TWI615662B - 顯示裝置及電子設備 - Google Patents

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TWI615662B
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insulating film
sealing layer
film
end edge
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山口潤
野村盛一
藤村尚
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日本顯示器股份有限公司
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Abstract

本發明揭示一種顯示裝置，其包括：一像素區段，其設置於一對基板之間且包括複數個像素；一或複數個主動組件，其安置於該對基板中之一個基板上圍繞該像素區段之一框架區中；一絕緣膜，其設置於該一個基板上之該框架區中以覆蓋該一或複數個主動組件；及一密封層，其經提供以密封該像素區段及覆蓋該框架區中該絕緣膜之一端邊緣部分。

Description

顯示裝置及電子設備
本發明係關於一種包括一顯示組件及封裝於面板基板之間的一驅動組件之顯示裝置。
在一液晶顯示裝置或諸如一有機電致發光(下文中稱作EL)顯示裝置等一視訊顯示裝置中，當濕氣進入至一顯示面板中時，使一液晶層及一有機EL層之特性劣化或在佈線層或諸如此類中發生侵蝕。因此，該顯示裝置包括其中藉由一密封材料或諸如此類來接合及密封顯示面板之周邊之一結構。關於用於顯示面板之一密封結構已提出各種提議(JP-A-2005-78946及JP-A-1-239528)。
舉例而言，JP-A-2005-78946及JP-A-1-239528提議用密封材料密封一顯示面板之周邊之一方法，該顯示面板包括其中電極、一發光層及諸如此類係層壓於於其上提供用於驅動周邊電路及像素之薄膜電晶體(TFT)之一基板上之一結構。
在上文所闡釋之顯示裝置中，在一顯示區(一有效顯示區)及該顯示區之一周邊區(一框架區)中安置TFT作為像素之驅動組件及周邊電路。然而，JP-A-2005-78946中所揭示之方法採用一密封結構，在該密封結構中，此等TFT係設置於由一無機絕緣膜形成之一平坦化膜上且提供密封材料以環繞該等TFT之更遠外側。為給予該密封結構充分之密 封效能，需要在一定程度上使該密封材料之寬度緊閉。因此，在其中將密封材料設置於TFT之外側上之此一密封結構中，難以實現面板框架之寬度之一減小。
因此，期望提供可實現框架之寬度之減小而不降低密封效能之一顯示裝置及一電子設備。
本發明之一實施例係針對一種顯示裝置，其包括：一像素區段，其設置於一對基板之間且包括複數個像素；一或複數個主動組件，其安置於該對基板中之一個基板上之圍繞該像素區段之一框架區中；一絕緣膜，其設置於該一個基板上之該框架區中以覆蓋該一或複數個主動組件；及一密封層，其經提供以密封該像素區段及覆蓋該框架區中該絕緣膜之一端邊緣部分。
在根據該實施例之顯示裝置中，該絕緣膜係設置於該對基板之間以覆蓋安置於該像素區段之該框架區中之該一個或複數個主動組件。該密封層經提供以密封該框架區中之該像素區段及覆蓋該絕緣膜之端邊緣部分。因此，可在實現減小框架區之一空間之同時抑制濕氣及諸如此類侵入至主動組件及像素區段中。
本發明之另一實施例係針對包括根據該實施例之顯示裝置之一種電子設備。
對於根據該實施例之顯示裝置，該絕緣膜係設置於該對基板之間以覆蓋安置於該像素區段之該框架區中之該一個或複數個主動組件。該密封層經提供以密封該框架區中之像素區段及覆蓋該絕緣膜之端邊緣部分。因此，可實現框 架寬度之一減小而不降低密封效能。
下文參照隨附圖式詳細地闡釋本發明之實例性實施例。按以下所闡述之次序來進行該闡釋。
1.第一實施例(包括一密封結構之一液晶顯示裝置之一實例，在該密封結構中，一密封層之一端邊緣部分比覆蓋TFT(由低溫多晶矽形成之一底部閘極結構)之一平坦化膜之一端邊緣部分更遠地設置於外側上)
2.第二實施例(其中在一密封層與一平坦化膜之間提供一保護膜之一實例)
3.修改形式1(其中在該密封層與該平坦化膜之間提供保護膜之另一實例)
4.第三實施例(根據一FFS模式而顯示驅動之一液晶顯示裝置之一實例)
5.修改形式2(其中在FFS模式之液晶顯示裝置中之相同製程中圖案化形成設置於一對電極之間的一絕緣膜及一保護膜之一實例)
6.修改形式3(其中設置於該對電極之間的絕緣膜經形成而延伸至一框架且用作FFS模式之液晶顯示裝置中之保護膜之一實例)
7.修改形式4(其中在TFT(一底部閘極結構)上提供一電極保護膜之一實例)
8.修改形式5(其中提供一頂部閘極結構之電晶體作為TFT之一實例)
9.修改形式6(其中在TFT(頂部閘極結構)上提供電極保護膜之一實例)
10.修改形式7(其中將非晶矽用作TFT之一實例)
11.修改形式8(其中在一框架區中之一平坦化膜中提供一凹陷之一實例)
12.修改形式9(其中提供凹陷之另一實例)
13.修改形式10(其中一密封層覆蓋一相對基板側上之一平坦化膜之一端邊緣部分之一實例)
14.應用實例(關於電子設備之應用實例)
<第一實施例>
[一液晶顯示裝置1A之組態實例]
圖1係根據本發明一第一實施例之一液晶顯示裝置1A之一剖面結構(在一像素區段10A與一框架區10B之間的一邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於一液晶面板中之一對基板(一驅動側基板10與一相對基板18)之間。在像素區段10A中，舉例而言，複數個像素(例如，R(紅色)、G(綠色)及B(藍色)子像素)經配置而呈一矩陣形狀。雖然在圖1中未展示，但一背光安置於驅動側基板10下方。偏光板分別黏至驅動側基板10之一光入射側及相對基板18之一光發射側(此適用於其他實施例)。液晶顯示裝置1A包括其中藉由圍繞像素區段10A之框架區10B中之一密封層19(一密封層)來接合及密封像素區段10A之一結構。在此實施例中，闡釋根據一所謂縱向電場模式顯示驅動之一液晶顯示裝置。
在液晶顯示裝置1A中，複數個TFT 11、佈線層(信號線、掃描線等)、一儲存電容組件(未展示)及諸如此類係自像素區段10A至框架區10B安置於驅動側基板10上。提供一平坦化膜13來覆蓋TFT 11及諸如此類。在像素區段10A中，複數個像素電極14A安置於平坦化膜13上。像素電極14A中之每一者經由設置於平坦化膜13中之接觸孔電連接至一下部層中之TFT 11。一濾色器17A及一遮光層17B係設置於相對基板18之一表面側上。用一平坦化膜16覆蓋濾色器17A及遮光層17B。一相對電極14B係安置於平坦化膜16上。一液晶層15固持於驅動側基板10與相對基板18之間。經由像素電極14A及相對電極14B將一電壓供應至液晶層15。未展示之定向膜分別形成於像素電極14A及相對電極14B之液晶層15側上之表面上。
驅動側基板10係由(舉例而言)一玻璃基板形成。在驅動側基板10上，提供上文所闡釋之像素區段10A。在圍繞像素區段10A之框架區10B中，安置用於顯示驅動像素區段10A之周邊電路(例如，一信號線驅動電路61、一掃描線驅動電路62、一背光驅動單元63及下文所闡釋之一時序控制單元64)。
TFT 11係(舉例而言)一底部閘極類型(一顛倒交錯類型)之薄膜電晶體。具體而言，在TFT 11中，閘極電極121係安置於驅動側底板10上。在閘極電極121上，經由一層間絕緣膜123a(一閘極絕緣膜)提供半導體層122。在半導體層122上，層壓一層間絕緣膜123b。安置源極電極/汲極電 極124以填充形成於層間絕緣膜123b中之接觸孔。
閘極電極121根據施加至該電晶體之一閘極電壓(Vg)來控制半導體層122中之載流子密度且具有用於供應電位之一電線之一功能。閘極電極121係由包括(舉例而言)鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銀(Ag)及銅(Cu)中之一種之一單一物質或一合金形成之層壓膜或係包括此等物質中之兩種或兩種以上之層壓膜。另一選擇係，閘極電極121可係由諸如ITO(氧化銦錫)、AZO(摻雜鋁之氧化鋅)或GZO(摻雜鍺之氧化鋅)等透明導電膜形成。
層間絕緣膜123a及123b係由(舉例而言)一個氧化矽膜(SiO2)、一個氮化矽膜(SiN)及一個氧氮化矽膜(SiON)中之一種形成之單層膜或係由此等膜中之兩種或兩種以上形成之層壓膜。
半導體層122根據一閘極電壓之施加而形成通道。半導體層122係由(舉例而言)低溫多晶矽形成。半導體層122不限於低溫多晶矽。可使用非晶矽(下文所闡釋)或微晶矽。可使用諸如氧化銦鎵鋅(IGZO或InGaZnO)等之一個氧化物半導體。
源極電極/汲極電極124充當TFT 11之源極或汲極。源極電極/汲極電極124係電連接至半導體層122之源極區或汲極區。源極電極/汲極電極124係包括(舉例而言)鉬、鈦、鋁、銀及銅中之一種之單一物質或合金或係包括此等物質中之兩種或兩種以上之層壓膜。信號線(下文所闡釋之信號線DTL)係電連接至源極電極/汲極電極124(或源極電極/ 汲極電極124充當信號線)。在此實施例中，平坦化膜13經提供以覆蓋此等信號線及TFT 11(信號線及TFT 11係安置於低於平坦化膜13之一層中)。
平坦化膜13係由具有光敏性之一有機絕緣膜(諸如聚醯亞胺、Novorac樹脂或丙烯酸樹脂)形成。平坦化膜13係自像素區段10A至框架區10B形成於驅動側基板10上且覆蓋安置於像素區段10A及框架區10B兩者中之TFT 11。換言之，在框架區10B中，平坦化膜13係層壓於TFT 11上。在此實施例中，提供密封層19以覆蓋平坦化膜13之一端邊緣部分13e。
密封層19係由具有黏性且具有低透濕度之一樹脂材料形成，舉例而言，由具有UV可治癒性或熱固性性質之環氧樹脂或丙烯酸樹脂形成。舉例而言，可使用(舉例而言)各種塗佈方法在驅動側基板10上之框架區10B上施加並形成樹脂材料且然後硬化該樹脂材料來形成密封層19。在此實施例中，在框架區10B中，密封層19之一端邊緣E2比平坦化膜13之一端邊緣E1更遠地設置於外側上(在像素區段10A之相對側上)。換言之，一密封結構經形成以防止由有機絕緣膜形成之平坦化膜13之端邊緣部分13e曝露於外部。
像素電極14A係用於將對應於色彩中之每一者之視訊信號之視訊電位施加至像素中之每一者之電極。像素電極14A係針對像素中之每一者來安置。像素電極14A係由ITO之透明導電膜或諸如此類形成。提供相對電極14B作為擬與複數個像素電極14A相對之共用於像素中之每一者之一 電極。舉例而言，藉由相對電極14B施加共同電位。
液晶層15係根據經由像素電極14A及相對電極14B供應之一驅動電壓來控制光透射過液晶層15之透射率之一組件。液晶層15包括根據諸如一VA(垂直對準)模式之一縱向電場模式、一TN(扭曲向列)模式或一ECB(電控雙折射)模式來顯示驅動之液晶。作為定向膜，舉例而言，當將VA模式之液晶用作液晶層15時，舉例而言，使用由聚醯亞胺形成之一垂直定向膜。
平坦化膜16係由(舉例而言)一有機絕緣膜形成。平坦化膜16具有用於濾色器17A及遮光層17B之一保護膜之一功能連同一平坦化功能。然而，平坦化膜16不限於此一有機絕緣膜且可係由一無機絕緣膜形成。
濾色器17A及擋光膜17B包括(舉例而言)光敏性樹脂及一著色材料，諸如一顏料或一染料。作為濾色器17A，舉例而言，針對該等像素中之每一者提供紅色、綠色及藍色中之任一者之一濾色器。相對基板18係由(舉例而言)玻璃或塑膠之一透明基板形成。
一對偏光板(偏光器或分析器)(該圖中未展示)係以彼此交叉Nichol之一狀態配置。該等偏光板經組態以在一電壓未施加狀態(一關斷狀態)中阻擋來自一背光(下文所闡釋之一背光36)之光且在一電壓施加狀態(一接通狀態)中透射光。
(周邊電路)
圖2係包括包括液晶顯示組件之像素(PXL)之像素區段 10A及像素區段10A之周邊電路之組態之一圖示。如在該圖中所展示，在驅動側基板10上之像素區段10A中，複數個像素(PXL)經二維配置而呈(舉例而言)一矩陣形狀。在圍繞像素區段10A之框架區10B中，舉例而言，安置掃描線驅動電路62及信號線驅動電路61。此外，舉例而言，提供時序控制單元64、背光驅動單元63及對一視訊信號施加預定校正處理之一視訊信號處理電路。像素(PXL)連接至掃描線WSL及信號線DTL。
時序控制單元64控制掃描線驅動電路62及信號線驅動電路61之驅動時序且將一輸入視訊信號Din供應至信號線驅動電路61。掃描線驅動電路62根據時序控制單元64之時序控制逐線地驅動像素。信號線驅動電路61基於自時序控制單元64供應之視訊信號Din將一視訊電壓供應至像素。具體而言，信號線驅動電路61對視訊信號Din施加D/A(數位/類比)轉換以藉此產生一類比視訊信號且將該類比視訊信號輸出至像素。
背光36係朝向液晶層15輻照光之一光源。背光36包括(舉例而言)複數個LED(發光二極體)或CCFL(冷陰極螢光燈)。背光36係由背光驅動單元63驅動且經控制而處於一照亮狀態及一熄滅狀態中。
(操作及優點)
在液晶顯示裝置1A中，如在圖2中所展示，當將一外部輸入信號(Din)輸入至時序控制單元64時，掃描線驅動電路62及信號線驅動電路61顯示驅動像素區段10A之像素 (PXL)。具體而言，根據時序控制單元64之控制，掃描線驅動電路62依序將掃描信號供應至連接至該等像素中之每一者之掃描線WSL，且信號線驅動電路61將基於該外部輸入信號(Din)之一視訊信號供應至一預定信號線DTL。因此，選擇位於視訊信號所供應至之信號線DTL與掃描信號所供應至之掃描線WSL之交叉點之像素。將一驅動電壓施加至該等像素。
在如上文所闡釋選定之像素中，經由像素電極14A及相對電極14B供應驅動電壓，藉此液晶層15中之液晶分子之一定向狀態根據該驅動電壓之量值而改變。作為一結果，液晶層15中之光學特性改變。針對該等像素中之每一者調變使得自背光36入射於液晶層15上之光且將該光發射至相對基板18上。在液晶顯示裝置1A中，以此方式顯示一視訊。
液晶顯示裝置1A包括其中將像素區段10A密封於框架區10B中之周邊中之結構。在此實施例中，藉由框架區10B中之密封層19密封像素區段10A。在框架區10B中，安置TFT 11且形成平坦化膜13以覆蓋TFT 11。在此一組態中，用密封層19覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e(密封層19之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於外側上)。因此，可減小框架區10B之一空間而不降低密封效能。下文闡釋針對此之一理由。
圖3A至圖3D係用於闡釋由框架區中之佈線層(信號線)及密封層之一佈局所致的密封效能及一框架之一區域之差別 之剖面示意圖。在圖3A中，以一簡化形式展示此實施例中之一佈局組態。在圖3B及圖3C中，展示根據一比較性實例1之一液晶顯示裝置。在圖3D中，展示根據一比較性實例2之一液晶顯示裝置。
如在圖3B中所展示，在根據比較性實例1之液晶顯示裝置中，由一無機絕緣膜形成之一平坦化膜102係設置於一基板101上。在平坦化膜102中，嵌入複數個TFT(未展示)(或將該複數個TFT設置於低於平坦化膜102之一層中)。該複數個TFT分別電連接至信號線103。在比較性實例1中，信號線103安置於平坦化膜102上。在比較性實例1中，一密封層106經形成以圍繞設置於一框架區100B中之TFT及信號線103之更遠外側(包括TFT及信號線103之一周邊電路可能無法在密封層106下方形成)。在此一情形中，可形成於框架區100B中之密封層106之寬度(本文中稱作密封寬度)D3相對較小且未獲得充分之密封效能。
另一方面，如在圖3C中所展示，在比較性實例1之結構中，若增加密封層106之密封寬度以獲得充分之密封效能，則框架區100B之區域(寬度)亦根據該密封寬度之增加而增加。
另一方面，如在圖3D中所展示，在根據比較性實例2之液晶顯示裝置中，分別連接至複數個TFT(未展示)之信號線103係設置於基板101上。由一有機絕緣膜形成之一平坦化膜107經形成以覆蓋該複數個TFT及信號線103。密封層106係形成於平坦化膜107上。在包括此一結構之比較性實 例2中，由於濕氣傾向於自平坦化膜107之一端侵入，因而需要使等於或大於平坦化膜107端處之固定寬度之寬度X緊閉以防止侵蝕。因此，該框架區趨向於較大。
另一方面，在此實施例中，如在圖3A中所展示，平坦化膜13經提供以覆蓋安置於驅動側基板10上之複數個TFT(未展示)及電連接至該等TFT之信號線11h。密封層19經形成以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。具體而言，TFT及信號線11h係設置於低於平坦化膜13之一層中且進一步用具有高密封效能(低透濕度)之密封層19覆蓋平坦化膜13。由比一無機絕緣膜更容易地允許濕氣滲透之一有機絕緣膜形成平坦化膜13。然而，由於藉由密封層19來密封面板之最外側上之整個表面，因而即使將TFT及信號線11h設置於靠近面板外側之一區中，電極及佈線區段亦不容易被濕氣侵蝕。此外，由於使密封寬度充分緊閉，因而抑制液晶層15中之一液晶殘影(liquid crystal retention)性質之劣化。具體而言，舉例而言，在像素區段10A之周邊區中，可更靠近面板之外邊緣提供包括佈線層(掃描線、信號線等)之TFT 11及驅動電路(上文所闡釋之掃描線驅動電路62、信號線驅動電路61等)(有效地利用密封層19下方之空間)且減小框架區10B之寬度。以此方式，在液晶顯示裝置1A中，可在防止濕氣侵入之同時實現框架區10B之一空間之一減小。
如上文所闡釋，在此實施例中，在驅動側基板10與相對基板18之間，平坦化膜13經提供以覆蓋安置於框架區10B 中之TFT 11且密封像素區段10A之密封層19經提供以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。因此，在液晶顯示裝置1A中，可在抑制因濕氣之侵入所致的對佈線層之侵蝕及液晶殘影性質之劣化之同時實現框架區10B之一空間之一減小。因此，可實現框架寬度之一減小而不降低密封效能。
下文闡釋根據本發明之一第二實施例之一液晶顯示裝置(一液晶顯示裝置1B)。在以下闡釋中，藉由相同參考編號及符號標示與根據第一實施例之液晶顯示裝置1A之組件相同之組件，且根據需要省略對該等組件之闡釋。
<第二實施例>
圖4係液晶顯示裝置1B之一剖面結構(像素區段10A與框架區10B之間的一邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1B中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於顯示面板中之驅動側基板10與相對基板18之間。如同液晶顯示裝置1A，液晶顯示裝置1B包括其中藉由框架區10B中之一密封層20來接合及密封像素區段10A之一結構。在驅動側基板10上，自像素區段10A至框架區10B安置複數個TFT 11。平坦化膜13經提供以覆蓋TFT 11。然而，在此實施例中，密封層20包括一密封層20a與一保護膜20b之一層壓結構。驅動像素區段10A之周邊電路之組態與第一實施例中之組態相同。
如同第一實施例中之密封層19，密封層20a係由具有黏性且具有低透濕度之一樹脂材料形成，舉例而言，由具有UV可治癒性或熱固性性質之環氧樹脂或丙烯酸樹脂形 成。提供密封層20a之至少一部分以疊加於保護膜20b上。
保護膜20b係由一無機絕緣膜形成，諸如一個氧化矽膜、一個氮化矽膜或一個氧氮化矽膜。保護膜20b經提供以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。保護膜20b僅必須覆蓋平坦化膜13之至少該端邊緣部分13e而非必須覆蓋平坦化膜13上之整個表面。
在該第一實施例中，密封層19之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於外側上。然而，在此實施例中，將密封層20a之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於內側上。然而，合意之情形係，密封層20a之端邊緣E2比保護膜20b之內側(像素區段10A之側)上之一端邊緣部分E3更遠地設置於外側上。換言之，期望用密封層20a及保護膜20b中之一者或兩者覆蓋平坦化膜13。
在此實施例中，如在第一實施例中，平坦化膜13經提供以覆蓋安置於驅動側基板10上之框架區10A中之TFT 11。密封層20經提供以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。由於以此方式藉由密封層20密封該面板之最外側上之整個表面，因而即使在靠近該面板之外側之一區中提供TFT 11，電極及佈線區段亦不易受濕氣侵蝕。此外，由於可充分地使密封層20(密封層20a)中之密封寬度緊閉，因而抑制液晶層15中之一液晶殘影性質之劣化。因此，在根據此實施例之液晶顯示裝置1B中，如在第一實施例中，可實現框架之寬度之一減小而不降低密封效能。
在此實施例中，密封層20包括密封層20a及保護膜20b之 一層壓結構。保護膜20b覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。由於在密封層20a之下部層中提供由無機樹脂膜形成之保護膜20b，因而即使在密封層20a之一凝固區域中存在一變化，仍抑制濕氣侵入至平坦化膜13中。由於如上文所闡釋地應用及形成密封層20a，因而密封寬度往往發生變化。然而，即使發生此變化，亦可防止平坦化膜13之端邊緣部分13e曝露且確保實質上固定之密封效能。
簡而言之，即使如在此實施例中密封層20a之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於內側上(即使密封層20a不覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e)，仍可抑制濕氣侵入至平坦化膜13中。
<修改形式1>
另一選擇係，如在圖5中所展示，在包括保護膜20b之一結構中，可將密封層20a之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於外側上。藉由密封層20a與保護膜20b之層壓結構進一步改良密封效能。在上文所闡釋之第二實施例及修改形式1中，在框架區10B中，保護膜20b經提供以覆蓋平坦化膜13之僅一部分。然而，保護膜20b可覆蓋平坦化膜13上之框架區10B中之整個區。
闡釋根據本發明之一第三實施例之一液晶顯示裝置(一液晶顯示裝置1C)。在以下闡釋中，藉由相同參考編號及符號標示與根據第一實施例之液晶顯示裝置1A之組件相同之組件，且根據需要省略對該等組件之闡釋。
<第三實施例>
圖6係液晶顯示裝置1C之一剖面結構(像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1C中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於顯示面板中之驅動側基板10與相對基板18之間。如同液晶顯示裝置1A，液晶顯示裝置1C包括其中藉由框架區10B中之密封層19來接合及密封像素區段10A之一結構。在驅動側基板10上，自像素區段10A至框架區10B安置複數個TFT 11。平坦化膜13經提供以覆蓋TFT 11。然而，根據此實施例之液晶顯示裝置1C經組態以根據一橫向電場模式(作為一實例，闡釋一FFS(邊緣場切換)模式)而顯示驅動。驅動像素區段10A之周邊電路之組態與第一實施例中之組態相同。
在此一液晶顯示裝置1C中，一共同電極21A係安置於(舉例而言)平坦化膜13上，一像素電極21B經由一絕緣膜22(一層間絕緣膜)安置於共同電極21A上。一液晶層15A形成於像素電極21B上且藉由相對基板18密封。如在第一實施例中，在相對基板18之液晶層15A側上之表面上，層壓濾色器17A、遮光層17B及平坦化膜16。
液晶層15A係根據一驅動電壓來控制光透射過該組件之透射率之一組件。液晶層15A係根據上文所闡釋之FFS模式驅動。除FFS模式之外，尚可使用在其他橫向電場模式(諸如一IPS(平面中切換)模式)中之液晶。然而，在IPS模式之情形中，液晶顯示裝置1C並非必須包括絕緣膜22。
像素電極21B係針對像素中之每一者而提供且電連接至TFT 11之源極及汲極。將對應於一視訊信號之電位供應至像素電極21B。像素電極21B係由(舉例而言)ITO或IZO之一透明導電膜形成且經圖案化而呈一梳齒形狀(具有複數個狹縫)。經由像素電極21B之狹縫將一橫向電場施加至液晶層15A。共同電極21A係由(舉例而言)ITO或IZO之一透明導電膜形成且係提供為共用於該等像素中之每一者之一電極。
絕緣膜22係由(舉例而言)一個氧化矽膜、一個氮化矽膜或一個氧氮化矽膜形成。
在此實施例中，如在第一實施例中，提供平坦化膜13以覆蓋安置於驅動側基板10上之框架區10A中之TFT 11。提供密封層19以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。因此，即使在靠近面板之外側之一區中提供TFT 11，電極及佈線區段亦不易受濕氣侵蝕。此外，由於可使密封寬度充分緊閉，因而抑制液晶層15A中之一液晶殘影性質之劣化。因此，在如在此實施例中之根據FFS模式而顯示驅動之液晶顯示裝置1C中，如在第一實施例中，可實現框架之寬度之一減小而不降低密封效能。
<修改形式2>
在該第三實施例中，闡釋根據橫向電場模式(FFS模式)而顯示驅動之液晶顯示裝置。此一液晶顯示裝置可採用其中提供第二實施例中所闡釋之保護膜(無機絕緣膜)之結構。在圖7中展示該結構之一實例。如在該圖中所展示， 一保護膜22a經提供以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。提供密封層20a以疊置於保護膜22a上。將密封層20a之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地配置於內側上。然而，如上文所闡釋，可將密封層20a之端邊緣E2比平坦化膜13之端邊緣E1更遠地設置於外側上。
在FFS模式之該液晶顯示裝置中，在像素區段10A中，如上文所闡釋，在共同電極21A與像素電極21B之間提供由無機絕緣膜形成之絕緣膜22。因此，可在用於形成絕緣膜22之一製程中形成保護膜22a。具體而言，在藉由(舉例而言)CVD方法在平坦化膜13之整個表面上方形成上文所闡釋之無機絕緣膜之後，藉由使用(舉例而言)光微影方法之蝕刻分別在像素區段10A及框架區10B中共同地圖案化形成絕緣膜22及保護膜22a。
在此修改形式中，可藉由密封層20a與保護膜22a之層壓結構獲得與第一實施例及第二實施例中之效果等效之效果。此外，可在與用於形成像素區段10A之一製程之一部分相同之一製程中形成保護膜22a。因此，可形成保護膜22a，而未添加用於形成保護膜22a之一重新之製造製程(僅藉由改變一光罩之一圖案)。
<修改形式3>
在修改形式2之闡釋中，在FFS模式之液晶顯示裝置中，單獨提供保護膜22a及絕緣膜22且在保護膜22a及絕緣膜22之形成期間執行圖案化。然而，一保護膜與一絕緣膜並非必須分離。具體而言，如在圖8中所展示，可提供在像素 區段10A中所提供之一絕緣膜22b以延伸至框架區10B(具體而言，在像素區段10A中所提供之一絕緣膜22b可經提供以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e)。可使對應於框架區10B之一區段用作第二實施例及修改形式2中之保護膜。如同絕緣膜22，絕緣膜22b係由氧化矽之一無機絕緣膜或類似物形成。
在上文所闡釋之修改形式2中，在用於形成絕緣膜22之製程中同時圖案化形成保護膜22a。然而，在此修改形式中，絕緣膜22b僅必須在平坦化膜13之整個表面上方形成。絕緣膜22b不必針對像素區段10A及框架區10B中之每一者而分離。因此，可使製造製程更簡化(一光罩圖案之簡化)。
下文闡釋對第一至第三實施例中及修改形式1至修改形式3中所闡釋之液晶顯示裝置之其他修改形式(修改形式4至修改形式10)。如下文所闡釋，根據本發明之實施例之顯示裝置不限於上文所闡釋之液晶顯示裝置且可採用各種組態。在所有情形中，可獲得與第一實施例中之效果等效之效果。在以下闡釋中，作為一實例闡釋在第一實施例中所闡釋之縱向電場模式之液晶顯示裝置。然而，該等修改形式亦可適用於第三實施例中所闡釋之FFS模式或IPS模式之液晶顯示裝置及諸如此類。
<修改形式4>
圖9係根據一修改形式4之一液晶顯示裝置1D之一剖面結構(在像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面 結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1D中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於驅動側基板10與相對基板18之間。藉由框架區10B中之密封層19接合及密封像素區段10A。在驅動側基板10上，TFT 11安置於框架區10B中。平坦化膜13經提供以覆蓋TFT 11。密封層19經形成以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。
然而，在根據此修改形式之液晶顯示裝置1D中，在TFT 11上，具體而言在層間絕緣膜123b上之整個表面上方，一電極保護膜23經提供以覆蓋源極電極/汲極電極124。電極保護膜23係由(舉例而言)一個氧化矽膜、一個氮化矽膜或一個氧氮化矽膜形成。在電極保護膜23上提供平坦化膜13。藉由提供此一電極保護膜23，可有效地抑制濕氣侵入至TFT 11及佈線層中。
<修改形式5>
圖10係根據一修改形式5之一液晶顯示裝置1E之一剖面結構(在像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面結構)。在液晶顯示裝置1E中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於驅動側基板10與相對基板18之間。藉由框架區10B中之密封層19接合及密封像素區段10A。在驅動側基板10上，TFT 11A安置於框架區10B中。平坦化膜13經提供以覆蓋TFT 11A。密封層19經形成以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。
然而，在根據此修改形式之液晶顯示裝置1E中，將一所謂之頂部閘極型(一交錯型)薄膜電晶體用作TFT 11A。舉 例而言，將半導體層122設置於驅動側基板10上。經由層間絕緣膜123a將閘極電極121安置於半導體層122上。一層間絕緣膜123b經提供以覆蓋層間絕緣膜123a及閘極電極121。在層間絕緣膜123b上，安置源極電極/汲極電極124以填充層間絕緣膜123a及123b中所提供之接觸孔。源極電極/汲極電極124係電連接至半導體層122。
<修改形式6>
如在圖11中所展示，在上文所闡釋之包括頂部閘極型之TFT 11A之液晶顯示裝置1E中，如在液晶顯示裝置1A中，電極保護膜23可設置於TFT 11A上。
<修改形式7>
圖12係根據一修改形式7之一液晶顯示裝置1F之一剖面結構(在像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1F中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於驅動側基板10與相對基板18之間。藉由框架區10B中之密封層19接合及密封像素區段10A。在驅動側基板10上，TFT 11B安置於框架區10B中。平坦化膜13經提供以覆蓋TFT 11B。密封層19經形成以覆蓋平坦化膜13之端邊緣部分13e。
然而，在根據此修改形式之液晶顯示裝置1F中，TFT 11B係包括非晶矽之薄膜電晶體。在TFT 11B中，閘極電極121係設置於驅動側基板10上。半導體層125係經由層間絕緣膜123a形成於閘極電極121上。一對源極電極/汲極電極 124經安置以在半導體層125之每一者上彼此分離。平坦化膜13經形成以覆蓋此TFT 11B。
<修改形式8>
圖13係根據一修改形式8之一液晶顯示裝置1G之一剖面結構(在像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1G中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於驅動側基板10與相對基板18之間。藉由框架區10B中之密封層19接合及密封像素區段10A。在驅動側基板10上之框架區10B中，密封層19經形成以覆蓋覆蓋TFT 11之平坦化膜13之端邊緣部分13e。
然而，在根據此修改形式之液晶顯示裝置1G中，在框架區10B中，在平坦化膜13之外側上更遠地，沿平坦化膜13之端邊緣部分13e之一側表面距端邊緣E1一預定空間地提供一壁區段13A(用於環繞端邊緣部分13e)。舉例而言，壁區段13A係由與平坦化膜13之材料相同之一材料形成且以與平坦化膜13之厚度(高度)相同之厚度提供。此一壁區段13A可藉由在用於形成平坦化膜13之一製程中共同形成：使用(舉例而言)塗佈方法在一基板之整個表面上方形成上文所闡釋之有機絕緣膜(光敏樹脂)且然後使用光微影方法使該有機絕緣膜經受圖案化曝光。藉由提供此一壁區段13A，在壁區段13A與端邊緣部分13e之間填充一密封材料。即使該密封寬度變化，平坦化膜13之端邊緣部分13e亦容易被覆蓋。
<修改形式9>
在上文所闡釋之修改形式8中，圖解說明其中將密封層19之端邊緣E2比壁區段13A更遠地配置於內側上之組態。然而，如在圖14中所展示，可將密封層19之端邊緣E2比壁區段13A更遠地設置於外側上。修改形式8及修改形式9中之壁區段13A可由與平坦化膜13之材料相同之一材料形成或可由另一材料形成。不必始終以與平坦化膜13之厚度相同之厚度(高度)提供壁區段13A。
<修改10>
圖15係根據一修改10之一液晶顯示裝置1H之一剖面結構(在像素區段10A與框架區10B之間的邊界附近之一剖面結構)之一圖示。在液晶顯示裝置1H中，如在根據第一實施例之液晶顯示裝置1A中，像素區段10A係密封於驅動側基板10與相對基板18之間。藉由框架區10B中之密封層19接合及密封像素區段10A。在驅動側基板10上之框架區10B中，密封層19經形成以覆蓋覆蓋TFT 11之平坦化膜13之端邊緣部分13e。
然而，在根據此修改形式之液晶顯示裝置1H中，在框架區10B中，形成密封層19用於亦覆蓋設置於相對基板18側上之平坦化膜16之一端邊緣部分16e。具體而言，將平坦化膜16之一端邊緣E4比相對基板18之一端邊緣E5更遠地設置於內側上。密封層19之端邊緣E2比平坦化膜16之端邊緣E4更遠地設置於外側上。因此，可抑制濕氣自相對基板18側侵入至液晶層15中。
(應用實例)
參照圖16至圖21闡釋在該等實施例及該等修改形式中所闡釋之顯示裝置(液晶顯示裝置)之應用實例(一模組及應用實例1至5)。可將根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類應用於所有領域中之電子設備，諸如一電視設備、一數位相機、一筆記型個人電腦、一可攜式終端設備(諸如一蜂巢式電話)及一視訊相機。換言之，可將上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類應用於所有領域中之將自外部輸入之一視訊信號或在內部產生之一視訊信號顯示為一影像或一視訊之電子設備。
(模組)
將該等顯示裝置併入於下文所闡釋之諸如應用實例1至應用實例5之各種電子設備中，如(舉例而言)圖16中所展示之一模組。在該模組中，舉例而言，自相對基板18曝露之一區210係設置於驅動側基板10之一個側上。在曝露區210中，信號線驅動電路61及掃描線驅動電路62之線延伸以形成外部連接端子(未展示)。用於輸入及輸出信號之撓性印刷佈線板(FPC；撓性印刷電路)220可設置於外部連接端子中。
(應用實例1)
圖17係根據一應用實例1之一電視設備之一外觀之一圖示。該電視設備包括(舉例而言)包括一前面板511及一濾光玻璃512之一視訊顯示螢幕單元510。視訊顯示螢幕單元510等效於上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸 如此類。
(應用實例2)
圖18A及圖18B係根據一應用實例2之一數位相機之外觀之圖示。數位相機包括(舉例而言)用於一閃光之一發光單元521、一顯示單元522、一選單切換523及一快門按鈕524。顯示單元522等效於上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類。
(應用實例3)
圖19係根據一應用實例3之一筆記型個人電腦之一外觀之一圖示。該筆記型個人電腦包括(舉例而言)一主體531、用於字元及諸如此類之輸入操作之一鍵盤532及顯示一影像之一顯示單元533。顯示單元533等效於上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類。
(應用實例4)
圖20係根據一應用實例4之一視訊攝影機之一外觀之一圖示。該視訊攝影機包括(舉例而言)一主體單元541、設置於主體單元541之前側表面上用於被攝體拍攝之一透鏡542、在拍攝期間使用之一開始/停止開關543及一顯示單元544。顯示單元544等效於上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類。
(應用實例5)
圖21A至圖21G係根據一應用實例5之一蜂巢式電話之外觀之圖示。在該蜂巢式電話中，舉例而言，藉由一耦合部件(一鉸鏈部件)730耦合一上部外殼710與一下部外殼 720。該蜂巢式電話包括一顯示器740、一子顯示器750、一閃光燈760及一相機770。顯示器740或子顯示器750等效於上文所闡釋之根據該等實施例之顯示裝置及諸如此類。
上文闡釋了數個實施例、修改形式及應用實例。然而，本發明之內容並不限於該等實施例及諸如此類。舉例而言，由有機絕緣膜形成之平坦化膜係圖解說明為本發明中之絕緣膜。然而，平坦化膜不限於此一有機絕緣膜。可使用由(舉例而言)氧化矽、氮化矽或氧氮化矽形成之一無機絕緣膜。
在上文所闡釋之實施例及諸如此類中，將薄膜電晶體闡釋為根據本發明之主動組件之一實例。然而，該主動組件不限於此且僅必須係安置於一周邊電路中之一主動組件即可。該主動組件亦可應用於(舉例而言)一個二極體及其他切換組件。
在上文所闡釋之該等實施例及諸如此類中，該等液晶顯示裝置係作為一實例闡釋。然而，本發明中之顯示裝置不限於此種液晶顯示裝置。亦可將該顯示裝置應用於一有機EL顯示裝置。在此情形中，如上文所闡釋，在像素區段10A之框架區10B中，提供像素驅動電路(例如，一掃描線驅動電路、一信號線驅動電路、一電源線驅動電路)且安置TFT及佈線層(一掃描線、一信號線及一電源線)。在有機EL顯示裝置中，一平坦化膜形成於一驅動側基板上以覆蓋TFT及諸如此類。在該平坦化膜上，電連接至TFT之源極及汲極之一正極、一有機EL層及一負極按此次序層壓。
本發明之顯示裝置及電子設備可具有下文(1)至(17)中所闡釋之組態。
(1)一顯示裝置包括：一像素區段，其設置於一對基板之間且包括複數個像素；一或複數個主動組件，其安置於該對基板中之一個基板上之圍繞該像素區段之一框架區中；一絕緣膜，其設置於該一個基板上之該框架區中以覆蓋該一或複數個主動組件；及一密封層，其經提供以密封該像素區段及覆蓋該框架區中該絕緣膜之一端邊緣部分。
(2)如(1)之顯示裝置，其中該主動組件係一薄膜電晶體。
(3)如(2)之顯示裝置，其中該薄膜電晶體及電連接至該薄膜電晶體之一佈線層覆蓋有該絕緣膜。
(4)如(1)至(3)中之任一項之顯示裝置，其中該絕緣膜係由一有機絕緣膜形成之一平坦化膜。
(5)如(4)之顯示裝置，其中該密封層係由接合及密封該對基板之間的像素區段之一密封材料形成，且該密封層之一端邊緣比該絕緣膜之一端邊緣更遠地設置於外側上。
(6)如(3)至(5)中之任一項之顯示裝置，其中該密封層包括：接合及密封該對基板之間的該像素區段之一密封層；及設置於該絕緣膜與該密封層之間且經提供以覆蓋該絕緣膜之至少該端邊緣部分之一保護膜。
(7)如(6)之顯示裝置，其中該保護膜係由一無機絕緣膜形成。
(8)如(1)至(7)中之任一項之顯示裝置，其中該像素區 段之該複數個像素中之每一者包括：根據一縱向電場模式驅動之一液晶層；及經配置而跨越該液晶層彼此相對之一對電極。
(9)如(1)至(8)中之任一項之顯示裝置，其中該像素區段之該複數個像素中之每一者包括：根據一橫向電場模式顯示驅動之一液晶層；及設置於該液晶層之該一個基板側上之一對電極。
(10)如(9)之顯示裝置，其中該顯示裝置包括在該對電極之間的一層間絕緣膜。
(11)如(10)之顯示裝置，其中該密封層包括：一密封層，其接合及密封該對基板之間的像素區段；及一保護膜，其設置於該絕緣膜與該密封層之間且經提供以覆蓋該絕緣膜之至少該端邊緣部分，且該保護膜係由與該層間絕緣膜之一材料相同之一材料形成。
(12)如(1)至(11)中之任一項之顯示裝置，其中該顯示裝置包括圍繞該絕緣膜之該端邊緣部分之一壁區段。
(13)如(1)至(12)中之任一項之顯示裝置，其中該顯示裝置在該對基板中之另一基板之該像素區段側上包括一濾色片層及覆蓋該濾色片層之另一絕緣膜且該密封層經提供以覆蓋該另一絕緣膜之一端邊緣部分。
(14)如(2)至(13)中之任一項之顯示裝置，其中該顯示裝置包括在該薄膜電晶體上之一電極保護膜。
(15)如(2)至(14)中之任一項之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係一底部閘極型薄膜電晶體。
(16)如(2)至(15)中之任一項之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係一頂部閘極型薄膜電晶體。
(17)如(2)至(16)中之任一項之顯示裝置，其中該薄膜電晶體包括由低溫多晶矽、微晶矽或非晶矽形成之一半導體層。
本發明含有與2011年6月7日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2011-127599中所揭示之標的物相關之標的物，該申請案之全部內容特此以引用方式併入。
熟習此項技術者應理解，可端視設計要求及其他因素而作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其在隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內。
1A‧‧‧液晶顯示裝置
1B‧‧‧液晶顯示裝置
1C‧‧‧液晶顯示裝置
1D‧‧‧液晶顯示裝置
1E‧‧‧液晶顯示裝置
1F‧‧‧液晶顯示裝置
1G‧‧‧液晶顯示裝置
1H‧‧‧液晶顯示裝置
10‧‧‧驅動側基板
10A‧‧‧像素區段
10B‧‧‧框架區
11‧‧‧薄膜電晶體
11B‧‧‧薄膜電晶體
11h‧‧‧信號線
13‧‧‧平坦化膜
13A‧‧‧壁區段
13e‧‧‧端邊緣部分
14A‧‧‧像素電極
14B‧‧‧電極
15‧‧‧液晶層
15A‧‧‧液晶層
16‧‧‧平坦化膜
16e‧‧‧端邊緣部分
17A‧‧‧濾色器
17B‧‧‧遮光層
18‧‧‧基板
19‧‧‧密封層
20‧‧‧密封層
20a‧‧‧密封層
20b‧‧‧保護膜
21A‧‧‧共同電極
21B‧‧‧像素電極
22‧‧‧絕緣膜
22a‧‧‧保護膜
22b‧‧‧絕緣膜
23‧‧‧電極保護膜
36‧‧‧背光
61‧‧‧信號線驅動電路
62‧‧‧掃描線驅動電路
63‧‧‧背光驅動單元
64‧‧‧時序控制單元
100B‧‧‧框架區
101‧‧‧基板
102‧‧‧平坦化膜
103‧‧‧信號線
106‧‧‧密封層
107‧‧‧平坦化膜
121‧‧‧閘極電極
122‧‧‧半導體層
123a‧‧‧層間絕緣膜
123b‧‧‧層間絕緣膜
124‧‧‧源極電極/汲極電極
125‧‧‧半導體層
210‧‧‧曝露區/區
220‧‧‧撓性印刷佈線板
510‧‧‧螢幕單元
710‧‧‧上部外殼
720‧‧‧下部外殼
730‧‧‧耦合部件
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧閃光燈
770‧‧‧相機
D3‧‧‧寬度
Din‧‧‧輸入視訊信號
DTL‧‧‧信號線/預定信號線
E1‧‧‧端邊緣
E2‧‧‧端邊緣
E3‧‧‧端邊緣部分
E4‧‧‧端邊緣
E5‧‧‧端邊緣
PXL‧‧‧像素
WSL‧‧‧掃描線
X‧‧‧寬度
圖1係在根據本發明之一第一實施例之一液晶顯示裝置(一液晶顯示面板)之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖2係圖1中所展示之液晶顯示裝置中之周邊電路之一實例之一功能性方塊圖；圖3A至圖3D係用於闡釋根據比較性實例1及2及第一實施例之液晶顯示裝置之框架之區域之剖面圖；圖4係在根據本發明之一第二實施例之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖5係在根據一修改形式1之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖 面圖；圖6係在根據本發明之一第三實施例之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖7係在根據一修改形式2之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖8係在根據一修改形式3之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖9係在根據一修改形式4之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖10係在根據一修改形式5之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖11係在根據一修改形式6之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖12係在根據一修改形式7之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖13係在根據一修改形式8之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一 剖面圖；圖14係在根據一修改形式9之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖15係在根據一修改形式10之一液晶顯示裝置之一像素區段與一框架區段之間的一邊界附近之一示意性組態之一剖面圖；圖16係包括根據該等實施例中之每一者及諸如此類之顯示裝置之一模組之一示意性組態之一平面圖；圖17係一應用實例1之一外觀之一透視圖；圖18A係自前側觀看之一應用實例2之一外觀之一透視圖；圖18B係自後側觀看之應用實例2之一外觀之一透視圖；圖19係一應用實例3之一外觀之一透視圖；圖20係一應用實例4之一外觀之一透視圖；圖21A係處於一打開狀態中之一應用實例5之一前視圖；圖21B係處於打開狀態中之應用實例5之一側視圖；圖21C係處於一關閉狀態中之應用實例5之一前視圖；圖21D係處於關閉狀態中之應用實例5之一左側視圖；圖21E係處於關閉狀態中之應用實例5之一右側視圖；圖21F係處於關閉狀態中之應用實例5之一俯視圖；及圖21G係處於關閉狀態中之應用實例5之一仰視圖。
1A‧‧‧液晶顯示裝置
10‧‧‧驅動側基板
10A‧‧‧像素區段
10B‧‧‧框架區
11‧‧‧薄膜電晶體
13‧‧‧平坦化膜
13e‧‧‧端邊緣部分
14A‧‧‧像素電極
14B‧‧‧電極
15‧‧‧液晶層
16‧‧‧平坦化膜
17B‧‧‧遮光層
18‧‧‧基板
19‧‧‧密封層
121‧‧‧閘極電極
122‧‧‧半導體層
123a‧‧‧層間絕緣膜
123b‧‧‧層間絕緣膜
124‧‧‧源極電極/汲極電極
E1‧‧‧端邊緣
E2‧‧‧端邊緣

Claims (18)

  1. 一種顯示裝置，其包含：一像素區段，其設置於一對基板之間且包括複數個像素；一或複數個主動組件，其安置於該對基板中之一個基板上圍繞該像素區段之一框架區中；一絕緣膜，其設置於該一個基板上之該框架區中以覆蓋該一或複數個主動組件；一密封層，其經提供以密封該像素區段及覆蓋該框架區中該絕緣膜之一端邊緣部分；及一壁區段，其設置於該密封層之覆蓋部分之外側，該覆蓋部分覆蓋該絕緣膜之該端邊緣部分，而該壁區段覆蓋該密封層之該覆蓋部分；且該密封層之一端邊緣設置於該壁區段之外側。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中該主動組件係一薄膜電晶體。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中該薄膜電晶體及電連接至該薄膜電晶體之一佈線層覆蓋有該絕緣膜。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中該絕緣膜係由一有機絕緣膜形成之一平坦化膜。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中該密封層係由接合及密封該對基板之間的該像素區段之一密封材料形成，且該密封層之該端邊緣比該絕緣膜之一端邊緣更遠地設 置於一外側上。
  6. 如請求項3之顯示裝置，其中該密封層包括：一密封層，其接合及密封該對基板之間的該像素區段；及一保護膜，其設置於該絕緣膜與該密封層之間且經提供以至少覆蓋該絕緣膜之該端邊緣部分。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中該保護膜係由一無機絕緣膜形成。
  8. 如請求項1之顯示裝置，其中該像素區段之該複數個像素中之每一者包括：一液晶層，其係根據一縱向電場模式而驅動；及一對電極，其經配置而跨越該液晶層彼此相對。
  9. 如請求項1之顯示裝置，其中該像素區段之該複數個像素中之每一者包括：一液晶層，其係根據一橫向電場模式而顯示驅動；及一對電極，其設置於該液晶層之該一個基板側上。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中該顯示裝置包括介於該對電極之間的一層間絕緣膜。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其中該密封層包括：一密封層，其接合及密封該對基板之間的該像素區段；及一保護膜，其設置於該絕緣膜與該密封層之間且經提供以至少覆蓋該絕緣膜之該端邊緣部分，且 該保護膜係由與該層間絕緣膜之一材料相同之一材料形成。
  12. 如請求項1之顯示裝置，其中該壁區段圍繞該絕緣膜之該端邊緣部分。
  13. 如請求項1之顯示裝置，其中該顯示裝置在該對基板中之另一基板之該像素區段側上包括一濾色片層及覆蓋該濾色片層之另一絕緣膜，且該密封層經提供以覆蓋該另一絕緣膜之一端邊緣部分。
  14. 如請求項2之顯示裝置，其中該顯示裝置包括在該薄膜電晶體上之一電極保護膜。
  15. 如請求項2之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係一底部閘極型薄膜電晶體。
  16. 如請求項2之顯示裝置，其中該薄膜電晶體係一頂部閘極型薄膜電晶體。
  17. 如請求項2之顯示裝置，其中該薄膜電晶體包括由低溫多晶矽、微晶矽或非晶矽形成之一半導體層。
  18. 一種包含一顯示裝置之電子設備，該顯示裝置包括：一像素區段，其設置於一對基板之間且包括複數個像素；一或複數個主動組件，其安置於該對基板中之一個基板上圍繞該像素區段之一框架區中；一絕緣膜，其設置於該一個基板上之該框架區中以覆蓋該一或複數個主動組件； 一密封層，其經提供以密封該像素區段及覆蓋該框架區中該絕緣膜之一端邊緣部分；及一壁區段，其設置於該密封層之覆蓋部分之外側，該覆蓋部分覆蓋該絕緣膜之該端邊緣部分，而該壁區段覆蓋該密封層之該覆蓋部分；且該密封層之一端邊緣設置於該壁區段之外側。
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