TWI631719B - 在基板提供硼摻雜區域的方法以及使用該基板的太陽電池 - Google Patents

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Abstract

在一矽基板(1)中提供一硼摻雜區域(8、8a、8b)的方法，其步驟包括：(a)於該基板(1)的一第一表面(2)上沉積一硼摻雜源(6)；(b)回火該基板(1)，使硼從該硼摻雜源(6)擴散進入該第一表面(2)，藉此產生一硼摻雜區域；(c)從該第一表面(2)的至少一部份移除該硼摻雜源(6)；(d)於該第一表面(2)上沉積未摻雜矽氧化物(10)；以及(e)回火該基板(1)，透過未摻雜矽氧化物對硼的吸收來降低該硼摻雜區域(8、8a)內的硼波峰濃度。該矽氧化物(10)作為硼吸收物，以達到該硼摻雜區域(8)的期望濃度。

Description

在基板提供硼摻雜區域的方法以及使用該基板的太陽電池
本發明是有關於一種在矽基板提供硼摻雜區域的方法。
US專利公開號5,928,438(Salami等人)揭露具有一選擇性(硼)射極的太陽電池。該太陽電池包括具有第一與第二表面的一半導體基板，形成於第一與第二表面之一的第一多個射極區域，其具有相對偏低的摻雜濃度，形成於前述第一與第二表面之一的第二多個射極區域，與前述第一多個區域相比，其實質上深度較深，與前述第一多個區域相比，具有相對較高的摻雜濃度。該半導體基板較佳包括n型摻雜矽，而前述第一多個射極區域較佳使用p+型摻雜材料(如硼)而形成。前述第二多個射極區域較佳透過包括純鋁或鋁與矽的合金之p+型摻雜材料所形成。形成於另一基板表面的摻雜區域較佳使用n+型摻雜材料(如磷)而形成。
根據N.Bateman等人發表於Energy Procedia 8(2011),p 509-514的文章“具20%效率的交叉指形背面接點太陽電池中的高品質離子植入硼射極”，其揭露了透過基板中的低摻雜硼層與選擇性低-高摻雜曲線，可在 太陽電池中應用選擇性射極。然而，這需要高價的加工步驟。
本發明試圖提供一種方法，其能在合理費用下提供具有較高效率的改良同質且有選擇性的硼摻雜區域或射極。
依據本發明，依據前文提供一方法，其中該方法包括：(a)於該基板的一第一表面上沉積一硼摻雜源；(b)回火該基板，使硼從該硼摻雜源擴散進入該第一表面，藉此產生一硼摻雜區域；(c)從該第一表面的至少一部份(如完全地或選擇性地)移除該硼摻雜源；(d)於該第一表面上沉積未摻雜矽氧化物(silicon oxide)；(e)回火該基板，透過未摻雜矽氧化物對硼的吸收，降低該硼摻雜區域內的硼波峰濃度。加工步驟(a)與(b)可合併於一單一程序，此為具有通常知識者所知。回火(步驟(b)以及步驟(e))涉及基板溫度增加以及後續基板冷卻。同樣的，這可透過使用數項技術完成，亦為具有通常知識者所知。
硼摻雜區域在n型基板中可作為射極以實施。此外，當基板是p型基板時，硼摻雜區域也可實施。在部份應用中，p型基板已摻雜硼，但濃度偏低。用語「硼摻雜區域」被理解為高摻雜區域，其中硼濃度比基板剩餘部份高出許多(如至少100倍)。
取決於欲想得到何種類型的硼摻雜區域，移除硼摻雜源(c)包括完全地或選擇性(部分)地移除硼摻雜源。尤其是從第一表面完全地移除硼 摻雜源代表取得一同質(homogenous)的硼摻雜區域，而從第一表面選擇性(部分)地移除硼摻雜源則代表取得一選擇性硼摻雜區域。
因此本發明實施例的方法產生一硼摻雜區域，包括具有普遍低同質性硼濃度的連續硼摻雜層，亦即一同質性硼摻雜射極，或具有較高與較低硼濃度平穩散置區域的連續硼摻雜層，亦即一選擇性硼摻雜射極。
回火沉積未摻雜矽氧化物將硼原子從射極拉出，因此減少摻雜程度。在選擇性射極實施例的案例中，回火選擇性地剩餘的硼摻雜源維持高摻雜程度以進行接觸。因此，在基板中得到具有硼摻雜程度高對比的一選擇性射極。
依據本發明，回火(e)可能還包括使磷擴散進入基板的第二表面，以產生一磷摻雜層，如作為背面電場(BSF)，其中硼吸收與磷擴散在回火階段發生於同一加工步驟中。實際上，回火(e)至少需要900℃，而磷的擴散則在780-860℃之間發生。因此，回火與磷擴散不一定同時發生，但可在一加工室中相繼完成。因為磷擴散利用回火(e)的降溫程序，所以不需進行加熱步驟。在此加工步驟中，未摻雜矽氧化物膜扮演兩個角色：回火階段的硼拉出者/吸收材料，以及磷擴散階段的擴散阻障。
1‧‧‧基板
2‧‧‧第一表面
4‧‧‧第二表面
6‧‧‧硼摻雜源
8‧‧‧硼摻雜區域
8a‧‧‧低摻雜區域
8b‧‧‧高摻雜區域
10‧‧‧未摻雜矽氧化物
12‧‧‧磷摻雜層
20‧‧‧凹溝
21‧‧‧鈍化膜
22‧‧‧金屬接點
23‧‧‧金屬接點
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下，其中：圖1a-g呈現依據本發明一方法實施例處理的基板中間狀態。
圖2a-d呈現依據本發明基板的一其他方法實施例處理的基板中間狀態。
圖3呈現示範圖，描述使用依據本發明一實施的方法取得的硼摻雜曲線。
圖4a-h呈現依據另一其他方法實施例處理的基板的狀態。
依據本發明，圖1a呈現一矽基板1，其中包含一硼-摻雜區域，具體而言，其為一同質性或選擇性硼-摻雜射極，特別用於太陽(光電伏特)電池。該基板1包括一第一表面2與一第二表面4。該第一表面2可被稱為前側，而該第二表面4可被稱為後側。在一實施例中，該矽基板1是一p型基板1。在其他實施例中，該基板1是一n型基板1。
圖1a所述的基板1後續依照本發明方法的一實施例的處理步驟，在矽基板1上提供硼-摻雜區域8(硼摻雜區域8)，其中如(a)、(b)、(c)...等標記，是用來標記並便於提及所述方法的功能處理步驟。
如圖1b所述，本發明的方法實施例包括沉積(a)一硼摻雜源6於基板1的第一表面2上。在代表性實施例中，該硼摻雜源6是覆蓋基板1的第一表面2的一層。在一組實施例中，沉積(a)該硼摻雜源6可能包括在超過850℃、通常介於900-950℃之間的高溫下，透過一三溴化硼(BBr3)程序或一三氯化硼(BCl3)與氧氣(O2)程序形成硼矽酸玻璃(BSG)。在其他實施例中，沉積(a)該硼摻雜源6可能包括化學氣相沉積(CVD)硼矽酸玻璃(BSG)、或固相硼、或非晶系硼、或氧化硼(B2O3)，或其混合物。在 550~1500℃時，氧化硼(B2O3)是液態，而提及的其他擴散源則是固態。氧化硼(B2O3)可以以表面上的延展液而停留於基板1上，並能夠作為擴散源。在另一實施例中，沉積(a)該硼摻雜源6可包括自旋塗佈硼。
如圖1c所述，本發明的方法實施例還包括回火(b)基板1，使硼從硼摻雜源6擴散進入基板1的第一表面2，藉此在第一表面2內產生具有深度與硼波峰濃度的一硼摻雜區域或射極8(硼摻雜區域8)。在較佳實施例中，回火(b)包括將基板加熱至至少溫度攝氏850度的步驟。
通常而言，擴散所造成的硼-摻雜區域8的波峰濃度乃與其固相溶解度限制相同，如2E20/cm3。為了改善表面鈍化(passivation)並減少硼-摻雜區域8內的少數載子再度合併，波峰濃度應顯著降低，特別是以選擇性射極為例時接點指之間，如照明或透光區域。
依據本發明，“回火annealing”用語是指高溫處理一樣本後，再將該樣本冷卻，如將一基板1加熱一段預定時間至一預定溫度，接著再將該基板1主動或被動冷卻，如冷卻至周圍溫度。
依據本發明方法的下一個處理步驟是移除至少一部份的硼摻雜源6。在圖1d-1f中，方法實施例呈現移除全部硼摻雜源6，以取得一均勻且同質性的硼-摻雜區域8(硼摻雜區域8)。圖2a-2d中，另一其他方法實施例顯示硼摻雜源6部份移除，以形成如一選擇性射極8(硼摻雜區域8)。
如圖1d(以及圖2a)所述，本發明的方法還包括從基板1完全或選擇性地移除(c)硼摻雜源6。在圖1d所示的實施例中，移除(c)包括從基板1完全移除硼摻雜源6。因此，第一(此處為硼-摻雜)表面2完全暴露出 來，而沒有被硼摻雜源6覆蓋。在圖2a所示的實施例中，移除步驟(c)包括選擇性移除硼摻雜源6，而取得一選擇性硼摻雜源6。該選擇性硼摻雜源6可設想成一圖案化或柵狀結構，如位於第一表面2上之大致平行”指狀物”的柵格。
實際上，當硼摻雜源6移除後，部分殘留物可留在區域8上。當摻雜源是硼矽酸玻璃(BSG)、氧化硼(B2O3)或硼的自旋塗層時，該源大部分可在室溫下透過化學濕式法流程輕易移除。殘留物，通常是數奈米厚的的硼矽化物(BxSi，x=1~6)，則難以移除。其也稱為一“硼豐富層”(boron-rich layer)或BRL。在其他案例中，可使用更強的蝕刻劑(在大部分案例中加熱蝕刻溶液)來完全移除硼豐富層(BRL)。但在此狀況，區域8的一些表面部分也和硼豐富層(BRL)一起蝕刻掉。此蝕刻深度沒有比區域8的蝕刻深度深。實際上，它介於將近0奈米與區域8(硼摻雜區域8)的一半深度之間。針對兩狀況，回火(e)後的硼波峰最終濃度最高可調整至5E19/cm3。硼豐富層(BRL)中的硼也可被拉出來而進到未摻雜矽氧化物膜中。
在一實施例中，移除(c)包括蝕刻硼摻雜源6，以完全或選擇性移除硼摻雜源6。在另一實施例中，移除(c)可能還包括移除基板1的第一表面2的一小表面區域。這可使基板1的第一表面2附近的區域8的摻雜輪廓進一步成形。
總而言之，在取得同質性硼摻雜區域的案例中，移除(c)包括完全移除(c)硼摻雜源6。在取得選擇性硼摻雜區域(射極)的案例中，移除(c)包括選擇性移除(c)硼摻雜源6，以取得硼摻雜源6的柵狀結構。
如圖1e與圖2b所述，本發明的方法實施例還包括於第一表面2 上沉積(d)未摻雜矽氧化物10。在圖1e的實施例中，當硼摻雜源6完全移除時，未摻雜矽氧化物10完全緊鄰並覆蓋第一表面2。在圖2b的實施例中，未摻雜矽氧化物10緊鄰並覆蓋選擇性硼摻雜源6以及柵格(如平行”指狀物”6)之間的第一表面2。因此，於第一表面2上沉積(d)未摻雜矽氧化物10，即代表如果選擇性硼摻雜源6存在的話，未摻雜矽氧化物10沉積於第一表面2上與選擇性硼摻雜源6上。
在一實施例中，沉積(d)包括化學氣相沉積未摻雜矽氧化物。在其他實施例中，沉積(d)包括烘烤未摻雜矽氧化物的液體塗層，且通常該液體包括矽醇(SiH3OH)。在所有實施例中，使用了矽氧化物(膜)用語，被認為包含化學式二氧化矽(SiO2)、SiOx(1<x2)或SiOx：H(1<x2)的沉積。必須注意的是，CVD矽氧化物與自旋矽氧化物通常並非化學計量混合物。
如圖1f與圖2c所述，本發明的方法實施例還包括回火(e)基板1，以降低第一表面2內硼摻雜區域8的波峰濃度。在本發明實施例的回火步驟(e)中，以未摻雜矽氧化物10作為硼吸收材料，而將硼從硼摻雜區域8拉出，藉此降低硼摻雜區域8內的硼波峰濃度。
在圖1f所示的實施例中，未摻雜矽氧化物10具體化成為一層10，在回火(e)過程中，同質性的從硼摻雜區域8吸收、拉出或萃取出硼，藉此產生具有較低波峰濃度的一同質性硼摻雜區8(以和圖1e相比較小的區域8表示)。在一實施例中，該同質性硼摻雜區域8具有低於5E+19/cm3或甚至低於3E+19/cm3的波峰濃度。所述射極8的片電阻至少是30ohm/sq，因此可在之後的加工過程中，對太陽電池實際(金屬)電極產生良好連結。
在圖2c的實施例中，對選擇性硼摻雜源6進行回火(e)。在此實施例中，未摻雜矽氧化物10具體化成為一層10，同時從硼摻雜射極8(硼摻雜區域8)與硼摻雜源6吸收、拉出或萃取出硼。在此射極8(硼摻雜區域8)的實施例中，這導致直接在仍存在的硼摻雜源6下方產生低摻雜區域8a與高摻雜區域8b。
低摻雜區域8a是指在太陽電池實際使用時被照亮的區域，如在基板1的表面接點(如電極)之間的區域。另一方面，高摻雜區域8b則是指表面接點將會應用的表面2區域，因此需要盡可能低的接觸阻力。
在一實施例中，選擇性低硼摻雜區域8a(低摻雜區域8a)具有低於5E19/cm3或甚至低於3E19/cm3的波峰濃度，且其中低摻雜區域8a的片電阻介於30與200ohm/sq之間。高摻雜區域8b的不透明點的硼波峰濃度維持相對偏高(處於1E20/cm3，因為回火(e)僅進一步回火選擇性硼摻雜源6)。亦即，因為矽氧化物在回火步驟(e)中被選擇性硼摻雜源6阻擋，所以未摻雜矽氧化物10不能從高摻雜區域8b吸收硼，。
在較佳較佳實施例中，回火(e)包括加熱基板1至至少溫度攝氏900度，如攝氏940度。如回火在介於900-1150℃之間的溫度範圍進行，如介於940-1100℃之間。
如圖1g與圖2d所述，本發明的回火(e)可能還包括使磷擴散進入基板1的第二表面4，藉此產生一磷摻雜層12，作為背面電場(BSF)。
依據本發明一實施例，在充分高溫下的回火(e)，可進行為單一步驟程序，同時或相繼(如在回火(e)期間的不同溫度範圍時)在第一表面2上完成硼吸收，並在第二表面4上完成磷擴散。此一步驟程序在未摻雜矽 氧化物層10作為硼吸收材料與磷的擴散阻障時得以進行，防止磷擴散進入同質性或選擇性硼摻雜區域8。
在一實施例中，磷摻雜層12具有一高於1E20/cm3的表面濃度。在另一實施例中，使磷擴散進入第二表面4的步驟包括一三氯氧磷(POCl3)程序。在一特定實施例中，一特定加工步驟還可用來移除可能在回火(e)時形成的薄氧化物。
以目前揭露的詳細方法步驟(a)至(e)而言，即可將本發明的方法總結為在一矽基板1內提供一硼摻雜區域8的方法，包括以下步驟：a)於該基板1的一第一表面2上沉積一硼摻雜源6；b)回火該基板1，使硼從該硼摻雜源6擴散進入該第一表面2，藉此產生一硼摻雜區域8；c)完全或選擇性地移除該硼摻雜源6；d)於該第一表面2上沉積未摻雜矽氧化物10，以進行硼吸收；e)回火該基板1，以透過該未摻雜矽氧化物的對硼的吸收，降低該硼摻雜區域8的硼波峰濃度。
回火步驟(e)可能還包括使磷擴散進入基板1的第二表面4，以產生一磷摻雜層12，其中硼吸收與磷擴散在單一程序步驟中同時或相繼發生。亦即，回火步驟(e)可與磷擴散合併，使用矽氧化物作為擴散阻障，以取得一背面電場(BSF)。在一實施例中，沉積(a)與回火(b)可合併於單一程序步驟中，如只需要在一加工室中進行一裝載/卸載程序。
必須注意回火(b)通常產生一同質性硼摻雜區域8。接著移除(c)提供是否透過完全移除硼摻雜源6以保有同質性硼摻雜區域8，或透過 選擇性(部分)移除硼摻雜源6取得選擇性硼摻雜射極以取得如一柵狀結構的選擇。
因此，本發明提供一方法可以有效提供一硼摻雜射極8。取決於移除步驟(c)，射極8可包括具有一普遍同質性硼濃度的一連續硼摻雜層，亦即一同質性硼摻雜射極，或可具有高與低硼濃度的平穩散置區域8a、8b的一連續硼摻雜層，亦即一選擇性硼摻雜射極8。
本發明實施例也可用於其他類型的太陽電池，如指叉狀背面電極太陽電池。在這種指叉狀背面電極太陽電池中，硼-摻雜射極8位於基板1的背表面，以如條狀方式與磷摻雜層12交替配置。也可運用目前的方法實施例，可在未摻雜矽氧化物10只配置到硼-摻雜射極8的區域後(d)，在指叉狀背面電極太陽電池的鄰接區域，以單一回火步驟(e)完成硼萃取與磷擴散。
此加工步驟順序也以圖示方式呈現於圖4a-4h中。在此案例中，基板1的第一側2(第一表面2)是太陽電池的背側，而基板1的第二側4(第二表面4)則是太陽電池的太陽輻射接收前側。
直到硼擴散之前，其處理程序類似於圖1a-c所述。在指叉狀背面電極太陽電池的案例中，類似地，如圖4a所示，硼源6(硼摻雜源6)的特定部分被移除。一般而言，為了容納插入的磷摻雜層12，剩餘硼(條狀物)6(硼摻雜源6)之間的距離比圖2a的實施例大。
如圖4b所示，矽氧化物10沉積在第一表面2上，而被選擇性移除。在矽氧化物10被移除處進行蝕刻，在硼摻雜區域8、矽氧化物層 10與硼源6的疊加之間(見圖4c)取得更深的凹溝20。在此步驟中，矽氧化物10是常用來蝕刻矽的鹼性溶液(如NaOH或KOH)的蝕刻阻障。
接著，回火基板1，直接在硼源6下方形成選擇性硼摻雜層(低摻雜區域8a與高摻雜區域8b)，如圖4d所示。
另外，在相同的加工室中，進行圖4e所表示的步驟，如磷擴散，導致基板1除了覆蓋矽氧化物10的區域以外的所有側面皆是磷摻雜層12。
如圖4f所示，接著移除未摻雜矽氧化物10以及硼源6。如圖4g所示，為了進一步完成交叉指形太陽電池，使用例如：熱矽氧化物沉積、氮化矽化學氣相沉積(CVD SiN deposition)，或氧化鋁(Al2O3)原子層沉積將鈍化膜21(如全面性地)配置於基板1。最後，如圖4h所示，使用如金屬沉積/印刷以及透過回火進行燒製以實施硼摻雜區域的金屬接點22(傳導電極22)與磷摻雜區域的金屬接點23(傳導電極23)，讓金屬穿透鈍化層21分別到達射極8與磷摻雜區域12。
透過實驗設置，已驗證太陽電池的選擇性硼-摻雜射極的形成。在案例中，運用三溴化硼(BBr3)程序在基板1的表面2上提供硼摻雜源6(a)。
在第一個案例中，硼-摻雜射極8形成後(b)，移除硼摻雜源6(c)。接著使用電漿強化化學氣相沉積(PECVD)施加矽氧化物層(d)，而使所得基板2在940℃的氮氣(N2)環境中反應60分鐘進行回火(e)。
在第二個案例中，沒有移除硼摻雜源6，而是以類似方式進行其他步驟(代表實際運用中，硼摻雜層並未從表面部份移除)。
最後，在第三個比較案例中，沒有形成矽氧化物層，但仍在940℃的N2環境中反應60分鐘進行回火。
所形成的摻雜曲線呈現於圖3，其中垂直軸是摻雜濃度，而水平軸是進入基板1的表面2的深度(單位是μm)。第一個案例的摻雜曲線是底部曲線(小段虛線)、第二個案例的摻雜曲線是上方曲線(實線)，而第三個案例的摻雜曲線是兩者之間的曲線(大段虛線)。
波峰濃度從第二個案例表面附近的1E+20/cm3下降至第一個案例約1E+19/cm3。如摻雜曲線所示(大段虛線)，在沒有未摻雜矽氧化物的情況下，波峰濃度的減少量較少。維持第二個案例的波峰濃度時，估計第一個案例的波峰濃度仍能透過沉積與回火調整而進一步降低。
依據本發明的其他實施例，本發明的方法還包括提供一完整太陽電池的加工步驟。這涉及提供傳導接點至基板，如上述圖4g與4h已呈現並描述的交叉指形太陽電池實施例。
方法包含進一步加工基板，一般是透過移除矽氧化物10(至少在傳導(如金屬)電極於基板上形成的區域中)，鈍化第一與第二表面2、4，並提供傳導電極22、23。如圖2d與圖4e所示的實施例，移除矽氧化物膜10也包含移除摻雜源6。
傳導電極22、23與基板1的實際接觸，可透過兩種方式完成：首先，在第一與/或第二表面上提供傳導電極22、23(如使用印刷技術，配置時對準區域8之高硼摻雜區域)，並透過回火基板進行燒製，使印刷接點穿透鈍化膜21而到達區域8。此外，將鈍化膜從傳導電極22、23安 置處區域上移除(如圖2d的區域8b)，而將傳導電極22、23施用於鈍化膜21的部份移除處。
本發明也可依據上述任何一方法實施例，取得包括一硼-摻雜區域8的太陽電池而進行實施。這可見於硼-摻雜射極所取得的摻雜曲線(見圖3與其描述)，特別是使用先前方法無法取得的低摻雜水平。此外，當一選擇性射極存在，摻雜曲線的特定組合是待用太陽電池可見的特徵。在其他實施例中，太陽電池還包括第一表面2上以銀-鋁(Ag-Al)合金製成的接點。在另一實施例中，太陽電池包括第一表面2上以鋁(Al)製成的第二接點。這些類型的接點與射極8的高局部硼摻雜雜水平良好配合。
具有硼射極8與磷背面電場(BSF)12的n-基板太陽電池1的正常製造流程具有一製造流程：(i)前側上的硼擴散與移除硼源，(ii)前側上的未摻雜矽氧化物膜作為擴散阻障，以及(iii)背側上的磷擴散。
本發明的新穎觀點之一是在(iii)之前進行回火步驟(e)，其可在一加工室中連續完成。本發明並沒有在正常製造程序中增加步驟數量，只加入了兩個額外程序：(A)在(i)移除選擇性硼源以及(B)在(iii)之前以高於磷擴散的溫度進行回火。
本發明實施例的新技術是在金屬接點形成處的擴散阻障下維持硼擴散源。硼表面濃度維持偏高，而使接觸阻力偏低。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (13)

  1. 一種在一矽基板(1)中提供一硼摻雜區域(8、8a、8b)的方法，包括：(a)於該基板(1)的一第一表面(2)上沉積一硼摻雜源(6)；(b)回火該基板(1)，使硼從該硼摻雜源(6)擴散進入該第一表面(2)，藉此產生一硼摻雜區域；(c)從該第一表面(2)的至少一部份移除該硼摻雜源(6)；(d)於該第一表面(2)上沉積未摻雜矽氧化物(10)；(e)回火該基板(1)，透過未摻雜矽氧化物對硼的吸收來降低該硼摻雜區域(8、8a)內的硼波峰濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該回火(e)包括使磷擴散進入該基板(1)的一第二表面(4)，以產生一磷摻雜層(12)，其中硼吸收與磷擴散在相同加工步驟中進行。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的方法，其中使磷擴散包括一三氯氧磷(POCl3)程序。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述的方法，其中該磷摻雜層(12)具有高於1E+20/cm3的一表面濃度。
  5. 如申請專利範圍第1-3項所述的方法，還包括：移除該矽氧化物(10)；鈍化該第一表面與該第二表面(2,4)；提供傳導電極(22,23)。
  6. 如申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該沉積(a)包括透過一三溴化硼(BBr3)或三氯化硼(BCl3)程序以形成硼矽酸鹽玻璃。
  7. 如申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該沉積(a)包括化學氣相沉積硼矽酸鹽玻璃或固態硼、或非晶系硼、或氧化硼(B2O3)，或其混合物。
  8. 如申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該沉積(a)包括自旋塗覆硼。
  9. 如前述申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該移除(c)包括蝕刻該硼摻雜源。
  10. 如前述申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該沉積(d)包括化學氣相沉積未摻雜矽氧化物。
  11. 如前述申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該硼摻雜射極(8,8a)的波峰濃度低於5E+19/cm3，且其中該硼摻雜射極(8,8a)具有超過30ohm/sq的一片電阻。
  12. 如前述申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該回火(b)包括加熱該基板至至少攝氏850度之溫度。
  13. 如前述申請專利範圍第1-3項所述的方法，其中該回火(e)包括加熱該基板至至少攝氏900度之溫度。
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