TWI633083B - 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法 - Google Patents

四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI633083B
TWI633083B TW106112704A TW106112704A TWI633083B TW I633083 B TWI633083 B TW I633083B TW 106112704 A TW106112704 A TW 106112704A TW 106112704 A TW106112704 A TW 106112704A TW I633083 B TWI633083 B TW I633083B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
polymer
photosensitive resin
formula
resin composition
Prior art date
Application number
TW106112704A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201738198A (zh
Inventor
竹村勝也
浦野宏之
飯尾匡史
提箸正義
長谷川幸士
Original Assignee
信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 信越化學工業股份有限公司 filed Critical 信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201738198A publication Critical patent/TW201738198A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI633083B publication Critical patent/TWI633083B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C237/00Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups
    • C07C237/28Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups having the carbon atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a non-condensed six-membered aromatic ring of the carbon skeleton
    • C07C237/40Carboxylic acid amides, the carbon skeleton of the acid part being further substituted by amino groups having the carbon atom of at least one of the carboxamide groups bound to a carbon atom of a non-condensed six-membered aromatic ring of the carbon skeleton having the nitrogen atom of the carboxamide group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1039Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors comprising halogen-containing substituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/84Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of monocyclic hydroxy carboxylic acids, the hydroxy groups and the carboxyl groups of which are bound to carbon atoms of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/92Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of monocyclic hydroxy carboxylic acids, the hydroxy groups and the carboxyl groups of which are bound to carbon atoms of a six-membered aromatic ring with etherified hydroxyl groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003Preparatory processes
    • C08G73/1007Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1046Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • C08G73/105Polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain with oxygen only in the diamino moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/106Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1067Wholly aromatic polyimides, i.e. having both tetracarboxylic and diamino moieties aromatically bound
    • C08G73/1071Wholly aromatic polyimides containing oxygen in the form of ether bonds in the main chain
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/123Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors comprising halogen-containing substituents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/12Unsaturated polyimide precursors
    • C08G73/126Unsaturated polyimide precursors the unsaturated precursors being wholly aromatic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387Polyamides or polyimides
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0388Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2037Exposure with X-ray radiation or corpuscular radiation, through a mask with a pattern opaque to that radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

本發明提供一種四羧酸二酯化合物,可溶於作為組成物之溶劑之泛用且安全的有機溶媒,可獲得能作為感光性樹脂組成物之基礎樹脂使用之聚醯亞胺前驅體之聚合物。 下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物。 [化1]式中,X1 為4價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 [化2]式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n為0或1。

Description

四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法
本發明係關於作為聚醯亞胺前驅體之結構單元為有用之四羧酸二酯化合物、使用該四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、使用該聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂之負型感光性樹脂組成物及正型感光性樹脂組成物、使用了該負型感光性樹脂組成物或該正型感光性樹脂組成物之圖案形成方法及硬化被膜形成方法。
伴隨個人電腦、數位照相機、行動電話等各式各樣電子設備之小型化、高性能化,對於半導體元件也急需小型化、薄型化及高密度化。所以,希望能開發出可以因應生產性增進之基板面積之增大且在晶片尺寸封裝體或晶片層及封裝體(CSP)或三維疊層這類高密度安裝技術中,在基板上為微細且縱橫比高之感光性絕緣材料。
於三維疊層這類高密度安裝技術中,可以於基板上形成圖案之感光性絕緣材料,從以前係將聚醯亞胺膜作為保護被膜、絕緣層,其絕緣性、機械強度、和基板間之密合性等持續受到注目,現在也正積極開發當中。
以往,就感光性之聚醯亞胺系材料而言,有人提出利用聚醯亞胺之前驅體即聚醯胺酸之材料,例如:利用酯鍵對於聚醯胺酸之羧基導入感光基(專利文獻1、專利文獻2)。但是該等提案當中,在形成了已有圖案之皮膜後,為了要獲得目的之聚醯亞胺皮膜,需在超過300℃之高溫進行醯亞胺化處理,為了要耐受此高溫,會有基底基材受限,或是配線之銅氧化的問題。
就改善方式而言,有人提出為了使後硬化溫度的溫度降低,而使用了經醯亞胺化之可溶於溶劑之樹脂的感光性聚醯亞胺(專利文獻3、專利文獻4、專利文獻5)。使用了專利文獻3記載之聚醯亞胺之負型感光性樹脂組成物,在圖案形成時係實施使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)之顯影。但是N-甲基-2-吡咯烷酮有對於環境之負荷、關於健康之有害性,尤其吸引性呼吸器有害性方面有顧慮。尤其N-甲基-2-吡咯烷酮在歐洲的REACH(Registration, Evaluation, Authorization and Restriction of Chemicals)規則中,是列在SVHC(認可對象候選物質)。因此N-甲基-2-吡咯烷酮是希望儘量避免使用的溶媒。又,此專利文獻3中,並未有圖案形成時之解像性能之具體記載。
另一方面,專利文獻4中,圖案形成之顯影係使用鹼水溶液,但是,組成物中使用之溶劑為N-甲基-2-吡咯烷酮,同上述理由,事實上希望儘量不使用。又,感光性樹脂組成物之溶劑使用N-甲基-2-吡咯烷酮時,已知會損害聚醯亞胺系之膜之機械強度。N-甲基-2-吡咯烷酮是高沸點的溶媒,即使經過聚醯亞胺系之膜及圖案之乾燥步驟後有時仍會殘留,因為此影響,會損害聚醯亞胺系之膜之機械強度。由此點也希望避免在感光性樹脂組成物之溶媒中使用N-甲基-2-吡咯烷酮。
專利文獻5中提出的感光性樹脂組成物,係有鑑於低溫硬化而建構,使用了已醯亞胺化之基礎樹脂。組成物之溶劑為環戊酮,顯影步驟也使用鹼水溶液,故可避免使用N-甲基-2-吡咯烷酮。但是解像性能尚有改善之必要。亦即,使用專利文獻5記載之感光性樹脂組成物形成圖案時,係以極薄膜的方式實施,解像之圖案尺寸也大。此解像性能不足係由於專利文獻5揭示之基礎樹脂即聚醯亞胺樹脂欠缺對於顯影液中使用的鹼水溶液之溶解性的原故。
事實上就近年要求之三維疊層這類高密度安裝技術中之感光性絕緣材料之解像性能而言,需要形成之圖案之縱橫比(加工膜厚(或圖案之高度)/圖案之尺寸)為1以上2左右。亦即,當所望之加工膜厚或圖案之高度為10μm時,需形成10μm以下之尺寸或接近5μm之圖案。
專利文獻6中記載:利用了聚醯亞胺之前驅體即聚醯胺酸之材料,例如:使用對於聚醯胺酸之羧基導入了酯鍵之樹脂之感光性樹脂組成物之圖案形成方法,進一步形成皮膜後,將為了獲得目的之聚醯亞胺皮膜而實施之加熱可在250℃之相對較低之溫度實施之例。但是此感光性樹脂組成物之溶劑為N-甲基-2-吡咯烷酮,顯影步驟亦為使用N-甲基-2-吡咯烷酮,故因為上述理由,並不理想。又,在此專利文獻並未揭示具體的解像性。
又,關於使用了聚醯亞胺之前驅體之負型感光性樹脂組成物之圖案化形成,有專利文獻7。此感光性樹脂組成物之溶劑雖是N-甲基-2-吡咯烷酮系,但顯影是使用環戊酮。關於解像性能,有具體揭示,縱橫比可達成1以上。但是此縱橫比並不是代表加工膜厚或圖案高度與圖案尺寸之比率,而是代表塗佈、乾燥後之膜厚與尺寸之比率,此解像性能不是實用的數値,需要改善。又,宜使用像環戊酮般的泛用有機溶劑作為顯影液,但使用有機溶劑時,會因為顯影中膜之膨潤造成時常出現剛顯影後之圖案形狀容易變成倒懸(overhang)輪廓的缺點。
再者,關於使用了聚醯亞胺之前驅體之負型感光性樹脂組成物之圖案化形成,有專利文獻8。此感光性樹脂組成物之溶劑為γ-丁內酯,顯影液為鹼水溶液。在此圖案形成方法中,藉由使此聚醯亞胺前驅體之樹脂含有酸基,亦即含有如羧基之鹼可溶性基,使得對於顯影液之鹼水溶液之溶解性增進,並進行利用鹼水溶液顯影所為之圖案形成。利用鹼水溶液所為之顯影不易引起膨潤,圖案形狀亦為良好,有解像性能增進的好處。但是使樹脂含有如上述鹼可溶性基時,在解像性增進方面有優勢,但是無法解決會有損及對於為了將硬化後、實施金屬配線之步驟使用之鍍敷用光阻圖案予以剝離而使用之極強鹼性之剝離液之耐性之問題。為了要形成優良的保護絕緣膜,需要將樹脂上存在的鹼可溶性基完全地封端,或是從系中完全去除。
如上,今後伴隨晶片之高密度化、高整合化,絕緣保護膜之再配線技術中的圖案之微細化應該會日益進步,強烈需求在使用了有聚醯亞胺前驅體結構單元之聚合物之感光性樹脂組成物中,因加熱而獲得之聚醯亞胺之圖案及保護被膜之機械強度、密合性等優良的特徴不會受損而可達成高解像度之組成物。
又,也強烈需求施以圖案形成、硬化絕緣保護膜在各種步驟中之耐熱性、對於各種使用之化學藥品之耐性。
亦即,希望儘快開發出該等特徵無一欠缺而是全面具備的感光性樹脂組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開昭49-115541號公報 [專利文獻2] 日本特開昭55-45746號公報 [專利文獻3] 日本專利第3232022號公報 [專利文獻4] 日本專利第3721768號公報 [專利文獻5] 日本專利第5417623號公報 [專利文獻6] 日本特開2005-49504號公報 [專利文獻7] 國際公開第2013/168675號 [專利文獻8] 日本專利第3627488號公報
[發明欲解決之課題] 本發明有鑑於上述情事,目的在於提供對於作為組成物之溶劑之泛用且安全之有機溶媒為可溶且可獲得能作為感光性樹脂組成物之基礎樹脂使用之聚醯亞胺前驅體之聚合物之四羧酸二酯化合物、使用該四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法。 又,另一目的為提供在圖案形成中進行有機溶劑顯影時不會發生膨潤等而使圖案形狀劣化並可達成解像性增進之使用聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂使用之感光性樹脂組成物,及提供進行有機溶劑顯影時使用之有機溶劑亦為泛用且安全之有機溶劑之感光性樹脂組成物。 另一方面,圖案形成中,目的在於提供使用鹼水溶液於顯影液時,解像性優異,可以形成微細圖案之感光性樹脂組成物。 [解決課題之方式]
為了要解決上述課題,本發明提供下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物。 【化1】式中,X1 為4價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 【化2】式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
若為如此的四羧酸二酯化合物,則可獲得可以溶於作為組成物之溶劑之泛用且安全之有機溶媒,可作為感光性樹脂組成物之基礎樹脂使用之聚醯亞胺前驅體之聚合物。
此時前述通式(2)中之Y1 宜為選自碳數1~6之直鏈狀或分枝狀之伸烷基中之2價有機基較佳。
若為如此者,可以充分獲得本發明之效果。
此時前述通式(1)中之R1 宜為選自下列通式(3)、(4)、及(5)表示之基中之任一者的有機基較佳。 【化3】【化4】【化5】式中,點線表示鍵結。
考量取得成為為了導入R1 之原料之化合物之容易性,R1 宜為如此的基較佳。
又,本發明提供含有下列通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物。 【化6】式中,X1 為4價有機基,X2 為2價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 【化7】式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
在此,具有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,可以從上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物衍生,但是上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物含有上述通式(2)表示之有機基R1 (例如選自上式(3)~(5)表示之基中之任一有機基),此R1 含有六氟異丙醇基。一般而言,許多有醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物具有僅可溶解在如N-甲基-2-吡咯烷酮之極性溶劑的特徵,但是如由上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物衍生之上述通式(6)表示之聚醯亞胺前驅體之結構單元,藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物分子,會輕易地可溶於泛用的有機溶劑,可以組成使用了泛用的有機溶劑的組成物。
再者,導入到聚合物之六氟異丙醇基係鹼可溶性之酸基,具有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物可給予鹼可溶性之感光性樹脂組成物。
此時前述聚醯亞胺前驅體之聚合物宜更具有下列通式(7)表示之結構單元較佳。 【化8】式中,X2 同前述,X3 係和前述X1 相同或相異之4價有機基。R2 及R3 各自獨立地為氫原子、碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、或下列通式(8)表示之有機基,R2 及R3 中之至少任一者為下列通式(8)表示之有機基。 【化9】式中,點線代表鍵結,R4 為氫原子或碳數1~3之有機基,R5 及R6 各自獨立地為氫原子或碳數1~3之有機基,m為2~10之整數。
若為如此,結構單元中具有聚合性不飽和鍵結基,所以藉由和後述光自由基起始劑組合,圖案形成時在曝光部發生之自由基會作為起始劑而使自由基聚合進行,具有變成不溶於顯影液之特徵,不必再新添加交聯劑,可給予負型感光性樹脂組成物。
又,上述通式(6)表示之結構單元因為含有為酸基之六氟丙醇基,故顯示鹼可溶性,但藉由將上述通式(7)表示之聚醯亞胺前驅體之結構單元在聚合物中以任意之比率組合,可以將聚合物對於鹼水溶液之溶解速度任意地調整,能夠達成使用鹼水溶液之顯影中之圖案形成之最適化。
又,本發明提供一種聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,係上述聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與下列通式(9)表示之二胺反應。 【化10】式中,X1 及R1 同上述。 【化11】式中,X2 同上述。
含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物例如可利用如此的方法製造。
再者,本發明提供一種聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,係上述聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物、下列通式(9)表示之二胺、與下列通式(10)表示之四羧酸二酯化合物反應。 【化12】式中,X1 及R1 同上述。 【化13】式中,X2 同上述。 【化14】式中,X3 、R2 、及R3 同上述。
含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物例如可依如此的方法製造。
再者,本發明提供一種負型感光性樹脂組成物,包括: (A)含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B)光自由基起始劑;及 (D)溶劑。
如前述,含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,在聚合物分子中具有聚合性不飽和鍵結基,因此可藉由該聚合物與光自由基起始劑之組合而獲得負型感光性樹脂組成物。
再者,本發明提供一種負型感光性樹脂組成物,包括: (A’)上述聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B)光自由基起始劑; (C)在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑;及 (D)溶劑。
在此,不含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,推測是在聚合物分子中不具可以聚合或交聯之結構的情形。所以,可藉由補充具有光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑,而組成負型組成物。另一方面,含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,雖然在聚合物之分子中已具有聚合性不飽和鍵結基,但也可新添加交聯劑。
再者,本發明提供一種負型感光性樹脂組成物,包括: (A’)上述聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B’)光酸產生劑; (C’)交聯劑,選自於經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; 【化15】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2; 及 (D)溶劑。
如上,藉由使用(B’)成分之光酸產生劑,在圖案形成中,曝光部產生酸,使添加之(C’)成分之交聯劑之交聯基與聚合物之交聯反應點交聯,也可成為對於顯影液不溶,成為可獲得負像之組成物。
再者,本發明提供一種正型感光性樹脂組成物,包括: (A’)上述聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B’’)感光劑,係因光而產酸且對於鹼水溶液之溶解速度增大,且有醌二疊氮化物結構之化合物; (C’’)交聯劑,選自於在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑、經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; 【化16】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2; 及 (D)溶劑。
如上,藉由使用(B’’)成分之感光劑,在圖案形成中,曝光部對於鹼水溶液之顯影液的溶解速度增大,成為可溶,可獲得正像。含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物之分子中,因為含有鹼可溶性之取代基即六氟異丙醇基,且聚合物本身呈鹼可溶性,故在開口的圖案底部不易發生渣滓等殘渣、拖尾等圖案劣化,於微細之圖案形成方面有優勢。
此時前述正型感光性樹脂組成物宜更含有(E)因熱而產生酸或自由基之化合物較佳。
若含有如此的(E)成分,可以促進後硬化,獲得之圖案或被膜之機械強度、耐藥品性、密合性等可以更為增進。
再者,本發明提供一種圖案形成方法,包括以下步驟: (1)將上述負型感光性樹脂組成物塗佈在基板上,形成感光材皮膜; (2)其次加熱處理後,介隔光罩而以波長190~500nm之高能射線或電子束將感光材皮膜進行曝光; (3)使用鹼水溶液或有機溶劑之顯影液進行顯影。
本發明之負型感光性樹脂組成物之基礎樹脂之聚醯亞胺前驅體之聚合物,因為含有上述通式(6)表示之結構單元,故含有六氟異丙醇基,藉此六氟丙醇基之存在,在上述圖案形成方法中,進行有機溶劑顯影時,可獲致抑制擔心的膨潤的效果。又,如此的圖案形成方法尤其適合使用具有聚合性不飽和鍵結基之聚合物作為基礎樹脂之負型感光性樹脂組成物。
此時前述曝光步驟與前述顯影步驟之間宜包括進行曝光後加熱之步驟較佳。
尤其是包括含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物之負型感光性樹脂組成物的情形,藉由曝光後包括進行加熱之步驟(曝光後烘烤(PEB)),因曝光而從光酸產生劑發生之酸會作為觸媒,促進交聯劑之交聯基與聚合物之交聯反應點之交聯反應。
再者,本發明提供一種圖案形成方法,包括以下步驟: (I)將上述正型感光性樹脂組成物塗佈在基板上,形成感光材皮膜; (II)其次加熱處理後,介隔光罩而以波長190~500nm之高能射線或電子束將感光材皮膜進行曝光; (III)使用鹼水溶液之顯影液進行顯影。
如上,本發明之正型感光性樹脂組成物可利用鹼水溶液進行鹼顯影。
再者,本發明提供一種硬化被膜形成方法,其特徵為將依上述圖案形成方法獲得之已形成圖案之被膜於溫度100~300℃進行加熱、後硬化之步驟。
本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物含有六氟異丙醇基,故鹼可溶性之聚合物在後硬化步驟中,該聚醯亞胺前驅體之聚合物中之聚醯亞胺前驅體之結構單元會產生醯亞胺閉環反應,鹼可溶性之六氟異丙醇基脱離,變成從系中去除。因此後硬化後之硬化膜不存在鹼可溶性基,聚醯亞胺樹脂成為非常安定的膜,可以形成對藥品耐性,尤其對於在實施金屬配線之步驟使用之為了將鍍敷用光阻圖案剝離而使用之極強鹼性之剝離液的耐性極度增進的硬化被膜。且,有圖案而獲得之這些硬化被膜可成為優良的電氣、電子零件保護被膜、絕緣保護被膜。 [發明之效果]
若為本發明,可以提供對於作為組成物之溶劑之泛用且安全之有機溶媒為可溶,可獲得能作為感光性樹脂組成物之基礎樹脂使用之聚醯亞胺前驅體之聚合物之四羧酸二酯化合物。使用了含有從如此的四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體之聚合物之感光性樹脂組成物之圖案形成中,為有機溶劑顯影的情形,可進行使用了泛用且安全之有機溶劑之顯影,進而顯影時不易引起膨潤,故圖案形狀良好,可獲得微細的圖案。又,使用鹼水溶液之顯影的情形,具本發明之聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物可溶於鹼水溶液,故可抑制開口之圖案底部出現渣滓等殘渣、拖尾等圖案劣化,可為微細圖案之解像。
再者,依照本發明,藉由將獲得之有圖案之膜進行後硬化,圖案形成有優勢的優良的鹼可溶性的機能、有機溶劑可溶性的機能會因為醯亞胺閉環反應而從系中去除,給予安定的聚醯亞胺膜,因此可以提供耐藥品性優異之保護膜。又,獲得之膜會成為有聚醯亞胺之特徵的機械強度、基板密合性、電特性、可靠性優異之保護被膜。
如上述,需要有可溶於作為組成物之溶劑之泛用且安全之有機溶媒,可以獲得能作為感光性樹脂組成物之基礎樹脂使用之聚醯亞胺前驅體之聚合物之四羧酸二酯化合物。
本案發明人等為了達成上述目的而努力研究,結果發現:當將使用具有下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物(聚醯亞胺前驅體之聚合物)作為基礎樹脂時,該聚合物容易溶解在泛用且安全之有機溶劑,故於建構組成物時為有用,進而上述聚合物可以活用在可為有機溶劑顯影之負型感光性樹脂組成物、可為鹼水溶液顯影之負型感光性樹脂組成物、可為鹼水溶液顯影之正型感光性樹脂組成物中之任一者,使用這些感光性樹脂組成物獲得之圖案為微細且圖案形狀良好。又,如上述,使用具有下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物,因容易溶於泛用且安全之有機溶劑,故進行有機溶劑顯影時,有能使用泛用且安全之有機溶劑之好處。
又,發現:具有使用下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物獲得之聚醯亞胺前驅體結構單元之聚合物是可溶於鹼水溶液之樹脂,使用含有此聚合物之感光性樹脂組成物形成圖案、加熱後獲得之被膜對於強鹼性鍍敷剝離液之耐性優良。
再者,發現:使用含有具上述聚醯亞胺前驅體結構單元之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物,利用圖案形成、加熱所獲得之保護被膜的機械強度、密合性優良。亦即,使用含有具上述聚醯亞胺前驅體結構單元之聚合物作為基礎樹脂的感光性樹脂組成物形成之圖案而獲得之硬化被膜,就電氣、電子零件保護被膜、絕緣保護被膜而言係為優良,乃完成本發明。
亦即本發明係下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物。 【化17】式中,X1 為4價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 【化18】式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
以下針對本發明詳細説明,但本發明不限於此等。
[四羧酸二酯化合物] 本發明之四羧酸二酯化合物係以下列通式(1)表示。 【化19】式中,X1 為4價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 【化20】式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
上述通式(1)中之X1 係4價有機基,只要是4價有機基即無限定。較佳為碳數4~40之脂環族脂肪族基或芳香族基之4價有機基,更佳為下式(11)表示之4價有機基。又,X1 之結構可為1種也可為2種以上之組合。 【化21】式中,點線表示鍵結。
另一方面,上述通式(1)中之R1 較佳為可列舉下列通式(3)、(4)、(5)、(12)、(13)、及(14)表示之基。 【化22】【化23】【化24】【化25】【化26】【化27】式中,點線表示鍵結。
又,就R1 而言,考量取得後述通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物之容易性,宜為選自上述通式(3)、(4)、及(5)表示之任一基之有機基較佳。
在此,採用使用具本發明之聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物進行圖案化後,在後硬化之加熱中,該聚醯亞胺前驅體之結構單元會進行醯亞胺化之閉環反應,但此時已導入之R1 會脱離並從系中去除,所以會觀察到形成之膜之膜厚減少。因此為了使後硬化時之膜損失為最小,更理想的R1 為其分子量小者。亦即最理想的R1 係上述通式(3)表示之結構。
又,上述通式(2)中之Y1 宜為選自碳數1~6之直鏈狀或分枝狀之伸烷基中之2價有機基較佳。
(四羧酸二酯化合物之製造方法) 本發明之四羧酸二酯化合物之製造方法可列舉:藉由使下列通式(15)表示之四羧酸二酐與下列通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物於吡啶等鹼性觸媒之存在下反應,以導入R1 之方法。在此,下列通式(15)表示之四羧酸二酐成為上述通式(1)中之X1 (例如:上式(11)表示之4價有機基)之源頭,下列通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物,可以導入上述通式(2)表示之有機基。 【化28】式中,X1 同上述。 【化29】式中,Y1 、k、及n同上述。
作為理想的上述通式(15)表示之四羧酸二酐,例如芳香族酸二酐、脂環族酸二酐、脂肪族酸二酐等。芳香族酸二酐,例如:苯均四酸二酐、3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,3,3’,4’-聯苯四羧酸二酐、2,3,2’,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-聯三苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-氧基鄰苯二甲酸二酐、2,3,3’,4’-氧基鄰苯二甲酸二酐、2,3,2’,3’-氧基鄰苯二甲酸二酐、二苯基碸-3,3’,4,4’-四羧酸二酐、二苯酮-3,3’,4,4’-四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)丙烷二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)丙烷二酐、1,1-雙(3,4-二羧基苯基)乙烷二酐、1,1-雙(2,3-二羧基苯基)乙烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、1,4-(3,4-二羧基苯氧基)苯二酐、對伸苯基雙(偏苯三甲酸單酯酸酐)、雙(1,3-二側氧基-1,3-二氫間苯并呋喃-5-羧酸)1,4-伸苯、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、9,9-雙(3,4-二羧基苯基)茀二酐、2,3,5,6-吡啶四羧酸二酐、3,4,9,10-苝四羧酸二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙(4-(3,4-二羧基苯甲醯氧基)苯基)六氟丙烷二酐、1,6-二氟焦蜜石酸二酐、1-三氟甲基苯均四酸二酐、1,6-二(三氟甲基)苯均四酸二酐、2,2’-雙(三氟甲基)-4,4’-雙(3,4-二羧基苯氧基)聯苯二酐、2,2’-雙[(二羧基苯氧基)苯基]丙烷二酐、2,2’-雙[(二羧基苯氧基)苯基]六氟丙烷二酐、或該等芳香族環經烷基、烷氧基、鹵素原子等取代而得之酸二酐化合物等,但不限定於此等。
脂環族酸二酐,例如:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環戊烷四羧酸二酐、1,2,4,5-環己烷四羧酸二酐、1,2,4,5-環戊烷四羧酸二酐、1,2,3,4-四甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-環庚烷四羧酸二酐、2,3,4,5-四氫呋喃四羧酸二酐、3,4-二羧基-1-環己基琥珀酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、3,4-二羧基-1,2,3,4-四氫-1-萘琥珀酸二酐、雙環[3,3,0]辛烷-2,4,6,8-四羧酸二酐、雙環[4,3,0]壬烷-2,4,7,9-四羧酸二酐、雙環[4,4,0]癸烷-2,4,7,9-四羧酸二酐、雙環[4,4,0]癸烷-2,4,8,10-四羧酸二酐、三環[6,3,0,0<2,6>]十一烷-3,5,9,11-四羧酸二酐、雙環[2,2,2]辛烷-2,3,5,6-四羧酸二酐、雙環[2,2,2]辛-7-烯-2,3,5,6-四羧酸二酐、雙環[2,2,1]庚烷四羧酸二酐、雙環[2,2,1]庚烷-5-羧基甲基-2,3,6-三羧酸二酐、7-氧雜雙環[2,2,1]庚烷-2,4,6,8-四羧酸二酐、八氫萘-1,2,6,7-四羧酸二酐、十四氫蒽-1,2,8,9-四羧酸二酐、3,3’、4,4’-二環己烷四羧酸二酐、3,3’、4,4’-氧基二環己烷四羧酸二酐、5-(2,5-二側氧基四氫-3-呋喃基)-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、及“Rikasid”(註冊商標)BT-100(以上為商品名,新日本理化(股)製)及它們的衍生物、或該等脂環經烷基、烷氧基、鹵素原子等取代而得之酸二酐化合物等,但不限定於此等。
脂肪族酸二酐,例如:1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、1,2,3,4-戊烷四羧酸二酐及它們的衍生物等,但不限定於此等。
該等芳香族酸二酐、脂環族酸二酐、或脂肪族酸二酐可單獨使用或將2種以上組合使用。
上述通式(15)表示之四羧酸二酐與上述通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物之反應,可藉由使上述通式(15)表示之四羧酸二酐與上述通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物,於吡啶等鹼性觸媒存在下,於反應溶媒中在反應溫度20~50℃攪拌4~10小時以進行攪拌、溶解、及混合,而進行酸二酐之半酯化反應,並將所望之上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物溶於反應溶媒中,以溶液的形式獲得。
獲得之四羧酸二酯化合物可進行單離,亦可以將獲得之溶液直接用在後述次步驟之和二胺之反應中。
就上述反應溶媒而言,宜為上述四羧酸二酯化合物、及其次進行之上述四羧酸二酯化合物與二胺類之縮聚反應獲得之具聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物會充分溶解者較理想,例如:N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、四甲基尿素、γ-丁內酯等。又,也可以使用酮類、酯類、內酯類、醚類、鹵化烴類、烴類等,具體而言,可以列舉丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、草酸二乙酯、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,4-二氯丁烷、氯苯、鄰二氯苯、己烷、庚烷、苯、甲苯、二甲苯等。它們可以視需要單獨使用也可將2種以上混合使用。惟如上述説明,希望避免使用N-甲基-2-吡咯烷酮。
[聚醯亞胺前驅體之聚合物] 本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物(含有聚醯亞胺前驅體之結構單元之聚合物),含有下列通式(6)表示之結構單元(以下也稱為含有結構單元(6)之聚合物)。 【化30】式中,X1 為4價有機基,X2 為2價有機基,R1 為下列通式(2)表示之基。 【化31】式中,點線代表鍵結,Y1 為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
上述通式(6)中之X1 、R1 同上述式(1)所説明。又,上述通式(6)中之X2 只要是2價有機基即不限定,但為碳數6~40之2價有機基較佳,含有1~4個之有取代基之芳香族環或脂肪族環的環狀有機基、或不具環狀結構之脂肪族基或矽氧烷基更佳。更理想的X2 可列舉下式(17)或(18)表示之結構。又,X2 之結構可以為1種也可以為2種以上之組合。
【化32】式中,點線代表和胺基之鍵結。
【化33】式中,點線代表和胺基之鍵結,R7 各自獨立地代表甲基、乙基、丙基、正丁基、或三氟甲基,p表示2~20之正數。
又,本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物宜更含有下列通式(7)表示之結構單元(以下也稱為含有結構單元(6)及(7)之聚合物)較佳。 【化34】式中,X2 同前述,X3 為和前述X1 相同或相異之4價有機基。R2 及R3 各自獨立地為氫原子、碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、或下列通式(8)表示之有機基,且R2 及R3 中之至少任一者為下列通式(8)表示之有機基。 【化35】式中,點線代表鍵結,R4 為氫原子或碳數1~3之有機基,R5 及R6 各自獨立地為氫原子或碳數1~3之有機基,m為2~10之整數。
上述通式(7)中,X3 表示和前述X1 為相同或相異之4價有機基,但只要是4價有機基即不限定。X3 較佳為碳數4~40之脂環族脂肪族基或芳香族基之4價有機基,更佳為係選自上述通式(11)表示之4價有機基。又,X3 之結構可以為1種也可以為2種以上之組合。
上述通式(8)中之R4 只要是氫原子或碳數1~3之1價有機基即不限定,但考量感光性樹脂組成物之感光特性之觀點,氫原子或甲基較佳。
上述通式(8)中之R5 及R6 只要是各自獨立為氫原子或碳數1~3之1價有機基即不限定,但考量感光性樹脂組成物之感光特性之觀點,氫原子較佳。
上述通式(8)中之m為2~10之整數,考量感光特性之觀點,較佳為2~4之整數。更佳為m係2。
上述通式(7)中之R2 及R3 各自獨立地為氫原子或碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、或上述通式(8)表示之有機基,R2 及R3 中之至少任一者為上述通式(8)表示之有機基。
(聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法) 又,本發明提供製造上述本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之方法。含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,可以藉由使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與下列通式(9)表示之二胺反應而得。 【化36】式中,X1 及R1 同上述。 【化37】式中,X2 同上述。
上述通式(9)表示之二胺可以列舉芳香族二胺、脂環族二胺、脂肪族二胺等。理想的芳香族二胺,例如:3,4’-二胺基二苯醚、4,4’-二胺基二苯醚、3,4’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基甲烷、3,3’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基碸、4,4’-二胺基二苯基碸、3,4’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基硫醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、聯苯胺、2,2’-雙(三氟甲基)聯苯胺、3,3’-雙(三氟甲基)聯苯胺、2,2’-二甲基聯苯胺、3,3’-二甲基聯苯胺、2,2’3,3’-四甲基聯苯胺、2,2’-二氯聯苯胺、3,3’-二氯聯苯胺、2,2’3,3’-四氯聯苯胺、間苯二胺、對苯二胺、1,5-萘二胺、2,6-萘二胺、雙(4-胺基苯氧基苯基)碸、雙(3-胺基苯氧基苯基)碸、雙[4-(3-胺基苯氧基)苯基]碸、雙(4-胺基苯氧基)聯苯、雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}醚、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、9,9-雙(4-胺基苯基)茀、2,2’-雙[3-(3-胺基苯甲醯胺)-4-羥基苯基]六氟丙烷、4-胺基苯基-4’-胺基苯甲酸酯、4,4’-二胺基苯醯替苯胺或該等芳香族環經烷基、烷氧基、鹵素原子等取代而得之二胺化合物等,但不限定於此等。
脂環族二胺,例如:環丁烷二胺、異佛爾酮二胺、雙環[2,2,1]庚烷雙甲胺、三環[3,3,1,13 7 ]癸烷-1,3-二胺、1,2-環己基二胺、1,3-環己基二胺、1,4-二胺基環己烷、trans-1,4-二胺基環己烷、cis-1,4-二胺基環己烷、4,4’-二胺基二環己基甲烷、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基二環己基甲烷、3,3’-二乙基-4,4’-二胺基二環己基甲烷、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二胺基二環己基甲烷、3,3’,5,5’-四乙基-4,4’-二胺基二環己基甲烷、3,5-二乙基-3’,5’-二甲基-4,4’-二胺基二環己基甲烷、4,4’-二胺基二環己醚、3,3’-二甲基-4,4’-二胺基二環己醚、3,3’-二乙基-4,4’-二胺基二環己醚、3,3’,5,5’-四甲基-4,4’-二胺基二環己醚、3,3’,5,5’-四乙基-4,4’-二胺基二環己醚、3,5-二乙基-3’,5’-二甲基-4,4’-二胺基二環己醚、2,2-雙(4-胺基環己基)丙烷、2,2-雙(3-甲基-4-胺基環己基)丙烷、2,2-雙(3-乙基-4-胺基環己基)丙烷、2,2-雙(3,5-二甲基-4-胺基環己基)丙烷、2,2-雙(3,5-二乙基-4-胺基環己基)丙烷、2,2-(3,5-二乙基-3’,5’-二甲基-4,4’-二胺基二環己基)丙烷、或該等脂環經烷基、烷氧基、鹵素原子等取代而得之二胺化合物等,但不限定於此等。
脂肪族二胺,例如:乙二胺、1,3-二胺基丙烷、1,4-二胺基丁烷、1,5-二胺基戊烷、1,6-二胺基己烷、1,7-二胺基庚烷、1,8-二胺基辛烷、1,9-二胺基壬烷、1,10-二胺基癸烷等伸烷基二胺類、雙(胺基甲基)醚、雙(2-胺基乙基)醚、雙(3-胺基丙基)醚等乙二醇二胺類、及1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-胺基丁基)四甲基二矽氧烷、α,ω-雙(3-胺基丙基)聚二甲基矽氧烷等矽氧烷二胺類等,但不限定於此等。
該等芳香族二胺、脂環族二胺、或脂肪族二胺可單獨使用或組合使用2種以上。
又,矽氧烷二胺類也宜使用。
在此,含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,例如可藉由使上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與上述通式(9)表示之二胺於脱水縮合劑存在下反應而得。亦即,可藉由將上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物於溶解在上述反應溶媒中之狀態用於反應,在此反應溶液中,於冰冷下投入既知之脱水縮合劑(例如:二環己基碳二亞胺、1-乙氧基羰基-2-乙氧基-1,2-二氫喹啉、1,1-羰基二氧基-二-1,2,3-苯并三唑、N,N’-二琥珀醯亞胺基碳酸酯等)並混合,使上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物成為多元酸酐後,於其中滴加投入上述通式(9)表示之二胺另外溶解或分散於溶媒者並使其縮聚,以獲得含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物。
又,作為使上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與上述通式(9)表示之二胺化合物反應而獲得含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物之其他方法,可列舉將上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物使用亞硫醯氯或二氯草酸等氯化劑變換為醯氯化物,並使其和上述通式(9)表示之二胺反應以合成之方法。
在將上述四羧酸二酯化合物使用氯化劑變換為醯氯化物之反應,也可使用鹼性化合物。此鹼性化合物可使用例如吡啶、4-二甲胺基吡啶、三乙胺等。
其次,藉由使獲得之四羧酸二酯化合物之醯氯化物與上述通式(9)表示之二胺於鹼性觸媒存在下反應,可獲得目的之含有上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物。此時鹼性觸媒可以列舉吡啶、二甲胺基吡啶、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]壬-5-烯等。
製造本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之方法之中,就經過醯氯化物之方法使用之溶媒而言,宜為能充分溶解上述四羧酸二酯化合物及其醯氯化物、進而溶解利用和二胺類之縮聚反應獲得之聚醯亞胺前驅體之聚合物者較理想,可以使用和前述溶媒同樣之溶媒。具體而言,可以列舉N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、四甲基尿素、六甲基磷酸三醯胺、γ-丁內酯等。又,極性溶媒以外也可以使用酮類、酯類、內酯類、醚類、鹵化烴類、烴類等。例如:丙酮、二乙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、乙酸甲基、乙酸乙酯、乙酸丁基、草酸二乙基、丙二酸二乙基、二乙醚、乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、四氫呋喃、二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,4-二氯丁烷、三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯、己烷、庚烷、辛烷、苯、甲苯、二甲苯等。該等有機溶媒可單獨使用或組合使用2種以上。惟如上述所説明,希望避免使用N-甲基-2-吡咯烷酮。
含上述通式(6)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物之理想分子量較佳為5,000~100,000,更佳為7,000~30,000。分子量若為5,000以上,容易在基板上將使用上述聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物成膜為所望膜厚,分子量若為100,000以下,該感光性樹脂組成物之黏度不會顯著提高,沒有無法成膜之虞。
又,含有上述通式(6)表示之結構單元且含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物,可以使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物、下列通式(9)表示之二胺、以及下列通式(10)表示之四羧酸二酯化合物反應而製造。 【化38】式中,X1 及R1 同上述。 【化39】式中,X2 同上述。 【化40】式中,X3 、R2 、及R3 同上述。
上述通式(10)中,X3 表示和前述X1 為相同或相異之4價有機基,但只要是4價有機基即無限定。X3 較佳為碳數4~40之脂環族脂肪族基或芳香族基之4價有機基,更佳為選自上述通式(11)表示之4價有機基。又,X3 之結構可為1種也可為2種以上之組合。
上述通式(10)中之R2 及R3 各自獨立地為氫原子或碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、或上述通式(8)表示之有機基,R2 及R3 中之至少任一者為上述通式(8)表示之有機基。在此,上述通式(10)表示之四羧酸二酯化合物,可藉由使成為上述X3 (例如:上述通式(11)表示之4價有機基)之來源的四羧酸二酐與下列通式(19)表示之在末端具有羥基之化合物於吡啶等鹼性觸媒存在下反應,以對於R2 及R3 中之至少任一者導入上述通式(8)表示之有機基而獲得。 【化41】式中,R4 、R5 、R6 、及m同上述。
四羧酸二酐與上述通式(19)表示之在末端具有羥基之化合物之反應,具體而言,可以和上述四羧酸二酐與上述通式(16)表示之在末端具有羥基之化合物之反應同樣地實施。
上述通式(19)中之R4 只要是氫原子或碳數1~3之1價有機基即不限定,考量感光性樹脂組成物之感光特性之觀點,氫原子或甲基較佳。
上述通式(19)中之R5 及R6 各自獨立地為氫原子或碳數1~3之1價有機基則不限定,但考量感光性樹脂組成物之感光特性之觀點,為氫原子較佳。
上述通式(19)中之m為2~10之整數,考量感光特性之觀點,較佳為2~4之整數。更佳為m係2。
上述通式(19)表示之在末端具有羥基之化合物之中,理想的化合物,例如:2-丙烯醯氧基乙醇、1-丙烯醯氧基-3-丙醇、2-甲基丙烯醯氧乙醇、1-甲基丙烯醯氧-3-丙醇等。
又,上述通式(10)中之R2 及R3 亦可為碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基。就對於上述通式(7)及(10)導入碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基(亦即,R2 及R3 成為碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基)之方法而言,可列舉以下方法:在使上述通式(19)表示之在末端具有羥基之化合物與四羧酸二酐於吡啶等鹼性觸媒存在下進行之反應中,同時投入碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之醇之方法。
此時可使用的理想的醇可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、新戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、環戊醇、環己醇等。
上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物、上述通式(10)表示之四羧酸二酯化合物、與上述通式(9)表示之二胺之反應,可以和前述上述通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與上述通式(9)表示之二胺之反應同樣地實施。
又,含有結構單元(6)及(7)之聚合物之分子量,和含有前述結構單元(6)之聚合物之分子量同樣較佳為5,000~100,000,更佳為7,000~30,000。
含有結構單元(6)之聚合物、含有結構單元(6)及(7)之聚合物,為了控制縮聚合反應中之分子量、抑制獲得之聚合物經時之分子量變化,亦即抑制凝膠化,亦可以利用封端劑將兩末端予以密封。和酸二酐反應之封端劑可以列舉一元胺、一元醇等。又,和二胺化合物反應之封端劑可以列舉酸酐、單羧酸、單醯氯化合物、單活性酯化合物、二碳酸酯類、乙烯醚類等。又,可以藉由使封端劑反應,以導入作為末端基之各種有機基。
可作為酸酐基末端之封端劑之一元胺可列舉苯胺、5-胺基-8-羥基喹啉、4-胺基-8-羥基喹啉、1-羥基-8-胺基萘、1-羥基-7-胺基萘、1-羥基-6-胺基萘、1-羥基-5-胺基萘、1-羥基-4-胺基萘、1-羥基-3-胺基萘、1-羥基-2-胺基萘、1-胺基-7-羥基萘、2-羥基-7-胺基萘、2-羥基-6-胺基萘、2-羥基-5-胺基萘、2-羥基-4-胺基萘、2-羥基-3-胺基萘、1-胺基-2-羥基萘、1-羧基-8-胺基萘、1-羧基-7-胺基萘、1-羧基-6-胺基萘、1-羧基-5-胺基萘、1-羧基-4-胺基萘、1-羧基-3-胺基萘、1-羧基-2-胺基萘、1-胺基-7-羧基萘、2-羧基-7-胺基萘、2-羧基-6-胺基萘、2-羧基-5-胺基萘、2-羧基-4-胺基萘、2-羧基-3-胺基萘、1-胺基-2-羧基萘、2-胺基菸鹼酸、4-胺基菸鹼酸、5-胺基菸鹼酸、6-胺基菸鹼酸、4-胺基水楊酸、5-胺基水楊酸、6-胺基水楊酸、2,4-二氧基-6-胺基-sym-三(2,4-dioxy-6-amino-sym-triazine(Ameraido))、2-胺基苯甲酸、3-胺基苯甲酸、4-胺基苯甲酸、2-胺基苯磺酸、3-胺基苯磺酸、4-胺基苯磺酸、3-胺基-4,6-二羥基嘧啶、2-胺基苯酚、3-胺基苯酚、4-胺基苯酚、5-胺基-8-巰基喹啉、4-胺基-8-巰基喹啉、1-巰基-8-胺基萘、1-巰基-7-胺基萘、1-巰基-6-胺基萘、1-巰基-5-胺基萘、1-巰基-4-胺基萘、1-巰基-3-胺基萘、1-巰基-2-胺基萘、1-胺基-7-巰基萘、2-巰基-7-胺基萘、2-巰基-6-胺基萘、2-巰基-5-胺基萘、2-巰基-4-胺基萘、2-巰基-3-胺基萘、1-胺基-2-巰基萘、3-胺基-4,6-二巰基嘧啶、2-胺基硫苯酚、3-胺基硫苯酚、4-胺基硫苯酚、2-乙炔基苯胺、3-乙炔基苯胺、4-乙炔基苯胺、2,4-二乙炔基苯胺、2,5-二乙炔基苯胺、2,6-二乙炔基苯胺、3,4-二乙炔基苯胺、3,5-二乙炔基苯胺、1-乙炔基-2-胺基萘、1-乙炔基-3-胺基萘、1-乙炔基-4-胺基萘、1-乙炔基-5-胺基萘、1-乙炔基-6-胺基萘、1-乙炔基-7-胺基萘、1-乙炔基-8-胺基萘、2-乙炔基-1-胺基萘、2-乙炔基-3-胺基萘、2-乙炔基-4-胺基萘、2-乙炔基-5-胺基萘、2-乙炔基-6-胺基萘、2-乙炔基-7-胺基萘、2-乙炔基-8-胺基萘、3,5-二乙炔基-1-胺基萘、3,5-二乙炔基-2-胺基萘、3,6-二乙炔基-1-胺基萘、3,6-二乙炔基-2-胺基萘、3,7-二乙炔基-1-胺基萘、3,7-二乙炔基-2-胺基萘、4,8-二乙炔基-1-胺基萘、4,8-二乙炔基-2-胺基萘等,但不限定於此等。它們可單獨使用1種也可併用2種以上。
另一方面,可作為酸酐基末端之封端劑使用之一元醇可列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、1-辛醇、2-辛醇、3-辛醇、1-壬醇、2-壬醇、1-癸醇、2-癸醇、1-十一醇、2-十一醇、1-十二醇、2-十二醇、1-十三醇、2-十三醇、1-十四醇、2-十四醇、1-十五醇、2-十五醇、1-十六醇、2-十六醇、1-十七醇、2-十七醇、1-十八醇、2-十八醇、1-十九醇、2-十九醇、1-二十醇、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-2-丙醇、2-甲基-1-丁醇、3-甲基-1-丁醇、2-甲基-2-丁醇、3-甲基-2-丁醇、2-丙基-1-戊醇、2-乙基-1-己醇、4-甲基-3-庚醇、6-甲基-2-庚醇、2,4,4-三甲基-1-己醇、2,6-二甲基-4-庚醇、異壬醇、3,7二甲基-3-辛醇、2,4二甲基-1-庚醇、2-庚基十一醇、乙二醇單乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單丁醚、丙二醇1-甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單丁醚、環戊醇、環己醇、單羥甲基環戊烷、單羥甲基二環戊烷、單羥甲基三環癸烷、降莰醇、松脂醇(terpineol)等,但不限於此等。又,它們可單獨使用1種也可併用2種以上。
可以作為胺基末端之封端劑使用之酸酐、單羧酸、單醯氯化合物、及單活性酯化合物可列舉鄰苯二甲酸酐、馬來酸酐、納地酸酐、環己烷二羧酸酐、3-羥基鄰苯二甲酸酐等酸酐、2-羧基苯酚、3-羧基苯酚、4-羧基苯酚、2-羧基硫苯酚、3-羧基硫苯酚、4-羧基硫苯酚、1-羥基-8-羧基萘、1-羥基-7-羧基萘、1-羥基-6-羧基萘、1-羥基-5-羧基萘、1-羥基-4-羧基萘、1-羥基-3-羧基萘、1-羥基-2-羧基萘、1-巰基-8-羧基萘、1-巰基-7-羧基萘、1-巰基-6-羧基萘、1-巰基-5-羧基萘、1-巰基-4-羧基萘、1-巰基-3-羧基萘、1-巰基-2-羧基萘、2-羧基苯磺酸、3-羧基苯磺酸、4-羧基苯磺酸、2-乙炔基苯甲酸、3-乙炔基苯甲酸、4-乙炔基苯甲酸、2,4-二乙炔基苯甲酸、2,5-二乙炔基苯甲酸、2,6-二乙炔基苯甲酸、3,4-二乙炔基苯甲酸、3,5-二乙炔基苯甲酸、2-乙炔基-1-萘甲酸、3-乙炔基-1-萘甲酸、4-乙炔基-1-萘甲酸、5-乙炔基-1-萘甲酸、6-乙炔基-1-萘甲酸、7-乙炔基-1-萘甲酸、8-乙炔基-1-萘甲酸、2-乙炔基-2-萘甲酸、3-乙炔基-2-萘甲酸、4-乙炔基-2-萘甲酸、5-乙炔基-2-萘甲酸、6-乙炔基-2-萘甲酸、7-乙炔基-2-萘甲酸、8-乙炔基-2-萘甲酸等單羧酸類及該等羧基經醯氯化而得之單醯氯化合物、及僅將對苯二甲酸、鄰苯二甲酸、馬來酸、環己烷二羧酸、3-羥基鄰苯二甲酸、5-降莰烯-2,3-二羧酸、1,2-二羧基萘、1,3-二羧基萘、1,4-二羧基萘、1,5-二羧基萘、1,6-二羧基萘、1,7-二羧基萘、1,8-二羧基萘、2,3-二羧基萘、2,6-二羧基萘、2,7-二羧基萘等二羧酸類之單羧基經醯氯化而得之單醯氯化合物、單醯氯化合物與N-羥基苯并三唑、N-羥基-5-降莰烯-2,3-二羧基醯亞胺之反應所獲得之活性酯化合物等。
可作為胺基末端之封端劑使用之二碳酸酯化合物可列舉二碳酸二第三丁酯、二碳酸二苄酯、二碳酸二甲酯、二碳酸二乙酯等。
可作為胺基末端之封端劑使用之乙烯醚化合物可列舉氯甲酸-第三丁酯、氯甲酸-正丁酯、氯甲酸異丁酯、氯甲酸苄酯、氯甲酸烯丙酯、氯甲酸乙酯、氯甲酸異丙酯等氯甲酸酯類、異氰酸丁酯、異氰酸1-萘酯、異氰酸十八酯、異氰酸苯基等異氰酸酯化合物類、丁基乙烯醚、環己基乙烯醚、乙基乙烯醚、2-乙基己基乙烯醚、異丁基乙烯醚、異丙基乙烯醚、正丙基乙烯醚、第三丁基乙烯醚、苄基乙烯醚等。
可作為胺基末端之封端劑使用之其他化合物可列舉苯甲醯氯、氯甲酸茀基甲酯、氯甲酸2,2,2-三氯乙酯、甲烷磺醯氯、對甲苯磺醯氯、苯基異氰酸酯等。
酸酐基末端之封端劑之導入比例,相對於為本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之原料之上述通式(15)所相當之四羧酸二酐成分,為0.1~60莫耳%之範圍較理想,尤佳為5~50莫耳%,更佳為5~20莫耳%。又,胺基末端之封端劑之導入比例,相對於二胺成分為0.1~100莫耳%之範圍較理想,尤佳為5~90莫耳%。又,亦可藉由使多數封端劑反應,而導入多數的不同的末端基。
本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物亦可含有上述通式(6)表示之結構單元、通式(7)表示之結構單元以外之聚醯亞胺前驅體結構單元、聚醯亞胺結構單元、聚苯并㗁唑之結構單元、聚苯并㗁唑前驅體之結構單元。
[感光性樹脂組成物] 然後說明關於使用本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物。本發明中,藉由使用上述本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂,可獲得負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物。
[負型感光性樹脂組成物] 首先針對將本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物中,可形成負型圖案且可進行有機溶劑顯影或鹼顯影可能之負型感光性樹脂組成物。本發明之負型感光性樹脂組成物例如可採取以下説明之3種形態,但不限定於此等。
本發明之負型感光性樹脂組成物之第1形態為一種負型感光性樹脂組成物,包含: (A)含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B)光自由基起始劑;及 (D)溶劑。
第1形態之負型感光性樹脂組成物中,(A)成分係含有上述通式(7)表示之結構單元之聚醯亞胺前驅體之聚合物(亦即含有結構單元(6)及(7)之聚合物)。此聚合物因為在分子中具有聚合性不飽和鍵結基,可藉由該聚合物與光自由基起始劑之組合獲得負型感光性樹脂組成物。
(A)成分之含有結構單元(6)及(7)之聚合物含有六氟異丙醇基。亦即含有相當於上述通式(2)之有機基(相當於上述通式(6)中之R1 之有機基)。藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物,可溶於泛用的有機溶劑,能夠組成使用後述泛用的(D)溶劑的組成物。又,藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物,可進行使用了泛用的有機溶劑的有機溶劑顯影,進行有機溶劑顯影時,可抑制有顧慮的膨潤。
對於(A)成分導入之六氟異丙醇基之理想比率可依(A)成分100g中之六氟異丙醇基之莫耳數表達。亦即,可輕易地溶於泛用的有機溶劑的六氟異丙醇基的理想導入比率,在(A)成分100g中為0.02mol以上,更佳為0.05mol以上。更理想的六氟異丙醇基的導入量為(A)成分100g中之0.1mol以上,此時可抑制有機溶劑顯影時之膨潤。
進行鹼顯影時,(A)成分中之六氟異丙醇基之理想導入量,係(A)成分100g中之0.15mol以上0.58mol以下,更佳為0.20mol以上0.30mol以下,最佳為0.25mol以上0.30mol以下。六氟異丙醇基之導入量若為(A)成分100g中之0.15mol以上,則可獲得對於鹼水溶液顯影液之理想鹼溶解速度,圖案形成時,不會對於圖案之開口發生妨害或於圖案底部觀察到渣滓,無損及解像性之虞。另一方面,六氟異丙醇基可對於(A)成分100g中導入之量,在本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之設計可為0.58mol,此時能期待對於鹼水溶液之顯影液有最高的溶解性。但是使用本發明之感光性樹脂組成物進行圖案化後,在後硬化之加熱中,本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物中之聚醯亞胺前驅體之結構單元會進行醯亞胺化之閉環反應,此時所含之已導入之六氟異丙醇基之有機基會脱離,從系統中被去除,因而觀察到形成之膜之膜厚減少,所以六氟異丙醇基之導入量宜為0.30mol以下較佳。
第1形態之負型感光性樹脂組成物中,(B)成分為光自由基起始劑。光自由基起始劑可以任意選擇自以往作為UV硬化用之光聚合起始劑使用的化合物。例如:光自由基起始劑可以列舉二苯酮、鄰苯甲醯基苯甲酸甲酯、4-苯甲醯基-4’-甲基二苯酮、二苄酮、茀酮等二苯酮衍生物;2,2’-二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、1-羥基環己基苯酮等苯乙酮衍生物;噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-異丙基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮衍生物;二苯基乙二酮(benzil)、苄基二甲基縮酮、苄基-β-甲氧基乙基縮醛等二苯基乙二酮(benzil)衍生物;苯偶因、苯偶因甲醚等苯偶因衍生物;1-苯基-1,2-丁烷二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-甲氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-1,2-丙烷二酮-2-(O-苯甲醯基)肟、1,3-二苯基丙烷三酮-2-(O-乙氧基羰基)肟、1-苯基-3-乙氧基丙烷三酮-2-(O-苯甲醯基)肟等肟類;N-苯基甘胺酸等N-芳基甘胺酸類;過氯化苯甲醯等過氧化物類;芳香族聯咪唑類等較理想,但不限定於此等。又,它們可使用單獨1種或混用2種以上。上述光自由基起始劑之中,尤其考量光感度之觀點,肟類更理想。
(B)成分之摻合量,相對於(A)成分之本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物100質量份為0.1質量份~20質量份較理想,考量光感度特性之觀點,2質量份~15質量份更理想。(B)成分藉由相對於(A)成分100質量份以0.1質量份以上摻合,獲得之負型感光性樹脂組成物的光感度優異,另一方面,藉由摻合20質量份以下,獲得之負型感光性樹脂組成物的厚膜硬化性優異。
然後第1形態之負型感光性樹脂組成物中之(D)成分為溶劑。(D)成分之溶劑只要可溶解(A)成分及(B)成分即不限定。溶劑,例如:環己酮、環戊酮、甲基-2-正戊酮等酮類;3-甲氧基丁醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇等醇類;丙二醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚等醚類;丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、乙酸第三丁酯、丙酸第三丁酯、丙二醇單第三丁醚乙酸酯、γ-丁內酯等酯類等,可使用該等之1種以上。尤其,乳酸乙酯、環己酮、環戊酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、γ-丁內酯或它們的混合溶劑為較佳。
(D)成分之摻合量,相對於(A)成分及(B)成分之摻合量之合計100質量份為50~2,000質量份較理想,尤其100~l,000質量份較佳。
又,第1形態之負型感光性樹脂組成物也可以更含有(A)成分、(B)成分、及(D)成分以外之其他成分。其他成分,例如(F)增感劑、密合助劑、為了提高保存安定性之聚合抑制劑、為了提高塗佈性而慣用之(G)界面活性劑等。
(F)增感劑,例如7-N,N-二乙胺基香豆素、7-二乙胺基-3-壬基香豆素、3,3’-羰基雙(7-N,N-二乙胺基)香豆素、3,3’-羰基雙(7-N,N-二甲氧基)香豆素、3-噻吩基羰基-7-N,N-二乙胺基香豆素、3-苯甲醯基香豆素、3-苯甲醯基-7-N,N-甲氧基香豆素、3-(4’-甲氧基苯甲醯基)香豆素、3,3’-羰基雙-5,7-(二甲氧基)香豆素、亞苄基苯乙酮、4’-N,N-二甲胺基亞苄基苯乙酮、4’-乙醯胺基亞苄基-4-甲氧基苯乙酮、二甲胺基二苯酮、二乙胺基二苯酮、4,4’-雙(N-乙基、N-甲基)二苯酮等。該等之含量宜相對於本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物100質量份為0.05~20質量份較佳,0.1~10質量份更佳。
(G)界面活性劑宜為非離子性較理想,例如氟系界面活性劑、具體而言可列舉全氟烷基聚氧乙烯乙醇、氟化烷酯、氧化全氟烷胺、含氟有機矽氧烷系化合物等。
該等界面活性劑可使用市售品,例如:Fluorad「FC-4430」(住友3M(股)製)、surflon「S-141」及「S-145」(以上為旭硝子(股)製)、Unidyne「DS-401」、「DS-4031」及「DS-451」(以上為大金工業(股)製)、Megafac「F-8151」(DIC(股)製)、「X-70-093」(信越化學工業(股)製)等。該等之中較佳為Fluorad「FC-4430」(住友3M(股)製)及「X-70-093」(信越化學工業(股)製)。
本發明之負型感光性樹脂組成物之第2形態為一種負型感光性樹脂組成物,包含: (A’)含有結構單元(6)之聚合物、或含有結構單元(6)及(7)之聚合物; (B)光自由基起始劑; (C)在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑;及 (D)溶劑。
第2形態之負型感光性樹脂組成物中,(A’)成分係含有結構單元(6)之聚合物、或含有結構單元(6)及(7)之聚合物。含有結構單元(6)之聚合物假設係在聚合物分子中不具能夠聚合或交聯之結構的情形,所以可藉由補充(C)成分之具有聚合性不飽和鍵結基之交聯劑,而組成第2形態之負型感光性樹脂組成物。另一方面,含有結構單元(6)及(7)之聚合物在聚合物之分子中已經有聚合性不飽和鍵結基,但也可以新添加交聯劑並補足。
(A’)成分之聚合物含有六氟異丙醇基。亦即含有相當於上述通式(2)之有機基(相當於上述通式(6)中之R1 之有機基)。藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物,可溶於泛用的有機溶劑,可以組成使用後述泛用的(D)溶劑的組成物。又,藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物,可進行使用了泛用的有機溶劑的有機溶劑顯影,可抑制進行有機溶劑顯影時發生令人顧慮的膨潤。
導入到(A’)成分之六氟異丙醇基之理想比率,能夠以(A’)成分100g中之六氟異丙醇基之莫耳數表達。亦即,能輕易地溶於泛用的有機溶劑之六氟異丙醇基之理想導入比率,為(A’)成分100g中之0.02mol以上,更佳為0.05mol以上。更理想的六氟異丙醇基的導入量為(A’)成分100g中之0.1mol以上,此時可抑制有機溶劑顯影時之膨潤。
進行鹼顯影時,(A’)成分中之六氟異丙醇基之理想導入量,為(A’)成分100g中之0.15mol以上0.58mol以下,更佳為0.20mol以上0.30mol以下、最佳為0.25mol以上0.30mol以下。六氟異丙醇基之導入量若為(A’)成分100g中之0.15mol以上,可獲得對於鹼水溶液顯影液的理想鹼溶解速度。圖案形成時不會發生對於圖案之開口造成阻礙或圖案底部觀察到渣滓,無損及解像性之虞。另一方面,六氟異丙醇基對於(A’)成分100g中可導入之量,在本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之設計可以為0.58mol,此時可以期待對於鹼水溶液之顯影液有最高溶解性。但是使用本發明之感光性樹脂組成物進行圖案化後,在後硬化之加熱中,本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物中之聚醯亞胺前驅體之結構單元會進行醯亞胺化之閉環反應,此時含有已導入之六氟異丙醇基之有機基會脱離並從系統中去除,故會觀察到形成之膜之膜厚減少,因而六氟異丙醇基之導入量為0.30mol以下較佳。
第2形態之負型感光性樹脂組成物中,(B)成分為光自由基起始劑。(B)成分之光自由基起始劑可列舉和在第1形態例示者為同樣者。
(B)成分之摻合量,相對於(A’)成分之本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物100質量份為0.1質量份~20質量份較理想,考量光感度特性之觀點,2質量份~15質量份更理想。(B)成分對於(A’)成分100質量份以0.1質量份以上摻合,則獲得之負型感光性樹脂組成物的光感度優異,而若以20質量份以下摻合,獲得之負型感光性樹脂組成物的厚膜硬化性優異。
第2形態之負型感光性樹脂組成物之(C)成分,係在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑。在1分子中具有2個以上光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑宜為(甲基)丙烯酸基化合物較理想,例如:乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯(各乙二醇單元之數2~20)、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(各乙二醇單元之數2~20)、聚(1,2-丙二醇)二丙烯酸酯、聚(1,2-丙二醇)二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊四醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、四羥甲基丙烷四丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、新戊四醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、新戊四醇三甲基丙烯酸酯、二新戊四醇六甲基丙烯酸酯、四羥甲基丙烷四甲基丙烯酸酯、甘油二丙烯酸酯、甘油二甲基丙烯酸酯、亞甲基雙丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、乙二醇二環氧丙醚-甲基丙烯酸加成物、甘油二環氧丙醚-丙烯酸加成物、雙酚A二環氧丙醚-丙烯酸加成物、雙酚A二環氧丙醚-甲基丙烯酸加成物、N,N’-雙(2-甲基丙烯醯氧乙基)尿素等為較佳,但不限定於此等。
(C)成分宜相對於(A’)成分100質量份摻合1~100質量份較佳,3~50質量份之範圍又更佳。若為1~100質量份之範圍,可充分獲得目的之效果,不會對於顯影性造成不利影響。又,共聚合單體可使用1種化合物,也可以將數種混用。
第2形態之負型感光性樹脂組成物中之(D)成分為溶劑。(D)成分之溶劑只要可溶解(A’)成分、(B)成分、及(C)成分即不限定。(D)成分可列舉和在第1形態例示者為同樣者。
(D)成分之摻合量相對於(A’)成分、(B)成分、及(C)成分之合計100質量份為50~2,000質量份較理想,尤其100~l,000質量份為較佳。
第2形態之負型感光性樹脂組成物也可以更含有(A’)成分、(B)成分、(C)成分、及(D)成分以外之其他成分。其他成分可列舉和在第1形態例示者為同樣者。
本發明之負型感光性樹脂組成物之第3形態係一種負型感光性樹脂組成物,包含: (A’)含有結構單元(6)之聚合物、或含有結構單元(6)及(7)之聚合物、 (B’)光酸產生劑、 (C’)交聯劑,選自於經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; 【化42】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2; 及 (D)溶劑。
第3之形態中之負型感光性樹脂組成物之(A’)成分,係含有結構單元(6)之聚合物、或含有結構單元(6)及(7)之聚合物,適合使用和上述第2形態之負型感光性樹脂組成物中為相同之聚合物。
第3之形態之負型感光性樹脂組成物之(B’)成分為光酸產生劑。光酸產生劑可採用經波長190~500nm之光照射而產酸而其成為硬化觸媒者。例如:鎓鹽、重氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、β-酮基碸衍生物、二碸衍生物、硝基苄基磺酸鹽衍生物、磺酸酯衍生物、醯亞胺-基-磺酸鹽衍生物、肟磺酸鹽衍生物、亞胺基磺酸鹽衍生物、三衍生物等。
上述鎓鹽,例如:下列通式(20)表示之化合物。 (R8 )j M K- (20) 式中,R8 表示也可以有取代基之碳數1~12之直鏈狀、分支狀、或環狀之烷基、碳數6~12之芳基或碳數7~12之芳烷基,M 表示錪或鋶,K- 表示非親核性相對離子,j表示2或3。
上述R8 中,烷基,例如:甲基、乙基、丙基、丁基、環己基、2-側氧基環己基、降莰基、金剛烷基等。芳基,例如:苯基;鄰、間或對甲氧基苯基、乙氧基苯基、間或對第三丁氧基苯基等烷氧基苯基;2-、3-或4-甲基苯基、乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等烷基苯基等。芳烷基,例如:苄基、苯乙基等各基。
作為K- 之非親核性相對離子可列舉,可列舉氯化物離子、溴化物離子等鹵化物離子、三氟甲磺酸根、1,1,1-三氟乙磺酸根、九氟丁磺酸根等氟烷基磺酸根;甲苯磺酸根、苯磺酸根、4-氟苯磺酸根、1,2,3,4,5-五氟苯磺酸根等芳基磺酸根;甲磺酸根、丁磺酸根等烷基磺酸根等。
重氮甲烷衍生物可列舉下列通式(21)表示之化合物。 【化43】式中,R9 為相同或不同,表示碳數1~12之直鏈狀、分支狀、或環狀之烷基或鹵化烷基、碳數6~12之芳基或鹵化芳基、或碳數7~12之芳烷。
上述R9 中,烷基,例如:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、環戊基、環己基、降莰基、金剛烷基等。鹵化烷基,例如:三氟甲基、1,1,1-三氟乙基、1,1,1-三氯乙基、九氟丁基等。芳基,例如:苯基;鄰、間或對甲氧基苯基、乙氧基苯基、間或對第三丁氧基苯基等烷氧基苯基;2-、3-或4-甲基苯基、乙基苯基、4-第三丁基苯基、4-丁基苯基、二甲基苯基等烷基苯基等。鹵化芳基,例如:氟苯基、氯苯基、1,2,3,4,5-五氟苯基等。芳烷基,例如:苄基、苯乙基等。
如此的光酸產生劑具體而言可列舉三氟甲磺酸二苯基錪、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基錪、對甲苯磺酸二苯基錪、對甲苯磺酸(對第三丁氧基苯基)苯基錪、三氟甲磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、三氟甲磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、三氟甲磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶、對甲苯磺酸(對第三丁氧基苯基)二苯基鋶、對甲苯磺酸雙(對第三丁氧基苯基)苯基鋶、對甲苯磺酸參(對第三丁氧基苯基)鋶、九氟丁烷磺酸三苯基鋶、丁烷磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三甲基鋶、對甲苯磺酸三甲基鋶、三氟甲磺酸環己基甲基(2-側氧基環己基)鋶、對甲苯磺酸環己基甲基(2-側氧基環己基)鋶、三氟甲磺酸二甲基苯基鋶、對甲苯磺酸二甲基苯基鋶、三氟甲磺酸二環己基苯基鋶、對甲苯磺酸二環己基苯基鋶、二苯基(4-硫苯氧基苯基)鋶六氟銻酸鹽等鎓鹽;雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(二甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(環戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(正丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(第二丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(正丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(正戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(異戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(第二戊基磺醯基)重氮甲烷、雙(第三戊基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)重氮甲烷、1-環己基磺醯基-1-(第三戊基磺醯基)重氮甲烷、1-第三戊基磺醯基-1-(第三丁基磺醯基)重氮甲烷等重氮甲烷衍生物;雙-o-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(對甲苯磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-o-(對甲苯磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-o-(對甲苯磺醯基)-2,3-戊烷二酮乙二肟、雙-(對甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(正丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(正丁烷磺醯基)-α-二苯基乙二肟、雙-o-(正丁烷磺醯基)-α-二環己基乙二肟、雙-o-(正丁烷磺醯基)-2,3-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(正丁烷磺醯基)-2-甲基-3,4-戊烷二酮乙二肟、雙-o-(甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(三氟甲烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(1,1,1-三氟乙烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(第三丁烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(全氟辛烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(環己烷磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(p-氟苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(對第三丁基苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(二甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、雙-o-(樟腦磺醯基)-α-二甲基乙二肟等乙二肟衍生物;α-(苯鋶氧亞胺基)-4-甲基苯基乙腈等肟磺酸酯衍生物;2-環己基羰基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷、2-異丙基羰基-2-(對甲苯磺醯基)丙烷等β-酮基碸衍生物;二苯基二碸、二環己基二碸等二碸衍生物;對甲苯磺酸2,6-二硝基苄基、對甲苯磺酸2,4-二硝基苄基等硝基苄基磺酸酯衍生物;1,2,3-參(甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲烷磺醯氧基)苯、1,2,3-參(對甲苯磺醯氧基)苯等磺酸酯衍生物;鄰苯二甲醯亞胺-基-三氟甲磺酸酯、鄰苯二甲醯亞胺-基-甲苯磺酸酯、5-降莰烯2,3-二羧基醯亞胺-基-三氟甲磺酸酯、5-降莰烯2,3-二羧基醯亞胺-基-甲苯磺酸酯、5-降莰烯2,3-二羧基醯亞胺-基-正丁基磺酸酯、正三氟甲基磺醯氧基萘基醯亞胺等醯亞胺-基-磺酸酯衍生物;(5-(4-甲基苯基)磺醯氧基亞胺基-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)乙腈、(5-(4-(4-甲基苯基磺醯氧基)苯基磺醯氧基亞胺基)-5H-噻吩-2-亞基)-(2-甲基苯基)-乙腈等亞胺基磺酸酯、2-甲基-2[(4-甲基苯基)磺醯基]-1-[(4-甲硫基)苯基]-1-丙烷等。該等之中,醯亞胺-基-磺酸酯類、亞胺基磺酸酯類、肟磺酸酯類等較理想。上述光酸產生劑可使用1種或2種以上。
上述光酸產生劑之摻合量,考量光酸產生劑自身之光吸收及厚膜時之光硬化性之觀點,在本發明之第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,相對於(A’)成分100質量份為0.05~20質量份較理想,尤其0.2~5質量份為較佳。
第3之形態之負型感光性樹脂組成物之(C’)成分,係選自經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之氫原子取代成下式(C-1)表示之基之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上之交聯劑。 【化44】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2。
上述經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物,例如經甲醛或甲醛-醇改性之三聚氰胺縮合物、或經甲醛或甲醛-醇改性之尿素縮合物。
上述經甲醛或甲醛-醇改性之三聚氰胺縮合物之製備,例如首先依照公知方法遭三聚氰胺單體利用福馬林予以羥甲基化而改性、或將其進一步利用醇予以烷氧基化而改性,製成下列通式(22)表示之改性三聚氰胺。又,上述醇為低級醇,例如碳數1~4之醇為較佳。
【化45】式中,R10 為相同或不同,表示羥甲基、含碳數1~4之烷氧基之烷氧基甲基或氫原子,但至少一者為羥甲基或上述烷氧基甲基。 上述R10 ,例如:羥甲基、甲氧基甲基、乙氧基甲基等烷氧基甲基及氫原子等。
作為上述通式(22)表示之改性三聚氰胺,具體而言可列舉三甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、二甲氧基甲基單羥甲基三聚氰胺、三羥甲基三聚氰胺、六羥甲基三聚氰胺、六甲氧基羥甲基三聚氰胺等。 其次,使上述通式(22)表示之改性三聚氰胺或其多聚物(例如二聚物、三聚物等寡聚物)依常法和甲醛進行加成縮合聚合直到成為所望分子量,獲得經甲醛或甲醛-醇改性之三聚氰胺縮合物。
又,上述經甲醛或甲醛-醇改性之尿素縮合物之製備,例如可依公知之方法將所望分子量之尿素縮合物利用甲醛予以羥甲基化而改性,或將其進一步利用醇予以烷氧基化而改性。 上述經甲醛或甲醛-醇]改性之尿素縮合物之具體例,例如:甲氧基甲基化尿素縮合物、乙氧基甲基化尿素縮合物、丙氧基甲基化尿素縮合物等。 又,也可將此等改性三聚氰胺縮合物及改性尿素縮合物中之1種或2種以上混合使用。
其次,在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物,例如(2-羥基-5-甲基)-1,3-苯二甲醇、2,2’,6,6’-四甲氧基甲基雙酚A、下式(C-3)~(C-7)表示之化合物等。 【化46】
又,上述交聯劑可使用1種或將2種以上組合使用。
另一方面,多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物可列舉雙酚A、參(4-羥基苯基)甲烷、1,1,1-參(4-羥基苯基)乙烷之羥基於鹼存在下和表氯醇進行反應以獲得之化合物。多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物之理想例可以列舉下式(C-8)~(C-14)表示之化合物。 【化47】式中,t為2≦t≦3。 可將此等多元苯酚之羥基取代成環氧丙氧基之化合物中之1種或2種作為交聯劑使用。
多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物可以列舉含有2個以上之該取代基且以下式(C-15)表示者。 【化48】式中,點線代表鍵結。 【化49】式中,1≦u≦3。
另一方面,含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物可列舉下式(C-16)表示者。 【化50】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2。 【化51】式中,W表示碳數2~12之直鏈狀、分枝狀、環狀之伸烷基、或2價芳香族基。 上式(C-16)表示之化合物,例如下式(C-17)~(C-20)表示之化合物。 【化52】
另一方面,含有2個以上之上式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物宜使用下式(C-21)表示之化合物。 【化53】可將此等含有2個以上之上式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中的1種或2種作為交聯劑使用。
(C’)成分,係和本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物起交聯反應且為了容易形成圖案之成分,且也是提升硬化物之強度之成分。如此的(C’)成分的重量平均分子量,考量光硬化性及耐熱性之觀點,為150~10,000較理想,尤其200~3,000較佳。
(C’)成分之摻合量,在本發明之第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,宜相對於(A’)成分100質量份為0.5~50質量份較理想,尤其1~30質量份較佳。
第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,就(D)成分之溶劑而言可列舉和在上述第1及第2形態之負型感光性樹脂組成物説明之溶劑為同樣者為理想例。
第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,也可以更含有(A’)成分、(B’)成分、(C’)成分、及(D)成分以外之其他成分。其他成分,例如(F)增感劑、密合助劑、為了提高保存安定性之聚合抑制劑、為了改善塗佈性能而含有之(G)界面活性劑等,(F)增感劑、(G)界面活性劑可理想地使用上述例示之化合物等。
又,第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,視需要也可以添加鹼性化合物作為(H)成分。就此鹼性化合物而言,宜為可以抑制由光酸產生劑產生之酸在光阻皮膜擴散時之擴散速度的化合物。並且,藉由上述鹼性化合物之摻合,可以提升解像度,抑制曝光後之感度變化,減小基板、環境依存性,改善曝光余裕度、圖案形狀等。
上述鹼性化合物可列舉一級、二級、三級脂肪族胺類、混成胺類、芳香族胺類、雜環胺類、具有羧基之含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮化合物、具有羥基苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯胺衍生物、醯亞胺衍生物、再者,可列舉下列通式(23)表示之化合物等。 N(α)q (β)3-q (23)
式中,q=1、2、或3。側鏈α可相同也可不同,為下列通式(24)~(26)表示之任一取代基。側鏈β可相同也可不同,表示氫原子、或直鏈狀、分支狀或環狀之碳數1~20之烷基,且也可以含有醚鍵或羥基。又,側鏈α彼此也可以鍵結並形成環。 【化54】在此,R300 、R302 、R305 為碳數1~4之直鏈狀或分支狀之伸烷基,R301 、R304 為氫原子或碳數1~20之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基,也可以含有1或多個羥基、醚鍵、酯鍵、內酯環。R303 為單鍵或碳數1~4之直鏈狀或分支狀之伸烷基,R306 為碳數1~20之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基,且也可以含有1或多個羥基、醚鍵、酯鍵、內酯環。又,*代表鍵結末端。
一級脂肪族胺類,例如氨、甲胺、乙胺、正丙胺、異丙胺、正丁胺、異丁胺、第二丁胺、第三丁胺、戊胺、第三戊胺、環戊胺、己胺、環己胺、庚胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、鯨蠟胺、亞甲基二胺、乙二胺、四乙烯五胺等。
二級脂肪族胺類,例如二甲胺、二乙胺、二正丙胺、二異丙胺、二正丁胺、二異丁胺、二第二丁胺、二戊胺、二環戊胺、二己胺、二環己胺、二庚胺、二辛胺、二壬胺、二癸胺、二十二胺、二鯨蠟胺、N,N-二甲基亞甲基二胺、N,N-二甲基乙二胺、N,N-二甲基四乙烯五胺等。
三級脂肪族胺類,例如三甲胺、三乙胺、三正丙胺、三異丙胺、三正丁胺、三異丁胺、三第二丁胺、三戊胺、三環戊胺、三己胺、三環己胺、三庚胺、三辛胺、三壬胺、三癸胺、三十二胺、三鯨蠟胺、N,N,N’,N’-四甲基亞甲基二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基四乙烯五胺等。
混成胺類,例如:二甲基乙胺、甲基乙基丙胺、苄胺、苯乙胺、苄基二甲胺等。
芳香族胺類及雜環胺類,例如苯胺衍生物(例如:苯胺、N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、正丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、三甲基苯胺、2-硝基苯胺、3-硝基苯胺、4-硝基苯胺、2,4-二硝基苯胺、2,6-二硝基苯胺、3,5-二硝基苯胺、N,N-二甲基甲苯胺等)、二苯基(對甲苯基)胺、甲基二苯胺、三苯胺、苯二胺、萘胺、二胺基萘、吡咯衍生物(例如:吡咯、2H-吡咯、1-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2,5-二甲基吡咯、N-甲基吡咯等)、㗁唑衍生物(例如:㗁唑、異㗁唑等)、噻唑衍生物(例如:噻唑、異噻唑等)、咪唑衍生物(例如:咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑等)、吡唑衍生物、呋呫衍生物、吡咯啉衍生物(例如:吡咯啉、2-甲基-1-吡咯啉等)、吡咯啶衍生物(例如:吡咯啶、N-甲基吡咯啶、吡咯啶酮、N-甲基吡咯烷酮等)、咪唑啉衍生物、咪唑啉啶衍生物、吡啶衍生物(例如:吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1-丁基戊基)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-第三丁基吡啶、二苯基吡啶、苄基吡啶、甲氧基吡啶、丁氧基吡啶、二甲氧基吡啶、1-甲基-2-吡啶、4-吡咯啶并吡啶、1-甲基-4-苯基吡啶、2-(1-乙基丙基)吡啶、胺基吡啶、二甲胺基吡啶等)、嗒衍生物、嘧啶衍生物、吡衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉啶衍生物、哌啶衍生物、哌衍生物、啉衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1H-吲唑衍生物、吲哚啉衍生物、喹啉衍生物(例如:喹啉、3-喹啉甲腈等)、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、喹㗁啉衍生物、酞衍生物、嘌呤衍生物、蝶啶衍生物、咔唑衍生物、菲啶衍生物、吖啶衍生物、吩衍生物、1,10-啡啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、鳥苷衍生物、脲嘧啶衍生物、脲苷衍生物等。
具有羧基之含氮化合物,例如胺基苯甲酸、吲哚羧酸、胺基酸衍生物(例如:菸鹼酸、丙胺酸、精胺酸、天冬胺酸、麩胺酸、甘胺酸、組胺酸、異白胺酸、甘胺醯基白胺酸、白胺酸、甲硫胺酸、苯基丙胺酸、蘇胺酸、離胺酸、3-胺基吡-2-羧酸、甲氧基丙胺酸等)等。
具有磺醯基之含氮化合物,例如3-吡啶磺酸、對甲苯磺酸吡啶等。
具有羥基之含氮化合物、具有羥基苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物,例如2-羥基吡啶、胺基甲酚、2,4-喹啉二醇、3-吲哚甲醇水合物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-乙基二乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、三異丙醇胺、2,2’-亞胺基二乙醇、2-胺基乙醇、3-胺基-1-丙醇、4-胺基-1-丁醇、4-(2-羥基乙基)啉、2-(2-羥基乙基)吡啶、1-(2-羥基乙基)哌、1-[2-(2-羥基乙氧基)乙基]哌、哌啶乙醇、1-(2-羥基乙基)吡咯啶、1-(2-羥基乙基)-2-吡咯啶酮、3-哌啶基-1,2-丙二醇、3-吡咯啶并-1,2-丙二醇、8-羥基咯啶(Julolidine)、3-奎寧醇、3-托品醇、1-甲基-2-吡咯啶乙醇、1-氮丙啶(aziridine)乙醇、N-(2-羥基乙基)鄰苯二甲醯亞胺、N-(2-羥基乙基)異菸鹼醯胺等。
醯胺衍生物,例如甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、乙醯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺等。 醯亞胺衍生物,例如鄰苯二甲醯亞胺、琥珀醯亞胺、馬來醯亞胺等。
上述通式(23)表示之化合物,例如參[2-(甲氧基甲氧基)乙基]胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(2-甲氧基乙氧基甲氧基)乙基]胺、參[2-(1-甲氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(1-乙氧基乙氧基)乙基]胺、參[2-(1-乙氧基丙氧基)乙基]胺、參[2-{2-(2-羥基乙氧基)乙氧基}乙基]胺、4,7,13,16,21,24-六氧雜-1,10-二氮雜雙環[8.8.8]二十六烷、4,7,13,18-四氧雜-1,10-二氮雜雙環[8.5.5]二十烷、1,4,10,13-四氧雜-7,16-二氮雜雙環十八烷、1-氮雜-12-冠-4、1-氮雜-15-冠-5、1-氮雜-18-冠-6、參(2-甲醯氧乙基)胺、參(2-乙醯氧基乙基)胺、參(2-丙醯氧基乙基)胺、參(2-丁醯氧乙基)胺、參(2-異丁醯氧乙基)胺、參(2-戊醯氧乙基)胺、參(2-三甲基乙醯氧乙基)胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(乙醯氧基乙醯氧基)乙胺、參(2-甲氧基羰氧基乙基)胺、參(2-第三丁氧基羰氧基乙基)胺、參[2-(2-側氧基丙氧基)乙基]胺、參[2-(甲氧基羰基甲基)氧乙基]胺、參[2-(第三丁氧基羰基甲氧基)乙基]胺、參[2-(環己氧基羰基甲氧基)乙基]胺、參(2-甲氧基羰基乙基)胺、參(2-乙氧基羰基乙基)胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(甲氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(甲氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-羥基乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-乙醯氧基乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-[(甲氧基羰基)甲氧基羰基]乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-[(甲氧基羰基)甲氧基羰基]乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(2-側氧基丙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(2-側氧基丙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(四氫糠基氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-(四氫糠基氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-[(2-側氧基四氫呋喃-3-基)氧基羰基]乙胺、N,N-雙(2-乙醯氧基乙基)2-[(2-側氧基四氫呋喃-3-基)氧基羰基]乙胺、N,N-雙(2-羥基乙基)2-(4-羥基丁氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-甲醯氧乙基)2-(4-甲醯氧丁氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-甲醯氧乙基)2-(2-甲醯氧乙氧基羰基)乙胺、N,N-雙(2-甲氧基乙基)2-(甲氧基羰基)乙胺、N-(2-羥基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-羥基乙基)雙[2-(乙氧基羰基)乙基]胺、N-(2-乙醯氧基乙基)雙[2-(乙氧基羰基)乙基]胺、N-(3-羥基-1-丙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(3-乙醯氧基-1-丙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、N-(2-甲氧基乙基)雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、正丁基雙[2-(甲氧基羰基)乙基]胺、正丁基雙[2-(2-甲氧基乙氧基羰基)乙基]胺、N-甲基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-乙基雙(2-乙醯氧基乙基)胺、N-甲基雙(2-三甲基乙醯氧乙基)胺、N-乙基雙[2-(甲氧基羰氧基)乙基]胺、N-乙基雙[2-(第三丁氧基羰氧基)乙基]胺、參(甲氧基羰基甲基)胺、參(乙氧基羰基甲基)胺、正丁基雙(甲氧基羰基甲基)胺、正己基雙(甲氧基羰基甲基)胺、β-(二乙胺基)-δ-戊內酯,但不限定於此等。上述鹼性化合物可使用1種或2種以上。
上述鹼性化合物之摻合量,考量感度之觀點,在本發明之第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,相對於(A’)成分100質量份為0~3質量份較理想,尤其0.01~1質量份為較佳。
[正型感光性樹脂組成物] 然後針對將本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物作為基礎樹脂之感光性樹脂組成物中,可實施使用鹼水溶液之顯影液之圖案形成之正型感光性樹脂組成物進行説明。
本發明之正型感光性樹脂組成物包含: (A’)含有結構單元(6)之聚合物、或含有結構單元(6)及(7)之聚合物; (B’’)感光劑,因光而產生酸且對於鹼水溶液之溶解速度增大,且係具有醌二疊氮化物結構之化合物; (C’’)交聯劑,選自於在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑、經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; 【化55】式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2; 及(D)溶劑。
本發明之正型感光性樹脂組成物中,(A’)成分使用之聚合物含有六氟異丙醇基。亦即含有相當於上述通式(2)之有機基(相當於上述通式(6)中之R1 之有機基)。藉由將六氟異丙醇基導入到聚合物,能溶於泛用的有機溶劑,能組成使用了泛用的(D)溶劑之組成物。這些和在上述負型感光性樹脂組成物已説明者為同樣。
導入到(A’)成分之六氟異丙醇基之理想比率,考慮獲得鹼可溶性之觀點,為(A’)成分100g中之0.15mol以上0.58mol以下,更佳為0.20mol以上0.30mol以下,最佳為0.25mol以上0.30mol以下。六氟異丙醇基之導入量若為(A’)成分100g中之0.15mol以上,可對於鹼水溶液顯影液獲得所望的鹼溶解速度,圖案形成時無對於圖案之開口造成阻礙或於圖案底部觀察到渣滓,不會有損及解像性之虞。另一方面,六氟異丙醇基對於(A’)成分100g中能導入之量,於本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物之設計可設為0.58mol,此時能期待對於鹼水溶液之顯影液有最高溶解性。但是使用本發明之感光性樹脂組成物實施圖案化後,在後硬化之加熱中,本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物中之聚醯亞胺前驅體之結構單元會進行醯亞胺化之閉環反應,此時,含有導入的六氟異丙醇基的有機基會脱離並從系中去除,因而會觀察到形成之膜之膜厚減少,故六氟異丙醇基之導入量為0.30mol以下較佳。這些和在上述負型感光性樹脂組成物已説明者為同樣。
本發明之正型感光性樹脂組成物中,(B’’)成分係因光而產酸且對於鹼水溶液之溶解速度增大之感光劑,且係有醌二疊氮化物結構之化合物。(B’’)成分可列舉在分子中有1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物。
在分子中有1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物可列舉下列通式(30)或(31)表示之在分子中有1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物。
【化56】
就導入了上述1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物而言,具體宜使用三羥基二苯酮或四羥基二苯酮、有苯酚性羥基之下列通式(32)表示之鎮定物分子(ballast molecule)或具後述式(37)表示之重複單元之重量平均分子量為2,000~20,000,較佳為3,000~10,000之範圍之酚醛清漆樹脂。亦即宜使用下列列舉之有苯酚性羥基之樹脂、化合物之苯酚性羥基之氫原子取代成上述1,2-萘醌二疊氮基磺醯基者作為(B’’)成分。
【化57】
在此,R101 ~R106 各自獨立而為氫原子、甲基、下式(33)表示之基或下式(34)表示之基。w為0~2之整數、z為0~2之整數,z為0時,w為1或2。A,於z為0且w為1時,為氫原子、甲基、或下式(33)表示之基,於z為0且w為2時,其中一者為亞甲基或下式(35)表示之基,另一者為氫原子、甲基或下式(33)表示之基,於z為1時,亞甲基或下式(35)表示之基。z為2時,w為1時,A係次甲基或下式(36)表示之基,於w為2時A的其中一者為亞甲基或下式(35)表示之基,另一者為次甲基或下式(36)表示之基。
【化58】式中,a1、a2、a3、a4、a5、a6、a7各為0~3之整數,但a1+a2≦5、a3+a4≦4、a6+a7≦3。
於此情形上式(32)表示之低核體(ballast molecule),苯環數為2~20個,更佳為2~10個,更佳為3~6個,且苯酚性羥基之數與苯環之數之比率為0.5~2.5,更佳為0.7~2.0,又更佳為0.8~1.5。
如此的低核體(ballast molecule)具體而言可列舉如下。
【化59】
【化60】
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】
【化65】
上述例示之低核體(ballast molecule)之中,(B-3)、(B-29)、(B-33)、(B-38)等較理想,該等ballast molecule之苯酚性羥基之氫原子取代成1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物宜使用在本發明之正型感光性樹脂組成物之(B’’)成分。
【化66】式中,mm為0~3之整數。
具上式(37)表示之重複單元之酚醛清漆樹脂可藉由使下式(38)表示之苯酚類,具體而言,使鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、3,5-二甲酚等至少1種之苯酚類與醛類依通常的方法縮合以合成。
【化67】式中,mm為0~3之整數。
於此情形,醛類例如甲醛、三聚甲醛、乙醛、苯甲醛等,宜為甲醛。
又,上式(38)表示之苯酚類與醛類之比例,按莫耳比,為0.2~2,尤其0.3~2之比例為較佳。
對於上述已導入1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之化合物導入1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之導入方法,宜採用使1,2-萘醌二疊氮基磺醯氯與苯酚性羥基利用鹼觸媒進行脱鹽酸縮合反應較佳。上式(32)表示之ballast molecule、三羥基二苯酮或四羥基二苯酮時,苯酚性羥基之氫原子取代成1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之比例為10~100莫耳%,較佳為50~100莫耳%,為上式(37)表示之酚醛清漆樹脂時,苯酚性羥基之氫原子取代成1,2-萘醌二疊氮基磺醯基之比例為2~50莫耳%,較佳為3~27莫耳%為較佳。
(B’’)成分之添加量,相對於(A’)成分100質量份為1~50質量份,更佳為10~40質量份較佳。又,也可以將(B’’)成分中之1種或2種以上組合使用。
藉由摻合如此的(B’’)成分,曝光前因為(B’’)成分之溶解阻止性抑制對於鹼水溶液之溶解性,系統變成鹼不溶性,曝光時(B’’)成分之感光劑會因光而產酸,對於鹼水溶液之溶解速度增大,系統變成鹼可溶性。 亦即,顯影液使用鹼水溶液時,未曝光部不溶於顯影液,曝光部可溶於顯影液,因此可以形成正型圖案。
本發明之正型感光性樹脂組成物中,(C’’)成分係交聯劑,選自於在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑、經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成上式(C-1)表示之取代基之化合物、及含有2個以上之上式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上。
在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑可列舉和在上述第2形態之負型感光性樹脂組成物中之(C)成分為相同之化合物為理想例。在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑,相對於本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物100質量份摻合1~100質量份較佳,3~50質量份之範圍又更佳。若為1~100質量份之範圍,可充分獲得目的效果,不會對於顯影性有不良影響。又,共聚合單體可以使用1種化合物,也可混用數種。
另一方面,針對經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成上式(C-1)表示之取代基之化合物、及含有2個以上之上式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物,可列舉和在上述第3之形態之負型感光性樹脂組成物之(C’)成分為相同之理想例。該等交聯劑會和本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物起交聯反應,作為使圖案形成容易進行之成分,且係使硬化物之強度更提高成分。如此的交聯劑之重量平均分子量,考量光硬化性及耐熱性之觀點,為150~10,000較理想,尤其200~3,000較佳。
(C’’)成分,係為了增進於圖案形成後實施之溫度100~300℃之加熱、後硬化之步驟中以熱地和(A’)成分進行交聯反應中之獲得之圖案或被膜之機械強度、耐藥品性、密合性而摻合。
又,本發明之正型感光性樹脂組成物中,(D)成分之溶劑可列舉和在上述負型感光性樹脂組成物説明之溶劑為同樣之溶劑作為理想例。
本發明之正型感光性樹脂組成物可更含有(E)因熱而產生酸或自由基之化合物。(E)成分之因熱而產生酸或自由基之化合物,可以為了促進上述圖案形成後實施之溫度100~300℃之加熱、後硬化之步驟中之熱地和(A’)成分之交聯反應而添加。
尤其(E)成分宜為直到利用顯影形成圖案為止不會促進膜硬化,不會妨礙圖案形成者較佳。為了達成此目的,(E)成分宜為將感光性樹脂組成物塗膜後將溶媒除去、乾燥之步驟之溫度中不會產生酸或自由基,而是在圖案形成後之熱處理才產生酸或自由基而促進正型感光性樹脂組成物之圖案、被膜之硬化者較佳。具體而言,因為100℃~300℃,較佳為150℃~300℃之熱處理而分解,並產生酸或自由基之化合物較佳。藉由含有如此的(E)成分,可將正型感光性樹脂組成物之圖案、被膜於圖案形成後實施之溫度100~300℃之加熱、後硬化之步驟中變化為交聯、硬化反應更為進行之圖案、被膜。(E)成分藉由更進行交聯、硬化反應,可以更增進獲得之圖案或被膜之機械強度、耐藥品性、密合性等。
作為理想的因熱而產酸之化合物,可以使用日本特開2007-199653之段落[0061]~[0085]記載之化合物。
因熱而產酸之化合物之摻合量,相對於本發明之正型感光性樹脂組成物中之(A’)成分100質量份,較佳為0.1質量份以上,更佳為0.5質量份以上,較佳為30質量份以下,更佳為10質量份以下。
理想的因熱而產生自由基之化合物可以列舉二異丙基苯過氧化氫、1,1,3,3-四甲基丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫、第三丁基過氧化氫、及第三丁基三甲基矽基過氧化物等有機過氧化物、及2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷等僅由碳與氫構成的自由基起始劑。該等之中,僅由碳與氫構成的自由基起始劑因為活化能量大,不易因乾燥時之熱而分解,故較為理想。
因熱而產生自由基之化合物之摻合量,相對於本發明之正型感光性樹脂組成物中之(A’)成分100質量份為0.5~4質量份之範圍較佳,1~3質量份之範圍更佳。
又,本發明之正型感光性樹脂組成物中,也可以更含有(A’)成分、(B’’)成分、(C’’)成分、(D)成分、及(E)成分以外之成分。其他成分,例如:密合助劑、(G)界面活性劑等,(G)界面活性劑宜使用上述例示之化合物等。
本發明之負型感光性樹脂組成物及正型感光性樹脂組成物之製備可依通常的方法實施。藉由將上述各成分進行攪拌混合之後利用濾器等進行過濾,可以製備上述感光性樹脂組成物。
(圖案形成方法) 然後關於使用了本發明之負型感光性樹脂組成物及正型感光性樹脂組成物之圖案形成方法進行説明。
於本發明之負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物之任一情形,為了形成圖案可採用公知微影技術,例如在矽晶圓或SiO2 基板、SiN基板、或已形成了銅配線等圖案之基板,將感光性樹脂組成物利用旋塗的方法(旋塗法)進行塗佈,以80~130℃、50~600秒左右之條件進行預烘,形成厚度1~50μm,較佳為1~30μm,更佳為5~20μm之感光材皮膜。
旋塗法可藉由將感光性樹脂組成物分配在矽基板上約5mL後,將基板旋轉,以將感光性樹脂組成物塗佈在基板上。此時可藉由調整旋轉速度而輕易地調整基板上之感光材皮膜之膜厚。
其次將為了形成目的圖案之遮罩罩蓋在上述感光材皮膜上,以曝光量成為1~5,000mJ/cm2 左右,較佳為100~2,000mJ/cm2 左右的方式,照射i射線、g射線等波長190~500nm之高能射線或電子束。
其次因應必要,亦可在熱板上實施60~150℃、1~10分鐘,較佳為80~120℃、1~5分鐘之曝光後加熱處理(曝光後烘烤(PEB))。
之後實施顯影。上述本發明之第1形態、第2形態、及第3之形態之負型感光性樹脂組成物中,任一組成皆可實施有機溶劑顯影、利用鹼水溶液所為之鹼顯影。另一方面,上述本發明之正型感光性樹脂組成物也可實施利用鹼水溶液所為之鹼顯影。
有機溶劑顯影能使用之理想有機溶劑可使用製備本發明之感光性樹脂組成物時使用之上述溶劑。例如:環己酮、環戊酮等酮類,進而丙二醇單甲醚等二醇等為較佳。顯影可利用噴塗法、浸置法等通常的方法、利用浸漬於顯影液等以實施。之後視需要實施洗淨、淋洗、乾燥等,可獲得有所望圖案之光阻皮膜。
另一方面,鹼顯影可使用之理想鹼水溶液,為2.38%之四甲基羥基銨(TMAH)水溶液。顯影可利用噴塗法、浸置法等通常的方法、利用浸漬於顯影液等以實施。之後視需要實施洗淨、淋洗、乾燥等,可以獲得有所望圖案之光阻皮膜。
又,將依上述圖案形成方法獲得之已形成圖案之被膜使用烘箱、熱板於溫度100~300℃,較佳為150~300℃,更佳為180~250℃進行加熱、後硬化,可以形成硬化被膜。在此後硬化步驟中,本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物中之聚醯亞胺前驅體之結構單元會發生醯亞胺閉環反應,鹼可溶性之六氟異丙醇基脱離並從系統中除去。後硬化溫度若為100~300℃,可提高感光性樹脂組成物之皮膜之交聯密度,去除殘存之揮發成分,考量對於基板之密合力、耐熱性、強度、進而電特性之觀點,較為理想。並且後硬化時間可設為10分鐘~10小時。
上述形成之圖案可為了覆蓋配線、電路及基板等之保護被膜而使用,但此等形成之圖案及保護被膜具有優良的絕緣性,且在被覆之配線、如電路之Cu之金屬層、在基板上存在之金屬電極上、或被覆之配線、電路中存在之如SiN之絕緣基板上呈現優良的密合力,且具有符合保護被膜之機械強度,進而可大幅改善能形成微細圖案之解像性能。
如上獲得之硬化被膜,對於基板之密合性、耐熱性、電特性、機械強度及對於鹼性剝離液等之藥品耐性優異、以其作為保護用被膜之半導體元件之可靠性亦優良,尤其可以防止溫度循環試驗時之裂痕發生,適合作為電氣・電子零件、半導體元件等的保護用被膜。
上述保護用被膜,考量其耐熱性、藥品耐性、絕緣性,於包括再配線用途之半導體元件用絕緣膜、多層印刷基板用絕緣膜、防焊遮罩、表覆層薄膜用途等為有效。 [實施例]
以下舉合成例、比較合成例、實施例及比較例對於本發明具體説明,但本發明不限於下列例。
I.具有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物之合成 下列合成例使用之化合物之化學結構式如以下所示。 【化68】
[合成例1]四羧酸二酯化合物之合成 於具備攪拌機、溫度計之3L燒瓶內添加3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)100g(322mmol)、具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)127.6g(644mmol)、γ-丁內酯400g,於在室溫攪拌的狀態添加1,8-二氮雜雙環十一烯2.5g(16mmol)後,於室溫下攪拌24小時。之後於冰冷下滴加10%鹽酸水溶液5.8g,使反應停止。於反應液中添加水400g、4-甲基-2-戊酮600g,分取有機層後,以水400g洗淨6次。將獲得之有機層之溶媒餾去,獲得下列結構之含有六氟異丙醇基之四羧酸二酯化合物220g。 【化69】實施利用1 H-NMR所為之指定(assignment),獲得了以下結果,確認係上述結構之含有六氟異丙醇基之四羧酸二酯化合物。13.45ppm(2H)、8.53ppm(2H)、7.20-8.20ppm(6H)、4.62ppm(4H)
[合成例2]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-1)之合成 同上述,在具備攪拌機、溫度計之3L之燒瓶內添加3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)100g(322mmol)、具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)127.6g(644mmol)、γ-丁內酯400g,於在室溫攪拌之狀態添加1,8-二氮雜雙環十一烯2.5g(16mmol)後於室溫下攪拌24小時。然後對於獲得之溶液在冰冷下,保持反應溶液溫度為10℃以下,滴加亞硫醯氯78.5g(660mmol),滴加結束後於冰冷下攪拌2小時。然後於冰冷下以保持反應溶液溫度為10℃以下的方式滴加4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)、4-胺基苯酚(AP)1.8g(16mmol)、吡啶104.4g(1,320mmol)溶於γ-丁內酯239g之溶液。滴加結束後回到室溫,將此反應液於攪拌下滴加到水9L,分濾析出物,適當水洗後,於40℃進行48小時減壓乾燥,獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-1)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量15,000。 【化70】獲得之聚合物(A-1)中,六氟異丙醇基之導入量在聚合物100g中係0.23mol。
[合成例3]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-2)之合成 將合成例2中之3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)替換為2,3,3’,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(a-ODPA)100g(322mmol),除此以外依同樣的配方,獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-2)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量16,200。 【化71】獲得之聚合物(A-2)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.23mol。
[合成例4]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-3)之合成 將合成例2中之3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)替換為3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)94.8g(322mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-3)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,為重量平均分子量14,300。 【化72】獲得之聚合物(A-3)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.23mol。
[合成例5]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-4)之合成 將合成例2中之3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)替換為苯均四酸二酐(PMDA)70.3g(322mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-4)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,為重量平均分子量12,800。 【化73】獲得之聚合物(A-4)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.26mol。
[合成例6]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-5)之合成 將合成例2中之3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)替換為1,4-雙(3,4-二羧基苯氧基)苯(HQDPA)129.7g(322mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-5)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,為重量平均分子量16,400。 【化74】獲得之聚合物(A-5)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.21mol。
[合成例7]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-6)之合成 將合成例2中之4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)替換為1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯(APB)84.7g(290mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-6)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,為重量平均分子量15,800。 【化75】獲得之聚合物(A-6)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.21mol。
[合成例8]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-7)之合成 將合成例4中之4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)替換為1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯(APB)84.7g(290mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-7)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為15,200。 【化76】獲得之聚合物(A-7)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.21mol。
[合成例9]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-8)之合成 將合成例4中之4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)替換為二胺基苯(PDA)31.4g(290mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-8)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為10,200。 【化77】獲得之聚合物(A-8)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.26mol。
[合成例10]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-9)之合成 在具備攪拌機、溫度計之1L之燒瓶內添加3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)50g(161mmol)、具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)63.8g(322mmol)、γ-丁內酯200g,於在室溫攪拌之狀態,添加1,8-二氮雜雙環十一烯1.25g(8mmol)後,於室溫下攪拌24小時,獲得含有六氟異丙醇基之四羧酸二酯化合物之溶液。 然後同樣地在具備攪拌機、溫度計之1L燒瓶內添加3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)50g(161mmol)、甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)41.9g(322mmol)、γ-丁內酯200g,於在室溫攪拌之狀態添加1,8-二氮雜雙環十一烯1.25g(8mmol)後,於室溫下進行24小時攪拌,獲得含有甲基丙烯醯氧基之四羧酸二酯化合物之溶液。 其次在具備攪拌機、溫度計之3L燒瓶內,將上述2種四羧酸二酯化合物之溶液合併,之後和合成例2同樣,於冰冷下以保持反應溶液溫度為10℃以下的方式滴加亞硫醯氯78.5g(660mmol),滴加結束後於冰冷下進行2小時攪拌。然後於冰冷下以保持反應溶液溫度為10℃以下之方式滴加4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)、4-胺基苯酚(AP)1.8g(16mmol)、吡啶104.4g(1,320mmol)以γ-丁內酯239g溶解而得之溶液。滴加結束後回到室溫,將此反應液於攪拌下滴加到水9L,分濾析出物,適當水洗後,於40℃進行48小時減壓乾燥,獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-9)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,200。 【化78】獲得之聚合物(A-9)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.12mol。
[合成例11]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-10)之合成 將合成例10中使用2次的3,3’,4,4’-氧二鄰苯二甲酸二酐(s-ODPA)分別替換為3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)47.4g(161mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-10)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為14,100。 【化79】獲得之聚合物(A-10)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.13mol。
[合成例12]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-11)之合成 將合成例11中之4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58.0g(290mmol)替換為1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯(APB)84.7g(290mmol),除此以外依同樣的配方,獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-11)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,000。 【化80】獲得之聚合物(A-11)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,獲得之聚合物(A-11)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.11mol。
[合成例13]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-12)之合成 將合成例11中之4,4’-二胺基二苯醚(ODA)58g(290mmol)替換成二胺基苯(PDA)31.4g(290mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-12)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為9,800。 【化81】獲得之聚合物(A-12)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.14mol。
[合成例14]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-13)之合成 將使合成例11中之3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)66.4g(226mmol)和具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)89.3g(451mmol)反應改為使3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)28.5g(97mmol)和甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)25.2g(193mmol)反應,除此以外依同樣的配方,獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-13)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,100。 【化82】獲得之聚合物(A-13)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為70:30。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.17mol。
[合成例15]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-14)之合成 將使合成例11中之3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)28.5g(97mmol)和具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)38.3g(193mmol)反應改為3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐(s-BPDA)66.4g(226mmol)和甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)58.7g(451mmol)反應,除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-14)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,500。 【化83】獲得之聚合物(A-14)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為30:70。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.08mol。
[合成例16]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-15)之合成 將合成例4之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為具有六氟異丙醇基之化合物(HF-2)136.6g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-15)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為15,800。 【化84】獲得之聚合物(A-15)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.23mol。
[合成例17]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-16)之合成 將合成例4之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為具有六氟異丙醇基之化合物(HF-3)165.0g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-16)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為15,900。 【化85】獲得之聚合物(A-16)中,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.21mol。
[合成例18]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-17)之合成 將合成例11之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為具有六氟異丙醇基之化合物(HF-2)58.0g(322mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-17)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,300。 【化86】獲得之聚合物(A-17)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.12mol。
[合成例19]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-18)之合成 將合成例11中之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為具有六氟異丙醇基之化合物(HF-3)68.3g(322mmol),除此以外依同樣的配方獲得下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-18)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為16,700。 【化87】獲得之聚合物(A-18)中,含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之結構單元與含有甲基丙烯醯氧乙基之聚醯亞胺前驅體之結構單元之比率為50:50。又,六氟異丙醇基之導入量係聚合物100g中之0.12mol。
[比較合成例1]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-19)之合成 將合成例2中之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)83.8g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得不含有六氟異丙醇基之下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-19)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為15,400。 【化88】
[比較合成例2]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-20)之合成 將合成例3中之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)83.8g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得不含六氟異丙醇基之下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-20)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為14,900。 【化89】
[比較合成例3]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-21)之合成 將合成例4中之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)83.8g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得不含六氟異丙醇基之下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-21)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為13,800。 【化90】
[比較合成例4]聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-22)之合成 將合成例8中之具有六氟異丙醇基之化合物(HF-1)替換為甲基丙烯酸羥基乙酯(HEMA)83.8g(644mmol),除此以外依同樣的配方獲得不含六氟異丙醇基之下列聚醯亞胺前驅體之聚合物(A-22)。利用GPC測定此聚合物之分子量,按聚苯乙烯換算,重量平均分子量為14,700。 【化91】
II.感光性樹脂組成物之製備 使用在上述合成例2~19及比較合成例1~4合成之聚合物,依表1~12記載之組成與摻合量製備樹脂換算40質量%之樹脂組成物。之後進行攪拌、混合、溶解後以特氟龍(註冊商標)製0.5μm濾器進行精密過濾,獲得感光性樹脂組成物。
【表1】
表1所示之感光性樹脂組成物1~4係關於上述本發明之第1形態之負型感光性樹脂組成物。
【表2】
表2所示之感光性樹脂組成物5~10係關於本發明之第2形態之負型感光性樹脂組成物。
【表3】
表3所示之比較感光性樹脂組成物1~4,係將上述本發明之第2形態之負型感光性樹脂組成物中作為基礎樹脂之本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物替換為使用在比較合成例1~4合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物者。比較合成例1~4合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物,因不是本發明之含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物,完全不溶於環戊酮之溶媒。
【表4】
比較合成例1~4合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物不溶於環戊酮,因此如表4所示組成,使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)為溶媒,製備比較感光性樹脂組成物5~8。
【表5】
【表6】
表5及表6所示之感光性樹脂組成物11~18係關於上述本發明之第3之形態之負型感光性樹脂組成物。
【表7】
【表8】
表7及表8所示之感光性樹脂組成物19~31係關於本發明之正型感光性樹脂組成物。
【表9】
表9所示之比較感光性樹脂組成物9~12,係將上述本發明之正型感光性樹脂組成物中作為基礎樹脂之本發明之聚醯亞胺前驅體之聚合物替換為使用比較合成例1~4合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物者。比較合成例合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物因不是本發明之含有六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物,完全不溶於環戊酮之溶媒。
【表10】
比較合成例1~4合成之聚醯亞胺前驅體之聚合物因不溶於環戊酮,如表10所示組成,使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)為溶媒,製備比較感光性樹脂組成物13~16。
【表11】
表11所示之感光性樹脂組成物32~35,係關於上述本發明之正型感光性樹脂組成物當中尤其含有(E)成分之形態。
【表12】
同樣,表12所示之感光性樹脂組成物36、37係關於上述本發明之正型感光性樹脂組成物當中尤其含有(E)成分之形態。
又,表1~12中,光自由基起始劑(光自由基起始劑1)、光酸產生劑(光酸產生劑1)、醌二疊氮化物化合物感光劑(感光劑1)、交聯劑(CL-1)~(CL-3)、熱酸產生劑(E-1)、及熱自由基發生劑(E-2)之詳情如下。
光自由基起始劑(光自由基起始劑1):ADEKA(股)公司製NP-1919
光酸產生劑(光酸產生劑1) 【化92】
感光劑(感光劑1) 【化93】式中,Q表示下式(30)表示之1,2-萘醌二疊氮基磺醯基或氫原子,Q之90%取代成下式(30)表示之1,2-萘醌二疊氮基磺醯基。 【化94】
交聯劑(CL-1):乙二醇二丙烯酸酯
交聯劑(CL-2) 【化95】
交聯劑(CL-3) 【化96】式中,t為2≦t≦3。
熱酸產生劑(E-1) 【化97】
熱自由基發生劑(E-2):2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷
III.圖案形成 將上述感光性樹脂組成物1~37、比較感光性樹脂組成物5~8,13~16分配在矽基板上5mL後將基板旋轉,亦即利用旋塗法,在圖案形成後實施之後硬化之加熱後進行塗佈,使膜厚成為10μm。亦即後硬化步驟後,預先探討膜厚減少的情形,並以後硬化後之加工膜厚為10μm的方式調整塗佈時之轉速。 然後在熱板上實施100℃、2分鐘之預烘。然後使用Nikon公司製i射線步進曝光機NSR-2205i11實施i射線曝光、圖案形成。圖案形成時,係將負型圖案用、正型圖案用之遮罩適當配合使用之感光性樹脂組成物使用。該遮罩具有能形成縱橫1:1排列20μm之孔之圖案,直到50μm~20μm可形成刻度為10μm,20μm~10μm可形成刻度為5μm,10μm~1μm可形成刻度為1μm之孔圖案。
然後實施加熱步驟。依下列表13~20所示之條件實施。
顯影步驟中,使用有機溶劑為顯影液時,係使用環戊酮,使用鹼水溶液為顯影液時,係使用2.38%四甲基氫氧化銨水溶液作為顯影液。有機溶劑顯影係實施1次環戊酮之1分鐘浸置顯影,並實施利用異丙醇所為之淋洗。鹼顯影,係於實施表16~20所示之適當次數之2.38%四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液之1分鐘浸置顯影後,實施利用超純水所為之淋洗。
其次將獲得之基板上圖案使用烘箱於250℃邊吹掃氮氣邊進行後硬化2小時。
然後以能夠觀察獲得之孔圖案之形狀之方式,將各基板切開,使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察孔圖案形狀。求出後硬化後之膜厚10μm時成為最小之開口孔之口徑,評價圖案之形狀。和該等結果一併將能形成最小圖案之感度示於表13~20。
又,孔之圖案形狀係依如下列基準評價,表13~20中顯示評價結果。 良好:觀察到孔為矩形或順推拔形狀(孔上部之尺寸為比起底部尺寸更大之形狀) 不良:逆推拔形狀(孔上部之尺寸比起底部尺寸更小之形狀)、倒懸形狀(孔上部伸出之形狀)、或孔底部觀察到殘渣
首先使用負型感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物1~5,7~15,17,18,比較感光性樹脂組成物5~8)進行有機溶劑顯影之結果示於表13~15。
【表13】
如表13,本發明之負型感光性樹脂組成物在有機溶劑顯影顯示良好的圖案形狀,最小孔尺寸相較於加工膜厚10μm為相對較小之値,可知能達成縱橫比1以上。
【表14】
另一方面,如表14,使用了不含六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物之比較感光性樹脂組成物5~8之圖案形成,在使用環戊酮之有機溶劑顯影時,感光性樹脂組成物之基礎樹脂本身不溶於環戊酮,故無法形成圖案。
如表14所示,比較感光性樹脂組成物5~8於使用環戊酮為顯影液時,未獲得圖案,因此在比較感光性樹脂組成物5~8之有機溶劑顯影使用N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。其結果列於下列之表15。
【表15】
如表15,在使用了不含六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物之比較感光性樹脂組成物5~8之圖案形成,使用NMP時,可以獲得圖案。但是圖案尺寸大,故縱橫比未能達成1以上,又,在許多圖案觀察到倒懸形狀,圖案形狀不良。觀察到倒懸形狀據認為是因為顯影時圖案膨潤所引起。
然後使用負型感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物6、7、9~14、16、17、比較感光性樹脂組成物5~8)實施鹼水溶液顯影,結果示於表16、表17。 【表16】
如表16,本發明之負型感光性樹脂組成物在利用鹼顯影液所為之顯影顯示良好圖案形狀,最小孔尺寸和加工膜厚10μm相較為相對較小之値,可知能達成縱橫比1以上。
【表17】
另一方面,使用了不含六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物之負型之比較感光性樹脂組成物5~8,在使用鹼顯影液之圖案形成中,如表17之比較例9~12,觀察到開口不良及間距部觀察到殘渣。原因是比較感光性樹脂組成物5~8使用之基礎樹脂中沒有六氟異丙醇基之鹼可溶性之有機基,鹼顯影變得困難。
然後使用正型感光性樹脂組成物(感光性樹脂組成物19~37、比較感光性樹脂組成物13~16)形成圖案,結果示於下列之表18~表20。
【表18】
【表19】
如表18及表19,本發明之正型感光性樹脂組成物在利用鹼顯影液所為之顯影顯示良好圖案形狀,最小孔尺寸相對於加工膜厚10μm為相對較小値,可知能達成縱橫比1以上。
【表20】
另一方面,使用了不含六氟異丙醇基之聚醯亞胺前驅體之聚合物之正型之比較感光性樹脂組成物13~16,在使用鹼顯影液之圖案形成中,如表20之比較例13~16,可形成20μm之大圖案,但縱橫比難超過1,即使顯影次數加多仍在孔底部觀察到殘渣。原因是比較感光性樹脂組成物13~16使用之基礎樹脂並無六氟異丙醇基之鹼可溶性之有機基,鹼顯影變得困難。
又,本發明不限於上述實施形態。上述實施形態係例示,和本發明之申請專利範圍記載之技術思想有實質上同一構成且發揮同樣作用效果者皆包括在本發明之技術範圍。

Claims (16)

  1. 一種四羧酸二酯化合物,其特徵為以下列通式(1)表示; [化1]
    Figure TWI633083B_C0001
    式中,X1為4價有機基,R1為下列通式(2)表示之基; [化2]
    Figure TWI633083B_C0002
    式中,點線代表鍵結,Y1為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
  2. 如申請專利範圍第1項之四羧酸二酯化合物,其中,該通式(2)中之Y1係選自碳數1~6之直鏈狀或分枝狀之伸烷基中之2價有機基。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之四羧酸二酯化合物,其中,該通式(1)中之R1係選自下列通式(3)、(4)、及(5)表示之基中之任一有機基; [化3]
    Figure TWI633083B_C0003
    [化4]
    Figure TWI633083B_C0004
    [化5]
    Figure TWI633083B_C0005
    式中,點線表示鍵結。
  4. 一種聚醯亞胺前驅體之聚合物,其特徵為:包括下列通式(6)表示之結構單元; [化6]
    Figure TWI633083B_C0006
    式中,X1為4價有機基,X2為2價有機基,R1為下列通式(2)表示之基; [化7]
    Figure TWI633083B_C0002
    式中,點線代表鍵結,Y1為(k+1)價有機基,k為1或2,n表示0或1。
  5. 如申請專利範圍第4項之聚醯亞胺前驅體之聚合物,其中,該聚醯亞胺前驅體之聚合物更含有下列通式(7)表示之結構單元; [化8]
    Figure TWI633083B_C0007
    式中,X2同前述,X3為和該X1為相同或不同之4價有機基;R2及R3各自獨立地為氫原子、碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、或下列通式(8)表示之有機基,R2及R3中之至少任一者為下列通式(8)表示之有機基; [化9]
    Figure TWI633083B_C0008
    式中,點線代表鍵結,R4為氫原子或碳數1~3之有機基,R5及R6各自獨立地為氫原子或碳數1~3之有機基,m為2~10之整數。
  6. 一種聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,係如申請專利範圍第4項之聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法, 其特徵為:使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物與下列通式(9)表示之二胺反應; [化10]
    Figure TWI633083B_C0001
    式中,X1及R1同上述; [化11]
    Figure TWI633083B_C0009
    式中,X2同上述。
  7. 一種聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法,係如申請專利範圍第5項之聚醯亞胺前驅體之聚合物之製造方法, 其特徵為:使下列通式(1)表示之四羧酸二酯化合物、下列通式(9)表示之二胺、與下列通式(10)表示之四羧酸二酯化合物反應; [化12]
    Figure TWI633083B_C0001
    式中,X1及R1同上述; [化13]
    Figure TWI633083B_C0009
    式中,X2同上述; [化14]
    Figure TWI633083B_C0010
    式中,X3、R2、及R3同上述。
  8. 一種負型感光性樹脂組成物,其特徵為包括: (A)如申請專利範圍第5項之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B)光自由基起始劑;及 (D)溶劑。
  9. 一種負型感光性樹脂組成物,其特徵為包括: (A’)如申請專利範圍第4或5項之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B)光自由基起始劑; (C)在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑;及 (D)溶劑。
  10. 一種負型感光性樹脂組成物,其特徵為包括: (A’)如申請專利範圍第4或5項之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B’)光酸產生劑; (C’)交聯劑,係選自於經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; [化15]
    Figure TWI633083B_C0011
    式中,點線表示鍵,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2;及 (D)溶劑。
  11. 一種正型感光性樹脂組成物,其特徵為包括: (A’)如申請專利範圍第4或5項之聚醯亞胺前驅體之聚合物; (B’’)感光劑,係因光而產生酸且對於鹼水溶液之溶解速度增大,且係具有醌二疊氮化物結構之化合物; (C’’)交聯劑,係選自在1分子中有2個以上之光聚合性不飽和鍵結基之交聯劑、經甲醛或甲醛-醇改性之胺基縮合物、在1分子中平均有2個以上之羥甲基或烷氧基羥甲基之苯酚化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成環氧丙基而得之化合物、多元苯酚之羥基之氫原子取代成下式(C-1)表示之取代基而得之化合物、及含有2個以上之下式(C-2)表示之具環氧丙基之氮原子之化合物中之1種或2種以上; [化16]
    Figure TWI633083B_C0011
    式中,點線表示鍵結,Rc表示碳數1~6之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基,s表示1或2;及 (D)溶劑。
  12. 如申請專利範圍第11項之正型感光性樹脂組成物,其中,該正型感光性樹脂組成物更含有(E)因熱而產生酸或自由基之化合物。
  13. 一種圖案形成方法,其特徵為包括以下步驟: (1)將如申請專利範圍第8至10項中任一項之負型感光性樹脂組成物塗佈在基板上,並形成感光材皮膜; (2)其次加熱處理後,介隔光罩而以波長190~500nm之高能射線或電子束將感光材皮膜進行曝光; (3)使用鹼水溶液或有機溶劑之顯影液進行顯影。
  14. 如申請專利範圍第13項之圖案形成方法,其中, 在該曝光步驟與該顯影步驟之間包括進行曝光後加熱之步驟。
  15. 一種圖案形成方法,其特徵為包括以下步驟: (I)將如申請專利範圍第11或12項之正型感光性樹脂組成物塗佈在基板上並形成感光材皮膜; (II)其次加熱處理後,介隔光罩而以波長190~500nm之高能射線或電子束將感光材皮膜進行曝光; (III)使用鹼水溶液之顯影液進行顯影。
  16. 一種硬化被膜形成方法,其特徵為包括以下步驟: 將依如申請專利範圍第13至15項中任一項之圖案形成方法獲得之已形成圖案之被膜於溫度100~300℃進行加熱、後硬化之步驟。
TW106112704A 2016-04-19 2017-04-17 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法 TWI633083B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016083787A JP6487875B2 (ja) 2016-04-19 2016-04-19 テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法
JP2016-083787 2016-04-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201738198A TW201738198A (zh) 2017-11-01
TWI633083B true TWI633083B (zh) 2018-08-21

Family

ID=58672247

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106112704A TWI633083B (zh) 2016-04-19 2017-04-17 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10457779B2 (zh)
EP (1) EP3235803B1 (zh)
JP (1) JP6487875B2 (zh)
KR (1) KR101965053B1 (zh)
TW (1) TWI633083B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747233B (zh) * 2019-04-16 2021-11-21 日商信越化學工業股份有限公司 有機膜形成用材料、半導體裝置製造用基板、有機膜之形成方法、圖案形成方法、以及有機膜形成用化合物

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6663320B2 (ja) * 2016-07-25 2020-03-11 信越化学工業株式会社 テトラカルボン酸ジエステル化合物、ポリイミド前駆体の重合体及びその製造方法、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、及び硬化被膜形成方法
CN115755526A (zh) 2016-08-22 2023-03-07 旭化成株式会社 感光性树脂组合物和固化浮雕图案的制造方法
JP6663380B2 (ja) * 2017-03-22 2020-03-11 信越化学工業株式会社 ポリイミド前駆体の重合体、ポジ型感光性樹脂組成物、ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
JP7069657B2 (ja) * 2017-11-15 2022-05-18 昭和電工マテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物及び半導体装置部材の製造方法
JP6810677B2 (ja) * 2017-12-05 2021-01-06 信越化学工業株式会社 新規テトラカルボン酸二無水物、ポリイミド樹脂及びその製造方法、感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、電子部品
KR102299419B1 (ko) * 2018-02-28 2021-09-06 주식회사 엘지화학 감광성 수지 조성물 및 경화막
JP7252020B2 (ja) * 2018-04-16 2023-04-04 旭化成株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物及び硬化レリーフパターンの製造方法
JP7351637B2 (ja) * 2018-05-29 2023-09-27 旭化成株式会社 樹脂組成物、及び硬化膜の製造方法
JP7145126B2 (ja) * 2018-08-01 2022-09-30 信越化学工業株式会社 ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド構造を含む重合体、感光性樹脂組成物、パターン形成方法、感光性ドライフィルム及び電気・電子部品保護用皮膜
JP7225652B2 (ja) * 2018-10-03 2023-02-21 Hdマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
WO2020071422A1 (ja) * 2018-10-03 2020-04-09 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法、硬化膜、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜及び電子部品
JP7241502B2 (ja) * 2018-10-18 2023-03-17 旭化成株式会社 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法
US20200283580A1 (en) * 2019-03-05 2020-09-10 Promerus, Llc Unsaturated cyclic anhydride end capped polyimides and polyamic acids and photosensitive compositions thereof
US11535709B2 (en) * 2019-03-05 2022-12-27 Promerus, Llc Reactive end group containing polyimides and polyamic acids and photosensitive compositions thereof
JP7154184B2 (ja) * 2019-04-15 2022-10-17 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
TWI782241B (zh) * 2019-11-12 2022-11-01 臺灣永光化學工業股份有限公司 聚醯亞胺正型光阻組成物
US11572442B2 (en) * 2020-04-14 2023-02-07 International Business Machines Corporation Compound, polyimide resin and method of producing the same, photosensitive resin composition, patterning method and method of forming cured film, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component
JP2022029427A (ja) * 2020-08-04 2022-02-17 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
TW202244130A (zh) * 2021-03-03 2022-11-16 美商杜邦電子股份有限公司 塗佈溶液及交聯聚合物膜
JP2022151614A (ja) * 2021-03-23 2022-10-07 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
JP2022147792A (ja) * 2021-03-23 2022-10-06 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
CN114355727A (zh) * 2022-01-17 2022-04-15 苏州理硕科技有限公司 一种光刻胶组合物及应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090263745A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Katsuya Sakayori Polyimide precursor, resin composition comprising the polyimide precursor, pattern forming method using the resin composition, and articles produced by using the resin composition
TW201031708A (en) * 2008-11-10 2010-09-01 Ajinomoto Kk Resin composition for printed wiring board
TW201033250A (en) * 2008-11-10 2010-09-16 Ajinomoto Kk Siloxane-containing polyimide resin
CN104837809A (zh) * 2012-11-28 2015-08-12 中央硝子株式会社 包含六氟异丙醇基的二胺、使用其的聚酰亚胺和聚酰胺、其环化物、及其制造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL177718C (nl) 1973-02-22 1985-11-01 Siemens Ag Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren.
JPS5951796B2 (ja) 1977-07-08 1984-12-15 松下電器産業株式会社 走査速度変調回路
JPS5545746A (en) 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
JPS627488A (ja) 1985-07-02 1987-01-14 Nec Kansai Ltd 排水処理方法
JPS6438437A (en) * 1987-08-04 1989-02-08 Asahi Chemical Ind Low-stress polyimide resin precursor
JP2674415B2 (ja) * 1992-01-27 1997-11-12 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
JP3369344B2 (ja) * 1994-01-21 2003-01-20 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物
JP3721768B2 (ja) 1997-01-24 2005-11-30 宇部興産株式会社 感光性ポリイミドシロキサン組成物および絶縁膜
JP3232022B2 (ja) 1997-03-31 2001-11-26 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物
JP3627488B2 (ja) 1997-12-22 2005-03-09 日立化成工業株式会社 感光性ポリイミド前駆体組成物、およびそれを用いたパターン形成方法
JP2005049504A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターン製造方法並びに電子部品
JP5023609B2 (ja) 2005-09-28 2012-09-12 セントラル硝子株式会社 低分子又は中分子有機化合物からなるコーティング材料
JP4659678B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7851121B2 (en) * 2006-02-10 2010-12-14 Central Glass Co., Ltd. Photosensitive polyimide composition and polyimide precursor composition
JP5428179B2 (ja) * 2008-03-31 2014-02-26 大日本印刷株式会社 ポリイミド前駆体樹脂組成物、及び電子部品
JP5417623B2 (ja) 2009-12-10 2014-02-19 信越化学工業株式会社 ポリイミド系光硬化性樹脂組成物、パターン形成方法及び基板保護用皮膜
WO2013168675A1 (ja) 2012-05-07 2013-11-14 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法、及び半導体装置
US9793483B2 (en) * 2012-11-28 2017-10-17 Central Glass Company, Limited Hexafluoroisopropanol group-containing diamine, polyimide and polyamide using same, cyclized product thereof, and method for producing same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090263745A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-22 Katsuya Sakayori Polyimide precursor, resin composition comprising the polyimide precursor, pattern forming method using the resin composition, and articles produced by using the resin composition
TW201031708A (en) * 2008-11-10 2010-09-01 Ajinomoto Kk Resin composition for printed wiring board
TW201033250A (en) * 2008-11-10 2010-09-16 Ajinomoto Kk Siloxane-containing polyimide resin
CN104837809A (zh) * 2012-11-28 2015-08-12 中央硝子株式会社 包含六氟异丙醇基的二胺、使用其的聚酰亚胺和聚酰胺、其环化物、及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI747233B (zh) * 2019-04-16 2021-11-21 日商信越化學工業股份有限公司 有機膜形成用材料、半導體裝置製造用基板、有機膜之形成方法、圖案形成方法、以及有機膜形成用化合物

Also Published As

Publication number Publication date
TW201738198A (zh) 2017-11-01
EP3235803A1 (en) 2017-10-25
JP2017193500A (ja) 2017-10-26
US20170298186A1 (en) 2017-10-19
KR20170119643A (ko) 2017-10-27
EP3235803B1 (en) 2020-06-03
US10457779B2 (en) 2019-10-29
JP6487875B2 (ja) 2019-03-20
KR101965053B1 (ko) 2019-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI633083B (zh) 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、正型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法
TWI633084B (zh) 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合體及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法
TWI664209B (zh) 聚醯亞胺前驅體之聚合物、正型感光性樹脂組成物、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法、硬化被膜形成方法、層間絕緣膜、表面保護膜及電子零件
TWI637942B (zh) 四羧酸二酯化合物、聚醯亞胺前驅體之聚合物及其製造方法、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法
TWI681965B (zh) 新穎之四羧酸二酐、聚醯亞胺樹脂與其製造方法、感光性樹脂組成物、圖案形成方法與硬化被覆膜形成方法、層間絕緣膜、表面保護膜及電子零件
TWI768510B (zh) 新穎化合物、聚醯亞胺樹脂及其製造方法、感光性樹脂組成物、圖案形成方法及硬化被膜形成方法、層間絕緣膜、表面保護膜、電子零件
TW202239822A (zh) 含有聚醯亞胺之聚合物、正型感光性樹脂組成物、負型感光性樹脂組成物、圖案形成方法、硬化被膜形成方法、層間絕緣膜、表面保護膜、及電子零件