CN110168742A - 用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的方法 - Google Patents

Abstract

一种用于从具有前侧(4)、后侧(6)和边缘(8)的衬底(2)制造光伏电池的方法。在前侧(4)的至少一部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(4a)。施加具有由多晶硅层覆盖的薄氧化层的堆栈(10)，其中，堆栈(10)施加至衬底(2)的后侧(6)和前侧(4)，并且也可施加在边缘(8)上。然后，去除前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈(10)。

Description

用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的方法

技术领域

本发明涉及制造太阳能电池的方法，具体地，涉及具有背侧多晶硅钝化接触的太阳能电池。

背景技术

美国专利公开US-B-7,633,006公开了一种制造光伏电池的方法，在这种方法中，使用常压化学气相沉积(atmospheric pressure chemical vapour deposition，APCVD)在硅衬底的后侧上的隧道氧化层的顶部上沉积各种层。隧道氧化层沉积在衬底的两侧上(例如，使用臭氧氧化工艺)，并在后续工艺步骤中去除前侧隧道氧化层。各种层包括位于隧道氧化层的顶部上的多晶硅层，接着是p型掺杂剂的层和无掺杂的氧化硅的层。当诸如在制造后侧接触太阳能电池时仅将这些层施加至衬底的一侧时，这种APCVD沉积是有利的。

发明内容

本发明旨在提供用于制造包括背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的改进方法。该方法允许有效地使用用于在各种处理步骤期间保护太阳能电池的侧部的制造步骤。

根据本发明，提供了用于从具有前侧、后侧和边缘(即，前侧与后侧之间的圆周侧)的衬底制造光伏电池的方法。该方法包括在前侧的至少一部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(即，电子接触结构或空穴接触结构)，以及施加具有被多晶硅层覆盖的薄氧化层的堆栈。例如使用非单侧过程将堆栈施加至衬底的后侧和前侧，并且因此也可能施加在边缘上。在后侧处，堆栈可形成第二类型的背侧钝化接触结构(电子/空穴)。然后，该方法还包括去除(例如，蚀刻)前侧上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈。应注意，本文中使用的术语“多晶硅”包括非晶硅或多晶硅。

通过将薄氧化层和多晶硅层施加至衬底的后侧、边缘以及前侧，获得了简化的制造工艺，其中，所施加的堆栈充当后续处理步骤(具体地，扩散步骤)的有效屏障。提供本发明的堆栈允许便利的“所有侧”制造工艺，在这种工艺中可容易地去除衬底的前侧上的堆栈的不需要的部分。应注意，例如碳的其它元素可混合至多晶硅中。氧化层可以是氧化硅层。例如氮的其它元素可混合至氧化层中。

该方法的另一有益效果在于，从衬底的前侧去除堆栈允许提供良好的边缘绝缘，这又反过来使在操作时通过光伏电池的反向电流最小化。

附图说明

下面将参照附图对本发明进行更详细的讨论，在附图中，

图1A至图1F描绘了根据本发明实施方式的用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的连续工艺步骤的示意图；

图2A至图2E描绘了根据本发明另一实施方式的用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的连续工艺步骤的示意图；以及

图3A至图3E描绘了根据本发明又一实施方式的用于制造具有背侧多晶硅钝化接触的光伏电池的连续工艺步骤的示意图。

具体实施方式

当通过单侧处理步骤从衬底制造太阳能电池时，制造过程必须确保其它侧对单侧处理步骤的暴露最小化。鉴于此，需要一种制造太阳能电池的方法，该方法减少单侧处理步骤的数量并由此降低太阳能电池的制造复杂性和相关成本。

本发明的方法通过提供这样的制造太阳能电池的方法来满足上述需要：允许进行便利的“所有侧”处理步骤，由此使衬底的所有侧都经历相同的处理。

位于隧道氧化层的顶部上的掺杂多晶硅层在硅晶片上形成钝化接触(passivating contact)，也称为钝化的接触(passivated contact)或载流子选择性接触。如本领域中已知的，与晶体硅太阳能电池的接触必须提取一种类型的载流子(电子或空穴)，并且至少在一定程度上防止另一种类型的载流子进入接触件或者在接触区域中复合(这种预防意味着存在一定程度的钝化)。这在某种程度上意味着与太阳能电池的所有接触有利地都是钝化接触或是载流子选择性接触。防止其它类型的载流子进入接触件并在接触区域中复合的接触质量通常由该接触贡献的复合电流的前因子J_o,c来表示。晶片的高度掺杂表面区域是为太阳能电池产生具有一定程度的载流子选择性和钝化的接触的一种方式，其中，晶片的高度掺杂表面区域例如可通过扩散或植入并退火而产生，并且该高度掺杂表面区域上设置有金属接触件。这是在目前的太阳能电池工业制造中产生与晶体硅太阳能电池的接触的主要方式。这种接触的典型J_o,c处于数百fA/cm²至数千fA/cm²的范围内。可通过在晶体硅晶片上设置位于隧道氧化层的顶部上的高度掺杂多晶硅层(隧道氧化层位于晶片与掺杂多晶硅之间)而获得更佳的J_o,c(通常处于1fA/cm²与数十fA/cm²之间)。可在多晶硅上设置金属接触件，同时保持这样低的J_o,c。在下面的描述中，使用术语“钝化接触”以及“载流子选择性接触”，两者都描述用于为晶体硅太阳能电池产生接触的这种和其它变化。

图1A至图1F各自示出了根据本发明的方法的实施方式的连续步骤。在图1A中所示的实施方式步骤中，提供了衬底或晶片2，例如，硅衬底/硅晶片，衬底或晶片2具有前侧4、后侧6和边缘8。在实施方式中，边缘8可看作(半正方形)衬底2的圆周边缘，即边缘8是衬底2的、连接前侧4和后侧6的表面部分。

如图1A中所示，衬底2可以是适于生产太阳能电池的衬底或晶片2(例如，具有纹理化的前侧或者具有纹理化的前侧和后侧)。在一个实施方式中，在如下面参照图1C描述的那样施加堆栈10之前，将第一类型的载流子选择性接触结构4a作为第一极性扩散层4a设置在前侧4的至少一部分上，例如，设置在前侧4和后侧6二者上。也可如图1A中所示，第一极性扩散层4a设置在衬底/晶片2的所有侧上(或者设置到衬底/晶片2的所有侧中)，即设置在后侧6、边缘8和前侧4上(应注意，扩散层4a将位于后侧6、边缘8和前侧4的表面层部分内)，从而允许对衬底2进行所有侧处理。载流子选择性接触结构4a也可由以下形成或包括以下：植入层、植入和退火层、BSG的沉积或薄氧化物/掺杂多晶硅堆栈，以及本领域已知的其它载流子选择性接触层，例如金属氧化物或者金属氧化物/氧化物堆栈。

在示例性实施方式中，第一极性扩散层4a可以是p+扩散层。可设想p+扩散层4a如图1a所示在衬底2的前侧4上提供p+型前接触层。可通过所有侧处理步骤来施加p+扩散，并且因此p+扩散层4a将如所描绘的那样包围衬底2的未扩散体。在实施方式中，第一极性扩散层4a可通过沉积硼硅酸盐玻璃(BSG)然后进行退火步骤而获得。例如，在表面掺杂剂浓度高于约1E19cm^-3的情况下，层4a的薄层电阻可处于约50欧姆/平方与约500欧姆/平方之间，例如，约为100欧姆/平方。例如，层4a的厚度可处于约50nm与约5μm之间，例如，约为1μm。

如所提及的，本发明的方法实施方式允许在施加薄氧化层和多晶硅层的堆栈10之前，将第一极性扩散层4a设置到衬底2。在实施方式中，可在所有侧处理步骤中完成对这样的第一极性扩散层4a的设置，使得第一极性扩散层4a设置在后侧6、边缘8以及前侧4上。在第一扩散层4a用作前接触层的情况下，例如，提供使用单侧蚀刻步骤去除衬底2的后侧6和边缘8上的第一极性扩散层4a的实施方式。该步骤的结果清楚地示出在图1B中，在该图1B中，仅前侧4包括第一极性扩散层4a。应注意，该蚀刻步骤在施加堆栈10(再次参见下面参照图1C的描述)之前执行。

在有利的实施方式中，使用单侧蚀刻步骤进一步从衬底2的前侧4的边沿表面部分5去除第一极性扩散层4a。边沿表面部分5可看作前侧4的圆周边缘。也将前侧4的边沿表面部分5(例如，具有至多2mm的(周向)宽度)去除的主要原因是提供相对于掺杂层12的改进的边缘绝缘，其中，掺杂层12稍后在制造过程中提供(参见下面对图1C的描述)。该方法实施方式步骤也示出在图1B中，并且也在将堆栈10施加至衬底2之前执行。

边沿表面部分5还可使用钝化涂层(例如，氧化硅/氮化硅堆栈或氧化铝/氮化硅堆栈)进行钝化。

根据本发明，如图1C中所示，制造太阳能电池的方法包括在衬底2的所有侧上施加或沉积由多晶硅层覆盖的薄氧化层的堆栈10的步骤。即，将堆栈10沉积在衬底2的后侧6、边缘8以及前侧4上。在实施方式中，薄氧化物是提供优异的钝化性能的薄氧化硅层。在另一实施方式中，薄氧化层具有处于0.5nm与3nm之间的厚度。堆栈10还可包括在后续处理期间结晶成多晶硅的非晶硅。例如，多晶硅的厚度可处于约5nm与约500nm之间，例如为约100nm。

通过以上方法步骤，提供“所有侧”处理步骤，由此使衬底2的所有侧都历经相同的处理。这样的所有侧处理步骤可在例如用于衬底2的单个处理室中执行，从而由于不需要掩模设备或者不需要使用用于衬底2的屏障(barrier)而使得制造复杂性降低。

一旦薄氧化层和多晶硅层的堆栈10沉积在衬底2的所有侧4、6、8上，根据该实施方式的方法还包括随后通过扩散在衬底2的后侧6、(圆周)边缘8和前侧4上设置掺杂层12的步骤。掺杂层12可由堆栈10的掺杂多晶硅层部分形成。代替随后对堆栈10的多晶硅层部分进行掺杂，也可在整个堆栈10的沉积期间对多晶硅层进行原位掺杂。代替通过扩散或原位掺杂进行掺杂，也可使用诸如植入的其它掺杂方法(在植入的情况下，出于成本效益的原因，仅植入堆栈10的背侧部分)。

在实施方式中，掺杂层12可以是p+型或n+型掺杂层12。例如，在实施方式中，可通过硼扩散来设置p+掺杂层12。在另一实施方式中，可通过磷扩散(例如，使用POCl3)来设置n+掺杂层12。在有利实施方式中，掺杂多晶硅层的有源掺杂剂浓度高于1E19cm^-3，更优选地，约为1E20cm^-3或更高，以获得合适的载流子选择性特性。

然后，该方法(例如，通过蚀刻步骤)进行去除前侧4上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈10的步骤。该步骤允许衬底2的前侧再次暴露并准备好进行进一步的处理，例如，形成前接触。

根据本发明，薄氧化层和多晶硅层的堆栈10提供了优异的屏障，使得衬底2的一侧或多侧4、6、8可经受诸如所有侧扩散步骤的一个或多个所有侧处理步骤，在此步骤之后可根据意愿去除所得到的堆栈10的不需要的部分。

如图1C中所示，当堆栈10沉积在衬底2的后侧6、边缘8和/或前侧4上时，所施加的堆栈10(至少部分地)覆盖第一极性扩散层4a，并且在随后应用的扩散步骤中防止第一极性扩散层4a劣化。例如，如图1a和图1b中所示，在p+扩散层4a存在于衬底2的前侧4上的情况下，所施加的堆栈10覆盖该p+扩散层4a，使得当通过所有侧处理步骤获得位于前侧4(和后侧6以及边缘8)上的掺杂层12时，保存p+扩散层并防止p+扩散层进一步扩散。具体地，前侧4可包括由堆栈10覆盖的p+扩散层4a，其中，n+扩散层(n+掺杂层12)可在不影响p+扩散层4a的同时设置在后侧6、边缘8和前侧4上的堆栈10中。

图1D描绘了本发明方法的该示例性实施方式中的另一步骤，其中，去除前侧4上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈10包括选择性蚀刻步骤，该选择性蚀刻步骤在例如使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)步骤将蚀刻屏障14施加至衬底2的后侧6之后进行。术语“选择性蚀刻步骤”应理解成蚀刻步骤根据待蚀刻的材料而具有不同的工艺参数，诸如具有不同的蚀刻速度或材料蚀刻能力。该实施方式为后侧6处的掺杂层12的进一步处理步骤提供选择性保护，使得后侧6处的掺杂层12的掺杂和钝化质量在进一步处理期间得以保持。例如，在通过PECVD进行沉积的情况下，蚀刻屏障14的厚度可处于约5nm与约500nm之间，例如为约100nm。当通过其它方式(例如，对屏障浆料进行丝网印刷)来沉积蚀刻屏障时，蚀刻屏障的厚度可能高得多，例如为数微米。

作为另一实施方式(如图1D中所示)，该方法还可包括将蚀刻屏障14施加至后侧6，然后从前侧4去除寄生蚀刻屏障材料。在此，施加至后侧6的蚀刻屏障14可在前侧4上留下寄生痕迹(表示为蚀刻屏障14的屏障部分14a)，在该实施方式中可使用例如(短)HF浸泡步骤来去除该寄生痕迹。

参照图1E，在该图中示出了将堆栈10从衬底2的前侧4去除的示例性实施方式。在图1E中清楚地示出了在前期将前侧4的边沿表面部分5去除(参见图1B的步骤)，此时防止前侧4上的第一极性扩散层4a与堆栈10的其余部分(具体地，施加至堆栈10的掺杂层12)之间进行直接电连接。由于第一极性扩散层4a与堆栈10之间没有电连接，因此能够获得良好的边缘绝缘，并且由此在太阳能电池中获得最小化的反向电流(改善了其性能)。

在有利实施方式中，去除前侧4上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈10的方法步骤还可包括一个或多个选择性蚀刻步骤。选择性蚀刻步骤将以与正被蚀刻的材料匹配的合适的蚀刻速率首先蚀刻掺杂层12，再蚀刻堆栈10的多晶硅部分，最后蚀刻堆栈10的薄氧化层。该方法步骤允许在保持第一极性扩散层4a的质量的同时有效且完全地去除前侧4上的堆栈10。例如，n型掺杂层12的选择性蚀刻可通过包括稀释的TMAH(四甲基氢氧化铵)的蚀刻剂来执行，该蚀刻剂更缓慢地蚀刻p型掺杂层4a，并且也更缓慢地蚀刻堆栈10的薄氧化物。

在通过扩散将掺杂层12设置到后侧6、边缘8和前侧4上的堆栈10的步骤期间，可能会发生这种情况：一些扩散穿过堆栈10进入第一极性扩散层4a中。例如，如果衬底2设置有p+扩散层4a，则当将n+掺杂层12施加至堆栈10时，一些n+扩散或泄露可能进入p+扩散层4a中。在第一极性扩散层4a出现一些污染的情况下，提供这样的实施方式：在去除前侧4上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈10之后，使保留在前侧4上的第一极性扩散层4a经受如图1F中所示的进一步蚀刻步骤。因此，该方法步骤允许一旦去除堆栈10便对第一极性扩散层4a进行进一步蚀刻。这种进一步蚀刻步骤去除了可能在将掺杂层12施加至堆栈10时进入第一极性扩散层4a中的任何泄漏掺杂。例如，可通过利用包括硝酸和氢氟酸的蚀刻溶液的酸蚀刻步骤来执行这种进一步的蚀刻步骤。在该进一步蚀刻步骤中，蚀刻深度例如处于5nm与200nm之间。

图2A至图2E描绘了另一方法实施方式的连续步骤的示意图。图2A至图2C及相关的方法步骤与如在以上参照图1A至图1C描述的实施方式中示出的那样执行的方法步骤类似。图2A示出了衬底2可以是纹理化衬底或纹理化晶片2的实施方式。衬底2可在衬底2的前侧4上设置有第一极性扩散层4a。在实施方式中，第一极性扩散层4a可以是p+型扩散层或n+型扩散层。如所描绘的那样，第一极性扩散层4a可设置到衬底2的所有侧(即，后侧6、边缘8和前侧4)上，以允许对衬底2进行所有侧处理，从而降低制造复杂性。

与图2A和图2B相关的在将堆栈10施加至衬底2的后侧6、边缘8和前侧4之前的所有方法步骤与如图1A和图1B公开的方法步骤类似。例如，在图2B中示出了与图1B类似的实施方式步骤，其中，也将第一极性扩散层4a从衬底6的前侧4的边沿表面部分5(同样地，例如，具有至多2mm的宽度)去除。

在如图2D中所示的另一实施方式步骤中，该方法可包括从衬底的边缘8进一步去除薄氧化层和多晶硅层的堆栈10的步骤。该实施方式还在第一极性扩散层4a与堆栈10之间提供电绝缘或分离，具体地，在第一极性扩散层4a与衬底2的后侧6上的堆栈10之间提供电绝缘或分离。

图2E也示出了在该方法的该实施方式中，执行从衬底2的后侧6的边沿表面部分7进一步去除薄氧化层和多晶硅层的堆栈10的附加步骤。可例如通过调整单个蚀刻工具中的衬底2的移动速度，通过调整单侧蚀刻工具中的液位，和/或通过调整蚀刻剂的粘度和表面张力来控制单侧蚀刻剂蔓延至衬底2的后侧6上，由此而完成从后侧6的边沿表面部分7进行的这种去除。该步骤也可通过例如施加蚀刻屏障14(参见图1D的类似步骤)之后的选择性蚀刻过程来执行，并产生第一极性扩散层4a与堆栈10相对于后侧6的更进一步的电绝缘。

此外，衬底2的后侧6处的边沿表面部分7可使用钝化涂层(诸如，氧化硅/氮化硅堆栈或氧化铝/氮化硅堆栈)进行钝化。

对于如例如图1D至图1F中所示的实施方式，利用后侧6的边沿表面部分7(其宽度至多2mm就足够)进行电绝缘也是可能的。例如，提供了将蚀刻屏障14施加至衬底2的后侧6的一部分的实施方式。在该实施方式中，后侧6的边沿表面部分7可从用于蚀刻的蚀刻屏障14保持敞开，使得可在屏蔽施加至后侧6的一部分的堆栈10的同时，通过蚀刻过程选择性地去除边沿表面部分7。

图3A至图3E描绘了根据本发明的方法的又一实施方式的连续步骤的示意图。图3A与类似于用于图1A和图2A的方法步骤的方法步骤相关。即，图3A示出了衬底2可以是纹理化衬底或纹理化晶片2的实施方式。衬底2可在衬底2的前侧4上设置有第一极性扩散层4a。此外，第一极性扩散层4a可设置到衬底2的所有侧(即，后侧6、边缘8和前侧4)上，以允许对衬底2进行所有侧处理，从而降低制造复杂性。在实施方式中，第一极性扩散层4a可以是p+扩散层或n+扩散层。

图3B示出了用于本发明方法的替代性实施方式的另一可能的处理步骤，在该替代性实施方式中，在施加薄氧化层和多晶硅层的堆栈10之前，在前侧4的第一极性扩散层4a上设置阻挡层9。在随后的制造期间，所沉积的阻挡层9保护第一极性扩散层4a免于去除步骤(例如，蚀刻步骤)。应注意，在图3B中示出了与图1B和图2B类似的实施方式，在该实施方式中，也可从前侧4的边沿表面部分5去除第一极性扩散层4a(并且然后也如所示出的那样去除阻挡层9的相应部分)。

阻挡层9可以以各种方式获得。例如，在将p+型扩散层4a设置到衬底2(参见图3A)的情况下，之后可结合退火步骤使用BSG掺杂层来获得p+扩散层4a。然而，当例如使用单侧蚀刻步骤去除衬底2的后侧6和边缘8上的第一极性扩散层4a时，不需要去除BSG掺杂层。然后，如图3B中所示，获得具有被阻挡层9覆盖的第一极性扩散层4a(即，p+扩散层)的衬底2，其中，阻挡层9包括BSG掺杂层的剩余部分。可替代地，阻挡层9当然可在施加堆栈10之前单独沉积。阻挡层9增强了对第一极性扩散层4a的保护，防止掺杂剂从堆栈10的掺杂过程中扩散。此外，阻挡层9允许用于从前侧4去除堆栈10的蚀刻化学物的选择性减少。在另一实施方式中，阻挡层9包括掺杂剂硅酸盐玻璃。在替代性实施方式中，阻挡层9包括用于第一类型的载流子选择性接触结构4a的表面钝化层，诸如，基于薄氧化硅、氧化铝或氮化硅的层或层堆栈。在另一有利的实施方式中，阻挡层9用作钝化层，并可用作太阳能电池的抗反射涂层的基础层。

类似于与图1D、图1E和图2D相关联的方法步骤，在图3D中示出了提供包括将前侧4上的薄氧化层和多晶硅层的堆栈10去除的方法步骤的实施方式步骤。该实施方式可使用单侧蚀刻过程(与图2D中的步骤类似)，或者可用于提供蚀刻屏障的选择性蚀刻步骤(与图1D和图1E中的步骤类似)。

在另一实施方式中，也可从衬底2的边缘8去除薄氧化层和多晶硅层的堆栈10。在替代性实施方式中，可将蚀刻屏障(未示出)设置到后侧6，并且可选地设置到边缘8，从而防止在例如蚀刻过程期间将堆栈10从后侧6和边缘8或者仅从后侧6去除。在从前侧4去除堆栈10之前，该实施方式中的蚀刻屏障类似地布置在后侧6和边缘8上，如图1D中所示。图3D示出了指示可在该蚀刻步骤中去除的堆栈10的部分10a的实施方式。此处应注意，堆栈10的部分10a位于边缘8上，并且位于后侧6的边沿表面7(参见图2E的实施方式)上。作为该实施方式中的最终处理步骤，可如图3E中所示地去除前侧上的阻挡层9(并且在该特定情况下，堆栈10留在边缘8上，仅设置边沿表面部分5以进行边缘绝缘)。

由于边沿表面部分5、边沿表面部分7可有利地提供很好的边缘绝缘，因而形成前侧4上的边沿表面部分5和/或后侧6上的边沿表面部分7的处理步骤可应用于用于处理衬底2(具体地，用于太阳能电池应用的衬底2)的其它实施方式中。为此，方法步骤可包括在前侧4(前侧4的至少一部分)和后侧6(后侧6的至少一部分)上设置薄介电材料层和多晶硅层(非晶硅或多晶硅)的堆栈10，随后从前侧去除多晶硅层(并且可选地包括从后侧6的边沿表面部分7去除多晶硅层，以增强最终装置结构中的绝缘)，并且随后在前侧4上形成选择性载流子接触。前侧4上的选择性载流子接触和后侧6上的多晶硅层可具有相反的极性。一个实施方式是通过植入掺杂剂而在前侧4上形成选择性载流子接触。另一实施方式是在背侧6上施加扩散屏障，可选地，包括在前侧4上的边沿表面部分5上施加扩散屏障，然后至少将掺杂剂扩散至前侧4的暴露部分中。又一实施方式包括在前侧4上沉积已知具有选择性载流子接触特性的材料，诸如氧化钛、氧化钼等。在又一实施方式中，可通过在后侧6以及前侧4的边沿表面部分5上施加掩盖或抑制前侧选择性载流子接触的沉积的材料(例如，通过施加甲硅烷基化表面来抑制ALD)来增强绝缘。

如本领域中已知的，在如本发明中所描述的处理步骤之后，太阳能电池可实现成具有钝化层和抗反射涂层以及金属化层和栅格。

上文已经参照如附图所示的许多示例性实施方式描述了本发明。对一些部分或元件的修改和替代性实施是可能的，并且包括在如所附权利要求限定的保护范围内。

Claims (16)

1.用于从衬底(2)制造光伏电池的方法，所述衬底(2)具有前侧(4)、后侧(6)和边缘(8)，所述方法包括：

在所述前侧(4)的至少部分上设置第一类型的载流子选择性接触结构(4a)；

施加堆栈(10)，所述堆栈(10)具有由多晶硅层覆盖的薄氧化层，其中，所述堆栈(10)施加至所述衬底(2)的所述后侧(6)和所述前侧(4)；

去除所述前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括例如通过扩散在所述衬底(2)的所述后侧(6)、所述边缘(8)和所述前侧(4)上设置掺杂层(12)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述衬底(2)的所述后侧(6)上设置掺杂层(12)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，去除所述前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)包括将蚀刻屏障(14)施加至所述衬底(2)的所述后侧(6)之后的选择性蚀刻步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述蚀刻屏障(14)施加至所述衬底(2)的所述后侧(6)的部分。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，将蚀刻屏障施加至所述后侧(6)之后，从所述前侧(4)去除寄生屏障材料。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，去除所述前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)包括单侧蚀刻步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，从所述衬底(2)的所述边缘(8)进一步去除薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，从所述衬底(2)的所述后侧(6)的边沿表面部分(7)进一步去除薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，所述薄氧化层是薄氧化硅层。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中，在施加所述堆栈(10)之前，所述第一类型的载流子选择性接触结构(4a)是位于所述前侧(4)的至少部分上的第一极性扩散层(4a)，例如，位于所有侧(4、6、8)上的第一极性扩散层(4a)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一极性扩散层(4a)是p+扩散层。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，使用单侧蚀刻步骤去除位于所述衬底(2)的所述后侧(6)和所述边缘(8)上的所述第一极性扩散层(4a)。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，还使用所述单侧蚀刻步骤，将所述第一极性扩散层(4a)从所述衬底(2)的所述前侧的边沿表面部分(5)去除。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的方法，其中，在施加所述堆栈(10)之前，在所述前侧(4)上的所述第一极性扩散层(4a)上设置阻挡层(9)。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的方法，其中，在去除所述前侧(4)上的薄氧化层和多晶硅层的所述堆栈(10)之后，使保留在所述前侧(4)上的所述第一极性扩散层(4a)经受进一步的蚀刻步骤。