JPS627488A - 排水処理方法 - Google Patents
排水処理方法Info
- Publication number
- JPS627488A JPS627488A JP14542585A JP14542585A JPS627488A JP S627488 A JPS627488 A JP S627488A JP 14542585 A JP14542585 A JP 14542585A JP 14542585 A JP14542585 A JP 14542585A JP S627488 A JPS627488 A JP S627488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waste water
- water
- air
- oxygen
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Treatment Of Water By Oxidation Or Reduction (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主呈上夏且且分立
本発明は、半導体装置の製造工程で生じたシリコンの微
粒子を含む排水を処理する方法に関するものである。
粒子を含む排水を処理する方法に関するものである。
丈米皇技血
一般にディスクリート型の半導体装置は、機械的強度を
持たせるため所定の厚みを持つ半導体ウェーハの片面に
不純物拡散等の処理を行ってデバイスを形成した後、そ
の裏面をサーフェイス・グラインダ（Ｓ Ｇ）により研
磨して半導体ウェーハを薄くし、その研摩面に裏面電極
を形成している。
持たせるため所定の厚みを持つ半導体ウェーハの片面に
不純物拡散等の処理を行ってデバイスを形成した後、そ
の裏面をサーフェイス・グラインダ（Ｓ Ｇ）により研
磨して半導体ウェーハを薄くし、その研摩面に裏面電極
を形成している。
ところで、上記半導体ウェーハの研摩工程では、過熱防
止および研磨により生じたシリコンの微粒子を除去する
ため冷却水が使用される。
止および研磨により生じたシリコンの微粒子を除去する
ため冷却水が使用される。
この冷却水の排水にはシリコンの微粒子が含まれている
ので、排水を再利用するためには、これら微粒子を排水
から分離除去する必要があり、この分離除去に限外濾過
膜（以下ＵＦ膜と呼ぶ）が使用されている。このＵＦ膜
は、ポンプにより圧送された前記排水をシリコンを含む
濃縮水とシリコンを含まない透過水とに分離するもので
ある。
ので、排水を再利用するためには、これら微粒子を排水
から分離除去する必要があり、この分離除去に限外濾過
膜（以下ＵＦ膜と呼ぶ）が使用されている。このＵＦ膜
は、ポンプにより圧送された前記排水をシリコンを含む
濃縮水とシリコンを含まない透過水とに分離するもので
ある。
上記排水の処理システムを第２図を参照して説明すると
、半導体ウェーハの研磨装置（１）から排出されたシリ
コンの微粒子を含む排水（２）は、収容タンク（３）に
収容された後、供給ポンプ（４）でバルブ（５）および
プレフィルタ（６）を介して循環ポンプ（７）に送られ
、該循環ポンプ（７）から並設されたＵＦモジュール（
８）（８）に圧送される。ＵＦモジュール（８）（８）
は内部がＵＦ膜（９）（９）で二分され、排水（２）は
ＵＦ膜（９）（９）の表面側に循環ポンプ（７）から高
圧で圧送されて、ＵＦ膜（９）（９）でシリコンの微粒
子を含む濃縮水（ａ）とシリコンの微粒子を含まない濾
過水（ｂ）とに分離される。濃縮水（ａ）はＵＦモジュ
ール（８）（８）を出て前記（成環ポンプ（７）に戻り
、排水（２）と共に再びＵＦモジュール＜８）（８）に
圧送され、一方濾過水（ｂ）は外部の回収装置（図示省
略）に回収され、冷却水等として再利用される。
、半導体ウェーハの研磨装置（１）から排出されたシリ
コンの微粒子を含む排水（２）は、収容タンク（３）に
収容された後、供給ポンプ（４）でバルブ（５）および
プレフィルタ（６）を介して循環ポンプ（７）に送られ
、該循環ポンプ（７）から並設されたＵＦモジュール（
８）（８）に圧送される。ＵＦモジュール（８）（８）
は内部がＵＦ膜（９）（９）で二分され、排水（２）は
ＵＦ膜（９）（９）の表面側に循環ポンプ（７）から高
圧で圧送されて、ＵＦ膜（９）（９）でシリコンの微粒
子を含む濃縮水（ａ）とシリコンの微粒子を含まない濾
過水（ｂ）とに分離される。濃縮水（ａ）はＵＦモジュ
ール（８）（８）を出て前記（成環ポンプ（７）に戻り
、排水（２）と共に再びＵＦモジュール＜８）（８）に
圧送され、一方濾過水（ｂ）は外部の回収装置（図示省
略）に回収され、冷却水等として再利用される。
＜”′ しよ゛と る。 −
ところで、上記半導体ウェーハの研磨装置（１）から収
容タンク（３）に排出される排水（２）には、０．１〜
２μの超微粒子のシリコンが１００〜１０００ｎ＋ｇ／
（を程度含有されており、このシリコンは、Ｓｉ ＋
２Ｈ２０−−５ｉ０２ ＋２Ｈ２の反応式に示されるよ
うに、水を還元して水素を発生させる。この発生期状態
の活性化した水素は還元能力が強いので、この水素を含
んだ排水（２）が循環ポンプ（７）でＵＦモジュール（
８）（８）に圧送されると、上記の水素がＵＦ膜（９）
（９）に作用してこれを劣化させ引張強度を低下させる
。そのため排水（２）の圧力によってＵＦ膜（９）（９
）が破損し、排水（２）によって透過水（ｂ）が濁ると
いう問題があった。
容タンク（３）に排出される排水（２）には、０．１〜
２μの超微粒子のシリコンが１００〜１０００ｎ＋ｇ／
（を程度含有されており、このシリコンは、Ｓｉ ＋
２Ｈ２０−−５ｉ０２ ＋２Ｈ２の反応式に示されるよ
うに、水を還元して水素を発生させる。この発生期状態
の活性化した水素は還元能力が強いので、この水素を含
んだ排水（２）が循環ポンプ（７）でＵＦモジュール（
８）（８）に圧送されると、上記の水素がＵＦ膜（９）
（９）に作用してこれを劣化させ引張強度を低下させる
。そのため排水（２）の圧力によってＵＦ膜（９）（９
）が破損し、排水（２）によって透過水（ｂ）が濁ると
いう問題があった。
口 占 ゛ るための
本発明は、上記問題点に鑑み、提案されたもので、半導
体装置の製造工程で生じたシリコンの微粒子を含む排水
を濃縮水を透過水に分離するＵＦＩＩを有するＵＦモジ
ュールの上流側で、上記排水に空気または酸素を気液接
触させることにより、上記問題点を解決するようにした
ものである。
体装置の製造工程で生じたシリコンの微粒子を含む排水
を濃縮水を透過水に分離するＵＦＩＩを有するＵＦモジ
ュールの上流側で、上記排水に空気または酸素を気液接
触させることにより、上記問題点を解決するようにした
ものである。
１且
本発明のようにシリコンの微粒子を含む排水に空気また
は酸素を強制的に気液接触させると、これによってシリ
コンが酸化するから、水は還元されない。その結果、上
記排水に活性化した水素が発生することがなく、ＵＰ膜
の破損を確実に防止することができる。
は酸素を強制的に気液接触させると、これによってシリ
コンが酸化するから、水は還元されない。その結果、上
記排水に活性化した水素が発生することがなく、ＵＰ膜
の破損を確実に防止することができる。
実漣別−
以下本発明の一実施例を第１図に基づき説明すると次の
通りである。第１図において、第２図の従来例と同一の
ものには同一参照符号を付して説明を省略する。大きな
相違点は収容タンク（３）内の底部にそって複数の吐出
口を有する散気筒（１０）を設置し、該散気ｍ （１０
）にブロワ−（図示省略）で空気または酸素を圧送する
ようにしたことである。上記収容タンク（３）には半導
体ウェーへの研磨装置（１）から排出されたシリコンの
微粒子を含んだ排水（２）が収容され、排水（２）は上
記散気筒（１０）から気泡（１１）となって吐出した空
気または酸素と気液接触する。この気液接触により排水
（２）中のシリコンは、Ｓｉ＋０２−→５ｉ０２の反応
式に示されるように酸化する。このように排水（２）中
のシリコンは排水（２）に吹き込まれた空気または酸素
と気液接触して酸化するので、排水（２）は還元されず
、排水（２）には水素は発生しない。酸化シリコンの微
粒子を含んだ排水（２）は、供給ポンプ（４）でバルブ
（５）およびプレフィルタ（６）を介して循環ポンプ（
７）に送られ、該循環ポンプ（７）からＵＦモジュール
（８）（８）に圧送される。この圧送された排水（２）
中には従来のように発生期状態の活性化した水素が含ま
れていないので、ＵＦＰＡ（９）（９）が水素によって
劣化することはない。そして排水（２）はＵＦ膜（９）
（９）で、酸化シリコンの微粒子を含む′ａ縮水（ａ）
と、酸化シリコンの微粒子を含まない透過水（ｂ）とに
分離され、濃縮水（ａ）はＵＦモジエール（８）（８）
を出て前記循環ポンプ（７）に戻り、排水（２）と−緒
に再びＵＦモジュール（８）（８）に圧送され、又透過
水（ｂ）は外部回収装置（図示省略）に回収され、冷却
水等として再利用される。
通りである。第１図において、第２図の従来例と同一の
ものには同一参照符号を付して説明を省略する。大きな
相違点は収容タンク（３）内の底部にそって複数の吐出
口を有する散気筒（１０）を設置し、該散気ｍ （１０
）にブロワ−（図示省略）で空気または酸素を圧送する
ようにしたことである。上記収容タンク（３）には半導
体ウェーへの研磨装置（１）から排出されたシリコンの
微粒子を含んだ排水（２）が収容され、排水（２）は上
記散気筒（１０）から気泡（１１）となって吐出した空
気または酸素と気液接触する。この気液接触により排水
（２）中のシリコンは、Ｓｉ＋０２−→５ｉ０２の反応
式に示されるように酸化する。このように排水（２）中
のシリコンは排水（２）に吹き込まれた空気または酸素
と気液接触して酸化するので、排水（２）は還元されず
、排水（２）には水素は発生しない。酸化シリコンの微
粒子を含んだ排水（２）は、供給ポンプ（４）でバルブ
（５）およびプレフィルタ（６）を介して循環ポンプ（
７）に送られ、該循環ポンプ（７）からＵＦモジュール
（８）（８）に圧送される。この圧送された排水（２）
中には従来のように発生期状態の活性化した水素が含ま
れていないので、ＵＦＰＡ（９）（９）が水素によって
劣化することはない。そして排水（２）はＵＦ膜（９）
（９）で、酸化シリコンの微粒子を含む′ａ縮水（ａ）
と、酸化シリコンの微粒子を含まない透過水（ｂ）とに
分離され、濃縮水（ａ）はＵＦモジエール（８）（８）
を出て前記循環ポンプ（７）に戻り、排水（２）と−緒
に再びＵＦモジュール（８）（８）に圧送され、又透過
水（ｂ）は外部回収装置（図示省略）に回収され、冷却
水等として再利用される。
上記排水（２）をＵＦ膜（９）（９）で濃縮水（ａ）と
透過水（ｂ）に分離する過程において、酸化シリコンの
微粒子がＵＦ膜（９）（９）に詰ると、ＵＦ膜（９）
（９）の透過水田が時間経過とともに減少して処理能
力が低下するので、目詰まりした酸化シリコンの微粒子
を除去する目的で簡易フラッシングを行う。すな−０ち
、手掌運転状態から循環ポンプ（７）を一時停止させる
と、ＵＦモジュール（８） （８）のＵＦ膜（９）（
９）の表面側圧力が急速に低下してＵＦ膜（９）（９）
の裏面側の透過水（ｂ）が濃度差でもってＵＦｐ （９
）（９）を逆流する。この逆流によりＵＦ膜（９）
（９）に付着した酸化シリコンの微粒子は浮き上がる。
透過水（ｂ）に分離する過程において、酸化シリコンの
微粒子がＵＦ膜（９）（９）に詰ると、ＵＦ膜（９）
（９）の透過水田が時間経過とともに減少して処理能
力が低下するので、目詰まりした酸化シリコンの微粒子
を除去する目的で簡易フラッシングを行う。すな−０ち
、手掌運転状態から循環ポンプ（７）を一時停止させる
と、ＵＦモジュール（８） （８）のＵＦ膜（９）（
９）の表面側圧力が急速に低下してＵＦ膜（９）（９）
の裏面側の透過水（ｂ）が濃度差でもってＵＦｐ （９
）（９）を逆流する。この逆流によりＵＦ膜（９）
（９）に付着した酸化シリコンの微粒子は浮き上がる。
この状態を一定時間行った後、上記循環ポンプ（７）を
１乍動させると、ＵＦモジニール（８）（８）に排水（
２）が圧送され、ＵＦ膜（９）（９）から浮き上がった
酸化シリコンの微粒子を洗い流す。このように循環ポン
プ（７）の作動、停止を繰り返して簡易フラッシングが
行われる。
１乍動させると、ＵＦモジニール（８）（８）に排水（
２）が圧送され、ＵＦ膜（９）（９）から浮き上がった
酸化シリコンの微粒子を洗い流す。このように循環ポン
プ（７）の作動、停止を繰り返して簡易フラッシングが
行われる。
尚、シリコンの微粒子を含んだ排水（２）と空気または
酸素とを気液接触させる手段は、上記散気筒（１０）の
ほかに、例えばスクラバー等の気液接触装置を用いても
よい。
酸素とを気液接触させる手段は、上記散気筒（１０）の
ほかに、例えばスクラバー等の気液接触装置を用いても
よい。
発凱五処果
本発明によれば、シリコンあ微粒子を含む排水中に発生
期状態の活性化した水素が生じることがないので、ＵＦ
膜の破損を確実に防止することができ、長期間使用する
ことができると共に、安全対策上の効果も大きい、また
排水と空気または酸素とを気液接触させるだけでよいの
で、構成が簡単であり設備投資上有利であり、実施効果
大なるものが提供できる。
期状態の活性化した水素が生じることがないので、ＵＦ
膜の破損を確実に防止することができ、長期間使用する
ことができると共に、安全対策上の効果も大きい、また
排水と空気または酸素とを気液接触させるだけでよいの
で、構成が簡単であり設備投資上有利であり、実施効果
大なるものが提供できる。
第１図は本発明に係る排水処理方法の一実施例を示した
説明図、第２図は従来の排水処理方法を示した説明図で
ある。 （２）−排水、（ａ ） −濃縮水、（ｂ ’） 、−
透過水、（８）（８）・・−ＵＦモジュール、（９）（
９）−ｍ−限外濾過膜（ＵＦ膜）。 ′ ｔ
説明図、第２図は従来の排水処理方法を示した説明図で
ある。 （２）−排水、（ａ ） −濃縮水、（ｂ ’） 、−
透過水、（８）（８）・・−ＵＦモジュール、（９）（
９）−ｍ−限外濾過膜（ＵＦ膜）。 ′ ｔ
Claims (1)
- （１）半導体装置の製造工程で生じたシリコンの微粒子
を含む排水を濃縮水と透過水に分離する限外濾過膜を有
するＵＦモジュールの上流側で、上記排水に空気または
酸素を気液接触させることを特徴とする排水処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542585A JPS627488A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 排水処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14542585A JPS627488A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 排水処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS627488A true JPS627488A (ja) | 1987-01-14 |
Family
ID=15384951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14542585A Pending JPS627488A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 排水処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS627488A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221542U (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-13 | ||
| JPH06502270A (ja) * | 1991-07-10 | 1994-03-10 | ラッセク，リンダ ジー | 患者監視のための非可聴警報と生命維持装置 |
| KR20170119643A (ko) | 2016-04-19 | 2017-10-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180011729A (ko) | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산 디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180046385A (ko) | 2016-10-27 | 2018-05-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180107756A (ko) | 2017-03-22 | 2018-10-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리이미드 전구체의 중합체, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화 피막 형성 방법, 층간 절연막, 표면 보호막 및 전자 부품 |
| KR20200014709A (ko) | 2018-08-01 | 2020-02-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 구조를 포함하는 중합체, 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 감광성 드라이 필름 및 전기·전자 부품 보호용 피막 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP14542585A patent/JPS627488A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0221542U (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-13 | ||
| JPH06502270A (ja) * | 1991-07-10 | 1994-03-10 | ラッセク，リンダ ジー | 患者監視のための非可聴警報と生命維持装置 |
| KR20170119643A (ko) | 2016-04-19 | 2017-10-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180011729A (ko) | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산 디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180046385A (ko) | 2016-10-27 | 2018-05-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 경화 피막 형성 방법 |
| KR20180107756A (ko) | 2017-03-22 | 2018-10-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리이미드 전구체의 중합체, 포지티브형 감광성 수지 조성물, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 경화 피막 형성 방법, 층간 절연막, 표면 보호막 및 전자 부품 |
| KR20200014709A (ko) | 2018-08-01 | 2020-02-11 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 구조를 포함하는 중합체, 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 감광성 드라이 필름 및 전기·전자 부품 보호용 피막 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI421132B (zh) | 溶解氣體洗淨水之製法、製造裝置及洗淨裝置 | |
| US9592471B2 (en) | Recycling method and device for recycling waste water containing slurry from a semi-conductor treatment process, in particular from a chemico-mechanical polishing process | |
| US20050045534A1 (en) | System and method for removing deep sub-micron particles from water | |
| JPS627488A (ja) | 排水処理方法 | |
| JPH05220480A (ja) | 純水製造装置 | |
| JP4618073B2 (ja) | 高ｔｏｃ含有ｃｍｐ排水からの水回収方法及び水回収装置 | |
| JP2007216102A (ja) | ろ過装置及びろ過装置の膜洗浄方法 | |
| JP4161389B2 (ja) | 研磨排水の処理方法及び装置 | |
| JP3622227B2 (ja) | フォトレジスト含有廃液の濃縮方法 | |
| JP2000354857A (ja) | 機能水製造方法及び装置 | |
| JP3928484B2 (ja) | 機能水の回収方法 | |
| JPH1133362A (ja) | 研磨剤の回収方法及び研磨剤の回収装置 | |
| JP2005334992A (ja) | 廃液処理装置及び廃液処理方法、半導体装置の製造システム | |
| JPH01135580A (ja) | 半導体ウエハーの製造工程より排出される排水の処理方法 | |
| JP3826497B2 (ja) | 純水製造方法 | |
| JP2000140842A (ja) | セラミックフィルタを用いたシリコン研磨排水の排水処理方法及び排水処理システム | |
| JP2002307080A (ja) | 超純水製造装置 | |
| JPH0938671A (ja) | 水処理方法及び水処理装置 | |
| JPH11176794A (ja) | 電子材料用ウェット洗浄装置 | |
| JP2007000712A (ja) | 固液分離装置 | |
| JP2007090174A (ja) | 使用済みエッチングガス処理方法および使用済みエッチングガス処理装置 | |
| JPH11138162A (ja) | 研磨排水処理装置 | |
| US20240075410A1 (en) | Gas solution supply apparatus | |
| JPH11192480A (ja) | アルカリ系シリカ研磨排水の回収処理装置 | |
| JP2003001254A (ja) | ガリウム微粒子含有廃水の処理装置 |