TWI626159B - 薄膜積層體之製造方法及薄膜積層體之製造設備 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種薄膜積層體之積層方法及薄膜積層體之製造設備。在無塵室設置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並在使已鄰接之2個前述區塊之上游側實施異物除去,且在比該上游側使無塵度更加提升的下游側,實施保護薄膜的貼合。
Description
本發明有關於一種薄膜積層體之製造方法及薄膜積層體之製造設備,更詳而言之,是有關於一種薄膜積層體的製造方法及用以製造上述薄膜積層體的製造設備,其可在光學薄膜之表面透過黏接層,製作積層有保護薄膜之薄膜積層。
習知,作為適用於圖像顯示裝置等之光學製品的光學薄膜,普遍使用偏光薄膜(偏光板)。
此種偏光薄膜通常為連續地製作而成長條之帶狀。
且,偏光薄膜會作為至少在其中一方的面透過黏接層而積層有前述保護薄膜的薄膜積層體,進而以使該薄膜積層體捲繞成輥狀之稱為原料輥的形式來暫時保管。
之後,利用打孔等從前述原料輥將具有預定形狀之薄片(偏光板)切割,該薄片便可作為用以組裝光學製品的產品
來出貨。
而,前述原料輥中,偏光薄膜不一定橫跨全面地都為良品。
故,會進行在前述打孔前,暫時將保護薄膜從原料輥剝離,將此放入檢查裝置來檢查缺陷處。
上述情形,對於再度檢查後之偏光薄膜,將保護薄膜積層並重新製作薄膜積層體後,便可進行前述打孔。
此種偏光薄膜之檢查或薄膜積層體之製作通常會在無塵室內來實施(參照下述專利文獻1)。
[專利文獻1]日本特開2009-069142號公報
如前述之薄膜積層體的製作時,在防止異物混入該當薄膜積層體之情況下,期望前述無塵室之無塵度為相當高度者。
但,要使薄膜積層體之製造設備整體維持相當高之無塵度並非易事,利用了習知設備之薄膜積層體的製造時,會有不易抑制異物混入最終所獲得之薄膜積層體的問題。
本發明之課題為解決上述問題,且將抑制異物混入薄膜積層體之情形作為課題。
而,期望抑制異物混入薄膜積層體之情形,不單
是對於檢查後之偏光薄膜再度使保護薄膜貼合的情況,針對為了製作檢查前之原料輥而對於偏光薄膜使保護薄膜貼合的情況,亦為相同。
又,期望抑制異物混入薄膜積層體之情形,不單是光學薄膜為偏光薄膜的情況,針對其他光學薄膜亦為相同。
本發明者著眼於藉由局部地包圍設置有對於光學薄膜貼合保護薄膜來製作薄膜積層體之貼合裝置的區塊,而使該區塊之無塵度比無塵室內之其他區域更加提升之情形變為容易,為了解決上述課題,進行了積極地檢討。
且,本發明者找出以下方法而達成本發明:設置對前述區塊的前段亦局部地包圍的區塊,使該前段側區塊(第1區塊)比無塵室內其他區域,使無塵度更加提升,且在該當第1區塊實施對光學薄膜等之異物除去,並使該第1區塊後段側之區塊(第2區塊)的無塵度進而更加提升,且在該當第2區塊,實施前述貼合,藉此與習知之薄膜積層體相比,便可獲得能抑制混入異物的薄膜積層體。
即,用以解決上述課題之薄膜積層體之製造方法的本發明其特徵在於:將帶狀光學薄膜,或是,在該光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式,在無塵室內移送,又,在該無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊當中之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置
於前述移動方向上游側,實施前述移送而使前述光學薄膜或是前述薄膜積層體通過前述第1區塊朝前述第2區塊供給,又,在前述第1區塊實施從前述光學薄膜或是前述薄膜積層體表面除去異物的異物除去步驟後,在前述第2區塊實施於前述光學薄膜或是已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後之光學薄膜貼合保護薄膜的貼合步驟來製作薄膜積層體。
又,用以解決上述課題之薄膜積層體之製造設備的本發明其具有:無塵室;移送機構,將帶狀光學薄膜,或是,在該光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式在前述無塵室內移送;異物除去裝置,除去附著於由前述移送機構所移送之前述光學薄膜或是前述薄膜積層體表面的異物;貼合裝置,於前述光學薄膜,或是,已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後的光學薄膜,貼合保護薄膜;又,其特徵在於:在前述無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊內之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置於前述移動方向上游側,且,為了將前述光學薄膜或是前述薄膜積層體透過前述第1區塊朝前述第2區塊移送,而具備有前述移送機構,又,前述異物除去裝置配置於前述第1區塊並且前述貼合裝置配置於前述第2區塊。
根據本發明,便可抑制異物混入薄膜積層體。
1‧‧‧送出機
2‧‧‧異物除去裝置
3‧‧‧剝離裝置
4‧‧‧檢查裝置
5‧‧‧貼合裝置
6‧‧‧捲繞機
21‧‧‧黏接輥
a1、a2‧‧‧黏接層
A1‧‧‧第1區塊
A2‧‧‧第2區塊
C0~C2‧‧‧無塵度
CR‧‧‧無塵室
f0‧‧‧初期薄膜積層體
f0’‧‧‧最終薄膜積層體
fa‧‧‧附有黏接層之偏光薄膜
fb‧‧‧附有黏接層之保護薄膜
fb’‧‧‧新附有黏接層之保護
薄膜
fc‧‧‧附有黏接層之隔離膜
fx‧‧‧偏光薄膜
fy‧‧‧保護薄膜(隔離膜)
fy’‧‧‧新隔離膜
fz‧‧‧保護薄膜
P0~P2‧‧‧正壓
圖1是顯示利用於本發明之製造方法之初期之薄膜積層體之構成的概略立體圖。
圖2是用以實施本發明之製造方法之設備之一態樣的概略圖。
圖3是顯示本發明之製造方法之其他實施形態的概略圖。
圖4是顯示本發明之製造方法之其他實施形態的概略圖。
以下,針對本發明之適宜實施形態來說明。
而,在此,以以下情形為例來說明薄膜積層體之製造方法:從在帶狀偏光薄膜之兩面透過黏接層積層有保護薄膜的薄膜積層體將保護薄膜除去,使前述偏光薄膜露出表面,並對該偏光薄膜用檢查裝置進行光學性檢查之後,對於前述偏光薄膜再度將保護薄膜積層,形成與初期之薄膜積層體相同的薄膜積層體。
首先,參照圖1將用本發明之製造方法所製作之薄膜積層體的構成加以說明。
圖1是顯示初期之薄膜積層體(以下亦稱為「初期薄膜積層體」)的積層構造者。
而,在以下,將該初期之薄膜積層體稱為「初期薄膜積層體」,並將在前述檢查後重新製作之薄膜積層體稱為「最終薄膜積層體」,來區別各個積層體。
如圖1所示,初期薄膜積層體f0具有:長條帶狀之偏光薄膜fx、與用以保護該偏光薄膜fx之兩面的2片保護薄膜fy、fz。
該薄膜積層體f0之2片前述保護薄膜fy、fz具有與偏光薄膜fx相同的形狀,分別透過黏接層a1、a2與偏光薄膜fx接著。
因此,本實施形態之初期薄膜積層體f0是平面形狀與偏光薄膜fx同樣為長條帶狀,厚度比偏光薄膜fx更厚,從圖1上方開始,具有成為保護薄膜fy、黏接層a1、偏光薄膜fx、黏接層a2、及保護薄膜fz之順序的層構成。
而,本實施形態中,會使2片前述保護薄膜fy、fz兩方均在檢查裝置之檢查前從偏光薄膜fx剝離。
更詳而說明之,前述保護薄膜fy、fz當中,會使上側保護薄膜fy在檢查前便從與偏光薄膜fx之間的黏接層a1(以下亦稱為「第1黏接層a1」)表面剝離。
另一方面,下側保護薄膜fz隨著與偏光薄膜fx之間的黏接層a2(以下亦稱為「第2黏接層a2」)而成為附有黏接層之保護薄膜fb,並在檢查前從偏光薄膜f0表面剝離。
而,在以下,單純稱為「保護薄膜」時,只要無特別情形時,是意味著變成附有黏接層之保護薄膜fb且從偏光薄膜fx剝離的下側保護薄膜fz,又,從第1黏接層a1表面所剝離之上側保護薄膜fy會稱為「第1保護薄膜fy」或是「隔離膜fy」,使其與下側保護薄膜fz來區別。
又,以下,為了更使區別明確,會有將下側之保護薄
膜fz稱為「第2保護薄膜fz」的情形。
接著,參照圖2,針對薄膜積層體之製造方法的第一實施形態來說明。
首先,針對製造設備來說明。
如圖2所示,用以製造最終薄膜積層體之設備會具有:無塵室CR、與配置於該無塵室內之各種裝置類。
本實施形態之製造設備是在前述無塵室內之薄膜積層體之生產線的兩端設置有:裝設有將前述初期薄膜積層體f0捲繞而成之原料輥的送出機1、及用以將前述最終薄膜積層體f0’捲繞而形成製品輥的捲繞機6。
該製造設備具有將前述初期薄膜積層體f0以長邊方向移動方向為長邊方向的方式來移送的移送機構。
該製造設備是將在前述無塵室內移送前述初期薄膜積層體f0之移送機構,利用前述送出機1與前述捲繞機6來構成。
前述製造設備利用無塵室內之區域來對無塵度設置差異。
該無塵室至少具有無塵度不同之3個區塊,與該3個區塊當中之無塵度最低的區塊相比,至少具有2個以上顯示較高之無塵度的區塊。
而,前述製造設備針對該無塵度較高之2個區塊以外的其他區域亦會確保標準的無塵度(例如ISO 7層級)。
前述製造設備在前述送出機1與前述捲繞機6之間,具有比無塵室內其他區域無塵度更高之第1區塊A1與比該第1
區塊無塵度進而更高之第2區塊A2,並使該第1區塊A1與第2區塊A2在初期薄膜積層體f0之移動方向鄰接且將前述第1區塊A1配置於前述移動方向上游側。
即,前述製造設備會從配置有比第1區塊A1更上游側之前述送出機1的區域,來朝第1區塊A1、第2區塊A2階段性地使無塵度提升。
本實施形態之前述移送機構構造成使薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式來移送,並構造成使該薄膜積層體依照第1區塊A1、第2區塊A2之順序來通過。
前述第1區塊A1是用以將附著於初期薄膜積層體f0表面之異物除去的區塊,前述第2區塊A2是用以對從初期薄膜積層體f0剝離保護薄膜後的偏光薄膜(附有黏接層之偏光薄膜fa)將保護薄膜貼合的區塊。
且,本實施形態之前述製造設備構造成從前述送出機1所送出之初期薄膜積層體f0以前述隔離膜側朝向上面側之形態來移送,又該初期薄膜積層體f0會通過第1區塊A1朝第2區塊A2供給,使在該第2區塊A2所獲得之最終薄膜積層體f0’藉由設於比第2區塊A2更下游側之前述捲繞機6來捲繞。
而,前述第1區塊A1或前述第2區塊A2可藉由在前述無塵室CR內部使小型無塵室鄰接配置而形成,而取代將上述小型無塵室設置於無塵室內之方法,亦可藉由從地板面到天花板面來分隔前述無塵室CR的空間而形成。
又,利用小型無塵室使第1區塊A1或第2區塊A2形成時,該無塵室亦可是俗稱無塵棚(clean booth)等之簡易者。
本實施形態之製造設備中,前述第1區塊A1配置有將附著於利用前述移送機構所移送之初期薄膜積層體f0表面的異物加以除去的異物除去裝置2。
又,本實施形態之製造設備從薄膜積層體之移動方向上游側,按順序地,在前述第2區塊A2具有剝離裝置3、檢查裝置4、及貼合裝置5。
前述異物除去裝置2是用以使從初期薄膜積層體f0表面除去異物之異物除去步驟在前述第1區塊A1實施者,而只要可除去附著於如本實施形態之薄膜積層體之帶狀薄片表面的異物者,無論何物均可採用,但比起例如將異物與風一起吸引除去之類型,直接地與帶狀薄片表面抵接來除去異物之類型者在可更確實地除去異物上較佳。
因此,本實施形態中,將具備有一對黏接輥21之異物除去裝置2配置於前述第1區塊A1。
一對前述黏接輥21可在旋轉軸周圍旋轉,使旋轉軸為與初期薄膜積層體f0之移送方向大致正交的水平方向,且成為上下二段地設置於異物除去裝置2。
該一對前述黏接輥21具有初期薄膜積層體f0寬度以上的長度,以將該初期薄膜積層體f0輕輕地夾住之形態在初期薄膜積層體f0上面(隔離膜)、與下面(保護薄膜)的兩方使個別的外周面抵接之。
且,前述黏接輥21配置成橫跨初期薄膜積層體f0之全寬度地抵接,並配置成隨著初期薄膜積層體f0之移動而一起轉動。
即,初期薄膜積層體表面之附著異物以轉印至旋轉之前述黏接輥21之外周面的形態,從初期薄膜積層體f0表面被除去。
已通過該異物除去裝置2之初期薄膜積層體f0緊接著異物除去裝置2被供給至前述剝離裝置3,前述剝離裝置3是用以在前述第2區塊A2實施從初期薄膜積層體f0之其中一面側(下面側)將附有黏接層之保護薄膜fb剝離除去並且從另一面側(上面側)將前述隔離膜fy剝離除去的剝離步驟者。
又,設於前述剝離裝置3下游側之前述檢查裝置4是用以在前述第2區塊A2實施已剝離保護薄膜後之附有黏接層之偏光薄膜fa之光學特性檢查的檢查步驟者,且是用以找出偏光薄膜之缺陷處者。
且,與剝離裝置3或檢查裝置4一起設置於第2區塊A2的貼合裝置5是用以實施在已通過前述檢查裝置4後之附有黏接層之偏光薄膜fa上面側將新隔離膜fy’透過第1黏接層a1來積層,並且在前述附有黏接層之偏光薄膜fa下面側將新附有黏接層之保護薄膜fb’積層的貼合步驟者,且是用以在附有黏接層之偏光薄膜fa之兩面設置保護薄膜而使之形成為與初期薄膜積層體f0具有相同構成的最終薄膜積層體f0’者。
而,本實施形態中,為了將保護薄膜從初期薄膜積層體f0之兩面剝離除去並使檢查裝置4之偏光薄膜的檢查精度提升,在檢查裝置4之上游側設置前述剝離裝置3,
但前述剝離裝置3之保護薄膜的剝離不需要對薄膜積層體f0兩面都實施,亦可只在單面側實施。
又,重點是,亦可不在第2區塊A2設置剝離裝置3,而是維持在兩面設置保護薄膜之狀態來實施檢查裝置4的檢查。
進而,本實施形態中,已例示貼合裝置5之貼合步驟中使用新隔離膜fy’或附有黏接層之保護薄膜fb’的情形,但亦可例如圖3所示,將用剝離裝置3剝離之隔離膜fy繞過檢查裝置4而朝貼合裝置5供給,並用該貼合裝置5再度貼合於原本之面(上面)。
又,亦可將附有黏接層之保護薄膜fb之側繞過檢查裝置4而朝貼合裝置5供給,用該貼合裝置5再度貼合於原本之面(下面)。
進而,亦可將隔離膜fy與附有黏接層之保護薄膜fb兩方都繞過檢查裝置4而朝貼合裝置5供給,用該貼合裝置5再度貼合於原本之面。
使用了這些製造設備之薄膜積層體之製造方法中,使初期薄膜積層體f0之異物除去、構成該初期薄膜積層體f0之偏光薄膜的檢查、及朝檢查後之偏光薄膜之保護薄膜的貼合一起進行,便可連續地製造最終薄膜積層體f0’。
且,該薄膜積層體之製造方法中,可使偏光薄膜為露出狀態之第2區塊A2,無塵度為高度狀態。
因此,即使是維持高度無塵度之空間為較狹小者,亦可抑制異物混入最終薄膜積層體f0’。
且,本實施形態中,在第2區塊A2之先前設置無塵度之高度僅次於該當第2區塊A2的第1區塊A1,並在該第1區塊A1實施對初期薄膜積層體f0的異物除去。
因此,本實施形態中,與先前區塊之無塵度的差異變小,便可抑制初期薄膜積層體f0所連帶而朝第2區塊A2帶入異物的情形。
即,藉由第2區塊A2比光學薄膜或薄膜積層體之移動經路之先前區塊即第1區塊A1無塵度要更高,第1區塊A1比該先前區塊無塵度更高的情形,便可抑制異物之帶入。
本實施形態中,藉由在無塵度較高之第1區塊A1進行異物除去,異物不會再附著於異物除去後之薄膜積層體f0,便易於使第2區塊A2維持無塵度高之狀態且可抑制異物混入最終薄膜積層體f0’。
而,為了使上述階段性之無塵度在無塵室CR形成,例如,只要使前述第1區塊A1比無塵室內之其他區域正壓為更高狀態,並使第2區塊A2之正壓比第1區塊A1進而更高即可。
即,用以製造薄膜積層體之無塵室是在例如將無塵度相對於第1區塊A1與第2區塊A2較低之無塵室內之其他區域的正壓當作「P0」、無塵度當作「C0」,將第1區塊A1之正壓當作「P1」、無塵度當作「C1」,進而將第2區塊之正壓當作「P2」、無塵度當作「C2」時,只要將分別之環境調整為下述關係即可。
(正壓)0<P0<P1<P2
(無塵度)低:C0<C1<C2:高
具體而言,前述無塵室例如可使第2區塊之無塵度(C2)為等級100以下(ISO 1~ISO 5),使第1區塊之無塵度(C1)為等級1000以下(ISO 1~ISO 6),使其他區域之無塵度(C0)為等級10000以下(ISO 1~ISO 7)。
即,第1區塊之先前區塊、第1區塊、及第2區塊只要例如依照順序,以ISO 14644-1所規定之等級1個1個升級的方式來設定無塵度即可。
而,使初期薄膜積層體f0形成時亦可發揮如前述效果,針對用以製造初期薄膜積層體f0之製造方法亦為本發明所意圖的範圍。
針對用以製作該初期薄膜積層體f0之薄膜積層體之製造方法,以下參照圖4並且作為第二實施形態來說明。
圖4所例示之本發明的第二實施形態於在無塵室CR具有比其他區域相對地無塵度較高之第1區塊A1、與比該第1區塊A1相對地無塵度更高的第2區塊A2的點上,與第一實施形態為共通。
又,於在前述第1區塊A1配置異物除去裝置1、在前述第2區塊A2配置貼合裝置5之點上,第二實施形態亦與第一實施形態為共通。
另一方面,相對於第一實施形態在第1區塊A1除去異物之對象是在偏光薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的初期薄膜積層體f0,第二實施形態中,在第1區塊A1
除去異物之對象是偏光薄膜單體,這點與第一實施形態並不相同。
又,於剝離裝置3未配置於第2區塊A的點上,第二實施形態亦與第一實施形態不同。
而,該當第二實施形態中,已例示初期薄膜積層體f0之形成前在第2區塊A配置檢查裝置4而使其可檢查偏光薄膜fx之光學特性的態樣,但重點是亦可不在第2區塊A配置檢查裝置4。
又,第二實施形態於用貼合裝置5在偏光薄膜fx下面側將附有黏接層之保護薄膜fb’積層之點上,雖與第一實施形態共通,但從偏光薄膜fx的上面側與第一實施形態不同地並未具有黏接層(第1黏接層a1)來看,在取代隔離膜fy使附有黏接層之隔離膜fc積層的點上,會與第一實施形態不同。
即,第一實施形態中,已透過存在於偏光薄膜上之黏接層來積層隔離膜fy,但第二實施形態中,則透過存在於隔離膜側之黏接層,在偏光薄膜fx使隔離膜fy積層。
該當實施形態之薄膜積層體(初期薄膜積層體f0)之製造方法可利用以下態樣來實施:使長條帶狀之偏光薄膜fx在長邊方向移送並朝前述異物除去裝置1供給,並將通過該異物除去裝置1之前述偏光薄膜fx朝前述貼合裝置5供給,且使在前述第1區塊之前述異物除去裝置1之異物除去與在前述第2區塊之前述貼合裝置5之對前述偏光薄膜fx之保護薄膜fy、fz的貼合一起進行,來連續地製造薄膜積層體。
而,上述內容中,以在偏光薄膜上透過黏接層積層保護薄膜或隔離膜的薄膜積層體為例,來例示了薄膜積層體之製造方法,但本發明並未將與保護薄膜等一起構成薄膜積層體的光學薄膜限定於偏光薄膜,在位相差薄膜、輝度提升薄膜、或是使該等積層之光學薄膜等上積層保護薄膜來製作薄膜積層體的情形等,亦為本發明所意圖的範圍。
又,上述內容中,雖已例示無塵度較高之區塊在2處形成的態樣,但欲實施本發明,例如亦可在第1區塊之先前,設置比其他區塊相對地無塵度更高且比第1區塊無塵度更低的區塊,並朝向第2區塊依3階段地使無塵度提升。
理所當然地,進而設置無塵度較高之區塊,使無塵度依4階段以上地來提升之情形亦為本發明所意圖的範圍。
進而本發明不限於上述,亦可進而增加各種變更。
Claims (6)
- 一種薄膜積層體之製造方法,其特徵在於:將帶狀光學薄膜,或是,在該光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式,在無塵室內移送,在該無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊當中之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置於前述移動方向上游側,實施前述移送而使前述光學薄膜或是前述薄膜積層體通過前述第1區塊朝前述第2區塊供給,在前述第1區塊實施從前述光學薄膜或是前述薄膜積層體表面除去異物的異物除去步驟後,在前述第2區塊,對從前述光學薄膜、已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後之光學薄膜,或是,對積層有前述保護薄膜的狀態之前述薄膜積層體,實施檢查光學特性的檢査步驟,且於前述第1區塊之前述異物除去步驟後,緊接著在該第2區塊實施前述檢査步驟,進而在前述第2區塊實施於前述光學薄膜、或是已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後之光學薄膜,貼合保護薄膜的貼合步驟來製作薄膜積層體。
- 一種薄膜積層體之製造方法,其特徵在於:將帶狀光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式,在無塵室內移送,在該無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊當中之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置於前述移動方向上游側,實施前述移送而使前述薄膜積層體通過前述第1區塊朝前述第2區塊供給,在前述第1區塊實施從前述薄膜積層體表面除去異物的異物除去步驟,在前述第2區塊,進而配置:用以從前述異物除去步驟後之薄膜積層體剝離保護薄膜的剝離裝置、與檢查由該剝離裝置剝離保護薄膜後之光學薄膜之光學特性的檢查裝置,於前述第1區塊之前述異物除去步驟後,緊接著在該第2區塊藉由前述剝離裝置實施前述剝離,在該第2區塊,實施利用前述檢查裝置檢查已剝離保護薄膜後之前述光學薄膜之光學特性的檢査步驟,並對該檢査步驟後之光學薄膜實施貼合保護薄膜的貼合步驟。
- 如請求項1或2之薄膜積層體之製造方法,其中在前述異物除去步驟使用黏接輥,使前述黏接輥之外周面抵接於前述光學薄膜或是前述薄膜積層體表面並實施附著於前述表面之異物的除去。
- 一種薄膜積層體之製造設備,其特徵在於具有:無塵室;移送機構,將帶狀光學薄膜,或是,在該光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式在前述無塵室內移送;異物除去裝置,除去附著於由前述移送機構所移送之前述光學薄膜或是前述薄膜積層體表面的異物;檢査裝置,對前述光學薄膜、已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後之光學薄膜,或是,對積層有前述保護薄膜的狀態之前述薄膜積層體,檢查光學特性;及貼合裝置,於前述光學薄膜,或是,已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後的光學薄膜,貼合保護薄膜,且,在前述無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊內之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置於前述移動方向上游側,且,為了將前述光學薄膜或是前述薄膜積層體透過前述第1區塊朝前述第2區塊移送,而具備有前述移送機構,又,前述異物除去裝置配置於前述第1區塊並且前述檢査裝置與前述貼合裝置配置於前述第2區塊,並使前述光學薄膜或是前述薄膜積層體在前述異物除去裝置後,緊接著供給至前述檢査裝置。
- 一種薄膜積層體之製造設備,其特徵在於具有:無塵室;移送機構,將帶狀光學薄膜表面透過黏接層而積層有保護薄膜的帶狀薄膜積層體以長邊方向為移動方向的方式在前述無塵室內移送;異物除去裝置,除去附著於由前述移送機構所移送之前述薄膜積層體表面的異物;剝離裝置,用以從已通過異物除去裝置之前述薄膜積層體剝離保護薄膜;檢査裝置,檢查由該剝離裝置剝離保護薄膜後之光學薄膜之光學特性;及貼合裝置,於已從前述薄膜積層體剝離保護薄膜後的光學薄膜,貼合保護薄膜,且,在前述無塵室,配置2個以上比其他區域無塵度更高的區塊,並使該2個以上之區塊當中之第1區塊與比該第1區塊無塵度更高的第2區塊在前述移動方向鄰接且將前述第1區塊配置於前述移動方向上游側,且,為了將前述薄膜積層體透過前述第1區塊朝前述第2區塊移送,而具備有前述移送機構,又,前述異物除去裝置配置於前述第1區塊並且前述剝離裝置、前述檢査裝置以及前述貼合裝置配置於前述第2區塊,且,使前述薄膜積層體在前述異物除去裝置後,緊接著供給至前述剝離裝置,並對於由前述檢査裝置所檢査後之光學薄膜藉前述貼合裝置來實施保護薄膜的貼合。
- 如請求項4或5之薄膜積層體之製造設備,其中前述異物除去裝置具有黏接輥,並在該異物除去裝置,使前述黏接輥之外周面抵接於前述光學薄膜或是前述薄膜積層體之表面,並實施附著於前述表面之異物的除去。
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