastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/65—Raman scattering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4711—Multiangle measurement
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/473—Compensating for unwanted scatter, e.g. reliefs, marks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8861—Determining coordinates of flaws
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8861—Determining coordinates of flaws
- G01N2021/8864—Mapping zones of defects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9505—Wafer internal defects, e.g. microcracks
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の表面検査方法は、光学的に被検査物の表面内からの弾性散乱光と非弾性散乱光とを別々に、或いは同時に検出し、被検査物の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検出し、検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し、検出された欠陥をその特徴に応じて分類し、欠陥の位置と、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾性散乱光検出による分析を行うものである。
【選択図】図1
Description
×b15+g16×b16 ・・・ 数式1
S2=g21×b21+g22×b22+g23×b23+g24
×b24 ・・・ 数式2
ここで、各重み付け係数gijは、前記各光検出器7に由来する前記第1の信号成分を変換したデジタルデータaijの逆数に予め定めた比例定数Kを乗じたものである。
である。
Step 2:オペレータは、本実施例の表面検査装置の検査条件を、実際の被検査対象ウェーハに対して行う検査の検査条件に合わせて設定する。
Step 4:本実施例の表面検査装置は、前記合計10個の各光検出器7毎に、検出された前記各標準異物の大きさと、その標準異物に対応して発生する前記第2の信号成分を変換したデジタルデータの値との関係を記録する。
wij(Iij)=pij×Iij+qij ・・・ 数式4
これで検査前の検量線準備作業は完了する。
W2=g21×w21+g22×w22+g23×w23
+g24×w24 ・・・数式6
Step 9:本実施例の表面検査装置は、合成信号S1を合成検量線W1に当てはめて異物・欠陥サイズD1を、合成信号S2を合成検量線W2に当てはめて異物・欠陥サイズD2を求める。
なお、上記実施例では、照明光の光源11には、紫外域の波長の光を時間的に繰返してパルス発振するパルスレーザを用いたが、この代わりに波長が可視域であるレーザや連続発振型のレーザを用いる場合でも、上記実施例で得られる効果に変わりはない。また上記本実施例では、散乱・回折・反射光検出系の各集光素子をレンズから成るとしたが、これらは凹面鏡とすることも可能である。
Claims (26)
- 検査光の照射により被検査体の表面から発生する散乱光で表面の組成、被検査体の内部組成、表面に付着する異物の物質を検知する検査方法において、
前記散乱光から選択した非弾性散乱光で検知することを特徴とする検査方法。 - 検査光の照射により被検査体の表面から発生する散乱光で表面に付着する異物、表面の欠陥を検知する検査方法において、
前記散乱光から選択した弾性散乱光で検知することを特徴とする検査方法。 - 検査光の照射により被検査体の表面から発生する散乱光で表面に付着する異物、表面の欠陥を検知ないし表面の組成、被検査体の内部組成、表面に付着する異物の物質を検知する検査方法において、
前記散乱光から選択した弾性散乱光と非弾性散乱光で別個に検知することを特徴とする検査方法。 - 検査光の照射により被検査体の表面及び内部から発生する弾性散乱光と非弾性散乱光を時間的にずらして別々に、あるいは同時に検出し、
検出した前記弾性散乱光で、前記表面の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検出し、
前記欠陥の表面上の位置を検出し、
検出された前記欠陥をその特徴に応じて分類し、
前記欠陥の位置、前記欠陥の特徴または欠陥の分類結果に基づいて、前記欠陥の非弾性散乱光による分析を行うことを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
前記弾性散乱光に対する検出では前記非弾性散乱光成分のノイズを低くし、
前記非弾性散乱光に対する検出では前記弾性散乱光成分のノイズを低くしたことを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
前記散乱光を検出する光検出器からの出力信号のうち、非弾性散乱光成分のノイズを低くしたことを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
前記散乱光を検出する光検出器からの出力信号のうち、弾性散乱光成分のノイズを低くしたことを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
前記欠陥の特徴又は欠陥の分類結果について予め決められた条件に従って、前記非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を選択することができることを特徴とする検査方法。 - 請求項4記載の検査方法において、
欠陥の位置及び欠陥の分類結果を表示し、
表示された欠陥のうち、前記非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を指定することができることを特徴とする検査方法。 - 請求項9記載の検査方法において、
表示された欠陥のうち、ビジュアル検査を行う欠陥を指定し、
指定された欠陥を光学顕微鏡或いは走査型電子顕微鏡により観察し、
観察結果に基づいて、前記非弾性散乱光の検出による分析を行う欠陥を指定することができることを特徴とする検査方法。 - 請求項4、および請求項8〜請求項10のいずれかに記載された検査方法において、
前記欠陥の非弾性散乱光検出による分析結果に応じて、欠陥の再分類を行うことを特徴とする検査方法。 - 請求項3記載の検査方法において、
前記非弾性散乱光検出を用いて、非弾性散乱光スペクトルを分光し、所定の処理をし、被検査面の組成状況をマップ表示することを特徴とする検査方法。 - 請求項8記載の検査方法において、
非弾性散乱光検出による被検査面の組成状況のマップと、弾性散乱光で検出した被検査面の欠陥マップを、重ねてビジュアル表示することを特徴とする検査方法。 - 検査光の照射により被検査体の表面及び内部から発生する弾性散乱光と非弾性散乱光とを時間的にずらして別々に、あるいは同時に検出する光学検査手段と、
前記光学検査手段による検査結果から、被検査体の欠陥の有無及び欠陥の特徴を検出し,
検出された欠陥の被検査物の表面上の位置を検出し,
検出された欠陥をその特徴に応じて分類し,
欠陥の位置と、欠陥の特徴又は欠陥の分類結果とに基づいて、欠陥の非弾性散乱光検出による欠陥分析を行うことを選択又は指定する処理手段と、
前記処理手段により選択又は指定された欠陥の非弾性散乱光検出検査手段を備えたことを特徴とする検査装置。 - 請求項14に記載された検査装置において、
前記光学検査手段は、ノイズレベルを低くする手段を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項14に記載された検査装置において、
前記弾性散乱光の光学検出手段は、光検出器からの出力信号のうち、非弾性散乱光を除去する狭帯域光学バンドパスフィルタを有することを特徴とする検査装置。 - 請求項14に記載された検査装置において、
前記非弾性散乱光検出検査手段は、光検出器からの出力のうち、弾性散乱光を除去する狭帯域光学バンドパスフィルタを有することを特徴とする表面検査装置。 - 請求項14記載の検査装置において、
欠陥の特徴又は欠陥の分類結果について予め決められた条件に従って、非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を選択できる機能を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項14記載の検査装置において、
欠陥の位置及び欠陥の分類結果を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された欠陥のうち、非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を指定する第1の入力手段を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項19記載の検査装置において、
レビューステーションとの接続機能を備え、
前記処理手段は、前記表示手段に表示された欠陥のうち、ビジュアル検査を行う欠陥を指定する第2の入力手段を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項20記載の検査装置において、
指定された欠陥を光学顕微鏡或いは走査型電子顕微鏡(SEM)により観察し、
観察結果に基づいて、非弾性散乱光検出による分析を行う欠陥を指定することができる機能を有することを特徴とする検査装置。 - 請求項14、請求項18、請求項19、請求項20、請求項16の何れかに記載された検査装置において、
欠陥の非弾性散乱光検出による分析結果に応じて、欠陥の再分類を行うことができる機能を有することを特徴とする検査装置。 - 検査光の照射により被検査体の表面及び内部から発生する弾性散乱光と非弾性散乱光とを時間的にずらして別々に、あるいは同時に検出する光学検査手段と、前記光学検査手段に設けた非弾性散乱光検出手段を備える検査装置において、
前記非弾性散乱光検出手段を用いて、非弾性散乱光スペクトルを分光し、所定の処理をし、被検査面の組成状況をマップ表示する機能を有することを特徴とする検査方法。 - 請求項17記載の検査装置において、
非弾性散乱光検出で被検査面の組成状況のマップと、弾性散乱光検出で被検査面を検査した欠陥マップを、重ねてビジュアル表示することができる機能を有することを特徴とする検査装置。 - 被検査体に光を照射して該被検査体より発せられる光を検出する検査方法において、
前記被検査体より発せられる光の中から非弾性散乱光を異なる検出仰角で設けられた複数の検出器により検出し、
前記複数の検出器の検出結果に基づいて前記被検査体の表面および内部の組成分布を演算し、
前記表面および内部の組成分布の演算結果を等高線表示することを特徴とする検査方法。 - 被検査体に光を照射する光源と、
前記被検査体に照射された光によって発せられる非弾性散乱光を検出する異なる検出仰角で設けられた複数の検出器と、
前記複数の検出器の検出結果に基づいて前記被検査体の表面および内部の組成分布を演算するデータ処理系と、
前記データ処理系の演算結果に基づいて前記被検査体の表面および内部の組成分布を等高線表示する出力装置と、
を備えたことを特徴とする検査装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007176590A JP2009014510A (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 検査方法及び検査装置 |
US12/167,570 US7777876B2 (en) | 2007-07-04 | 2008-07-03 | Inspection method and inspection device |
US12/830,922 US20100271626A1 (en) | 2007-07-04 | 2010-07-06 | Inspection method and inspection device |
US13/621,121 US9007581B2 (en) | 2007-07-04 | 2012-09-15 | Inspection method and inspection device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007176590A JP2009014510A (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 検査方法及び検査装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012089919A Division JP2012154946A (ja) | 2012-04-11 | 2012-04-11 | 検査方法及び検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009014510A true JP2009014510A (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=40221157
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007176590A Pending JP2009014510A (ja) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 検査方法及び検査装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7777876B2 (ja) |
JP (1) | JP2009014510A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010210568A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2011024362A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2011058984A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査装置,検査方法及びプログラム |
JP2013205239A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板表面検査方法及びその装置 |
CN104619233A (zh) * | 2012-09-11 | 2015-05-13 | 奥林巴斯株式会社 | 散射光测量装置 |
JP2015516090A (ja) * | 2012-05-09 | 2015-06-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 表面特徴マッピング |
JP2020085770A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 株式会社日立ビルシステム | 散乱光検出装置、及びそれを用いた非破壊検査装置 |
WO2021014623A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7433056B1 (en) * | 2005-07-15 | 2008-10-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Scatterometry metrology using inelastic scattering |
JP2009014510A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査方法及び検査装置 |
KR20120044376A (ko) | 2009-08-04 | 2012-05-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 대상물 검사 시스템 및 방법 |
US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
US9228270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-01-05 | Novellus Systems, Inc. | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US10066311B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-09-04 | Lam Research Corporation | Multi-contact lipseals and associated electroplating methods |
JP5676419B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
JP5820735B2 (ja) | 2012-01-27 | 2015-11-24 | 昭和電工株式会社 | 表面検査方法及び表面検査装置 |
SG11201406133WA (en) | 2012-03-28 | 2014-10-30 | Novellus Systems Inc | Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders |
US9476139B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-10-25 | Novellus Systems, Inc. | Cleaning electroplating substrate holders using reverse current deplating |
US10599944B2 (en) * | 2012-05-08 | 2020-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Visual feedback for inspection algorithms and filters |
US9212900B2 (en) | 2012-08-11 | 2015-12-15 | Seagate Technology Llc | Surface features characterization |
US9297759B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-03-29 | Seagate Technology Llc | Classification of surface features using fluorescence |
US9297751B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-03-29 | Seagate Technology Llc | Chemical characterization of surface features |
US9377394B2 (en) | 2012-10-16 | 2016-06-28 | Seagate Technology Llc | Distinguishing foreign surface features from native surface features |
US9217714B2 (en) | 2012-12-06 | 2015-12-22 | Seagate Technology Llc | Reflective surfaces for surface features of an article |
US9746427B2 (en) * | 2013-02-15 | 2017-08-29 | Novellus Systems, Inc. | Detection of plating on wafer holding apparatus |
US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
CN103234973A (zh) * | 2013-04-08 | 2013-08-07 | 常州同泰光电有限公司 | 一种无损伤检测方法 |
US9513215B2 (en) | 2013-05-30 | 2016-12-06 | Seagate Technology Llc | Surface features by azimuthal angle |
US9201019B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-12-01 | Seagate Technology Llc | Article edge inspection |
US9274064B2 (en) | 2013-05-30 | 2016-03-01 | Seagate Technology Llc | Surface feature manager |
US9217715B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-12-22 | Seagate Technology Llc | Apparatuses and methods for magnetic features of articles |
CN104697974B (zh) * | 2013-12-04 | 2017-09-12 | 北京智朗芯光科技有限公司 | 一种在线实时检测外延片生长的装置 |
JP2015179039A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Icp発光分光分析装置 |
CN106461573A (zh) * | 2014-04-03 | 2017-02-22 | 纬图有限责任公司 | 用于蓝宝石元件的光学检查的方法和系统 |
US20170167986A1 (en) * | 2014-04-25 | 2017-06-15 | Gdt, Inc. | Cosmetic Evaluation Box for Used Electronics |
CN104089944A (zh) * | 2014-07-21 | 2014-10-08 | 同方威视技术股份有限公司 | 对液体物品进行安全检查的方法和设备 |
US10234395B2 (en) | 2014-09-12 | 2019-03-19 | Seagate Technology Llc | Raman apparatus and methods |
US10053793B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
KR102656197B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2024-04-09 | 삼성전자주식회사 | 이동체, 로봇 청소기, 바닥 상태 판단 장치, 상기 이동체의 제어 방법 및 상기 로봇 청소기의 제어 방법 |
TWI823344B (zh) * | 2015-12-15 | 2023-11-21 | 以色列商諾威股份有限公司 | 用於測量圖案化結構之特性的系統 |
US10082470B2 (en) | 2016-09-27 | 2018-09-25 | Kla-Tencor Corporation | Defect marking for semiconductor wafer inspection |
US10887580B2 (en) | 2016-10-07 | 2021-01-05 | Kla-Tencor Corporation | Three-dimensional imaging for semiconductor wafer inspection |
US11047806B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-06-29 | Kla-Tencor Corporation | Defect discovery and recipe optimization for inspection of three-dimensional semiconductor structures |
US10234402B2 (en) | 2017-01-05 | 2019-03-19 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for defect material classification |
US10551320B2 (en) * | 2017-01-30 | 2020-02-04 | Kla-Tencor Corporation | Activation of wafer particle defects for spectroscopic composition analysis |
US10408764B2 (en) | 2017-09-13 | 2019-09-10 | Applied Materials Israel Ltd. | System, method and computer program product for object examination |
TWI638415B (zh) * | 2017-11-10 | 2018-10-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶圓盒的檢測方法及晶圓盒的檢測系統 |
US11143600B2 (en) | 2018-02-16 | 2021-10-12 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection device |
US11379967B2 (en) | 2019-01-18 | 2022-07-05 | Kla Corporation | Methods and systems for inspection of semiconductor structures with automatically generated defect features |
JP2022548595A (ja) | 2019-09-16 | 2022-11-21 | アシュラント インコーポレイテッド | モバイルデバイスの完全性状態を判断するために機械学習を利用してモバイルデバイスの画像を処理するためのシステム、方法、装置、およびコンピュータプログラム製品 |
US11580627B2 (en) | 2020-01-06 | 2023-02-14 | Assurant, Inc. | Systems and methods for automatically grading pre-owned electronic devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06313756A (ja) * | 1993-03-03 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 異物検査分析装置及び異物検査分析方法 |
JP2003004621A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Toyota Motor Corp | 走査プローブ顕微鏡 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4410278A (en) * | 1979-07-20 | 1983-10-18 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for appearance inspection |
US4795260A (en) * | 1987-05-15 | 1989-01-03 | Therma-Wave, Inc. | Apparatus for locating and testing areas of interest on a workpiece |
USRE36529E (en) * | 1992-03-06 | 2000-01-25 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Spectroscopic imaging device employing imaging quality spectral filters |
US5377003A (en) * | 1992-03-06 | 1994-12-27 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Spectroscopic imaging device employing imaging quality spectral filters |
JPH09184809A (ja) * | 1995-12-30 | 1997-07-15 | Koyo Ozaki | 散乱光測定装置 |
US5798829A (en) * | 1996-03-05 | 1998-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample |
US6201601B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
US6134011A (en) * | 1997-09-22 | 2000-10-17 | Hdi Instrumentation | Optical measurement system using polarized light |
US5912741A (en) * | 1997-10-10 | 1999-06-15 | Northrop Grumman Corporation | Imaging scatterometer |
JP3404274B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-05-06 | 株式会社日立製作所 | ウエハ検査装置 |
JP4332656B2 (ja) * | 1998-01-26 | 2009-09-16 | ラトックシステムエンジニアリング株式会社 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
US5982484A (en) * | 1998-02-26 | 1999-11-09 | Clarke; Richard H. | Sample analysis using low resolution Raman spectroscopy |
US6067154A (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for the molecular identification of defects in semiconductor manufacturing using a radiation scattering technique such as raman spectroscopy |
US6623977B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-09-23 | Real-Time Analyzers, Inc. | Material for surface-enhanced Raman spectroscopy, and SER sensors and method for preparing same |
JP3741602B2 (ja) | 1999-11-26 | 2006-02-01 | 日本電子株式会社 | 顕微ラマン分光システム |
JP2001330563A (ja) | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Jeol Ltd | 検査装置 |
US6473174B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-10-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Resist removal monitoring by raman spectroscopy |
EP1546691A1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-06-29 | Applied Materials Israel Ltd. | Inspection system with oblique viewing angle |
US7002675B2 (en) * | 2003-07-10 | 2006-02-21 | Synetics Solutions, Inc. | Method and apparatus for locating/sizing contaminants on a polished planar surface of a dielectric or semiconductor material |
US7002677B2 (en) * | 2003-07-23 | 2006-02-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Darkfield inspection system having a programmable light selection array |
WO2005017598A1 (de) * | 2003-08-06 | 2005-02-24 | Gnothis Holding S.A. | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung von lumineszierenden molekülen nach der methode der fluoreszenzkorrelationsspektroskopie |
US7206066B2 (en) * | 2004-03-19 | 2007-04-17 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Reflectance surface analyzer |
US7796243B2 (en) * | 2004-06-09 | 2010-09-14 | National Research Council Of Canada | Detection and monitoring of changes in mineralized tissues or calcified deposits by optical coherence tomography and Raman spectroscopy |
US20060192950A1 (en) * | 2004-12-19 | 2006-08-31 | Neil Judell | System and method for inspecting a workpiece surface using combinations of light collectors |
US7333190B1 (en) * | 2006-10-26 | 2008-02-19 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Raman interrogation of threat aerosols |
JP2009014510A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査方法及び検査装置 |
-
2007
- 2007-07-04 JP JP2007176590A patent/JP2009014510A/ja active Pending
-
2008
- 2008-07-03 US US12/167,570 patent/US7777876B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-06 US US12/830,922 patent/US20100271626A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-09-15 US US13/621,121 patent/US9007581B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06313756A (ja) * | 1993-03-03 | 1994-11-08 | Toshiba Corp | 異物検査分析装置及び異物検査分析方法 |
JP2003004621A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Toyota Motor Corp | 走査プローブ顕微鏡 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010210568A (ja) * | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2011024362A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
JP2011047724A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置およびその方法 |
US8737718B2 (en) | 2009-08-26 | 2014-05-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus and method for inspecting defect |
JP2011058984A (ja) * | 2009-09-11 | 2011-03-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査装置,検査方法及びプログラム |
JP2013205239A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板表面検査方法及びその装置 |
JP2018105877A (ja) * | 2012-05-09 | 2018-07-05 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーSeagate Technology LLC | 表面特徴マッピング |
JP2015516090A (ja) * | 2012-05-09 | 2015-06-04 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 表面特徴マッピング |
CN104619233B (zh) * | 2012-09-11 | 2016-09-28 | 奥林巴斯株式会社 | 散射光测量装置 |
CN104619233A (zh) * | 2012-09-11 | 2015-05-13 | 奥林巴斯株式会社 | 散射光测量装置 |
JP2020085770A (ja) * | 2018-11-29 | 2020-06-04 | 株式会社日立ビルシステム | 散乱光検出装置、及びそれを用いた非破壊検査装置 |
JP7106436B2 (ja) | 2018-11-29 | 2022-07-26 | 株式会社日立ビルシステム | 散乱光検出装置、及びそれを用いた非破壊検査装置 |
WO2021014623A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US12044627B2 (en) | 2019-07-24 | 2024-07-23 | Hitachi High-Tech Corporation | Defect inspection device and defect inspection method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9007581B2 (en) | 2015-04-14 |
US20130010281A1 (en) | 2013-01-10 |
US7777876B2 (en) | 2010-08-17 |
US20100271626A1 (en) | 2010-10-28 |
US20090009753A1 (en) | 2009-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009014510A (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
TWI722246B (zh) | 用於半導體晶圓檢查之缺陷標記 | |
US8248594B2 (en) | Surface inspection method and surface inspection apparatus | |
US6791099B2 (en) | Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena | |
JP6916886B2 (ja) | 分光組成分析のためのウェハ粒子欠陥の活性化 | |
JP2020073935A (ja) | 試料の欠陥検出及び光ルミネセンス測定のための系及び方法 | |
JP3996728B2 (ja) | 表面検査装置およびその方法 | |
JP4343911B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
EP2609418B1 (en) | Defect inspection and photoluminescence measurement system | |
US20020122174A1 (en) | .Apparatus and method for inspecting defects | |
JP2004516461A (ja) | 基板を検査するための方法及び装置 | |
JPH11101624A (ja) | 欠陥評価装置およびその方法並びに半導体の製造方法 | |
US8761488B2 (en) | Image data processing method and image creating method | |
WO2014055969A1 (en) | Classification of surface features using fluoresence | |
WO2014055970A1 (en) | Chemical characterization of surface features | |
JP5506243B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
JPH06313756A (ja) | 異物検査分析装置及び異物検査分析方法 | |
JP2012154946A (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
JP5784796B2 (ja) | 表面検査装置およびその方法 | |
JP4408902B2 (ja) | 異物検査方法および装置 | |
Lo et al. | Simultaneous, Submicron Infrared and Raman Microspectroscopies for Effective Failure and Contamination Analyses | |
WO2022158394A1 (ja) | 加工変質層の評価方法及び半導体単結晶基板の製造方法 | |
JP2017122591A (ja) | 測定方法 | |
JP4648435B2 (ja) | 検査装置 | |
JP2023057010A (ja) | 単一入射光ベース光ルミネッセンスを用いた炭化珪素基板の欠陥分類装置及びそれを用いた欠陥分類方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111024 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120214 |