JP4843399B2 - 検査装置及び検査方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハ上の微小な異物や欠陥を検出する検査装置及び検査方法に関する。

ウェハ表面の欠陥を検査する外観検査装置において、試料上の照明光スポット周りに方位や仰角が異なるように配置された複数の検出器を有する散乱光検出部（以下、マルチセンサと適宜記載する）を用い、検出器の仰角の相違による検出特性の違いを利用してＣＯＰ（Crystal Originated Particles）欠陥を弁別する技術がある（特許文献１等参照）。

特開平９−３０４２８９号公報

上記特許文献１の開示技術では、ＣＯＰ欠陥を弁別するように事前に格納されたソフトウェアに従ってマルチセンサの各検出器からの検出信号が合成され、この合成信号を基に主としてＣＯＰ欠陥をウェハマップ上に反映させたウェハの観察像が構築される。しかしながら、例えばウェハ表面に付着した異物や傷等といったＣＰＯ欠陥以外の検出特性の異なる欠陥の観察像を得たい場合、各検出器からの検出信号の信号処理回路の組み替えやソフトウェアの再構築の必要があった。

そのためには、例えば、ａ：マルチセンサの検出結果を別の検査装置による同一ウェハの検査欠陥と比較してオフラインで解析し、ｂ：その解析結果を基に新たな検査対象（例えばウェハ表面の傷）の弁別に適したソフトウェアを作成し、ｃ：作成したソフトウェアを元の外観検査装置にインストールする、といった一連の作業が必要となり、多くの労力及び時間を要する場合がある。

本発明の目的は、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる検査装置及び検査方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、試料を支持する試料ステージと、この試料ステージ上の試料に照明光を照射する照明光源と、この照明光源の照明光スポットに対して位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光を検出する複数の検出器と、これら複数の検出器からの検出信号をヘイズ信号を用いて設定の条件に従って合成する信号合成部と、この信号合成部による検出信号の合成条件を設定する条件設定部と、この条件設定部により設定された条件に従って信号合成部で合成された合成信号を基に構築された合成試料像を表示する表示部とを備える。

本発明によれば、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく種々の検査目的に柔軟に対応できるようにすることができる。

以下に図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の一実施の形態に係る外観検査装置の概念図である。
図１に示すように、試料ステージ１０１、ステージ駆動部１０２、照明光源１０３、散乱光検出部１０４、信号合成部１０５、全体制御部１０６、メカ制御部１０７、情報表示部１０８、入力操作部１０９、記憶部１１０等を備えている。

試料ステージ１０１は、その上に載置されたウェハ等の試料１００を支持し、ステージ駆動部１０２は、照明光源１０３から定点（スポット）に照射される照明光１１１が試料１００上を走査する如く試料ステージ１０１を駆動させる。

ステージ駆動部１０２は、回転軸１１４を中心に試料ステージ１０１を回転させる回転駆動部１１５、試料ステージ１０１を径方向に移動させるスライド駆動部１１６を備えている。照明光源１０３によって試料ステージ１０１上の試料１００に照明光１１１を照射しているときに、試料ステージ１０１を回転駆動部１１５により回転させつつスライド駆動部１１６によって径方向に移動させることで、相対的に照明光１１１が試料１００上に渦巻状に走査される。

散乱光検出部１０４は、照明光１１１のスポットに対する位置が異なる複数の検出器１２０ａ〜１２０ｄを有している。図１では、低角度位置に配設した検出器１２０ａ，１２０ｂと高角度位置に配設した検出器１２０ｃ，１２０ｄの計４つの検出器を図示したが、検出器の数に限定はなく、それぞれ照明光スポットからの方位角及び仰角の少なくとも一方が異なるように２つ以上の検出器が配置されていれば良い。各検出器１２０ａ〜１２０ｄは、照明光源１０３から照明光１１１が照射されることで試料１００の表面から発生する散乱光１１２をそれぞれ検出する。検出器１２０ａ〜１２０ｄの出力には、高周波成分である欠陥の検出信号（欠陥信号と適宜記載する）と低周波成分であるヘイズ信号が含まれる。

また、散乱光検出部１０４において、各検出器１２０ａ〜１２０ｄには、それぞれ増幅器１２１ａ〜１２１ｄ、Ａ／Ｄ変換器１２２ａ〜１２２ｄが接続されている。各検出器１２０ａ〜１２０ｄからの検出信号は、増幅器１２１ａ〜１２１ｄを介してそれぞれ増幅され、Ａ／Ｄ変換器１２２ａ〜１２２ｄを介してディジタル信号化される。

信号合成部１０５は、ディジタル信号化された検出器１２０ａ〜１２０ｄからの検出信号を指定された演算条件（プログラム）に従って合成する。後述にて例示するが、信号合成部１０５における合成信号の演算条件は、事前に定められた固定的な条件ではなく、入力操作部１０９によりオペレータにより適宜指定変更可能なものである。信号合成部１０５で合成された合成信号のデータは、合成信号の基になった検出信号１２０ａ〜１２０ｄ毎の検出信号のデータとともに記憶部１１０に出力され記憶される。これらデータとしては、例えば検出した欠陥の個々の位置（ＸＹ座標）、大きさ等である。また、例えば電子顕微鏡を用いた検査装置等、他の検査装置や製造装置等にもネットワークを介してそれらのデータを出力可能な構成としても良い。

全体制御部１０６は、作業の工程（検査条件設定、結果表示、解析、演算式指定）に合わせた情報の表示・入出力に関する信号を処理し、装置の全体制御を行う。例えば入力操作部１０９からの操作信号や記憶部１１０に格納された対応のプログラムを基に、メカ制御部１０７に指令信号を出力したり、信号合成部１０５における合成信号の演算条件を変更したりする役割を果たす。メカ制御部１０７は全体制御部１０６からの指令信号を受けて回転駆動部１１５やスライド駆動部１１６等の駆動機構を制御する。その他、全体制御部１０６は、信号合成部１０５を介して入力される合成信号や各検出器１２０ａ〜１２０ｄからの検出信号を記憶部１１０に出力し記憶させたり、それら信号を基に情報表示部１０８への表示信号を生成し情報表示部１０８に画像を表示させたりする役割も果たす。

入力操作部１０９は、上記のように信号合成部１０５による検出信号の合成条件の入力操作、各装置の動作等を指示するためのものである。

情報表示部１０８は、入力操作部１０９により指定された条件に従って信号合成部１０５により合成された合成信号を基に構築された試料像（以下、便宜上「合成試料像」と称する）や、対応の検出器からの検出信号を基にそれぞれ構築された個々の検出器に対応する複数の試料像（以下、便宜上「個別試料像」と称する）、検出データや検出条件（レシピ）等を表示する。例えば、検査終了後は検査結果を表示し、解析時は合成試料像と個別試料像を同一画面上に表示する。合成試料像と個別試料像は切り替え表示されるようにしても良い。

記憶部１１０は、各種制御・演算処理に必要なプログラム・定数、検査結果（合成試料像・個別試料像のデータ）、入力操作部１０９により設定された合成条件等を格納している。個別試料像のデータは、検出器１２０ａ〜１２０ｄ毎に、検出器のアドレス情報とともに記憶される。

前述したように、信号合成部１０５による検出信号の合成は、入力操作部１０９にてオペレータが設定した条件に従って実行される。この設定は入力操作部１０９の入力操作によって随時変更可能である。

図２〜図４に検出信号の合成条件を幾つか例示した。
図２の場合、特定方位のノイズを抑制し欠陥検出Ｓ／Ｎを向上させるのに有用な一例である。検出信号に方位性があるとの知見の下、複数の検出器による照明光スポットからの検出器の方位の違いから、各検出器の検出信号に乗ずる係数を任意に設定することができるようにすることで、検査目的等に応じてノイズレベルの最適化が図られる。

図２の例では、低角度（仰角１）の検出器１２０ａ，１２０ｂにより検出された欠陥信号１，２を合成するにあたり、欠陥信号１を１／ｎ_１倍した信号と欠陥信号２を１／ｎ_２倍した信号を加算している。このとき、１／ｎ_１，１／ｎ_２は検査目的に応じ、検出器１２０ａ，１２０ｂの照明光スポットに対する位置を勘案してオペレータが入力操作部１０９で入力した任意の数値である。同じく、高角度（仰角２）の検出器１２０ｃ，１２０ｄにより検出された欠陥信号３，４を合成するにあたり、欠陥信号３を１／ｎ_３倍した信号と欠陥信号４を１／ｎ_４倍した信号を加算している。１／ｎ_３，１／ｎ_４も検出器１２０ｃ，１２０ｄの照明光スポットに対する位置を勘案してオペレータが入力操作部１０９で入力した任意の数値である。

図３の例では、低角度（仰角１）の検出器１２０ａ，１２０ｂにより検出された欠陥信号１，２を合成するにあたり、欠陥信号１を検出器１２０ａにより検出されたヘイズ信号１で除した信号と、欠陥信号２を検出器１２０ｂにより検出されたヘイズ信号２で除した信号を加算している。同じく、高角度（仰角２）の検出器１２０ｃ，１２０ｄにより検出された欠陥信号３，４を合成するにあたり、欠陥信号３を検出器１２０ｃにより検出されたヘイズ信号３で除した信号と欠陥信号４を検出器１２０ｄにより検出されたヘイズ信号４で除した信号を加算している。このように、本実施の形態の場合、先に図２に示したような合成条件から図３のようなヘイズ信号を用いてＳ／Ｎ改善を図る合成条件に変更することも入力操作部１０９により容易に行える。

図４の例は、欠陥信号の分類情報を取得する一例である。図４では、例えば照明光スポットの前方・側方・後方にそれぞれ位置する仰角１の検出器からの欠陥信号１〜３を合成するにあたり、図２の例と同様に欠陥信号１〜３を任意の係数を乗じた上で加算している。この合成条件は特に限定されず、図３の条件等に代えることもできる。

このとき、各信号の大小関係等、検査目的（傷・異物・ＣＯＰ等）により生じる各位置の検出器による検出信号の相関関係を条件に入れ、その条件により得られた結果を欠陥の分類情報（識別可能な何らかの属性信号）として得ることもできる。図４の例では、１／ｎ_１倍した欠陥信号１と１／ｎ_２倍した欠陥信号２の大小関係を見て、欠陥信号１が欠陥信号２よりも大きい場合、検出した欠陥の大きさ・位置・検出器アドレス等の情報に分類情報として０（ゼロ）で識別される属性を付与し、欠陥信号１が欠陥信号２よりも小さい場合は１で識別される属性を付与することとしている。つまり、検出欠陥情報に付随する属性情報（０又は１）により欠陥種が判別される。この例では、照明光スポットの前方に配置した検出器により検出された散乱光（前方に散乱した散乱光）と照明光スポットの側方に配置した検出器により検出された散乱光（側方に散乱した散乱光）との比率で欠陥が分類される。

また、このようにして欠陥を分類することで、分類後の欠陥の種類毎に正確な感度カーブを持たせることができ、欠陥寸法の検出精度向上にも寄与する。

図５は情報表示部１０８に表示された解析画面の一例を表した図である。
図５に示すように、解析画面２００には、計８つの個別マップ２３０ａ〜２３０ｈの表示領域２３０、及び個別マップ２３０ａ〜２３０ｈのうちから選択されたものを拡大表示する拡大マップ２４０ａの表示領域２４０が配置されている。図５の例では、散乱光検出部１０４が、４方位に配置された低角度の検出器Ｌ１〜Ｌ４と４方位に配置された高角度の検出器Ｈ１〜Ｈ４の計８つの検出器を備えているものとする。

個別マップ２３０ａには対応する低角度の検出器Ｌ１により検出された欠陥がウェハマップ上に重ねて表示された形で個別試料像が表示されている。個別マップ２３０ｂ〜２３０ｈも同様に、それぞれ対応の検出器Ｌ２〜Ｌ４，Ｈ１〜Ｈ４による個別試料像が表示されている。個別マップ２３０ａ〜２３０ｈは、実際の検出器Ｌ１〜Ｌ４，Ｈ１〜Ｈ４のレイアウトに相応した配置で表示するようにしても良い。

拡大マップ２４０ａには、入力操作部１０９による入力操作又は個別マップ２３０ａ〜２３０ｈのタッチ操作により選択された、個別マップマップ２３０ａ〜２３０ｈのいずれか１つが拡大表示される。また、解析画面２００中の拡大マップ２４０ａの下方領域には、拡大マップ２４０ａに表示された欠陥の寸法のヒストグラムが表示される。

これにより、各個別マップ２３０ａ〜２３０ｈのそれぞれについて拡大マップ２４０ａ及びヒストグラムを順次確認し、寸法別の欠陥分布の確認、ノイズレベルのレンジの差異を判断することができる。また、個別マップ２３０ａ〜２３０ｈを解析画面２００上に一覧表示することにより、欠陥寸法の分布の検出器方位への依存傾向も見定めることができる。

図６は情報表示部１０８に表示されたシミュレーション画面の一例を表した図である。
図６に示したシミュレーション画面２０１は、解析画面２００に設けられた表示切換ボタン（図示せず）のタッチ操作又は入力操作部１０９を用いた操作により解析画面２００より表示が移行された画面である。シミュレーション画面２０１に解析画面２００への表示切換ボタン（図示せず）を設け、この表示切換ボタンのタッチ操作又は入力操作部１０９を用いた操作により解析画面２００に表示を移行することもできる。

このシミュレーション画面２０１には、個別マップ２３０ａ〜２３０ｈの表示領域２３０の他、検出信号の合成条件（演算式）を設定する条件設定領域２１０、及びこの条件設定領域２１０で設定された合成条件に基づく合成信号による合成マップ（演算結果）２２０ａを表示するシミュレーション領域２２０が配置されている。この合成マップ２２０ａは、例えば解析画面２００の拡大マップ２４０ａに表示されるようにしても良い。

条件設定領域２１０には合成条件の表示領域２１１が設けられており、入力操作部１０９を用いた入力操作、又は条件設定領域２１０に設けられた各種演算子ボタン２１２ａ〜２１２ｅ及び個別マップ２３０ａ〜２３０ｈのタッチ操作により設定された合成条件が表示される。図６の例では、低角度の検出器Ｌ１〜Ｌ４の信号の合成条件として、検出器Ｌ１の検出信号に係数０．５（＝１／２）を掛けて検出器Ｌ２〜Ｌ４の検出信号に加算する場合を表示領域２１１に例示している。この場合、検査目的と検出器の方位を勘案し、特定の方位に位置する検出器Ｌ１の検出信号を他の検出器Ｌ２〜Ｌ４よりも弱める合成条件をオペレータが入力したことになる。

このように、演算子ボタン２１２ａ〜２１２ｅに示したような、任意の２入力及び定数に対する「＋（加算）」「−（減算）」「×（乗算）」「÷（除算）」「＾（べき乗）」等の演算子の他、条件分岐、複数の値の合計（Σ）の演算子を適宜組み合わせ、１つ又は図２〜図４に示したような複数の演算レイヤを設定し、検出信号の合成条件を設定する。また、単に各検出器の検出信号に係数を掛けたものを合計する場合、個別マップ２３０ａ〜２３０ｈの付近にそれぞれスライダスイッチ（スクロールバー）を設け、スライダスイッチの操作により各検出信号に対する係数が変更されるようにすることも考えられる。本実施の形態では、このようにＧＵＩ操作により情報表示部１０８の画面上で極容易に検出信号の合成条件の設定を変更することができるようになっている。

合成マップ２２０ａには、例えば図６の表示領域２１１や図２〜図４に例示したような合成条件に従い、各検出器の検出信号を信号合成部１０５で合成して得られた合成信号を基に生成された欠陥画像をウェハマップ上に重ねて表示した形で合成試料像が表示されている。上記した操作により各検出器の検出信号の合成条件が変更されると、合成マップ２２０ａには変更後の合成条件に従った合成信号により構築された合成試料像が反映され、合成条件の変更による検査装置の検出結果がシミュレーション領域２２０にて随時シミュレーションされる。

このように検査目的と個別マップによる各検出器の検出信号を見ながらオペレータが信号の合成条件を任意に設定することで、検査装置をカスタマイズするとともに、検査結果を検査目的に応じて最適化することができる。

図７は情報表示部１０８に表示されたデータ一覧表示画面の一例を表した図である。
このデータ一覧表示画面２０２では、各欠陥（Ｎｏ．１，２・・・）に対し、ウェハ上の座標位置（Ｘ，Ｙ）、各検出器Ｌ１〜Ｌ４，Ｈ１〜Ｈ４による検出サイズ、設定された合成条件下での合成信号による検出サイズが一覧表形式で表示されている。また、一覧表の他、検出欠陥の寸法のヒストグラム、チャート等、視覚的にデータの分布や傾向を判別できるような態様の表示も併せてなされている。

このデータ一覧表示画面２０２は、図示しない表示切換ボタン（画面２０２上のオブジェクト）や入力操作部１０９による操作により、前の解析画面２００、シミュレーション画面２０１と随時表示を切り替えることができる。

図８は上記構成の外観検査装置を用いた検出信号の合成条件の設定手順を表すフローチャートである。
本実施の形態の外観検査装置において検出信号の合成条件を変更する場合、まず他の検査装置である程度欠陥の座標や大きさ・種類が既知のウェハを試料ステージ１０１上にロードし、現状の合成条件（又はリセットした合成条件）の下で欠陥検査を実施する（ステップ３０１）。ここでは、入力操作部１０９により検査開始が指示されると、照明光源１０３からの照明光が回転する試料１００上に走査され、試料１００からの散乱光が各検出器により検出される。各検出器による検出信号は、メカ制御部１０７に指令する試料ステージ１０１の動作信号による試料１００上の照明光スポットの位置（座標）に同期され、座標・大きさ・検出器アドレス・合成信号等の欠陥情報とともに各検出器の検出結果が記憶部１１０に記憶される。

ステップ３０２では、例えば入力操作部１０９又は情報表示部１０８上で所定の操作を行い、情報表示部１０８に図５の解析画面２００を表示させ、検査結果を解析する（例えば感度を確認する）。ここでは、入力操作部１０９からの操作信号を受けた全体制御部１０６が記憶部１１０に記憶された各検出器の検出信号・合成信号等を読み出し、それら情報を基に生成した表示信号が情報表示部１０８に出力させることで情報表示部１０８に解析画面２００が表示される。オペレータはこの解析画面２００において個別マップ２３０ａ〜２３０ｈや拡大マップ２４０ａで現状の条件下における各検出器による検出結果を確認し、現状の検査結果を既知の欠陥情報と比較して良好な検査結果であるかどうかを解析する。

ステップ３０３では、解析の結果、現状の信号合成条件が次の検査目的に見合うものであれば（感度最適化の場合、現状の感度が十分であれば）、特に合成条件の変更の必要がないので合成条件設定手順を終了し、現状の合成条件のままウェハの検査工程を開始する。現状の信号合成条件が検査目的に合致しないようであれば（感度最適化の場合、現状の感度が不十分であれば）、ステップ３０４・３０５の合成条件変更の手順に移行する。

ステップ３０４では、検査目的（検査する欠陥種等）・検出器の位置（方位・仰角）・欠陥ヘイズ等を考慮しつつ、個別マップ・拡大マップ・ヒストグラム等を解析画面２００上で確認する。

ステップ３０５では、シミュレーション画面２０１に情報表示部１０８の表示を切り替え、解析画面２００での評価・解析の結果、検査目的に見合った合成条件を決定し条件設定領域２１０にて新たに設定する。合成条件の変更結果は、合成マップ２２０ａ・個別マップ２３０ａ〜２３０ｈ上に逐次反映される。ステップ３０５において、変更後の合成条件は、全体制御部１０６を介して記憶部１１０に出力され記憶される。記憶された新たな合成条件は、全体制御部１０６によって各検出器の検出信号とともに読み出され、新たな合成条件を基に合成試料像の表示データが全体制御部１０６によって生成され、情報表示部１０８に出力される。こうして合成マップ２２０ａ上に表示されるシミュレーション画像により合成条件の妥当性を評価し、妥当と判断されたら合成条件を一旦決定する。

続くステップ３０６では、新たに設定された合成条件下で、再び同じウェハの欠陥検査を実施し、ステップ３０７でステップ３０２と同様にその結果を解析する。ステップ３０８では、ステップ３０３と同じ要領で、変更後の信号合成条件が検査目的に見合うものであれば（感度最適化の場合、変更後の感度が十分であれば）、以降の合成条件の変更の必要がないので合成条件設定手順を終了し、そのままの合成条件でウェハの検査工程を開始する。変更後の信号合成条件が依然として検査目的に合致しないようであれば（感度最適化の場合、変更後の感度が未だ不十分であれば）、ステップ３０４に手順を戻して再度合成条件の変更を試みる。このように、合成条件の変更と変更後の合成条件下での試し検査を繰り返し、良好な検査結果が得られたら、図８の手順を終了する。

以上、本実施の形態によれば、以下のような効果を奏する。
例えば、ウェハ上のＣＯＰ・傷・異物（パーティクル）等の欠陥を検査する場合、複数の検出器（マルチセンサ）を有する外観検査装置では、各検出器の検出信号の合成条件が検出しようとする欠陥種に適したパラメータに設定されている。したがって、検査目的を変更する場合、目的の欠陥種に応じて例えば感度最適化のためにパラメータを変更する必要がある。この場合、パラメータの変更には、オフライン作業による検査結果の評価・解析、ソフトウェアの作成、作成したソフトウェアのインストールという一連の作業に多くの労力・時間を要する場合がある。

それに対し、本実施の形態によれば、ウェハの欠陥検査結果を情報表示部１０８で確認し、その後も、検査結果の評価・解析、入力操作部１０９による信号合成条件の変更、変更後の合成マップのシミュレーション、条件変更後の検査結果の確認まで、本外観検査装置上で実施することができる。このように、複数の検出器で得られる検出信号の検出特性の差異を装置上で解析し、回路やソフトウェアを変更することなく最小限の労力で種々の検査目的に柔軟かつ迅速に対応できるようにすることができる。マルチセンサを搭載していることにより、欠陥種等によって散乱光の方位性に応じた検出信号の差異を判別できることで、このような大きなメリットを得ることができる。

また、検出信号の合成条件が任意かつ容易に変更できるので、様々な合成条件で試し検査を繰り返して検出結果とその傾向（検出信号の方位・仰角への依存性等）を解析することにより、これまでこの種の外観検査装置では発見し難かったような欠陥の検査・分類用のパラメータ特定への応用も期待できる。

本発明の一実施の形態に係る外観検査装置の概念図である。 検出信号の合成条件の一例を表す図である。 検出信号の合成条件の一例を表す図である。 検出信号の合成条件の一例を表す図である。 情報表示部に表示された解析画面の一例を表した図である。 情報表示部に表示されたシミュレーション画面の一例を表した図である。 情報表示部に表示されたデータ一覧表示画面の一例を表した図である。 本発明の一実施の形態に係る外観検査装置を用いた検出信号の合成条件の設定手順を表すフローチャートである。

符号の説明

１００ 試料
１０１ 試料ステージ
１０３ 照明光源
１０５ 信号合成部
１０８ 情報表示部
１０９ 入力操作部
１１１ 照明光
１１２ 散乱光
１２０ａ〜ｄ 検出器
２００ 解析画面
２０１ シミュレーション画面
２０２ データ一覧表示画面
２１０ 条件設定領域
２１１ 表示領域
２１２ａ〜ｅ 演算子ボタン
２２０ａ 合成マップ
２３０ａ〜ｈ 個別マップ
２４０ａ 拡大マップ

Claims (15)

1. 試料を支持する試料ステージと、
   この試料ステージ上の試料に照明光を照射する照明光源と、
   この照明光源の照明光スポットに対して位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光を検出する複数の検出器と、
   これら複数の検出器からの検出信号をヘイズ信号を用いて設定の条件に従って合成する信号合成部と、
   この信号合成部による検出信号の合成条件を設定する条件設定部と、
   この条件設定部により設定された条件に従って信号合成部で合成された合成信号を基に構築された合成試料像を表示する表示部と
   を備えたことを特徴とする検査装置。
2. 請求項１の検査装置において、前記表示部が、前記複数の検出器の個々からの検出信号を基にそれぞれ構築された複数の個別試料像を表示することを特徴とする検査装置。
3. 請求項２の検査装置において、前記複数の個別試料像が、前記合成試料像と同一画面上に表示されることを特徴とする検査装置。
4. 請求項１の検査装置において、前記合成試料像が、前記条件設定部により検出信号の合成条件の設定が変更された場合、変更後の合成条件に従って新たに構築され、合成条件の変更が反映されることを特徴とする検査装置。
5. 請求項１の検査装置において、前記表示部が、前記複数の検出器による検出データの一覧を表示することを特徴とする検査装置。
6. 請求項１の検査装置において、前記複数の検出器の検出信号の合成条件が前記表示部の表示画面上のＧＵＩ操作により設定可能であることを特徴とする検査装置。
7. 試料に照明光を照射し、
   前記照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光を異なる複数位置で検出し、
   これら複数の位置での検出信号をヘイズ信号を用いて設定の条件に従って合成し、
   この設定された条件に従って合成された合成信号を基に構築された合成試料像を表示する
   ことを特徴とする検査方法。
8. 請求項７の検査方法において、前記複数の検出信号を基にそれぞれ構築された複数の個別試料像を表示することを特徴とする検査方法。
9. 請求項８の検査方法において、前記複数の個別試料像が、前記合成試料像と同一表示画面上に表示されることを特徴とする検査方法。
10. 請求項７の検査方法において、前記合成試料像が、検出信号の合成条件の設定が変更された場合、変更後の合成条件に従って新たに構築され、合成条件の変更が反映されることを特徴とする検査方法。
11. 請求項７の検査方法において、前記複数の位置での検出データの一覧を表示することを特徴とする検査方法。
12. 請求項７の検査方法において、前記複数の位置での検出信号の合成条件が前記表示画面上のＧＵＩ操作により設定可能であることを特徴とする検査方法。
13. 試料を支持する試料ステージと、
    この試料ステージ上の試料に照明光を照射する照明光源と、
    この照明光源の照明光スポットに対して位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光を検出する複数の検出器と、
    これら複数の検出器からの検出信号をヘイズ信号を用いて設定の条件に従って合成する信号合成部と、
    各検出器の検出信号に乗ずる係数を任意に設定することができる任意設定部と
    を備えたことを特徴とする検査装置。
14. 請求項１３の検査装置において、前記任意設定部は、複数の検出器における照明光スポットからの検出器の方位の違いに基づいて、各検出器の検出信号に乗ずる係数を任意に設定することを特徴とする検査装置。
15. 試料を支持する試料ステージと、
    この試料ステージ上の試料に照明光を照射する照明光源と、
    この照明光源の照明光スポットに対して位置が異なるように配置され、前記照明光源から照明光が照射されることで前記試料の表面から発生する散乱光を検出する複数の検出器と、
    これら複数の検出器からの検出信号をヘイズ信号を用いて設定の条件に従って合成する信号合成部とを備え、
    各検出器の検出信号の合成条件が変更されると、合成マップには変更後の合成条件に従った合成信号により構築された合成試料像が反映され、合成条件の変更による検査装置の検出結果が随時シミュレーションできる
    ことを特徴とする検査装置。

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