TWI626662B - 導電性微粉末、導電性糊、電子零件及其製造方法 - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 51
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 16
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 16
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000011246 composite particle Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- -1 telluride Chemical class 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/06—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
- B22F9/08—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
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Abstract
導電性微粉末係含有扁平狀之金屬/合金微粒子。該扁平狀金屬/合金微粒子具有於母材中混合或生成有結晶或非結晶之奈米粒子之奈米複合構造，其最大厚度為50nm以下，最大直徑為該厚度之2倍以上，且含有高融點金屬與低融點金屬。
Description
本發明係關於導電性微粉末、導電性糊及電子零件。
以積層陶瓷電容器等為代表的積層電子零件，係例如日本特開2004-47536號公報所揭示，將作為內部電極之導電性糊以網版印刷法塗佈而形成之陶瓷‧生胚‧薄片(ceramic green sheet)積層所需片數且壓接後，切斷成個別零件，接著經過燒成步驟而製造。作為導電性糊，代表性的有，使用Ni等球狀金屬微粒子分散於有機載體(organic vehicle)中者。
使用球狀金屬微粒子之導電性糊適用於網版印刷法。但是，在燒成步驟中，無法以金屬微粒子填埋有機載體經熔損後的痕跡，而易於金屬微粒子間產生間隙。此種間隙，即所謂的電極斷裂的存在會導致電子零件的電氣特性劣化。特別是在追求大容量化的同時亦追求小型薄型化之此種電子零件中，內部電極的厚度亦不得不變得愈來愈薄，例如為厚度0.3μm以下，而隨之變得易產生電極斷裂，如何解決此電極斷裂的問題係極為重要的課題。
日本特開2011-91083號公報揭示了如下之技術：使用將藉由薄膜形成法所形成的導電性薄膜從基材剝離且藉由微粉碎所獲得之導電性微粉末，調製內部電極用導電性糊，並將以此方式而得之導電性糊藉由凹版印刷法塗佈於陶瓷‧生胚‧薄片。導電性薄膜係利用真空蒸鍍法、濺鍍法、鍍敷法等薄膜形成法而形成於剝離層上。
構成導電性微粉末的1個扁平狀粒子，較佳為，平均長徑為1.0μm以上且20μm以下，平均厚度為5nm以上且100nm以下，縱橫比(aspect ratio)為100以上，導電性糊膜中之導電性微粉末的填充率為50%以上。
構成用以獲得導電性微粉末的導電性薄膜之材料係由：鎳、鉑、銅、銀、金以及鈀中的任一者，或是包含這些金屬的至少一種的合金，又或是這些金屬或合金的氧化物、氮化物、硫化物或碳化物所構成。
上述導電性薄膜係在藉由利用薄膜形成法形成於基材上後，從基材剝離且微粉碎而獲得者，因此，即使金屬單體、合金以及金屬化合物同時存在導電性薄膜內亦是互相分離的狀態。
本發明之課題是提供即使電極薄層化亦不易發生電極斷裂的導電性微粉末、導電性糊以及電子零件。
本發明之另一課題是提供適用於形成具有偏析少之均一化組成的高品質電極的導電性微粉末、導電性糊以及電子零件。
為了解決上述課題，本發明之導電性微粉末係由扁平狀金屬/合金微粒子所構成。扁平狀金屬/合金微粒子係具有於母材中混合或生成有具有結晶或非結晶之奈米粒子的奈米複合(nanocomposite)構造，最大厚度為50nm以下，最大直徑為該厚度的2倍以上。
本發明之導電性微粉末係使用於：分散於有機載體中以調製導電性糊。
此種本發明之導電糊，在電子零件中適用於構成電極，特別是適用於構成內部電極。該內部電極係埋設於該陶瓷本體的內部。該內部電極一般係設置複數層且在該陶瓷本體的內部埋設成層狀，其代表例為積層陶瓷電容器。
關於製造本發明之電子零件，係在陶瓷‧生胚‧薄片等之支持體的至少一面上，將本發明之導電糊進行凹版印刷(gravure printing)，之後進行熱處理。
在此，本發明之導電性微粉末係由扁平狀金屬/合金微粒子所構成，因為扁平狀金屬/合金微粒子係具有在母材中混合或生成有結晶或非結晶的奈米粒子之奈米複合構造，因此可抑制在金屬之奈米區域中之因量子尺寸效應所發生的低融點化，且可在配合陶瓷燒成溫度的同時燒成步驟中，防止微細層的電極斷裂、電極破裂。
再者，在使此種導電性微粉末分散於有機載體以調製導電性糊且使用此種導電性糊形成電極的情況下，可形成擁有偏析少之均一化組成的高品質電極。
本發明的扁平狀金屬/合金微粒子係由於母材中混合或生成有結晶或非結晶之奈米粒子之奈米複合構造所構成這一點，與金屬單體、合金以及金屬化合物係在導電性薄膜內以互相分離的狀態存在之習知技術不同。
且，導電性微粉末因為含有扁平狀金屬/合金微粒子，在導電性糊化且在陶瓷‧生胚‧薄片等之支持層上印刷電極的情況下，由於該印壓，構成導電性微粉末之扁平狀粒子的面方向會自然地面向與支持層之面方向實質上相同的方向。因此，在適用於內部電極時，不僅可以達成薄層化亦可提高內部電極中之導電性微粉末填充率，其結果，可維持高表面覆蓋率(coverage)亦可抑制燒成時之電極斷裂。
再者，因為扁平狀之金屬/合金微粒子的最大厚度為50nm以下，最大直徑為該厚度的2倍以上，因此，即使為例如厚度0.3μm左右之微小厚度的內部電極，亦可形成具有數個扁平狀金屬/合金微粒子重疊之構造的內部電極。因而，即使內部電極薄層化也不易發生電極斷裂。
又，最大厚度為50nm以下之區域係產生以下現象的區域：本來會引起以量子尺寸效應所代表的細微尺寸效應，若只有奈米尺寸之金屬的話，則是會產生低融點化現象，而導致金屬‧金屬化合物特性之融點降低的區域。因此，只有奈米尺寸的金屬的話，會導致因微細尺寸效應所致之低融點化，且與陶瓷之燒成溫度之差異，恐有招致電極層破壊之虞。
本發明中，將扁平狀金屬/合金微粒子作成奈米複合構造，以作為解決此問題之手段。藉由作成奈米複合構造而可調整其熔融溫度，即使是極薄層之電極亦能形成，而不發生電極斷裂。
使用本發明之導電性糊形成積層電子零件之內部電極的情況下，導電性糊係與陶瓷‧生胚‧薄片一起燒成。用以構成內部電極的導電性糊，因其周圍係由陶瓷‧生胚‧薄片之壁面所封閉，因此導電性糊燒結時所產生的應力會原封不動地加壓至陶瓷‧生胚‧薄片之壁面，使陶瓷‧生胚‧薄片之壁面有產生龜裂或裂縫之虞。
關於此問題，本發明中，導電性糊含有奈米複合構造之金屬/合金微粒子。在奈米複合構造之基礎下，可控制陶瓷與導電性糊在燒結時之金屬電極的溫度，而能抑制扁平狀金屬/合金微粒子中柱狀晶之生成而促進等軸晶化。因此，從扁平狀金屬/合金微粒子加諸於陶瓷層之壓力得以緩和而能避免於陶瓷層產生龜裂或裂縫。
本發明之導電性微粉末因含有扁平狀之金屬/合金微粒子，故適合用於凹版印刷(gravure printing)。但並非意指排除適合用於網版印刷(screen printing)。
構成奈米複合構造之母材及奈米粒子係以單一金屬、合金、氧化物、硫化物、矽化物、碳化物或氯化物之任一者所構成。
如上所述，根據本發明可得到以下之效果。
(a)可提供即使電極薄層化也不易發生電極斷裂之導電性微粉末、導電性糊及電子零件。
(b)提供適於形成具有偏析少之均一化組成的高品質電極的導電性微粉末、導電性糊以及電子零件。
1‧‧‧扁平狀金屬/合金微粒子
2‧‧‧扁平化裝置
3‧‧‧粒狀化裝置
20‧‧‧電漿反應裝置
21‧‧‧冷卻裝置
22‧‧‧收納器
30‧‧‧主炬
31‧‧‧電漿氣體流
32‧‧‧中心軸
33‧‧‧副炬
34、35‧‧‧反應氣體供給手段
75‧‧‧陶瓷‧生胚‧薄片
111‧‧‧母材組織
112‧‧‧奈米粒子
311‧‧‧原料供給器
301‧‧‧微粒子供給手段
302‧‧‧陽極
312‧‧‧電器爐(高頻爐)
313‧‧‧高頻加熱機
314‧‧‧噴嘴
315‧‧‧粒狀化室
316‧‧‧蓋
317‧‧‧碟形旋轉盤
319‧‧‧排出管
322、323、324‧‧‧混合氣體槽
325、326、327‧‧‧閥
328、329‧‧‧排氣裝置
331‧‧‧陰極
圖1係顯示構成本發明之導電性微粉末的扁平狀金屬/合金微粒子之示意圖。
圖2係顯示圖1所示之扁平狀金屬/合金微粒子的奈米複合構造之模式圖。
圖3係顯示圖1所示之扁平狀金屬/合金微粒子的奈米複合構造之其他例的模式圖。
圖4係顯示圖1所示之扁平狀金屬/合金微粒子的奈米複合構造之另一例的模式圖。
圖5係顯示圖1所示之扁平狀金屬/合金微粒子的奈米複合構造之又一例的模式圖。
圖6係顯示圖1~圖5所示之扁平狀金屬/合金微粒子所構成之金屬/合金微粒子之製造裝置的圖。
圖7係顯示與圖6所示之裝置組合使用之扁平化裝置之例的圖。
圖8係顯示使用本發明之導電性微粉末的積層電子零件之例的剖面。
圖9係顯示抽出圖8所示之積層電子零件之內部電極的部分之剖面圖。
圖10係顯示使用本發明之導電性微粉末的電子零件之別例的剖面。
圖11係顯示使用本發明之導電性糊的凹版印刷法之圖。
參照圖1，本發明之導電性微粉末係含有扁平狀之金屬/合金微粒子1。扁平狀金屬/合金微粒子1係有於母材中混合或生成有結晶或非結晶之奈米粒子112的奈米複合構造，最大厚度T1為50nm以下，最大直徑D1為該厚度的2倍以上。扁平狀金屬/合金微粒子1之厚度不需要全體均一，可在最大厚度T11與最小厚度T12中變動。
圖2~圖5係模式性地顯示奈米複合構造之圖。圖2所示之形態係例如於結晶組織之母材組織111的內部分散有奈米尺寸之結晶或非結晶的奈米粒子112。此外，亦可採用：於母材組織111的粒子邊界分散有奈米粒子112者(圖3)、於母材組織111之內部分散有奈米粒子112的同時於母材組織111的粒子邊界分散有奈米粒子112者(圖4)、母材組織111及奈米粒子112兩者皆為奈米尺寸者(圖5)等之形態。雖省略圖示但亦可為組合圖2~圖5之形態者。再者，基於上述之母材組織111及奈米粒子112而成之奈米複合構造，亦可形成不同的其他種的奈米複合構造。
構成扁平狀金屬/合金微粒子之母材組織111及奈米粒子112係以單一金屬、合金或氧化物、硫化物、
矽化物、碳化物或氯化物等之金屬化合物的任一者所構成。具體而言，可包含選自Ni、Cr、Ag、Cu、Au、Pt、Pd又或者是Sn、In、Bi、Ga或Sb之群中的至少1種。這些群中，亦可選擇相對評價較高融點者與較低融點者，將其等組合而作為扁平狀金屬/合金微粒子1的組成成分。例如，選擇Ni作為高融點金屬，選擇Sn作為低融點金屬等。母材組織111及奈米粒子112可相互構成金屬間結合，亦可不要。
上述之奈米複合構造之扁平狀金屬/合金微粒子1，具體而言係將熔融金屬以離心力場使成微細液滴狀而飛散，然後使其急冷凝固化且自行組織化而得球狀之粒子(稱為奈米複合粒子)，然後將該粒子變形而得者。因此，本案發明之扁平狀金屬/合金微粒子與特開2011-91083號公報所記載者完全不同之處在於係由奈米複合粒子而得。
圖6係示意顯示製造本發明之扁平狀金屬/奈米合金微粒子時使用的扁平狀奈米複合粒狀化裝置之構成的圖。原本製得扁平狀奈米複合粒子時就可利用例如衝鍛(Stamping)法等其他之方法、裝置，並不限定為圖6之裝置。
參照圖6，此裝置具有上層之粒狀化裝置3與下層之扁平化裝置2。粒狀化裝置3中，粒狀化室315其上部為圓筒狀，下部為圓錐狀，上部具有蓋316。噴嘴314幾乎垂直地插入於蓋316之中心部，噴嘴314之前端部被導引至粒狀化室315。噴嘴314之前端的正下
方設置碟形旋轉盤317。粒狀化室315的圓錐部分之下端與生成之粒子的排出管319連接。噴嘴314連接有：熔融將要粒狀化之金屬的電器爐(高頻爐)312及高頻加熱機313。
電器爐312接受由原料供給器311所供給的原料且進行溶解。在混合氣體槽322、323、324調整成既定成分後之環境氣體，藉由配管分別供給至粒狀化室315之內部及電器爐2之上部。混合氣體槽322、323、324分別供給不同氣體成分。例如供給自氫、氧、矽烷、甲烷或硫化氫選擇1種類以上的活性氣體、氬氣或氮氣氣體等之惰性氣體或其混合氣體之任一者。
粒狀化室315、排氣裝置329或電器爐312之內壓係藉由閥325、326、327及排氣裝置328來控制。若電器爐312之內壓維持在比大氣壓稍高，粒狀化室315之內壓維持在比大氣壓稍低，則在電器爐312所熔融之金屬可藉由壓差從噴嘴314供給至碟形旋轉盤317上。所供給之熔融金屬藉由碟形旋轉盤317之離心力的作用變成微細之液滴狀而飛散，而後冷卻成為固體粒子。生成之固體粒子從排出管319供給至扁平化裝置2。
供給至高速旋轉的碟形旋轉盤317上的情況下，受到在其碟形之周緣位置平均的離心力而分散成顆粒一致之小滴而飛散。飛散之小滴在環境氣體中急速冷卻且自行組織化而變成固化之小粒後落下然後被回收。所得之複合粒子為未滿1μm或1~300nm之粒子。此複合粒子如圖2~圖5所示之圖像，各個微小粒子係具有
藉由散佈物或空隙等互相隔離的複合構造之集合體。又，所謂自行組織化係指均一相之熔融物在其分散、急速冷卻固化過程中自動地形成複合構造。
碟形旋轉盤317之旋轉次數愈高所得之複合粒子之徑愈小。使用內徑35nm、深5mm之碟形旋轉盤317的情況下，為了得到平均粒子徑200μm以下之粒子，較佳為每分鐘30,000轉以上。供給至粒狀化室315之環境氣體的溫度為室溫即可，但長時間連續作業的情況下，為了維持熔融物之小滴的急冷效果，較佳為控制通氣量，使粒狀化室315之內部溫度形成為100℃以下。
扁平化裝置2具有電漿反應裝置20與冷卻裝置21。電漿反應裝置20係使供給自粒狀化裝置3的複合粒子在電漿螺旋流(spiral flow)內與氬離子產生撞擊反應，在分解成奈米尺寸的同時，藉由使其與有反應性氣體成分或蒸氣成分接觸之電漿反應結晶化處理，而作成熔融奈米複合粒子。
參照圖7，圖示之電漿反應裝置20具有主炬30、副炬33、反應氣體供給手段34、35。主炬30具有電漿氣體PL之供給手段、微粒子供給手段301及陽極302。副炬33具有電漿氣體PL之供給手段及陰極331。主炬30的陽極302與副炬33的陰極331之間一旦產生電漿，電漿氣體PL會沿著彼此間之中心軸放出、交叉。因為電漿氣體PL有導電性，所以形成從副炬33之前端至主炬30之前端的導電路。
從粒狀化裝置3供給至材料供給口301的複合粒子係藉由電漿反應裝置20的電漿反應結晶化處理而成為熔融奈米複合粒子，然後沿中心軸32放出。此時，當由反應氣體供給手段34放出氬等之惰性反應氣體時，惰性反應氣體以收束於中心軸32的方式發揮作為保護氣體的作用。電漿氣體PL係作為電漿氣體流31而以圍繞中心軸32之放出流的方式螺旋流出。
反應氣體較佳為使用自氫、氧、矽烷、甲烷或硫化氫選擇之1種以上的活性氣體與氬氣之混合氣體。又，混合氣體較佳為活性氣體相對於氬以各30vol%以內所混和者。
如上述，將從電漿反應裝置20朝箭頭F11之方向放出且被噴霧化的熔融奈米複合粒子，在其硬化前供給至高速回轉的回轉盤21上，在其扁平化的同時，使高速回轉所形成的離心力作用而飛散成小滴，藉由與氣體環境接觸而急速冷卻成為扁平狀奈米複合粒子M1。此扁平狀奈米複合粒子M1堆積於收納器22。
本發明之導電糊可在電子零件中作為構成其內部電極而使用。圖8及圖9所圖示的電子零件係積層陶瓷電容器，其係在例如BaTiO3系強介電體材料等所構成之介電體的內部，經由微小厚度T22的介電體層52埋設有複數層微小厚度T21之內部電極51而成之構造。相鄰之內部電極51，52被導至極性相異的端子電極。
參照圖10，圖示其他的電子零件之例。此電子零件係在以電路基板、半導體基板等所構成之支持層
7上設置表面被覆有絶緣層53的電極51。此構造作為表面絶緣被覆配線，可適用於各種用途。構成電極51時，從Ni、Cr、Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Sn、In、Bi、Ga或Sb之群中，選擇相對評價較高融點者與較低融點者，使用圖6之粒狀化裝置製造至少兩種高融點金屬/合金微粒子與低融點金屬/合金微粒子。
接著，將高融點金屬/合金微粒子及低融點金屬/合金微粒子之至少一者扁平化後，調製含有兩者之導電糊。而後，將此導電糊塗佈於支持層7上進行熱處理。
藉由熱處理，低融點金屬/合金微粒子熔融與高融點金屬/合金微粒子金屬擴散結合，結果，金屬成分沈降於支持層7之表面構成電極51，形成由有機載體中之絶緣樹脂成分所構成之絶緣層53覆蓋電極51之表面的絶緣被覆金屬化配線。
絶緣樹脂係包含自環氧絶緣樹脂、丙烯酸絶緣樹脂或苯酚絶緣樹脂選擇的至少一種。作為用以糊狀化的溶劑，可使用如丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙二醇一丁基醚、甲基異丁基酮、甲苯或二甲苯這類周週知的有機溶劑。
作為圖10所示之技術的適用例，可例示液晶顯示器、個人電腦、汽車導航系統、手機、積層電子裝置、太陽能電池、太陽能發電裝置、發光二極體、發光裝置、照明裝置、信號燈、遊戲機、數位相機、電視接收器、DVD播放器、電子記事本、電子辭典、硬式磁碟(hard disc recorder)、個人數位助理(PDA)、視訊攝影機、
列印機、電漿顯示器、無線電(radio)等之絶緣被覆金屬化配線。
要製造圖8~圖10所示之電子零件，需在陶瓷‧生胚‧薄片之至少一面上，將本發明之導電糊進行凹版印刷，之後進行燒成。在凹版印刷時，如圖11所圖示，使積存於容器71之內部的導電性糊72附著於旋轉於箭頭R1之方向的著墨輥70之外周面而吸取的同時，將附著於著墨輥70之外周面的導電性糊72移至於箭頭R2之方向旋轉的版輥73之外周面。附著於版輥73之外周面的導電性糊72中，殘留附著於凹部731之導電性糊72，附著於凸部732之導電性糊72藉由例如刮刀74刮落。
接著，對於通過版輥73與於箭頭R3之方向旋轉之加壓輥77之間且被搬送至與旋轉方向R2、R3一致之箭頭F1之方向之陶瓷‧生胚‧薄片75，轉印殘留於凹部731之導電性糊72。凹部731之圖案係對應電極圖案(電極群)，因此，電極圖案76塗佈於陶瓷‧生胚‧薄片75。
如上述作法，賦有與電極圖案76的陶瓷‧生胚‧薄片75被施加乾燥步驟、切斷步驟、積層步驟等。然後再加上經過單品化步驟、燒成步驟、滾筒磨光步驟、端子電極等周知的製造步驟而得到成為完成品的積層陶瓷電容器。
在此，本發明之導電性微粉末如參照圖1~圖5所做的說明，由扁平狀金屬/合金微粒子1所構成，
扁平狀金屬/合金微粒子1因為具有於母材111混合或生成奈米粒子112奈米之複合構造，故在將此導電性微粉末分散於有機載體並調製導電性糊72而形成圖8~圖10所示的電極51的情況下，能形成擁有無偏析之均一化組成的高品質電極51。在此點上與以往之技術，即與金屬單體、合金及金屬化合物在導電性薄膜內以互相分離的狀態存在之技術不同。
且，導電性微粉末由於含有扁平狀金屬/合金微粒子1，因此將導電性微粉末與有機載體混合以調製導電性糊72，並使用此導電性糊72，如圖11所示般，在陶瓷‧生胚‧薄片75上凹版印刷電極圖案76的情況下，藉由此印壓，構成導電性微粉末的扁平狀金屬/合金微粒子1之面方向能自然地與陶瓷‧生胚‧薄片75之面方向實質地面向同一方向。
因此，圖8及圖9所示之電子零件可將內部電極51之厚度T21變薄且可提高內部電極51中之導電性微粉末的填充率。結果可維持高表面覆蓋率亦可抑制燒成時之電極斷裂。
再者，如參照圖1所做的說明，扁平狀金屬/合金微粒子1之最大厚度T11為50nm以下，最大直徑D1為最大厚度T11之2倍以上，因此，例如即使厚度T21(參照圖8、圖9)為0.3μm左右的微小厚度之內部電極51，亦能形成具有重疊數個扁平狀金屬/合金微粒子1之構造的內部電極51(參照圖9)。因此，即使內部電極51薄層化亦不易發生電極斷裂。
在使用本發明之導電性糊72形成電子零件之內部電極51的情況下，導電性糊72與陶瓷‧生胚‧薄片75一起被燒成。
在此，最大厚度為50nm以下之區域係產生以下現象的區域：會引起量子尺寸效應所代表的微細尺寸效應，若只有奈米尺寸之金屬的話，會產生低融點化現象，而招致金屬‧金屬化合物特性之融點降低的區域。因此，只以奈米尺寸之金屬構成內部電極51的情況下，會招致因微細尺寸效應所導致之低融點化，且與陶瓷‧生胚‧薄片75之燒成溫度不同，恐有招致內部電極51之電極斷裂等電極破壊之虞。
本發明中，作為解決此問題之手段，是將扁平狀金屬/合金微粒子作成奈米複合構造。藉由作成奈米複合構造，而能夠調整其熔融溫度，即使是極薄層之內部電極51亦能夠形成而不易發生電極斷裂。例如，使用低溫同時燒成陶瓷(LTCC)作為陶瓷‧生胚‧薄片75的情況，即使是在其燒結溫度為900℃前後的溫度，亦可將熔融溫度設定成構成內部電極51的材料不溶解的熔融溫度。
又，在內部電極構造的情況，導電性糊72其周圍係由陶瓷‧生胚‧薄片75之壁面所封閉，因此，導電性糊72在燒結時發生之應力會原封不動地加壓至陶瓷‧生胚‧薄片75的壁面，而有在陶瓷‧生胚‧薄片75之壁面發生龜裂、裂縫等之虞。
在本發明中，導電性糊72係含有奈米複合構造之金屬/合金微粒子1。在奈米複合構造之條件下，在燒結導電性糊72時，扁平狀金屬/合金微粒子1之柱狀晶的生成受到抑制，而促進等軸晶化。因此，從扁平狀金屬/合金微粒子1施加至陶瓷層的壓力被緩和，而能避免在陶瓷層發生龜裂、裂縫等。
本發明之導電性微粉末因為含有扁平狀金屬/合金微粒子1而適合用於凹版印刷。但並非意指排除其適用於網版印刷。
本發明之扁平狀金屬/合金微粒子1、導電性糊72可廣泛用於電子零件。已如參照圖10所說明般，例如，即使是在形成平面電極的情況下亦可適用。
當然，適用於積層陶瓷電容器所代表的積層電子零件之內部電極51是相當重要的用途，但即使如此，也不限於積層陶瓷電容器，亦可適用於積層致動器(actuator)、積層感應器(inductor)、積層插入物(interposer)、積層複合零件等各式各樣的用途。
Claims (8)
- 一種導電性微粉末，其係含有扁平狀之金屬/合金微粒子之導電性微粉末，其特徵為：該扁平狀金屬/合金微粒子具有於母材中混合或生成有結晶或非結晶之奈米粒子之奈米複合構造，其最大厚度為50nm以下，最大直徑為該厚度之2倍以上，且含有高融點金屬與低融點金屬；該母材及該奈米粒子係由自Ni、Cr、Ag、Cu、Au、Pt、Pd、Sn、In、Bi、Ga或Sb之群中選擇的至少一種所構成。
- 如申請專利範圍第1項之導電性微粉末，其中，該奈米複合構造係含有以下三者中的任一者：於母材組織之內部分散有奈米粒子者；於母材組織之粒子邊界分散有奈米粒子者；或者於母材組織之內部分散有奈米粒子且於母材組織之粒子邊界分散有奈米粒子者。
- 一種導電性糊，其係含有導電性微粉末與有機載體之導電性糊，該導電性微粉末係如中請專利範圍第1或2項之導電性微粉末，且分散於該有機載體中。
- 一種電子零件，其係具有電極之電子零件，該電極係具有含有如申請專利範圍第1項之導電性微粉末之燒結體的奈米複合構造。
- 如申請專利範圍第4項之電子零件，其中，該電極為複數層，其分別於陶瓷本體之內部埋設成層狀。
- 一種電子零件，其係具有電極之電子零件，該電極係具有含有如申請專利範圍第3項之導電性糊之燒結體的奈米複合構造。
- 如申請專利範圍第6項之電子零件，其中，該電極為複數層，其分別於陶瓷本體之內部埋設成層狀。
- 一種製造電子零件之方法，其中，包含在陶瓷‧生胚‧薄片之至少一面上將導電性糊進行凹版印刷之步驟，且該導電性糊係如申請專利範圍第3項之導電性糊。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012064176A JP5124691B1 (ja) | 2012-03-21 | 2012-03-21 | 導電性微粉末、導電性ペースト及び電子部品 |
| JP2012-064176 | 2012-03-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201344705A TW201344705A (zh) | 2013-11-01 |
| TWI626662B true TWI626662B (zh) | 2018-06-11 |
Family
ID=47692898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102109788A TWI626662B (zh) | 2012-03-21 | 2013-03-20 | 導電性微粉末、導電性糊、電子零件及其製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130250481A1 (zh) |
| EP (1) | EP2642492A1 (zh) |
| JP (1) | JP5124691B1 (zh) |
| KR (1) | KR20130107248A (zh) |
| CN (1) | CN103325434A (zh) |
| SG (1) | SG193728A1 (zh) |
| TW (1) | TWI626662B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9536632B2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-01-03 | Sunpower Corporation | Mechanically deformed metal particles |
| JP5885351B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2016-03-15 | 有限会社 ナプラ | 接合部及び電気配線 |
| JP6029222B1 (ja) | 2015-07-08 | 2016-11-24 | 有限会社 ナプラ | 金属粒子、ペースト、成形体、及び、積層体 |
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| US20210308807A1 (en) * | 2018-08-08 | 2021-10-07 | Kuprion Inc. | High-Temperature Solders and Connections Formed Therefrom |
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- 2012-03-21 JP JP2012064176A patent/JP5124691B1/ja active Active
-
2013
- 2013-03-12 US US13/795,285 patent/US20130250481A1/en not_active Abandoned
- 2013-03-12 SG SG2013018155A patent/SG193728A1/en unknown
- 2013-03-19 EP EP13275071.2A patent/EP2642492A1/en not_active Withdrawn
- 2013-03-20 TW TW102109788A patent/TWI626662B/zh active
- 2013-03-20 KR KR1020130029915A patent/KR20130107248A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-03-21 CN CN201310091341XA patent/CN103325434A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103325434A (zh) | 2013-09-25 |
| JP5124691B1 (ja) | 2013-01-23 |
| SG193728A1 (en) | 2013-10-30 |
| KR20130107248A (ko) | 2013-10-01 |
| US20130250481A1 (en) | 2013-09-26 |
| TW201344705A (zh) | 2013-11-01 |
| EP2642492A1 (en) | 2013-09-25 |
| JP2013196967A (ja) | 2013-09-30 |
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