CN105051867A - 在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，包括以下步骤：(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；(c)从第一表面(2)的至少部分移除所述硼掺杂源(6)；(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；(e)将基板(1)退火，以通过未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低所述硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度。所述硅氧化物(10)作为硼吸收者以获得所需浓度的硼掺杂区域(8)。<pb pnum="1" />

Description

在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池
技术领域
本发明涉及一种在硅基板中提供硼掺杂区域的方法。
背景技术
美国专利公开号5,928,438(Salami等)公开了具有选择性(硼)发射器(emitter)的太阳能电池。该太阳能电池包括具有第一表面和第二表面的半导体基板、形成于第一表面和第二表面之一的具有相对较低掺杂浓度的第一多个发射器区域、形成于所述第一表面和第二表面之一的比第一多个区域实质上更深的第二多个发射器区域，第二多个发射器区域优选比第一多个区域具有相对更高的掺杂浓度。所述半导体基板优选包括n型掺杂硅，且所述第一多个发射器区域优选使用p+型掺杂材料(例如硼)所形成。所述第二多个发射器区域优选由含有纯铝或铝与硅的合金的p+型掺杂材料所形成。形成于基板表面另一面的掺杂区域优选使用n+型掺杂材料(例如磷)所形成。
N.Bateman等人发表于Energy.Procedia8(2011),p509-514的文章“具20％效率的交叉背面接触的太阳能电池(interdigitatedbackcontactsolarcells)中的高品质离子植入硼发射器(Highqualityionimplantedboronemittersinaninterdigitatedbackcontactsolarcellwith20％efficiency)”，其公开了基板中的低掺杂硼层和选择性低-高掺杂曲线，可使得在太阳能电池中应用选择性发射器。然而，这需要昂贵的处理步骤。
发明内容
本发明试图提供一种方法，该方法提供了在合理成本下具有较高效率的提高同质性和选择性的硼掺杂区域或发射器。
根据本发明，根据前文提供的方法，其中该方法包括：
(a)在基板的第一表面上沉积硼掺杂源；
(b)将所述基板退火，使硼从所述硼掺杂源扩散进入所述第一表面，从而得到硼掺杂区域；
(c)从所述第一表面的至少部分(即全部地或选择性地)移除所述硼掺杂源；
(d)在所述第一表面上沉积未掺杂的硅氧化物(siliconoxide)；
(e)将所述基板退火，以通过所述未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低所述硼掺杂区域内的硼波峰浓度。
处理步骤(a)与(b)可合并为单一步骤，这是本领域技术人员所公知的。退火(步骤(b)及步骤(e))包括将基板的温度增加随后将基板冷却。同样地，本领域技术人员公知这可通过使用多种方式完成。
所述硼掺杂区域可以在n型基板中作为发射器应用。或者，当基板是p型基板时硼掺杂区域也可以应用。在有些应用中，p型基板已掺杂硼，但浓度较低。然后，术语“硼掺杂区域”被理解为高掺杂区域，其中硼浓度比基板其它部分高很多(如至少100倍)。
根据要获得的硼掺杂区域的类型，移除硼掺杂源(c)包括全部地或选择性地(部分)移除硼掺杂源。特别地，从第一表面全部地移除硼掺杂源意味着获得同质性的硼掺杂区域，而从第一表面选择性地(部分)移除硼掺杂源则意味着获得选择性的硼掺杂区域。
因此本发明具体实施方式的方法可得到硼掺杂区域，该硼掺杂区域包括具有普遍低同质性硼浓度的连续硼掺杂层，即同质性硼掺杂发射器，或具有较高和较低硼浓度的平稳散置区域(interspersedregions)的连续硼掺杂层，即选择性硼掺杂发射器。
将沉积的未掺杂的硅氧化物退火能够将硼原子从发射器中拉出，从而降低了掺杂程度。就选择性发射器具体实施方式而言，将选择性剩余的硼掺杂源进行退火来维持高掺杂程度以用于接触。因此，可在具有高对比度硼掺杂程度的基板中获得选择性发射器。
根据本发明，退火(e)可以进一步包括将磷扩散进入基板的第二表面，以得到磷掺杂层，如作为背面电场(BSF)，其中硼吸收与磷扩散在退火阶段发生于同样的处理步骤中。实际上，退火(e)需要至少900℃，而磷扩散则在780-860℃之间发生。因此，退火与磷扩散不一定同时发生，但可以在同一加工室中相继完成。因为磷扩散可利用退火(e)的降温程序，所以其不需加热步骤。在此处理步骤中，未掺杂的硅氧化物膜起着两个作用：退火阶段的硼拉出者/吸收者和磷扩散阶段的扩散障碍。
附图说明
将在下文中基于多个示例性实施方式并引用附图进一步详细地讨论本发明，其中：
图1a-g表示根据本发明一种具体实施方式的方法处理基板的中间状态。
图2a-d表示根据本发明的基板的另一种具体实施方式的方法处理基板的中间状态。
图3示出了描述使用根据本发明一种具体实施方式的方法获得的硼掺杂曲线的示例性图。
图4a-h示出了根据另一种具体实施方式的又一种方法处理的基板的状态。
具体实施方式
根据本发明，图1a示出了提供有硼掺杂区域的硅基板1，更具体地说，其为同质性或选择性的硼掺杂发射器，特别用于太阳(光电伏特)电池。该基板1包括第一表面2与第二表面4。所述第一表面2可被称为前面，而所述第二表面4可被称为背面。在一种具体实施方式中，硅基板1是p型基板1。在另一种具体实施方式中，基板1是n型基板1。
上面所定义的图1a所述的基板1随后根据本发明的一种具体实施方式的方法的处理步骤进行处理，以在硅基板1中提供硼掺杂区域8，其中如(a)、(b)、(c)……等标记，是用来标记并便于提及所述方法的功能处理步骤的。
如图1b所述，本发明具体实施方式的方法包括沉积(a)硼掺杂源6于基板1的第一表面2上。在代表性的实施方式中，所述硼掺杂源6是一个覆盖基板1的第一表面2的层。在另一组具体实施方式中，硼掺杂源6的沉积(a)可以包括在高温(例如高于850℃、通常介于900-950℃之间)下，通过BBr3程序或BCl3与O2程序形成硼硅酸盐玻璃(BSG)。在另外的具体实施方式中，硼掺杂源6的沉积(a)可以包括BSG、或固相硼、或无定型硼(amorphousboron)、或B2O3，或它们的混合物的化学气相沉积(CVD)。在550-1500℃下，B2O3是液态，而其它提及的扩散源则是固态。B2O3可以在表面上作为涂布液而停留于基板上，并能够作为扩散源。在另一种具体实施方式中，硼掺杂源6的沉积(a)可以包括硼的旋转涂布。
如图1c所述，本发明具体实施方式的方法还包括将基板1退火(b)，使硼从硼掺杂源6扩散进入基板1的第一表面2，而在第一表面2内得到了具有深度与硼波峰浓度的硼掺杂区域或发射器8。在一种优选的具体实施方式中，退火(b)包括将基板加热至温度至少为850℃的步骤。
一般地，扩散所形成的硼掺杂区域8的波峰浓度与其固体溶解度限制是相同的，即2E20/cm3。为了改善表面钝化和减少硼掺杂区域8中的少数载体的再结合，应当显著降低所述波峰浓度，特别是在选择性发射器的情况下介于接触指(contactfinger)之间，即照明或透明区域。
根据本发明，属于“退火”是指加热处理样品后将所述样品冷却，例如将所述基板1加热至预定温度并持续预定时间段，然后将该基板1主动或被动地冷却，例如冷却至环境温度。
根据本发明的方法中的下一步处理步骤是移除至少部分硼掺杂源6。在图1d-1f中，示出了具体实施方式的方法，其中，移除全部硼掺杂源6以获得均匀的和同质性硼掺杂区域8。在图2a-2d中，示出了另一种具体实施方式的方法，其中，部分移除硼掺杂源6，例如，以形成选择性发射器8。
如图1d(以及图2a)所述，本发明的方法还包括从基板1全部地或选择性地移除(c)硼掺杂源6。在图1d所示的具体实施方式中，所述移除(c)包括将硼掺杂源6全部地从基板1移除。因此，第一(此处为硼掺杂)表面2完全地暴露出来而没有被硼掺杂源6覆盖。在图2a所示的具体实施方式中，移除步骤(c)包括将硼掺杂源6选择性地移除以获得选择性的硼掺杂源6。所述选择性的硼掺杂源6可以被设想为图案化或栅格状结构，例如在第一表面2上的大致平行的“指状”栅格。
实际上，当移除硼掺杂源6后，部分残留物可能留在区域8上。当掺杂源为BSG、B2O3或硼的旋转涂布时，所述掺杂源的大部分可以在室温下通过湿式化学处理轻易地移除。所述残留物，通常是几纳米的硼硅化物(BxSi,x＝1～6)则难以移除。它也被称为“富硼层(boron-richlayer)”，或BRL。在其它情况下，可以用更强的蚀刻剂(在大多数情况下要加热蚀刻溶液)以全部地移除BRL。在这种情况下，然后，区域8的一些表面部分也会与BRL一起被蚀刻，这种蚀刻深度没有区域8的蚀刻深度深。实际上，它介于接近0nm和区域8深度的一半之间。在上述两种情况下，退火(e)后的最终硼波峰浓度可以被调整为最高5E19/cm3。BRL中的硼也可以被拉出来而进入未掺杂的硅氧化物膜中。
在一种具体实施方式中，所述移除(c)包括蚀刻硼掺杂源6，以全部地或选择性地移除硼掺杂源6。在另一种具体实施方式中，所述移除(c)还可以包括移除基板1的第一表面2的小块表面区域。这可以使基板1的第一表面2附近的区域8的掺杂曲线进一步成形。
总之，在获得同质性硼掺杂区域的情况下，所述移除(c)包括全部地移除(c)硼掺杂源6。在获得选择性硼掺杂区域(发射器)的情况下，所述移除(c)包括选择性地移除(c)硼掺杂源6以获得硼掺杂源6的栅格结构。
如图1e和图2b所示，本发明具体实施方式的方法还包括在第一表面2上沉积(d)为未掺杂的硅氧化物10。在图1e的具体实施方式中，当硼掺杂源6被全部地移除时，未掺杂的硅氧化物10完全邻接并覆盖第一表面2。在图2b的具体实施方式中，未掺杂的硅氧化物10邻接并覆盖选择性硼掺杂源6以及栅格(如平行“指状物”6)之间的第一表面2。因此，在第一表面2上沉积(d)未掺杂的硅氧化物10是指在第一表面2以及(如果存在的话)选择性硼掺杂源6上沉积未掺杂的硅氧化物10。
在一种具体实施方式中，所述沉积(d)包括未掺杂的硅氧化物的化学气相沉积。在另一种具体实施方式中，所述沉积(d)包括烘烤未掺杂的硅氧化物的液体涂层，并且通常地所述液体包括硅醇(silanol，SiH3OH)。在所有的具体实施方式中，使用的术语“硅氧化物(膜)”被理解为包括化学式SiO2、SiOx(1<x≤2)或SiOx:H(1<x≤2)的沉积。需要注意的是，CVD硅氧化物和旋涂(spun-on)硅氧化物通常并非是化学计量的。
如图1f和图2c所示，本发明具体实施方式的方法还包括将基板1退火(e)以降低第一表面2内硼掺杂区域8的波峰浓度。在本发明具体实施方式的退火步骤(e)中，未掺杂的硅氧化物10作为硼吸收者将硼从硼掺杂区域8中拉出，从而降低硼掺杂区域8中的硼波峰浓度。
在图1f所示的具体实施方式中，未掺杂的硅氧化物10具体表现为在退火(e)期间从硼掺杂区域8中同质性地吸收、拉出或萃取出硼的层10，从而得到具有较低波峰浓度的同质性硼掺杂区域8(与图1e相比，由较小尺寸的区域8所表示)。在一种具体的实施方式中，所述同质性硼掺杂区域8具有低于5E+19/cm3或甚至低于3E+19/cm3的波峰浓度。所述发射器(8)的片电阻至少为30ohm/sq，其可以使得在之后的处理中良好地结合至太阳能电池的实际(金属)电极上。
在图2c的具体实施方式中，对选择性硼掺杂源6实施退火(e)。在该具体实施方式中，未掺杂的硅氧化物10具体表现为同时从硼掺杂发射器8和硼掺杂源中吸收、拉出或萃取出硼的层10。在发射器8的该具体实施方式中，这会导致直接在仍存在的硼掺杂源6下产生低掺杂区域8a和高掺杂区域8b。
低掺杂区域8a是指在太阳能电池实际使用时被照明的区域，即在基板1的表面接触点(如电极)之间的区域。另一方面，高掺杂区域8b则是指表面接触点将被应用的表面2的区域，因此需要尽可能低的接触阻力。
在一种具体实施方式中，选择性低硼掺杂区域8a具有低于5E19/cm3或甚至低于3E19/cm3的波峰浓度，且其中低掺杂区域8a的片电阻介于30与200ohm/sq之间。高掺杂区域8b的不透明点的硼波峰浓度仍然相对偏高(大约为1E20/cm3，因为退火(e)仅进一步退火选择性硼掺杂源6)，也就是说，因为硅氧化物在退火步骤(e)中被选择性硼掺杂源6阻碍，所以未掺杂的硅氧化物10不能从高掺杂区域8b中吸收硼。
在优选的具体实施方式中，退火(e)包括将基板1加热至温度至少为900℃，如940℃。例如，退火在介于900-1150℃之间的温度范围内进行，如介于940-1100℃之间。
如图1g与图2d所述，本发明的退火(e)还可以包括使磷扩散进入基板1的第二表面4，从而得到作为背面电场(BSF)的磷掺杂层12。
根据本发明一种具体实施方式，在充分高温下的退火(e)可以为一步法(aonestepprocess)，其中同时或相继地(即在退火(e)期间的不同温度范围下)在第一表面2上完成硼吸收并在第二表面4上完成磷扩散。当未掺杂的硅氧化物层10作为硼吸收者以及磷扩散的障碍，以防止磷扩散进入同质性或选择性的硼掺杂区域8时，该一步法可以得以进行。
在一种具体实施方式中，磷掺杂层12具有高于1E20/cm3的表面浓度。在另一种具体实施方式中，使磷扩散进入第二表面4的步骤包括POCl3程序。在一种特定的具体实施方式中，特定处理步骤还可用来移除在退火(e)期间可能形成的薄氧化物。
以目前公开的详细方法步骤(a)至(e)而言，本发明的方法可以因此被总结为在硅基板1中提供硼掺杂区域8的方法，包括以下步骤：
a)在基板1的第一表面2上沉积硼掺杂源6；
b)将所述基板1退火，使硼从所述硼掺杂源6扩散进入所述第一表面2，
从而得到硼掺杂区域8；
c)全部地或选择性地移除所述硼掺杂源6；
d)在所述第一表面2上沉积未掺杂的硅氧化物10，以吸收硼；
e)将所述基板1退火，以通过所述未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降
低硼掺杂区域8内硼波峰浓度。
退火步骤(e)还可以包括使磷扩散进入基板1的第二表面4，以得到磷掺杂层12，其中硼吸收与磷扩散可以在单一程序步骤中同时或相继发生。也就是说，使用硅氧化物作为扩散障碍可以使退火步骤(e)与磷扩散合并，以获得背面电场(BSF)。在一种具体实施方式中，沉积(a)与退火(b)可合并于单一程序步骤中，即只需要在一个加工室中进行一次装载/卸载程序。
应当注意的是，退火(b)通常可得到同质性硼掺杂区域8。然后移除(c)提供是否通过全部地移除硼掺杂源6以保留同质性硼掺杂区域8，或者通过选择性地(部分地)移除硼掺杂源6来获得如栅格状结构以获得选择性硼掺杂发射器的选择。
因此，本发明提供了一种提供硼掺杂发射器8的有效方法。根据移除步骤(c)，发射器8包括具有普遍同质性硼浓度的连续硼掺杂层，即同质性硼掺杂发射器，或者可提供有较高和较低硼浓度的平稳散置区域8a、8b的连续硼掺杂层，亦即选择性硼掺杂发射器8。
本发明具体实施方式也可用于其它类型的太阳能电池，如交叉背面接触的太阳能电池。在这种交叉背面接触的太阳能电池中，硼掺杂发射器8位于基板1的背面上，以如条状方式与磷掺杂层12交替配置。本发明具体实施方式的方法也可以用于，在未掺杂的硅氧化物10仅配置到硼掺杂发射器8的区域后(d)，在交叉背面接触的太阳能电池的邻接区域中以单一退火步骤(e)完成硼萃取和磷扩散。
此处理步骤顺序也以图示方式呈现于图4a-4h中。在这种情况下，基板1的第一面2是太阳能电池的背面，而基板1的第二面4则是太阳能电池的辐射接收的前面。
直到硼扩散，其处理类似于图1a-c所述。在交叉背面接触的太阳能电池的情况下，类似地，如图4a所示，硼源6在特定部分被移除。一般而言，为了容纳插入的磷掺杂层12，剩余硼(条状物)6之间的距离比图2a的具体实施方式更大。
如图4b所示，硅氧化物10沉积在第一表面上，并被选择性地移除。在硅氧化物10被移除的地方进行蚀刻，以在硼掺杂区域8、硅氧化物层10与硼源6的叠层之间(见图4c)获得更深的凹沟20。在该步骤中，硅氧化物10可作为常用来蚀刻硅的碱性溶液(如NaOH或KOH)的蚀刻障碍。
随后，将基板1退火，直接在硼源6下形成选择性的硼掺杂层(低掺杂区域8a和高掺杂区域8b，如图4d所示。
另外，在相同的加工室中，进行图4e所示的步骤，如磷扩散，使得基板1除了覆盖硅氧化物10的区域以外的所有面皆是磷掺杂层12。
如图4f所示，然后移除未掺杂的硅氧化物10和硼源6。如图4g所示，为了进一步完成交叉背面接触的太阳能电池，例如：使用热硅氧化物沉积、CVDSiN沉积或Al2O3原子层沉积，将钝化膜21配置于基板1上(如全面性地)。最后，如图4h所示，如使用金属沉积/印刷以及通过退火进行烧制以实施硼掺杂区域的金属接触点22与磷掺杂区域的金属接触点23，使得金属穿透钝化层21分别到达发射器8与磷掺杂区域12。
通过一种实验设置中，已验证太阳能电池的选择性硼掺杂发射器的形成。在实施例中，应用BBr3程序以在基板1的表面2上提供硼掺杂源6(a)。
在第一个实施例中，硼掺杂发射器8形成后(b)，移除硼掺杂源6(c)。然后使用等离子体强化化学气相沉积(PECVD)施加硅氧化物层(d)，并且将所得基板2在940℃的N2环境中退火60分钟(e)。
在第二个实施例中，没有移除硼掺杂源6，而是类似地进行其它步骤(代表在实际应用中未移除硼掺杂层的表面部分。
最后，第三个，对比例设置为不形成硅氧化物层，但仍在940℃的N2环境中退火60分钟。
所得到的掺杂曲线如图3所示，其中垂直轴是掺杂浓度，而水平轴是进入基板1表面2的深度(单位是μm)。第一个实施例的掺杂曲线是底部曲线(小段虚线)，第二个实施例的掺杂曲线是顶部曲线(实线)，而第三个实施例的掺杂曲线是两者之间的曲线(大段虚线)。
波峰浓度从第二个实施例表面附近的1E+20/cm3下降至第一个实施例的约3E+19/cm3。如掺杂曲线所示(大段虚线)，在没有未掺杂的硅氧化物下，波峰浓度的减少量较少。当保持第二个实施例的波峰浓度时，估计第一个实施例的波峰浓度仍能通过调整沉积与退火而更进一步降低。
根据本发明的另一种具体实施方式，本发明的方法还包括提供完整太阳能电池的处理步骤。这包括在基板上提供传导接触点，例如上述图4g与4h已呈现并描述的关于交叉背面接触的太阳能电池的具体实施方式。
然后该方法还包括对基板进一步处理，一般是通过移除硅氧化物10(至少在传导(如金属)电极在基板上形成的区域中)，钝化第一表面与第二表面2、4，并提供传导电极22、23。在如图2d与图4e所示的具体实施方式的情况下，移除硅氧化物膜10也包含移除掺杂源6。
传导电极22、23与基板1的实际接触，可以通过两种方式完成：
首先，在第一与/或第二表面上提供传导电极22、23(如使用印刷技术，应用时对准区域8的高硼掺杂区域)，并通过对基板退火进行烧制，使印刷接触点穿透钝化膜21而到达区域8。
或者，将钝化膜从将安置传导电极22、23的区域上移除(如图2d情况下的区域8b)，并且将传导电极22、23施用于钝化膜21的部分移除处。
本发明也可以具体表现为一种太阳能电池，该太阳能电池包括根据上面描述的具体实施方式中的任意一项的方法获得的硼掺杂区域8。这可见于硼掺杂发射器所获得的掺杂曲线(见图3及其描述)，特别是使用现有技术的方法无法取得的低掺杂水平。此外，当选择性发射器存在时，掺杂曲线的特定组合是太阳能电池的使用准备就绪的可见特征。在另一种具体实施方式中，太阳能电池还包括在第一表面2上的Ag-Al合金制成的接触点。在另一种供选择的具体实施方式中，太阳能电池包括在第一表面2上的Al制成的晶种接触点。这些类型的接触点与发射器8的高局部硼掺杂水平良好配合。
具有硼发射器8与磷BSF12的n-基板太阳能电池1的常规制造流程包括制造流程：
(i)前面上的硼扩散与硼源移除，
(ii)前面上的未掺杂的硅氧化物膜作为扩散障碍，以及
(iii)背面上的磷扩散。
本发明的新颖观点之一是在(iii)之前进行退火步骤(e)，其可在一个加工室中连续完成。本发明并没有在常规制造程序中增加步骤数量，而只加入两个额外程序：(A)在(i)移除选择性硼源以及(B)在(iii)之前以高于磷扩散的温度进行退火。
本发明具体实施方式的新技术体现在金属接触点形成处的扩散障碍下维持硼扩散源。硼表面浓度维持偏高，以使接触阻力偏低。
本发明的具体实施方式已经在上面进行了描述，并参照了许多附图所展示和描述的示例性具体实施方式。对一些部分或元素的改变和选择性实施是可行的，并且都包括在所附的权利要求书所限定的保护范围内。

Claims (16)

1.在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，该方法包括：
(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；
(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；
(c)从第一表面(2)的至少部分移除硼掺杂源(6)；
(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；
(e)将基板(1)退火，以通过所述未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火(e)包括使磷扩散进入基板(1)的第二表面(4)，以得到磷掺杂层(12)，其中硼吸收与磷扩散在相同处理步骤中发生。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使磷扩散包括POCl3程序。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，磷掺杂层(12)具有高于1E+20/cm3的表面浓度。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的方法，其中，该方法还包括：
移除硅氧化物(10)；
钝化第一表面与第二表面(2、4)；
提供传导电极(22、23)。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其中，所述沉积(a)包括通过BBr3或BCl3程序以形成硼硅酸盐玻璃。
7.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其中，所述沉积(a)包括硼硅酸盐玻璃、或固态硼、或无定型硼、或B2O3，或它们的混合物的化学气相沉积。
8.根据权利要求1-5中任意一项所述的方法，其中，所述沉积(a)包括硼的旋转涂布。
9.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述移除(c)包括蚀刻所述硼掺杂源。
10.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述沉积(d)包括未掺杂的硅氧化物的化学气相沉积。
11.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述硼掺杂发射器(8、8a)的波峰浓度低于5E+19/cm3，且其中所述硼掺杂发射器(8、8a)具有大于30ohm/sq的片电阻。
12.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述退火(b)包括将所述基板加热至温度至少为850℃。
13.根据前述权利要求中任意一项所述的方法，其中，所述退火(e)包括将所述基板加热至温度至少为900℃。
14.一种太阳能电池，其包括通过如前述权利要求中任意一项所述的方法获得的硼掺杂区域。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其中，包括在所述第一表面上的Ag-Al合金制成的接触点。
16.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，包括在所述第一表面上的Al制成的晶种接触点。
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