TWI631691B - 半導體配置及其形成方法 - Google Patents
半導體配置及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI631691B TWI631691B TW103145704A TW103145704A TWI631691B TW I631691 B TWI631691 B TW I631691B TW 103145704 A TW103145704 A TW 103145704A TW 103145704 A TW103145704 A TW 103145704A TW I631691 B TWI631691 B TW I631691B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- layer
- linear
- insulating layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- -1 oxide Chemical compound 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N [Si].[C-]#[O+] Chemical compound [Si].[C-]#[O+] AUEPDNOBDJYBBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NCZAACDHEJVCBX-UHFFFAOYSA-N [Si]=O.[C] Chemical compound [Si]=O.[C] NCZAACDHEJVCBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound F[C]F LTVOKYUPTHZZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N anhydrous difluoromethane Natural products FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- GKKCIDNWFBPDBW-UHFFFAOYSA-M potassium cyanate Chemical compound [K]OC#N GKKCIDNWFBPDBW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/315—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor with the capacitor higher than a bit line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。半導體配置包括電容。電容包括第一電極於主動區上的至少一介電層上。第一電極圍繞電容中的開口空間。第一電極具有非線性的第一電極側壁。
Description
本發明係關於半導體配置，更特別關於其電容結構。
電容比其他物件更能儲存電荷於電路中。
本發明一實施例提供之半導體配置，包括：主動區，包括半導體裝置；以及電容，包括第一電極於主動區上的至少一介電層上，其中第一電極圍繞電容中的開口空間。
本發明一實施例提供之半導體配置，包括：主動區，包括半導體裝置；以及電容，包括第一電極位於主動區上的至少一介電層上，且第一電極具有非線性的第一電極側壁。
本發明一實施例提供之半導體配置的形成方法，包括：形成電容的第一電極於半導體配置之主動區上的至少一介電層上，因此第一電極具有非線性的第一電極側壁且圍繞電容中的開口空間；形成電容的絕緣層於第一電極上，因此絕緣層具有非線性的絕緣層側壁；以及形成電容的第二電極於絕緣層上，因此第二電極具有非線性的第二電極側壁，且電容具有非線性的電容側壁。
100、1300‧‧‧半導體配置
102‧‧‧基板
103‧‧‧主動區
110‧‧‧邏輯區
112‧‧‧邏輯接點
120‧‧‧記憶區
122‧‧‧半導體裝置
124‧‧‧閘極區
126‧‧‧源極/汲極區
128‧‧‧STI區
130、152‧‧‧接點
140、1110‧‧‧介電層
140a‧‧‧第一介電層
140b‧‧‧第二介電層
140c‧‧‧第三介電層
140d‧‧‧第四介電層
140e‧‧‧第五介電層
141‧‧‧低介電常數介電層
144、1100、1310‧‧‧蝕刻停止層
150‧‧‧位元線
160‧‧‧金屬結構
160a‧‧‧第一金屬結構
160b‧‧‧第二金屬結構
200‧‧‧第一遮罩層
300‧‧‧第二遮罩層
302‧‧‧第二遮罩開口
402‧‧‧第一遮罩開口
500、1200、1400‧‧‧第一開口
502、1202、1402‧‧‧第二開口
600‧‧‧第一電極
602‧‧‧表面部份
604‧‧‧第一電極側壁
700、1120、1370‧‧‧BARC層
900‧‧‧絕緣層
901‧‧‧絕緣表面部份
902‧‧‧絕緣層側壁
950‧‧‧第二電極
951‧‧‧電極表面部份
952‧‧‧第二電極側壁
975‧‧‧電容
975a‧‧‧第一電容
975b‧‧‧第二電容
980‧‧‧電容側壁
981a‧‧‧第一側壁部份
981b‧‧‧第二側壁部份
981c‧‧‧第三側壁部份
981d‧‧‧第四側壁部份
982‧‧‧開口空間
984‧‧‧高度
986‧‧‧寬度
990‧‧‧下表面
992‧‧‧上表面
1000‧‧‧第三遮罩層
1002‧‧‧第三遮罩開口
1220、1420‧‧‧拾取接點
1222、1422‧‧‧通孔接點
1350‧‧‧氧化物層
1500‧‧‧方法
1502、1504、1506‧‧‧步驟
第1圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第2圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第3圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第4圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第5圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第6圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第7圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第8圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第9a圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第9b圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第10圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第11圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之
剖視圖。
第12圖係一實施例中，部份半導體配置之剖視圖。
第13圖係一實施例中，部份半導體配置於製程中間階段之剖視圖。
第14圖係一實施例中，部份半導體配置之剖視圖。
第15圖係一實施例中，形成半導體配置的方法之流程圖。
下述內容將搭配圖式說明申請專利範圍的主體，其中相同單元通常以相同標號標示。在下述內容中，多種特定的完整實施例將用以說明發明主體，但發明主體不必然以這些特定的完整實施例實施。在其他例子中，將以方塊圖表示結構與裝置以利說明發明主體。
下述內容提供形成半導體配置的一或多個技術以及其形成之結構。
第1圖係某些實施例中，部份半導體配置100的剖視圖。在某些實施例中，半導體配置100係形成於基板102之中或之上，其中主動區103係形成於基板102中。在某些實施例中，基板102包含下列中至少一者：矽、多晶矽、或鍺。在某些實施例中，基板102包含下列中至少一者：磊晶層、絕緣層上矽(SOI)結構、晶圓、或由晶圓形成的晶粒。
在某些實施例中，半導體配置100包含邏輯區110與記憶區120。在一實施例中，邏輯區110係形成於主動區103之上或之中。在某些實施例中，邏輯區110包含一或多個邏輯接點112，其電性連接於邏輯區110中且連接至主動區103。
在某些實施例中，記憶區120包含一或多個DRAM單元。在某些實施例中，記憶區120包含半導體裝置122形成於主動區103之上或之中。在某些實施例中，半導體裝置122包含閘極區124、源極/汲極區126、或類似區。在一實施例中，一或多個STI區128係形成於主動區103中。在某些實施例中，記憶區120包含一或多個接點130，其電性連接至源極/汲極區126。
在某些實施例中，半導體配置100包含一或多個介電層140形成於主動區103與半導體裝置122上。在某些實施例中，一或多個介電層140包含第一介電層140a、第二介電層140b、第三介電層140c、第四介電層140d、與第五介電層140e。在某些實施例中，介電層140包含具有中等或低介電常數之標準介電材料，比如氧化矽。在某些實施例中，介電層140包含較高介電常數之介電材料。
在某些實施例中，至少一介電層140的形成方法包括下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。
在某些實施例中，半導體配置100包含一或多個低介電常數介電層141形成於介電層140上。在某些實施例中，低介電常數介電層141包含較低介電常數之介電材料，比如氧化矽。低介電常數介電層141的形成方法包含下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。
在某些實施例中，半導體配置100包含一或多個蝕刻停止層144分隔介電層140。在某些實施例中，蝕刻停止層144可停止介電層140之間的蝕刻製程。在某些實施例中，蝕刻停止層144包含蝕刻選擇性不同於介電層140之介電材料。在某些實施例中，一或多個蝕刻停止層144包含碳化矽、氮化矽、氮化矽碳、氧化矽碳、氮化碳、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，至少一蝕刻停止層144的形成方法包括下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。
在某些實施例中，半導體配置100包含位元線150。在某些實施例中，位元線150延伸穿過第四介電層140d。在某些實施例中，位元線150包括金屬材料，並經由接點152連接至源極/汲極區126。在某些實施例中，位元線150形成於主動區103與至少一電容之間的半導體配置100之區域或部份中。在某些實施例中，部份位元線150與部份至少一電容重疊於一水平平面中。在某些實施例中，位元線150與電容未重疊於任何水平平面中。
在某些實施例中，半導體配置100包含一或多個金屬結構160。在一實施例中，金屬結構160延伸穿過低介電常數介電層141與介電層140。在某些實施例中，金屬結構160包括第一金屬結構160a與第二金屬結構160b。金屬結構160的形成方法包括下列中至少一者：單鑲嵌製程、雙鑲嵌製程、或類似方法。在某些實施例中，金屬結構160提供之電性連接穿過至少一介電層140至主動區103之半導體裝置122。在某些實施例
中，金屬結構160經由接點130連接至源極/汲極區126。在某些實施例中，金屬結構160包含銅、銅膠層、氮化鉭、氮化鈦、類似物、或上述之組合。
在第2圖的某些實施例中，第一遮罩層200係形成於低介電常數介電層141上。在某些實施例中，第一遮罩層200覆蓋邏輯區110與記憶區120。舉例來說，第一遮罩層200之形成方法包含下列中至少一者：沉積、化學氣相沉積(CVD)、或其他合適方法。第一遮罩層200包含下列材料中任何一者：碳、氧化物、氧化矽、氮化物、氮化矽、類似物、或上述之組合。
在第3圖的某些實施例中，第二遮罩層300係形成於第一遮罩層200上。舉例來說，第二遮罩層300的形成方法包含下列中至少一者：沉積、化學氣相沉積(CVD)、或其他合適方法。第二遮罩層300包含下列材料中任何一者：碳、氧化物、氧化矽、氮化物、氮化矽、類似物、或上述之組合。
在某些實施例中，圖案化與蝕刻第二遮罩層300以形成第二遮罩開口302。在一實施例中，第二遮罩開口302係形成於第一金屬結構160a上。在某些實施例中，第二遮罩開口302係形成於第二金屬結構160b上。
在第4圖的某些實施例中，圖案化與蝕刻第一遮罩層200以形成第一遮罩開口402。在一實施例中，第一遮罩開口402係形成於第一金屬結構160a上。在某些實施例中，第一遮罩開口402係形成於第二金屬結構160b上。
在第5圖的某些實施例中，移除第一遮罩層300，其移除方法可為濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。在某些實施例
中，第一開口500與第二開口502係形成於低介電常數介電層141與介電層140中。在某些實施例中，第一開口500與第二開口502之形成方法為蝕刻移除部份低介電常數介電層141，比如濕蝕刻、銅濕蝕刻、或類似方法。
在某些實施例中，第一開口500之形成方法為蝕刻移除一或多個第一金屬結構160a。在某些實施例中，第二開口502之形成方法為蝕刻移除一或多個第二金屬結構160b。在某些實施例中，第二開口502的形成方法為蝕刻移除三個第二金屬結構160b。在某些實施例中，蝕刻穿過第一金屬結構160a或第二金屬結構160b之蝕刻化學品包含硝酸、磷酸、氨水、氯化銨、硫酸、鹽酸、醋酸、氰酸鉀、雙氧水、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，第一開口500與第二開口502之形成方法為蝕刻穿過蝕刻停止層，比如電漿金屬蝕刻。
在第6圖的某些實施例中，形成第一電極600於第一開口500與第二開口502中，以及低介電常數介電層141上。舉例來說，第一電極600的形成方法包括下列中至少一者：原子層沉積(ALD)、濺鍍、熱蒸鍍、化學氣相沉積(CVD)、或類似方法。在某些實施例中，第一電極600的表面部份602係形成於低介電常數介電層141與第一遮罩層200上。在一實施例中，第一電極600包含非線性的第一電極側壁604。在某些實施例中，第一電極600包含導電材料如鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、銥、釕、鉑、鋁、銅、多晶矽、類似物、或上述之組合。在一實施例中，第一電極600電性連接至第一金屬結構160a與第二金屬結構160b。
在第7圖的某些實施例中，BARC(底抗反射塗)層700係形成於第一電極600上。BARC層700包含下列材料中任何一者：矽、氧化矽碳、其他半導體材料、或類似物。在某些實施例中，BARC層700係形成於第一開口500與第二開口502中。
在第8圖的某些實施例中，移除第一遮罩層200、BARC層700、與第一電極600的表面部份602，且移除方法為濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。第一遮罩層200的移除方法可為下列方法中任何一者：濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。在某些實施例中，用以自第一電極600蝕刻穿過並移除BARC層700的蝕刻化學品包含四氟化碳、氟仿、二氟甲烷、六氟化硫、氧氣、氮氣、氬氣、氦氣、一氧化碳、二氧化碳、氫氣、氯氣、或上述之組合。在某些實施例中，化學機械研磨(CMP)製程與回蝕刻製程可用以移除BARC層700與第一電極600之表面部份602(見第6圖)。在某些實施例中，在移除第一電極600之表面部份602前，先形成BARC層700(見第7圖)於第一電極600上。
在第9a圖的某些實施例中，絕緣層900係形成於第一電極600與低介電常數介電層141上。在某些實施例中，絕緣層900包含較高介電常數之介電材料，比如氧化鋁、氧化鋯、氧化鉭、氧化鉿、氧化鑭、氧化鈦、氧化矽、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，絕緣層900包含中等或低介電常數之標準介電材料，比如氧化矽。絕緣層900的形成方法包括下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。在某些實施例中，絕緣表面部份901係形成於部份的低介
電常數介電層141上。在某些實施例中，絕緣層900具有非線性的絕緣層側壁902。
在某些實施例中，第二電極950係形成於第一開口500與第二開口502中，以及絕緣層900上。舉例來說，第二電極950的形成方法包括下列中至少一者：原子層沉積(ALD)、濺鍍、熱蒸鍍、化學氣相沉積(CVD)、或類似方法。在某些實施例中，第二電極950包含導電材料如鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、碳化鉭、鎢、銥、釕、鋁、銅、多晶矽、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，電極表面部份951係形成於絕緣層900之絕緣表面部份901上。在某些實施例中，絕緣層900位於第一電極600與第二電極950之間。在某些實施例中，第二電極950具有非線性的第二電極側壁952。
在某些實施例中，電容975係由第一電極600、絕緣層900、與第二電極950組成，且位於記憶區120上。雖然圖示中具有第一電容975a與第二電容975b，但實際上可具有任何數目的電容。在某些實施例中，電容975延伸穿過兩個至十個介電層140。在一實施例中，電容975具有非線性的電容側壁980，其包含非線性的第一電極側壁604、非線性的絕緣層側壁902、與非線性的第二電極側壁952。在某些實施例中，第一電極600沿著絕緣層900與第二電極950，圍繞電容975中的開口空間982。在一實施例中，第二電極950定義電容975中的開口空間982。在某些實施例中，開口空間982定義的區域不含任何材料。
在某些實施例中，開口空間982延伸或形成於基板
102上任何數目之層狀物中，或延伸或形成半導體配置100中任何數目的介電層140中。在某些實施例中，開口空間982延伸或形成於兩到十層的介電層140中。在某些實施例中，開口空間982係形成於含有位元線150之第四介電層140d上的第一介電層140a、第二介電層140b、與第三介電層140c中。在某些實施例中，部份開口空間982延伸至或形成於含有位元線150之介電層140中。
在某些實施例中，半導體配置100包含的多個電容975，各自包含電容側壁980以定義部份的開口空間982。在某些實施例中，半導體配置100包含第一電容975a定義之開口空間982，以及第二電容975b定義之開口空間982，且前者之高度大於或小於後者之高度。在某些實施例中，半導體配置100包含第一電容975a定義之開口空間982，以及第二電容975b定義之開口空間982，且前者之寬度大於或小於後者之寬度。在某些實施例中，半導體配置100包含多個電容975定義之多個開口空間982，其中至少兩個開口空間982具有不同的高度及/或寬度。
在某些實施例中，半導體配置100包含至少一電容975延伸至半導體配置100含有位元線150之區域或層狀物中。在某些實施例中，半導體配置100包含至少一電容975延伸至半導體配置100含有位元線150之區域或層狀物中，以及至少一電容975未延伸至半導體配置100含有位元線150之區域或層狀物中。在某些實施例中，至少一電容975及/或開口空間982的高度，大於或小於至少一其他電容975及/或開口空間982的高
度。在某些實施例中，至少一電容975及/或開口空間982的寬度，大於或小於至少一其他電容975及/或開口空間982的寬度。在某些實施例中，至少一電容975及/或開口空間982的寬度沿著縱軸變化。在某些實施例中，上述縱軸垂直於或實質上垂直於基板102的上表面。在某些實施例中，至少一電容975及/或開口空間982包括寬度減少或增加的區域或部份。
在某些實施例中，電容975的高度984係由第一電極600之下表面990至第二電極950之上表面992之間的距離。在某些實施例中，電容975的高度984介於約250nm至約1200nm之間。在某些實施例中，電容975的寬度986係兩個相對之非線性的電容側壁980之間的距離。在某些實施例中，電容975的寬度986介於約30nm至約200nm之間。在某些實施例中，電容975之高寬比為電容975之高度984除以電容975之寬度986。在某些實施例中，電容975的高寬比介於約5至約25之間。
在第9b圖的某些實施例中，第一電容975a與第二電容975b其非線性的電容側壁980的非線性形狀，不同於第9a圖中非線性的電容側壁980。在一實施例中，非線性的電容側壁980包含多個側壁部份。在某些實施例中，第一電容975a與第二電容975b之非線性的電容側壁980，包括第一側壁部份981a、第二側壁部份981b、第三側壁部份981c、與第四側壁部份981d。在一實施例中相對於第二側壁部份981b，第一側壁部份981a非線性地延伸。在一實施例中相對於第三側壁部份981c，第二側壁部份981b非線性地延伸。在一實施例中相對於第四側壁部份981d，第三側壁部份981c非線性地延伸。
在第10圖的某些實施例中，第三遮罩層1000係形成於電容975的第二電極950上。在某些實施例中，第三遮罩層1000覆蓋記憶區120。舉例來說，第三遮罩層1000的形成方法包含下列中至少一者：化學氣相沉積(CVD)或其他合適方法。第三遮罩層1000包含下列材料中任何一者：碳、氧化物、氧化矽、氮化物、氮化矽、或上述之組合。
在某些實施例中，圖案化與蝕刻第三遮罩層1000以形成第三遮罩開口1002。在一實施例中，第三遮罩開口1002係形成於絕緣層900之絕緣表面部份901上，以及第二電極950之電極表面部份951上。
在第11圖的某些實施例中，移除第三遮罩層1000、絕緣層900之絕緣表面部份901、以及第二電極950之電極表面部份951，且移除方法可為濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。在某些實施例中，用以移除絕緣表面部份901與電極表面部份951之化學蝕刻品，其選擇性足以不移除低介電常數介電層141。
在某些實施例中，蝕刻停止層1100係形成於第二電極950、低介電常數介電層141、與開口空間982上。在某些實施例中，蝕刻停止層1100使蝕刻製程在到達低介電常數介電層141前停止。在某些實施例中，蝕刻停止層1100包含的介電材料其蝕刻選擇性不同於低介電常數介電層141。在某些實施例中，蝕刻停止層1100包含碳化矽、氮化矽、氮化矽碳、氧化矽碳、氮化碳、類似物、或上述之組合。蝕刻停止層1100的形成方法包含下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積
(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。
在某些實施例中，介電層1110係形成於蝕刻停止層1100上，與電容975之第二電極950上。在一實施例中，介電層1110包含中等或低介電常數之標準介電材料，比如氧化矽。在某些實施例中，介電層1110包含較高介電常數之介電材料。介電層1110的形成方法包含下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。在某些實施例中，電容975上具有一至五層的介電層1110。
在某些實施例中，BARC層1120係形成於介電層1110上。BARC層包含下列材料中任何一者：矽、氧化矽碳、其他半導體材料、或類似物。
在第12圖的某些實施例中，移除BARC層1120，且移除方法可為濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。在某些實施例中，用以自第一電極600蝕刻穿過並移除BARC層1120的蝕刻化學品包括四氟化碳、氟仿、二氟化碳、六氟化硫、氧氣、氮氣、氬氣、氦氣、一氧化碳、二氧化碳、氫氣、氯氣、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，移除BARC層1120後可形成第一開口1200與第二開口1202於介電層1110與蝕刻停止層1100中。
在某些實施例中，拾取接點1220係形成於第一開口1200中。在某些實施例中，拾取接點1220係電性耦接至電容975。在一實施例中，拾取接點1220延伸穿過介電層1110與蝕
刻停止層1100。在某些實施例中，拾取接點1220接觸絕緣層900與第二接點950。拾取接點1220之形成方法包括下列中至少一者：單鑲嵌製程、雙鑲嵌製程、或類似製程。
在某些實施例中，通孔接點1222係形成於第二開口1102中。在一實施例中，通孔接點1222延伸穿過介電層1110與蝕刻停止層1100。在某些實施例中，通孔接點1222接觸邏輯接點112。接點通孔1222之形成方法包括下列中至少一者：單鑲嵌製程、雙鑲嵌製程、或類似製程。
第13圖係第二實例之半導體配置1300。在某些實施例中，半導體配置1300包含邏輯區110、主動區103、半導體裝置122、介電層140、電容975、與類似物。
在某些實施例中，移除第三遮罩層1000、電極表面部份951、與絕緣表面部份901後如第10圖所示，形成蝕刻停止層1100與1310及氧化物層1350。在某些實施例中，蝕刻停止層1100係形成於第二電極950與低介電常數介電層141上。在某些實施例中，蝕刻停止層1100與1310包含蝕刻選擇性不同於低介電常數介電層141之介電材料。在某些實施例中，蝕刻停止層1100與1310包含氮化矽、氮化矽碳、氧化矽碳、氮化碳、類似物、或上述之組合。蝕刻停止層1100與1310的形成方法包括下列中至少一者：熱成長、化學成長、原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、或類似方法。
在某些實施例中，至少一氧化物層1350係形成於蝕刻停止層1100與1310之間，以及電容975之第二電極950上。
舉例來說，氧化物層1350之形成方法包括下列中至少一者：沉積、化學氣相沉積(CVD)、或其他合適方法。氧化物層1350包含下列材料中任何一者：氧化物、氧化矽、氮化物、氮化矽、氮氧化物、氧化矽、類似物、或上述之組合。
在某些實施例中，BARC層1370係形成於氧化物層1350上。BARC層1370包含下列材料中任何一者：矽、氧化矽碳、氮氧化矽、其他半導體材料、或類似物。
在第14圖的某些實施例中，移除BARC層1370，且移除方法可為濕蝕刻、乾蝕刻、或類似方法。在某些實施例中，用以自第一電極600蝕刻穿過與移除BARC層1370之蝕刻化學品包含四氟化碳、氟仿、二氟甲烷、六氟化硫、氧氣、氮氣、氬氣、氦氣、一氧化碳、二氧化碳、氫氣、氯氣、類似物、或上述之組合。在某些實施例中，在移除BARC層1370後，形成第一開口1400與第二開口1402於氧化物層1350及蝕刻停止層1100與1310中。
在某些實施例中，拾取接點1420係形成於第一開口1400中。在一實施例中，拾取接點1420延伸穿過氧化物層1350及蝕刻停止層1100與1310。在某些實施例中，拾取接點1420電性耦接至電容975。在某些實施例中，拾取接點1420接觸絕緣層900與第二電極950。拾取接點1420之形成方法包括下列中至少一者：單鑲嵌製程、雙鑲嵌製程、或類似製程。
在某些實施例中，通孔接點1422係形成於第二開口1402中。在一實施例中，通孔接點1422延伸穿過氧化物層1350及蝕刻停止層1100與1310。在某些實施例中，通孔接點
1422接觸邏輯接點112。通孔接點1422之形成方法包括下列中至少一者：單鑲嵌製程、雙鑲嵌製程、或類似製程。
第15圖係某些實施例中，形成半導體配置如半導體配置100或1300的方法1500。在步驟1502中，電容975之第一電極600係形成於半導體配置100或1300之主動區103上的至少一介電層140上，因此第一電極600具有非線性的第一電極側壁604且圍繞電容975中的開口空間982。在步驟1504中，電容975之絕緣層900係形成第一電極600上，因此絕緣層900具有非線性的絕緣層側壁902。在步驟1506中，電容975之第二電極950係形成於絕緣層900上，因此第二電極950具有非線性的第二電極側壁952，且電容975具有非線性的電容側壁980。
在某些實施例中，位元線150的高度小於主動區103的高度。在某些實施例中，位元線150的高度小於電容975的高度。在某些實施例中，電容975位於位元線150上，因此半導體配置100或1300包含位元線上電容(COB)。如此一來，可降低某些實施例中位元線150與電容975之間的電阻(Rb)。同樣地，亦可降低寄生電容(Cb)。在某些實施例中，電容975包含非線性的電容側壁980，因此非線性的電容側壁980的長度大於電容975的高度984。如此一來，某些實施例中的電容975其電容值高於沒有非線性電容側壁之電容的電容值。
在一實施例中，半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。在一實施例中，半導體配置包括電容，其包括第一電極於主動區上的至少一介電層上。在一實施例中，第一電極圍繞電容中的開口空間。
在一實施例中，半導體配置包括主動區，其包括半導體裝置。在一實施例中，半導體配置包括電容，其包括第一電極位於主動區上的至少一介電層上。在一實施例中，第一電極具有非線性的第一電極側壁。
在一實施例中，半導體配置的形成方法包括：形成電容的第一電極於半導體配置之主動區上的至少一介電層上，因此第一電極具有非線性的第一電極側壁且圍繞電容中的開口空間。在一實施例中，上述方法包括形成電容的絕緣層於第一電極上，因此絕緣層具有非線性的絕緣層側壁。在一實施例中，上述方法包括形成電容的第二電極於絕緣層上，因此第二電極具有非線性的第二電極側壁，且電容具有非線性的電容側壁。
雖然本發明已揭露結構特徵或方法步驟，然應理解申請專利範圍不必然受限於所述之特定結構或步驟。相反地，上述特定結構與步驟係用以實施至少某些申請專利範圍的例子。
上述內容已提供多種實施例的操作。某些或全部的操作順序並不必如內容中的順序，而可採用其他順序。此外可以理解的是，並非每一實施例中的所有操作均屬必要，某些實施例不必進行所有操作。
可以理解的是上述內容中的層狀物、區域、結構、單元、或類似物，在圖式中具有特定的相對尺寸(如結構尺寸或方向)以簡化說明及方便理解，然而某些實施例中的實際尺寸可能與圖式尺寸不同。此外，可採用多種現有技術形成這些
層狀物、區域、結構、單元、或類似物，比如佈植技術、掺雜技術、旋轉塗佈技術、濺鍍技術、成長技術如熱成長、及/或沉積技術如化學氣相沉積(CVD)。
此外，文中舉例並不必然具有優點。在說明書中，用語「或」指的不是排除其他選擇，而是包含其他選擇。此外，用語「一者」通常指的是「一或多者」，除非特別說明為單一者。此外，A與B中至少一者及/或類似說明指的是A、B、或A與B。另一方面，文中用語如「包含」、「具有」或類似用語均等同於申請專利範圍中的用語「包括」。除非在文中特別說明，否則用語「第一」、「第二」或類似用語均無時間上、空間上、或順序上的限制，這些用語僅用以辨識命名結構、元件、物件、或類似物。舉例來說，第一區與第二區通常對應兩個不同或相同的區，或相同型態的區。
此外，雖然說明書已描述與說明一或多種實施方式，但本技術領域中自可在閱讀與理解說明書及附圖後，進行等效置換與調整。本發明包含上述置換與調整，其範疇只限於下述申請專利範圍。在特別考慮到上述組件如元件、來源、或類似物執行的多種功能時，用於描述這些組件的用語(除非另外說明)可對應任何執行特定功能的同位組件，即使此同位組件在結構上不等同於前述結構。此外，雖然本發明的特定結構可能只揭露於某些實施方式中，此特定結構仍可與其他實施方式的一或多個其他結構組合，以達特定應用所需的優點。
Claims (9)
- 一種半導體配置，包括：一主動區，包括一半導體裝置；一位元線，設置於該主動區上的一第一介電層中；一組介電層，位於該位元線上；一電容，包括一第一電極、一絕緣層以及一第二電極設置於該組介電層中，其中該第二電極之側壁圍繞該電容中的一開口空間，且該開口空間不含材料，且其中該第一電極的一第一部份和一第二部分設置於該組介電層的一第一介電層中，該第一電極的該第一部份中具有一第一寬度，該第二部分覆蓋並直接接觸該第一部份，且該第二部分中具有不同於該第一寬度的一第二寬度，該第一電極的一第三部分設置於該組介電層的一第二介電層中，該第三部分覆蓋並直接接觸該第二部分，且該第三部分中具有該第一寬度；以及一蝕刻停止層，位於該開口空間上，其中該蝕刻停止層之下表面與該第二電極之頂部齊平。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體配置，其中該第一電極具有一非線性的第一電極側壁；以及該絕緣層位於該第一電極上，且該絕緣層具有一非線性的絕緣層側壁；其中該第二電極位於該絕緣層上，且該第二電極具有一非線性的第二電極側壁；其中該電容具有一非線性的電容側壁，其包括該非線性的第一電極側壁、該非線性的絕緣層側壁、以及該非線性的第二電極側壁。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體配置，其中該電容的高度與寬度之高寬比介於約5至約25之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體配置，其中該電容的高度介於約250nm至約1200nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之半導體配置，其中該電容的寬度介於約30nm至約200nm之間。
- 一種半導體配置，包括：一主動區，包括一半導體裝置；一位元線，設置於該主動區上的一第一介電層中；一組介電層，位於該位元線上；一電容，包括一第一電極、一絕緣層以及一第二電極設置於該組介電層中，且該第一電極具有一非線性的第一電極側壁，其中該第二電極之側壁圍繞該電容中的一開口空間，且該開口空間不含材料，且其中該第一電極的一第一部份和一第二部分設置於該組介電層的一第一介電層中，該第一電極的該第一部份中具有一第一寬度，該第二部分覆蓋並直接接觸該第一部份，且該第二部分中具有不同於該第一寬度的一第二寬度，該第一電極的一第三部分設置於該組介電層的一第二介電層中，該第三部分覆蓋並直接接觸該第二部分，且該第三部分中具有該第一寬度；以及一蝕刻停止層，位於該開口空間上，其中該蝕刻停止層之下表面與該第二電極之頂部齊平。
- 如申請專利範圍第6項所述之半導體配置，其中該絕緣層位於該第一電極上，且該絕緣層具有一非線性的絕緣層側壁；其中該第二電極位於該絕緣層上，且該第二電極具有一非線性的第二電極側壁；其中該電容具有一非線性的電容側壁，其包括該非線性的第一電極側壁、該非線性的絕緣層側壁、與該非線性的第二電極側壁。
- 如申請專利範圍第6項所述之半導體配置，其中該電容之高度與寬度之高寬比介於約5至約25之間。
- 一種半導體配置的形成方法，包括：形成一位元線於該半導體配置之一主動區上的一第一介電層中；形成一組介電層於該位元線上；蝕刻該組介電層以定義一開口，其中蝕刻該組介電層的一第一介電層以定義該開口的一第一部份，該第一部分具有一第一寬度；蝕刻該組介電層的該第一介電層以定義該開口的一第二部分，該第二部分具有一第二寬度且覆蓋並直接接觸該第一部份，且該第二寬度不同於該第一寬度；且蝕刻該組介電層的一第二介電層以定義該開口的一第三部分，該第三部分具有該第一寬度且覆蓋並直接接觸該第二部分；形成一電容的一第一電極於該開口中，因此該第一電極具有一非線性的第一電極側壁；形成該電容的一絕緣層於該第一電極上，因此該絕緣層具有一非線性的絕緣層側壁；形成該電容的一第二電極於該絕緣層上，因此該第二電極具有一非線性的第二電極側壁且圍繞該電容中的一開口空間，且該電容具有一非線性的電容側壁，其中該開口空間不含材料；以及形成一蝕刻停止層於該開口空間上，其中該蝕刻停止層之下表面與該第二電極之頂部齊平。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/144,676 US9825040B2 (en) | 2013-12-31 | 2013-12-31 | Semiconductor arrangement with capacitor and method of fabricating the same |
| US14/144,676 | 2013-12-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201535682A TW201535682A (zh) | 2015-09-16 |
| TWI631691B true TWI631691B (zh) | 2018-08-01 |
Family
ID=53372191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103145704A TWI631691B (zh) | 2013-12-31 | 2014-12-26 | 半導體配置及其形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9825040B2 (zh) |
| DE (1) | DE102014118882B4 (zh) |
| TW (1) | TWI631691B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11374000B2 (en) * | 2020-03-10 | 2022-06-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Trench capacitor with lateral protrusion structure |
| US11735624B2 (en) * | 2021-03-05 | 2023-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-lateral recessed MIM structure |
| US11973019B2 (en) | 2021-05-19 | 2024-04-30 | Qualcomm Incorporated | Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods |
| CN114045494B (zh) * | 2021-10-25 | 2023-02-03 | 深圳前海榕达创途化工科技股份有限公司 | 一种用于pcb板的低酸度蚀刻生产方法以及双液型酸性蚀刻液体系 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040212000A1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-10-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US20050124113A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US20070057306A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor storage device and method for manufacturing the same |
| US20080003740A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Odo Wunnicke | Method for forming a capacitor structure and a capacitor structure |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3630551B2 (ja) | 1998-04-02 | 2005-03-16 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
| JP3629187B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2005-03-16 | 株式会社東芝 | 電気フューズ、この電気フューズを備えた半導体装置及びその製造方法 |
| JP2002076297A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6794694B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-09-21 | Agere Systems Inc. | Inter-wiring-layer capacitors |
| JP2002323775A (ja) | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| KR100531419B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2005-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 및 그의 제조방법 |
| KR100448719B1 (ko) | 2002-10-18 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 다마신공정을 이용한 반도체 장치 및 그의 제조방법 |
| US7015564B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Capacitive element and semiconductor memory device |
| JP2005260163A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Fujitsu Ltd | 容量素子及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007201101A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 集積回路装置および回路製造方法 |
| US7633112B2 (en) * | 2006-08-24 | 2009-12-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Metal-insulator-metal capacitor and method of manufacturing the same |
| JP2008159988A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100869343B1 (ko) * | 2007-08-31 | 2008-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| JP2011155064A (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-11 | Elpida Memory Inc | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8790975B2 (en) * | 2011-03-04 | 2014-07-29 | Globalfoundries Inc. | Semiconductor device comprising a capacitor formed in the metallization system based on dummy metal features |
| US20120223413A1 (en) | 2011-03-04 | 2012-09-06 | Nick Lindert | Semiconductor structure having a capacitor and metal wiring integrated in a same dielectric layer |
| US20140061855A1 (en) * | 2012-09-06 | 2014-03-06 | United Microelectronics Corporation | Capacitor structure and fabricating method thereof |
-
2013
- 2013-12-31 US US14/144,676 patent/US9825040B2/en active Active
-
2014
- 2014-12-17 DE DE102014118882.9A patent/DE102014118882B4/de active Active
- 2014-12-26 TW TW103145704A patent/TWI631691B/zh active
-
2017
- 2017-11-20 US US15/817,333 patent/US10504904B2/en active Active
-
2019
- 2019-11-08 US US16/677,783 patent/US11222896B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040212000A1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-10-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US20050124113A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| US20070057306A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor storage device and method for manufacturing the same |
| US20080003740A1 (en) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | Odo Wunnicke | Method for forming a capacitor structure and a capacitor structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9825040B2 (en) | 2017-11-21 |
| US11222896B2 (en) | 2022-01-11 |
| DE102014118882B4 (de) | 2024-01-25 |
| US20200075600A1 (en) | 2020-03-05 |
| US20150187777A1 (en) | 2015-07-02 |
| TW201535682A (zh) | 2015-09-16 |
| US10504904B2 (en) | 2019-12-10 |
| DE102014118882A1 (de) | 2015-07-02 |
| US20180090500A1 (en) | 2018-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10074654B1 (en) | Dynamic random access memory | |
| US7709320B2 (en) | Method of fabricating trench capacitors and memory cells using trench capacitors | |
| US11769792B2 (en) | Trench capacitor profile to decrease substrate warpage | |
| KR102403619B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| US11011524B2 (en) | Semiconductor arrangement with capacitor | |
| US11222896B2 (en) | Semiconductor arrangement with capacitor and method of fabricating the same | |
| US9685497B2 (en) | Embedded metal-insulator-metal capacitor | |
| US9978754B2 (en) | Semiconductor arrangement with capacitor | |
| CN104576598A (zh) | 具有与有源区分隔开的电容器的半导体布置 | |
| US10170417B2 (en) | Semiconductor structure | |
| TWI594372B (zh) | 記憶體裝置及其製造方法 | |
| TWI636491B (zh) | 記憶元件及其製造方法 | |
| KR20150109380A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2014053361A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US10468417B2 (en) | Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer | |
| US20240032275A1 (en) | Semiconductor devices | |
| US8647958B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device having expanded critical dimension by performining surface treatment |